KR20080096440A - 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자 - Google Patents

신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20080096440A
KR20080096440A KR1020080038606A KR20080038606A KR20080096440A KR 20080096440 A KR20080096440 A KR 20080096440A KR 1020080038606 A KR1020080038606 A KR 1020080038606A KR 20080038606 A KR20080038606 A KR 20080038606A KR 20080096440 A KR20080096440 A KR 20080096440A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
organic
formula
aryl
Prior art date
Application number
KR1020080038606A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101012578B1 (ko
Inventor
장혜영
김공겸
이재철
김지은
김성소
박진균
박태윤
김은주
전병선
조욱동
배재순
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20080096440A publication Critical patent/KR20080096440A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101012578B1 publication Critical patent/KR101012578B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/44—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to only one six-membered aromatic ring
    • C07C211/49—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to only one six-membered aromatic ring having at least two amino groups bound to the carbon skeleton
    • C07C211/50—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to only one six-membered aromatic ring having at least two amino groups bound to the carbon skeleton with at least two amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/58—Naphthylamines; N-substituted derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/54—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to two or three six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom
    • C07D333/06—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D333/14—Radicals substituted by singly bound hetero atoms other than halogen
    • C07D333/20—Radicals substituted by singly bound hetero atoms other than halogen by nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D487/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/30—Germanium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/22—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/24—Anthracenes; Hydrogenated anthracenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/40—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing four condensed rings
    • C07C2603/42—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing four condensed rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/50—Pyrenes; Hydrogenated pyrenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/52—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing five condensed rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디아민 유도체는 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송 또는 발광 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 도판트, 특히 청색 도판트로서 역할을 할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 및 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.

Description

신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW DIAMINE DERIVATIVES AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.
본 출원은 2007년 4월 26일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2007-0040965호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
유기 전자 소자란 정공 및 전자를 이용하여 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자 소자이다.
유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.
이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
유기 발광 소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서, 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.
이에, 본 발명자들은 신규한 디아민 유도체를 합성하였으며, 이러한 화합물들이 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송 또는 발광 물질로 사용될 수 있고, 특히 발광층에 발광 도판트로 사용됨으로써, 유기 전자 소자의 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 상승 및 안정성 상승 효과가 우수하여짐을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 신규한 디아민 유도체를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 디아민 유도체의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 디아민 유도체를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 제공한다.
Figure 112008029691694-PAT00001
상기 화학식 1에서,
L1 및 L2는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, C1 ~ C20의 알킬기, C2 ~ C20의 알케닐기, C2 ~ C20의 알키닐기, C3 ~ C20의 시클로알킬 기, C2 ~ C20의 헤테로시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 및 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C20의 아릴렌기; 또는 C1 ~ C20의 알킬기, C2 ~ C20의 알케닐기, C2 ~ C20의 알키닐기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C2 ~ C20의 헤테로시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 및 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로아릴렌기이며;
Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 할로겐, CN, NO2, C1 ~ C20의 알킬기, C1 ~ C20의 알콕시기, C6 ~ C20의 아릴기, C5 ~ C20의 헤테로아릴기, C6 ~ C20의 아릴 아민기, C6 ~ C20의 아릴 티오펜기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR', -AlRR', -SiRR'R", -GeRR'R", 또는 -SnRR'R"로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기; O, N 또는 S를 포함하는 C5 ~ C20의 헤테로고리기; 또는 C4 ~ C20의 알킬렌기가 C6 ~ C20의 아릴기에 접합(fused)되어 축합 고리를 형성한 기이고, 여기서 R, R' 및 R"는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이다.
본 발명에 따른 디아민 유도체는 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 도판트, 특히 청색 도판트로서 역할을 할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 및 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.
이하 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체는 하기 화학식 2 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하다.
Figure 112008029691694-PAT00002
Figure 112008029691694-PAT00003
Figure 112008029691694-PAT00004
Figure 112008029691694-PAT00005
Figure 112008029691694-PAT00006
상기 화학식 2 내지 화학식 6에서, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4의 정의는 상기 화학식 1에서와 동일하다.
상기 화학식 1 내지 화학식 6에서, L1 및 L2는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, 페닐렌기 및 나프틸렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 내지 화학식 6에서, Ar1 및 Ar3은 서로 같거나 다를 수 있으 며, 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 및 -SiRR'R" 또는 -GeRR'R"로 치환된 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 여기서 R, R', 및 R"은 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이다.
상기 화학식 1 내지 화학식 6에서, Ar2 및 Ar4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, -SiRR'R" 또는 -GeRR'R"로 치환된 페닐기, S를 포함하는 C5 ~ C20의 헤테로고리기, C6 ~ C20의 아릴 아민기, 및 C6 ~ C20의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 여기서 R, R', 및 R"은 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이다.
상기 화학식 1 내지 화학식 6의 L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4로서 바람직한 예시를 하기 표 1에 나타내었으며, 이에 한정되지는 않는다.
상기 화학식 2 내지 화학식 6과 하기 표 1의 예시된 기들과의 조합으로 여러 종류의 유도체를 형성할 수 있다. 예를 들어, 화학식 2와 하기 표 1의 기 1이 사용되는 화합물을 화합물 2-1로 칭하기로 한다.
Figure 112008029691694-PAT00007
Figure 112008029691694-PAT00008
Figure 112008029691694-PAT00009
Figure 112008029691694-PAT00010
Figure 112008029691694-PAT00011
Figure 112008029691694-PAT00012
Figure 112008029691694-PAT00013
Figure 112008029691694-PAT00014
Figure 112008029691694-PAT00015
Figure 112008029691694-PAT00016
Figure 112008029691694-PAT00017
Figure 112008029691694-PAT00018
Figure 112008029691694-PAT00019
Figure 112008029691694-PAT00020
Figure 112008029691694-PAT00021
Figure 112008029691694-PAT00022
Figure 112008029691694-PAT00023
Figure 112008029691694-PAT00024
Figure 112008029691694-PAT00025
Figure 112008029691694-PAT00026
Figure 112008029691694-PAT00027
Figure 112008029691694-PAT00028
Figure 112008029691694-PAT00029
Figure 112008029691694-PAT00030
Figure 112008029691694-PAT00031
Figure 112008029691694-PAT00032
Figure 112008029691694-PAT00033
Figure 112008029691694-PAT00034
Figure 112008029691694-PAT00035
Figure 112008029691694-PAT00036
Figure 112008029691694-PAT00037
Figure 112008029691694-PAT00038
Figure 112008029691694-PAT00039
Figure 112008029691694-PAT00040
Figure 112008029691694-PAT00041
Figure 112008029691694-PAT00042
Figure 112008029691694-PAT00043
Figure 112008029691694-PAT00044
Figure 112008029691694-PAT00045
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 디아민 유도체는, 디브로모 아릴 화합물과 아릴아민 화합물을 팔라듐 촉매 하에 반응시켜 제조될 수 있다. 구체적인 제조방법은 후술하는 제조예에 기재하였다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 디아민 유도체는 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 도판트, 특히 청색 도판트로서 역할을 할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 및 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.
본 발명의 유기 전자 소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.
전술한 본 발명의 화합물들은 유기 발광 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 물질의 역할을 할 수 있을 뿐만 아니라, 적절한 발광 도판트와 함께 발광 호스트, 또는 적절한 발광 호스트와 함께 발광 도판트 역할을 할 수 있다.
본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기 발광 소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있으며, 전술한 본 발명에 따른 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이러한 구조의 유기 발광 소자를 통상적으로 정방향 구조의 유기 발광 소자라고 하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고 역방향 구조의 유기 발광 소자도 포함한다. 즉, 본 발명의 유기 발광 소자는 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수도 있다.
상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속, 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤, 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 다단계 화학 반응으로 제조할 수 있다. 상기 화합물들의 제조는 하기 실시예에 의해 기술된다. 실시예에 나타난 바와 같이, 일부 중간체 화합물이 먼저 제조되고, 그 중간체 화합물들로부터 화학식 1의 화합물들이 제조된다. 예증적인 중간체 화합물들은 이하 화합물 A ~ Y이다. 이들 화합물들에서, Br 또는 Cl은 임의의 다른 반응성 원자 또는 작용기로 치환될 수 있다.
Figure 112008029691694-PAT00046
Figure 112008029691694-PAT00047
Figure 112008029691694-PAT00048
< 제조예 1> 화합물 A의 제조
냉각하에서, 1,5-디아미노나프탈렌(12g, 75.9mmol)을 H2O(300mL)와 진한 황산(20mL)에 녹였다. H2O(300mL)에 녹인 NaNO2를 천천히 적가한 후, 0℃에서 45분 동안 교반하였다. 반응 혼합액을 여과한 후, 여과액에 CuBr2(30g, 52.3mmol), HBr(48%, 450mL), H2O(450mL)를 첨가하였다. 이 반응 용액을 0℃에서 1시간, 실온에서 2시간을 교반한 후, 70℃에서 30분 동안 다시 교반하였다. 이 반응 용액을 벤젠으로 층 분리하여 유기층을 황산 나트륨으로 건조하고 감압 증류 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 A(5.9g, 27%)를 얻었다.
MS : [M] = 286.
< 제조예 2> 화합물 B의 제조
N2 기류 하에서, 1,5-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol), 4-브로모페닐보론산 (3.5g, 17.5mmol), Pd(PPh3)4(1.0g, 0.88mmol)을 2M K2CO3 수용액(10mL)과 THF(tetrahydrofuran, 200mL)에 넣고, 약 24시간 환류 교반시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고, 반응 혼합액에서 유기층을 층분리하고 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하고, 감압 증류 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 B(3.16g, 50 %)를 얻었다.
MS : [M] = 362.
< 제조예 3> 화합물 C의 제조
N2 기류 하에서, 1,5-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol), 4-클로로페닐보론산(6.6g, 42.0mmol), Pd(PPh3)4(1.0g, 0.87mmol)을 2M K2CO3 수용액(20mL)과 THF(200mL)에 넣고, 약 24시간 환류 교반시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고, 반응 혼합액에서 유기층을 층분리하고 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하고, 감압 증류 후 THF/EtOH로 정제하여 화합물 C(5.9g, 97%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 348.
< 제조예 4> 화합물 D의 제조
제조예 2에서 1,5-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol) 대신 1.4-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 2의 방법과 동일하게 하여 화합물 D(3.16g, 50%)를 얻었다.
MS : [M] = 362.
< 제조예 5> 화합물 E의 제조
제조예 3에서 1,5-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol) 대신 1.4-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 3의 방법과 동일하게 하여 화합물 E(5.9g, 97%)를 얻었다.
MS : [M] = 348.
< 제조예 6> 화합물 F의 제조
제조예 2에서 1,5-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol) 대신 2.6-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 2의 방법과 동일하게 하여 화합물 F(3.16g, 50%)를 얻었다.
MS : [M] = 362.
< 제조예 7> 화합물 G의 제조
제조예 3에서 1,5-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol) 대신 2.6-디브로모나프탈렌(5g, 17.5mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 3의 방법과 동일하게 하여 화합물 G(5.9g, 97%)를 얻었다.
MS : [M] = 348.
< 제조예 8> 화합물 H의 제조
화합물 2-싸이오펜 보론산(10g, 78.1mmol)와 브로모 벤젠(7.48mL, 70.3mmol)을 무수 THF(300mL)에 녹인 후, Pd(PPh3)4(4.51g, 3.91mmol)과 K2CO3 수용액(156mL, 312.4mmol)을 넣고, 3시간 동안 환류시켰다. 유기층을 에틸 아세테이트로 추출하고, 황산 마그네슘으로 수분을 제거하였다. 유기층을 감압 여과한 후 농축하여 용매를 제거하고, 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 THF와 에탄올에서 재결정하여 흰색 고체 화합물(10g, 80%)을 얻었다.
MS : [M+H] = 161.
위에서 제조한 흰색 고체 화합물(5g, 31.3mmol)을 무수 THF(200mL)에 녹인 후, -10℃까지 온도를 내리고, n-뷰틸리튬(15mL, 37.5mmol)을 천천히 적가하였다. 1시간 동안 교반하고 다시 -78℃까지 온도를 내린 후, 보론산트라이메틸에스터(10.5mL, 93.75mmol)를 천천히 넣어주고, 12시간 교반하였다. 0℃까지 온도를 내린 후 2N 염산 수용액(16mL)을 넣고 교반하여 흰색 침전을 얻었다. 유기층을 THF로 추출하고, 황산마그네슘으로 건조한 후, 감압 여과하였다. 이 여과액을 농축하여 용매를 제거하고 THF에 녹인 후, 과량의 수용액을 넣고 디메틸클로로메탄으로 유기층을 분리하였다. 분리된 수용액 층에 염산 수용액을 가하여 침전물을 생성시킨 후 여과하여 화합물(2.7g, 42%)을 얻었다.
3-브로모요오드벤젠(3.5g, 12.3mmol)과 위에서 제조한 화합물(2.5g, 12.3mmol)을 무수 THF(100mL)에 녹이고, Pd(PPh3)4(0.71g, 0.61mmol)을 넣고, K2CO3(3.4g, 24.6mmol)을 H2O(50mL)에 녹여 넣어준 후 교반하면서 환류시켰다. 3시간 후 소금물로 씻어주고, 유기층을 에틸 아세테이트로 추출하였다. 황산마그네슘으로 수분을 제거하고, 감압 여과한 후 농축하여 용매를 제거하고 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 H(2.9g, 75%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 315.
< 제조예 9> 화합물 I의 제조
아닐린(aniline, 10ml, 109.74mmol)와 상기 제조예 8의 화합물 H(34.5g, 109.7mmol)를 톨루엔 300ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 I(15g, 수율 56%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 327.
< 제조예 10> 화합물 J의 제조
질소 분위기하에서 아닐린(aniline, 10ml, 109.74mmol)과 4-브로모 바이페닐(4-bromo biphenyl, 25.6g, 109.7mmol)을 톨루엔 300ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 J(15g, 수율 56%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ =245.
< 제조예 11> 화합물 K의 제조
1-아미노나프탈렌(1-aminonaphthalene, 7.4g, 51.48mmol)과 4-브로모비페닐(4-bromobiphenyl, 12g, 51.48mmol)을 톨루엔 200ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 0.89g, 1.54mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 0.60ml, 1.54mmol)과 나트륨 터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 9.90g, 103.0mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 15/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 K(6.3g, 수율 42%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 295.
< 제조예 12> 화합물 L의 제조
질소 분위기 하에서 N,N-디페닐아민 4.18g(24.7mmol)와 1-브로모-4-클로로페닐 4.72g(24.7mmol)을 톨루엔 200ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드 5.94g(61.8mmol), 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0) 0.43g(0.74mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀 톨루엔 용액 0.61ml(1.24mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류하에서 환류하였다. 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란 = 10/1 용매로 컬럼 분리한 후, 석유에테르에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 L(2.9g, 수율 42%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 279.
< 제조예 13> 화합물 M의 제조
4-아미노비페닐(30.5g, 180.17mmol)과 4-브로모비페닐(40g, 171.59mmol)을 톨루엔 500ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 2.07g, 3.60mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(2.2ml, 5.41mmol)과 나트륨 터셔리-부톡사이드(51.94g, 540.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 15/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 M(32g, 수율 58%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 321.
< 제조예 14> 화합물 N의 제조
아닐린(aniline, 10ml, 109.74mmol)와 상기 제조예 12에서 제조한 화합물 L(30.7g, 109.7mmol)을 톨루엔 300ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 N(15g, 수율 56%)을 얻었다.
MS : [M+H]+ = 336.
< 제조예 15> 화합물 O의 제조
디브로모벤젠(20g, 84.78mmol)을 실온에서 질소 분위기 하에 건조 테트라히드로푸란(THF, 200mL)에 용해시켰다. 상기 용액을 -78℃로 냉각시켰다. n-부틸 리튬(34mL, 2.5M 펜탄 용액)을 -78℃에서 상기 용액에 서서히 가하고, 혼합물을 약 1시간 동안 0℃로 천천히 올렸다. 여기에 트리메틸게르마늄 브로마이드(trimethylgerumanium bromide; 18ml, 101.74mmol)를 넣고 상온으로 1시간에 걸쳐서 올렸다. 반응이 완결된 것을 확인하고 혼합물을 에틸 아세테이트로 추출한 다음, 황산 마그네슘 상에서 건조하고, 감압 하에 분별 증류하여 화합물 O를 얻었다(20g, 90%).
MS : (M+) = 273.
< 제조예 16> 화합물 P의 제조
질소 분위기 하에서 화합물 O(18g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(200mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 P(16g, 85%)를 얻었다.
MS : [M] = 286.
< 제조예 17> 화합물 Q의 제조
디브로모벤젠(20g, 84.78mmol)을 실온에서 질소 분위기 하에 건조 테트라히드로푸란(THF, 200mL)에 용해시켰다. 상기 용액을 -78℃로 냉각시켰다. n-부틸 리튬(34mL, 2.5M 펜탄 용액)을 -78℃에서 상기 용액에 서서히 가하고, 혼합물을 약 1시간 동안 0℃로 천천히 올렸다. 여기에 클로로 트리메틸실란(chloro trimethylsilane; 13ml, 101.74mmol)을 넣고 상온으로 1시간에 걸쳐서 올렸다. 반응이 완결된 것을 확인하고 혼합물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 황산 마그네슘 상에서 건조한 다음, 감압 하에 분별 증류하여 화합물 Q를 얻었다(18g, 93%).
MS : (M+) = 229.
< 제조예 18> 화합물 R의 제조
질소 분위기 하에서, 화합물 Q(15g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(200mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 R(15g, 86%)를 얻었다.
MS : [M] = 143.
< 제조예 19> 화합물 S의 제조
N2 기류 하에서, 1,5-디보로네이트나프탈렌(6.65g, 17.5mmol), 2,6-디브로모페닐(10g, 35.0mmol), Pd(PPh3)4(1.0g, 0.87mmol)을 2M K2CO3 수용액(20mL)과 THF(200mL)에 넣고, 약 24시간 환류 교반시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고, 반응 혼합액에서 유기층을 층분리하고 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하고, 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 S(2.8g, 30%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 538.
< 제조예 20> 화합물 T의 제조
아닐린(aniline, 10ml, 109.74mmol)와 1-브로모파이렌(30.84g, 109.7mmol)을 톨루엔 300ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 T(18.3g, 수율 56%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 298.
< 제조예 21> 화합물 U의 제조
아닐린(aniline, 10ml, 109.74mmol)와 1-브로모페릴렌(36.33g, 109.7mmol)을 톨루엔 300ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 U(20g, 수율 56%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 331.
< 제조예 22> 화합물 V의 제조
질소 분위기 하에서, 4-클로로비페닐-N,N-디페닐아민 4.00g(11.2mmol)와 아닐린 1.13ml(12.4mmol)을 톨루엔 100ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드 2.70g(28.1mmol), 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0) 0.13g(0.23mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀 톨루엔 용액 0.17ml(0.34mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류 하에서 환류하였다. 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기층을 추출하였다. 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란 = 10/1 용매로 컬럼 분리한 후, 석유에테르에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 V(3.8g, 수율 81%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 412.
< 제조예 23> 화합물 W의 제조
질소 분위기 하에서 4-클로로비페닐-N,N-디페닐아민 8.80g(24.7mmol)와 4-아미노비페닐 6.28g(37.1mmol)을 톨루엔 200ml에 용해시키고, 나트륨-터셔리-부톡사이드 5.94g(61.8mmol), 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0) 0.43g(0.74mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀 톨루엔 용액 0.61ml(1.24mmol)을 첨가한 후, 5시간 동안 질소 기류하에서 환류하였다. 반응 용액에 증류수를 넣고 반응을 종료시키고 유기 층을 추출하였다. 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란 = 10/1 용매로 컬럼 분리한 후, 석유에테르에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 W(7.0g, 수율 58%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 489.
< 제조예 24> 화합물 X의 제조
질소 분위기하에서 4-아미노비페닐 6.28g(37.1mmol)와 4-클로로페닐-N,N-(1-나프틸)페닐아민 8.12g(24.7mmol)을 톨루엔 300ml에 용해시킨 뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 X(6.39g, 수율 56%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 462.
< 제조예 25> 화합물 Y의 제조
1-아미노나프탈렌(16.37g, 109.74mmol)와 상기 제조예 8의 화합물 H(34.5g, 109.7mmol)을 톨루엔 300ml에 용해시킨뒤, 비스디벤질리덴아세톤팔라듐(0)(Pd(dba)2, 1.26g, 2.20mmol), 50 wt% 트리-터셔리-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine, 1.30ml, 3.29mmol)과 나트륨-터셔리-부톡사이드(sodium t-butoxide, 21.09g, 219.5mmol)를 첨가하였다. 2시간 동안 질소 기류하에서 환류한 후, 반응용액에 증류수를 넣고 반응을 종결시켰다. 유기층을 추출하여 노르말-헥산/테트라하이드로퓨란(n-hexane/THF = 10/1) 전개 용매로 컬럼 분리하고, 석유에테르(pet. Ether)에 교반한 뒤 진공 건조하여 화합물 Y(23g, 수율 56%)를 얻었다.
MS : [M+H]+ = 377.
< 실시예 1> 화합물 2-1의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 A(2.4g, 8.5mmol), 상기 제조예 18에서 제조한 화합물 R(2.9g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-1(3.19g, 62%)을 얻었다.
MS : [M] = 606.
< 실시예 2> 화합물 2-6의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 A(2.4g, 8.5mmol), 상기 제조예 16에서 제조한 화합물 P(5.83g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-6(3.64g, 60%)을 얻었다.
MS : [M] = 696.
< 실시예 3> 화합물 2-12의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 A(2.4g, 8.5mmol), 상기 제조예 8에서 제조한 화합물 H(6.43g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-12(4.29g, 65%)을 얻었다.
MS : [M] = 778.
< 실시예 4> 화합물 2-52의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol), 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-52(3.64g, 60%)을 얻었다.
MS : [M] = 690.
< 실시예 5> 화합물 3-52의 제조
실시예 4에서 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol) 대신 상기 제조예 6에서 제조한 화합물 F(3.07g, 8.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4의 방법과 동일하게 하여 화합물 3-52(3.64g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 690.
< 실시예 6> 화합물 4-52의 제조
실시예 4에서 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol) 대신 상기 제조예 4에서 제조한 화합물 D(3.07g, 8.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4의 방법과 동일하게 하여 화합물 4-52(3.64g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 690.
< 실시예 7> 화합물 2-64의 제조
실시예 3에서 상기 제조예 1에서 제조한 화합물 A(2.43g, 8.5mmol) 대신 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-64(4.5g, 62%)를 얻었다.
MS : [M] = 854.
< 실시예 8> 화합물 2-68의 제조
실시예 4에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 20에서 제조한 화합물 T(6.08g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-68(4.01g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 786.
< 실시예 9> 화합물 2-70의 제조
실시예 4에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 21에서 제조한 화합물 U(7.00g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-70(3.77g, 50%)을 얻었다.
MS : [M] = 886.
< 실시예 10> 화합물 2-78의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol), 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 M(6.56g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(150mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-78(4.65g, 65%)을 얻었다.
MS : [M] = 842.
< 실시예 11> 화합물 3-78의 제조
실시예 10에서 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol) 대신 상기 제조예 6에서 제조한 화합물 F(3.07g, 8.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 10의 방법과 동일하게 하여 화합물 3-78(3.64g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 842.
< 실시예 12> 화합물 4-78의 제조
실시예 10에서 상기 제조예 2에서 제조한 화합물 B(3.07g, 8.5mmol) 대신 상기 제조예 4에서 제조한 화합물 D(3.07g, 8.5mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 10의 방법과 동일하게 하여 화합물 4-78(3.64g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 842.
< 실시예 13> 화합물 2-104의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 3에서 제조한 화합물 C(2.96g, 8.5mmol), 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(150mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-104(4.23g, 65%)을 얻었다.
MS : [M] = 766.
< 실시예 14> 화합물 2-113의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 3에서 제조한 화합물 C(2.96g, 8.5mmol), 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 M(6.56g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(150mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-113(5.07g, 65%)을 얻었다.
MS : [M] = 918.
< 실시예 15> 화합물 2-119의 제조
실시예 13에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 20에서 제조한 화합물 T(6.08g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 13의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-119(4.39g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 862.
< 실시예 16> 화합물 2-121의 제조
실시예 13에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 21에서 제조한 화합물 U(7.00g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 13의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-121(4.08g, 50%)를 얻었다.
MS : [M] = 962.
< 실시예 17> 화합물 2-125의 제조
실시예 13에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 22에서 제조한 화합물 V(8.41g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 13의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-125(6.08g, 65%)를 얻었다.
MS : [M] = 1100.
< 실시예 18> 화합물 2-127의 제조
실시예 13에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 24에서 제조한 화합물 X(9.44g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 13의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-127(6.12g, 60%)을 얻었다.
MS : [M] = 1200.
< 실시예 19> 화합물 2-131의 제조
실시예 13에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 25에서 제조한 화합물 Y(7.70g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 13의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-131(5.25g, 60%)을 얻었다.
MS : [M] = 1030.
< 실시예 20> 화합물 2-155의 제조
질소 분위기 하에서 상기 제조예 19에서 제조한 화합물 S(4.58g, 8.5mmol), 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(150mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2-155(4.78g, 65%)을 얻었다.
MS : [M] = 866.
< 실시예 21> 화합물 2-179의 제조
실시예 13에서 상기 제조예 10에서 제조한 화합물 J(5.00g, 20.4mmol) 대신 상기 제조예 13에서 제조한 화합물 M(6.56g, 20.4mmol)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 13의 방법과 동일하게 하여 화합물 2-179(5.19g, 60%)를 얻었다.
MS : [M] = 1018.
< 실험예 1>
ITO(인듐주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 분산제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 플라즈마 세정기로 수송시켜 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기 ITO 전극 위에 3,6-비스-2-나프틸페닐아미노-N-[4-(2-나프틸페닐)아미노 페닐]카바졸(800Å) 및 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB) (300Å)를 증착시켜 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하고, 상기 실시예 1에서 제조한 화합물 2-1(2 wt%)을 하기 화합물 Z와 함께(300Å) 증착시켜 발광층을 형성한 다음, 9,10-비스-2-나프틸-2-[4-(N-페닐벤조이미다조일)페닐] 안트라센(300Å)을 열 진공 증착하여 전자 수송층을 차례로 형성시켰다.
상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.
상기에서 제조된 유기 발광 소자에 7.8V의 순방향 전계를 가한 결과, 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.170, y = 0.150 에 해당하는 4.9 cd/A 의 청색 발광이 관찰되었다.
[화합물 Z]
Figure 112008029691694-PAT00049
< 실험예 2>
상기 실험예 1에서 화합물 2-1 대신 실시예 8에서 제조한 화합물 2-68을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기에서 제조된 유기 발광 소자에 7.9V의 순방향 전계를 가한 결과, 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.170, y = 0.151 에 해당하는 4.7 cd/A 의 청색 발광이 관찰되었다.
< 실험예 3>
상기 실험예 1에서 화합물 2-1 대신 실시예 9에서 제조한 화합물 2-70을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기에서 제조된 유기 발광 소자에 7.7V의 순방향 전계를 가한 결과, 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.171, y = 0.153 에 해당하는 4.8 cd/A 의 청색 발광이 관찰되었다.
< 실험예 4>
상기 실험예 1에서 화합물 2-1 대신 실시예 15에서 제조한 화합물 2-119를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기에서 제조된 유기 발광 소자에 7.7V의 순방향 전계를 가한 결과, 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.171, y = 0.153 에 해당하는 4.9 cd/A 의 청색 발광이 관찰되었다.
< 실험예 5>
상기 실험예 1에서 화합물 2-1 대신 실시예 16에서 제조한 화합물 2-121을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기에서 제조된 유기 발광 소자에 7.8V의 순방향 전계를 가한 결과, 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.172, y = 0.153 에 해당하는 4.8 cd/A 의 청색 발광이 관찰되었다.
< 실험예 6>
상기 실험예 1에서 화합물 2-1 대신 실시예 21에서 제조한 화합물 2-179를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기에서 제조된 유기 발광 소자에 7.9V의 순방향 전계를 가한 결과, 100 mA/㎠의 전류밀도에서 1931 CIE color coordinate 기준으로 x = 0.173, y = 0.152 에 해당하는 4.9 cd/A 의 청색 발광이 관찰되었다.
< 실험예 7>
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 화합물인 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene: 이하 HAT라 함)을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 ITO 도전층 및 N형 유기물을 가지는 양극을 형성하였다.
[HAT]
Figure 112008029691694-PAT00050
상기 층 위에 상기 실시예 4에서 제조한 화합물 2-52(400Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성시켰다. 상기 정공 수송층 위에 Alq3를 300Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성시켰다. 상기 발광층 위에 하기 화학식의 전자 수송층 물질을 200Å의 두께로 증착하여 전자 수송층을 형성하였다.
[전자 수송층 물질]
Figure 112008029691694-PAT00051
상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.3 ~ 0.8 Å/sec로 유지하였다. 또한, 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 1.5 ~ 2.5 Å/sec의 증착 속도를 유지하였다. 증착시 진공도는 1 × 10-7 ~ 3 × 10-7로 유지하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.54V의 전계를 보였으며, 1.89 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 정공 주입층과 발광층 사이에 층을 형성한 상기 실시예 4의 화합물 2-52가 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 8>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52의 물질을 실시예 11에서 제조한 화합물 3-78로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.52V의 전계를 보였으며, 1.91 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 3-78이 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 9>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 12에서 제조한 화합물 4-78로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.53V의 전계를 보였으며, 1.90 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 4-78이 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 10>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 13에서 제조한 화합물 2-104로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.50V의 전계를 보였으며, 1.89 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 2-104가 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 11>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 14에서 제조한 화합물 2-113으로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.31V의 전계를 보였으며, 1.98 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 2-113이 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 12>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 17에서 제조한 화합물 2-125로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.52V의 전계를 보였으며, 1.91 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 2-125가 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 13>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 18에서 제조한 화합물 2-127로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.53V의 전계를 보였으며, 1.90 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 2-127이 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 14>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 19에서 제조한 화합물 2-131로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.31V의 전계를 보였으며, 1.96 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 2-131이 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 실험예 15>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 실시예 20에서 제조한 화합물 2-155로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.52V의 전계를 보였으며, 1.91 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다. 이와 같이 소자가 상기 구동 전압에서 작동하여 발광을 한다는 것은 상기 기판상에 형성한 박막과 정공 수송층 사이에 층을 형성한 상기 화합물 2-155가 정공 수송 역할을 하고 있다는 것을 나타낸다.
< 비교실험예 1>
상기 실험예 7에서 정공 수송층으로 사용한 화합물 2-52를 이미 상용화된 하기 구조식의 NPB 물질로 치환한 것을 제외하고는 동일한 소자를 제작하였다.
[NPB]
Figure 112008029691694-PAT00052
제조된 소자는 순방향 전류밀도 100 mA/cm2에서 4.82V의 전계를 보였으며, 1.87 lm/W의 광 효율을 보이는 스펙트럼이 관찰되었다.
상기와 같이 본 발명에 따른 디아민 유도체는, 유기 전자 소자에 있어서 저전압, 고효율 등의 효과를 나타낸다는 것을 확인할 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시 상태에 따른 유기 발광 소자의 구조를 예시한 도면이다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체:
    [화학식 1]
    Figure 112008029691694-PAT00053
    상기 화학식 1에서,
    L1 및 L2는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, C1 ~ C20의 알킬기, C2 ~ C20의 알케닐기, C2 ~ C20의 알키닐기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C2 ~ C20의 헤테로시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 및 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C20의 아릴렌기; 또는 C1 ~ C20의 알킬기, C2 ~ C20의 알케닐기, C2 ~ C20의 알키닐기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C2 ~ C20의 헤테로시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 및 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 기로 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로아릴렌기이며;
    Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 할로겐, CN, NO2, C1 ~ C20의 알킬기, C1 ~ C20의 알콕시기, C6 ~ C20의 아릴기, C5 ~ C20의 헤테로아릴기, C6 ~ C20의 아릴 아민기, C6 ~ C20의 아릴 티오펜기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR', -AlRR', -SiRR'R", -GeRR'R", 또는 -SnRR'R"로 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기; O, N 또는 S를 포함하는 C5 ~ C20의 헤테로고리기; 또는 C4 ~ C20의 알킬렌기가 C6 ~ C20의 아릴기에 접합(fused)되어 축합 고리를 형성한 기이고, 여기서 R, R' 및 R"는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1이 하기 화학식 2 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체:
    [화학식 2]
    Figure 112008029691694-PAT00054
    [화학식 3]
    Figure 112008029691694-PAT00055
    [화학식 4]
    Figure 112008029691694-PAT00056
    [화학식 5]
    Figure 112008029691694-PAT00057
    [화학식 6]
    Figure 112008029691694-PAT00058
    상기 화학식 2 내지 화학식 6에서, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4의 정의는 상기 화학식 1에서와 동일하다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 L1 및 L2는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 직접 결합이거나, 페닐렌기 및 나프틸렌기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar1 및 Ar3은 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 및 -SiRR'R" 또는 -GeRR'R"로 치환된 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R, R', 및 R"은 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기인 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar2 및 Ar4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, -SiRR'R" 또는 -GeRR'R"로 치환된 페닐기, S를 포함하는 C5 ~ C20의 헤테로고리기, C6 ~ C20의 아릴 아민기, 및 C6 ~ C20의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 R, R', 및 R"은 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기인 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 하기 표 1의 기 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체:
    [표 1]
    Figure 112008029691694-PAT00059
    Figure 112008029691694-PAT00060
    Figure 112008029691694-PAT00061
    Figure 112008029691694-PAT00062
    Figure 112008029691694-PAT00063
    Figure 112008029691694-PAT00064
    Figure 112008029691694-PAT00065
    Figure 112008029691694-PAT00066
    Figure 112008029691694-PAT00067
    Figure 112008029691694-PAT00068
    Figure 112008029691694-PAT00069
    Figure 112008029691694-PAT00070
    Figure 112008029691694-PAT00071
    Figure 112008029691694-PAT00072
    Figure 112008029691694-PAT00073
    Figure 112008029691694-PAT00074
    Figure 112008029691694-PAT00075
    Figure 112008029691694-PAT00076
    Figure 112008029691694-PAT00077
    Figure 112008029691694-PAT00078
    Figure 112008029691694-PAT00079
    Figure 112008029691694-PAT00080
    Figure 112008029691694-PAT00081
    Figure 112008029691694-PAT00082
    Figure 112008029691694-PAT00083
    Figure 112008029691694-PAT00084
    Figure 112008029691694-PAT00085
    Figure 112008029691694-PAT00086
    Figure 112008029691694-PAT00087
    Figure 112008029691694-PAT00088
    Figure 112008029691694-PAT00089
    Figure 112008029691694-PAT00090
    Figure 112008029691694-PAT00091
    Figure 112008029691694-PAT00092
    Figure 112008029691694-PAT00093
    Figure 112008029691694-PAT00094
    Figure 112008029691694-PAT00095
    Figure 112008029691694-PAT00096
    Figure 112008029691694-PAT00097
  7. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조인 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 화학식 1의 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  11. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 화학식 1의 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  12. 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 수송층이 화학식 1의 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  13. 청구항 7에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
KR1020080038606A 2007-04-26 2008-04-25 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자 KR101012578B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070040965 2007-04-26
KR1020070040965 2007-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080096440A true KR20080096440A (ko) 2008-10-30
KR101012578B1 KR101012578B1 (ko) 2011-02-07

Family

ID=39925857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080038606A KR101012578B1 (ko) 2007-04-26 2008-04-25 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8026514B2 (ko)
EP (1) EP2139846B1 (ko)
JP (2) JP5373769B2 (ko)
KR (1) KR101012578B1 (ko)
CN (1) CN101668730B (ko)
TW (1) TWI478898B (ko)
WO (1) WO2008133459A1 (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100070992A (ko) * 2008-12-18 2010-06-28 동우 화인켐 주식회사 비대칭 구조의 유기전기발광소자용 아릴아민유도체, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전기발광소자용 유기박막재료 및 이를 이용한 유기 전기발광소자
US20150119582A1 (en) * 2012-05-08 2015-04-30 Carl Wagner Naphthyl-containing compounds for light-emitting devices
US9876176B2 (en) 2013-06-04 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Aryl amine condensed cyclic compound comprising pyrene moieties and organic light-emitting diode (OLED) including the same
WO2018236146A1 (ko) * 2017-06-20 2018-12-27 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 코팅조성물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US11335859B2 (en) 2017-06-20 2022-05-17 Lg Chem, Ltd. Compound, coating composition comprising same, and organic light emitting element comprising same
KR102526084B1 (ko) * 2022-02-25 2023-04-26 주식회사 코스텔코리아 유기 광전도성 재료 및 이를 이용한 광변환 소자
US11802116B2 (en) 2018-06-20 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Diamine compound and organic light-emitting device including the same
US11944006B2 (en) 2018-04-27 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Diamine compound and organic light-emitting device including the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2139846B1 (en) * 2007-04-26 2016-09-07 LG Chem, Ltd. New diamine derivatives and organic electronic device using the same
TWI402243B (zh) * 2010-01-06 2013-07-21 Univ Nat Chiao Tung 有機發光材料
WO2013068075A1 (de) * 2011-11-11 2013-05-16 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von arylaminen
CN106170474B (zh) 2014-09-19 2018-11-06 出光兴产株式会社 新型化合物
CN112142605B (zh) * 2019-06-28 2024-03-12 北京鼎材科技有限公司 一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件
EP3828161A3 (en) 2019-11-27 2021-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and diamine compound for organic electroluminescence device
CN116217410A (zh) * 2023-02-22 2023-06-06 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种双胺衍生物及其有机电致发光器件

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US535878A (en) * 1895-03-19 Watering-trough
JPH0789225B2 (ja) * 1986-02-28 1995-09-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体
JPH0586009A (ja) * 1991-09-24 1993-04-06 Mita Ind Co Ltd アゾ系化合物およびジアゾニウム塩
US5358788A (en) * 1992-04-02 1994-10-25 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device containing a silanamine compound
US5985417A (en) * 1996-09-03 1999-11-16 Motorola, Inc. Polymer stabilized molecular whole transporting materials for organic electroluminescence displays
JP3633236B2 (ja) * 1997-10-06 2005-03-30 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3985311B2 (ja) * 1997-10-20 2007-10-03 チッソ株式会社 アミン誘導体及びそれを用いた有機電界発光素子
US6468675B1 (en) 1998-05-29 2002-10-22 Nec Corporation Organic electroluminescent device having high luminance efficiency
KR100869615B1 (ko) * 1998-12-28 2008-11-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자용 재료 및 이를 포함하는 유기전기발광 소자
JP4799717B2 (ja) * 1999-05-24 2011-10-26 三井化学株式会社 アミン化合物
CN1271168C (zh) * 2000-09-07 2006-08-23 出光兴产株式会社 有机电场发光元件
US6468575B2 (en) * 2001-02-05 2002-10-22 Fremont Beef Company Method for molding and shaping tongue
JP4477802B2 (ja) * 2001-09-17 2010-06-09 三井化学株式会社 アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
JP4477803B2 (ja) * 2001-09-19 2010-06-09 三井化学株式会社 アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子
US6849345B2 (en) * 2001-09-28 2005-02-01 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high luminance
US20030118666A1 (en) * 2001-10-12 2003-06-26 Seiji Nishida Injectable solution containing a shark-derived chondroitin sulfate iron colloid
JP3823312B2 (ja) * 2001-10-18 2006-09-20 日本電気株式会社 有機薄膜トランジスタ
KR100577179B1 (ko) * 2001-10-30 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
CN101068041B (zh) * 2002-07-19 2010-08-18 出光兴产株式会社 有机电致发光装置和有机发光介质
JP4424026B2 (ja) 2003-04-07 2010-03-03 三菱化学株式会社 ２，７−ジアミノナフタレン化合物、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料、および有機電界発光素子
JP4415582B2 (ja) * 2003-07-02 2010-02-17 三菱化学株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2006100756A (ja) * 2003-11-07 2006-04-13 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
JP2005145010A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Mitsui Chemicals Inc 光記録媒体
JP2005169782A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Mitsui Chemicals Inc 光記録媒体
US20060021647A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Gui John Y Molecular photovoltaics, method of manufacture and articles derived therefrom
US7100385B2 (en) * 2004-08-03 2006-09-05 Lucent Technologies Inc. Thermal management system for electrical enclosures
US20060141287A1 (en) * 2004-08-19 2006-06-29 Eastman Kodak Company OLEDs with improved operational lifetime
KR100670185B1 (ko) 2004-12-30 2007-02-28 한국화인케미칼주식회사 1,5-디아미노나프탈렌 유도체 및 그 제조방법, 그 제조용조성물, 그를 포함하는 유기전계 발광소자
JP5201798B2 (ja) * 2005-03-22 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US20060269781A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Jun-Liang Lai Diarylamino substituted compounds and an electroluminescent device having the compounds
CN101405255B (zh) * 2006-03-23 2013-01-30 Lg化学株式会社 新的二胺衍生物、其制备方法以及使用该二胺衍生物的有机电子器件
KR20090061011A (ko) * 2006-09-22 2009-06-15 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자
EP2139846B1 (en) * 2007-04-26 2016-09-07 LG Chem, Ltd. New diamine derivatives and organic electronic device using the same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100070992A (ko) * 2008-12-18 2010-06-28 동우 화인켐 주식회사 비대칭 구조의 유기전기발광소자용 아릴아민유도체, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전기발광소자용 유기박막재료 및 이를 이용한 유기 전기발광소자
US20150119582A1 (en) * 2012-05-08 2015-04-30 Carl Wagner Naphthyl-containing compounds for light-emitting devices
US9130172B2 (en) * 2012-05-08 2015-09-08 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Naphthyl-containing compounds for light-emitting devices
US9876176B2 (en) 2013-06-04 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Aryl amine condensed cyclic compound comprising pyrene moieties and organic light-emitting diode (OLED) including the same
WO2018236146A1 (ko) * 2017-06-20 2018-12-27 주식회사 엘지화학 화합물, 이를 포함하는 코팅조성물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US11335859B2 (en) 2017-06-20 2022-05-17 Lg Chem, Ltd. Compound, coating composition comprising same, and organic light emitting element comprising same
US11944006B2 (en) 2018-04-27 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Diamine compound and organic light-emitting device including the same
US11802116B2 (en) 2018-06-20 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Diamine compound and organic light-emitting device including the same
KR102526084B1 (ko) * 2022-02-25 2023-04-26 주식회사 코스텔코리아 유기 광전도성 재료 및 이를 이용한 광변환 소자

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010525054A (ja) 2010-07-22
EP2139846A1 (en) 2010-01-06
EP2139846A4 (en) 2011-08-24
CN101668730B (zh) 2016-09-21
TW200904782A (en) 2009-02-01
EP2139846B1 (en) 2016-09-07
US20100187504A1 (en) 2010-07-29
US8026514B2 (en) 2011-09-27
CN101668730A (zh) 2010-03-10
TWI478898B (zh) 2015-04-01
KR101012578B1 (ko) 2011-02-07
WO2008133459A1 (en) 2008-11-06
JP2014005283A (ja) 2014-01-16
JP5373769B2 (ja) 2013-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101012578B1 (ko) 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR100852328B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기 전기 발광 소자
KR100877876B1 (ko) 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기전자소자
KR101115255B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
JP5253378B2 (ja) 新規なアントラセン誘導体、その製造方法、およびそれを用いた有機電子素子
KR101380009B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP5154569B2 (ja) 新規なフルオレン誘導体およびこれを用いた有機電子素子
KR101132462B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자
JP2008531469A (ja) 新規イミダゾール誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機電子素子
KR20110057008A (ko) 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR101396647B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기전자소자
KR101153095B1 (ko) 신규한 시클로알켄 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
KR100887870B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기전자소자
KR101295492B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전기소자
KR20110131155A (ko) 신규한 디티에노피롤 유도체 및 이를 이용한 유기전기소자
KR20140016214A (ko) 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기전자소자
KR20100045311A (ko) 신규한 디티에노피롤 유도체 및 이를 이용한 유기전기소자
KR101273057B1 (ko) 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160118

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180116

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 9