KR20080040598A - Manufacturing device for liquid crystal display panel and manufacturing method of the same - Google Patents

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하리손 도시바 라이팅구 가부시키가이샤
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Abstract

An apparatus and a method for manufacturing an LC panel are provided to suppress radiation of UV rays of a wavelength area giving effects on performance or the like of an LC panel, thereby improving a yield with high performance. A processing chamber(50) processes a processed substrate(10) injected with LC material including photo-reactive material. Plural lamp(52) are disposed within the processing chamber and radiates UV(Ultra Violet) rays to the processed substrate so as to make the photo-reactive material react. The lamp forms an alignment part within the processed substrate. A filter(53) faces the lamp and suppresses transmission of UV ray of a wavelength area of 320~360nm.

Description

액정 패널 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법 {MANUFACTURING DEVICE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}Liquid crystal panel manufacturing apparatus and manufacturing method of liquid crystal panel {MANUFACTURING DEVICE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 액정 패널 제조 장치 및 이것을 이용한 액정 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal panel manufacturing apparatus and a method for producing a liquid crystal panel using the same.

액정 패널은, 표시 품질이 높고, 박형화 및 저소비 전력화 등이 가능하기 때문에 다양한 용도에 이용되고 있다. 특히 최근은, 액정 텔레비전 등의 대형 액정 장치로의 수요가 많아져 오고 있어, 그 성능도 높은 것이 요구되도록 되어 오고 있다.Liquid crystal panels are used for various applications because of their high display quality, thinness, low power consumption, and the like. In particular, in recent years, demand for large-scale liquid crystal devices such as liquid crystal televisions has been increasing, and high performance has also been demanded.

고성능인 액정 패널을 얻기 위해서는, 액정체를 소정의 방향으로 배향시키기 위한 배향막의 배향 제어가 중요하다. 종래는, 배향막을 천으로 문지르는「러빙법」등이 일반적으로 이용되어 왔다. 그러나, 러빙법을 이용하면, 먼지가 떨어져 오염물이 부착되거나, 혹은, 정전기 등에 의해 반도체 소자가 파손되는 등의 문제가 있기 때문에, 최근은,「광 배향법」이라 불리는 기술이 주목받고 있다.In order to obtain a high-performance liquid crystal panel, the alignment control of the alignment film for orienting a liquid crystal body in a predetermined direction is important. Conventionally, the "rubbing method" etc. which rub an alignment film with cloth have been generally used. However, when the rubbing method is used, there is a problem that dirt is dropped and dirt adheres, or a semiconductor element is damaged by static electricity or the like. Recently, a technique called "optical alignment method" has attracted attention.

「광 배향법」은, 광 반응성을 갖는 고분자체를 기판 상에 형성하고, 자외선 등을 조사하는 것에 의해, 고분자체를 화학 반응시켜 배향 기능을 갖게 하는 기술 을 말한다. 광 배향법에 이용 가능한 방전 램프로서는, 예를 들어, 탈륨이나 비스무트를 첨가한 금속 증기 방전 램프 등이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).The "photo-alignment method" refers to a technique of forming a polymer having photoreactivity on a substrate and irradiating ultraviolet rays or the like to chemically react the polymer to give an alignment function. As a discharge lamp which can be used for the photo-alignment method, the metal vapor discharge lamp which added thallium and bismuth, etc. are known, for example (refer patent document 1).

그러나, 자외선의 조사 조건이나 파장 영역 등에 따라서는, 제조 후의 액정 패널의 성능이나 수율 등에 영향을 미친다. 특히, 광 배향법을 이용한 액정 패널의 제조에 있어서는, 일정 파장 영역 이하의 자외선 광을 많이 조사하면, 제조 후의 액정 패널의 성능이나 수율 등을 크게 저하시키는 원인으로 된다.However, depending on the irradiation conditions of ultraviolet rays, a wavelength range, etc., it affects the performance, the yield, etc. of the liquid crystal panel after manufacture. In particular, in manufacture of the liquid crystal panel using the photo-alignment method, when much ultraviolet light below a fixed wavelength range is irradiated, it will become the cause which greatly reduces the performance, the yield, etc. of the liquid crystal panel after manufacture.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평6-275234호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-275234

본 발명은, 액정 패널의 성능 등에 영향을 미치는 파장 영역의 자외선 조사를 억제할 수 있어, 고성능으로 수율을 향상시킨 액정 패널을 제조 가능한 액정 패널 제조 장치 및 이것을 이용한 액정 패널의 제조 방법을 제공한다.This invention can suppress the ultraviolet irradiation of the wavelength range which affects the performance of a liquid crystal panel, etc., and provides the liquid crystal panel manufacturing apparatus which can manufacture the liquid crystal panel which improved the yield in high performance, and the manufacturing method of the liquid crystal panel using the same.

본원 발명의 형태에 따르면, 광 반응성 물질을 함유하는 액정체를 내부에 봉입한 피처리 기판을 처리하는 처리실과, 처리실 내에 배치되고 피처리 기판에 자외선을 조사하여 광 반응성 물질을 반응시켜 피처리 기판의 내부에 배향부를 형성시키는 복수의 램프와, 램프에 대향하고 적어도 파장 320 내지 360 ㎚의 파장 영역의 자외선의 투과를 억제하는 필터를 구비하는 액정 패널 제조 장치가 제공된다.According to the aspect of this invention, the processing chamber which processes the to-be-processed board | substrate which enclosed the liquid crystal body containing a photoreactive substance inside, and it is arrange | positioned in a process chamber and irradiates a to-be-processed board | substrate with ultraviolet-rays, and reacts a to-be-processed substrate There is provided a liquid crystal panel manufacturing apparatus including a plurality of lamps for forming an alignment portion inside the filter, and a filter facing the lamp and suppressing transmission of ultraviolet light in a wavelength region of at least wavelengths of 320 to 360 nm.

본원 발명의 다른 형태에 따르면, 광 반응성 물질을 함유하는 액정체를 내부에 봉입한 피처리 기판에 대해, 적어도 파장 320 내지 360 ㎚의 파장 영역의 자외선의 투과를 억제하는 필터를 통해 자외선을 조사하고, 광 반응성 물질을 반응시켜, 피처리 기판의 내부에 배향부를 형성시키는 공정을 포함하는 액정 패널의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, ultraviolet rays are irradiated to a substrate to be enclosed with a liquid crystal body containing a photoreactive substance through a filter that suppresses transmission of ultraviolet rays in a wavelength range of at least 320 to 360 nm. And the process of reacting a photoreactive substance and forming an orientation part in the inside of a to-be-processed substrate is provided.

본 발명에 따르면, 액정 패널의 성능 등에 영향을 미치는 파장 영역의 자외선 조사를 억제할 수 있어, 고성능으로 수율을 향상시킨 액정 패널을 제조 가능한 액정 패널 제조 장치 및 이것을 이용한 액정 패널의 제조 방법이 제공할 수 있다.According to the present invention, a liquid crystal panel manufacturing apparatus capable of producing a liquid crystal panel capable of suppressing ultraviolet irradiation in a wavelength region affecting the performance of a liquid crystal panel and the like and improving the yield at high performance and a method of manufacturing a liquid crystal panel using the same can be provided. Can be.

다음에, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서는, 동일 또는 유사한 부분에는 동일 또는 유사한 부호를 붙이고 있다. 이하에 나타내는 실시 형태는, 본 발명의 기술적 사상을 구체화하기 위한 장치나 방법을 예시하는 것으로, 본 발명의 기술적 사상은 구성 부품의 구조, 배치 등을 하기하는 것에 특정하는 것은 아니다.Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In description of the following drawings, the same or similar code | symbol is attached | subjected to the same or similar part. Embodiment shown below illustrates the apparatus and method for incorporating the technical idea of this invention, and the technical idea of this invention does not specify to what follows the structure, arrangement | positioning, etc. of a component.

(피처리 기판)(Substrates)

본 발명의 실시 형태에 관한 액정 패널 제조 장치를 이용하여 처리 가능한 피처리 기판(10)을 설명한다. 도1에 예시하는 바와 같이, 피처리 기판(10)은, 유리제 등의 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 사이에, 전압 인가에 의해 방위성을 갖는 액정체(17)와, 광 반응성을 갖는 광 반응성 물질(고분자체)(18)이 적어도 봉입되어 있다.The to-be-processed substrate 10 which can be processed using the liquid crystal panel manufacturing apparatus which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. As illustrated in FIG. 1, the to-be-processed substrate 10 includes a liquid crystal body 17 having azimuthality by applying a voltage between the first substrate 12 and the second substrate 14, such as glass, and light. The photoreactive substance (polymer body) 18 which has reactivity is at least enclosed.

액정체(17)로서는, 예를 들어, 에스테르계, 비페닐계, 페닐시클로헥산(PCH)계, 시클로헥산계, 페닐피리디민계, 디옥산계의 모재가 이용된다. 모재는 용도에 따라서 블렌드되는 것이 바람직하다. 구동 전압을 작게 하는 것이 가능한 액정 재료로서는, P-에스테르계, P-비페닐계의 재료 등이 적절하다. 고온에 견디고, 안정적으로 작동 가능한 액정 재료로서는, 3환계, 4환계의 모재가 적절하다. 응답성을 향상시키고, 동화상 등의 표시에 적절한 액정 재료로서는, PCH계 또는 비페닐계의 재료가 적절하다.As the liquid crystal body 17, the base material of ester type, a biphenyl type, a phenyl cyclohexane (PCH) type, a cyclohexane type | system | group, a phenylpyridinine type, and a dioxane type is used, for example. It is preferable that a base material is blended according to a use. As a liquid crystal material which can make driving voltage small, P-ester type, P-biphenyl type material, etc. are suitable. As a liquid crystal material which can endure high temperature and can operate stably, the base material of a tricyclic system and a tetracyclic system is suitable. As a liquid crystal material which improves responsiveness and is suitable for displaying a moving image or the like, a PCH-based or biphenyl-based material is suitable.

고분자체(18)로서는, 예를 들어, 도2에 도시하는 바와 같은 아조 화합물(아 조 벤젠)을 갖는 고분자 재료가 이용된다. 아조 화합물을 갖는 고분자 재료는, 자외선, 특히 파장 영역 300 내지 400 ㎚의 자외선을 조사하는 것에 의해 중합하고, 가교 구조체를 형성한다. 도1에 도시하는 바와 같이, 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 사이는, 밀봉부(19)에 의해 접합되어 있다.As the polymer body 18, for example, a polymer material having an azo compound (azo benzene) as shown in Fig. 2 is used. The polymeric material which has an azo compound superposes | polymerizes by irradiating an ultraviolet-ray, especially the ultraviolet-ray of 300-400 nm of wavelength ranges, and forms a crosslinked structure. As shown in FIG. 1, the sealing part 19 is joined between the 1st board | substrate 12 and the 2nd board | substrate 14. As shown in FIG.

제1 기판(12)의 표면에는, 박막 트랜지스터(TFT) 등의 반도체 소자(11)가 복수개 배열되어 있다. 복수개의 반도체 소자(11)의 배열 상에는 제1 투명 전극(15)이 형성되어 있다. 한편, 제2 기판(14)의 표면에는 컬러 필터(13)가 배치되어 있다. 컬러 필터(13)의 표면에는 제2 투명 전극(16)이 형성되어 있다.On the surface of the first substrate 12, a plurality of semiconductor elements 11 such as thin film transistors (TFTs) are arranged. The first transparent electrode 15 is formed on the array of the plurality of semiconductor elements 11. On the other hand, the color filter 13 is arrange | positioned at the surface of the 2nd board | substrate 14. The second transparent electrode 16 is formed on the surface of the color filter 13.

도1의 피처리 기판(10)에 자외선을 조사한 후의 처리 중간체(액정 패널)(20)의 예를 도3에 나타낸다. 후술하는 액정 패널 제조 장치를 이용하여, 예를 들어, 도1의 피처리 기판(10)에 전압을 인가한 상태에서 자외선을 조사하면, 제1 투명 전극(15), 제2 투명 전극(16)의 표면에 돌기 형상의 배향부(21, 22)가 각각 형성된다.An example of the processing intermediate (liquid crystal panel) 20 after irradiating an ultraviolet-ray to the to-be-processed substrate 10 of FIG. 1 is shown in FIG. For example, the first transparent electrode 15 and the second transparent electrode 16 are irradiated with ultraviolet rays when a voltage is applied to the substrate 10 of FIG. 1 using a liquid crystal panel manufacturing apparatus described later. On the surface of the projection-shaped alignment portions 21, 22 are formed, respectively.

이 배향부(21, 22)는, 도1의 고분자체(18)가 광 조사에 의해 중합한 가교 구조체로, 도4에 도시하는 바와 같이, 제1 기판(12)의 일정 방향에 대해 각각 병행으로 나란히 배치되어 있다. 도5에 도시하는 바와 같이, 제1 투명 전극(15)의 상면에서 본 배향부(21)의 수직 상승의 각도(θ)는, 예를 들어, 피처리 기판(10)에 인가하는 전압 등을 제어하는 것 등에 의해 변경 가능하다.The alignment portions 21 and 22 are crosslinked structures obtained by polymerizing the polymer body 18 of FIG. 1 by light irradiation, and as shown in FIG. 4, respectively, parallel to the predetermined direction of the first substrate 12. Are arranged side by side. As shown in FIG. 5, the angle θ of the vertical rise of the alignment portion 21 seen from the upper surface of the first transparent electrode 15 is, for example, a voltage applied to the substrate 10 to be processed. It can be changed by controlling.

제1 투명 전극(15), 제2 투명 전극(16)의 표면에, 배향부(21, 22)가 각각 배치되는 것에 의해, 도6 및 도7에 예시하는 바와 같이, 배향부(21, 22)의 간극(오목 부분)에 액정체(17)가 들어간다. 그 때문에, 액정 패널(20)의 내부에 배향부(21, 22)를 형성하지 않은 경우에 비해, 액정체(17)의 배향 규제력이 높아져, 응답 속도, 투과율, 콘트라스트, 편광 특성 등의 액정 패널의 다양한 성능 및 특성을 향상시킬 수 있다.By arrange | positioning the orientation parts 21 and 22 on the surface of the 1st transparent electrode 15 and the 2nd transparent electrode 16, as shown to FIG. 6 and FIG. 7, the orientation parts 21 and 22, respectively. The liquid crystal body 17 enters into a gap (concave portion) of the (). Therefore, compared with the case where the alignment parts 21 and 22 are not formed inside the liquid crystal panel 20, the alignment control force of the liquid crystal body 17 becomes high, and liquid crystal panels, such as a response speed, a transmittance | permeability, contrast, and a polarization characteristic, etc. Various performance and characteristics of the can be improved.

(액정 패널 제조 장치)(Liquid crystal panel manufacturing apparatus)

(전체 구성)(Overall configuration)

실시 형태에 관한 액정 패널 제조 장치는, 도8에 도시하는 바와 같이, 복수의 피처리 기판(10)을 수납 가능한 반입부(2)와, 반입부(2)에 수납된 피처리 기판(10)의 상하를 반전시키는 반전부(3)와, 반전부(3)로부터 반송된 피처리 기판(10)의 특성을 검사하는 검사부(4)와, 검사부(4)로부터 반송된 피처리 기판(10)에 대해 자외선을 조사하는 자외선 조사부(UV 조사부)(5)와, UV 조사부(5)로부터 반송된 자외선을 조사한 후의 피처리 기판(10)을 반전시키는 반전부(6)를 구비한다.As shown in FIG. 8, the liquid crystal panel manufacturing apparatus according to the embodiment includes a carrying part 2 capable of accommodating a plurality of processed substrates 10, and a processed substrate 10 accommodated in the carrying part 2. An inverting section 3 for inverting the upper and lower sides of the insulator, an inspecting section 4 for inspecting characteristics of the to-be-processed substrate 10 conveyed from the inverting section 3, and a processed substrate 10 conveyed from the inspecting section 4. An ultraviolet irradiation part (UV irradiation part) 5 which irradiates an ultraviolet-ray with respect to it, and the inversion part 6 which inverts the to-be-processed substrate 10 after irradiating the ultraviolet-ray conveyed from the UV irradiation part 5 are provided.

반입부(2)의 내부에는 반송 로봇(25)이 배치되어 있다. 반송 로봇(25)은, 피처리 기판(10)을 배치하기 위한 대(臺)의 아래에 배치된 컴퓨터 시스템(도시 생략)에 의해 관리되고, 처리 대상으로 되는 피처리 기판(10)을 반전부(3)에 반송한다.The conveyance robot 25 is arrange | positioned inside the carrying-in part 2. As shown in FIG. The transfer robot 25 is managed by a computer system (not shown) arranged under a table for placing the substrate 10 to be processed, and inverts the substrate 10 to be processed. It returns to (3).

검사부(4)는, 제1 검사 장치(4a) 및 제2 검사 장치(4b)를 포함한다. 제1 검사 장치(4a) 및 제2 검사 장치(4b)는, 피처리 기판(10)에 전압을 인가하고, 액정체의 배향 상태를 검사하는 것에 의해, 피처리 기판(10)이 소정의 품질 기준을 만족 시키고 있는지 여부를 검사한다. 도8에서는, 2대의 검사 장치[제1 검사 장치(4a) 및 제2 검사 장치(4b)]를 예시했지만, 검사 장치의 수는, 도8에 도시하는 액정 패널 제조 장치의 처리 능력에 따라서 몇 개 있어도 좋다.The inspection unit 4 includes a first inspection device 4a and a second inspection device 4b. The 1st inspection apparatus 4a and the 2nd inspection apparatus 4b apply a voltage to the to-be-processed board | substrate 10, and test the orientation state of a liquid crystal body, and the to-be-processed board | substrate 10 has predetermined quality. Check whether the criteria are met. In FIG. 8, although two test apparatuses (1st test apparatus 4a and 2nd test apparatus 4b) were illustrated, the number of test | inspection apparatuses may be set in accordance with the processing capability of the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. You may have a dog.

UV 조사부(5)는, 제1 UV 조사 장치(5a) 및 제2 UV 조사 장치(5b)를 포함한다. 제1 UV 조사 장치(5a) 및 제2 UV 조사 장치(5b)는 피처리 기판(10)에 자외선을 조사한다. UV 조사 장치의 수는 몇 개 있어도 좋다.The UV irradiation part 5 includes the 1st UV irradiation apparatus 5a and the 2nd UV irradiation apparatus 5b. The 1st UV irradiation apparatus 5a and the 2nd UV irradiation apparatus 5b irradiate an ultraviolet-ray to the to-be-processed substrate 10. FIG. The number of UV irradiation apparatuses may be sufficient.

반전부(3)로부터 검사부(4), UV 조사부, 반전부(6)로 피처리 기판(10)의 반송은, 반전부(3)와 반전부(6)와의 사이의 경로에 설치된 반송 로봇(62)에 의해 행해진다. 반송 로봇(62)은, 반송 로봇(62)의 경로 하에 설치된 컴퓨터 시스템(도시 생략)에 의해 관리되고 있다.The transfer of the substrate 10 to be processed from the inversion unit 3 to the inspection unit 4, the UV irradiation unit, and the inversion unit 6 is performed by a transfer robot provided in a path between the inversion unit 3 and the inversion unit 6 ( 62). The transfer robot 62 is managed by a computer system (not shown) provided under the path of the transfer robot 62.

장치의 외측면에는 표시 장치(61)가 배치되어 있다. 표시 장치(61)에 의해, 예를 들어, 검사부(4) 및 UV 조사부(5)에 반송된 피처리 기판(10)의 적재 위치의 얼라인먼트 등이 가능하다. 또한, 액정 패널 제조 장치의 내측면에는, 정전기 등을 제거하기 위한 이온화 장치(63)가 장착되어 있어도 좋다.The display device 61 is disposed on the outer surface of the device. By the display apparatus 61, alignment of the mounting position of the to-be-processed board | substrate 10 conveyed to the test | inspection part 4 and the UV irradiation part 5 is possible, for example. Moreover, the ionizer 63 for removing static electricity etc. may be attached to the inner surface of the liquid crystal panel manufacturing apparatus.

(처리 순서)(Processing order)

도8에 도시하는 액정 패널 제조 장치를 이용하여 처리를 행하는 경우에는, 도9의 흐름도에 나타내는 바와 같이, 스텝 S1에 있어서, 반입부(2)에 피처리 기판(10)을 수납하고, 도8의 반송 로봇(25)에 의해, 피처리 기판(10)을 반입부(2)로부터 반전부(3)에 반송시킨다.When performing the process using the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. 8, as shown in the flowchart of FIG. 9, in step S1, the processing target board 10 is stored in the carrying-in part 2, and FIG. 8 The substrate 10 to be processed is transferred from the carrying in portion 2 to the inverting portion 3 by the transfer robot 25.

도9의 스텝 S2에 있어서, 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 상하 반전시켜, 반도체 소자(11)가 형성된 측의 제1 기판(12)이 상방으로, 컬러 필터(13)가 형성된 측의 제2 기판(14)이 하방이 되도록 한다. 반전시키는 것에 의해, UV 조사부(5)에 있어서 반도체 소자(11)가 형성된 측의 제1 기판(12)측으로부터 램프 광이 조사되기 때문에 컬러 필터의 손상을 억제할 수 있다. 또한, 제1 기판(12)이 상방에 있는 경우에는 반전하지 않아도 좋다.In Step S2 of FIG. 9, the substrate 10 shown in FIG. 1 is inverted up and down, and the first substrate 12 on the side where the semiconductor element 11 is formed is upward, and the color filter 13 is formed. The second substrate 14 on the side is made downward. By inverting, since the lamp light is irradiated from the side of the first substrate 12 on the side where the semiconductor element 11 is formed in the UV irradiation part 5, damage to the color filter can be suppressed. In addition, when the 1st board | substrate 12 is upper, it is not necessary to reverse.

도9의 스텝 S3에 있어서, 반송 로봇(62)이, 피처리 기판(10)을 반전부(3)로부터 검사부(4)에 반송한다. 검사부(4)에 있어서, 표시 장치(61) 등에 의해 피처리 기판(10)의 위치 맞춤을 행하고, 피처리 기판(10) 내부의 액정체(17)를 전압 인가에 의해 배향시켜, 피처리 기판(10)의 양부를 판정한다. 스텝 S3의 검사에 있어서「불량」이라고 판정된 피처리 기판(10)은, 도8의 반송 로봇(62)에 의해, 검사부(4)로부터 장치 외부로 반송시킨다. 스텝 S3의 검사에 있어서「양호」라고 평가된 피처리 기판(10)은, 반송 로봇(62)에 의해, 검사부(4)로부터 UV 조사부(5)에 반송한다.In step S3 of FIG. 9, the transfer robot 62 transfers the substrate 10 to be processed from the inversion unit 3 to the inspection unit 4. In the inspection unit 4, the processing target substrate 10 is positioned by the display device 61 or the like, the liquid crystal body 17 inside the processing target substrate 10 is oriented by applying a voltage, and the processing target substrate is processed. It is determined whether or not (10). The to-be-processed board | substrate 10 determined as "defect" in the inspection of step S3 is conveyed to the exterior of the apparatus from the inspection part 4 by the conveyance robot 62 of FIG. The to-be-processed substrate 10 evaluated as "good" in the inspection of step S3 is conveyed from the inspection part 4 to the UV irradiation part 5 by the transfer robot 62.

스텝 S4에 있어서, UV 조사부(5)에 있어서, 예를 들어, 340 내지 400 ㎚의 파장 영역의 자외선을 340 ㎚ 이하의 파장 영역의 자외선에 비해 상대적으로 많이 발광시킨 램프 광을 피처리 기판(10)에 조사한다. 이것에 의해, 피처리 기판(10)의 내부에 봉입된 고분자체를 광 반응(중합)시켜, 도3에 도시하는 바와 같이, 처리 중간체(액정 패널)(20)의 내부에 배향부(21, 22)를 형성한다. 액정 패널(20)은, UV 조사부(5)로부터 반전부(6)에 반송하고, 스텝 S5에 있어서, 반전부(6)에 있어서 필요에 따라서 상하 반전시킨다. 스텝 S6에 있어서, 액정 패널(20)이, 반전부(6) 로부터 액정 패널 제조 장치의 외부로 반송된다.In step S4, the UV irradiation part 5 WHEREIN: The lamp light which light-emitted the ultraviolet-ray of wavelength range 340-400 nm relatively compared with the ultraviolet-ray of wavelength range 340 nm or less, for example, the to-be-processed substrate 10 Check). As a result, the polymer body encapsulated in the substrate 10 is photoreacted (polymerized), and as shown in FIG. 3, the alignment section 21 is formed inside the processing intermediate (liquid crystal panel) 20. 22). The liquid crystal panel 20 is conveyed from the UV irradiation part 5 to the inversion part 6, and is inverted up and down as needed in the inversion part 6 in step S5. In step S6, the liquid crystal panel 20 is conveyed from the inversion part 6 to the outside of the liquid crystal panel manufacturing apparatus.

(반전부)(Inverted part)

반전부(3)의 일례를 나타내는 개략도를 도10에 도시한다. 반전부(3)는, 피처리 기판(10)을 진공 흡착하기 위한 제1 흡착부(31), 제2 흡착부(32), 제3 흡착부(33)를 갖는다. 제1 흡착부(31)는 처리실(30) 내의 하부에 배치되어 있고, 제1 흡착부(31)에 접속된 제1 가동부(34)에 의해 상하로 움직이도록 되어 있다. 제2 흡착부(32)는, 제1 흡착부(31)의 상방에 배치된 회전부(35)에 고정되어 있다. 제3 흡착부(33)는 처리실의 상부에 배치되어 있고, 제3 흡착부(33)에 접속된 제2 가동부(36)에 의해 상하로 움직이도록 되어 있다.A schematic diagram showing an example of the inverting section 3 is shown in FIG. The inversion part 3 has the 1st adsorption part 31, the 2nd adsorption part 32, and the 3rd adsorption part 33 for vacuum adsorption of the to-be-processed substrate 10. FIG. The 1st adsorption part 31 is arrange | positioned under the process chamber 30, and is moved up and down by the 1st movable part 34 connected to the 1st adsorption part 31. As shown in FIG. The 2nd adsorption part 32 is being fixed to the rotating part 35 arrange | positioned above the 1st adsorption part 31. As shown in FIG. The 3rd adsorption part 33 is arrange | positioned at the upper part of a process chamber, and is moved up and down by the 2nd movable part 36 connected to the 3rd adsorption part 33. As shown in FIG.

피처리 기판(10)을 반전시키는 경우에는, 도11의 (a)에 도시하는 바와 같이, 우선, 제1 흡착부(31) 상에 피처리 기판(10)을 적재시킨다. 그리고, 도10에 도시한 제1 가동부(34)[도11의 (a)에서는 도시 생략]에 의해, 제1 흡착부(31)를 리프트 업시켜, 피처리 기판(10)을 제2 흡착부(32)에 가깝게 한다. 도11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 흡착부(31)와 제2 흡착부(32)를 더 가깝게 하여, 제2 흡착부(32)에 피처리 기판(10)을 전달한다. 도11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 회전부(35)를 회전시켜, 피처리 기판(10)을 제2 흡착부(32)의 상방에 배치한다. 그 후, 도11의 (d)에 도시하는 바와 같이, 도10에 도시한 제2 가동부(36)[도11의 (d)에서는 도시 생략]에 의해 제3 흡착부(33)를 리프트 다운시켜, 도11의 (e)에 도시하는 바와 같이 피처리 기판(10)을 제3 흡착부(33)의 하방에 흡착시킨다.When the substrate 10 to be processed is inverted, as shown in FIG. 11A, first, the substrate 10 is loaded on the first adsorption portion 31. And the 1st adsorption part 31 is lifted up by the 1st movable part 34 shown in FIG. 10 (not shown in FIG. 11A), and the to-be-processed board | substrate 10 is a 2nd adsorption part. Get closer to (32). As shown in Fig. 11B, the first adsorption part 31 and the second adsorption part 32 are brought closer to each other, and the substrate 10 to be processed is transferred to the second adsorption part 32. As shown in FIG. 11C, the rotating part 35 is rotated to arrange the substrate 10 to be disposed above the second adsorption part 32. Thereafter, as shown in Fig. 11D, the third adsorption part 33 is lifted down by the second movable part 36 shown in Fig. 10 (not shown in Fig. 11D). As shown in FIG. 11E, the substrate 10 to be processed is adsorbed below the third adsorption portion 33.

(검사부)(Inspection department)

검사부(4)의 일례로서, 제1 검사 장치(4a)를 도시한 개략도를 도12에 도시한다. 처리실(40) 내에는, 피처리 기판(10)을 배치하기 위한 설치대(41)가 배치되어 있고, 설치대(41)의 상방에는, 피처리 기판(10)의 상태를 검사하기 위한 CCD 카메라(43)가 배치되어 있다. 설치대(41)의 하방에는 백라이트 조사부(42)가 배치되어 있다.As an example of the inspection part 4, the schematic diagram which showed the 1st inspection apparatus 4a is shown in FIG. In the processing chamber 40, the mounting table 41 for arranging the substrate 10 to be processed is disposed, and the CCD camera 43 for inspecting the state of the substrate 10 to be disposed above the mounting table 41. ) Is arranged. The backlight irradiation part 42 is arrange | positioned under the mounting stand 41. FIG.

제1 검사 장치(4a)를 이용하여 피처리 기판(10)을 검사하는 경우에는, 도13의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반송 로봇(62)에 의해 피처리 기판(10)을 설치대(41)에 배치한 후, 도8의 표시 장치(61)에서 확인하면서, 도12에 도시하는 CCD 카메라(43)를 이용하여, 피처리 기판(10)의 위치 조정(얼라인먼트)을 한다. 그 후, 도13의 (b)에 도시하는 바와 같이, 피처리 기판(10)에 인가 커넥터(44)를 접속한다. 도13의 (c)에 도시하는 바와 같이, 백라이트 조사부(42)에 의해, 피처리 기판(10)의 하방으로부터 광을 조사한다. 도13의 (d)에 도시하는 바와 같이, 인가 커넥터(44)에 전압 인가부(45)를 접속하고, 전압 인가부에서 일정 전압을 인가한다. 전압 인가에 의해, 피처리 기판(10) 내부의 액정이 일정 방향으로 배향한다. 그 후, 도13의 (e)에 도시하는 바와 같이, 피처리 기판(10) 내의 측정 영역을 적절하게 선택하고, 측정 영역 내의 액정의 배열 상태를 CCD 카메라(43)에 의해 확인하여, 피처리 기판(10)의 양호ㆍ불량을 판정한다.In the case of inspecting the substrate 10 to be processed using the first inspection device 4a, as shown in FIG. 13 (a), the substrate 10 is mounted on the mounting table by the transfer robot 62. 41, the position adjustment (alignment) of the to-be-processed substrate 10 is performed using the CCD camera 43 shown in FIG. 12, confirming with the display apparatus 61 of FIG. Thereafter, as shown in Fig. 13B, the application connector 44 is connected to the substrate 10 to be processed. As shown in Fig. 13C, the backlight irradiator 42 irradiates light from below the substrate 10 to be processed. As shown in Fig. 13D, the voltage applying unit 45 is connected to the applying connector 44, and a constant voltage is applied from the voltage applying unit. By the application of voltage, the liquid crystal inside the substrate 10 is oriented in a constant direction. Thereafter, as shown in Fig. 13E, the measurement area in the substrate 10 is appropriately selected, the arrangement state of the liquid crystal in the measurement area is confirmed by the CCD camera 43, and the processing is performed. Good or bad of the board | substrate 10 is determined.

(UV 조사부)(UV irradiation department)

(전체 구성)(Overall configuration)

UV 조사부(5)의 일례로서, 제1 UV 조사 장치(5a)를 도시하는 개략도를 도14 에 도시한다. 제1 UV 조사 장치(5a)는, 피처리 기판(10)을 처리하는 처리실(50)과, 처리실(50) 내에 배치되고, 피처리 기판(10)에 자외선을 조사하고, 피처리 기판(10)의 내부에 배향부(21, 22)(도3 참조)를 형성시키기 위한 복수의 램프(52)와, 램프(52)에 대향하고 파장 340 ㎚ 이하의 파장 영역의 자외선의 투과를 억제하는 필터(53)를 구비한다. 도14에서는, 복수의 램프(52)는 처리실(50)의 상방에 위치하고 있지만, 램프(52)의 위치는, 피처리 기판(10)의 위치에 따라서 적절하게 변경해도 상관없다.As an example of the UV irradiation part 5, the schematic diagram which shows the 1st UV irradiation apparatus 5a is shown in FIG. The 1st UV irradiation apparatus 5a is arrange | positioned in the processing chamber 50 which processes the to-be-processed board | substrate 10, and the process chamber 50, irradiates an ultraviolet-ray to the to-be-processed board | substrate 10, and to-be-processed board | substrate 10 ), A plurality of lamps 52 for forming the alignment portions 21 and 22 (see FIG. 3), and a filter that opposes the lamps 52 and suppresses the transmission of ultraviolet rays in the wavelength range of 340 nm or less. 53 is provided. In FIG. 14, although the some lamp 52 is located above the process chamber 50, you may change suitably the position of the lamp 52 according to the position of the to-be-processed board | substrate 10. FIG.

복수의 램프(52)의 상방에는, 램프(52)로부터의 조사 광을 균일화하기 위한 반사경(57)이 각각 배치되어 있다. 도15에 도시하는 바와 같이, 램프(52)와 필터(53)와의 사이에는 복수의 보조 반사판(58)이 배치되어도 상관없다. 도15의 예에 있어서는, 보조 반사판(58)의 내부에 조도(照度)를 검출하기 위한 센서가 배치되어 있고, 센서의 검출 결과에 따라서, 보조 반사판(58)의 각도를 자유롭게 변경 가능해도 좋다. 또한, 복수의 램프(52)의 배치 간격은, 램프의 외경을 D로 하고, D가 25 ㎜ 이하인 경우에, 복수의 램프(52)의 중심 사이 간격(램프 피치)을 5D 내지 6D로 하는 것에 의해, 피처리 기판(10)에 대해 조도 강도의 불균일이 적은 자외선 조사가 가능하다. 또한, D가 20 내지 33 ㎜인 경우에는, 램프 피치를 3D 내지 6D로 할 수도 있다.Above the plurality of lamps 52, reflecting mirrors 57 for uniformizing the irradiation light from the lamps 52 are disposed, respectively. As shown in FIG. 15, a plurality of auxiliary reflecting plates 58 may be disposed between the lamp 52 and the filter 53. In the example of Fig. 15, a sensor for detecting illuminance is disposed inside the auxiliary reflecting plate 58, and the angle of the auxiliary reflecting plate 58 may be freely changed depending on the detection result of the sensor. In addition, the arrangement | positioning interval of several lamp | ramp 52 makes outer diameter of a lamp | ramp D, and when D is 25 mm or less, when the space | interval (lamp pitch) between the centers of several lamp | ramp 52 is 5D-6D, Thereby, ultraviolet irradiation with little nonuniformity of illumination intensity with respect to the to-be-processed substrate 10 is possible. In addition, when D is 20-33 mm, lamp pitch can also be 3D-6D.

도14에 예시하는 실시 형태에 관한 제1 UV 조사 장치(5a)에 있어서는, 램프 외형(D)을 27.5 ㎜로 했을 때의 램프 피치가 7D 내지 8D라도, 일정한 목적을 달성 가능하다. 또한, 후술하는(도25 참조) 냉각관(100)의 외형(D')을 70 ㎜로 한 경우 에는, 램프 피치가 4D로 한 경우라도 균등한 자외선 조사가 가능하다.In the 1st UV irradiation apparatus 5a which concerns on embodiment illustrated in FIG. 14, even if the lamp pitch when the lamp outline D is 27.5 mm is 7D-8D, a fixed objective can be achieved. In addition, when the external shape D 'of the cooling pipe 100 mentioned later (refer FIG. 25) is set to 70 mm, even when the lamp pitch is 4D, the uniform ultraviolet irradiation is possible.

도17에 도시하는 바와 같이, 램프(52)의 길이 방향(축 방향)에서 본 경우의 램프(52)의 중심부 부근에는, 램프(52)의 조도를 계측하기 위한 제1 조도계(55) 및 제2 조도계(56)가 배치되어 있다. 도14에 도시하는 바와 같이, 제1 조도계(55) 및 제2 조도계(56)는 복수의 램프(52) 각각의 상방에, 각각 1개씩 배치가능하다. 제1 조도계(55) 및 제2 조도계(56)는, 램프 제어 장치(7)에 접속되어 있어, 제1 조도계(55) 및 제2 조도계(56)가 검출한 조도치에 따라서, 램프(52)의 전력이 제어 가능하게 되어 있다. 또한, 램프(52)의 상방에는, 1 종류의 조도계만이 배치되어 있어도 상관없다.As shown in Fig. 17, the first illuminometer 55 and the first illuminometer 55 for measuring the illuminance of the lamp 52 in the vicinity of the central portion of the lamp 52 when viewed in the longitudinal direction (axial direction) of the lamp 52 are formed. 2 illuminometers 56 are arranged. As shown in Fig. 14, the first illuminometer 55 and the second illuminometer 56 can be arranged one above each of the plurality of lamps 52, respectively. The first illuminometer 55 and the second illuminometer 56 are connected to the lamp control device 7, and according to the illuminance values detected by the first illuminometer 55 and the second illuminometer 56, the lamp 52 ) Can be controlled. In addition, only one type of illuminometer may be disposed above the lamp 52.

제1 조도계(55)로서는, 예를 들어, 파장 영역 340 내지 370 ㎚ 사이에 피크 감도를 갖는 조도계를 이용할 수 있다. 이것에 의해, 후술하는 램프(52)의 파장 365 ㎚에 있어서의 발광 피크를 보다 고정밀도로 검출할 수 있고, 도1의 피처리 기판(10)의 고분자체(18)의 중합, 및 피처리 기판(10)의 품질 열화 억제에 적합한 파장 영역의 조사치를 보다 고정밀도로 검출할 수 있다. 도18에 제1 조도계(55)로서 적절한 조도계의 분광 감도의 일례(UV-35)를 나타낸다.As the first illuminometer 55, for example, an illuminometer having a peak sensitivity between the wavelength ranges 340 to 370 nm can be used. Thereby, the emission peak in wavelength 365nm of the lamp 52 mentioned later can be detected more accurately, and the superposition | polymerization of the polymer body 18 of the to-be-processed substrate 10 of FIG. The irradiation value of the wavelength range suitable for suppressing the quality deterioration of (10) can be detected with higher accuracy. 18 shows an example (UV-35) of the spectral sensitivity of an illuminometer suitable as the first illuminometer 55. As shown in FIG.

제2 조도계(56)로서는, 제1 조도계(55)와는 다른 파장 영역, 예를 들어, 파장 영역 305 내지 320 ㎚ 사이에 피크 감도를 갖는 조도계를 이용할 수 있다. 이것에 의해, 도1의 피처리 기판(10)의 고분자체의 중합 저해 및 피처리 기판(10)의 품질을 저하시킬 가능성이 있는 파장, 예를 들어, 313 ㎚에 있어서의 발광 피크를 보다 고정밀도로 검출할 수 있다. 도19에 제2 조도계(56)로서 적절한 조도계의 분 광 감도의 예(UV-31)를 나타낸다.As the second illuminometer 56, an illuminometer having a peak sensitivity between a wavelength region different from the first illuminometer 55, for example, the wavelength region 305 to 320 nm can be used. As a result, the emission peak at a wavelength, for example, 313 nm, which may inhibit the polymerization of the polymer body of the substrate 10 of FIG. 1 and degrade the quality of the substrate 10, can be more accurately. Can be detected by road. Fig. 19 shows an example (UV-31) of spectroscopic sensitivity of an illuminometer suitable as a second illuminometer 56. Figs.

도14에 도시하는 처리실(50)의 내부에는, 피처리 기판(10)을 배치하기 위한 스테이지(51)가 설치되어 있다. 스테이지(51) 상에는, 피처리 기판(10)을 냉각하는 냉각판(54)이 배치되어 있어도 좋다. 또한, 냉각판(54)을 제어하고, 램프(52)로부터의 광 조사에 의한 피처리 기판(10)의 온도 상승을 제어하기 위해, 기판 온도 제어 장치(8)가 배치되어 있어도 좋다. 스테이지(51)를, 피처리 기판(10)의 길이 방향으로 이동시키기 위한 이동 제어 장치(9)가 배치되어 있어도 좋다. 또한 처리실(50)에는, 피처리 기판(10)에 전압을 인가하여, 피처리 기판(10)의 내부에 형성되는 배향부(21, 22)(도3 참조)의 형성을 조장 또는 제어하기 위한 전압 인가 제어 장치(64)가 접속되어 있다.In the processing chamber 50 shown in Fig. 14, a stage 51 for arranging the substrate 10 to be processed is provided. On the stage 51, the cooling plate 54 which cools the to-be-processed board | substrate 10 may be arrange | positioned. Moreover, in order to control the cooling plate 54 and to control the temperature rise of the to-be-processed substrate 10 by light irradiation from the lamp 52, the board | substrate temperature control apparatus 8 may be arrange | positioned. The movement control apparatus 9 for moving the stage 51 to the longitudinal direction of the to-be-processed substrate 10 may be arrange | positioned. In addition, a voltage is applied to the processing target substrate 10 in the processing chamber 50 to promote or control the formation of the alignment portions 21 and 22 (see FIG. 3) formed in the processing target substrate 10. The voltage application control device 64 is connected.

후술하는 상세 구조에 의해 더 명백하게 되지만, 도14에 도시하는 제1 UV 조사 장치(5a)에 따르면, 제조 후의 액정 패널의 성능 등에 영향을 미치는 파장 영역의 자외선 조사를 억제할 수 있어, 고성능으로 수율을 향상시킨 액정 패널을 제조할 수 있다.Although it becomes clear by the detailed structure mentioned later, according to the 1st UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 14, ultraviolet irradiation of the wavelength range which affects the performance of the liquid crystal panel after manufacture, etc. can be suppressed, and a yield is high performance. The liquid crystal panel which improved this can be manufactured.

(램프)(lamp)

도17에 도시하는 램프(52)로서는, 예를 들어, 자외선 투과성을 갖는 석영제 기밀성 용기(520)의 내부에 텅스텐(W)제 등의 전극(521, 522)이 배치된 외관 직경 27.5 ㎜, 두께 1.5 ㎜, 발광 길이(L)가 1000 ㎜, 램프 전압 1275 V, 램프 전압치 13.5 A의 자외선 램프 등이 이용 가능하다. 기밀성 용기(520)의 내부에는 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스가 봉입되어 있다.As the lamp 52 shown in Fig. 17, for example, an outer diameter of 27.5 mm in which electrodes 521 and 522 made of tungsten (W) and the like are disposed in a quartz hermetic container 520 having ultraviolet ray permeability, An ultraviolet lamp with a thickness of 1.5 mm, a light emission length L of 1000 mm, a lamp voltage of 1275 V, and a lamp voltage value of 13.5 A can be used. A rare gas such as argon (Ar) gas is enclosed in the airtight container 520.

이와 같은 자외선 램프로서는, 기밀성 용기(520)의 내부에 수은(Hg)과 파장 영역 300 내지 400 ㎚에 있어서 수은의 스펙트럼 이외에 적어도 1개 이상의 발광을 갖는 금속 봉입물이 봉입된 램프가 적절하다. 예를 들어, 기밀성 용기(520)의 내부에 수은과 소량의 희가스를 봉입시킨 고압 수은 램프, 또는 기밀성 용기(520)의 내부에 수은과 할로겐화한 금속을 봉입한 메탈 할라이드 램프 등의 고휘도 방전 램프 등이 이용 가능하다.As such an ultraviolet lamp, the lamp in which the metal enclosure which has mercury (Hg) and at least 1 light emission other than the spectrum of mercury in the wavelength region 300-400 nm is enclosed in the airtight container 520 is suitable. For example, a high-brightness mercury lamp in which mercury and a small amount of rare gas are enclosed in the hermetic container 520, or a high-brightness discharge lamp such as a metal halide lamp in which mercury and a halogenated metal are enclosed in the hermetic container 520. This is available.

특히, 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리하는 경우에 적절한 램프(52)로서는, 기밀성 용기(520)의 내부에 수은과 할로겐화 탈륨이 봉입된 탈륨계 메탈 할라이드 램프를 이용할 수 있다. 예를 들어, 수은 1.6 ㎎/㏄, 요오드화 탈륨(TlI) 0.1 ㎎/㏄, 아르곤 1.33 ㎪ 정도 봉입한 탈륨계 메탈 할라이드 램프를 이용한 경우에는, 도20에 나타내는 바와 같이, 파장 352 ㎚, 365 ㎚, 378 ㎚ 부근에 큰 발광 피크를 갖고, 그때의 전기적 특성은 1250 V, 14.0 A 정도를 나타낸다.In particular, as the lamp 52 suitable for processing the substrate 10 shown in Fig. 1, a thallium-based metal halide lamp in which mercury and thallium halide is sealed in the hermetic container 520 can be used. For example, in the case of using a thallium-based metal halide lamp encapsulated with mercury 1.6 mg / dl, thallium iodide (TlI) 0.1 mg / dl, and argon 1.33 dl, as shown in Fig. 20, the wavelength is 352 nm, 365 nm, It has a large emission peak around 378 nm, and the electrical characteristics at that time show about 1250 V and about 14.0 A.

탈륨(Tl)은, 352 ㎚, 378 ㎚의 파장 영역 내에 강한 휘선 스펙트럼을 갖고, 수은의 발광 강도를 감소시키는 효과를 갖는다. 그 때문에, 예를 들어, 313 ㎚의 수은 발광을 억제하고, 340 내지 400 ㎚의 파장 영역의 발광을 상대적으로 많게 한 자외선을 발광시킬 수 있다. 따라서, 탈륨을 포함하는 램프(52)를 도14의 액정 패널 제조 장치에 이용하는 것에 의해, 도3의 액정 패널(20)의 특성에 크게 영향을 미치는 파장 영역 340 ㎚ 이하의 자외선의 조사를 저감할 수 있다.Thallium (Tl) has a strong bright spectrum in the wavelength region of 352 nm and 378 nm, and has the effect of reducing the luminescence intensity of mercury. Therefore, for example, the mercury emission of 313 nm can be suppressed, and the ultraviolet-ray which made the light emission of the wavelength region of 340-400 nm relatively large can be emitted. Therefore, by using the lamp 52 containing thallium in the liquid crystal panel manufacturing apparatus of FIG. 14, irradiation of ultraviolet rays having a wavelength region of 340 nm or less, which greatly affects the characteristics of the liquid crystal panel 20 of FIG. 3, can be reduced. Can be.

할로겐화 탈륨의 봉입량은, 램프의 내경(D) ≤ 30 ㎜의 경우에, 봉입량(M)은 0.01 ㎎/㏄ ≤ M ≤ 0.3 ㎎/㏄로부터 선택되는 양으로 하는 것이 바람직하다. 보 다 바람직하게는, 램프의 내경(D)이 D ≤ 30 ㎜, 발광 길이(L)가 500 ㎜ ≤ L ≤ 2500 ㎜로 한 경우에, 수은의 봉입량(Hg)을 0.9 ㎎/㏄ ≤ Hg ≤ 2.0 ㎎/㏄, 할로겐화 탈륨의 봉입량(M)을 0.012 ㎎/㏄ ≤ M ≤ 0.1 ㎎/㏄ 중으로부터 선택되는 양으로 하는 것이 바람직하다.In the case where the inner diameter D of the lamp is ≤ 30 mm, the amount of encapsulation of thallium halide is preferably set to an amount selected from 0.01 mg / dl? M? 0.3 mg / dl. More preferably, when the inner diameter D of the lamp is D ≦ 30 mm and the emission length L is 500 mm ≦ L ≦ 2500 mm, the loading amount of mercury (Hg) is 0.9 mg / dl ≦ Hg It is preferable to make the loading amount M of <2.0 mg / dl and thallium halide into the quantity chosen from 0.012 mg / dl <M <0.1 mg / dl.

할로겐화 탈륨의 봉입량(M)을 M ≤ 0.3 ㎎/㏄로 하는 것에 의해, 램프(52)의 축 방향에 대해 균일한 조도가 얻어지기 때문에, 피처리 기판(10)에 대한 자외선의 균일한 조사를 실현할 수 있다. 또한, 도20을 참조하면 알 수 있는 바와 같이, 피처리 기판(10)의 특성에 영향을 미치는 파장 313 ㎚의 조도의 피크치를, 파장 365 ㎚의 조도의 피크치에 비해 5 % 이하로 저감할 수 있으므로, 자외선 조사 후의 액정 패널의 특성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 할로겐화 탈륨의 봉입량을 0.3 ㎎/㏄ 이상으로 하면, 기밀성 용기(520) 내에 봉입된 탈륨이, 램프(52)의 길이 방향으로 불균일하게 분산되기 때문에 발광 분리가 생기고, 램프 성능이 저하된다.Uniform illumination of the axial direction of the lamp 52 is obtained by setting the amount M of encapsulation of thallium halide to M ≦ 0.3 mg / dl, so that uniform irradiation of ultraviolet rays to the substrate 10 to be processed is performed. Can be realized. 20, the peak value of the illuminance of wavelength 313 nm which affects the characteristic of the to-be-processed substrate 10 can be reduced to 5% or less compared with the peak value of the illuminance of wavelength 365 nm. Therefore, the characteristic of the liquid crystal panel after ultraviolet irradiation can be improved more. On the other hand, when the encapsulation amount of thallium halide is 0.3 mg / dl or more, the thallium encapsulated in the hermetic container 520 is unevenly dispersed in the longitudinal direction of the lamp 52, resulting in luminescence separation and deterioration in lamp performance. .

램프(52)로서는, 도21에 나타내는 바와 같은 스펙트럼을 갖는 철계 메탈 할라이드 램프를 이용할 수도 있다. 예를 들어, 수은 1.2 ㎎/㏄, 철 0.027 ㎎/㏄, 요오도화 수은 0.1 ㎜/㏄의 방전 매체를 기밀 용기 내에 봉입한 철계 메탈 할라이드 램프는, 도21로부터 알 수 있는 바와 같이, 파장 365 ㎚에 가장 큰 발광 피크를 갖는다.As the lamp 52, an iron-based metal halide lamp having a spectrum as shown in FIG. 21 can also be used. For example, an iron-based metal halide lamp in which a discharge medium of mercury 1.2 mg / dl, iron 0.027 mg / dl and mercury iodide 0.1 mm / dl was sealed in an airtight container, as can be seen from FIG. 21, a wavelength 365 nm. Has the largest luminescence peak in.

도22에 나타내는 바와 같이, 철계 메탈 할라이드 램프와, 탈륨계 메탈 할라이드 램프를 비교한 경우는, 도1의 피처리 기판(10)의 제조 후의 특성에 영향을 미치는 파장 340 ㎚ 이하의 조도의 파장을 적분하여 비교하면, 철계 메탈 할라이드 램프의 쪽이, 탈륨계 메탈 할라이드 램프에 비해 값이 2배 이상 많은 것을 알았다.As shown in Fig. 22, when the iron-based metal halide lamp and the thallium-based metal halide lamp are compared, the wavelength of illuminance having a wavelength of 340 nm or less that affects the characteristics after manufacture of the substrate 10 to be processed in FIG. Integrating and comparing, it turned out that the iron type metal halide lamp has more than twice the value compared with the thallium type metal halide lamp.

따라서, 램프(52)로부터의 파장 340 ㎚ 이하의 파장 영역의 발광 그 자체를 억제하고자 하는 경우는, 철계 메탈 할라이드 램프보다도 탈륨계 메탈 할라이드 램프를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 파장 영역 340 ㎚ 이하의 자외선은, 후술하는 필터(53)에 의해 투과를 억제할 수도 있기 때문에, 조사 가능한 파장 영역이 상대적으로 넓은 자외선을 발광하는 램프를 사용하고자 하는 경우는, 탈륨계 메탈 할라이드 램프보다도 철계 메탈 할라이드 램프를 이용하는 것이 바람직하다.Therefore, in the case where it is desired to suppress the light emission itself in the wavelength range of 340 nm or less from the lamp 52, it is preferable to use a thallium-based metal halide lamp rather than an iron-based metal halide lamp. In addition, since ultraviolet ray of 340 nm or less of wavelength range can suppress transmission by the filter 53 mentioned later, when using the lamp which emits ultraviolet-ray which has a comparatively large wavelength range which can be irradiated, thallium type metal It is preferable to use an iron metal halide lamp rather than a halide lamp.

도23에 실시 형태에 관한 철계 메탈 할라이드 램프와 비교예로서의 수은 램프의 분광 분포의 비교예를 나타낸다. 수은 램프는, 365 ㎚, 313 ㎚, 303 ㎚의 파장 영역에 큰 발광 피크를 갖는다. 365 ㎚ 주변 조도에 주목한 경우, 철계 메탈 할라이드 램프는, 수은 램프에 비해 45 % 정도 낮은 조도를 나타내지만, 피처리 기판(10)으로의 조사에 적절한 파장 영역인 340 내지 380 ㎚에 있어서는, 전체적으로 높은 조도를 갖는다.23 shows a comparative example of the spectral distribution of the iron-based metal halide lamp according to the embodiment and the mercury lamp as a comparative example. The mercury lamp has a large emission peak in the wavelength region of 365 nm, 313 nm, and 303 nm. When attention is paid to the 365 nm ambient illuminance, the iron-based metal halide lamp exhibits an illuminance of about 45% lower than that of the mercury lamp, but in 340 to 380 nm, which is a wavelength region suitable for irradiation to the substrate 10 to be processed, as a whole, High illuminance

수은 램프는, 피처리 기판(10)의 특성에 변화를 미치는 340 ㎚ 이하의 파장 영역에 높은 발광 피크를 갖기 때문에, 피처리 기판(10)의 성능 향상을 고려하면, 수은 램프보다도 철계 메탈 할라이드 램프를 이용하는 것이 바람직하다.Since the mercury lamp has a high emission peak in the wavelength region of 340 nm or less that changes the characteristics of the substrate 10, in view of improving the performance of the substrate 10, the mercury lamp is more than an iron-based metal halide lamp. It is preferable to use.

도24의 예에 나타내는 바와 같이, 발광 길이(L)가 1800 ㎚인 철계 메탈 할라이드 램프를 이용하여 조도를 측정한 경우에는, 램프(52)의 축 방향에 대해 대략 균일한 조도가 얻어지고 있기 때문에, 철계 메탈 할라이드 램프는, 피처리 기판(10)을 대형화하는 경우에 적절하다. 또한, 도14에 도시하는 제1 UV 조사 장 치(5a)에 적용하는 경우는, 발광 길이(L)가 2500 ㎜인 철계 메탈 하이드 램프를 이용한 경우에 있어서도, 도24와 실질적으로 마찬가지의 효과가 얻어진다.As shown in the example of Fig. 24, when illuminance is measured using an iron-based metal halide lamp having a light emission length L of 1800 nm, since roughness is substantially uniform with respect to the axial direction of the lamp 52, The iron metal halide lamp is suitable for increasing the size of the substrate 10 to be processed. In addition, when applied to the 1st UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 14, also when using the iron type metal hydride lamp whose light emission length L is 2500 mm, the effect similar to FIG. 24 is the same. Obtained.

(램프 수냉 구조)(Lamp water cooling structure)

도14에 도시하는 램프(52)의 주변부를 나타내는 모식도를 도25에 도시한다. 램프(52)는, 내관(101) 및 외관(102)의 이중관 구조를 갖는 냉각관(100)으로 둘러싸여 있다. 내관(101)과 외관(102) 사이에는, 램프(52)를 냉각하기 위한 물(순수)이 수용되어 있다. 또한, 내관(101)과 외관(102)과의 사이에는, 분광 특성을 갖고, 램프(52)로부터의 적외선을 흡수하기 위한 열 흡수 필터(103)가, 램프(52)를 둘러싸도록 배치되어 있다.25 is a schematic diagram showing the periphery of the lamp 52 shown in FIG. The lamp 52 is surrounded by a cooling tube 100 having a double tube structure of an inner tube 101 and an outer tube 102. Between the inner tube 101 and the exterior 102, water (pure water) for cooling the lamp 52 is accommodated. Moreover, between the inner tube 101 and the exterior 102, it has a spectral characteristic, and the heat absorption filter 103 for absorbing the infrared rays from the lamp 52 is arrange | positioned so that the lamp 52 may be enclosed. .

열 흡수 필터(103)로서는, 적외선을 흡수하는 동시에, 약 300 내지 400 ㎚의 파장 영역의 자외선을 선택적으로 투과 가능한 분광 특성을 갖는 열 흡수 필터가 바람직하다. 예를 들어, 도26에 나타내는 바와 같이, 260 내지 400 ㎚의 파장 영역에 분광 투과율의 피크를 갖는 열 흡수 필터가 이용 가능하다. 도26에 나타내는 바와 같은 분광 특성을 갖는 열 흡수 필터(103)를 배치하는 것에 의해, 피처리 기판(10) 내부의 고분자체(18)를 효율적으로 반응시키는 파장 영역의 자외선을 투과시키는 것이 가능하게 되는 동시에, 피처리 기판(10)의 가열의 원인으로 되는 적외선의 조사가 억제되기 때문에, 피처리 기판(10)의 특성 열화가 더 억제되어, 제조 후의 액정 패널의 수율 및 성능이 향상된다.As the heat absorption filter 103, a heat absorption filter having a spectral characteristic capable of absorbing infrared rays and selectively transmitting ultraviolet rays in a wavelength range of about 300 to 400 nm is preferable. For example, as shown in Fig. 26, a heat absorption filter having a peak of spectral transmittance in a wavelength region of 260 to 400 nm can be used. By arranging the heat absorption filter 103 having the spectral characteristics as shown in FIG. 26, it is possible to transmit ultraviolet rays in the wavelength region for efficiently reacting the polymer body 18 inside the substrate 10 to be processed. At the same time, since irradiation of infrared rays which causes heating of the substrate 10 to be processed is suppressed, deterioration of characteristics of the substrate 10 to be processed is further suppressed, and the yield and performance of the liquid crystal panel after manufacture are improved.

(필터)(filter)

도14에 도시하는 필터(53)로서는, 석영이나 유리제 기체(基體) 중에 흡수물 을 첨가한 흡수형 광학 필터나 석영이나 유리를 기체로 하는 판의 상면에 복수층의 박막을 증착시킨 다층막형 필터의 이용이 가능하다. 필터(53)의 특징으로서는, 단파장의 컷 오프 파장을 적어도 320 내지 360 ㎚의 파장 영역 내에 갖는 저역 통과 필터가 바람직하다. 또한, 실시 형태에 관한 필터(53)에 있어서「컷 오프 파장」이라 함은, 수직 입사(입사각 0도)시의 파장에 의해 정의되는 컷 오프 파장을 가리킨다. 특히, 다층막 필터에 있어서는 자외선의 입사각이 커지면 컷 오프 파장이 단파장측으로 이동한다. 예를 들어, 컷 오프 파장을 340 ㎚에 갖는 다층막 필터의 경우는 입사각을 30°, 60°로 하는 것에 의해 컷 오프 파장이 330 ㎚, 310 ㎚ 부근으로 단파장측으로 시프트되어, 입사각에 대한 컷 오프 파장의 변화 폭이 커진다. 또 다른 일례의 필터로서, 컷 오프 파장이 320 ㎚의 임의의 흡수형 필터에 있어서는 자외선의 입사각이 변화해도 컷 오프 파장은 320 ㎚를 확보하고, 365 ㎚의 투과율이 입사각 50°, 60°, 70°에서 95 %, 85 %, 70 %로 저하하는 특징으로 된다.As the filter 53 shown in Fig. 14, an absorption type optical filter in which an absorbent is added in quartz or a glass substrate, or a multilayer film filter in which a plurality of layers of thin films are deposited on the upper surface of a plate made of quartz or glass as a substrate. Is available. As a characteristic of the filter 53, a low pass filter having a short wavelength cutoff wavelength within a wavelength range of at least 320 to 360 nm is preferable. In addition, in the filter 53 which concerns on embodiment, a "cut off wavelength" points out the cut-off wavelength defined by the wavelength at the time of perpendicular incidence (incidence angle 0 degree). In particular, in a multilayer film filter, when the incident angle of ultraviolet rays increases, the cut-off wavelength moves to the short wavelength side. For example, in the case of a multilayer film filter having a cutoff wavelength at 340 nm, the cutoff wavelength is shifted to the short wavelength side near 330 nm and 310 nm by setting the angle of incidence to 30 ° and 60 °, and thus the cutoff wavelength with respect to the angle of incidence. The range of change becomes larger. As another example of the filter, in any absorption type filter having a cutoff wavelength of 320 nm, the cutoff wavelength is 320 nm even if the incident angle of ultraviolet rays changes, and the transmittance of 365 nm is 50 °, 60 °, and 70 nm. It becomes the characteristic to fall to 95%, 85%, 70% at °.

피처리 기판(10) 내부의 고분자체(18)의 중합을 촉진시켜 배향부(21, 22)를 형성하고, 제조 후의 액정 패널(20)의 특성 변화를 저감하기 위해서는, 자외선 조사를 제어하는 필터(53)로서 컷 오프 파장을 320 내지 360 ㎚, 바람직하게는 330 내지 350 ㎚의 파장 영역에 갖고, 또한 자외선의 입사각을 0 내지 60°로 한 경우의 컷 오프 파장의 변화(N)가 -15 ㎚ < N < 15 ㎚의 범위에 있는 다층막 필터나, 컷 오프 파장을 320 ㎚ 내지 340 ㎚에 갖는 흡수형 필터를 이용할 수 있다.In order to accelerate the polymerization of the polymer 18 inside the substrate 10 to form the alignment portions 21 and 22 and to reduce the characteristic change of the liquid crystal panel 20 after manufacture, a filter for controlling ultraviolet irradiation. The change (N) of the cutoff wavelength when the cutoff wavelength is 320 to 360 nm, preferably 330 to 350 nm as (53) and the incident angle of ultraviolet rays is 0 to 60 ° is -15. A multilayer film filter in the range of nm < N < 15 nm or an absorption filter having a cutoff wavelength of 320 nm to 340 nm can be used.

(램프 제어 장치)(Lamp control unit)

도14에 도시하는 램프 제어 장치(7)는, 도29에 나타내는 바와 같이, 램프 전력 제어부(71), 조도 판정부(72), 적산 광량 판정부(73), 균제도 판정부(74)를 구비한다. 램프 제어 장치(7)에는, 피처리 기판(10)의 처리에 적절한 조도치의 설정치 등의 다양한 데이터를 기억시키기 위한 기억 장치(75)가 설치되어 있어도 좋다.As shown in FIG. 29, the lamp control device 7 shown in FIG. 14 includes a lamp power control unit 71, an illuminance determination unit 72, an integrated light amount determination unit 73, and a uniformity determination unit 74. do. The lamp control device 7 may be provided with a storage device 75 for storing various data such as setting values of illuminance values suitable for the processing of the processing target substrate 10.

램프 전력 제어부(71)는, 조도 판정부(72), 적산 광량 판정부(73), 균제도 판정부(74)의 판정 결과를 기초로 하여 램프의 전력을 제어한다. 조도 판정부(72)는, 기억 장치(75)에 기억된 조도치의 설정 데이터 등을 판독하여, 제1 조도계(55) 또는 제2 조도계(56)가 검출한 조도치가, 소정의 범위 내에 있는지 여부를 판정할 수 있다.The lamp power control unit 71 controls the power of the lamp based on the determination results of the illuminance determination unit 72, the accumulated light amount determination unit 73, and the uniformity determination unit 74. The illuminance determination unit 72 reads setting data of the illuminance value stored in the storage device 75, and whether the illuminance value detected by the first illuminometer 55 or the second illuminometer 56 is within a predetermined range. Can be determined.

도30에, 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리하는 경우의 조도치, 조사 시간과, 도3에 도시하는 배향부(21, 22)의 배향 상태(중합 효과), 열화, 생산 효율의 관계를 나타낸다. 「조도치」는, 제1 조도계(55)로서, 도18에 나타내는 분광 감도를 갖는 조도계에서 검출한 값을 나타내고 있다. 또한, 이하에 있어서「조사 시간」은, 램프(52)로부터 도1의 피처리 기판(10)에 실제로 조사하는 시간을 나타낸다.Fig. 30 shows the illuminance value, irradiation time, and orientation state (polymerization effect), deterioration, and production of the alignment portions 21 and 22 shown in Fig. 3 when the substrate 10 to be processed shown in Fig. 1 is processed. The relationship of efficiency is shown. The "illuminance value" is the 1st illuminometer 55, and has shown the value detected by the illuminometer which has the spectral sensitivity shown in FIG. In addition, "irradiation time" below shows the time which actually irradiates the to-be-processed substrate 10 of FIG. 1 from the lamp 52. FIG.

도30에 나타내는 바와 같이, 제1 조도계(55)가 검출하는 조도치가 25 ㎽/㎠ 이하인 경우에는, 도1의 고분자체(18)의 중합 효과는 얻어지지만, 제조 후의 액정 패널(20)에 열화가 생기고, 생산 효율도 낮아진다. 조도치가 40 ㎽/㎠ 이상이 되면 양호하게 중합이 진행되어 생산 효율도 향상되지만, 100 ㎽/㎠ 보다 높아지면 고분자체로의 데미지가 커지므로, 75 ㎽/㎠로 억제함으로써, 중합 효과도 얻어지 고, 또한 제조 후의 액정 패널(20)의 열화도 생기기 어렵게 할 수 있다.As shown in FIG. 30, when the roughness value detected by the first illuminometer 55 is 25 mW / cm 2 or less, the polymerization effect of the polymer body 18 of FIG. 1 is obtained, but deteriorates in the liquid crystal panel 20 after manufacture. And production efficiency is lowered. When the roughness value is 40 mW / cm 2 or more, the polymerization proceeds satisfactorily and the production efficiency is improved. However, when the roughness value is higher than 100 mW / cm 2, the damage to the polymer body increases, so that the polymerization effect is also obtained by suppressing it at 75 mW / cm 2. Further, deterioration of the liquid crystal panel 20 after production can also be made less likely.

따라서, 조도 판정부(72)는, 도1의 피처리 기판(10)을 처리하는 경우는, 제1 조도계(55)의 조도치가, 예를 들어 25 ㎽/㎠ 이상인지, 바람직하게는, 25 내지 100 ㎽/㎠의 범위에 있는지, 보다 바람직하게는 40 내지 75 ㎽/㎠의 범위에 있는지 여부를 판정하고, 판정 결과를 기초로 하여, 램프 전력 제어부(71)에 의해 램프(52)의 전압 또는 전류를 제어하는 것이 바람직하다.Therefore, when the illuminance determination unit 72 processes the substrate 10 of FIG. 1, the illuminance value of the first illuminometer 55 is, for example, 25 Pa / cm 2 or more, preferably, 25 It is judged whether it exists in the range of -100 mW / cm <2>, More preferably, it is in the range of 40-75 mW / cm <2>, and the voltage of the lamp 52 by the lamp power control part 71 is based on a determination result. Alternatively, it is desirable to control the current.

일반적으로, 램프(52)는, 수명이 다해감에 따라서 광량이 서서히 저하하는 경향이 있다. 그 때문에, 제1 조도계(55) 등이 검출하는 조도치도 시간의 경과와 함께 낮아진다. 복수의 피처리 기판(10)에 대해 각각 균등한 광량으로 자외선을 조사하기 위해서는, 점등 시간이 장기화됨에 따라서 램프(52)가 열화하고, 조도가 낮아진 경우에, 전압 또는 전류를 올려 조도를 일정 이상으로 유지하는 것이 바람직하다.In general, the lamp 52 tends to decrease gradually as the life approaches the end of life. Therefore, the illuminance value detected by the first illuminometer 55 or the like also decreases with time. In order to irradiate ultraviolet rays with a light quantity equal to each of the plurality of substrates 10 to be processed, the lamp 52 deteriorates as the lighting time is prolonged, and when the illuminance is lowered, the illuminance is raised by a voltage or a current higher than a certain level. It is preferable to keep it.

도14에 도시하는 액정 패널 제조 장치에 있어서는, 조도 판정부(72)가, 제1 조도계(55) 또는 제2 조도계(56)의 조도치를 검출하고, 램프(52)의 점등 시간에 대한 제1 조도계(55) 또는 제2 조도계(56)의 조도치의 변화량이 약 10 % 이하로 된 경우에, 조도치를 소정의 값으로 복귀시키도록, 램프의 전압 또는 전류를 제어할 수 있다. 또한「점등 시간」이라 함은, 램프(52)를 실제로 점등시킨 시간의 적산치를 나타낸다.In the liquid crystal panel manufacturing apparatus shown in FIG. 14, the illuminance determination unit 72 detects the illuminance value of the first illuminometer 55 or the second illuminometer 56, and the first illuminance value for the lighting time of the lamp 52. When the amount of change in the illuminance value of the illuminometer 55 or the second illuminometer 56 is about 10% or less, the voltage or current of the lamp can be controlled to return the illuminance value to a predetermined value. In addition, "lighting time" shows the integrated value of the time which actually lit the lamp 52. FIG.

적산 광량 판정부(73)는,「적산 광량」이 일정치 이상으로 되는지 여부를 판정한다. 「적산 광량」이라 함은, 제1 조도계(55)가 검출한 조도치와 램프(52)의 조사 시간과의 곱으로 나타난다. 예를 들어, 도1의 피처리 기판(10)을 처리하는 경우에 있어서는, 적산 광량 판정부(73)가, 적산 광량이 2000 mJ/㎠ 이상이 되는지 여부를 판정할 수 있다. 적산 광량을 2000 mJ/㎠ 이상으로 하는 것에 의해, 피처리 기판(10) 내부의 고분자체(18)의 중합 효과가 얻어지는 동시에, 도3의 액정 패널의 특성 열화가 생기기 어려워진다. 한편, 2000 mJ/㎠ 이하로 하는 것에 의해, 도3의 액정 패널 내부의 배향부(21, 22)의 형성이 충분히 행해지지 않기 때문에 성능 저하를 초래한다.The accumulated light amount determining unit 73 determines whether or not the "accumulated light amount" becomes a predetermined value or more. The "accumulated light quantity" is represented by the product of the illuminance value detected by the first illuminometer 55 and the irradiation time of the lamp 52. For example, when processing the to-be-processed substrate 10 of FIG. 1, the accumulated light amount determination part 73 can determine whether the accumulated light amount becomes 2000 mJ / cm <2> or more. By setting the accumulated light amount to 2000 mJ / cm 2 or more, the polymerization effect of the polymer body 18 inside the substrate 10 to be processed is obtained, and the deterioration of characteristics of the liquid crystal panel of FIG. 3 hardly occurs. On the other hand, by setting it as 2000 mJ / cm <2> or less, since the formation of the orientation part 21, 22 in the inside of the liquid crystal panel of FIG. 3 is not fully performed, performance falls.

균제도 판정부(74)는, 제1 조도계(55) 또는 제2 조도계가 검출한 최대 조도치와 최소 조도치로부터 계산되는「균제도」가, 소정치 이상인지 여부를 판정한다. 「균제도(均齊度)」라 함은, 도31에 나타내는 바와 같이, 피처리 기판(10)의 길이 방향과 조도의 관계에 주목한 경우에, 제1 조도계(55)[또는 제2 조도계(56)]가 검출한 조도치의 최대 조도치(MAX)와 최소 조도치(MIN)를 이용하여,The homogeneity determination unit 74 determines whether the "evenness system" calculated from the maximum illuminance value and the minimum illuminance value detected by the first illuminometer 55 or the second illuminometer is greater than or equal to a predetermined value. As shown in FIG. 31, "evenness" means the first illuminometer 55 (or the second illuminometer) when attention is paid to the relationship between the longitudinal direction and the roughness of the substrate 10 to be processed. 56)] using the maximum illuminance value MAX and the minimum illuminance value MIN of the illuminance value detected by the

균제도(%) = [1 - (MAX - MIN)/(MAX + MIN)] × 100Uniformity (%) = [1-(MAX-MIN) / (MAX + MIN)] × 100

에 의해 나타내어지는 조도의 균일성의 비율을 말한다.The ratio of the uniformity of roughness represented by

도32에 나타내는 바와 같이, 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리하는 경우는, 파장 영역 340 내지 370 ㎚ 사이에 피크 감도를 갖는 조도계를 이용하여 계산한 경우의 균제도를 75 % 이상으로 하는 것에 의해, 도3의 액정 패널(20)의 응답 속도, 투과율, 콘트라스트, 편광(광) 특성 등의 다양한 성능이 향상된다. 따라서, 균제도 판정부(74)는, 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리하는 경우에는, 제1 조도계(55)에서 산출한 경우의 균제도가 75 % 이상인지 여부를 판정하고, 그 판정 결과를 기초로 하여, 램프 전력 제어부(71)에 의해 램프의 전압 또는 전류를 제어하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 32, when processing the to-be-processed substrate 10 shown in FIG. 1, the uniformity at the time of using the illuminometer which has peak sensitivity between wavelength ranges 340-370 nm shall be 75% or more. By doing so, various performances such as response speed, transmittance, contrast, and polarization (light) characteristics of the liquid crystal panel 20 shown in FIG. 3 are improved. Therefore, when processing the to-be-processed board | substrate 10 shown in FIG. 1, the uniformity determination part 74 judges whether the uniformity in the case of calculating by the 1st illuminometer 55 is 75% or more, and the Based on the determination result, it is preferable that the lamp power control unit 71 control the voltage or current of the lamp.

(기판 온도 제어 기구)(Substrate temperature control mechanism)

도14에 도시하는 냉각판(54)을 상면에서 본 경우의 모식도를 도33에 도시한다. 냉각판(54)은, 예를 들어, 알루미늄 등의 금속제로, 내부에 냉각수를 유통시키기 위한 냉각수 유로(541)를 구비하고 있다. 냉각수의 유통 속도는, 도14에 도시하는 기판 온도 제어 장치에 의해 제어되고 있어도 좋고, 일정 속도라도 상관없다.33 is a schematic view of the cooling plate 54 shown in FIG. 14 as viewed from the top. The cooling plate 54 is made of metal, such as aluminum, for example, and has the cooling water flow path 541 for circulating cooling water inside. The flow rate of the cooling water may be controlled by the substrate temperature control device shown in FIG. 14, or may be a constant speed.

도14에 도시한 바와 같이, 기본적으로는 냉각판(54)만으로도 온도 제어 가능하지만, 도34에 도시하는 바와 같이 처리실(50)의 내부에 냉풍 노즐(542)을 설치하고, 냉풍을 조합하여 냉각해도 좋다. 도34에 나타내는 예에서는, 냉풍 노즐(542)이 피처리 기판(10)의 길이 방향을 따라 배치되어 있고, 냉풍 노즐(542)로부터, 예를 들어, 5 내지 15 ℃의 냉풍이 보내지도록 되어 있다. 이것에 의해, 피처리 기판(10)의 기판 온도가, 70 ℃ 이하, 바람직하게는 20 내지 50 ℃로 제어된다. 또한, 냉풍 노즐(542) 대신에 냉풍을 보내는 팬이 설치되어 있어도 좋다.As shown in Fig. 14, the temperature can be basically controlled only by the cooling plate 54, but as shown in Fig. 34, a cold air nozzle 542 is provided inside the processing chamber 50, and cooling is performed by combining cold air. You may also In the example shown in FIG. 34, the cold air nozzle 542 is arrange | positioned along the longitudinal direction of the to-be-processed substrate 10, and the cold air of 5-15 degreeC is sent from the cold air nozzle 542, for example. . Thereby, the substrate temperature of the to-be-processed substrate 10 is controlled to 70 degrees C or less, Preferably it is 20-50 degreeC. In addition, instead of the cold wind nozzle 542, the fan which sends cold air may be provided.

피처리 기판(10)의 내부에 봉입되는 고분자체(18) 및 액정체(17)는, 열가소성을 갖기 때문에, 고온에 노출되면, 특성 열화를 일으키는 경우가 있다. 특히, 피처리 기판(10)에 파장 340 ㎚ 이상의 자외선이 조사되는 것에 의해, 피처리 기판(10)의 기판 온도는 200 ℃에 도달하는 경우가 있고, 특성 열화가 현저해지는 경우가 있다.Since the polymer body 18 and the liquid crystal body 17 encapsulated inside the substrate 10 are thermoplastic, they may cause deterioration of properties when exposed to high temperatures. In particular, when the ultraviolet-ray of wavelength 340nm or more is irradiated to the to-be-processed substrate 10, the board | substrate temperature of the to-be-processed substrate 10 may reach 200 degreeC, and the characteristic deterioration may become remarkable.

도34에 도시하는 제1 UV 조사 장치(5a)에 따르면, 냉풍 노즐(542) 및 냉각판(54)을 구비하는 것에 의해, 피처리 기판(10)의 온도를 일정 온도 이하로 제어할 수 있기 때문에, 고분자체(18) 및 액정체(17)의 열화가 저감되어, 제조 후의 액정 패널의 응답 속도, 투과율, 콘트라스트, 편광(광) 특성 등 다양한 특성을 향상시킬 수 있다.According to the 1st UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 34, by providing the cold air nozzle 542 and the cooling plate 54, the temperature of the to-be-processed substrate 10 can be controlled to below a fixed temperature. Therefore, deterioration of the polymer body 18 and the liquid crystal body 17 is reduced, and various characteristics such as response speed, transmittance, contrast, and polarization (optical) characteristics of the liquid crystal panel after manufacture can be improved.

또한, 냉풍 노즐(542) 및 냉각판(54)의 구동은 피처리 기판(10)의 크기에 따라 선택할 수 있다. 예를 들어, 550 ㎜ × 650 ㎜의 피처리 기판(10)을 처리하는 경우, 냉풍 노즐(542)만을 이용하여 냉각하는 것도 충분히 가능하지만, 예를 들어, 1500 ㎜ × 1800 ㎜의 피처리 기판(10) 등과 같이 비교적 대형인 기판을 처리하는 경우에는, 냉풍 노즐(542)과 냉각판(54)을 병용하도록 해도 좋다.In addition, the driving of the cold air nozzle 542 and the cooling plate 54 can be selected according to the size of the substrate 10 to be processed. For example, when processing the to-be-processed board | substrate 10 of 550 mm x 650 mm, it is also possible to cool only using the cold air nozzle 542, For example, to-be-processed substrate of 1500 mm x 1800 mm ( When processing a relatively large substrate, such as 10), the cold air nozzle 542 and the cooling plate 54 may be used together.

한편, 반대로 냉풍을 내뿜는 것에 의해, 피처리 기판(10)의 표면 온도에 변동이 생겨 버리는 경우는, 냉각판(54)만을 구동시키는 것이 바람직하다. 도34에 도시하는 바와 같이, 처리실(50) 내에 기판 온도를 측정하는 온도 센서(543)를 설치하고, 온도 센서(543)의 검출치에 따라서, 기판 온도 제어 장치(8)가, 냉각판(54)과 냉풍 노즐(542)의 구동을 선택적으로 제어하도록 해도 좋다.On the other hand, when fluctuation | variation arises in the surface temperature of the to-be-processed substrate 10 by blowing cold wind, it is preferable to drive only the cooling plate 54 only. As shown in FIG. 34, in the process chamber 50, the temperature sensor 543 which measures a board | substrate temperature is provided, and according to the detection value of the temperature sensor 543, the board | substrate temperature control apparatus 8 is equipped with a cooling plate ( 54 and the cold wind nozzle 542 may be selectively controlled.

(기판 이동 제어 기구)(Substrate movement control mechanism)

램프(52)와 피처리 기판(10)과의 거리나, 반사판의 광의 반사 상태에 따라, 피처리 기판(10)의 표면에 조사되는 광량이 국소적으로 불균일해지는 경우가 있다. 그 때문에, 도35에 있어서는, 실선으로 나타나는 위치에 있어서, 우선, 일정 시간 자외선을 조사한 후, 이동 제어 장치(9)에 의해, 스테이지(51)를 거리(W)만큼 피처 리 기판(10)의 길이 방향으로 이동시키도록 해도 좋다. 이것에 의해, 스테이지(51)를 이동하지 않고 처리하는 경우에 비해, 피처리 기판(10)에 조사되는 광을 보다 균일하게 할 수 있다.Depending on the distance between the lamp 52 and the substrate 10 and the reflection state of the light on the reflecting plate, the amount of light irradiated onto the surface of the substrate 10 may be locally nonuniform. Therefore, in FIG. 35, at the position shown by the solid line, after irradiating ultraviolet rays for a predetermined time, the movement control device 9 moves the stage 51 by the distance W of the feature substrate 10 first. You may make it move to a longitudinal direction. Thereby, the light irradiated to the to-be-processed board | substrate 10 can be made more uniform compared with the case of processing without moving the stage 51. FIG.

거리(W)는, 램프(52)로부터의 조도가 일정치 이상으로 되는 유효 조사 범위 내에서 변경 가능하지만, 램프(52)의 특성을 고려하면, 램프 피치의 1/2 정도씩 움직이도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 램프(52)로서 발광관 외경 27.5 ㎜, 발광 길이 1000 ㎜의 메탈 할라이드 램프를 5등 탑재하고, 550 ㎜ × 650 ㎜의 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리하는 경우는, 파장 영역 340 내지 370 ㎚ 사이에 피크 감도를 갖는 조도계[제1 조도계(55)]의 조도치를 75 ㎽/㎠로 하여 25초 조사하고, 그 후, 피처리 기판(10)을 기판의 길이 방향으로 W = 125 ㎜ 정도 이동시켜, 75 ㎽/㎠에 있어서 또한 25초 조사한다. 이것에 의해, 액정 패널(20)에 생기는 반응 불균일을 억제할 수 있어, 성능이 높은 액정 패널(20)의 생산을 실현할 수 있다.The distance W can be changed within an effective irradiation range in which the illuminance from the lamp 52 becomes a certain value or more, but considering the characteristics of the lamp 52, the distance W should be moved by about 1/2 of the lamp pitch. desirable. For example, when the lamp 52 is equipped with five lamps having a light tube outer diameter of 27.5 mm and a light emitting length of 1000 mm, five lamps are mounted and the substrate 10 to be processed shown in FIG. 1 of 550 mm × 650 mm is processed. Illuminates the illuminance value of the illuminometer (the first illuminometer 55) having a peak sensitivity between the wavelength ranges of 340 to 370 nm for 75 seconds / cm &lt; 2 &gt; for 25 seconds, after which the substrate 10 to be treated is subjected to the length of the substrate. Direction W = 125 mm, and it irradiates for 25 second at 75 dl / cm <2>. Thereby, reaction nonuniformity which arises in the liquid crystal panel 20 can be suppressed, and production of the liquid crystal panel 20 with high performance can be implement | achieved.

(자외선 조사 장치를 이용한 액정 패널의 제조 방법)(Manufacturing method of liquid crystal panel using an ultraviolet irradiation device)

도36의 스텝 S11에 나타내는 바와 같이, 도14에 도시하는 제1 UV 조사 장치(5a)를 이용하여 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리하는 경우는, 우선 셋업을 행한다. 셋업으로서는, 예를 들어, 램프 제어 장치(7), 기판 온도 제어 장치(8), 이동 제어 장치(9), 및 전압 인가 제어 장치(64)를 구동시키기 위한 각종 설정 데이터를 기억 장치(도시 생략) 등에 입력할 수 있다.As shown in step S11 of FIG. 36, when processing the to-be-processed substrate 10 shown in FIG. 1 using the 1st UV irradiation apparatus 5a shown in FIG. 14, a setup is first performed. As the setup, for example, various setting data for driving the lamp control device 7, the substrate temperature control device 8, the movement control device 9, and the voltage application control device 64 are stored (not shown). ) Can be entered.

또한, 스테이지(51) 상에, 테스트용 피처리 기판(10)을 배치하고, 처리 실(50)의 내부를 처리 조건으로 설정한 후, 피처리 기판(10)의 표면 조도 및 그 조도에 있어서의 제1 조도계(55) 및 제2 조도계(56)의 조도치와의 관계를 도출한다. 이것에 의해, 제1 조도계(55) 및 제2 조도계(56)의 조도치를 기초로 하여, 피처리 기판(10)의 표면의 실제 조도치와의 관계가 계산한다.Furthermore, after arranging the test target substrate 10 on the stage 51 and setting the inside of the processing chamber 50 to the processing conditions, the surface roughness of the target substrate 10 and its roughness The relationship between the illuminance values of the first illuminometer 55 and the second illuminometer 56 is derived. Thereby, the relationship with the actual illuminance value of the surface of the to-be-processed substrate 10 is calculated based on the illuminance value of the 1st illuminometer 55 and the 2nd illuminometer 56. FIG.

셋업이 종료되면, 도8에 도시하는 반송 로봇(62)에 의해, 실제로 처리하는 피처리 기판(10)을 도14의 냉각판(54) 상에 배치하고, 스텝 S12에 있어서, 피처리 기판(10)의 냉각을 개시시킨다. 냉각 방법은, 피처리 기판(10)의 크기를 기초로 하여, 5 내지 15 ℃의 냉풍에 의해 공냉해도 좋고, 도34에 도시하는 바와 같이 온도 센서(543)에 의해 기판 온도를 검출하고, 기판 온도가 예를 들어 70 ℃ 이하로 제어되도록, 기판 온도 제어 장치(8)에 의해, 냉각판(54) 또는 냉풍 노즐(542)을 제어해도 좋다.After the setup is finished, the transfer robot 62 shown in Fig. 8 arranges the substrate 10 to be processed on the cooling plate 54 of Fig. 14, and in step S12, the substrate to be processed ( Start cooling of 10). The cooling method may be air-cooled by 5-15 degreeC cold air based on the magnitude | size of the to-be-processed board | substrate 10, and as shown in FIG. 34, the board | substrate temperature is detected by the temperature sensor 543, and a board | substrate The cooling plate 54 or the cold air nozzle 542 may be controlled by the substrate temperature control device 8 so that the temperature is controlled to 70 ° C. or lower, for example.

계속해서, 스텝 S13에 있어서, 피처리 기판(10)에 소정의 전압(예를 들어, 0 내지 30 V)이 인가된다. 스텝 S14에 있어서, 피처리 기판(10)에 전압을 인가한 상태에서, 예를 들어, 제1 조도계(55)의 조도치가 75 ㎽/㎠인 조건에 있어서 램프 광을 25초 조사한다. 그 후, 스텝 S15에 있어서, 스테이지(51)를 피처리 기판(10)의 길이 방향으로 이동시키고, 스텝 S16에 있어서, 피처리 기판(10)에 전압을 인가한 상태에서, 예를 들어, 제1 조도계(55)의 조도치가 75 ㎽/㎠인 조건에 있어서 램프 광을 25초 조사한다.Subsequently, in step S13, a predetermined voltage (for example, 0 to 30 V) is applied to the substrate 10 to be processed. In step S14, in the state which applied the voltage to the to-be-processed board | substrate 10, lamp light is irradiated for 25 second on the conditions which the illuminance value of the 1st illuminometer 55 is 75 mW / cm <2>, for example. Then, in step S15, the stage 51 is moved to the longitudinal direction of the to-be-processed board | substrate 10, and in step S16, the voltage is applied to the to-be-processed board | substrate 10, for example, 1 The lamp light is irradiated for 25 seconds under the condition that the illuminance value of the illuminometer 55 is 75 mW / cm 2.

도14의 램프 제어 장치(7)는, 램프(52)가, 제1 조도계의 조도치가 40 ㎽/㎠ 이상에 있어서, 제1 조도계(55)의 조도치와 램프의 조사 시간과의 곱이 2000 mJ/㎠ 이상으로 되도록 피처리 기판(10)에 자외선을 조사시킨다. 또한, 램프의 조사 시간에 대한 제1 조도계(55)의 조도치의 변화량이 10 % 이하로 된 경우에는 램프의 전력을 제어한다. 균제도를 산출하고, 균제도가 75 % 이상으로 되도록 램프의 전력을 제어한다. 처리가 완료된 피처리 기판(10)은, 스텝 S17에 있어서, 도14의 처리실(50)로부터 반출되어, 도8의 반송 로봇(62)에 의해 반전부(6)에 반송된다.In the lamp control device 7 of Fig. 14, when the lamp 52 has an illuminance value of 40 mW / cm 2 or more, the product of the illuminance value of the first illuminometer 55 and the irradiation time of the lamp is 2000 mJ. The ultraviolet-ray is irradiated to the to-be-processed substrate 10 so that it may become / cm <2> or more. In addition, when the amount of change in the illuminance value of the first illuminometer 55 with respect to the irradiation time of the lamp becomes 10% or less, the power of the lamp is controlled. The uniformity is calculated and the power of the lamp is controlled so that the uniformity is at least 75%. The substrate 10 to be processed is carried out from the processing chamber 50 of FIG. 14 in step S17, and is transferred to the inverting unit 6 by the transfer robot 62 of FIG. 8.

도8에 도시하는 실시 형태에 관한 UV 조사부(5)[제1 UV 조사 장치(5a)]에 따르면, 제조 후의 액정 패널의 성능 등에 영향을 미치는 파장 영역 340 ㎚ 이하의 자외선 조사를 억제할 수 있기 때문에, 고성능으로 수율을 향상시킨 액정 패널을 제조할 수 있다.According to the UV irradiation part 5 (1st UV irradiation apparatus 5a) which concerns on embodiment shown in FIG. 8, ultraviolet irradiation of 340 nm or less of wavelength range which affects the performance etc. of the liquid crystal panel after manufacture can be suppressed. Therefore, the liquid crystal panel which improved the yield at high performance can be manufactured.

(그 밖의 실시 형태)(Other Embodiments)

본 발명은 상기한 실시 형태에 의해 기재했지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 본 발명을 한정하는 것으로 이해해서는 안 된다. 이 개시로부터 당업자에게는 다양한 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명백하게 된다.Although this invention was described by the above-mentioned embodiment, the description and drawings which form a part of this indication should not be understood as limiting this invention. Various alternative embodiments, examples and operational techniques will become apparent to those skilled in the art from this disclosure.

(유해 파장 조도 판정 기구)(Harmful wavelength illuminance judgment mechanism)

상술한 실시 형태에 있어서는, 도29에 도시하는 조도 판정부(72)가, 제1 조도계(55)의 조도치를 기초로 하여 조도를 판정하고, 판정 결과를 기초로 하여 램프의 전력을 제어하는 예를 설명했다. 그러나, 도29에 도시하는 조도 판정부(72)가, 제2 조도계(56)의 조도치를 기초로 하여, 액정 패널에 특성에 영향을 미치는 파장(유해 파장)의 조도를 판정하도록 해도 좋다.In the above-described embodiment, the illuminance determination unit 72 shown in FIG. 29 determines the illuminance based on the illuminance value of the first illuminometer 55 and controls the lamp power based on the determination result. Explained. However, the illuminance determination unit 72 shown in FIG. 29 may determine the illuminance of the wavelength (harmful wavelength) affecting the characteristics of the liquid crystal panel based on the illuminance value of the second illuminometer 56.

도37의 (a)에 도시하는 바와 같이, 도1에 도시하는 피처리 기판(10)을 처리 하는 경우, 파장 340 ㎚ 또는 320 ㎚ 이하의 자외선, 특히, 수은의 발광 피크를 나타내는 파장 313 ㎚의 광이 피처리 기판(10)의 사선 부분에 조사되면, 도37의 (b)에 도시하는 바와 같이, 조사 후의 액정 패널(20)에 백색 불균일이 남는다. 도38에, 파장 313 ㎚의 자외선을 검출하는 제2 조도계(56)를 이용한 경우의 파장 313 ㎚의 자외선이 미치는 패널 열화의 영향의 관계를 나타낸다.As shown in Fig. 37A, when the substrate 10 shown in Fig. 1 is processed, an ultraviolet ray having a wavelength of 340 nm or 320 nm or less, particularly a wavelength of 313 nm showing an emission peak of mercury is shown. When light is irradiated to the diagonal part of the to-be-processed board | substrate 10, as shown to FIG. 37 (b), white nonuniformity remains in the liquid crystal panel 20 after irradiation. FIG. 38 shows a relationship between the influence of panel degradation affected by ultraviolet rays having a wavelength of 313 nm when the second illuminometer 56 detecting ultraviolet rays having a wavelength of 313 nm is used.

도38에 나타내는 바와 같이, 조도치가 1 ㎽/㎠ 이하인 경우에는, 도37의 (b)에 도시하는 바와 같은 패널 열화는 생기기 어렵지만, 조도치가 1 ㎽/㎠ 이상인 경우에는, 도37의 (b)에 도시하는 바와 같은 패널 열화가 생기는 비율이 높아진다. 그 때문에, 도29에 도시하는 조도 판정부(72)는, 제2 조도계(56)의 조도치가 1 ㎽/㎠ 이상으로 되는 경우에는, 예를 들어, 도시를 생략한 표시 장치 등을 통해 사용자에게 경고하거나, 혹은, 도15에 도시하는 반사경(57) 혹은 보조 반사판(58)의 각도를 조절시키기 위한 기구(도시 생략)를 제어하도록 해도 좋다.As shown in Fig. 38, when the illuminance value is 1 dB / cm 2 or less, panel degradation as shown in Fig. 37 (b) is unlikely to occur, but when the illuminance value is 1 dB / cm 2 or more, Fig. 37 (b) The rate at which panel deterioration occurs as shown in FIG. Therefore, when the illuminance value of the second illuminometer 56 becomes 1 mW / cm 2 or more, the illuminance determination unit 72 shown in Fig. 29 provides the user with, for example, a display device not shown in the drawings. Warning, or a mechanism (not shown) for adjusting the angle of the reflector 57 or the auxiliary reflector 58 shown in Fig. 15 may be controlled.

이와 같이, 본 발명은 여기서는 기재하고 있지 않은 다양한 실시 형태 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는, 상기한 설명으로부터 타당한 특허 청구 범위에 관한 발명 특정 사항에 의해서만 결정되는 것이다.As such, the present invention obviously includes various embodiments and the like which are not described herein. Therefore, the technical scope of this invention is determined only by the invention specific matter which concerns on an appropriate claim from said description.

도1은 본 발명의 실시 형태에 관한 피처리 기판의 일례를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate to be processed according to the embodiment of the present invention.

도2는 도1의 고분자체(18)의 구체예를 나타내는 도면.FIG. 2 shows a specific example of the polymer body 18 of FIG.

도3은 도1의 피처리 기판(10)에 자외선을 조사한 후의 액정 패널의 일례를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing an example of a liquid crystal panel after irradiating ultraviolet rays to the substrate 10 of FIG.

도4는 도3의 배향부(21)의 배향 상태를 예시하는 사시도.4 is a perspective view illustrating an alignment state of the alignment portion 21 of FIG.

도5는 도3의 배향부(21)의 수직 상승 각도(θ)를 나타내는 개략도.Fig. 5 is a schematic diagram showing the vertical elevation angle θ of the alignment portion 21 of Fig. 3.

도6은 도3의 액정 패널의 액정체의 상태(전압 인가하지 않은 경우)를 도시하는 단면도.FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state (when no voltage is applied) of the liquid crystal body of the liquid crystal panel of FIG.

도7은 도3의 액정 패널의 액정체의 상태(전압 인가시)를 도시하는 단면도.FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state (when voltage is applied) of the liquid crystal body of the liquid crystal panel of FIG.

도8은 본 발명의 실시 형태에 관한 액정 패널 제조 장치의 전체 구성의 일례를 나타내는 평면도.8 is a plan view showing an example of an entire configuration of a liquid crystal panel manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도9는 도8의 액정 패널 제조 장치의 동작을 나타내는 흐름도.Fig. 9 is a flowchart showing the operation of the liquid crystal panel manufacturing apparatus of Fig. 8;

도10은 도8의 반전부의 상세를 나타내는 개략도.Fig. 10 is a schematic diagram showing details of the inversion section in Fig. 8;

도11은 도10의 반전부의 구체적 동작의 예를 나타내는 개략도.FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of a specific operation of the inverting portion of FIG. 10; FIG.

도12는 도8의 검사부의 상세를 나타내는 개략도.12 is a schematic view showing details of the inspection unit of FIG. 8;

도13은 도12의 검사부의 구체적 동작의 예를 나타내는 개략도.FIG. 13 is a schematic view showing an example of a specific operation of the inspection unit in FIG. 12; FIG.

도14는 도8의 UV 조사부의 상세를 나타내는 개략도.14 is a schematic view showing details of the UV irradiation part of FIG. 8;

도15는 도14의 램프의 주변 구성의 일례를 나타내는 개략도.Fig. 15 is a schematic diagram showing an example of the peripheral configuration of the lamp of Fig. 14;

도16은 도14의 램프의 주변 구성의 일례를 나타내는 개략도.Fig. 16 is a schematic diagram showing an example of the peripheral configuration of the lamp of Fig. 14;

도17은 도14의 램프를 길이 방향(축 방향)에서 본 경우의 개략도.FIG. 17 is a schematic view of the lamp of FIG. 14 viewed in the longitudinal direction (axial direction). FIG.

도18은 도17의 제1 조사계에 적합한 조사계의 분광 감도를 나타내는 그래프.18 is a graph showing the spectral sensitivity of an irradiation system suitable for the first irradiation system of FIG.

도19는 도17의 제2 조사계에 적합한 조사계의 분광 감도를 나타내는 그래프.19 is a graph showing the spectral sensitivity of an irradiation system suitable for the second irradiation system of FIG.

도20은 탈륨계 메탈 할라이드 램프의 분광 분포를 나타내는 그래프.20 is a graph showing the spectral distribution of a thallium-based metal halide lamp.

도21은 철계 메탈 할라이드 램프의 분광 분포를 나타내는 그래프.21 is a graph showing the spectral distribution of an iron-based metal halide lamp.

도22는 철계 메탈 할라이드 램프와 탈륨계 메탈 할라이드 램프의 분광 분포의 비교를 나타내는 그래프.Fig. 22 is a graph showing a comparison of spectral distributions of an iron-based metal halide lamp and a thallium-based metal halide lamp.

도23은 철계 메탈 할라이드 램프와 수은 램프의 분광 분포의 비교를 나타내는 그래프.Fig. 23 is a graph showing a comparison of spectral distributions of an iron-based metal halide lamp and a mercury lamp.

도24는 철계 메탈 할라이드 램프의 축 방향에 대한 조도 분포를 나타내는 그래프.24 is a graph showing the illuminance distribution in the axial direction of the iron-based metal halide lamp.

도25는 도14에 도시하는 램프의 주변부를 나타내는 단면도.FIG. 25 is a sectional view of a peripheral portion of the lamp shown in FIG. 14; FIG.

도26은 도25에 도시하는 열선 흡수 필터의 분광 투과율 분포를 나타내는 그래프.Fig. 26 is a graph showing the spectral transmittance distribution of the heat ray absorption filter shown in Fig. 25;

도27은 도14에 도시하는 필터의 입사 각도와 투과율과의 관계를 나타내는 제1 그래프.FIG. 27 is a first graph showing the relationship between the incident angle and the transmittance of the filter shown in FIG.

도28은 도14에 도시하는 필터의 입사 각도와 투과율과의 관계를 나타내는 제2 그래프.FIG. 28 is a second graph showing the relationship between the incident angle and the transmittance of the filter shown in FIG.

도29는 도14에 도시하는 램프 제어 장치의 구체예를 나타내는 블럭도.Fig. 29 is a block diagram showing a specific example of the lamp control device shown in Fig. 14;

도30은 도1에 도시하는 피처리 기판을 처리하는 경우의 조도치, 조사 시간, 중합 효과, 열화, 생산 효율의 관계를 나타내는 도면.30 is a diagram showing a relationship between an illuminance value, an irradiation time, a polymerization effect, deterioration, and a production efficiency when the substrate to be processed shown in FIG. 1 is processed;

도31은 본 발명의 실시 형태에 관한 균제도의 산출 방법을 설명하는 그래프다.Fig. 31 is a graph for explaining the calculation method of the leveling system according to the embodiment of the present invention.

도32는 균제도와 패널 성능과의 관계를 나타내는 표.32 is a table showing a relationship between a leveling agent and panel performance.

도33은 본 발명의 실시 형태에 관한 냉각판의 평면도.33 is a plan view of a cooling plate according to the embodiment of the present invention.

도34는 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 온도 제어 기구를 설명하는 모식도.34 is a schematic diagram illustrating a substrate temperature control mechanism according to the embodiment of the present invention.

도35는 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 이동 제어 기구를 설명하는 모식도.35 is a schematic diagram illustrating a substrate movement control mechanism according to an embodiment of the present invention.

도36은 본 발명의 실시 형태에 관한 액정 패널 제조 방법의 일례를 설명하는 흐름도.36 is a flowchart for explaining an example of a liquid crystal panel manufacturing method according to the embodiment of the present invention.

도37은 유해 파장 영역(313 ㎚)이 피처리 기판의 특성에 미치는 영향을 나타내는 것으로, 도37의 (a)는 조사시의 피처리 기판, 도37의 (b)는 조사 후의 액정 패널을 도시하는 평면도.FIG. 37 shows the effect of the hazardous wavelength region (313 nm) on the characteristics of the substrate to be treated, FIG. 37 (a) shows the substrate to be treated during irradiation, and FIG. 37 (b) shows the liquid crystal panel after irradiation. Floor plan.

도38은 조도치와 패널 열화와의 관계를 나타내는 표.Fig. 38 is a table showing a relationship between illuminance values and panel deterioration;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2 : 반입부2: Import part

3, 6 : 반전부3, 6: inverting part

4 : 검사부4: Inspection unit

4a : 제1 검사 장치4a: first inspection device

4b : 제2 검사 장치4b: second inspection device

5 : UV 조사부5: UV irradiation part

5a : 제1 UV 조사 장치5a: 1st UV irradiation apparatus

5b : 제2 UV 조사 장치5b: 2nd UV irradiation apparatus

7 : 램프 제어 장치7: lamp control device

8 : 기판 온도 제어 장치8: substrate temperature control device

9 : 이동 제어 장치9: movement control device

10 : 피처리 기판10: substrate to be processed

11 : 반도체 소자11: semiconductor device

12, 14 : 기판12, 14: substrate

13 : 컬러 필터13: color filter

15, 16 : 투명 전극15, 16: transparent electrode

17 : 액정체17: liquid crystal

18 : 고분자체18: polymer

19 : 밀봉부19: sealing part

20 : 액정 패널20: liquid crystal panel

21, 22 : 배향부21, 22: alignment part

25 : 반송 로봇25: carrier robot

30, 40, 50 : 처리실30, 40, 50: treatment chamber

31 : 제1 흡착부31: first adsorption unit

32 : 제2 흡착부32: second adsorption unit

33 : 제3 흡착부33: third adsorption unit

34, 36 : 가동부34, 36: movable part

35 : 회전부35: rotating part

41 : 설치대41: mounting table

42 : 백라이트 조사부42: backlight irradiation unit

43 : CCD 카메라43: CCD camera

44 : 인가 커넥터44: authorized connector

45 : 전압 인가부45: voltage applying unit

51 : 스테이지51: stage

52 : 램프52: lamp

53 : 필터53: filter

54 : 냉각판54: cold plate

55 : 제1 조도계55: first illuminometer

56 : 제2 조도계56: second illuminometer

57 : 반사경57: reflector

58 : 보조 반사판58: auxiliary reflector

61 : 표시 장치61: display device

62 : 반송 로봇62: transport robot

63 : 이온화 장치63: ionizer

64 : 전압 인가 제어 장치64: voltage application control device

71 : 램프 전력 제어부71: lamp power control unit

72 : 조도 판정부72: illuminance determination unit

73 : 적산 광량 판정부73: accumulated light amount determination unit

74 : 균제도 판정부74: uniformity determination unit

75 : 기억 장치75: storage device

100 : 냉각관100: cooling tube

101 : 내관101: inner tube

102 : 외관102: appearance

103 : 열 흡수 필터103: heat absorption filter

520 : 기밀성 용기520: airtight container

521, 522 : 전극521, 522: electrode

541 : 냉각수 유로541 coolant flow path

542 : 냉풍 노즐542 cold air nozzle

543 : 온도 센서543: temperature sensor

Claims (10)

광 반응성 물질을 함유하는 액정체를 내부에 봉입한 피처리 기판을 처리하는 처리실과,A processing chamber for processing a substrate to be processed containing a liquid crystal body containing a photoreactive substance therein; 상기 처리실 내에 배치되고, 상기 피처리 기판에 자외선을 조사하여 상기 광 반응성 물질을 반응시켜, 상기 피처리 기판의 내부에 배향부를 형성시키는 복수의 램프와,A plurality of lamps disposed in the processing chamber to irradiate the target substrate with ultraviolet rays to react the photoreactive substance to form an alignment portion in the target substrate; 상기 램프에 대향하고, 적어도 파장 320 내지 360 ㎚의 파장 영역의 자외선의 투과를 억제하는 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.And a filter that opposes the lamp and suppresses the transmission of ultraviolet light in a wavelength region of at least wavelength 320 to 360 nm. 제1항에 있어서, 상기 광 반응성 물질이 고분자인 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.The apparatus of claim 1, wherein the photoreactive material is a polymer. 제1항에 있어서, 상기 광 반응성 물질이 아조 화합물인 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the photoreactive substance is an azo compound. 제1항에 있어서, 상기 필터가, 수직 입사의 경우에 정의되는 컷 오프 파장 N이 320 내지 360 ㎚의 범위에 있고, 상기 필터에 대한 자외선의 입사각을 0°내지 60°로 한 경우의 컷 오프 파장의 변화가 -15 ㎚ < N < +15 ㎚의 범위에 있는 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.The cutoff according to claim 1, wherein the filter has a cutoff wavelength N defined in the case of vertical incidence in the range of 320 to 360 nm, and the angle of incidence of ultraviolet rays with respect to the filter is 0 ° to 60 °. The liquid crystal panel manufacturing apparatus characterized by the change of a wavelength including the filter in the range of -15 nm <N <+15 nm. 제1항에 있어서, 상기 램프의 상방에 배치된, 파장 영역 340 내지 370 ㎚ 사이에 피크 감도를 갖는 제1 조도계와,A first illuminometer having a peak sensitivity between a wavelength region of 340 to 370 nm, disposed above the lamp; 상기 제1 조도계의 조도치가 25 내지 100 ㎽/㎠로 되도록 상기 램프의 전력을 제어하는 램프 제어 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.And a lamp control device for controlling the electric power of the lamp so that the illuminance value of the first illuminometer becomes 25 to 100 mW / cm 2. 제1항에 있어서, 상기 램프의 상방에 배치된, 파장 영역 340 내지 370 ㎚ 사이에 피크 감도를 갖는 제1 조도계와,A first illuminometer having a peak sensitivity between a wavelength region of 340 to 370 nm, disposed above the lamp; 상기 제1 조도계의 조도치가 40 내지 75 ㎽/㎠로 되도록 상기 램프의 전력을 제어하는 램프 제어 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.And a lamp control device for controlling the electric power of the lamp so that the illuminance value of the first illuminometer becomes 40 to 75 mW / cm 2. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 램프가, 상기 제1 조도계의 조도치와 상기 램프의 조사 시간과의 곱이 2000 mJ/㎠ 이상으로 되도록 상기 피처리 기판에 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.The said lamp is irradiated with the ultraviolet-ray to the said to-be-processed board | substrate so that the product of the illuminance value of the said 1st illuminometer and the irradiation time of the said lamp may be 2000 mJ / cm <2> or more. Liquid crystal panel manufacturing device. 제5항 또는 제6항에 있어서, 램프 제어 장치가, 상기 램프의 점등 시간에 대한 제1 조도계의 조도치의 변화량이 10 % 이하로 되도록 상기 램프의 전력을 제어하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the lamp control device controls the power of the lamp so that the amount of change in the illuminance value of the first illuminometer with respect to the lighting time of the lamp is 10% or less. . 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리 기판에 전압을 인가하는 전압 인가 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 패널 제조 장치.The liquid crystal panel manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a voltage applying device for applying a voltage to the substrate to be processed. 광 반응성 물질을 함유하는 액정체를 내부에 봉입한 피처리 기판에 대해, 적어도 파장 320 내지 360 ㎚의 파장 영역의 자외선의 투과를 억제하는 필터를 통해 자외선을 조사하고, 상기 광 반응성 물질을 반응시켜, 상기 피처리 기판의 내부에 배향부를 형성시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 방법.Irradiating ultraviolet rays through a filter that suppresses the transmission of ultraviolet rays in a wavelength region of at least 320 to 360 nm to a substrate to be processed containing a liquid crystal body containing a photoreactive substance therein and reacting the photoreactive substance. And a step of forming an alignment portion in the inside of the substrate to be processed.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101454951B1 (en) * 2010-04-01 2014-10-27 우시오덴키 가부시키가이샤 Ultraviolet irradiation apparatus
KR20150066426A (en) * 2013-12-06 2015-06-16 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 Method and apparatus for fabricating liquid crystal panel
CN111739787A (en) * 2019-03-25 2020-10-02 东芝照明技术株式会社 Discharge lamp and liquid crystal panel manufacturing apparatus

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4930542B2 (en) * 2009-04-23 2012-05-16 ウシオ電機株式会社 Manufacturing method of liquid crystal panel
JP5493664B2 (en) * 2009-10-02 2014-05-14 ウシオ電機株式会社 Light irradiation device
JP2011107264A (en) * 2009-11-13 2011-06-02 Harison Toshiba Lighting Corp Uv ray irradiation device
WO2011080852A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 シャープ株式会社 Method and apparatus for manufacturing liquid crystal display panel
US20120236274A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-20 Au Optronics Corporation Liquid crystal panel manufacturing apparatus and method for manufacturing the liquid crystal panel
JP5723652B2 (en) * 2011-03-30 2015-05-27 株式会社オーク製作所 Photometric apparatus and exposure apparatus
CN102289107A (en) * 2011-07-01 2011-12-21 深圳市华星光电技术有限公司 Device and method for making pretilt angle of liquid crystal panel
CN102508381B (en) * 2011-11-29 2015-02-11 深圳市华星光电技术有限公司 Baking device for liquid crystal display panel
US9091870B2 (en) 2012-11-16 2015-07-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Illuminance adjusting method of liquid crystal photo alignment irradiation machine
CN102914912B (en) * 2012-11-16 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Illuminance adjusting method for liquid crystal photo-alignment illuminating machine
TWI721283B (en) * 2013-02-06 2021-03-11 日商迪愛生股份有限公司 Liquid crystal display element and its manufacturing method
CN103257481B (en) * 2013-05-31 2015-09-30 深圳市华星光电技术有限公司 Orientation ultraviolet liquid crystal irradiation unit, water cold sleeve
CN104635382A (en) * 2013-11-06 2015-05-20 群创光电股份有限公司 Exposure system and exposure process
JP7331361B2 (en) * 2018-12-26 2023-08-23 Dic株式会社 Liquid crystal display element manufacturing method and liquid crystal display element

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200141225Y1 (en) * 1993-12-23 1999-04-15 구자홍 Membrane preparation apparatus
JPH08114787A (en) * 1994-10-17 1996-05-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display panel and its manufacture
JPH09236807A (en) * 1996-02-29 1997-09-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Evaluation device for imidization rate of liquid crystal orienting film
JPH09292602A (en) * 1996-04-24 1997-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of liquid crystal display panel and producing device
US6061138A (en) * 1997-08-05 2000-05-09 Elsicon, Inc. Optical exposure systems and processes for alignment of liquid crystals
TW536644B (en) * 1997-10-29 2003-06-11 Ushio Electric Inc Polarized light radiation device for alignment film of liquid crystal display element
JP4004604B2 (en) * 1997-11-07 2007-11-07 國宏 市村 Photoresponsive element
JPH11316367A (en) * 1998-05-06 1999-11-16 Seiko Instruments Inc Light scattering type liquid crystal display element and manufacturing method thereof
JP2001042306A (en) * 1999-05-26 2001-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element, its production and its evaluation
JP2001033767A (en) * 1999-07-26 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and its production
JP2003508820A (en) * 1999-09-03 2003-03-04 ケント ステート ユニバーシティ Fabrication of aligned liquid crystal cells / films by simultaneous alignment and phase separation
JP2004029180A (en) 2002-06-24 2004-01-29 Nitto Denko Corp Ultra-violet light polarizing light source device and manufacturing method of liquid crystal orientation film using it
JP2005091480A (en) * 2003-09-12 2005-04-07 Nitto Denko Corp Manufacturing method for anisotropic film

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101454951B1 (en) * 2010-04-01 2014-10-27 우시오덴키 가부시키가이샤 Ultraviolet irradiation apparatus
KR20150066426A (en) * 2013-12-06 2015-06-16 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 Method and apparatus for fabricating liquid crystal panel
CN111739787A (en) * 2019-03-25 2020-10-02 东芝照明技术株式会社 Discharge lamp and liquid crystal panel manufacturing apparatus
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