KR20080066517A - 정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스 - Google Patents

정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20080066517A
KR20080066517A KR1020070038985A KR20070038985A KR20080066517A KR 20080066517 A KR20080066517 A KR 20080066517A KR 1020070038985 A KR1020070038985 A KR 1020070038985A KR 20070038985 A KR20070038985 A KR 20070038985A KR 20080066517 A KR20080066517 A KR 20080066517A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrostatic
electrostatic discharge
discharge ring
circuit board
Prior art date
Application number
KR1020070038985A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100860398B1 (ko
Inventor
추안-펭 뤼
치-밍 우
Original Assignee
프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 filed Critical 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드
Publication of KR20080066517A publication Critical patent/KR20080066517A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100860398B1 publication Critical patent/KR100860398B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/005—Circuit means for protection against loss of information of semiconductor storage devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/04—Display protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명에 의한 액티브 매트릭스 디바이스는 기판, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 픽셀들, 정전기 방전 링, 회로기판 및 정전기 보호 회로를 포함하여 구성된다. 스캔 라인들 및 데이터 라인들은 기판 상에 배열되고, 여기서 데이터 라인들은 스캔 라인들을 교차한다. 픽셀들은 상기 데이터 라인들 및 스캔 라인들에 전기적으로 연결된다. 정전기 방전 링은 상기 기판 상에 배열된다. 상기 정전기 보호 회로는 상기 정전기 방전 링 및 회로기판 사이에 연결되고, 여기서 상기 정전기 보호 회로는 상기 회로기판 상의 정전기 전류가 기판으로 유입되는 것을 방지한다.
Figure P1020070038985
액티브 매트릭스 디바이스, 정전기보호회로, 정전기 방전 링, 데이터라인, 스캔라인

Description

정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스{ACTIVE MATRIX DEVICE WITH ELECTROSTATIC PROTECTION}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스 디바이스를 보여주고;
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 정전기 보호 회로의 하나의 형태를 보여주고;
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 정전기 보호 회로의 또 하나의 형태를 보여주고; 그리고
도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 정전기 보호 회로의 또 다른 하나의 형태를 보여준다.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
100: 기판 101: 스캔 라인
103:제3 정전기 보호 회로 105: 데이터 라인
107: 제2 정전기 보호 회로 109: 정전기 방전 링
111: 픽셀 113: 회로기판
117: 제1 정전기 보호 회로
본 발명은 액티브 매트릭스 디바이스에 관한 것으로, 특히 정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스에 관한 것이다.
환경에서 정전기 에너지의 전압은 수천 볼트로 높을 수 있고, 이것은 대량의 정전기 전류를 포함한다. 이러한 대량의 정전기 전류가 액티브 매트릭스 디바이스와 같은 회로의 내부에서 유도된다면, 상기 액티브 매트릭스 디바이스의 구성 요소들이 손상될 수 있다. 액티브 매트릭스 디바이스의 구성요소들이 정전기 전류에 이해 손상되지 않도록, 정전기 보호 회로가 상기 액티브 매트릭스 디바이스 상에 배치된다. 상기 정전기 보호 회로는 정전기 전류를 소비하고, 상기 액티브 매트릭스 디바이스의 전자 구성요소들의 손상을 방지한다.
일반적인 액티브 매트릭스 디바이스에서, 정전기 보호 회로는 정전기 방전 링(ESD(electrostatic discharge) ring)에 결합된다. 정전기 전류가 스캔 라인 또는 데이터 라인에 나타날 때, 상기 정전기 전류는 정전기 보호 회로를 통해 정전기 방전 링으로 방전되어 상기 ESD 링에 의해 소비된다. 그러므로, 데이터 라인 또는 스캔 라인 상의 정전기 전류가 일반적인 액티브 매트릭스 디바이스의 전자 구성요소들로 유입될 수 없어서, 상기 전자 구성요소들은 정전기 전류에 의한 손상으로부터 안전하게 될 수 있다.
그러나, 일반적인 액티브 매트릭스 디바이스에서, ESD 링은 통상 인쇄회로기판(printed circuit board (PCB))에 와이어로 연결된다. 결과적으로, PCB의 정전기 전류는 정전기 방전 링과 인쇄회로 사이의 와이어를 통해 흐름으로써 기판에 유입 될 수 있다. 따라서, 정전기 전류는 기판 상의 전자 구성요소들을 손상시킬 수 있다.
전술된 이유로, PCB 상의 정전기 전류가 기판으로 유입되어 그 기판 상의 전자 구성요소들을 손상시키는 것을 방지할 수 있는 새로운 액티브 매트릭스 디바이스가 요구된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 액티브 매트릭스 디바이스는 기판, 스캔 라인들, 데이터 라인들, 픽셀들, 정전기 방전 링, 회로기판 및 정전기 보호 회로를 포함하여 구성된다. 상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에 배열된다. 상기 데이터 라인들은 상기 기판 상에 배열되고, 여기서, 상기 데이터 라인들은 상기 스캔 라인들을 교차한다. 상기 픽셀들은 전기적으로 상기 데이터 라인들 및 상기 스캔 라인들에 연결된다. 상기 정전기 방전 링은 상기 기판 상에 배열된다. 상기 정전기 보호 회로는 상기 정전기 방전 링 및 회로기판 사이에 연결되고, 여기서 상기 정전기 보호 회로는 상기 회로기판 상의 정전기 전류가 기판으로 유입되는 것을 방지한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 액티브 매트릭스 디바이스는 기판, 복수의 스캔 라인들, 복수의 데이터 라인들, 복수의 픽셀들, 정전기 방전 링, 회로기판, 제1 정전기 보호 회로 및 복수의 제2 정전기 보호 회로를 포함하여 구성된다.
상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에 배열된다. 상기 기판 상에 배열된 데이터 라인들은 상기 스캔 라인들을 교차한다. 상기 픽셀은 상기 데이터 라인들 및 상기 스캔 라인들에 전기적으로 연결된다. 상기 정전기 방전 링은 상기 기판 상에 배 열된다. 상기 제1 정전기 보호 회로는 상기 정전기 방전 링과 상기 회로기판 사이에 연결되고, 여기서 상기 정전기 보호 회로는 상기 회로기판 상의 정전기 전류가 상기 기판으로 유입되는 것을 방지한다.
모든 제2 정전기 보호 회로는 적어도 하나의 제1 다이오드 및 적어도 하나의 제2 다이오드를 포함하여 구성된다. 상기 제1 다이오드는 상기 정전기 방전 링에 연결되는 양극과, 상기 데이터 라인들 중 하나에 연결되는 음극을 구비한다. 상기 제2 다이오드는 상기 데이터 라인들 중 하나에 연결되는 양극과 상기 정전기 방전 링에 연결되는 음극을 구비한다.
전술된 전반적인 설명 및 아래의 상세한 설명 모두는 예시적이며, 청구되는 바와 같은 본 발명에 대한 추가적인 설명을 제공하도록 의도된 것으로 이해되어야 한다.
실시 도면들이 본 발명의 추가적인 이해를 제공하도록 포함되고, 이 명세서에 통합되어 이 명세서의 일부를 구성한다. 도면들은 설명과 함께 본 발명의 실시예들을 보여주고 본 발명의 규칙들을 설명하도록 제공된다.
본 발명의 바람직한 실시예들, 즉, 실시 도면들에서 보여지는 예시들에 대해 상세히 설명될 것이다. 가능하면, 동일한 참조 번호들은 동일 또는 유사 부분들을 지칭하도록 도면들 및 설명에 사용된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스 디바이스를 보여준다. 액티브 매트릭스 디바이스는 기판(100), 스캔 라인들(101), 데이터 라인들(105), 픽셀들(111), 제2 정전기 보호 회로(107), 제3 정전기 보호 회로(103), 정전기 방전 링(109), 회로기판(113) 및 제1 정전기 보호 회로(117)를 포함하여 구성된다. 상기 회로기판(113)은 플렉서블 인쇄회로기판(FPC(flexible printed circuit board))(113)이 될 수 있다.
스캔 라인들(101), 데이터 라인들(105), 픽셀들(111), 제2 정전기 보호 회로(107), 제3 정전기 보호 회로(103) 및 정전기 방전 회로(109)는 상기 기판(100) 상에 배열된다. 픽셀들(111)은 상기 스캔 라인들(1010 및 상기 데이터 라인들(105)에 연결된다. 상기 스캔 라인들(101) 및 상기 데이터 라인들(105)은 제3 정전기 보호 회로(103) 및 상기 제2 정전기 보호 회로(107)를 통해 각각 상기 정전기 방전 링(109)에 연결된다. 상기 제1 정전기 보호 회로(117)는 상기 FPC(113) 및 상기 정전기 방전 링(109)에 연결된다.
제2 정전기 보호 회로(107)는 다이오드(119) 및 다이오드(121)를 포함하고, 여기서 다이오드들(119)의 양극들 및 음극들은 상기 데이터 라인들(105) 및 정전기 방전 링(109)에 각각 연결된다. 다이오드들(121)의 양극들 및 음극들은 정전기 방전 링(109) 및 데이터 라인들(105)에 각각 연결된다. 제3 정전기 보호 회로(103)는 다이오드들(123) 및 다이오드들(125)을 포함하고, 여기서 상기 다이오드들(123)의 양극들 및 음극들은 스캔 라인들(101) 및 정전기 방전 링(109)에 각각 연결된다. 상기 다이오드들(125)의 양극들 및 음극들은 정전기 방전 링(109) 및 스캔 라인들(101)에 각각 연결된다.
데이터 라인들(105) 상에 포지티브 정전기 전류가 있다면, 상기 포지티브 정 전기 전류가 다이오드(119)를 통해 정전기 방전 링(109)으로 방전될 수 있도록, 다이오드들(119)이 턴온 된다. 데이터 라인들(105) 상에 네거티브 정전기 전류가 있다면, 상기 네거티브 정전기 전류가 다이오드(121)를 통해 정전기 방전 링(109)으로 방전될 수 있도록, 다이오드들(121)은 턴온 된다. 동일한 방식으로, 스캔 라인들(101) 상의 정전기 전류는 다이오드들(123)(125)을 통해 정전기 방전 링(109)으로 방전될 수 있다.
추가적으로, FPC(113) 상에 정전기 전류가 있다면, 제1 정전기 보호 회로(117)는 상기 FPC(113) 상의 상기 정전기 전류가 기판(100)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한 제1 정전기 보호 회로(117)는 정전기 전류를 소비할 수 있다. 그러므로, 기판(100) 상의 전자 구성요소들이 정전기 전류에 의해 손상되는 것을 막을 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 정전기 보호 회로의 하나의 종류를 보여준다. 제1 정전기 보호 회로(117)는 트랜지스터(201)가 될 수 있다. 트랜지스터(201)의 제1 소오스/드레인(201a) 및 제2 소오스/드레인(201b)은 정전기 방전 링(109) 및 FPC(113)에 각각 연결된다. 트랜지스터(201)의 게이트(201c)는 플로팅(floating)된다.
트랜지스터(201)의 게이트(201c)가 플로팅 상태이기 때문에, 트랜지스터(201)가 오프되어, FPC(113) 상의 정전기 전류가 기판(100) 상의 정전기 방전 링(109)으로 유입되는 것을 차단한다. 그래서 기판(100) 상의 전자 구성요소들은 FPC(113)로부터의 정전기 전류에 의해 손상되는 것을 막을 수 있다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 정전기 보호 회로의 또 하나의 종류를 보여준다. 제1 정전기 보호 회로(117)는 다이오드(203) 및 다이오드(205)를 포함한다. 상기 다이오드(203)의 양극 및 음극은 FPC(113) 및 정전기 방전 링(109)에 각각 연결된다. 상기 다이오드(205)의 양극 및 음극은 정전기 방전 링(109) 및 FPC(113)에 각각 연결된다.
포지티브 및 네거티브 정전기 전류들은 FPC(113)로부터 정전기 방전 링(109)으로 가는 동안 상기 다이오드(203) 및 다이오드(205)에 의해 소비된다. 그래서 기판(100) 상의 전자 구성요소들이 FPC(113)로부터의 전자에 의해 손상되는 것을 막을 수 있다.
도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 정전기 보호 회로의 또 다른 하나의 종류를 보여준다. 제1 정전기 보호 회로(117)는 다이오드(207), 다이오드(209), 다이오드(211) 및 다이오드(213)를 포함하여 구성된다. 상기 다이오드(207), 다이오드(209), 다이오드(211) 및 다이오드(213)의 배열은 도 2b에 도시된 다이오드(203) 및 다이오드(205)의 배열과 동일하다. 2개의 다이오드를 더 추가하여, 제1 정전기 보호 회로(117)는 정전기 전류를 보다 효율적으로 소비할 수 있다.
본 발명의 범위 또는 사상을 벗어나지 않고 본 발명의 구조에 대해 다양한 수정 및 변경들이 행해질 수 있음은 이 기술 분야의 당업자에게 명백할 것이다. 전술된 관점에서, 본 발명의 수정 및 변경이 다음의 특허청구범위 및 그의 균등물 이내에 속하면 본 발명은 이러한 수정 및 변경을 포함하도록 의도된다.
상기에 살펴본 바와 같이, 본 발명은 정전기 보호 회로를 통해 정전기 전류가 기판으로 유입되는 것을 방지할 수 있고 기판 상의 전자 구성 요소들이 정전기 전류에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 배열된 복수의 스캔 라인들과;
    상기 기판 상에 배열된 복수의 데이터 라인들과, 여기서 상기 데이터 라인들은 상기 스캔 라인들과 교차되며;
    상기 데이터 라인들 및 상기 스캔 라인들과 전기적으로 연결된 복수의 픽셀들과;
    상기 기판 상에 배열된 정전기 방전 링과;
    회로기판과; 그리고
    상기 정전기 방전 링과 상기 회로기판 사이에 연결되어, 상기 회로기판 상의 정전기 전류가 상기 기판으로 유입되는 것을 방지하는 정전기 보호 회로를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 정전기 보호 회로는 트랜지스터이고, 상기 트랜지스터는 상기 정전기 방전 링에 연결되는 제1 소오스/드레인과, 상기 회로기판에 연결되는 제2 소오스/드레인과, 그리고 플로팅 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 정전기 보호 회로는, 적어도 하나의 제1 다이오드 및 적어도 하나의 제2 다이오드를 포함하여 구성되고,
    상기 적어도 하나의 제1 다이오드는 상기 정전기 방전 링에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 회로기판에 연결되는 음극을 구비하며,
    상기 적어도 하나의 제2 다이오드는, 상기 회로기판에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 정전기 방전 링에 연결되는 음극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 회로기판은 플렉서블 인쇄회로기판(FPC)인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  5. 기판과;
    상기 기판상에 배열된 복수의 스캔 라인들과;
    상기 기판상에 배열된 복수의 데이터 라인들과, 여기서 상기 데이터 라인들은 상기 스캔 라인들과 교차되며;
    상기 데이터 라인들 및 상기 스캔 라인들에 전기적으로 연결된 복수의 픽셀들과;
    상기 기판 상에 배열된 정전기 방전 링과;
    회로기판과;
    상기 정전기 방전 링과 상기 회로기판 사이에 연결되어, 상기 회로기판 상의 정전기 전류가 상기 기판으로 유입되는 것을 방지하는 제1 정전기 보호 회로와; 그 리고
    상기 정전기 방전 링 및 상기 데이터 라인들에 연결된 복수의 제2 정전기 보호 회로를 포함하여 구성되고,
    여기서 각 제2 정전기 보호 회로는,
    상기 정전기 방전 링에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 데이터 라인들 중 하나에 연결되는 음극을 구비하는 적어도 하나의 제1 다이오드와; 그리고
    상기 데이터 라인들 중 하나에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 정전기 방전 링에 연결되는 음극을 구비하는 적어도 하나의 제2 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 정전기 방전 링 및 상기 스캔 라인들에 연결된 복수의 제3 정전기 보호 회로를 더 포함하여 구성되며, 여기서 각 제3 정전기 보호 회로는,
    상기 정전기 방전 링에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 스캔 라인들 중 하나에 연결되는 음극을 구비하는 적어도 하나의 제3 다이오드와; 그리고
    상기 스캔 라인들 중 하나에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 정전기 방전 링에 연결되는 음극을 구비하는 적어도 하나의 제4 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 정전기 보호 회로는 트랜지스터이고, 여기서 상 기 트랜지스터는 상기 정전기 방전 링에 연결되는 제1 소오스/드레인과, 상기 회로기판에 연결되는 제2 소오스/드레인과, 그리고 플로팅 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 정전기 보호 회로는,
    상기 정전기 방전 링에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 회로기판에 연결되는 음극을 구비하는 적어도 하나의 제5 다이오드와; 그리고
    상기 회로기판에 연결되는 양극을 구비하고, 상기 정전기 방전 링에 연결되는 음극을 구비하는 적어도 하나의 제6 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 디바이스.
KR1020070038985A 2007-01-11 2007-04-20 정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스 KR100860398B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96101139 2007-01-11
TW096101139A TWI401019B (zh) 2007-01-11 2007-01-11 具有靜電防護功能之主動陣列裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080066517A true KR20080066517A (ko) 2008-07-16
KR100860398B1 KR100860398B1 (ko) 2008-09-26

Family

ID=39617578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070038985A KR100860398B1 (ko) 2007-01-11 2007-04-20 정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7586553B2 (ko)
JP (2) JP2008170933A (ko)
KR (1) KR100860398B1 (ko)
TW (1) TWI401019B (ko)

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1881062B (zh) * 1995-10-03 2013-11-20 精工爱普生株式会社 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
JPH10123574A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Hitachi Ltd アクティブマトリクス基板
US6337722B1 (en) * 1997-08-07 2002-01-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display panel having electrostatic discharge prevention circuitry
JP2000019556A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100633315B1 (ko) * 2000-06-01 2006-10-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 축적용량방식용 액정표시장치의 공통전극 배선과,횡전계모드용 액정표시장치의 스토리지전극 배선의 구조
GB0100733D0 (en) * 2001-01-11 2001-02-21 Koninkl Philips Electronics Nv A method of manufacturing an active matrix substrate
US7508479B2 (en) * 2001-11-15 2009-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
KR100864501B1 (ko) * 2002-11-19 2008-10-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4385691B2 (ja) * 2003-09-12 2009-12-16 カシオ計算機株式会社 表示パネルの静電気保護構造及び液晶表示パネル
TWI242404B (en) * 2004-07-22 2005-10-21 Hannstar Display Corp A display device and protection circuits thereof
TW200611009A (en) * 2004-09-23 2006-04-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor array plate, liquid crystal display panel and method of preventing electrostatic discharge thereof
TWI286240B (en) * 2005-05-19 2007-09-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Display module and flexible packaging unit thereof
JP4039446B2 (ja) * 2005-08-02 2008-01-30 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101363714B1 (ko) * 2006-12-11 2014-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 박막트랜지스터, 그 제조 방법, 이를 이용한 정전기방지 소자, 액정표시장치 및 그 제조 방법
TWI350130B (en) * 2007-03-14 2011-10-01 Prime View Int Co Ltd Active matrix device or flat panel display with electrostatic protection
TW200839400A (en) * 2007-03-27 2008-10-01 Prime View Int Co Ltd An active matrix device or flat panel display with electrostatic protection

Also Published As

Publication number Publication date
TW200830983A (en) 2008-07-16
US20080170343A1 (en) 2008-07-17
US7586553B2 (en) 2009-09-08
JP2011164653A (ja) 2011-08-25
JP2008170933A (ja) 2008-07-24
KR100860398B1 (ko) 2008-09-26
TWI401019B (zh) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100729046B1 (ko) 유기 발광 표시장치의 정전기 방지 구조 및 그 제조 방법
US8247808B2 (en) Organic light emitting lighting apparatus
US20100238094A1 (en) Esd protection circuit and organic light emitting display device having the same
KR20130106466A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20020163768A1 (en) Electrostatic discharge protection circuit using diodes
US20070268637A1 (en) Active matrix device
KR101056152B1 (ko) 정전기 보호 기능을 갖는 액티브 매트릭스 디바이스 및플랫 패널 디스플레이
JP2008091808A (ja) 半導体集積回路
JP2015180050A (ja) 半導体集積回路装置及びそれを用いた電子機器
KR100860398B1 (ko) 정전기 보호 액티브 매트릭스 디바이스
JP2008147376A (ja) 半導体装置
US9312691B2 (en) ESD protection circuit and ESD protection method thereof
CN113140607B (zh) 显示面板、显示装置
CN101276810A (zh) 具有静电防护功能的主动阵列装置
CN100473268C (zh) 其中易于布置电磁场防护电路的有机电致发光显示装置
JP2008227369A (ja) 静電破壊保護回路
CN101227788B (zh) 具有静电防护功能的主动阵列装置
KR20080087614A (ko) 정전기 보호 기능을 갖는 액티브 매트릭스 디바이스 및플랫 패널 디스플레이
US11735581B2 (en) Electrostatic protection structure comprising electrostatic protection units containing TFT's, TFT substrate, and display panel
CN115731824A (zh) 电子装置
CN111951720B (zh) 自发光型显示面板
US20080100541A1 (en) Organic light emitting diode pixel circuit
KR100649558B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR20110093601A (ko) 가드링 구조를 갖는 반도체 디바이스, 디스플레이 드라이버 회로, 및 디스플레이 장치
JP2019068214A (ja) 発振器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120727

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130806

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140820

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150820

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160720

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180801

Year of fee payment: 11