KR100696193B1 - 고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법 - Google Patents

고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100696193B1
KR100696193B1 KR1020050118983A KR20050118983A KR100696193B1 KR 100696193 B1 KR100696193 B1 KR 100696193B1 KR 1020050118983 A KR1020050118983 A KR 1020050118983A KR 20050118983 A KR20050118983 A KR 20050118983A KR 100696193 B1 KR100696193 B1 KR 100696193B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer
photonic crystal
refractive index
crystal device
dimensional photonic
Prior art date
Application number
KR1020050118983A
Other languages
English (en)
Inventor
최춘기
한영탁
김진태
이우진
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020050118983A priority Critical patent/KR100696193B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100696193B1 publication Critical patent/KR100696193B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065—After-treatment
    • B05D3/067—Curing or cross-linking the coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
    • G02B1/005—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials made of photonic crystals or photonic band gap materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/0229—Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by nanostructures, i.e. structures of size less than 100 nm, e.g. quantum dots

Abstract

본 발명은 고분자를 기반으로 하는 2차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자는 고분자 소재로 이루어지며 광자결정 도파로를 구비하는 코어, 및 코어 내에 형성되며 선결함을 구비한 광자띠간격 격자 구조를 포함한다. 본 발명에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법은 기판 상에 고분자 소재의 코어층을 형성한 후, 광자결정 집적회로를 구성하는데 필요한, 도파로, 슈퍼프리즘, 컨버터, 필터, 스위치, 분배기, 결합기, 캐비티, 레이저, 발광소자 등의 능동 및 수동 광자결정 소자를 나노 성형 기술인 열 및 자외선 임프린트 리소그래피 기술을 사용하여 광자결정의 주기성을 깨뜨리는 인위적인 결함을 구비한 2차원 구조를 형성한다. 본 발명에 따르면, 광자결정 시스템 및 집적회로를 제작함에 있어 대량생산 및 저가격화에 기여할 수 있다.
광자결정, 광자띠간격, 광자결정 소자, 광자결정 시스템 및 집적회로, 고분자, 열 및 자외선 임프린트, 리소그래피, 엠보싱, 복제, 대량생산, 저가격화

Description

고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법{POLYMER TWO DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL DEVICES AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 패턴 구조를 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 임프린트를 이용한 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법에 대한 공정을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 임프린트 성형시 나노 패턴을 용이하게 복제하기 위해 고려되어야 할 홀 크기와 홀 간의 간격 비를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 구조를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 구조를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 구조를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 구조를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 포토닉 밴드 구조를 보여주는 도면이다.
도 9는 종래 기술의 일 예에 따른 광자결정 슬랩 도파로 구조를 도시한 도면이다.
도 10은 종래 기술의 다른 예에 따른 광자결정 슬랩 도파로 구조를 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 10a : 기판
12 : 실리콘 산화막
12a, 26 : 고분자 소재
14, 16 : 하부 클래드층
20 : 고굴절률 고분자 소재
22 : 공기홀
24, 28 : 상부 클래드층
본 발명은 초소형 고집적 대용량 광전송을 가능케 하는 소자 기술에 관한 것으로, 특히 나노 성형 기술인 열 및 자외선 임프린트 기술을 사용하여 대량생산을 통한 저가격화가 가능한 고분자 2차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법에 관한 것이 다.
광자결정(Photonic crystal)은 광파장에 해당하는 주기를 가지고 굴절률이 공간적으로 변하는 인공적인 구조물을 말한다. 대표적 특징으로는 광자띠간격, 강한 비선형성 및 분산특성이 있다. 광자띠간격(Photonic Bandgap; PBG)은 주기적인 굴절률의 변화에 의해 광이 다중반사를 일으킴에 따라 광자결정 내부로 광이 전파되지 않고, 모두 반사되어 버리는 주파수 영역을 말한다. 광자띠간격과 관련된 광자결정의 또 다른 특성은 결함모드이다. 광자결정 내부에 주기적인 특성이 깨어진 국소적 결함을 만들어 주면 그로 인하여 국소적 결함 주위에 강하게 국소화되는 광모드가 생기는데 이러한 광모드를 결함모드라 한다. 이 결함모드를 이용하면, 큰 공진율을 갖는 아주 작은 크기의 공진기, 고효율 도파로, 고효율 필터 등을 아주 작게 제작할 수 있다. 또한 광자띠간격 주위에서는 분산이 강하게 왜곡되어 기존의 균일한 매질에서는 일어나지 않는 특이한 현상이 발견되는데, 초프리즘 현상 및 광진행의 느림 등이다.
광자결정 소자란 광자띠간격, 광의 국소화, 비선형성 및 강한 분산특성을 보이는 광자결정을 이용한 나노 광소자이다. 광자띠간격을 이용하면 광결정 다이오드와 전방향 거울 등을, 광의 국소화를 이용하면 광결정 레이저, 도파로, 필터, 광자결정 섬유 등을, 슈퍼프리즘(super-prism) 현상을 이용하면 WDM(Wavelength Division Multiplex) 분산기 등을, 비선형성을 이용한 초소형 편광기 등을 제작할 수 있다. 이러한 광자결정 소자의 특성은 광자결정의 주기가 다루는 파장보다 짧으며, 7 ~ 8 주기로써 광자결정의 효과를 충분히 얻을 수 있으므로 기존의 광소자에 비해 그 효율이 매우 높고, 크기가 수 내지 수십 마이크론 크기로 매우 작아, 개별 광자결정 소자들의 유기적인 결합 및 집적화가 용이하여, 새로운 광자 결정 집적회로를 구성하는데 매우 유리하다.
광자결정 소자의 종류는 크게 광원에 해당하는 레이저와 발광소자(LED)와 같은 능동 소자, 발생된 광을 원하는 방향으로 전파시키는 도파로(waveguide), 원하는 파장의 광만 선택적으로 통과시키는 필터(filter), 광의 진행방향을 여러 갈래로 분할하는 분할기(splitter), 여러 광을 혼합하는 혼합기(combiner)와 같은 수동 소자로 나누어진다.
현재 광자결정 소자의 제작에는 반도체 소자 제작에 사용되는 Deep UV 리소그래피나 e-beam 리소그래피 등의 나노 리소그래피 기술과 전기 화학적 방법인 양극산화법(anodization) 그리고 자기조립(self-assembly) 물질을 이용한 화학적 방법 등이 사용되고 있으며, 이러한 방법은 공정이 복잡하고, 집적화 및 대면적으로 제작하는데 한계가 있어 대량생산이 어려운 실정이다.
도 9는 종래 기술의 일 예에 따른 광자결정 슬랩 도파로를 도시한 도면이다.
도 9에 도시한 종래 기술은 미국특허 6,468,823호에 기재된 "Fabrication of optical devices based on two dimensional photonic crystal structures and apparatus made thereby"이다. 상기 종래 기술에 개시된 광자결정 슬랩 도파로는 실리콘기판(1) 상에 하부 클래딩층(cladding layer) 역할을 하는 실리콘 산화막(2)이 결합된 SOI(Silicon On Insulator) 기판 상부에 다수의 홀(4)이 패터닝된 코어층(3)이 형성된다. 그리고 SOI 기판과 코어층(3) 사이에는 공기층(5)이 형성된다.
여기서, 홀(4)은 2차원 광자결정 슬랩을 형성하기 위한 것으로, 전자빔 리소그래피법을 이용하여 코어층 위에 마스크층을 형성하고, 이 마스크층에 다수의 홀을 이온빔 식각(ion beam etching)을 통해 형성한 후, 홀 형태로 패터닝된 마스크층을 식각 마스크로 코어층을 식각하여 형성한 것이다. 그리고, 공기층(5)은 코어층(3)의 홀(4)을 통해 습식 식각 용액을 흘려주어 코어층(3) 아래의 실리콘 산화막(2)을 식각하여 형성한 것이다.
상기 종래 기술은 2차원 광자결정 슬랩 도파로를 구현하기 위해 SOI 기판을 사용하며, 실리콘 산화막의 습식식각으로 클래딩층을 공기층으로 구성하기 때문에 도파광의 수직방향으로의 높은 집속도를 기대할 수 있다.
도 10은 종래 기술의 다른 예에 따른 광자결정 슬랩 도파로 구조를 도시한 도면이다. 도 10에 도시한 종래 기술은 미국특허 6,560,006호에 기재된 "Two-dimensional photonic crystal slab waveguide"이다. 상기 종래 기술에 개시된 2차원 광자결정 슬랩(6)은 2차원 주기 격자(7)와 2차원 주기 격자(7)의 위아래에 형성된 상부 클래딩층(8)과 하부 클래딩층(9)으로 구성된다. 여기서, 상부 클래딩층(8)과 하부 클래딩층(9)은 각각 메탈릭(metalic) 클래딩층(8a, 9a)과, 광자결정 슬랩(6)과 메탈릭 클래딩층(8a, 9a) 사이의 절연성 클래딩층(8b, 8b)을 포함한다.
상기 종래 기술에서, 메탈릭 클래딩층(8a, 9a)은 실질적으로 2차원 광자결정 슬랩으로 광파의 완전한 도파가 가능하도록 할 뿐만 아니라 급격한 밴드(bend)에 대해서도 도파 가능하게 한다. 이러한 2차원 광자결정 슬랩의 제작은 반도체 식각 공정과 같은 방법을 이용한다. 전술한 종래 기술의 2차원 광결정 슬랩 구조는 SOI, GaAs, InP 등과 같은 고유전율 물질을 전자빔 리소그래피나 Deep UV 리소그래피 공정 기술을 이용하여 형성하는 것이 일반적이다.
현재까지 광자결정 도파로에 대한 연구는 대부분 실리콘, GaAs, InP, SOI 등 고유전율 물질을 이용한 도파로에 대하여 진행되었다. 이는 고굴절률의 차이를 이용한 광결정(high index contrast photonic crystal)이 넓은 광자띠간격을 가지고, 전반사 조건도 쉽게 만족시키기 때문이다. 뿐만 아니라, 전자빔 리소그래피 및 건식 식각 (dry etching)등 기존의 반도체 공정을 그대로 이용하여 제작 가능하기 때문이다.
그러나, 종래 기술들은 광자결정 도파로를 제조하기 위하여 전자빔 리소그래피 또는 Deep UV 리소그래피 및 건식 식각을 해야 하므로 공정의 단계가 복잡하고 많아지며, 제작하는데 시간이 오래 걸리는 비효율적인 문제가 있다.
본 발명의 목적은 광자결정 집적회로 구현에 매우 유용한 고분자 소재 기반의 2차원 광자결정 소자를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기존의 반도체 기술에서 사용되는 패턴 제작 기술에서 도달하기 어려운 공정을 단순화할 수 있는 열 및 자외선 임프린트 리소그래피 기술을 이용하여 대량생산을 통해 저가격화가 가능한 고분자 소재 기반의 2차원 광자결정 소자의 제작 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 의하면, 고분자 소재로 이루어지며 광자결정 도파로를 구비하는 코어, 상기 코어의 상부 및 하부에 위치하는 상부 클래드층 및 하부 클래드층 및 상기 코어 내에 형성되며 선결함을 구비한 소정 패턴의 다수의 공기홀을 포함하는 광자띠간격 격자 구조를 포함하되, 상기 상부 클래드층 및 하부 클래드층은 상부 및 하부 공기층, 상부 공기층과 상기 고분자 소재의 굴절률보다 낮은 저굴절률의 하부 고분자막, 및 상기 저굴절율의 상부 고분자막과 상기 저굴절율의 하부 고분자막 중 어느 한 쌍의 클래드층으로 이루어지는 고분자 2차원 광자결정 소자가 제공된다.
바람직하게, 상기 고분자는 굴절률(n)이 1.59 이상인 열가소성 고분자(thermoplastic polymer), 열경화성 고분자(thermosetting polymer) 및 UV 경화 고분자(UV curable polymer) 중 적어도 하나의 고분자를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판 상에 고분자 소재의 코어층을 형성하는 단계, 상기 코어층을 스탬프 또는 몰드로 패터닝하여 선결함을 갖고 다수의 공기홀을 형성하는 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계 및 상기 기판의 실리콘 산화막을 식각하여 공기층을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법이 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 본 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 충분히 이해하도록 하기 위한 것이다. 그리고 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 아울러, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었다. 또한, 이하의 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 패턴 구조를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 고분자 2차원 광자결정 소자는 다수의 공기홀(22)에 의해 격자배열을 형성하는 공기다리(air-bridge) 구조 또는 광자띠간격 격자 구조를 가지며, 고분자 소재를 기반으로 한 광자결정 슬랩(slab) 구조로 형성되는 것을 특징으로 한다.
광자띠간격 격자 구조는 선결함을 갖고 삼각형 격자 배열로 나열되는 다수의 공기홀(22)에 의해 이루어지며, 다수의 공기홀(22)은 열 및 자외선을 이용한 나노 임프린트(Nanoimprint) 기술로 형성된다. 구체적으로, 격자상수(lattice constant) 즉 공기홀(22)의 주기(period)를 a, 공기홀의 반경(radius of air hole)을 r, 그리고 도파로의 폭(waveguide width)을 W라 할 때, 선결함의 폭 d는 다음과 같다.
[수학식1]
d=0.8W ~ 1.0W=a * sqrt(3)
광자결정은 굴절률(n)이 1.59 이상인 열가소성 고분자(thermoplastic polymer), 열경화성 고분자(thermosetting polymer) 및 UV 경화 고분자(UV curable polymer) 중 적어도 하나를 기반으로 하여 제작된다.
상기 구성을 갖는 고분자 2차원 광자결정 도파로는 수평방향으로는 2차원 광자띠간격(Photonic Bandgap; PBG) 구조에 의해서, 수직방향으로는 전반사조건에 의해서 광파가 코어 내부로만 집속되어 진행한다.
이와 같이, 본 발명은 저굴절률의 차이를 이용한 굴절률 분포를 갖는 광자결 정(low index contrast photonic crystal)으로써, 낮은 굴절률 차이를 가져도 코어 내에 광자띠간격이 형성되도록 설계하였으며, 그러한 구조에 의해 고분자 소재만을 기반으로 하여 코어가 이루어지는 슬랩 구조의 고분자 2차원 광자결정 소자를 구현할 수 있다. 특히, 나노 임프린트(리소그래피) 기술을 이용하여 제작되는 고분자 광자결정 슬랩 도파로를 구현할 수 있다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 임프린트를 이용한 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법에 대한 공정을 보여주는 도면이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 먼저 실리콘 웨이퍼(10) 위에 실리콘 산화막(Silicon oxide), 예컨대 SiO2(12)를 화학증기증착법(chemical vapor deposition)으로 약 5~15㎜ 증착하고, 다시 SiO2(12) 위에 광자결정 슬랩 도파로의 코어(core)층이 될 고굴절률 고분자를 스핀코팅(spin-coating)하여 고분자 막(20)을 형성한다. 이때 사용되는 고굴절률 고분자는 광자결정의 코어로 사용되므로 현재 나노 임프린트 리소그래피에서 일반적으로 사용되는 열가소성 고분자인 굴절률(n)이 1.49인 PMMA(Polymethymethacrylate)보다 굴절률이 높은, 열 및 자외선 나노 임프린트 리소그래피를 적용할 수 있는 열가소성 고분자(thermoplastic polymer), 열경화성 고분자(thermosetting polymer) 또는 UV 경화 고분자(UV curable polymer)를 사용한다. 본 실시예에서는 굴절률이 1.59 이상인 열가소성 고분자 또는 열경화성 고분자가 적용된다. 또한 스핀코팅 되는 고분자 막(20)의 두께는 스탬프/몰드에 형성된 광자결정 구조의 높이에 연관되며, 실제 최후 제작되는 코어층의 두께를 고려하여 형성하여야 한다. 도 2f와 같이 제작되는 고분자 2차원 광자결정 소자의 경우, 코어층의 두께(t1)는 공기홀의 주기 또는 공기홀 중심 간의 간격을 a라 할 때, 0.8a ~ 1.2a이며, 스핀코팅 되는 고분자 막(20)의 두께는 최후 제작되는 코어층의 두께(t1)보다 두꺼워야 한다. 나노 임프린팅용 스탬프/몰드는 실리카, 고분자, 금속, 유리(glass) 등의 재료를 이용하여 제작된다.
다음, 도 2b에 도시한 바와 같이, 열 또는 자외선 나노 임프린트 리소그래피를 고분자 막(20)에 적용하기 위해 고분자 막(20) 위에 접촉되게 또는 접촉되지 않게 위치시킨다.
다음, 도 2c에 도시한 바와 같이, 열 나노 임프린트 리소그래피의 스탬프(30)를 이용하여 고굴절률 고분자의 유리전이온도(glass transition temperature)보다 약 60 ~ 100℃보다 높은 온도에서 10 ~ 60 bar로 고분자 막(20)을 가압한다. 한편, 자외선 나노 임프린트 리소그래피를 이용하는 경우, 자외선의 조사에 의해 고분자가 경화되므로, UV 경화 고분자의 경화 특성을 고려하여 나노 임프린트를 실시하여야 한다. 구체적으로, 자외선 조사는 일반적으로 사용되는 고분자 소재에 따라 파장 280 ~ 320㎚ 또는 330 ~ 390㎚의 UV-광원(light source)이 사용되며, 3 ~ 100㎽/㎠의 파워로 스핀코팅된 고분자 막(20)의 두께에 따라 시간을 달리하여 2분에서 60분 동안 조사되며, 이때 압력은 1 bar이하로 적용된다.
다음, 도 2d에 도시한 바와 같이, 열 또는 UV 빛 조사에 의해 고분자 막(20)이 경화되고, 고분자 나도 패턴이 형성된 후 스탬프/몰드를 고분자 막(20)으로부터 이형한다.
다음, 도 2e에 도시한 바와 같이, 스탬프/몰드를 고분자 막(20)으로부터 이형함으로써, 광자결정 구조를 갖는 나노 패턴/공기홀(22)이 고분자 막(20)에 형성된다. 한편, 나노 광자결정 패턴이 형성된 구조 내부에는 SiO2(12)와의 경계면에 고분자 막(20)의 잔류층이 남을 수 있다. 이 경우, 나노 광자결정 패턴이 형성된 구조 내부의 고분자 막(20)의 잔류층을 제거하기 위해 O2 플라즈마 에싱(plasma ashing) 공정을 수행할 수 있다. 다른 한편으로, 고분자 소재의 점도를 낮추어 SiO2(12)와의 경계면에 고분자 막(20)의 잔류층이 거의 남지 않도록 할 수도 있다. 본 단계에 의해 2차원 광자결정 소자의 광자결정 구조가 고분자 소재의 코어층으로 준비된다.
다음, 도 2f에 도시한 바와 같이, 코어층의 상부 및 하부에 공기 클래드(air clad) 층을 형성한다. 구체적으로, 상부 클래드(upper clad) 층은 코어층 위의 공기층을 이용하고, 하부 클래드(lower clad) 층은 코어층 아래의 SiO2 층을 BOE(Buffered oxide etchants) 6:1을 이용한 습식 식각에 의해 형성한다. 상기 구성에 의해, 코어층과 공기 상부 클래드층(24)과 공기 하부 클래드층(14)으로 이루어진, 본 발명의 제1 실시예에 따른 2차원 완전 고분자 광자결정 소자가 제작된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 임프린트 성형시 나노 패턴을 용이하게 복제하기 위해 고려되어야 할 공기홀 크기와 공기홀 간의 간격 비를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 공기홀(22)은 저굴절률 고분자 소재로 대체될 수 있다. 공 기홀(22)이 매우 밀집된 나노 패턴 구조를 임프린팅에 의해 제작하는데 공기홀(22)의 직경 2r에 대한 공기홀(22) 간의 간격 G의 비(2r/G)는 55% 이하이어야 한다. 여기서, a는 공기홀(22)의 주기이며, r은 공기홀의 반경이다.
공기홀(22)의 직경과 공기홀 간의 간격의 비가 55% 이상이면, 스탬프를 임프린팅되는 고분자로부터 패턴의 손상없이 이형하는 것이 광자결정과 같이 매우 패턴 밀도가 높은 구조의 경우에는 용이하지 않으며, 이형을 용이하게 하기 위한 자기조립 달라붙음 방지 코팅(self-assembled monolayer anti-sticking coating)과 같은 이형 처리 기술 이외의 별도의 기계적/물리적 이형 장치가 필요하다.
전술한 공기홀(22)의 직경/반경과 공기홀(22) 간의 간격의 비는 나노 패턴 구조의 크기에 대한 공기홀(22)의 밀도뿐만 아니라, 전체 패턴 구조의 크기와 임프린팅되는 스탬프의 크기에 따라 변할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 실리콘 웨이퍼 위에 화학증기증착법으로 SiO2를 증착하는 제1 실시예의 고분자 2차원 광자결정 소자의 경우와 달리, 본 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자는 실리콘 웨이퍼(10) 상에 저굴절률 고분자를 스핀코팅하여 고분자 막(12a)을 형성하고, 그 위에 광자결정 슬랩 도파로의 코어층이 될 고굴절률 고분자를 스핀코팅하여 고분자 막(20)을 형성한 3층(layer) 구조를 구비한다.
상기 고굴절률의 고분자 막(20)에는 다수의 공기홀(22)로 이루어지는 광자결 정 구조가 열 또는 자외선 나노 임프린트 리소그래피 공정으로 성형에 의해 형성된다. 또한, 제작 공정 중에 고분자 막(12a)의 경계면에 남아있는 고분자 막(20)의 잔류층은 O2 플라즈마 에싱으로 제거된다. 그리고 코어층 아래의 저굴절률의 고분자 막(12a)은 습식식각에 의해 코어층에 손상을 주지 않고 식각된다. 상기 구성에 의해, 코어층과 공기 상부 클래드층(24)과 공기 하부 클래드층(14)으로 이루어진 고분자 2차원 광자결정 소자가 구현된다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자는 실리콘 웨이퍼(10) 위에 저굴절률 고분자를 스핀코팅하여 제1 고분자 막(16)을 형성하고, 제1 고분자 막(16) 위에 광자결정 슬랩 도파로의 코어층이 될 고굴절률 고분자를 스핀코팅하여 제2 고분자 막(20)을 형성한 3층 구조를 구비한다.
상기 고굴절률의 제2 고분자 막(20)에는 광자결정 구조가 열 또는 자외선 나노 임프린트 리소그래피 공정으로 성형에 의해 형성된다. 이때 본 실시예에서는 저굴절률의 제1 고분자 막(16)과의 경계면에 고굴절율의 제2 고분자 막(20)의 잔류층이 거의 남아있지 않도록, 나노 임프린트 리소그래피의 공정 조건을 최적화한다. 상기 구성에 의해, 광자결정 구조의 공기홀(22)을 가지고, 상부 클래드층은 공기층(24), 하부 클래드층은 저굴절률의 고분자 막(16)으로 이루어진 고분자 2차원 광자결정 소자가 구현된다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자는 실리콘 웨이퍼(10) 위에 저굴절률 고분자를 스핀코팅하여 제1 고분자 막(16)을 형성하고, 제1 고분자 막(16) 위에 광자결정 슬랩 도파로의 코어층이 될 고굴절률 고분자를 스핀코팅하여 제2 고분자 막(20)을 형성한 후, 제2 고분자 막(20) 위에 저굴절률 고분자(28)를 더 형성한 4층 구조를 구비한다.
상기 고굴절률의 제2 고분자 막(20)에는 다수의 공기홀(22)을 구비하는 광자결정 구조가 열 또는 자외선 나노 임프린트 리소그래피 공정으로 성형에 의해 형성된다. 그리고, 제2 고분자 막(20)에 형성된 공기홀(22)은 저굴절률 고분자를 스핀코팅하여 저굴절률 고분자(26)로 채워지며, 이와 함께 제2 고분자 막(20) 위에 제1 고분자 막(16)과 동일한 굴절율을 갖는 저굴절률 고분자 막(28)이 형성된다. 상기 구성에 의해, 코어층은 고굴절률 고분자 막(20)의 광자결정 구조에 저굴절률 고분자(26)가 완전히 채워지며, 상부 클래드층은 저굴절률 고분자 막(28)으로, 하부클래드층은 저굴절률 고분자 막(16)으로 이루어진 고분자 2차원 광자결정 소자가 구현된다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 내지 제4 실시예의 경우와 달리, 본 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자는 유리(glass) 웨이퍼(10a)를 기판으로 하여, 광자 결정 슬랩 도파로의 코어층이 될 고굴절률 고분자를 스핀코팅하여 고분자 막(20)을 형성한 2층 구조를 구비한다. 고굴절률 고분자 막(20)에는 다수의 공기홀(22)을 구비하는 광자결정 구조가 열 또는 자외선 나노 임프린트 리소그래피 공정으로 성형에 의해 형성된다. 유리 웨이퍼(10a) 위의 경계면에 남아있는 고분자 막(20)의 잔류층은 O2 플라즈마 에싱으로 제거된다. 그리고 코어층 아래의 유리 웨이퍼(10a)는 BOE(Buffered oxide etchants) 6:1을 이용한 습식 식각 공정을 통해 식각된다. 상기 구성에 의해, 코어층과, 유리 웨이퍼(10a) 상에 하부 클래드층으로 형성된 공기층(14), 및 상부 클래드층인 공기층(24)으로 이루어진 고분자 2차원 광자결정 소자가 구현된다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자의 포토닉 밴드 구조를 보여주는 다이어그램이다.
도 8에 도시한 다이어그램은 평면파 전개 방법(plane wave expansion method)에 의해 계산된 TE-라이크 모드(TE-like mode)의 포토닉 밴드 구조 다이어그램이다. 본 실시예에 적용된 고분자 2차원 광정결정 소자에 있어서, 열가소성 고분자는 폴리스티렌(polystyrene)이며, 광자결정 구조는 공기홀 구조를 갖는 삼각형 배열(triangular array)의 광자결정 슬랩이다. 그리고 슬랩 두께(slab thickness)는 1.0a, 공기홀 반경(hole radius, r)은 0.3a로 설계 및 계산한 결과이다. 여기서, a는 격자 상수이다. 광자띠간격(PBG) 계산결과는 파장대역(λ)=1550㎚, 굴절율(n)=1.59일 때, TE 모드에서 a/λ가 0.486∼0.5 구간에서 광자띠간격 영역이 형성 된다. 격자 상수는 1550㎚ 파장에서 764㎚이며, 공기홀 직경(Air hole diameter)은 458.4㎚(0.6a)이고, 파장 대역폭(Wavelength bandwidth)은 1528~1572㎚에서 44㎚이다.
전술한 실시예들에 따른 고분자 2차원 광자결정 소자를 제작하기 위해서는 위에서 설명한 조건들을 포함하여, 슬랩 두께/높이는 0.8에서 1.2a까지 변화할 수 있으며, 공기홀 반경은 0.25a에서 0.35a로 변화할 수 있고, 선결함의 폭(d)은 0.8W에서 1.0W로 변화할 수 있다. 여기서, W는 도파로의 폭을 나타낸다.
한편, 2차원 광자결정 소자의 일종인 광자결정 도파로는 선결함으로 이루어지는 광도파로 주변에 공기층 또는 공기홀을 도파로 방향으로 형성시켜 빛의 도파를 가이드하도록 제작된다. 상기 광자결정 도파로는 코어 주변에 있는 공기층에 압력을 가하여 공기층의 두께를 충분히 얇게 하고 그것에 의해 코어의 내부전반사를 깨뜨림으로써, 주변층인 클래드층으로 빔의 일부가 새어나가도록 할 수 있다. 이러한 원리를 이용하면, 전술한 본 발명을 이용하여 감쇄기, 압력 센서, 필터 등의 광자결정 소자도 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명은 평면형 2차원 완전 고분자 광자결정 소자 구현을 통해 도파로(waveguide), 슈퍼프리즘(super-prism), 컨버터(converter), 필터(filter), 스위치(switch), 분배기(splitter), 결합기(coupler), 캐비티(cavity), 레이저(laser), 발광소자(LED) 등의 능동 및 수동 광자결정 소자를 집적화한 고밀도의 광자집적회로를 용이하게 구현할 수 있는 장점이 있다. 아울러, 본 발명은 가시광선, 적외선, 밀리미터파, 마이크로파, 전파를 포함하는 넓은 주파수 영역의 전자기파에 적용될 수 있으며, 특히 적외선, 밀리미터파, 마이크로파 영역에서 실용화될 가능성이 매우 크다. 또한 반도체 레이저, 발광 다이오드, 태양 전지, 안테나, 필터, 스위치, 반사 거울, 공진기 등의 개발 및 성능 향상과 새로운 형태의 광자집적회로 개발에 필수적으로 적용될 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 고분자를 기반으로 하는 2차원 광자결정 소자 및 광자결정 시스템 및 집적회로를 제작함에 있어서, 나노 성형 기술인 열 및 자외선 임프린트 기술을 사용하여, 저가격 및 대량생산을 용이하게 하는 제작방법을 제공할 수 있다. 또한 상기의 열거된 실시예를 통하여, 다양한 특성을 갖는 도파로, 슈퍼프리즘, 컨버터, 필터, 스위치, 분배기, 결합기, 캐비티, 레이저, 발광소자 등의 능동 및 수동 광자결정 소자를 제작하는 것이 가능하며, 상기의 소자를 집적화 또는 모듈화하여, 광자결정 시스템 및 집적회로를 제작하는 것이 가능하다. 더불어, 나노 결정 구조를 기반으로 하는 다양한 기능과 형태의 생화학센서 및 바이오 센서의 제작이 가능하다.

Claims (21)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 고분자 소재로 이루어지며 광자결정 도파로를 구비하는 코어;
    상기 코어의 상부 및 하부에 위치하는 상부 클래드층 및 하부 클래드층; 및
    상기 코어 내에 형성되며 선결함을 구비한 소정 패턴의 다수의 공기홀을 포함하는 광자띠간격 격자 구조를 포함하되,
    상기 상부 클래드층 및 하부 클래드층은 상부 및 하부 공기층, 상부 공기층과 상기 고분자 소재의 굴절률보다 낮은 저굴절률의 하부 고분자막, 및 상기 저굴절율의 상부 고분자막과 상기 저굴절율의 하부 고분자막 중 어느 한 쌍의 클래드층으로 이루어지는 고분자 2차원 광자결정 소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공기홀은 상기 저굴절률 고분자에 의해 채워지는 고분자 2차원 광자결정 소자.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 코어의 두께/높이는 상기 공기홀 중심 간의 간격의 0.8 ~ 1.2배, 상기 공기홀의 반경은 상기 공기홀 중심 간의 간격의 0.25 ~ 0.35배, 상기 선결함의 폭이 상기 광자결정 도파로의 폭의 0.8 ~ 1.0배인 고분자 2차원 광자결정 소자.
  7. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 광자띠간격 격자 구조는 삼각형 격자 배열을 포함하는 고분자 2차원 광자 결정 소자.
  8. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 고분자 소재는 굴절률이 1.59 이상인 열가소성 고분자, 열경화성 고분자 및 UV 경화 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자.
  9. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비는 55% 이하인 고분자 2차원 광자결정 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비는 상기 광자띠간격 격자 구조 전체 패턴의 크기, 상기 패턴의 밀도 및 임프린팅을 위한 스탬프의 크기에 따라 변하는 고분자 2차원 광자결정 소자.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 기판 상에 고분자 소재의 코어층을 형성하는 단계;
    상기 코어층을 스탬프 또는 몰드로 패터닝하여 선결함을 갖고 다수의 공기홀을 형성하는 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계; 및
    상기 기판의 실리콘 산화막을 식각하여 공기층을 형성하는 단계
    를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판 상에 형성된 또 다른 고분자 소재층을 포함하며,
    상기 또 다른 고분자 소재층을 식각하여 공기층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판 상에 형성된 저굴절률의 또 다른 고분자 소재층을 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 다수의 공기홀에 상기 저굴절률 고분자 소재를 채우고, 상기 구조 상에 상기 저굴절률 고분자 소재의 또 다른 고분자 소재층을 추가적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판은 유리 기판이며,
    상기 유리 기판을 식각하여 상기 유리 기판과 상기 코어층 사이에 공기층을 형성하는 단계를 더 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  18. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고분자 소재는 굴절률이 1.59 이상인 열가소성 고분자, 열경화성 고분자 및 UV 경화 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  19. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코어층의 두께/높이는 상기 공기홀 중심 간의 간격의 0.8 ~ 1.2배, 상기 공기홀의 반경은 상기 공기홀 중심 간의 간격의 0.25 ~ 0.35배, 상기 선결함의 폭은 원하는 광자결정 도파로의 폭의 0.8 ~ 1.0배인 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작방법.
  20. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계는 상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비를 55% 이하로 조절하는 단계를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
  21. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광자띠간격 격자 구조를 형성하는 단계는 상기 광자띠간격 격자 구조 전체 패턴의 크기, 상기 패턴의 밀도 및 임프린팅을 위한 스탬프 또는 몰드의 크기에 따라 상기 공기홀의 직경과 상기 공기홀 중심 간의 간격의 비를 조절하는 단계를 포함하는 고분자 2차원 광자결정 소자의 제작 방법.
KR1020050118983A 2005-12-07 2005-12-07 고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법 KR100696193B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050118983A KR100696193B1 (ko) 2005-12-07 2005-12-07 고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050118983A KR100696193B1 (ko) 2005-12-07 2005-12-07 고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100696193B1 true KR100696193B1 (ko) 2007-03-20

Family

ID=41563468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050118983A KR100696193B1 (ko) 2005-12-07 2005-12-07 고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100696193B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906659B1 (ko) 2006-11-09 2009-07-07 한국전자통신연구원 2차원 평면형 광자결정 슈퍼프리즘 소자 및 그 제작 방법
WO2023128109A1 (ko) * 2021-12-31 2023-07-06 창원대학교 산학협력단 나노 홀 패턴 분리막 구조를 갖는 표면의 제작 방법
WO2023146042A1 (ko) * 2022-01-28 2023-08-03 창원대학교 산학협력단 모세관력을 이용한 나노-마이크로 계층 구조를 갖는 표면의 제작 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258650A (ja) 1999-03-08 2000-09-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フォトニック結晶とその作製方法
EP1248124A2 (en) * 2001-04-04 2002-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photonic crystal and related optical devices
US20040110856A1 (en) 2002-12-04 2004-06-10 Young Jung Gun Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure
KR20050098077A (ko) * 2004-04-06 2005-10-11 한국전자통신연구원 광자결정을 이용한 다중채널드롭필터

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258650A (ja) 1999-03-08 2000-09-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> フォトニック結晶とその作製方法
EP1248124A2 (en) * 2001-04-04 2002-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photonic crystal and related optical devices
US20040110856A1 (en) 2002-12-04 2004-06-10 Young Jung Gun Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure
KR20050098077A (ko) * 2004-04-06 2005-10-11 한국전자통신연구원 광자결정을 이용한 다중채널드롭필터

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906659B1 (ko) 2006-11-09 2009-07-07 한국전자통신연구원 2차원 평면형 광자결정 슈퍼프리즘 소자 및 그 제작 방법
WO2023128109A1 (ko) * 2021-12-31 2023-07-06 창원대학교 산학협력단 나노 홀 패턴 분리막 구조를 갖는 표면의 제작 방법
WO2023146042A1 (ko) * 2022-01-28 2023-08-03 창원대학교 산학협력단 모세관력을 이용한 나노-마이크로 계층 구조를 갖는 표면의 제작 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7515790B2 (en) Two-dimensional planar photonic crystal superprism device and method of manufacturing the same
Dideban et al. Photonic crystal channel drop filter based on ring-shaped defects for DWDM systems
US6410416B1 (en) Article comprising a high-resolution pattern on a non-planar surface and method of making the same
US20070133920A1 (en) Optical device having optical waveguide including organic bragg grating sheet
US20100084261A1 (en) Method for fabricating polymeric wavelength filter
US20050180680A1 (en) Integrated optical devices and method of fabrication thereof
CA2389347A1 (en) Photodefinition of optical devices
CN108693602A (zh) 一种氮化硅三维集成多微腔谐振滤波器件及其制备方法
KR100943561B1 (ko) 파장 필터 제조 방법
Ahn et al. Polymeric wavelength filter based on a Bragg grating using nanoimprint technique
US20040120644A1 (en) Method of making subwavelength resonant grating filter
KR100696193B1 (ko) 고분자 ２차원 광자결정 소자 및 그 제작 방법
US8676023B2 (en) Method of fabrication for an asymmetric Bragg coupler-based polymeric wavelength filter with single-grating waveguide
JP4573942B2 (ja) フォトニック構造を有する屈折率周期構造体の製造方法、及びそれを用いた光機能素子
Lim et al. Polymeric arrayed waveguide grating using imprint method incorporating a flexible PDMS stamp
US7805826B1 (en) Fabrication of slot waveguide
Diez et al. Direct patterning of polymer optical periodic nanostructures on CYTOP for visible light waveguiding
JP2004279687A (ja) オプトエレクトロニックマイクロシステム、導波路素子、バリアブルウエルオプティカルｉｃ、オプトエレクトロニックマイクロ／ナノシステム、
KR100906659B1 (ko) 2차원 평면형 광자결정 슈퍼프리즘 소자 및 그 제작 방법
KR100668611B1 (ko) 파장필터 하부 클래딩층의 패턴 제작을 위한 몰드 및도파로형 파장필터의 제작방법
Nozaka et al. Controlled waveguide coupling for photon emission from colloidal PbS quantum dot using tunable microcavity made of optical polymer and silicon
US6826344B2 (en) Optical element and method of fabrication thereof
Morarescu et al. Polymer microring resonators for biosensing applications by nanoimprint lithography
KR20040058856A (ko) 광 결정 회로 제조 방법
Yamada et al. Micro-lightwave circuits based on photonic crystal

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120228

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee