KR20080084024A - 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법 Download PDF

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Abstract

본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법은 복수의 플레인들 중 특정 플레인에 저장된 원본 페이지의 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계와, 상기 제1 래치에 저장된 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장시키는 단계와, 상기 제2 래치에 저장된 데이터를 나머지 플레인들에 접속된 각각의 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장시키는 단계와, 상기 각 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장된 데이터를 각 플레인의 목적 페이지에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
멀티 플레인, 카피백

Description

불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법{Copyback programming method of non volatile memory device}
도 1은 본 발명이 적용되는 멀티 플레인형 불휘발성 메모리 장치의 블록도이다.
도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법을 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
100: 불휘발성 메모리 장치 110: 입력버퍼
120: 제어 로직 회로 130: 고전압 발생기
140: X-디코더 150: Y-디코더
160: 데이터 입출력 회로
본 발명은 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법에 관한 것이다.
최근 들어 전기적으로 프로그램(program)과 소거(erase)가 가능하고, 일정 주기로 데이터를 재작성해야하는 리프레시(refresh) 기능이 필요 없는 불휘발성 메모리 소자에 대한 수요가 증가하고 있다.
상기 불휘발성 메모리 장치는 통상적으로 데이터가 저장되는 셀들이 매트릭스 형태로 구성된 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이의 특정 셀들에 대하여 메모리를 기입하거나 특정 셀에 저장되었던 메모리를 독출하는 페이지 버퍼를 포함한다. 상기 페이지 버퍼는 특정 메모리 셀과 접속된 비트라인 쌍, 메모리 셀 어레이에 기록할 데이터를 임시저장하거나, 메모리 셀 어레이로부터 특정 셀의 데이터를 독출하여 임시 저장하는 레지스터, 특정 비트라인 또는 특정 레지스터의 전압 레벨을 감지하는 감지노드, 상기 특정 비트라인과 감지노드의 접속여부를 제어하는 비트라인 선택부를 포함한다.
이와 같은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 중에 카피백(copyback) 프로그램 방법이 널리 사용되고 있다. 이는 메모리 셀 어레이 중 특정 페이지에 저장된 데이터를 페이지 단위로 독출하여 페이지 버퍼에 저장하고, 다시 페이지 버퍼에 저장된 데이터를 다른 페이지에 프로그램하는 동작이다. 다만, 특정 플레인의 메모리 셀 어레이에 저장된 데이터를 각기 다른 플레인에 속한 메모리 셀 어레이들의 특정 페이지에 카피백하고자 하는 경우, 통상적으로는 특정 플레인의 원본 페이지에 저장된 데이터를 다른 플레인의 목적 페이지로 카피백하는 동작을 반복하게 되는바, 카피백하는 동작 동안 불필요하게 반복되는 과정이 포함되는 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 특정 플레인의 원본 페이지에 저장된 데 이터를 복수의 플레인들에 속한 목적 페이지로 동시에 카피백하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법은 복수의 플레인들 중 특정 플레인에 저장된 원본 페이지의 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계와, 상기 제1 래치에 저장된 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장시키는 단계와, 상기 제2 래치에 저장된 데이터를 나머지 플레인들에 접속된 각각의 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장시키는 단계와, 상기 각 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장된 데이터를 각 플레인의 목적 페이지에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명이 적용되는 멀티 플레인형 불휘발성 메모리 장치의 블록도이다.
상기 불휘발성 메모리 장치(100)는 입력 버퍼(110), 제어 로직 회로(120), 고전압 발생기(130), X-디코더(140), Y-디코더(150), 복수의 플레인들(PL1-PLM)(M은 정수), 페이지 버퍼들(PB1-PBM)(M은 정수) 및 데이터 입출력 회로(160)를 포함한다.
상기 입력 버퍼(110)는 외부 어드레스 신호(ADD) 또는 커맨드 신호(CMD1, CMD2, 및 CMD3 중 하나)를 수신하여 상기 제어 로직 회로(120)에 출력한다.
상기 제어 로직 회로(120)는 칩 인에이블 신호(CEb)와 제어 신호들(REb, WEb, ALE, CLE)에 응답하여, 상기 커맨드 신호(CMD1, CMD2, 및 CMD3 중 하나) 또는 상기 외부 어드레스 신호(ADD)를 수신하고, 이에 응답하여 프로그램 명령(PGM), 리드 명령(READ), 및 소거 명령(ERS) 중 하나를 발생한다. 상기 제어 로직 회로(120)는 상기 특정 명령을 발생한 후, 확인 코드(confirm code)를 포함하는 커맨드 신호를 수신하면, 레디/비지바(ready/busy bar) 신호(R/Bb)를 설정 시간 동안 디세이블시킨다.
상기 고전압 발생기(130)는 상기 프로그램 명령(PGM), 상기 리드 명령(READ), 및 상기 소거 명령(ERS) 중 하나에 응답하여, 바이어스 전압들(VD, VS, VW1-VWK)(K는 정수)을 발생한다.
상기 X-디코더(140)는 상기 로우 어드레스 신호(RADD)에 기초하여, 상기 복수의 플레인들(PL1-PLM) 각각의 상기 메모리 셀 블록들(MB1-MBn) 중 하나를 선택하고, 그 선택된 메모리 셀 블록에 상기 바이어스 전압들(VD, VS, VW1-VWK)을 공급한다. 상기 X-디코더(140)는 상기 로우 어드레스 신호(RADD)를 디코딩하여 로우 디코딩 신호를 발생하고, 상기 로우 디코딩 신호에 기초하여 상기 복수의 플레인들(PL1-PLM) 각각의 상기 메모리 셀 블록들(MB1-MBn) 중 하나를 선택한다.
상기 Y-디코더(150)는 상기 칼럼 어드레스 신호(CADD)를 디코딩하여 칼럼 디코딩 신호(CDEC)를 발생하고, 상기 칼럼 디코딩 신호(CDEC)를 상기 페이지 버퍼들(PB1-PBM)에 각각 출력한다.
상기 페이지 버퍼들(PB1-PBM)은 상기 플레인들(PL1-PLM)에 각각 하나씩 대응하게 배치된다. 상기 페이지 버퍼들(PB1-PBM) 각각은 대응하는 데이터 입출력 회로(160)로 부터 수신되는 입력 데이터(Di1-DiM 중 하나, M은 정수)를 래치하거나 또는 상기 칼럼 디코딩 신호(CDEC)에 응답하여 대응하는 플레인(PL1-PLM 중 하나)의 비트 라인들(미도시) 중 일부 또는 전체를 선택하고, 그 선택된 비트 라인들로부터 수신되는 출력 데이터(Do1-DoM 중 하나, M은 정수)를 래치한다. 상기 페이지 버퍼들(PB1-PBM) 각각은 상기 칼럼 디코딩 신호(CDEC)에 응답하여, 대응하는 플레인(PL1-PLM 중 하나)의 비트 라인들 중 일부 또는 전체를 선택하고, 그 선택된 비트 라인들에 상기 래치된 데이터를 출력한다.
한편, 상기 각 페이지 버퍼들은 페이지 버퍼간 전송선로에 의하여 접속되어, 특정 페이지 버퍼에 저장된 데이터를 외부로 출력시키지 않고 다른 페이지 버퍼로 전송할 수 있다.
상기 데이터 입출력 회로(160)는 외부에서 입력되는 데이터(Di1-DiM)를 상기 각 페이지 버퍼로 전달하거나, 페이지 버퍼로부터 전달받은 출력 데이터들(Do1-DoM)을 연속적으로 출력한다.
도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법을 도시한 도면이다.
먼저 메모리 셀 어레이의 복수의 플레인들 중 특정 플레인에 포함된 카피백 하고자 하는 원본 페이지를 해당 플레인에 접속된 페이지 버퍼의 제1 래치로 읽어 들인다(1). 도면에는 하나의 페이지 버퍼만 도시되어 있으나, 메모리 셀 어레이에 대하여 페이지 단위로 독출하여 복수의 페이지 버퍼에 저장한다. 실시예에 따라 상기 플레인의 개수는 다양하게 구성할 수 있다.
다음으로, 상기 제1 래치에 저장된 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제2 래치에 전송하여 저장시킨다(2).
상기 제2 래치에 저장된 데이터를 나머지 플레인들에 접속된 각각의 페이지 버퍼의 제2 래치로 전송하여 저장한다(3). 이와 같이 복수의 플레인에 동일한 데이터를 동시에 설정함으로써, 동일한 카피백 프로그램 동작을 반복하여 실시하는 것에 비하여 프로그램 동작에 소모되는 시간을 감소시킬 수 있다.
상기 각 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장된 데이터를 각 플레인의 목적 페이지에 저장시킨다(4). 따라서, 상기 각 플레인의 목적 페이지에 저장되는 데이터는 상기 원본 페이지에 저장되었던 데이터와 동일하게 된다.
전술한 본원 발명의 구성에 따라, 특정 플레인의 원본 페이지에 저장된 데이터를 복수의 플레인에 카피백 프로그램을 통해 저장시키고자 하는 경우, 각 플레인별로 카피백 동작을 실시하지 않고, 대상이 되는 모든 플레인에 대하여 동시에 카피백 프로그램 동작을 실시함으로써 카피백 프로그램 동작에 소요되는 시간을 감소 시킬 수 있다.

Claims (1)

  1. 복수의 플레인들 중 특정 플레인에 저장된 원본 페이지의 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계와,
    상기 제1 래치에 저장된 데이터를 해당 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장시키는 단계와,
    상기 제2 래치에 저장된 데이터를 나머지 플레인들에 접속된 각각의 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장시키는 단계와,
    상기 각 페이지 버퍼의 제2 래치에 저장된 데이터를 각 플레인의 목적 페이지에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법.
KR1020070025089A 2007-03-14 2007-03-14 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법 KR20080084024A (ko)

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