KR20090000837A - 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법 - Google Patents

포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기술폰산 화합물, 인산화합물 및 물을 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법이다. 본 발명에 의해 반도체 소자 및 평판표시소자의 제조공정을 수행할 때 습식 및 건식 공정 발생할 수 있는 포토레지스트에 대하여 침적, 분무 방식으로 용이하게 제거할 수 있으며, 금속막질 및 산화막질에 대한 부식 방지 효과가 우수한 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법이 제공된다.
포토레지스트, 박리, 부식성, 유기술폰산, 인산화합물

Description

포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법 {Photoresist stripper composition and exfoliation method of a photoresist using the same}
본 발명은 반도체 소자 및 평판표시소자의 제조공정 중 하드 베이킹, 플라즈마 에칭, 고온 에싱 후 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 박리액 조성물에 노출되는 하부 금속 막질 및 절연막의 부식 없이 효과적으로 제거하는 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시소자의 제조는, 금속막 또는 절연막을 형성하는 공정, 포토레지스트를 형성하는 공정, 포토레지스트에 마스크 패턴을 전사하는 노광 공정, 패턴을 따라 막을 에칭하는 식각 공정 및 포토레지스트를 제거하는 박리공정으로 진행된다. 반도체 소자 평판표시소자의 제조 공정 중에는 웨이퍼 또는 기판 상에 도포된 포토레지스트를 습식 에싱(ashing) 또는 건식 에싱으로 제거하는 공정이 있다. 이러한 습식 에싱 또는 건식 에싱 공정에서 변질 또는 경화된 일부 포토레지스트 잔류물이 존재하게 된다. 상기 변질 또는 경화된 포토레지스트를 완전히 제거하지 않는 경우, 포토레지스트 잔류물에 의해 후속 공정에서 배선의 단 락, 단선의 요인으로 작용할 수 있기 때문에 생산 수율의 저하 요인이 될 수 있다.
이러한 문제점을 극복하기 위하여, 에싱 공정 후에 잔류하는 변질 및/또는 경화된 포토레지스트를 제거하여야 하며, 잔류하는 변질 및/또는 경화된 포토 레지스트의 제거는 습식공정으로 진행되고 있다. 또한, 상기 습식공정에서 포토레지스트를 효과적으로 제거하기 위하여 사용하는 박리액 조성물은 아민계와 유기용매, 황산계와 유기용매, 술폰산계와 유기용매 또는 암모늄 염과 유기용매 등으로 구성되는 것이 제안되고 있다.
미국 등록특허 제 4,617,251호는 특정 아민 화합물 [예컨대, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 또는 이들의 혼합물] 및 극성 용매 (예컨대, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 테트라히드로 푸르푸릴알코올, 디메틸글루타레이트, 술포란, 감마-부틸락톤(GBL), N,N-디메틸아세트아미드 및 이들의 혼합물)을 함유하는 포지티브형 포토레지스트 박리액 조성물에 대해 개시하고 있다. 미국 등록특허 제5,279,771호는 하이드록실아민, 알칸올아민 및 임의의 극성 용매를 포함하는 스트리핑 조성물을 개시하고 있다.
그러나 상기의 아민계 박리액으로는 플라즈마 에칭, 고온 에싱 후 잔류 폴리머나 이온 주입 후 경화된 포토레지스트를 완전하게 제거하지 못하거나, 알루미늄과 같은 금속막의 부식에 대한 심각한 문제점을 안고 있다.
또한, 대한민국 공개특허 10-2007-0027597 는 수용성 유기용매와 술폰산 또는 그의 상응하는 염 및 물에 부식 억제제가 포함되는 조성물이 개시되어 있다. 대한민국 공개 특허 10-2006-0098333 는 아세틸렌 알코올 화합물 및 유기술폰산 화 합물중 적어도 1종과 다가 알코올 및 그 유도체 중 적어도 1종을 함유하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제안하고 있다.
그러나 이러한 조성물은 고집적화된 반도체 소자의 제조 공정 중 플라즈마 에칭 또는 고온 에싱, 그리고 이온 주입 후 발생하는 폴리머 및 경화된 포토레지스트 제거성이 떨어지거나 금속막 또는 절연막의 부식이 발생하는 문제점이 있다.
따라서 이 분야에서 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 포토레지스트의 제거성과 금속막 및 절연막의 부식이 발생하지 않는 보다 효과적인 포토레지스트 박리액 조성물의 개발이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 반도체소자 및 평판표시소자의 제조공정 중 하드 베이킹, 플라즈마 에칭, 고온 에싱 후에 경화 및/또는 변질된 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 금속막 및 절연막의 부식 없이, 특히 알루미늄 막질을 포함하는 소자제조 공정에 효과적인 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 전체 조성물 총 중량에 대하여, 유기술폰산 화합물 인산화합물 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 박리액을 이용한 박리방법을 제공한 다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 포토리소그래피 공정 중에 발생하는 포토레지스트 및 이의 잔류물을 절연막 및 금속막의 부식 없이, 특히 알루미늄을 포함하는 금속의 부식 없이 효과적으로 제거할 수 있는 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리방법을 제공한다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물에 포함되는 유기술폰산 화합물은 유기술폰산 또는 이의 염 화합물로서, 수용액상에 해리될 때 해리상수, 또는 산성도가 높은 편이다. 한편, 일반적으로 황산의 경우 반도체 공정에서 유기물을 제거하는 공정에 널리 사용되고 있는데 이는 황산이 산성도가 높고, 산화시키는 능력이 강하기 때문이다. 즉, 물속에 용해되는 경우 수소 이온의 발생량이 높기 때문에 수소이온지수가 작게 표시되고 있다. 이와 같은 수소이온 즉, 산 이온은 폴리머인 소수성의 포토레지스트와 반응하여 친수성의 포토레지스트로 변화시키는 한편 포토레지스트 내 결합을 완화시키는 작용을 할 수 있으며, 완화된 포토레지스트는 다른 작용기에 의하여 보다 쉽게 용해되는 특성을 가지게 될 수 있다. 이러한 특성으로 인하여 황산과 유사한 산해리 상수, 즉 산성도를 가질 수 있는 유기 술폰산을 사용하는 경우, 황산과 같은 강한 산성도에 의하여 포토레지스트를 보다 쉽게 제거할 수 있게 된다. 또한, 이러한 특성을 이용하는 경우 일반 유기산, 즉 살리실산, 숙신산, 갈산, 말리산 등과 같은 약산에 비하여 유기물의 제거효과를 기대할 수 있 다. 이에 따라 종래의 박리액으로는 제거하기가 어려웠던 포토레지스트 변질층 및 측벽 보호 퇴적막을 포토레지스트와 함께 제거할 수 있도록 하는 역할을 수행한다.
상기 유기술폰산 화합물은 탄소수 1 내지 4의 알킬술폰산, 탄소수 6 내지 8의 아릴술폰산, 탄소수 5 내지 7의 헤테로아릴술폰산 및 탄소수 1 내지 12의 알킬벤젠술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 유기술폰산 화합물은 치환기를 가질 수도 있으며, 상기 치환기는 머캅토, 아미노기 또는 플루오로 등이 사용될 수 도 있다.
상기 탄소수 1 내지 4의 알킬술폰산은 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산 및 아미노메탄술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
상기 탄소수 6 내지 8의 아릴술폰산은 벤젠술폰산, 톨루엔술폰산(4-메틸벤젠술폰산) 톨루엔술폰산나트륨 및 페놀술폰산로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
상기 탄소수 5 내지 7의 헤테로아릴술폰산은 피리딘술폰산인 것이 바람직하다.
상기 탄소수 1 내지 12의 알킬벤젠술폰산은 도데실벤젠술폰산, 0-크레졸술폰산(2-메틸페놀술폰산), 크레졸술폰산(메틸페놀술폰산), 큐멘술폰산나트륨, 2,5-크실렌술폰산 및 2,4-크실렌술폰산로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
그 외에 캄파술폰산 등이 사용될 수 있다.
그 중에서도 상기 유기술폰산은 도데실벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 큐멘술폰산나트륨, 크실렌술폰산나트륨, 2,5-크실렌술폰산, 2,4-크실렌술폰산, 캄파술폰산을 이용하는 것이 바람직하다. 여기서, 반도체 소자 또는 평판표시소자의 제조공정 중 상기 유기술폰산에 포함된 금속 성분의 영향으로 소자제조공정에 영향이 있는 경우에는 금속술폰산염의 사용을 억제하는 것이 바람직하다
상기 유기술폰산 화합물의 농도는 특별하게 한정하지 않으나, 제거 대상 및 제거 조건에 따라 증감이 가능하며, 바람직하게는 전체 조성물 총 중량에 대하여, 0.1~30 중량%로, 특히 바람직하게는 0.5~15중량%이다. 상기 유기술폰산 화합물이 0.1중량% 내지 30중량%로 포함되면, 변질 및/또는 경화된 포토레지스트의 제거를 용이하게 수행할 수 있고, 제조비용도 절감할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물에 포함되는 인산 화합물은 무기 알칼리 화합물로서, 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있고, 반도체 소자 및 평판표시소자에 사용되는 금속막의 부식을 억제하는 기능을 수행한다. 상기 인산화합물의 경우 인산의 산성도에 의해 포토레지스트와 반응하여 포토레지스트의 구조를 완화시켜 포토레지스트를 제거시키는 것이 가능하다. 또한, 상기 인산화합물 구조에서 인(P)과 결합된 산소(O)에 존재하는 비공유 전자쌍들에 의하여 하부 기판의 금속층과 상호 결합하여 유기술폰산이 금속층을 식각시키는 효과는 완화시키는 역할을 수행할 수도 있다. 이와 같이 유기술폰산과 인산화합물의 상호 작용에 의하여 포토레지스트의 제거력 향상과 금속층의 식각속도를 조절할 수 있다.
상기 인산화합물은 인산, H(PO3)nOH (n=2 내지 10 의 자연수)로 표시되는 다인산, (HPO3)n (n=3 내지 10의 자연수)로 표시되는 메타인산 및 이들의 염을 포함하는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
상기 인산은 인산수소칼슘, 인산수소나트륨, 인산칼륨, 과 같이 금속이 치환된 인산 및 이들의 염일 수 있고, 인산일암모늄 및 인산이암모늄과 같이 암모늄염이 치환된 인산암모늄일 수 있다. 그 중에서 인산 암모늄을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 다인산은 피로인산나트륨 및 피로인산칼륨과 같이 금속이 치환된 다인산 및 이들의 염일 수 있고, 피로인산암모늄과 같이 암모늄이 치환된 다인산암모늄 및 이들의 염일 수 있다.
상기 메타인산은 메타인산칼륨 및 메타인산나트륨과 같이 금속이 치환된 메타인산 및 이들의 염일 수 있다
여기서, 반도체 소자 또는 평판표시소자의 제조공정 중 상기 인산화합물에 포함된 금속 성분의 영향으로 소자제조공정에 영향이 있는 경우에는 금속인산염의 사용을 억제하는 것이 바람직하다.
상기 인산 화합물의 농도는 특별히 한정하지 않으나, 제거 대상 및 제거 조건에 따라 증감이 가능하며, 바람직하게는 전체 조성물 총 중량에 대하여 0.1~30중량%로 포함되고, 특히 바람직하게는 0.5~15중량%이다. 상기 인산화합물이 0.1~30중량%로 포함되면, 포토레지스트의 고분자 성분 내로 적합한 양이 침투되어 포토레지스트를 잘 용해시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이다. 또한, 상기 물은 상기 유기술폰산 화합물 및 인산화합물의 함유량에 따라 조정할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물에는 글리콜 에테르 함유 화합물이 더 포함될 수 있다. 상기 글리콜 에테르 함유 화합물은 계면활성제와 같은 역할을 수행하여 용액의 표면장력을 감소시킬 수 있으며, 포토레지스트 박리액 조성물의 혼합 균일성을 높여주는 역할을 할 수 있다.
상기 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 폴리프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물에는 불소 이온 함유 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 불소 이온 함유 화합물은 기판 상에 잔류하는 경화, 변질된 포토레지스트의 제거를 향상시켜주는 역할을 할 수도 있다. 또한, 기판 상의 오염 물질, 즉 미세 먼지 등을 제거시켜 주는 역할을 할 수 있다.
상기 불소 이온 함유 화합물은 특별히 한정하지 않으나, 불산, 불화암모늄, 중불화암모늄, 불화붕소산로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합으로 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 상기에서 언급한 화합물을 일정량으로 유리하게 혼합하여 제조될 수 있으며, 혼합 방법은 특별히 제한되지 않으며 여러 가지 공지 방법을 적용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 반도체 소자 혹은 평판표시소자의 제조 공정에서 하드 베이킹(hard baking), 플라즈마 에칭, 고온 에싱 후 경화 및/또는 변질된 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 효과적으로 제거하는 박리 공정에 사용할 수 있다.
본 발명은 또한, 하드 베이킹, 플라즈마 에칭, 고온 에싱 후 경화 및/또는 변질된 포토레지스트 및 잔류물을 효과적으로 제거할 수 있는 박리방법을 제공한다. 상기 박리방법은 당 업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있으며, 박리 용액과 경화되거나 폴리머로 변질된 포토레지스트가 있는 기판이 접촉할 수 있는 방법이면 양호한 결과를 얻을 수 있다.
상기 박리방법으로는 침적, 분무, 또는 침적 및 분무를 이용한 방법 등이 적용된다. 침적, 분무, 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 10~100℃, 바람직하게는 20~80℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건에서 사용될 수 있다.
이하에서 실시예 및 시험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 이하의 실시예 및 시험예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~8 및 비교예 1~5: 포토레지스트 박리액 조성물의 제조
하기 표1과 같은 조성과 함량으로 혼합하여 실시예 1~12 및 비교예 1~3의 포토레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
유기술폰산 화합물 (중량%) 인산 화합물 (중량%) 불화수소 (중량%) TMAH (중량%) 황산(H2SO4) (중량%) 물 (중량%)
실시예1 DBSA 1 인산암모늄 3 × × × 96
실시예2 DBSA 5 인산암모늄 5 × × × 90
실시예3 DBSA 5 인산 1 × × × 94
실시예4 TSA 3 인산암모늄 3 × × × 94
실시예5 TSA 5 인산암모늄 7 × × × 88
실시예6 TSA 10 인산암모늄 10 × × × 80
실시예7 TSA 10 인산암모늄 15 × × × 75
실시예8 DBSA/TSA 5/5 인산암모늄 5 × × × 85
실시예9 DBSA 15 인산암모늄 5 × × × 80
비교예1 TSA 10 × × × × × 90
비교예2 TSA 3 × × × 2 × 95
비교예3 × × 인산암모늄 5 × × 5 90
비교예4 TSA 5 인산암모늄 3 0.1 2 × 89.9
주)DBSA: 도데실벤젠술폰산
TSA: 톨루엔술폰산
TMAH: 테트라메틸 암모늄 히드록사이드
시험예 1: 박리 능력 및 부식성 테스트
(1) 박리 능력 및 테스트
플라즈마 에칭 또는 고온 에싱 후 발생되는 경화된 포토레지스트막과 잔류물이 금속막 또는 절연막에 부착된 시편을 온도 40℃의 박리액에 20분간 침적시킨 후 박리액으로부터 시편을 꺼내고 초순수로 1분간 린스한 후 질소 가스를 이용하여 건조시켰다. 그리고 주사전자현미경을 이용하여 경화된 포토레지스트막과 잔류 잔사물의 제거성과 약 액에 노출된 금속막 및 절연막의 부식성을 평가하였다. 제거성 및 부식성 평가는 다음과 같은 기준에 의거 평가 결과를 표 3에 명기하였다.
[박리 능력 평가 기준]
○: 금속, 패드, 비아홀 주변이나 표면에 남아 있는 폴리머가 완전하게 제거된 경우
△: 금속, 패드, 비아홀 주변이나 표면에 남아 있는 폴리머가 70% 이상 제거된 경우
×: 금속, 패드, 비아홀 주변이나 표면에 남아 있는 폴리머가 거의 제거되지 않은 경우
[부식 능력 평가 기준]
○: 금속, 패드의 상하부, 측면에 부식이 없는 경우
△: 금속, 패드의 상하부, 측면에 일부분 부식이 있는 경우
×: 금속, 패드의 상하부, 측면에 부식이 많은 경우
박리성 부식성
실시예1 △ ○
실시예2 ○ ○
실시예3 ○ △
실시예4 ○ ○
실시예5 ○ ○
실시예6 ○ ○
실시예7 ○ ○
실시예8 ○ ○
실시예9 ○ ○
비교예1 ○ ×
비교예2 ○ ×
비교예3 ○ ×
비교예4 ○ ×
표2를 참조하면, 실시예 1 내지 9 기재의 포토레지스트 박리액 조성물을 이용하여 박리할 때, 박리성 및 부식성이 대체로 우수한 것을 알 수 있다. 하지만, 비교예 1 내지 4 기재의 포토레지스트 박리액 조성물로 박리할 때에는 박리성은 우수하나, 부식성이 좋지 않음을 알 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 반도체 소자 및 평판표시소자의 제조공정 중 하드 베이킹, 플라즈마 에칭 및 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트, 경화 및/또는 변질된 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다. 또한, 금속막 및 절연막의 부식을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 유기술폰산 화합물;
    인산화합물; 및
    물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    전체 조성물 총 중량에 대하여,
    상기 유기술폰산 화합물 0.1 내지 30중량%;
    상기 인산화합물 0.1 내지 30중량%; 및
    전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 상기 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 유기술폰산 화합물은 탄소수 1 내지 4의 알킬술폰산, 탄소수 6 내지 8의 아릴술폰산, 탄소수 5 내지 7의 헤테로아릴술폰산 및 탄소수 1 내지 12의 알킬벤젠술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 탄소수 1 내지 4의 알킬술폰산은 메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산 및 아미노메탄술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하며, 상기 탄소수 6 내지 8의 아릴술폰산은 벤젠술폰산, 톨루엔술폰산(4-메틸벤젠술폰산) 톨루엔술폰산나트륨 및 페놀술폰산로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하며, 상기 탄소수 5 내지 7의 헤테로아릴술폰산은 피리딘술폰산인 것을 특징으로 하며, 상기 탄소수 1 내지 12의 알킬벤젠술폰산은 도데실벤젠술폰산, 0-크레졸술폰산(2-메틸페놀술폰산), 크레졸술폰산(메틸페놀술폰산), 큐멘술폰산나트륨, 2,5-크실렌술폰산 및 2,4-크실렌술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 인산화합물은 인산, H(PO3)nOH (n=2 내지 10의 자연수)로 표시되는 다인산, (HPO3)n (n=3 내지 10의 자연수)로 표시되는 메타인산 및 이들의 염을 포함하는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 인산은 인산수소칼슘, 인산수소나트륨, 인산칼륨, 인산일암모늄 및 인산이암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 이종 이상인 것을 특징으로 하며, 상기 다인산은 피로인산나트륨, 피로인산칼륨 및 피로인산암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하며, 상기 메타인산은 메타인산칼륨 및 메타인산나트륨으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 포토레지스트 박리액 조성물은 글리콜 에테르 함유 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 포토레지스트 박리액 조성물은 불소 이온 함유 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 글리콜 에테르는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 폴리프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 불소이온 함유 화합물은 불산, 불화암모늄, 중불화암모늄 및 불화붕소산으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중에서 어느 한 항의 포토레지스트 박리액 조성물을 이용한 포토레지스트 박리방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 박리방법은 10 내지 100℃ 온도에서 30초 내지 40분 동안 침적 또는 분무하거나, 침적 및 분무하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
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