KR20080081689A - 정전척 및 이를 이용한 기판 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR20080081689A
KR20080081689A KR1020070022063A KR20070022063A KR20080081689A KR 20080081689 A KR20080081689 A KR 20080081689A KR 1020070022063 A KR1020070022063 A KR 1020070022063A KR 20070022063 A KR20070022063 A KR 20070022063A KR 20080081689 A KR20080081689 A KR 20080081689A
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Abstract

본 발명은 기판을 고정하기 위한 정전척에 관한 것으로, 보다 자세히는 정전척에 고전압의 전기가 인가될 때 아킹(arcing)현상이 발생하는 문제를 방지하여, 상기 아킹현상에 의하여 정전척 및 기판이 손상되지 않도록 하는 정전척의 구조를 제공한다.
또한, 본 발명은 이와 같은 구성적 특징을 가지는 정전척을 포함하는 기판 플라즈마 처리장치의 구조를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 정전척은 전도성 물질로 형성된 전극층과, 별도의 전원에 전기적으로 연결되어 상기 전극층에 고전압의 전기를 전달하는 전극봉과, 상기 전극층과 전극봉 사이에 개재되어 전극층과 전극봉을 전기적으로 연결하는 접점부를 포함하여 구성되며,
상기 접점부에서 전극층과 접하는 면이 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층을 가지는 것을 특징으로 한다.
기판, 정전척, 아킹, 플라즈마 처리장치

Description

정전척 및 이를 이용한 기판 플라즈마 처리 장치{Electrostatic Chuck and Apparatus for Plasma Processing On A Substrate Using the Same}
도1은 본 발명에 따른 정전척의 단면도.
도2는 본 발명에 따른 기판 플라즈마 처리 장치의 구성 단면도.
본 발명은 기판을 고정하기 위한 정전척에 관한 것으로, 보다 자세히는 정전척에 고전압의 전기가 인가될 때 아킹(arcing)현상이 발생하는 문제를 방지하여, 상기 아킹현상에 의하여 정전척 및 기판이 손상되지 않도록 하는 정전척의 구조를 제공한다.
또한, 본 발명은 이와 같은 구성적 특징을 가지는 정전척을 포함하는 기판 플라즈마 처리장치의 구조를 제공한다.
정보화 사회의 발전에 따라, 종래의 CRT(Cathode Ray Tube)가 가지는 무거운 중량과 큰 부피와 같은 단점들을 개선한 영상표시장치에 대한 기술의 개발이 요구고 있다.
이에 따라, LCD(Liquid Crystal Display Device, 이하 액정표시장치), OLED(Organic Light Emitting Diode, 이하 유기 발광 다이오드), PDP(Plasma Panel Display Device)등과 같은 여러 가지 평판표시장치들이 새로운 영상표시장치로 주목받고 있다.
이러한 평판표시장치들은 일반적으로 유리 등의 재질로 이루어진 기판 상에 증착공정, 노광공정, 식각공정과 같은 여러 가지 공정이 반복적으로 수행하여 수㎛의 미세한 선폭을 가지는 패턴들이 패터닝되어 형성된다.
이 때, 상기 패턴들의 선폭은 수㎛에 불과하기 때문에, 전 기판 상에 균일하게 패턴을 형성하기 위해서는 공정이 수행되는 동안 기판의 위치가 변동되지 않도록 고정시키는 것이 중요하다.
기판을 고정하는 방법으로는 진공력을 이용한 진공흡착방법이 널리 사용되고 있으나, 제조공정이 진공의 환경에서 수행될 경우에는 진공력으로 기판을 고정할 수 없는 문제를 가진다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 진공 상태에서 공정을 수행할 경우에는 기판을 고정하기 위하여 정전기력을 이용하는 정전척이 제안되어 사용되고 있다.
특히, 플라즈마 조건하에서 기판에 박막을 형성하거나, 기판에 형성된 박막을 식각하는 공정을 수행하는 기판 플라즈마 처리장치의 경우에는 정전기력을 이용하여 기판을 고정하는 정전척이 널리 적용되고 있다.
일반적으로 정전척은 전극층과 상기 전극층 상부에 형성된 유전층이 적층된 구조를 가지며, 상기 전극층에 고전압의 전기가 인가되면, 상기 유전층에 정전기가 대전되어서 기판을 고정하게 된다.
그러나, 종래의 정전척은 다음과 같은 문제점을 가진다.
정전척에는 기판을 고정시키기 위해서 전극층에 고전압의 전기가 인가되어야 하며, 상기 전극층은 접점부를 통해 전극층과 전기적으로 연결된 전극봉으로부터 고전압의 전기를 전달받는다.
이 때, 상기 접점부와 전극층과의 컨택저항에 의하여 온도가 상승하게 되고, 이에 따라 전극층과 접점부가 서로 연결된 부분에 대응되는 유전층의 온도도 상승하면서 상기 유전층의 저항치가 낮아지게 되어 아킹(arcing)현상이 발생하게 된다.
이와 같이, 전극층과 접점부가 서로 연결된 부위에서 주로 발생하는 아킹현상은, 유전층에 손상을 입힘으로써 결국 고가의 정전척을 교체하도록 하여 생산비용을 증가시키는 요인이 된다.
또한, 상기 아킹현상은 기판에 형성된 패턴에 영향을 주어 제품의 신뢰성을 저하시키는 요인이 된다.
이와 같이, 생산비용을 증가시키고 제품의 신뢰성을 저하시키는 요인이 되는 아킹현상을 방지하기 위하여, 본 발명은 전극층과 접점부 간의 컨택저항을 감소시키는 구조를 가지는 정전척과, 상기 정전척을 포함하여 구성되는 기판 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 정전척은 금속 재질로 이루어져서 기판이 안착될 수 있는 스테이지의 형상을 가지는 베이 스 부재와, 상기 베이스 부재의 상부에 전도성 물질로 이루어진 전극층과, 상기 베이스 부재를 관통하여 형성되며 별도의 전원에 전기적으로 연결된 전극봉과, 상기 전극층과 전극봉 사이에 개재되어 상기 전극층과 접하는 면이 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층을 가지는 접점부와, 상기 전극봉 하부에 형성되어 별도의 전원과 상기 전극봉을 전기적으로 연결하는 하부 어셈블리와, 상기 전극봉 및 하부 어셈블리와 상기 전극층 하부를 둘러싸도록 형성되어 상기 베이스 부재로부터 상기 전극봉 및 전극층을 절연시키는 세라믹 코팅층과, 상기 전극층 상부에 형성되는 유전층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 접점부와 전극층이 접하는 면에 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층이 형성됨으로써, 상기 전도층에 의해 전극층과 접점부간의 접촉면적이 늘어나게 되어 컨택저항이 감소한다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 정전척은 전극층과 접점부 간의 접촉면적을 증가시켜 전극층과 접점부 사이의 컨택저항을 감소시키는 구조를 제공한다.
또한, 상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 공정이 수행되는 프로세스 챔버와, 반응가스를 공급하기 위한 가스공급부와, 고주파 전원과 연결되어 상기 반응가스에 전기장을 가하여 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 형성부와, 상기 챔버 내의 압력을 진공으로 만들기 위한 진공형성부와, 기판을 고정하기 위한 정전척을 포함하며,
상기 정전척은 금속 재질로 이루어지며 기판이 안착될 수 있도록 스테이지 형상을 가지는 베이스 부재와, 상기 베이스 부재의 상부에 전도성 물질로 형성된 전극층과, 상기 베이스 부재를 관통하여 형성되며 외부의 전원과 전기적으로 연결된 전극봉과, 상기 전극층과 전극봉 사이에 개재되어 상기 전극층과 접하는 면이 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층을 가지는 접점부를 구비한 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 플라즈마 처리장치는 전극층과 전극봉 사이의 컨택저항이 감소된 구조를 가지는 정전척을 포함하여 구성됨으로써, 아킹현상을 방지하는 기판 플라즈마 처리장치의 구조를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 바탕으로 하여 본 발명의 실시예에 따른 정전척에 대하여 설명하기로 한다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전척은 금속 재질로 이루어지며 기판이 안착될 수 있도록 스테이지 형상을 가지는 베이스 부재(130)와, 상기 베이스 부재(130) 상부에 전도성 물질로 형성된 전극층(110)과, 상기 베이스 부재(130)를 관통하여 형성되며 별도의 전원(미도시)에 전기적으로 연결된 전극봉(120)과, 상기 전극층(110)과 전극봉(120) 사이에 개재되어 상기 전극층(110)에 접하는 면이 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층(128)을 가지는 접점부(124)와, 상기 전극봉(120) 하부에 형성되어 별도의 전원(미도시)과 상기 전극봉(120)을 전기적으로 연결하는 하부 어셈블리(160)와, 상기 전극봉(120) 및 하부 어셈블리(160)와 전극층(110) 하부를 둘러싸도록 형성되어 상기 베이스 부재(130)로부터 상기 전극봉(120) 및 전극층(110)을 절연시키는 세라믹 코팅층(140)과, 상기 전극층(110) 상 부에 형성되는 유전층(150)을 포함하여 구성된다.
상기 베이스 부재(130)는 알루미늄과 같은 금속 재질로 형성되며, 스테이지 형상을 가짐으로써 기판이 안착되어 고정될 수 있는 구조를 제공한다.
또한, 상기 베이스 부재(130)는 열선라인이나 쿨링라인과 같은 기판온도 제어수단을 구비하는 것도 가능하다.
상기 열선라인은 크롬과 같은 금속으로 만들어 저항에 의해 열이 발생되도록 하여 기판의 온도를 높일 수 있다.
또한, 상기 쿨링라인은 빈 공간으로 형성된 중공(中空)형태로 형성하여, 상기 쿨링라인 내부에 헬륨가스 등과 같은 냉각가스를 공급함으로써 기판의 온도를 냉각시킬 수 있다.
상기 전극봉(120)은 상기 베이스 부재(130)를 관통하도록 형성되고, 티타늄과 같이 전도성이 우수하면서도 견고한 금속으로 이루어진다.
또한, 상기 전극봉(120)은 하부 어셈블리(160)를 통해 외부의 전원과 전기적으로 연결된다.
상기 전극층(110)은 상기 베이스 부재(130)의 상부에 전도성 물질로 형성된다.
상기 전도성 물질로는 경도와 저항 등을 고려하여 텅스텐 등이 주로 사용되며, 일반적으로 상기 전도성 물질을 상기 베이스 부재(130) 위에 용사(Thermal Spray)시켜 전극층(110)을 형성하게 된다.
상기 전극층(110)은 전극봉(120)을 통하여 외부의 전원으로부터 공급된 고전 압의 전기를 전달받게 된다.
상기 전극층(110) 상부에는 유전물질로 이루어진 유전층(150)이 형성되고, 상기 전극층(110)에 고전압의 전기가 인가되어지면 쿨롱(coulomb)효과 또는 존슨-라벡(Johnson-Rahbeck)효과에 의하여 상기 유전층(150)에 정전기가 대전된다.
즉, 상기 유전층(150)이 비교적 높은 유전율을 가지는 물질로 이루어지면 쿨롱효과에 의해 기판이 고정되며, 이 경우에는 전극층(110)과 유전층(150)에 고정된 기판 사이에 전하가 분리되어 유지된다.
또한, 상기 유전층(150)이 낮은 유전율을 가지는 물질로 이루어지면 존슨-라벡효과에 의하여 기판이 고정되며, 이 경우에는 전극층(110)과 유전층(150)에 고정된 기판 사이에 전하이동(charge migration)이 허용된다.
이와 같이, 유전층(150)에 대전된 정전기가 가지는 정전기력에 의하여 기판의 위치가 변동하지 않도록 기판을 고정할 수 있게 된다.
상기 세라믹 코팅층(140)은 절연물질로 이루어지며, 상기 전극층(110) 및 상기 전극봉(120)과 베이스 부재(130) 사이에 개재되어 상기 전극층(110) 및 상기 전극봉(120)을 상기 베이스 부재(130)로부터 절연시킨다.
상기 전극봉(120)과 전극층(110) 사이에는 접점부(124)가 개재되고, 상기 접점부(124)를 통해 전극봉(120)으로부터 전달된 고전압의 전기가 상기 전극층(110)으로 전달된다.
상기 접점부(124)는 전극층과 접하는 면이 정밀한 평탄도를 가지도록 가공되며, 상기 전극봉(120)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
즉, 용사 공정에 의해 형성되는 전극층(110)이 정밀한 평탄도를 가지도록 하기 위해서 전극봉(120)과 전극층(110)이 작은 접촉면적을 가지는 접점부(124)를 통해서 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 접점부(124)에서 상기 전극층(110)과 접하는 면은 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층(128)을 가진다.
상기 전도층(128)으로는 상기 접점부(124)를 구성하는 재질과는 다른 전도성 물질을 사용하며, 특히 상기 전극층(110)과 동일한 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 접점부(124)에서 전극층(110)과 접하는 면이 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층(128)을 가짐으로써, 결과적으로 전극층(110)과 접점부(124) 간의 접촉면적이 증가하여, 전극봉과 전극층 사이의 컨택저항이 감소하는 효과를 얻을 수 있게 된다.
다음으로, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 플라즈마 처리장치에 대하여 설명하기로 한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 플라즈마 처리장치의 구성도이다.
도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 플라즈마 처리장치는,
플라즈마 공정이 수행되는 프로세스 챔버(410)와, 반응가스를 공급하는 가스공급부(440)와, 고주파 전원(430)과 연결되어 상기 반응가스에 전기장을 가하여 플라즈마를 형성하는 플라즈마 형성부(450)와, 상기 챔버 내의 압력을 진공으로 만드 는 진공형성부(420)와, 정전기력을 이용하여 기판(500)을 고정하는 정전척(200)을 포함하며,
상기 정전척(200)에는 외부의 전원으로부터 고전압의 전기를 공급받는 전극봉(220)과, 상기 전극봉(220) 상부에 전도성 물질로 형성된 전극층(210)과, 상기 전극봉(220)과 상기 전극층(210) 사이에 개재되어 상기 전극층(210)과 접하는 면에 형성된 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층(224)을 가지는 접점부(226)가 구비된것을 특징으로 한다.
상기 프로세스 챔버(410)는 플라즈마 환경에서도 공정이 진행될 수 있도록 일정한 압력이 유지되는 밀폐된 내부 공간을 제공한다.
상기 가스공급부(440)는 상기 프로세스 챔버 내에서 플라즈마를 형성하기 위한 반응에 필요한 반응가스를 공급한다.
상기 플라즈마 형성부(450)는 고주파 전원(430)과 연결되어 상부전극의 역할을 수행하며, 도시하지는 않았으나 상기 가스 공급부(440)로부터 공급된 반응가스가 통과하기 위한 다수의 홀이 형성된다.
즉, 상기 플라즈마 형성부(450)를 통과하는 반응가스에 강한 전기장을 인가하면, 고주파 전계에 의해 가속된 전자가 반응가스 분자와 여러 번 탄성충돌하여 고 에너지를 얻은 후, 상기 전자가 반응가스 분자와 비탄성충돌하여 반응가스 분자를 전리, 여기시킴으로써 플라즈마가 형성된다.
또한, 상기 플라즈마 형성부(450)는 플라즈마에 의한 온도상승을 방지하기 위한 쿨링 플레이트(미도시)등을 추가로 더 구비할 수 있다.
상기 진공형성부(420)는 TMP(Turbo Molecular Pump)와 같은 펌프를 사용하여 프로세스 챔버(410)내의 압력이 진공이 되도록 한다.
상기 정전척(200)은 금속 재질의 베이스 부재(230)와, 상기 베이스 부재(230) 상부에 금속으로 형성된 전극층(210)과, 상기 베이스 부재(230)를 관통하여 형성된 전극봉(220)과, 상기 전극층(210)과 전극봉(220) 사이에 개재되어 상기 전극층(210)과 전극봉(220)을 전기적으로 연결하는 접점부(226)와, 상기 전극봉(220) 하부에 형성되어 별도의 전원(미도시)과 상기 전극봉(220)을 전기적으로 연결하는 하부 어셈블리(260)와, 상기 전극봉(220) 및 하부 어셈블리(260)와 전극층(210)을 둘러싸도록 형성되어 상기 베이스 부재(230)로부터 상기 전극봉(220) 및 전극층(210)을 절연시키는 세라믹 코팅층(240)과, 상기 전극층(210) 상부에 형성되는 유전층(250)을 포함하며,
상기 접점부(226)에는 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층(224)이 형성된다.
상기 전도층(224)으로는 상기 접점부(226)를 구성하는 재질과는 다른 전도성 물질을 사용하며, 특히 상기 전극층(210)과 동일한 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 접점부(226)에서 전극층(210)과 접하는 면이 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층(224)을 가짐으로써, 결과적으로 전극층(210)과 접점부(226) 간의 접촉면적이 증가하여, 전극봉과 전극층 사이의 컨택저항이 감소하는 효과를 얻을 수 있게 된다.
또한, 상기 베이스 부재(230)는 알루미늄과 같은 금속 재질로 형성되며, 스테이지 형상을 가짐으로써 기판이 안착되어 고정될 수 있는 구조를 제공한다.
상기 베이스 부재(230)는 크롬과 같은 금속으로 만들어 저항에 의해 열이 발생되는 열선라인이나, 헬륨가스 등과 같은 냉각가스가 공급되는 중공(中空)형태의 쿨링라인과 같은 기판온도 제어수단을 구비하는 것도 가능하다.
또한, 상기 정전척(200)은 기판 플라즈마 처리장치에서 하부전극의 역할을 수행한다.
이와 같이, 상기 정전척(200)이 하부전극으로 작용하여 상기 플라즈마 형성부(450)에 의하여 형성된 플라즈마가 기판 방향으로 방향성을 가지고 운동하여 기판에 대하여 식각공정과 같은 플라즈마 처리공정을 수행하게 된다.
또한, 상기 기판 플라즈마 처리장치는 도시하지는 않았으나, 공정이 수행된 이후에 반응가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 플라즈마 처리장치는 기판을 고정하는 정전척(200)이 전극봉(220)과 전극층(210)의 컨택저항이 감소된 구조를 가지므로, 상기 전극봉(220)과 전극층(210)이 서로 연결되는 부분에서 발생되는 아킹현상을 방지할 수 있다.
즉, 전극봉(220)과 전극층(210)간의 컨택저항을 낮추어 컨택저항에 의한 온도상승을 방지하고, 아울러 상기 전극봉(220)과 전극층(210)이 연결되는 부분에 대응되는 유전층(250)의 온도가 상승하는 것을 방지하여, 결국 열에 의하여 유전층(250)의 저항이 낮아지는 것을 막음으로써 아킹현상을 방지하는 효과를 가진다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명에 따른 정전척은 전극층과 전극봉 사이를 전기적으로 연결하는 접점부의 컨택저항을 낮추어, 상기 정전척에 고전압의 전기가 인가될 때 컨택저항에 의한 열에 기인한 아킹(arcing)현상이 발생하는 문제를 방지하는 효과를 가진다.
또한, 본 발명에 따른 기판 플라즈마 처리 장치는, 아킹현상에 의하여 정전척 및 기판이 손상되지 않도록 하여 생산 비용을 절감하고 제품의 신뢰성을 높이는 효과를 가진다.

Claims (24)

  1. 금속으로 이루어진 베이스 부재;
    전원과 연결되어 상기 베이스 부재를 관통하여 형성된 전극봉;
    상기 베이스 부재 및 상기 전극봉 상부에 형성된 전극층;
    상기 전극봉과 상기 전극층 사이에 개재되어, 상기 전극층에 접하는 면에 형성된 오목부 및 상기 오목부를 매립하는 전도층을 구비한 접점부를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전도층과 상기 전극층은 동일한 재질인 것을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극층은 텅스텐 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극봉은 티타늄 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극층 상부에 유전성 물질로 형성된 유전층을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 정전척.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전극봉 및 전극층과 상기 베이스 부재 사이에 형성된 세라믹 코팅층을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 정전척.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 부재는 기판온도 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 정전척.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판온도 제어수단은 열선라인 또는 쿨링라인인 것을 특징으로 하는 정전척.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열선라인은 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 쿨링라인은 냉각가스가 공급되는 중공형태로 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.
  11. 플라즈마 공정이 수행되는 프로세스 챔버;
    반응가스를 공급하는 가스공급부;
    전원과 연결되어 상기 반응가스에 전기장을 가하여 플라즈마를 형성하는 플라즈마 형성부;
    기판을 고정하며 금속 재질의 베이스 부재와, 상기 베이스 부재 상부에 전도성 물질로 형성된 전극층 및 상기 전극층 하부에 형성되어 상기 전극층에 고전압의 전기를 전달하는 전극봉과, 상기 전극층과 전극봉 사이에 개재된 접점부를 구비한 정전척을 포함하여 구성되며,
    상기 접점부는 전극층과 접하는 면에 오목부와 상기 오목부를 매립하는 전도층이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전도층과 상기 전극층은 동일한 재질인 것을 특징으로 하는 정전척.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 전극층은 텅스텐 재질인 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 전극봉은 티타늄 재질인 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 전극층 상부에 형성된 유전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 전극봉 및 전극층과 상기 베이스 부재 사이에 형성된 세라믹 코팅층을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 베이스 부재는 기판온도 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판온도 제어수단은 열선라인 또는 쿨링라인인 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 열선라인은 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 쿨링라인은 냉각가스가 공급되는 중공형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  21. 제11항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 내부를 진공으로 만드는 진공형성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 진공형성부는 TMP인 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  23. 제11항에 있어서,
    상기 플라즈마 형성부는 쿨링 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
  24. 제11항에 있어서,
    상기 플라즈마 형성부는 상기 가스공급부로부터 공급되는 반응가스를 통과시키는 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 플라즈마 처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116246992A (zh) * 2021-12-08 2023-06-09 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘
CN116246992B (zh) * 2021-12-08 2024-05-10 美科陶瓷科技有限公司 静电吸盘

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