KR20080057063A - 와이어 그리드 편광자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

개시된 와이어 그리드 편광자의 제조방법은, 기판 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층을 형성하는 단계, 상기 스트라이프 패턴의 레진층 상에 PDMS 재질의 커버를 정치시켜 상기 기판과 커버 및 레진층에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널을 형성하는 단계, 상기 미세채널을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들이 분산된 수용액 또는 유기용매액에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진하는 단계, 상기 미세채널 내에 충진된 금속 나노입자들을 겔화시켜 와이어 그리드를 형성하는 단계 및 상기 PDMS 커버를 상기 레진층으로부터 탈리하는 단계를 포함한다.

Description

와이어 그리드 편광자의 제조방법{Method for fabricating wire grid polarizer}
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 개략적인 사시도이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10...기판 11...탄성체 폴리머 기판
12, 14, 16...레진층 14a, 16a...미세채널
20, 22...스탬프 20a, 22a...홈
30, 32, 34...PDMS 커버 32a...관통공
35...실란 커플링 에이전트 40...수용액 또는 유기용매액
40a...금속 나노입자 50, 52, 54...와이어 그리드
P...주기 W...폭
H...높이
본 발명은 와이어 그리드 편광자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 간단하고 용이한 방법에 의해 미세 선폭의 와이어 그리드 편광자를 대면적으로 제조할 수 있는 와이어 그리드 편광자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 와이어 그리드 편광자는, 투명 기판 상에 스트라이프 형상으로 돌출된 금속 와이어가 소정 주기로 배열된 와이어 그리드 구조를 가진다. 금속 와이어의 배열 주기가 입사되는 전자기파의 파장과 근사하거나 크다면, 통상적인 회절 현상이 나타나나, 금속 와이어의 배열 주기가 입사되는 전자기파의 파장보다 매우 작다면, 편광이 일어나지 않는다. 즉, 금속 와이어의 배열 주기, 즉 격자 간격이 충분히 작다면, 금속 와이어에 평행하게 편파된 광(즉, S 편광)은 금속격자의 반사특성에 의해 반사되고, 금속 와이어에 수직하게 편파된 광(즉, P 편광)은 투과된다. 이때, 금속 와이어의 폭, 두께 및 배열 주기는 와이어 그리드 편광자의 편광 특성, 즉 투과 및 반사율에 관계된다.
일반적으로 와이어 그리드 편광자가 400nm ~ 700nm 대역의 가시광선에 사용되기 위해서는 통상적으로 λ/5 이하의 주기, 즉 100nm 이하의 선폭 구조를 요구한다. 그러나, 이와 같은 100nm 이하의 미세 패턴을 갖는 와이어 그리드는 종래의 반 도체 공정의 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성하는 것이 매우 어려우며, 특히 대면적의 패턴형성은 불가능하다. 따라서, 종래의 와이어 그리드 편광자는 우선 E-빔 리소그래피를 이용하여 마스터 패턴을 형성한 후, 마스터 패턴의 역상인 몰드(Mold)를 전기도금법을 이용하여 제조한다. 다음으로, 투명 기판 위에 금속층과 폴리머층을 순차로 적층하고 몰드를 이용하여 폴리머층에 패턴을 성형한다. 마지막으로 이 패턴 위에 경사증착을 통해 금속격자를 증착한다. 그런데, 이와 같은 종래의 와이어 그리드 편광자의 제조방법은 그 공정이 복잡하여 대량생산이 어렵고, 진공증착 장비와 같은 고가의 장비가 필요하므로 상업적 접근이 어려운 문제점이 있다. 나아가, 이와 같은 방법으로 제조되는 와이어 그리드 편광자는 그 크기가 수 인치에 불과하여, 수십 인치 이상의 대면적의 LCD 패널에 적용하기 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 간단하고 용이한 방법에 의해 미세 선폭의 와이어 그리드 편광자를 대면적으로 제조할 수 있는 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법은,
기판 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층(resin layer)을 형성하는 단계;
상기 스트라이프 패턴의 레진층 상에 PDMS(Polydimethylsiloxane) 재질의 커 버를 정치시켜, 상기 기판과 커버 및 레진층에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널을 형성하는 단계;
상기 미세채널을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들이 분산된 수용액 또는 유기용매액에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진하는 단계;
상기 미세채널 내에 충진된 금속 나노입자들을 겔화시켜 와이어 그리드를 형성하는 단계; 및
상기 PDMS 커버를 상기 레진층으로부터 탈리하는 단계;를 포함한다.
여기에서, 상기 스트라이프 패턴의 레진층을 형성하는 단계는,
기판 상에 레진층을 형성하는 단계; 및
복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴이 형성된 스탬프를 상기 레진층 상에 압착 및 탈착하여 상기 스트라이프 패턴을 상기 레진층에 전사시키는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법은,
탄성체 폴리머(elastomeric polymer) 기판 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층을 상기 스트라이프 패턴의 길이방향으로 10㎚ 내지 200㎚의 거리만큼 이격시켜 나란히 두 열로 형성하는 단계;
상기 두 열의 레진층 상에 그 내면에 실란 커플링 에이전트가 처리된 PDMS 커버를 정치시켜, 상기 기판과 커버 및 레진층에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널을 형성하는 단계;
상기 탄성체 폴리머 기판과 PDMS 커버를 상기 스트라이프 패턴의 길이방향으로 인장하여 상기 두 열의 레진층이 상대적으로 더 멀어지도록 이격시키는 단계;
상기 탄성체 폴리머 기판과 PDMS 커버의 인장상태를 유지하여 상기 미세채널을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들이 분산된 수용액 또는 유기용매액에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진하는 단계;
상기 탄성체 폴리머 기판과 PDMS 커버에 가해진 인장력을 제거하고 상기 두 열의 레진층을 상호 밀착시키는 단계;
상기 미세채널 내에 충진된 금속 나노입자들을 겔화시켜 와이어 그리드를 형성하는 단계; 및
상기 PDMS 커버 및 상기 PDMS 커버의 내면측에 부착된 와이어 그리드를 상기 탄성체 폴리머 기판으로부터 탈리하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따르면, 간단하고 용이한 방법에 의해 미세 선폭의 와이어 그리드 편광자를 대면적으로 제조할 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 개략적인 사시도이다.
먼저 도 1을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편 광자의 구조에 대해 설명하기로 한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편광자(100)는 투명 기판(10)과, 상기 투명 기판(10) 위에 스트라이프 패턴으로 형성된 다수의 와이어 그리드(14)를 포함한다. 이때, 와이어 그리드(14)의 높이(H), 폭(W) 및 격자 주기(P)는 광학적 설계에 따라 그 수치가 달라질 수 있다.
일반적으로 회절 격자는 광의 파장보다 큰 주기를 가지고, 이를 통과하는 광은 복수의 회절광으로 분해되나, 격자의 주기가 입사되는 광의 반 파장 이하가 되면, 입사되는 광(L)은 이러한 복수의 회절광으로 분해되는 대신에, S 편광의 반사광(Ls)과 0차 회절광에 해당되는 P 편광의 투과광(Lp)으로 분해된다는 것이 알려져 있다.
와이어 그리드 편광자(10)의 편광 특성은 편광 소멸비(polarization extinciton ratio)와 투과율(transmission ratio)로 나타낼 수 있다. 여기서 편광 소멸비는 투과하는 광의 광세기 중 와이어 그리드에 수직한 편광의 광세기와 와이어 그리드에 수평한 편광의 광세기의 비를 나타내고, 투과율은 입사되는 광의 광세기와 투과되는 광, 즉 와이어 그리드에 수직한 광의 광세기의 비를 나타낸다. 편광 소멸비와 투과율이 높은 값을 가지기 위해서는 와이어 그리드(14)의 배열 간격이 입사광의 파장에 비해 상당히 짧아야 한다. 본 발명에 다른 와이어 그리드 편광자(100)는, 후술하는 바와 같이 상기 와이어 그리드(14)의 폭(W)이 10nm ~ 100nm로 형성되고, 높이(H)는 50nm ~ 500nm로 형성되며, 격자 주기(P)가 50nm ~ 200nm로 형성될 수 있으므로, 400nm ~700nm 대역의 가시광선 및 UV 광파장 영역에 대하여 높 은 편광 소멸비와 투과율을 가질 수 있다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 기판(10) 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층(14, resin layer)을 형성한다. 구체적으로, 기판(10) 상에 PMMA(Polymethylmethacrylate)계 폴리머 또는 UV 경화성 수지 재질의 레진층(12)을 50㎚ 내지 500㎚의 두께로 도포한 후, 복수의 홈(20a)이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴이 형성된 스탬프(20)를 상기 도포된 레진층(12) 상에 압착 및 탈착하여 상기 스트라이프 패턴을 상기 레진층(12)에 전사시킴으로써, 스트라이프 패턴의 레진층(14)이 형성될 수 있다. 상기 기판(10)은 유리 또는 플라스틱과 같이 가시광 또는 UV 파장에 대하여 투명한 재질의 것이 바람직하다. 그리고, 상기 UV 경화성 수지는 가교결합 가능한 작용기를 가지는 펜타테트라트리톨(메타)아크릴레이트류, 디펜타테트라트리톨(메타)아크릴레이트류, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트류 또는 우레탄(메타)아크릴레이트류 등을 포함할 수 있다.
상기 스트라이프 패턴의 스탬프(20)는 레이저 간섭 리소그래피(Laser Interference Lithography), E-빔 리소그래피(E-beam Lithography) 또는 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography) 등의 공정에 의해 형성될 수 있으며, 상기 스탬프(20)의 형성공정은 이미 널리 알려져 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 2d 내지 도 2g를 참조하면, 상기 스트라이프 패턴의 레진층(14) 상에 PDMS(Polydimethylsiloxane) 재질의 커버(30)를 정치시킴으로써, 상기 기판(10)과 커버(30) 및 레진층(14)에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널(14a, micro-channel)을 형성한다. 바람직하게, 상기 미세채널(14a)의 폭은 10㎚ 내지 100㎚으로 형성되며, 그 높이는 50㎚ 내지 500㎚으로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 미세채널(14a)의 길이는 1㎛ 내지 1000㎛으로 형성될 수 있다.
그리고나서, 상기 미세채널(14a)을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들(40a)이 분산된 수용액 또는 유기용매액(40)에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널(14a) 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널(14a) 내에 금속 나노입자들(40a)을 충진한다. 상기 유기용매로서는 헥산(hexane) 또는 헵탄(heptane)과 같은 지방족 탄화수소 용매(aliphatic hydrocarbon solvent); 아니솔(anisol), 메시틸렌(mesitylene) 또는 자일렌(xylene)과 같은 방향족계 탄화수소 용매(aromatic hydrocarbon solvent); 메틸 이소부틸 케톤(methyl isobutyl ketone), 1-메틸-2-피롤리디논(1-1methyl-2-pyrrolidinone) 또는 아세톤(acetone)과 같은 케톤계 용매(ketone-based solvent); 시클로헥산온(cyclohexanone), 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran) 또는 이소프로필 에테르(isopropyl ether)와 같은 에테르계 용매(ether-based solvent); 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 부틸 아세테이트(butyl acetate) 또는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate)와 같은 아세테이트계 용매(acetate-based solvent); 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol) 또는 부틸 알코올(butyl alcohol)과 같은 알코올계 용매(alcohol-based solvent); 디메틸아세트아미드(dimethylacetamide) 또는 디메틸포름아미드(dimethylformamide)와 같은 아미드계 용매; 실리콘계 용매(silicon-based solvent); 또는 상기 용매들의 혼합물을 사용할 수 있다.
바람직하게, 상기 미세채널(14a)의 길이방향으로 상기 수용액 또는 유기용매액의 유체흐름을 5㎜/sec 내지 100㎜/sec으로 형성하면서 상기 미세채널(14a) 내에 금속 나노입자들(40a)을 충진할 수 있다. 상기 금속 나노입자들(40a)은 Al, Au, Cu, Ag, Fe, Ni, Cr, Co, Pd, Pt, Zn 및 Ti으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나 내지 이들의 합금으로 형성된 것이며, 5㎚ 내지 50㎚의 직경을 가진다. 그 다음에, 상기 미세채널(14a) 내에 충진된 금속 나노입자들(40a)을 겔화시켜 와이어 그리드(50)를 형성한다. 이 때, 콜로이드 졸겔법 또는 알콕사이드 졸겔법을 이용할 수 있으며, 이들 공정들은 이미 널리 알려져 있으므로 이들에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
바람직하게, 상기 와이어 그리드(50)의 폭(W)은 10㎚ 내지 100㎚으로 형성되며, 높이(H)는 50㎚ 내지 500㎚으로 형성되며, 상기 와이어 그리드(50)의 주기는 50㎚ 내지 200㎚으로 형성되도록 제어될 수 있다. 상기 와이어 그리드(50)의 길이는 특별히 제한되지 않는다.
도 2h를 참조하면, 겔화공정이 종료된 이후에 상기 PDMS 커버(30)를 상기 레진층(14)으로부터 탈리시킨다. 이와 같은 공정으로 형성된 와이어 그리드 편광자는 여전히 상기 기판(10) 상에 형성된 스트라이프 패턴의 레진층(14)을 포함하고 있는 매립형(imbedded type) 와이어 그리드(50) 구조를 가지게 되며, 이 때 상기 레진층(14)은 와이어 그리드(50)를 지지하는 지지체 내지 보호체 역할을 수행할 수 있 다.
본 발명의 다른 실시예로, 상기 PDMS 커버(30)의 내면에 실란 커플링 에이전트(silane coupling agent)가 더 처리될 수 있다. 이와 같은 표면처리로, 상기 PDMS 커버(30)와 와이어 그리드(50)와의 접착력이 더 강화될 수 있으며, 그 결과 상기 PDMS 커버(30)의 탈리시에 상기 와이어 그리드(50)가 PDMS 커버(30)의 내면측에 부착되어 함께 탈리될 수 있다(미도시).
상술한 와이어 그리드 편광자의 제조방법은 그 공정이 간단하고 대량생산이 용이하며, 고가의 장비가 필요하지 않으므로 상업적 접근이 용이하다는 장점이 있다. 또한, 상술한 제조방법에 의하여 제조되는 와이어 그리드 편광자는 대면적으로 제조될 수 있으므로, 수십 인치 인상의 대면적의 LCD 패널에 적용되기 용이하다. 이와 같이 대면적의 LCD 패널에 본 발명에 의해 제조되는 와이어 그리드 편광자를 채용하는 경우, 복굴절 물질 등을 이용하는 흡수형 편광자를 채용하는 경우에 비해 우수한 특성이 있다. 가령, 흡수형 편광자는, 광의 50%는 투과하고 나머지 50%는 흡수하므로 광의 손실이 발생되며, 고휘도의 광원에 노출되는 경우 유전체 물질의 열적 변형 등으로 불안정하다. 그러나 와이어 그리드 편광자는 S 편광은 반사되고 P 편광은 투과되므로, 반사된 S 편광을 재활용하면, 100%에 가까운 이용효율을 보일 수 있다. 나아가, 투명 기판 위에 금속 재질의 와이어 그리드가 형성된 구조이므로, 고휘도의 광원에 노출되더라도 열적으로 안정하다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 보여주는 공정도이다. 상기 제2 실시예는 전술한 제1 실시예와 대부분 중복되는 공정을 포함하고 있으며, 다만 상기 레진층(14) 상에 정치되는 PDMS 커버의 형상에 있어서, 제1 실시예와 다른 구조적 특징을 가지고 있다. 따라서, 이들 중복되는 공정에 대한 상세한 설명은 생략하기로 하고 차이점에 대해서만 간략히 설명하기로 한다.
구체적으로, 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 상기 스트라이프 패턴의 레진층(14) 상에 정치되는 상기 PDMS 커버(32)는 금속 나노입자들(40a)의 유입을 용이하게 하기 위한 적어도 하나의 관통공(32a)을 더 포함하고 있으며, 상기 관통공(32a)은 0.1㎛ 내지 20㎛의 크기로 형성된다. 상기 제1 실시예와 마찬가지로, 상기 미세채널(14a)을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들(40a)이 분산된 수용액 또는 유기용매액(40)에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널(14a) 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널(14a) 내에 금속 나노입자들(40a)을 충진한다. 이 때, 상기 관통공(32a)은 상기 기판(10)과 커버(32) 및 레진층(14)에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널(14a) 내부로 금속 나노입자들(40a)이 유입될 수 있는 추가의 유입경로를 제공하게 되므로, 상기 미세채널(14a) 내에 금속 나노입자들(40a)의 충진이 보다 원활해질 수 있다. 겔화공정이 종료된 이후에 상기 PDMS 커버(32)를 상기 레진층(14)으로부터 탈리시키면, 스트라이프 패턴의 레진층(14)을 포함하고 있는 매립형(imbedded type) 와이어 그리드(52) 구조를 가지게 되며, 이 때 상기 레진층(14)은 와이어 그리드(52)를 지지하는 지지체 내지 보호체 역할을 수행할 수 있다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제3 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.
도 4a를 참조하면, 탄성체 폴리머(elastomeric polymer) 기판(11) 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층(16)을 상기 스트라이프 패턴의 길이방향으로 10㎚ 내지 200㎚의 거리만큼 이격시켜 나란히 두 열로 형성한다. 구체적으로, 탄성체 폴리머 기판(11) 상에 PDMS계 폴리머 재질의 레진층(16)을 50㎚ 내지 500㎚의 두께로 도포한 후, 복수의 홈(22a)이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴이 형성된 스탬프(22)를 상기 도포된 레진층(16) 상에 압착 및 탈착하여 상기 스트라이프 패턴을 상기 레진층(16)에 전사시킴으로써, 스트라이프 패턴의 레진층(16)이 형성될 수 있다. 여기에서, 상기 탄성체 폴리머란 탄성체의 성질을 가지는 기능성 고분자 재료를 모두 포함하며, 특별히 그 재질이 제한되지는 않으나, 바람직하게 상기 탄성체 폴리머 기판은 PDMS(Polydimethylsiloxane) 재질로 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 그 내면에 실란 커플링 에이전트(35)가 표면처리된 PDMS 커버(34)를 상기 두 열의 레진층 상에 정치시켜, 상기 기판(11)과 커버(34) 및 레진층(16)에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널(16a)을 형성한다. 그 다음에, 상기 탄성체 폴리머 기판(11)과 PDMS 커버(34)를 상기 스트라이프 패턴의 길이방향으로 인장하여 상기 두 열의 레진층이 상대적으로 더 멀어지도록 이격시킨다(이격거리 T로 표시). 물론 순서를 바꾸어, 상기 탄성체 폴리머 기판(11)과 PDMS 커버(34) 각각을 먼저 같은 비율로 인장한 후에, 이 둘을 결합하여 상기 미세채널(16a)을 형성할 수도 있다.
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 상기 탄성체 폴리머 기판(11)과 PDMS 커버(34)의 인장상태를 유지하여 상기 미세채널(16a)을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들(40a)이 분산된 수용액 또는 유기용매액(40)에 침지한 후, 상기 미세채널(16a) 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널(16a) 내에 금속 나노입자들(40a)을 충진한다. 바람직하게, 상기 미세채널(16a)의 길이방향으로 상기 수용액 또는 유기용매액(40)의 유체흐름을 5㎜/sec 내지 100㎜/sec으로 형성하면서 상기 미세채널(16a) 내에 금속 나노입자들(40a)을 충진할 수 있다. 상기 금속 나노입자들(40a)은 Al, Au, Cu, Ag, Fe, Ni, Cr, Co, Pd, Pt, Zn 및 Ti으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나 내지 이들의 합금으로 형성된 것이며, 5㎚ 내지 50㎚의 직경을 가진다.
도 4e를 참조하면, 상기 탄성체 폴리머 기판(11)과 PDMS 커버(34)에 가해진 인장력을 제거하고 상기 두 열의 레진층(16)을 상호 밀착시킨다. 그리고나서, 상기 미세채널(16a) 내에 충진된 금속 나노입자들(40a)을 겔화시켜 와이어 그리드(54)를 형성할 수 있다. 이 때, 콜로이드 졸겔법 또는 알콕사이드 졸겔법을 이용할 수 있으며, 이들 공정들은 이미 널리 알려져 있으므로 이들에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 바람직하게, 상기 와이어 그리드(54)의 폭(W)은 10㎚ 내지 100㎚으로 형성되며, 높이(H)는 50㎚ 내지 500㎚으로 형성되며, 상기 와이어 그리드(54)의 주기는 50㎚ 내지 200㎚으로 형성되도록 제어될 수 있다. 상기 와이어 그리드(54)의 길이는 특별히 제한되지 않는다.
도 4f를 참조하면, 상기 PDMS 커버(34) 및 상기 PDMS 커버(34)의 내면측에 부착된 와이어 그리드(54)를 상기 탄성체 폴리머 기판(11)으로부터 탈리하여, 와이어 그리드 편광자를 얻을 수 있다. 상기 PDMS 커버(34)의 내면에 형성된 실란 커플링 에이전트(35)는 일종의 점착제 역할을 하기 때문에, 상기 PDMS 커버(34)와 와이어 그리드(54)와의 접착력이 더 강화될 수 있으며, 그 결과 상기 PDMS 커버(34)의 탈리시에 상기 와이어 그리드(54)가 PDMS 커버(34)의 내면측에 부착되어 함께 탈리될 수 있다.
본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법에 따르면, 기판과 PDMS 커버 및 레진층에 의해 둘러싸이는 미세채널을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들이 분산된 수용액 또는 유기용매액에 침지(dipping)함으로써, 상기 미세채널 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진/겔화하여 미세 선폭의 와이어 그리드를 쉽게 성형할 수 있다. 따라서, 그 제조공정이 간단하고 대량생산이 용이하며, 고가의 장비가 필요하지 않으므로 상업적 접근이 용이할 뿐만 아니라, 대면적으로 제조될 수 있다는 장점이 있다.
이상에서, 이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 상기 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점이 이해되어야 할 것이다. 따라서, 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 공정순서에만 국한되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 발명의 기술사상을 중심으로 보호되어야 할 것이다.

Claims (22)

  1. 기판 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층(resin layer)을 형성하는 단계;
    상기 스트라이프 패턴의 레진층 상에 PDMS(Polydimethylsiloxane) 재질의 커버를 정치시켜, 상기 기판과 커버 및 레진층에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널을 형성하는 단계;
    상기 미세채널을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들이 분산된 수용액 또는 유기용매액에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진하는 단계;
    상기 미세채널 내에 충진된 금속 나노입자들을 겔화시켜 와이어 그리드를 형성하는 단계; 및
    상기 PDMS 커버를 상기 레진층으로부터 탈리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스트라이프 패턴의 레진층을 형성하는 단계는,
    기판 상에 레진층을 형성하는 단계; 및
    복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴이 형성된 스탬프를 상기 레진층 상에 압착 및 탈착하여 상기 스트라이프 패턴을 상기 레진층에 전사시키는 단 계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 레진층은 PMMA(Polymethylmethacrylate)계 폴리머 또는 UV 경화성 수지 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 레진층의 두께는 50㎚ 내지 500㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세채널의 길이방향으로 상기 수용액 또는 유기용매액의 유체흐름을 형성하면서 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 수용액 또는 유기용매액의 유체흐름비(flow rate)는 5㎜/sec 내지 100㎜/sec 으로 유지되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    콜로이드 졸겔법 또는 알콕사이드 졸겔법을 이용하여 상기 금속 나노입자들을 겔화시키는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 PDMS 커버는 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들의 유입을 용이하게 하기 위한 적어도 하나의 관통공을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 관통공의 직경은 0.1㎛ 내지 20㎛의 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 PDMS 커버의 내면에 실란 커플링 에이전트(silane coupling agent)가 처리된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 PDMS 커버와 와이어 그리드와의 접착력을 강화시킴으로써, 상기 PDMS 커버의 탈리시에 상기 와이어 그리드가 PDMS 커버의 내면측에 부착되어 함께 탈리되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세채널의 폭은 10㎚ 내지 100㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세채널의 높이는 50㎚ 내지 500㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세채널의 길이는 1㎛ 내지 1000㎛으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자들은 Al, Au, Cu, Ag, Fe, Ni, Cr, Co, Pd, Pt, Zn 및 Ti으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나 내지 이들의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  16. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 금속 나노입자의 직경은 5㎚ 내지 50㎚으로 형성된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  17. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 와이어 그리드의 폭은 10㎚ 내지 100㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  18. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 와이어 그리드의 높이는 50㎚ 내지 500㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  19. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 와이어 그리드의 주기는 50㎚ 내지 200㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  20. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판은 가시광 또는 UV 파장에 대하여 투명한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  21. 탄성체 폴리머(elastomeric polymer) 기판 상에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 레진층을 상기 스트라이프 패턴의 길이방향으로 10㎚ 내지 200㎚의 거리만큼 이격시켜 나란히 두 열로 형성하는 단계;
    상기 두 열의 레진층 상에 그 내면에 실란 커플링 에이전트가 처리된 PDMS 커버를 정치시켜, 상기 기판과 커버 및 레진층에 의해 둘러싸이는 다수의 미세채널을 형성하는 단계;
    상기 탄성체 폴리머 기판과 PDMS 커버를 상기 스트라이프 패턴의 길이방향으로 인장하여 상기 두 열의 레진층이 상대적으로 더 멀어지도록 이격시키는 단계;
    상기 탄성체 폴리머 기판과 PDMS 커버의 인장상태를 유지하여 상기 미세채널을 포함하는 적층구조물을 금속 나노입자들이 분산된 수용액 또는 유기용매액에 침지(dipping)한 후, 상기 미세채널 내에 유도되는 모세관 현상을 이용하여 상기 미세채널 내에 금속 나노입자들을 충진하는 단계;
    상기 탄성체 폴리머 기판과 PDMS 커버에 가해진 인장력을 제거하고 상기 두 열의 레진층을 상호 밀착시키는 단계;
    상기 미세채널 내에 충진된 금속 나노입자들을 겔화시켜 와이어 그리드를 형성하는 단계; 및
    상기 PDMS 커버 및 상기 PDMS 커버의 내면측에 부착된 와이어 그리드를 상기 탄성체 폴리머 기판으로부터 탈리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 탄성체 폴리머 기판은 PDMS 재질인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자의 제조방법.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013095062A1 (ko) * 2011-12-22 2013-06-27 주식회사 엘지화학 편광 분리 소자의 제조방법
WO2014035173A1 (ko) * 2012-08-29 2014-03-06 주식회사 엘지화학 편광 분리 소자의 제조 방법 및 편광 분리 소자
KR101377296B1 (ko) * 2011-12-22 2014-03-26 주식회사 엘지화학 편광 분리 소자의 제조방법
US8861080B2 (en) 2011-05-13 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Wire grid polarizers, methods of fabricating a wire grid polarizer, and display panels including a wire grid polarizer
WO2016058314A1 (zh) * 2014-10-17 2016-04-21 京东方科技集团股份有限公司 线栅偏振片及其制作方法、显示装置
US9746708B2 (en) 2014-02-20 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the same
US9952367B2 (en) 2014-12-30 2018-04-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device
US10042099B2 (en) 2014-12-30 2018-08-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device
WO2020133533A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 深圳大学 X射线吸收光栅制作方法及其x射线吸收光栅

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170018186A (ko) 2015-08-06 2017-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시패널의 제조방법 및 표시패널을 포함하는 표시장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60184206A (ja) 1984-03-02 1985-09-19 Tokyo Optical Co Ltd 偏光パタ−ン形成方法
JP3067026B2 (ja) 1989-12-18 2000-07-17 京セラ株式会社 偏光子一体型ファラデー回転子
EP1003078A3 (en) 1998-11-17 2001-11-07 Corning Incorporated Replicating a nanoscale pattern

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8861080B2 (en) 2011-05-13 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Wire grid polarizers, methods of fabricating a wire grid polarizer, and display panels including a wire grid polarizer
KR101377296B1 (ko) * 2011-12-22 2014-03-26 주식회사 엘지화학 편광 분리 소자의 제조방법
CN104011570A (zh) * 2011-12-22 2014-08-27 Lg化学株式会社 制备偏振分离器的方法
JP2015502581A (ja) * 2011-12-22 2015-01-22 エルジー・ケム・リミテッド 偏光分離素子の製造方法
WO2013095062A1 (ko) * 2011-12-22 2013-06-27 주식회사 엘지화학 편광 분리 소자의 제조방법
WO2014035173A1 (ko) * 2012-08-29 2014-03-06 주식회사 엘지화학 편광 분리 소자의 제조 방법 및 편광 분리 소자
US9551819B2 (en) 2012-08-29 2017-01-24 Lg Chem, Ltd. Method for manufacturing polarized light splitting element and polarized light splitting element
US9746708B2 (en) 2014-02-20 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the same
WO2016058314A1 (zh) * 2014-10-17 2016-04-21 京东方科技集团股份有限公司 线栅偏振片及其制作方法、显示装置
US9897735B2 (en) 2014-10-17 2018-02-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device
US9952367B2 (en) 2014-12-30 2018-04-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device
US10042099B2 (en) 2014-12-30 2018-08-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device
WO2020133533A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 深圳大学 X射线吸收光栅制作方法及其x射线吸收光栅

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