KR101464027B1 - Apparatus and method for manufacturing liquid crystal panel - Google Patents

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Abstract

자외선 반응 재료를 중합(경화)시키기 위한 광 조사 처리에 있어서, 액정 패널의 액정층에서의 발포의 발생을 가능한 한 억제하는 것이다.
2장의 광 투과성 기판(유리 기판)(3a, 3b)의 사이에 자외선 반응 재료를 포함한 액정(3c)을 봉입한 액정 패널(3)에 대해, 전압을 인가하면서 광 조사부(1)로부터 광을 조사한다. 광 조사부(1)의 광원(1a)으로서는, 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량 a가 당해 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량 A와 동일할 때, 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량 b가, 당해 파장 영역의 광을 흡수한 층간 절연막 내에서 발생하는 가스의 발생량이 액정층 내에 침투하여 액정층 내에서의 발포에 이르는 양이 되는데 필요한 에너지량 B보다 작아지는 발광 스펙트럼을 갖는 램프(예를 들면 희가스 형광 램프)를 이용한다. 이에 의해, 액정층에서의 발포의 발생을 억제할 수 있다.
The occurrence of foaming in the liquid crystal layer of the liquid crystal panel is suppressed as much as possible in the light irradiation treatment for polymerizing (curing) the ultraviolet reactive material.
The liquid crystal panel 3 in which the liquid crystal 3c including the ultraviolet ray reaction material is sealed between the two light transmitting substrates (glass substrates) 3a and 3b is irradiated with light from the light irradiating unit 1 while applying a voltage do. As the light source 1a of the light irradiating unit 1, when the irradiation amount a of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the light reactive substance in the liquid crystal panel is equal to the energy amount A required for the reaction of the light reactive substance, Is smaller than the amount of energy B required for the amount of gas generated in the interlayer insulating film that absorbs the light in the wavelength region to penetrate into the liquid crystal layer to reach the foaming in the liquid crystal layer A lamp having an emission spectrum (for example, a rare gas fluorescent lamp) is used. Thus, the occurrence of foaming in the liquid crystal layer can be suppressed.

Description

액정 패널의 제조 장치 및 제조 방법{APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL PANEL}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a liquid crystal panel,

본 발명은, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 방식의 액정 패널의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 2장의 유리 기판의 사이에, 전압 인가에 의해 배향되는 배향성을 갖는 액정과 자외선에 반응하여 중합을 일으키는 광 반응성 물질을 혼합한 재료를 봉입해 두고, 이 액정 패널에 자외선을 조사하여 자외선 반응 재료를 중합시킴으로써 배향막을 유리판 상에 형성하는 액정 패널의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a liquid crystal panel of a multi-domain vertical alignment (MVA) type, and more particularly to a liquid crystal display apparatus having a liquid crystal having an orientation property, And a method of manufacturing an apparatus for manufacturing a liquid crystal panel by forming an alignment film on a glass plate by polymerizing an ultraviolet reaction material by irradiating the liquid crystal panel with ultraviolet rays.

도 10에, 액정 패널의 구성예를 나타낸다. 액정 패널(50)은, 2장의 광 투과성 기판(제1 유리 기판(51), 제2 유리 기판(52))의 사이에 액정(58)을 봉입한 구조이며, 제1 유리 기판(51) 상에 다수의 액티브 소자(예를 들면, 박막 트랜지스터 : TFT(53))와 액정 구동용 전극(54)(투명 전극(ITO))을 형성하고, 그 위에 배향막(56)을 형성하고 있다. 제2 유리 기판(52)에는, 컬러 필터(57), 배향막(56), 그리고 투명 전극(ITO)(55)을 형성하고 있다. 그리고 양 유리 기판(51, 52)의 배향막 사이에 액정(58)을 봉입하고, 시일제(59)로 주위를 시일링하고 있다.Fig. 10 shows a configuration example of a liquid crystal panel. The liquid crystal panel 50 has a structure in which liquid crystal 58 is sealed between two light transmitting substrates (first glass substrate 51 and second glass substrate 52) A plurality of active elements (for example, a thin film transistor: a TFT 53) and a liquid crystal driving electrode 54 (a transparent electrode ITO) are formed and an orientation film 56 is formed thereon. A color filter 57, an orientation film 56, and a transparent electrode (ITO) 55 are formed on the second glass substrate 52. The liquid crystal 58 is sealed between the alignment films of the both glass substrates 51 and 52, and the periphery is sealed with the sealant 59.

최근, 액정 패널의 개구율을 높이기 위해, 특허 문헌 5에 나타낸 바와 같이, 액티브 소자(TFT(53))와 액정 구동용 전극(54)의 사이에 층간 절연막을 설치하는 경우가 있다.In recent years, in order to increase the aperture ratio of the liquid crystal panel, there is a case where an interlayer insulating film is provided between the active element (TFT 53) and the liquid crystal driving electrode 54 as shown in Patent Document 5.

도 11에 층간 절연막을 설치하는 경우에 있어서의 액티브 소자 및 그 주변의 구성예를 모식적으로 나타낸다.Fig. 11 schematically shows an active element and its peripheral configuration example in the case of providing an interlayer insulating film.

액티브 소자인 TFT(53)는 이하와 같이 구성된다.The TFT 53, which is an active element, is configured as follows.

1개의 화소 영역 내에 형성된 예를 들면 Ta, Mo, Al 등으로 이루어지는 게이트(531)의 상부에, 예를 들면 SiNx막으로 이루어지는 게이트 절연막(532)이 설치된다. 또한 그 상부에는 예를 들면 비정질 실리콘으로 이루어지는 반도체층(533)이 중첩된다. 이 반도체층(533)의 일부에 예를 들면 저저항의 Al계 합금으로 이루어지는 소스(534), 드레인(535)이 설치된다. A gate insulating film 532 made of, for example, an SiN x film is provided on the gate 531 made of, for example, Ta, Mo, Al or the like formed in one pixel region. And a semiconductor layer 533 made of, for example, amorphous silicon is superimposed on the upper portion. A source 534 and a drain 535 made of, for example, a low-resistance Al-based alloy are provided in a part of the semiconductor layer 533.

이상과 같이 구성된 TFT(53)의 소스(534)에는, 예를 들면 저저항의 Al계 합금층으로 이루어지는 소스 배선(541)이 설치되고, 드레인(535)에는 예를 들면 저저항의 Al계 합금층으로 이루어지는 드레인 배선(536)이 설치된다. 또 도시를 생략하였지만 게이트(531)에는 게이트 배선이 설치된다.A source wiring 541 made of, for example, a low-resistance Al-based alloy layer is provided on the source 534 of the TFT 53 constructed as described above. The drain 535 is provided with, for example, A drain wiring 536 is formed. Although the illustration is omitted, a gate wiring is provided in the gate 531.

이러한 TFT(53), 소스 배선(541), 드레인 배선(536), 게이트 배선의 상부를 덮도록 예를 들면 아크릴계 수지로 이루어지는 층간 절연막(유기 절연막)(500)이 설치된다. 층간 절연막(500)의 일부는 포토 에칭 처리에 의해 제거되고, 드레인 배선(536) 상에 콘택트 홀(500a)이 형성된다. 이 층간 절연막(500)의 표면 전체에 화소 전극인 액정 구동용 전극(54)(투명 전극(ITO))이 설치된다. 따라서, 액정 구동용 전극(54)은 콘택트 홀(500a)을 통해 드레인 배선(536)과 접속됨과 더불어, 층간 절연막(500)을 통해 소스 배선(541) 위쪽, 도시 생략의 게이트 배선 위쪽에도 설치되는 것이 가능해진다. 즉, 액정 구동용 전극(54)의 유효 면적(개구율)을 크게 하는 것이 가능해진다.The TFT 53, the source wiring 541, the drain wiring 536, and an interlayer insulating film (organic insulating film) 500 made of, for example, acrylic resin are provided so as to cover the upper portion of the gate wiring. A part of the interlayer insulating film 500 is removed by a photoetching process, and a contact hole 500a is formed on the drain wiring 536. [ A liquid crystal driving electrode 54 (a transparent electrode (ITO)), which is a pixel electrode, is provided on the entire surface of the interlayer insulating film 500. The liquid crystal driving electrode 54 is connected to the drain wiring 536 through the contact hole 500a and is also provided above the source wiring 541 through the interlayer insulating film 500 and above the gate wiring Lt; / RTI > That is, the effective area (opening ratio) of the liquid crystal driving electrode 54 can be increased.

여기에서, 층간 절연막(500)의 막 두께를 두껍게 형성(예를 들면, 수 μm)함으로써, 액정 구동용 전극(54)에 대한 소스 배선(541), 게이트 배선의 기생 용량을 저감하는 것이 가능해진다. 또, 층간 절연막(500)의 막 두께를 상기와 같이 설정함으로써, 액티브 소자(TFT(53))가 다수 형성되어 있는 제1 유리 기판(51) 표면의 요철이 평탄화되며, 리버스 틸트 도메인 등의 배향 결함의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.Here, the parasitic capacitance of the source wiring 541 and the gate wiring with respect to the liquid crystal driving electrode 54 can be reduced by forming the interlayer insulating film 500 thick (for example, several μm) . By setting the film thickness of the interlayer insulating film 500 as described above, the unevenness of the surface of the first glass substrate 51 on which a large number of active elements (TFTs 53) are formed is flattened, and the orientation of the reverse tilt domain It is possible to suppress the occurrence of defects.

이러한 구조의 액정 패널에 있어서, 배향막(56)은, 투명 전극(54, 55) 사이에 전압을 인가하여 액정을 배향시키는 액정 배향을 제어하기 위한 것이다. 종래, 배향막의 제어는 러빙에 의해 행해져 왔지만, 최근, 새로운 배향 제어 기술이 시도되고 있다.In the liquid crystal panel having such a structure, the alignment film 56 is for controlling the liquid crystal alignment in which liquid crystal is aligned by applying a voltage between the transparent electrodes 54 and 55. Conventionally, the alignment film is controlled by rubbing, but a new alignment control technique has been attempted in recent years.

그것은, TFT 소자(53)가 설치된 제1 유리 기판(51)과 당해 제1 유리 기판(51)에 상대되는 제2 유리 기판(52)의 사이에, 전압 인가에 의해 배향되는 배향성을 갖는 액정(58)과, 자외선에 반응하여 중합을 일으키는 광 반응성 물질(자외선 반응 재료)을 혼합한 재료를 봉입해 두고, 이 액정 패널에 자외선을 조사하여 자외선 반응 재료를 중합시키며, 유리 기판(51, 52)에 접하는 액정(즉 표층의 대개 1분자층)의 방향을 고정함으로써, 액정에 프리틸트 앵글을 부여한다(예를 들면 특허 문헌 1 참조).This is because a liquid crystal (liquid crystal) having orientation that is oriented by voltage application is provided between the first glass substrate 51 provided with the TFT element 53 and the second glass substrate 52 opposed to the first glass substrate 51 58 and a photoreactive material (ultraviolet ray reaction material) that causes polymerization in response to ultraviolet rays are sealed in the glass substrate 51, 52, and the liquid crystal panel is irradiated with ultraviolet rays to polymerize the ultraviolet reaction material, Tilt angle is imparted to the liquid crystal by fixing the direction of the liquid crystal (that is, a single molecule layer of the surface layer) in contact with the liquid crystal (see, for example, Patent Document 1).

이 방법에 의하면, 종래 프리틸트 앵글을 부여하기 위해 필요하였던 경사면을 가진 돌기물이 불필요해지므로, 액정 패널의 제조 공정을 간략화할 수 있다. 따라서, 액정 패널의 제조 비용이나 제조 시간을 삭감할 수 있음과 더불어, 상기 돌기물에 의한 그림자가 없어지므로, 개구율이 개선되어, 백라이트의 전력 절약화로도 이어진다는 이점이 있다.According to this method, protrusions having an inclined plane, which was necessary for imparting a conventional pre-tilt angle, become unnecessary, so that the manufacturing process of the liquid crystal panel can be simplified. Therefore, the manufacturing cost and the manufacturing time of the liquid crystal panel can be reduced, and the shadows due to the protrusions are eliminated. Therefore, the aperture ratio is improved, and the power saving of the backlight is also advantageous.

이 새로운 배향 제어를 행하는 액정 패널의 제조 기술에 있어서, 액정과 자외선 반응 재료를 혼합한 재료(이하 자외선 반응 재료를 포함하는 액정이라고 하는 경우도 있다)에 대해 자외선을 조사하는 처리 방법에 관해, 몇 가지의 제안이 이루어져 있다.With respect to a processing method of irradiating ultraviolet rays to a material (hereinafter also referred to as a liquid crystal including an ultraviolet reaction material) obtained by mixing a liquid crystal and an ultraviolet ray reaction material in a manufacturing technique of the liquid crystal panel for performing the new orientation control, Branch proposals are made.

특허 문헌 2에 기재된 「액정 표시 장치 및 그 제조 방법」에서는, 제1 조건의 자외선 조사와, 중합 속도가 제1 조건의 자외선 조사보다 큰 제2 조건의 자외선 조사를, 이 순서로 조합하여 행하는 액정 표시 장치의 제조 방법(단락 0012 등의 기재 참조)이 제안되어 있다. 구체적으로는, 방사 조도와 적산 강도가, 제2 조건 쪽이 제1 조건보다 큰 조건으로 자외선 조사를 행한다.In the " liquid crystal display device and its manufacturing method " described in Patent Document 2, a liquid crystal display device which performs ultraviolet ray irradiation under the first condition and ultraviolet ray irradiation under the second condition, in which the polymerization rate is larger than ultraviolet ray irradiation under the first condition, A manufacturing method of a display device (see the description of paragraph 0012 etc.) has been proposed. Concretely, ultraviolet irradiation is performed under the condition that the irradiance and the integration intensity are larger than the first condition in the second condition.

이와 같이 하면, 제1 조건의 자외선 조사에서는, 비교적 완만한 중합이므로, 배향 이상의 발생을 억제할 수 있으며, 그 후는 중합 속도를 올려도 문제없이, 배향 이상이 없는 혹은 억제된 액정층을 얻을 수 있다. 또, 제2 조건의 자외선 조사에서는 310nm 부근의 저파장 성분의 비율을 많게 하는 것이 바람직하다고 기재되어 있다(단락 0037의 기재 등 참조).In this manner, in the ultraviolet ray irradiation under the first condition, since the polymerization is relatively gentle, the occurrence of alignment abnormality can be suppressed, and thereafter, a liquid crystal layer having no or no alignment abnormality can be obtained . In the ultraviolet irradiation under the second condition, it is described that it is preferable to increase the ratio of the low wavelength component near 310 nm (see the description of paragraph 0037 and the like).

특허 문헌 3에 기재된 「액정 표시 장치 및 그 제조 방법」에서는, 「액정을 열화시키지 않기 위해서는, 필터를 이용하여 310nm 미만의 단파장 영역을 커트한 자외선을 조사한 쪽이 좋은 것을 알 수 있었다.」, 「단, 파장 310nm에서의 강도를 완전히 0으로 해 버리면 원하는 액정 배향이 얻기 어려워진다. 그 때문에, 파장 310nm의 강도가 0.02~0.05mW/cm2 정도는 포함된 광원을 이용한 쪽이 바람직하다.」(단락 0019 등의 기재 참조)라는 지견이 나타나 있다.In the " liquid crystal display device and its manufacturing method " described in Patent Document 3, it was found that it is better to irradiate ultraviolet rays cut in a short wavelength region of less than 310 nm by using a filter in order not to deteriorate the liquid crystal. However, if the intensity at a wavelength of 310 nm is completely made zero, it is difficult to obtain a desired liquid crystal alignment. Therefore, it is preferable to use a light source having an intensity of about 0.02 to 0.05 mW / cm 2 at a wavelength of 310 nm "(see description in paragraph 0019, etc.).

특허 문헌 4에 기재된 「액정 표시 장치 및 그 제조 방법」에서는, 짧은 파장의 자외선 쪽이, 단시간에 액정의 수직 배향성을 얻는데 있어서는 유리하지만, 액정 분자 등의 변질을 촉진하기 쉽고, 긴 파장의 자외선 쪽은, 이 반대로, 액정 분자 등의 변질을 촉진하기 어렵지만, 액정의 수직 배향성을 얻는데 장시간을 요하게 된다고(단락 0031 등의 기재 참조) 하여, 조사하는 자외선의 파장 범위가 나타나 있다. 그러나, 특허 문헌 4에서는, 컬러 필터의 온도 상승에 대해서는 언급되어 있지 않다.In the " liquid crystal display device and its manufacturing method " described in Patent Document 4, although ultraviolet rays of short wavelength are advantageous in obtaining vertical orientation of liquid crystal in a short time, they tend to promote deterioration of liquid crystal molecules and the like, On the contrary, it is difficult to promote the deterioration of the liquid crystal molecules and the like, but it takes a long time to obtain the vertical alignment property of the liquid crystal (see the description of paragraph 0031 etc.), and the wavelength range of the ultraviolet ray to be irradiated is shown. However, in Patent Document 4, the temperature rise of the color filter is not mentioned.

일본국 특허공개 2003-177408호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-177408 일본국 특허공개 2005-181582호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-181582 일본국 특허공개 2005-338613호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-338613 일본국 특허공개 2006-58755호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-58755 일본국 특허공개 2000-2887호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-2887 국제 공개 제2009/016951호 팸플릿International Publication No. 2009/016951 pamphlet

상술한 바와 같이, 액정과 자외선 반응 재료를 혼합한 재료에 대해 자외선 광원으로부터 방출되는 자외선을 조사하는 처리 방법에 관해 몇 가지의 제안이 이루어져 있지만, 우리들이, 여러 가지의 실험을 행하여 검토한 결과, 다음과 같은 지견도 얻고 있다.As described above, some proposals have been made for a treatment method of irradiating ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source to a material in which a liquid crystal and an ultraviolet reaction material are mixed. However, as a result of various experiments, The following findings are also obtained.

자외선 반응 재료를 포함하는 액정을 이용한 액정 패널에 자외선을 조사하고, 당해 자외선 반응 재료를 중합시켜 배향 제어를 행한 액정 패널의 일부에 있어서, 액정 중에 기포가 발생한다는 문제점이 생기는 것이 판명되었다. 특히 수송 중에 발생하는 진동과 같은 충격이 액정 패널에 가해지면 기포의 발생이 현저한 것을 알 수 있었다. 이 기포 발생의 메커니즘은 이하와 같이 생각된다.It has been found that there arises a problem that bubbles are generated in the liquid crystal in a part of the liquid crystal panel in which the liquid crystal panel using the liquid crystal including the ultraviolet ray reaction material is irradiated with ultraviolet rays and the alignment of the ultraviolet ray reaction material is controlled. Particularly, when an impact such as a vibration generated during transportation is applied to the liquid crystal panel, the occurrence of bubbles is remarkable. The mechanism of this bubble formation is considered as follows.

도 12에 액정 패널에 있어서의 발포의 메커니즘을 나타낸다. 또한, 도 12는 상기 도 10에 나타낸 액정 패널의 일부를 확대하여 도시한 도면이며, 도 10, 11과 동일한 것에는 동일한 부호가 붙여져 있다.Fig. 12 shows the mechanism of foaming in the liquid crystal panel. Fig. 12 is an enlarged view of a part of the liquid crystal panel shown in Fig. 10, and the same components as those in Figs. 10 and 11 are denoted by the same reference numerals.

액정 패널에 대해 자외선을 조사할 때에는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 화소마다 각각 배치되는 액티브 소자(도 10의 TFT(53))가 다수 형성되어 있는 제1 유리 기판(51)측으로부터 자외선이 조사된다.10, ultraviolet rays are irradiated from the side of the first glass substrate 51 on which a large number of active elements (the TFT 53 of FIG. 10) are arranged for each pixel, do.

따라서, 자외선 광원으로부터 방출되는 광 중에 층간 절연막(유기 절연막)이 흡수하는 파장역에 속하는 파장의 광이 포함되어 있으면, 층간 절연막(유기 절연막)에 잔존하는 감광기, 혹은 유기 절연막 자체의 광 분해에 의해 가스가 생성된다. Therefore, if the light emitted from the ultraviolet light source contains light having a wavelength belonging to the wavelength range absorbed by the interlayer insulating film (organic insulating film), it is possible to prevent the photodecomposition remaining on the interlayer insulating film (organic insulating film) Gas is generated.

층간 절연막 내에 발생한 가스는, 발생 시점에서는 기포를 형성하지 않는다. 그러나 시간 경과와 함께 확산되어 가, 도 12(a)에 나타낸 바와 같이 배향막(56)을 통과하여 액정층(58)에 침투한다. 이와 같이 하여 액정층(58)에 침투한 가스는, 액정층(58) 내에 용해된다. 액정층(58) 내에 용해되는 가스의 양은, 자외선 광원으로부터 방출되는 광의 조사 시간의 경과와 함께 증대된다.The gas generated in the interlayer insulating film does not form bubbles at the time of generation. However, it spreads with time and passes through the alignment film 56 to penetrate the liquid crystal layer 58 as shown in Fig. 12 (a). The gas thus penetrated into the liquid crystal layer 58 is dissolved in the liquid crystal layer 58. The amount of the gas dissolved in the liquid crystal layer 58 increases with the lapse of the irradiation time of the light emitted from the ultraviolet light source.

이와 같이 액정층(58) 내에 비교적 다량으로 가스가 용해된 상태의 액정 패널에 충격이 가해지면, 액정층(58) 내에 용해되어 있었던 가스의 응집이 발생하여, 도 12(b)에 나타낸 바와 같이 액정층(58) 내에서 육안으로 확인할 수 있는 레벨 크기의 기포로 성장한다. When an impact is applied to the liquid crystal panel in such a state that a relatively large amount of gas is dissolved in the liquid crystal layer 58, the gas dissolved in the liquid crystal layer 58 is agglomerated, and as shown in Fig. 12 (b) The liquid crystal layer 58 grows into bubbles of a level size that can be visually confirmed.

이와 같이 액정층(58) 내에서 발생한 기포의 제거는 곤란하며, 액정 패널의 불량이 된다. 즉, 기포 부분에는 액정이 존재하지 않으므로, 그 부분에서는 화상이 표시되지 않는다.As described above, it is difficult to remove bubbles generated in the liquid crystal layer 58, and the liquid crystal panel becomes defective. That is, since there is no liquid crystal in the bubble portion, no image is displayed in that portion.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 본 발명의 목적은, 자외선 반응 재료를 중합(경화)시키기 위한 광 조사 시에, 층간 절연막 내에서의 가스 발생을 억제하여 당해 가스가 액정층에 주입되는 양을 감소시키며, 자외선 조사 처리가 실시된 액정 패널에 충격이 가해져도 액정층 내에서의 기포 발생이 거의 없는 액정 패널의 제조 장치 및 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of suppressing the generation of gas in the interlayer insulating film and injecting the gas into the liquid crystal layer during light irradiation for polymerizing (curing) And an object of the present invention is to provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a liquid crystal panel in which bubbles are hardly generated in a liquid crystal layer even when an impact is applied to a liquid crystal panel subjected to ultraviolet ray irradiation processing.

발명자들은, 열심히 검토한 결과, 다음의 것을 발견하였다.The inventors, after careful examination, found the following.

우선, 현재 일반적으로 사용되고 있는 액정에 혼합하는 자외선 반응 재료에 대해, 광의 파장에 대한 흡광도를 측정하였다. 도 1에 그 결과인, 광의 파장에 대한 자외선 반응 재료의 흡광도의 그래프를 나타낸다. 이 도면에 있어서, 가로축은 파장(nm), 세로축은 흡광도(%)이다.First, the ultraviolet ray reacting material to be mixed with the liquid crystal, which is generally used at present, was measured for absorbance with respect to the wavelength of light. Fig. 1 shows a graph of the absorbance of ultraviolet reaction material with respect to the wavelength of light, which is the result thereof. In this figure, the horizontal axis indicates the wavelength (nm) and the vertical axis indicates the absorbance (%).

상기 도면에 나타낸 바와 같이, 자외선 반응 재료에서는 특히 파장 370nm 이하의 영역의 광이 흡수되고, 이 경우, 자외선 반응 재료는 중합 반응을 발생한다. 그러나, 실제로는, 중합 반응에 지배적으로 기여하는 것은 파장 360nm 이하의 광이며, 파장 360nm보다 파장이 긴 광의 중합 반응으로의 기여는 현저하게 작은 것을 알 수 있었다.As shown in the figure, in the ultraviolet ray-responsive material, light in a wavelength region of 370 nm or less is absorbed. In this case, the ultraviolet ray-responsive material generates a polymerization reaction. However, in practice, it has been found that the contribution to the polymerization reaction of light having a wavelength longer than 360 nm and longer wavelength than 360 nm, which dominantly contributes to the polymerization reaction, is remarkably small.

한편, 본 발명이 대상으로 하는 아크릴계 유기 절연막인 층간 절연막은 감광기를 포함하며, 이 감광기는 일반적으로 파장 약 430nm 이하의 광을 흡수하고, 그 결과 가스를 생성한다. 또한, 본 발명에 있어서, 층간 절연막은 감광기를 포함하며 광 조사로 반응하고, 노광, 현상 처리에 의해 패턴 형성이 가능한 절연막을 말하며, 이러한 절연막으로서 아크릴계 절연막이 많이 이용되고 있다.Meanwhile, the interlayer insulating film, which is an acrylic organic insulating film to which the present invention is applied, includes a photosensor, which generally absorbs light having a wavelength of about 430 nm or less, and as a result, generates a gas. In the present invention, the interlayer insulating film is an insulating film which includes a photosensitive unit, reacts with light irradiation, and can form a pattern by exposure and development processing. An acrylic insulating film is widely used as such an insulating film.

여기에서, 액정 패널의 액정층 내에서의 기포의 발생을 최소한으로 억제하기 위해서는, 이하와 같은 자외선 광원을 이용하여 액정 패널의 자외선 조사 처리를 행하는 것이 생각된다.Here, in order to suppress the generation of bubbles in the liquid crystal layer of the liquid crystal panel to a minimum, it is conceivable to perform the ultraviolet ray irradiation treatment of the liquid crystal panel using the following ultraviolet light source.

즉, 첫 번째로, 상기 자외선 광원은, 액정 패널 내의 광 반응성 물질(자외선 반응 물질)의 반응에 기여하는 파장 영역의 광(자외선)을 포함하는 광을 방사한다.That is, first, the ultraviolet light source emits light including ultraviolet light in a wavelength range contributing to the reaction of a photoreactive substance (ultraviolet ray reacting substance) in the liquid crystal panel.

두 번째로, 상기 자외선 광원은, 상기 파장 영역의 광의 조사량(노광량)이 광 반응성 물질의 중합 반응이 충분히 행해지는 조사량일 때, 층간 절연막에 흡수되며 당해 층간 절연막에서 가스를 발생시키는 파장 영역의 광의 조사량이, 액정층 내에 침투하는 상기 발생 가스의 양이 액정 패널에 충격이 가해져도 액정층 내에서의 발포가 일어나지 않을 정도의 가스량이라는 조건을 만족하는 조사량이 되는 광을 방사한다.Secondly, the ultraviolet light source absorbs light of a wavelength region that is absorbed by the interlayer insulating film and generates gas in the interlayer insulating film when the amount of irradiation (amount of exposure) of the light in the wavelength region is an irradiation dose sufficient for polymerization reaction of the photoreactive substance The amount of irradiation is such that the amount of the generated gas penetrating into the liquid crystal layer is such a gas amount that the foaming in the liquid crystal layer does not occur even when an impact is applied to the liquid crystal panel.

즉, 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 필요한 에너지량을 A, 층간 절연막 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이, 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량을 B로 하고, 중합 반응에 지배적으로 기여하는 파장 360nm 이하의 광의 조사량(에너지량)을 a, 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하의 광의 조사량(에너지량)을 b로 하였을 때, a=A일 때, b<B가 되는 광을 방출하는 자외선 광원을 이용하여 액정 패널의 자외선 조사 처리를 행하는 것이 바람직한 것을 알 수 있었다.That is, assuming that the amount of energy required for the polymerization reaction of the photoreactive material in the liquid crystal panel is A, the amount of gas generated in the interlayer insulating film and permeating into the liquid crystal layer becomes the amount of gas reaching the foaming in the liquid crystal layer due to the impact applied to the liquid crystal panel (Energy amount) of light having a wavelength of 360 nm or less, which is dominantly contributed to the polymerization reaction, and b is an amount of irradiation (energy amount) of light having a wavelength of 430 nm or less absorbed in the interlayer insulating film, = A, it is preferable to perform the ultraviolet ray irradiation treatment of the liquid crystal panel by using an ultraviolet light source that emits light of b < B.

또한, 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량 A가, 층간 절연막 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이, 액정 패널에 가해진 충격에 의한 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 B를 상회하는 경우는, 액정층 내에서의 발포량을 가능한 한 작게 하는 것은 곤란해진다. 즉, 본 발명에서는, 액정 패널 내의 광 반응성 물질로서, B>A인 조건을 만족하는 특성을 갖는 것을 사용하는 것이 필수가 된다.The amount of energy A required for the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is required to be such that the amount of gas generated in the interlayer insulating film and penetrating into the liquid crystal layer becomes the amount of gas reaching the foaming in the liquid crystal layer due to the impact applied to the liquid crystal panel When the energy amount B is exceeded, it is difficult to make the foaming amount in the liquid crystal layer as small as possible. That is, in the present invention, it is essential to use as the photoreactive material in the liquid crystal panel those having characteristics satisfying the condition of B &gt; A.

본 발명자들은, 상기와 같은 광을 조사할 수 있는 램프로서, 어떠한 램프를 사용할 수 있는지를 조사하였다. 그 결과, 후술하는 바와 같이, 희가스 형광 램프를 이용하는 것이 바람직하다는 것을 알 수 있었다. 또한, 희가스 형광 램프는 방사하는 파장역을 변경할 수 있다.The present inventors have investigated what kind of lamp can be used as a lamp capable of emitting the light as described above. As a result, it has been found that it is preferable to use a rare gas fluorescent lamp as described later. Further, the rare gas fluorescent lamp can change the wavelength range to be radiated.

그래서, 후술하는 바와 같이 파장역이 상이한 3종류의 희가스 형광 램프와 메탈 할라이드 램프에 대해, 광 반응성 물질의 경화에 필요한 조사 시간 t, 파장 360nm 이하의 파장 영역의 방사 조도(mW/cm2), 조사 시간 t의 조건 하에서의 조사량(mJ/cm2), 및 파장 430nm 이하의 파장 영역의 방사 조도(mW/cm2), 조사 시간 t의 조건 하에서의 조사량(mJ/cm2), 발포의 유무를 조사하였다.For the three types of rare gas fluorescent lamps and metal halide lamps having different wavelengths, irradiation time t required for curing the photoreactive material, irradiance (mW / cm 2 ) in the wavelength range of 360 nm or shorter, (MJ / cm 2 ) under the condition of the irradiation time t and irradiation intensity (mW / cm 2 ) in the wavelength range of the wavelength of 430 nm or less, irradiation amount (mJ / cm 2 ) Respectively.

그 결과, 메탈 할라이드 램프를 이용한 경우에는 발포가 발생하였지만, 희가스 형광 램프를 이용한 경우에는, 발포의 발생을 억제할 수 있었다.As a result, foaming occurred when a metal halide lamp was used, but generation of foaming was suppressed when a rare gas fluorescent lamp was used.

이상에 의거하여, 본 발명에서는 이하와 같이 하여 상기 과제를 해결한다.Based on the above, the present invention solves the problems as follows.

(1) 액티브 소자 상에 층간 절연막을 구비하고 광 반응성 물질을 함유하는 액정을 내부에 봉입한 MVA 방식의 액정 패널을 유지하는 워크 스테이지와, 상기 워크 스테이지에 유지된 상기 액정 패널에 대해 램프로부터의 광을 조사하는 광 조사부를 구비하며, 상기 광 조사부로부터의 광을 상기 지지부에 지지된 액정 패널에 대해 조사함으로써, 상기 액정 패널 내의 광 반응성 물질을 반응시켜 액정 패널의 내부에 배향부를 형성하는 액정 패널의 제조 장치에 있어서, 상기 광 조사부의 램프로서 이하의 것을 이용한다.(1) a work stage holding an MVA type liquid crystal panel having an interlayer insulating film on an active element and containing a liquid crystal containing a photoreactive substance therein, and And a light irradiating unit for irradiating the light from the light irradiating unit to the liquid crystal panel supported by the supporting unit to react the light reactive material in the liquid crystal panel to form an alignment part inside the liquid crystal panel, , The following lamps are used as the lamp of the light irradiation unit.

액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량(a)이 당해 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량(A)과 동일할 때, 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량(b)이, 당해 파장 영역의 광을 흡수한 층간 절연막 내에서 발생하는 가스의 발생량이 액정층 내에 침투하여 액정층 내에서의 발포에 이르는 양이 되는데 필요한 에너지량(B)보다 작아지는 발광 스펙트럼을 갖는 램프를 이용한다.When the irradiation amount a of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is equal to the amount of energy A required for the reaction of the photoreactive substance, the irradiation amount b of the light in the wavelength region absorbed in the interlayer insulating film ) Has an emission spectrum which is smaller than the energy amount (B) necessary for the amount of gas generated in the interlayer insulating film that absorbs the light in the wavelength region to penetrate into the liquid crystal layer to reach the foaming in the liquid crystal layer Use a lamp.

(2) 상기 (1)에 있어서, 상기 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량(a)은 310nm~360nm의 파장 영역의 광의 조사량이며, 상기 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량(b)은, 430nm 이하의 파장 영역의 광의 조사량이다.(2) In the above (1), the amount of light (a) of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is the amount of light in the wavelength region of 310 to 360 nm, (B) of the light in the wavelength region of 430 nm or less.

(3) 상기 (1) (2)에 있어서, 상기 램프로서, 실질적으로 파장 300nm 이하의 광을 방사하지 않는 희가스 형광 램프를 이용한다.(3) In the above (1) and (2), a rare gas fluorescent lamp which does not emit light substantially 300 nm or shorter in wavelength is used as the lamp.

본 발명에서는, 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량(a)이 당해 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량(A)과 동일할 때, 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량(b)이, 당해 파장 영역의 광을 흡수한 층간 절연막 내에서 발생하는 가스의 발생량이 액정층 내에 침투하여 액정층 내에서의 발포에 이르는 양이 되는데 필요한 에너지량(B)보다 작아지는 발광 스펙트럼을 갖는 램프를 구비한 자외선 광원을 이용하여 액정 패널을 조사하도록 하였으므로, 광 반응성 물질(자외선 반응 재료)을 경화시킬 때, 층간 절연막에서의 가스 생성을 억제하여, 액정 패널의 액정층에서의 발포를 최소한으로 억제할 수 있다.In the present invention, when the irradiation amount (a) of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is equal to the energy amount (A) required for the reaction of the photoreactive substance, The amount of light irradiation b is smaller than the amount of energy B required for the amount of gas generated in the interlayer insulating film that absorbs the light in the wavelength region to penetrate into the liquid crystal layer to reach the foaming in the liquid crystal layer Since the liquid crystal panel is irradiated with an ultraviolet light source having a lamp having an emission spectrum, gas generation in the interlayer insulating film is suppressed when the photoreactive material (ultraviolet reaction material) is cured, Foaming can be suppressed to a minimum.

도 1은, 광의 파장에 대한 자외선 반응 재료의 흡광도를 도시한 도면이다.
도 2는, 본 발명의 액정 패널의 제조 장치의 구성예를 도시한 도면이다.
도 3은, 희가스 형광 램프의 구성예를 도시한 도면이다.
도 4는, 희가스 형광 램프의 그 밖의 구성예를 도시한 도면이다.
도 5는, 희가스 형광 램프 A의 분광 방사 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 6은, 희가스 형광 램프 B의 분광 방사 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 7은, 희가스 형광 램프 C의 분광 방사 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 8은, 희가스 형광 램프 A, B, C의 분광 방사 스펙트럼을 거듭 도시한 도면이다.
도 9는, 메탈 할라이드 램프의 분광 방사 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 10은, 액정 패널의 구성예를 도시한 도면이다.
도 11은, 층간 절연막을 설치하는 경우에 있어서의 액티브 소자 및 그 주변의 구성예를 도시한 도면이다.
도 12는, 발포의 메커니즘을 설명한 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing the absorbance of an ultraviolet reaction material with respect to the wavelength of light. Fig.
2 is a diagram showing a configuration example of an apparatus for manufacturing a liquid crystal panel of the present invention.
3 is a view showing a configuration example of a rare gas fluorescent lamp.
4 is a diagram showing another example of the structure of the rare gas fluorescent lamp.
Fig. 5 is a diagram showing the spectroscopic emission spectrum of the rare gas fluorescent lamp A. Fig.
Fig. 6 is a diagram showing the spectral radiation spectrum of the rare gas fluorescent lamp B. Fig.
Fig. 7 is a diagram showing the spectral radiation spectrum of the rare gas fluorescent lamp C. Fig.
8 is a view showing the spectral radiation spectrum of the rare gas fluorescent lamps A, B and C repeatedly.
9 is a diagram showing the spectral emission spectrum of a metal halide lamp.
10 is a diagram showing a configuration example of a liquid crystal panel.
11 is a diagram showing an example of the configuration of the active element and the periphery thereof in the case of providing the interlayer insulating film.
12 is a view for explaining the mechanism of foaming.

도 2에 본 발명의 액정 패널의 제조 장치(자외선 조사 장치)의 구성예를 나타낸다. Fig. 2 shows a structural example of an apparatus (ultraviolet irradiating apparatus) for producing a liquid crystal panel according to the present invention.

본 발명의 액정 패널의 제조 장치(자외선 조사 장치)는, 광 조사부(1)와 액정 패널(3)을 올려놓는 워크 스테이지(2)를 구비한다. 워크 스테이지(2)에는, 올려놓은 액정 패널(3)에 전압을 인가하는 기구(2a)가 설치되어 있다. 워크 스테이지(2)에 올려놓은 액정 패널(3)에 대해, 상기 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 전압을 인가하는 기구(2a)로부터 전압을 인가하면서 광 조사부(1)로부터의 광을 조사한다.The apparatus for manufacturing a liquid crystal panel (ultraviolet irradiation apparatus) of the present invention includes a light irradiation unit 1 and a work stage 2 on which a liquid crystal panel 3 is placed. The work stage 2 is provided with a mechanism 2a for applying a voltage to the liquid crystal panel 3 placed thereon. The light from the light irradiating unit 1 is irradiated to the liquid crystal panel 3 placed on the workpiece stage 2 while applying a voltage from the mechanism 2a for applying voltage as described in Patent Document 1.

액정 패널(3)은, 전술한 바와 같이 2장의 광 투과성 기판(유기 기판)(3a, 3b)의 사이에 자외선 반응 재료를 포함한 액정(3c)을 봉입한 구조이며, 상기 도면은 개념도를 나타낸 것이지만, 전술한 바와 같이 유리판 상에, 다수의 액티브 소자(TFT)와 액정 구동용 전극, 컬러 필터, 투명 전극(ITO)이 형성되어 있으며, 시일제(3d)로 주위가 시일링되어 있다.The liquid crystal panel 3 has a structure in which a liquid crystal 3c containing an ultraviolet reactive material is sealed between two transparent substrates (organic substrates) 3a and 3b as described above, A plurality of active elements (TFT), a liquid crystal driving electrode, a color filter, and a transparent electrode (ITO) are formed on a glass plate as described above, and the periphery is sealed by the sealing agent 3d.

광 조사부(1)는, 광원(램프)(1a)과 미러(1b)를 구비하고, 광원(램프)(1)으로서는, 310nm∼360nm의 파장 영역의 광을 포함하는 광을 방출하는 희가스 형광 램프가 사용된다. The light irradiation unit 1 includes a light source (lamp) 1a and a mirror 1b. The light source (lamp) 1 includes a rare gas fluorescent lamp Is used.

상기 광원(1a)은 전원(1c)으로부터 급전되어 점등한다. 이 전원(1c), 상기 전압을 인가하는 기구(2a)는 제어부(4)에 접속되고, 제어부(4)는, 광원(1a)의 점등, 소등, 조사 시간, 액정 패널(3)에 인가하는 전압의 값이나 시간 등을 제어한다.The light source 1a is supplied with power from the power source 1c and lights up. The power source 1c and the mechanism 2a for applying the voltage are connected to the control unit 4 and the control unit 4 controls the operation of the light source 1a so that the light source 1a is turned on, And controls the value and time of the voltage.

액정 패널(3)은 도시 생략의 반송 기구 등에 의해 워크 스테이지(2) 상에 올려놓여진다. 제어부(4)는, 전압을 인가하는 기구(2a)로부터 전압을 인가함과 더불어, 광 조사부(1)로부터 액정 패널에 광을 조사한다. 그리고, 액정 패널에 인가하는 전압, 시간 등을 제어함과 더불어, 광원(1a)의 점등 시간을 제어하여, 액정 패널의 온도 상승을 억제하면서, 액정에 혼합된 자외선 반응 재료(광 반응성 물질)를 경화시켜, 전술한 바와 같이 액정에 프리틸트 앵글을 부여한다.The liquid crystal panel 3 is placed on the workpiece stage 2 by a transport mechanism or the like (not shown). The control unit 4 applies a voltage from a mechanism 2a for applying a voltage and irradiates light from the light irradiation unit 1 to the liquid crystal panel. In addition to controlling the voltage and time to be applied to the liquid crystal panel, it is also possible to control the lighting time of the light source 1a to control the temperature of the liquid crystal panel while suppressing the rise of the ultraviolet reaction material (photoreactive material) And cured to give a pretilt angle to the liquid crystal as described above.

여기에서, 액정에 혼합된 자외선 반응 재료로서는, 당해 자외선 반응 재료를 경화시키는데 필요한 에너지량(상기한 A)이, 층간 절연막 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이, 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 B를 상회하지 않는 특성을 갖는 것이 사용된다.Here, as the ultraviolet ray reaction material mixed into the liquid crystal, it is preferable that the amount of energy (the above-mentioned A) required for curing the ultraviolet ray reaction material is such that the amount of gas generated in the interlayer insulating film and penetrating into the liquid crystal layer is A material having a property that the amount of energy B required for the amount of gas to reach the foaming in the liquid crystal layer is not exceeded is used.

도 3은 상기 희가스 형광 램프의 구성예를 도시한 도면이다. 희가스 형광 램프는 관형상 구조이며, 도 3은 관축을 포함하는 평면에서 절단한 단면도를 나타낸다. 희가스 형광 램프(10)는, 내측관(111)과 외측관(112)이 거의 동일한 축에 배치된 대략 이중관 구조의 용기(발광관)(11)를 가지며, 이 용기(11)의 양단부(11A, 11B)가 봉착(封着)됨으로써, 내부에 원통형상의 방전 공간(S)이 형성된다. 방전 공간(S)에는 크세논, 아르곤, 크립톤 등의 희가스가 봉입된다. 용기(11)는 석영 유리로 이루어지고, 내주면에는 저연화점 유리층(14)이 설치되고, 이 저연화점 유리층(14)의 내주면에, 또한 형광체층(15)이 설치된다. 이 저연화 유리층(14)은, 예를 들면, 붕규산 유리나 알루미노규산 유리 등의 경질 유리가 이용된다. 또, 형광체층(15)은, 예를 들면, 세륨 부활(付活) 알루민산 마그네슘 란탄(La-Mg-Al-O : Ce) 형광체가 이용된다. 내측관(111)의 내주면에는 내측 전극(12)이 설치되고, 외측관(112)의 외주면에는 그물형상의 외측 전극(13)이 설치된다. 이들 전극(12, 13)은 용기(11)와 방전 공간(S)을 사이에 두고 배치되어 있게 된다. 전극(12, 13)은, 리드선(W11, W12)을 통해 전원 장치(16)가 접속된다. 전원 장치(16)로부터 고주파 전압이 인가되면, 전극(12, 13) 사이에 유전체(111, 112)를 개재시킨 방전(이른바 유전체 배리어 방전)이 형성되고, 크세논 가스의 경우는 파장 172nm의 자외광이 발생한다. 여기에서 얻어지는 자외광은, 형광체의 여기용 광이며, 형광체층을 조사함으로써, 중심 파장이 340nm 부근의 자외광이 방사된다.3 is a diagram showing a configuration example of the rare gas fluorescent lamp. The rare gas fluorescent lamp has a tubular structure, and Fig. 3 shows a cross-sectional view taken along a plane including the tube axis. The rare gas fluorescent lamp 10 has a container (light emitting tube) 11 of a substantially double tube structure in which the inner tube 111 and the outer tube 112 are arranged on substantially the same axis, and both ends 11A And 11B are sealed so that a cylindrical discharge space S is formed therein. A rare gas such as xenon, argon, or krypton is sealed in the discharge space (S). The container 11 is made of quartz glass and has a low softening point glass layer 14 on the inner circumferential surface and a phosphor layer 15 on the inner circumferential surface of the low softening point glass layer 14. As the softened glass layer 14, for example, hard glass such as borosilicate glass or aluminosilicate glass is used. As the phosphor layer 15, for example, a cerium-activated magnesium lanthanum magnesium lanthanum (La-Mg-Al-O: Ce) phosphor is used. An inner electrode 12 is provided on the inner peripheral surface of the inner tube 111 and a net outer electrode 13 is provided on the outer peripheral surface of the outer tube 112. These electrodes 12 and 13 are arranged with the container 11 and the discharge space S interposed therebetween. The electrodes 12 and 13 are connected to the power supply unit 16 through the lead wires W11 and W12. When a high frequency voltage is applied from the power supply device 16, a discharge (so-called dielectric barrier discharge) is formed between the electrodes 12 and 13 through the dielectric layers 111 and 112, and in the case of xenon gas, Lt; / RTI &gt; The ultraviolet light obtained here is the excitation light of the phosphor. By irradiating the phosphor layer, ultraviolet light having a center wavelength near 340 nm is emitted.

도 4에 희가스 형광 램프의 그 밖의 구성예를 나타낸다. 이 도면 (a)는 관축을 포함하는 평면에서 절단한 단면도를 나타내고, (b)는 (a)의 A-A선 단면도를 나타낸다. 도 4에 있어서, 램프(20)는 한 쌍의 전극(22, 23)을 가지며, 전극(22, 23)은 용기(발광관)(21)의 외주면에 배치되고, 전극(22, 23)의 외측에는 보호막(24)이 설치된다. 용기(21)의 내주면의 광 출사 방향측에 대해 반대측의 내면에 자외선 반사막(25)이 설치되고(도 4(b) 참조), 그 내주에 저연화점 유리층(26)이 설치되며, 이 저연화점 유리층(26)의 내주면에, 형광체층(27)이 설치된다. 그 밖의 구성은 도 3에 나타낸 것과 동일하며, 용기(21) 내의 방전 공간(S)에 봉입되는 가스, 형광체층(27)에 이용되는 형광체도 동일하다. 전극(22, 23)에 고주파 전압이 인가되면, 전극(22, 23) 사이에 유전체 배리어 방전이 형성되고, 상기한 바와 같이 자외광이 발생한다. 이에 의해 형광체가 여기되어, 형광체층으로부터 중심 파장이 340nm 부근의 자외광이 발생하며, 이 광은 자외선 반사막(25)에서 반사되어, 자외선 반사막(25)이 설치되어 있지 않은 개구 부분으로부터 외부로 방사된다.Fig. 4 shows another configuration example of the rare gas fluorescent lamp. (A) is a cross-sectional view taken along a plane including a tube axis, and (b) is a cross-sectional view taken along line A-A of (a). 4, the lamp 20 has a pair of electrodes 22 and 23, the electrodes 22 and 23 are disposed on the outer circumferential surface of the container (light-emitting tube) 21, and the electrodes 22 and 23 And a protective film 24 is provided on the outer side. An ultraviolet reflection film 25 is provided on the inner surface opposite to the light emitting direction side of the inner peripheral surface of the container 21 (see Fig. 4 (b)) and a low softening point glass layer 26 is provided on the inner periphery thereof, The phosphor layer 27 is provided on the inner peripheral surface of the softening point glass layer 26. The other constitution is the same as that shown in Fig. 3, and the same is true for the gas to be enclosed in the discharge space S in the vessel 21 and the phosphor used for the phosphor layer 27. When a high frequency voltage is applied to the electrodes 22 and 23, a dielectric barrier discharge is formed between the electrodes 22 and 23, and ultraviolet light is generated as described above. As a result, ultraviolet light having a center wavelength of about 340 nm is generated from the phosphor layer, and this light is reflected by the ultraviolet reflection film 25 and emitted from the opening portion where the ultraviolet reflection film 25 is not provided do.

도 5∼도 7에 본 발명의 실시예에서 사용한 희가스 형광 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타낸다. 또한, 가로축은 파장(nm), 세로축은 분광 방사 조도(μW/cm2/nm)이다.5 to 7 show spectral emission spectra of rare gas fluorescent lamps used in the examples of the present invention. The horizontal axis indicates the wavelength (nm) and the vertical axis indicates the spectral irradiance (μW / cm 2 / nm).

전술한 바와 같이 희가스 형광 램프는 방사하는 파장역을 형광 물질의 배합 등에 의해 변경할 수 있으며, 도 5∼도 7은 방사하는 파장역이 상이한 3종류의 희가스 형광 램프 A, B, C의 분광 방사 스펙트럼을 나타낸 것이다. 또한, 도 8에 비교를 위해 3종류의 희가스 형광 램프 A, B, C의 분광 스펙트럼을 거듭 표시한 것을 나타낸다.As described above, the rare gas fluorescent lamp can change the wavelength range to be radiated by combining the fluorescent material. Figs. 5 to 7 show spectral emission spectra of three types of rare gas fluorescent lamps A, B and C having different wavelength ranges to be emitted. Lt; / RTI &gt; 8 shows the spectral spectra of the three kinds of rare gas fluorescent lamps A, B and C repeatedly shown for comparison.

여기에서, 희가스 형광 램프 A는, 방전 공간(S)에 크세논을 주성분으로 한 희가스가 봉입되어 있으며, 형광체층(15)에는, 세륨 부활 알루민산 마그네슘·란탄(La-Mg-Al-O : Ce) 형광체(약칭 LAM 형광체)가 이용되고 있다.In the rare gas fluorescent lamp A, a rare gas containing xenon as a main component is encapsulated in the discharge space S. The phosphor layer 15 is made of cerium-resolved magnesium lanthanum (La-Mg-Al-O: Ce ) Phosphors (abbreviated as LAM phosphors) are used.

또, 희가스 형광 램프 B는, 방전 공간(S)에 크세논을 주성분으로 한 희가스가 봉입되어 있으며, 형광체층(15)에는, 세륨 부활 알루민산 바륨·마그네슘(Ce-Mg-Ba-Al-O) 형광체(약칭 CAM 형광체)가 이용되고 있다.In the rare gas fluorescent lamp B, a rare gas containing xenon as a main component is enclosed in the discharge space S. The cerium-activated barium magnesium-cerium (Ce-Mg-Ba-Al-O) A phosphor (abbreviated as CAM phosphor) is used.

한편, 희가스 형광 램프 C는, 방전 공간(S)에 크세논을 주성분으로 한 희가스가 봉입되어 있으며, 형광체층(15)에는, 세륨 부활 인산 이트륨(Y-P-O : Ce) 형광체(약칭 YPC 형광체)가 이용되고 있다.On the other hand, in the rare gas fluorescent lamp C, a rare gas containing xenon as a main component is enclosed in the discharge space S. A cerium-activated yttrium phosphate (YPO: Ce) phosphor (abbreviated as YPC phosphor) is used for the phosphor layer 15 have.

또한, 도 8에 나타낸 바와 같이, 310nm~360nm의 파장 영역에 있어서, 단파장측의 파장 비율은 [희가스 형광 램프 A]>[희가스 형광 램프 B]>[희가스 형광 램프 C]로 되어 있다.As shown in Fig. 8, in the wavelength range of 310 nm to 360 nm, the wavelength ratio on the shorter wavelength side is [rare gas fluorescent lamp A]> [rare gas fluorescent lamp B]> [rare gas fluorescent lamp C].

도 5∼도 7에 나타낸 바와 같이, 희가스 형광 램프는, 파장 450nm 이하의 파장 영역의 광으로서, 360nm 이하의 파장 영역에 있어서의 방사 조도가 차지하는 비율이 지배적인 광을 방사한다.As shown in Fig. 5 to Fig. 7, the rare gas fluorescent lamp emits light dominated by the ratio of the irradiance in the wavelength range of 360 nm or less as the light in the wavelength range of 450 nm or less.

즉, 중합 반응에 지배적으로 기여하는 파장 360nm 이하의 파장 영역에 있어서의 방사 조도를 ali(W/cm2), 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하 파장 영역에 있어서의 방사 조도의 방사 조도를 bli(W/cm2)로 할 때, bli>ali이지만, bli와 ali의 차는 작다.That is, if the radiation intensity in the wavelength region of 360 nm or less and dominantly contributing to the polymerization reaction is a li (W / cm 2 ), the radiation intensity of the radiation intensity in the wavelength region of 430 nm or less absorbed by the interlayer insulating film is b Li (W / cm 2 ), b li > a li, but the difference between b li and a li is small.

따라서, 조사 시간 t일 때의 360nm 이하의 파장 영역의 광의 조사량을 al(=ali×t(J/cm2)), 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하 파장 영역의 광의 조사량을 bl(=bli×t(J/cm2))로 할 때, bl>al이지만, bl과 al의 차는 작다.Therefore, when the irradiation amount of light in the wavelength region of 360 nm or less at the irradiation time t is a 1 (= a li × t (J / cm 2 )) and the irradiation amount of the light in the wavelength region of 430 nm or less absorbed by the interlayer insulating film is b 1 = b li x t (J / cm 2 )), b l > a l, but the difference between b l and a l is small.

한편, 비교 대조용으로서, 450nm 이상의 파장 영역의 광을 필터로 커트한 경우의 메탈 할라이드 램프의 분광 방사 스펙트럼(필터를 사용)을 도 9에 나타낸다. 또한, 가로축은 파장(nm), 세로축은 분광 방사 조도(μW/cm2/nm)이다.On the other hand, FIG. 9 shows a spectral radiation spectrum (using a filter) of a metal halide lamp in the case where light in a wavelength region of 450 nm or more is cut by a filter as a comparative example. The horizontal axis indicates the wavelength (nm) and the vertical axis indicates the spectral irradiance (μW / cm 2 / nm).

상기 메탈 할라이드 램프는, 종래로부터 자외선 조사 장치에 사용되는 것으로, 내부에 수은과 금속을 봉입하고 있다.The metal halide lamp is conventionally used in an ultraviolet irradiation apparatus, and contains mercury and a metal therein.

도 9로부터 명확하게 알 수 있는 바와 같이, 상기한 구성의 메탈 할라이드 램프는, 파장 450nm 이하의 파장 영역의 광이며, 특히 360nm~430nm의 파장 영역에 있어서의 방사 조도가 차지하는 비율이 지배적인 광을 방사한다. As can be clearly seen from Fig. 9, the metal halide lamp of the above-described configuration is light in a wavelength range of 450 nm or less, particularly light in which the ratio of the irradiance in the wavelength range of 360 to 430 nm is dominant Radiate.

즉, 중합 반응에 지배적으로 기여하는 파장 360nm 이하의 파장 영역에 있어서의 방사 조도를 ami(W/cm2), 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하의 파장 영역에 있어서의 방사 조도의 방사 조도를 bmi(W/cm2)로 할 때, bmi>ami이지만, bmi와 ami의 차는 희가스 형광 램프의 경우보다 현저하게 커진다. Namely, the radiation intensity in the wavelength region of 360 nm or less, which dominantly contributes to the polymerization reaction, is a mi (W / cm 2 ), and the radiation intensity of the radiation intensity in the wavelength region of 430 nm or less b mi (W / cm 2 ), b mi > a mi, but the difference between b mi and a mi becomes significantly larger than that of the rare gas fluorescent lamp.

따라서, 조사 시간 t일 때의 360nm 이하의 파장 영역의 광의 조사량을 am(=ami×t(J/cm2)), 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하 파장 영역의 광의 조사량을 bm(=bmi×t(J/cm2))로 할 때, bm>am이지만, bm과 am의 차는 크고, 희가스 형광 램프의 경우와 비교하면, │bm-am│>│bl-al│이 된다.Therefore, a m (= a mi x t (J / cm 2 )) of the light in the wavelength region of 360 nm or less at the irradiation time t and an irradiation amount of the light of the wavelength region of 430 nm or less absorbed in the interlayer insulating film are b m = b mi x t (J / cm 2 )), b m > a m, but the difference between b m and a m is large, and compared with the case of the rare gas fluorescent lamp, │b m -a m │> b l -a l |.

따라서, 램프로부터의 광을, 중합 반응에 지배적으로 기여하는 파장 360nm 이하의 광의 조사량(에너지량) a가 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량 A와 동일해지도록 액정 패널에 조사하는 경우, 이 때의 조사 시간을 t1, 희가스 형광 램프로부터 방출되는 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하의 광의 조사량(에너지량)을 B1(=bli×t1), 상기한 구성의 메탈 할라이드 램프로부터 방출되는 층간 절연막에 흡수되는 파장 430nm 이하의 광의 조사량(에너지량)을 B2(=bmi×t1)로 할 때, B2>B1이 된다.Therefore, when the light from the lamp is irradiated to the liquid crystal panel so that the irradiation amount (energy amount) a of light having a wavelength of 360 nm or less, which dominantly contributes to the polymerization reaction, becomes equal to the energy amount A required for the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel , The irradiation time at this time is t1, the irradiation amount (energy amount) of light having a wavelength of 430 nm or less absorbed by the interlayer insulating film emitted from the rare gas fluorescent lamp is B1 (= b li x t1) When B2 (= b mi x t 1) is an irradiation amount (energy amount) of light having a wavelength of 430 nm or less absorbed by the interlayer insulating film, B2> B1.

뒤에 나타내는 실험에서 명확하게 알 수 있는 바와 같이, 층간 절연막 내에서 발생하는 가스의 발생량이 액정층 내에 침투 후 충격 등에 의한 액정층 내에서의 발포에 이르는 양이 되는데 필요한 에너지량을 B로 할 때, 자외선 조사 장치의 광원으로서 상기와 같은 희가스 형광 램프를 사용한 경우, B1<B가 되고, 상기와 같은 메탈 할라이드 램프를 사용한 경우, B<B2가 되었다.When the amount of energy required to cause the amount of gas generated in the interlayer insulating film to reach the foaming in the liquid crystal layer due to impact after penetration into the liquid crystal layer is B, When a rare gas fluorescent lamp as described above is used as the light source of the ultraviolet irradiator, B1 < B is satisfied, and when the metal halide lamp as described above is used, B < B2.

즉, 상기와 같은 희가스 형광 램프를 탑재한 자외선 조사 장치로부터 방출되는 광을 액정 패널에 조사함으로써, 자외선 반응 재료를 중합시켜 유리 기판에 접하는 액정(즉 표층의 대개 1분자층)의 방향을 고정하여 액정에 프리틸트 앵글을 부여할 때, 액티브 소자 상의 층간 절연막에 있어서의 가스 생성량이 억제되어, 액정층에서의 발포를 현저하게 억제할 수 있다. 따라서, 액정 패널의 제조상의 문제점을 억제할 수 있다.That is, by irradiating the liquid crystal panel with the light emitted from the ultraviolet irradiator equipped with the rare gas fluorescent lamp as described above, the orientation of the liquid crystal (that is, one molecule layer of the surface layer) contacting the glass substrate is fixed by polymerizing the ultraviolet reaction material When the pretilt angle is imparted to the liquid crystal, the gas generation amount in the interlayer insulating film on the active element is suppressed, and the foaming in the liquid crystal layer can be remarkably suppressed. Therefore, problems in manufacturing the liquid crystal panel can be suppressed.

또한, 파장 300nm 이하의 광은 액정에 흡수되고, 조사량이 많아지면 액정에 데미지가 발생할 가능성이 있으므로, 실질적으로 파장 300nm 이하의 광을 방사하지 않는 램프인 것이 바람직하며, 도 5∼도 7에 나타낸 희가스 형광 램프에서는, 파장 300nm 이하의 광을 거의 방사하지 않는다.In addition, since the light having a wavelength of 300 nm or less is absorbed by the liquid crystal and the amount of irradiation may increase, damage to the liquid crystal may occur. Therefore, it is preferable that the lamp is a lamp which does not emit light substantially 300 nm or less in wavelength. In a rare gas fluorescent lamp, light having a wavelength of 300 nm or less rarely radiates.

본 발명의 효과를 확인하기 위해, 이하의 실험을 행하여, 램프로부터 방사되는 파장과 액정 패널의 발포 유무에 대해 검증하였다. 표 1에 그 결과를 나타낸다.In order to confirm the effect of the present invention, the following experiment was conducted to verify the wavelength emitted from the lamp and the presence or absence of foaming of the liquid crystal panel. Table 1 shows the results.

표 1은, 3종류의 희가스 형광 램프 A~C와 메탈 할라이드 램프를 사용하여 층간 절연막의 조성이 서로 상이한 3개의 액정 패널을 조사하였을 때의, 모노머(자외선 반응 재료)의 경화에 필요한 조사 시간 tc, 오버 조사 시간(모노머의 경화에 필요한 조사 시간의 2배의 시간) 2tc, 310nm~360nm의 파장 영역에 있어서의 적산 방사 조도, 310nm~360nm의 파장 영역의 광을 시간 tc 및 시간 2tc의 기간 조사하였을 때의 각 조사량 a, 310nm~430nm의 파장 영역의 적산 방사 조도, 310nm∼430nm의 파장 영역의 광을 시간 tc 및 2tc 조사하였을 때의 각 조사량 b, 및 시간 tc 동안만 광 조사 후, 액정 패널에 충격을 주어 액정층 내에서의 발포가 발생하였는지의 여부, 및 시간 2tc 동안만 광 조사 후, 액정 패널에 충격을 주어 액정층 내에서의 발포가 발생하였는지의 여부를 나타낸 것이다. 또한, 조사량은 방사 조도에 조사 시간을 곱한 값이다.Table 1 shows the relationship between the irradiation time tc necessary for curing of the monomer (ultraviolet ray reaction material) when three liquid crystal panels having different compositions of the interlayer insulating film were irradiated using the three kinds of rare gas fluorescent lamps A to C and the metal halide lamp 2tc, the integrated irradiance in the wavelength range of 310 nm to 360 nm, and the light in the wavelength range of 310 nm to 360 nm at a time tc and a period of time 2 tc (the irradiation time is 2 times the irradiation time required for curing of the monomer) , The total irradiated light intensity in the wavelength range of 310 to 430 nm and the irradiated light intensity in the wavelength range of 310 nm to 430 nm at the time tc and 2 tc are irradiated for only the irradiation amount b and the time tc, And whether or not the foaming occurred in the liquid crystal layer after the light irradiation for only the time 2 tc was given to the liquid crystal panel. The irradiation amount is a value obtained by multiplying the irradiance by the irradiation time.

[표 1][Table 1]

Figure 112011056384484-pat00001
Figure 112011056384484-pat00001

3장의 액정 패널에 있어서의 액정층(셀 갭)의 두께는 모두 4μm이다. 또, 3개의 액정 패널의 층간 절연막 S1, S2, S3은 모두 감광 파장이 365nm인 아크릴계의 유기 절연막이며 막 두께는 3μm이다. 그러나, 상기 층간 절연막이 함유하는 감광기의 종류, 농도는 서로 상이하다. The thickness of the liquid crystal layer (cell gap) in the three liquid crystal panels is all 4 탆. The interlayer insulating films S1, S2, and S3 of the three liquid crystal panels are all acrylic organic insulating films having a photosensitive wavelength of 365 nm and a film thickness of 3 m. However, the kind and concentration of the photosensor included in the interlayer insulating film are different from each other.

여기에서, 상기 희가스 형광 램프 A~C의 분광 방사 스펙트럼은 상기 도 5∼도 7에 나타낸 바와 같다. 또, 상기 메탈 할라이드 램프의 분광 방사 스펙트럼(필터를 사용)은 도 9에 나타낸 바와 같다. Here, spectral emission spectra of the rare gas fluorescent lamps A to C are as shown in Figs. 5 to 7 above. The spectral emission spectrum (using a filter) of the metal halide lamp is as shown in Fig.

본 실험에서 사용한 메탈 할라이드 램프의 경우, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc는 240초이며, 파장 영역 310nm~360nm의 광의 적산 방사 조도는 약 19.8mW/cm2, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 적산 방사 조도는 96.5mW/cm2였다. 또, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 4752mJ/cm2이며, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량은 23160mJ/cm2였다. 한편, 오버 조사 시간 2tc는 480초이며, 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm∼360nm의 광의 조사량은 9504mJ/cm2이며, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량은 46320mJ/cm2였다. In the case of the metal halide lamp used in this experiment, the time tc required for curing the monomer is 240 seconds, the integrated irradiance of light in the wavelength range of 310 nm to 360 nm is about 19.8 mW / cm 2 , the integrated irradiance of the light in the wavelength range of 310 nm to 430 nm Was 96.5 mW / cm &lt; 2 & gt ;. The irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the time tc was 4752 mJ / cm 2 , and the irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 430 nm was 23160 mJ / cm 2 . On the other hand, over exposure time 2tc is 480 seconds, the amount of irradiation of light in a wavelength range 310nm~360nm in time 2tc is 9504mJ / cm 2, irradiation amount of light in a wavelength range 310nm ~ 430nm was 46320mJ / cm 2.

본 조건 하에서는, 서로 조성이 상이한 아크릴계 유기 절연막인 층간 절연막 S1, S2, S3을 각각 사용한 3장의 액정 패널 모두에 있어서, 발포가 발생하였다.Under these conditions, foaming occurred in all of the three liquid crystal panels using the interlayer insulating films S1, S2, and S3, which are acrylic organic insulating films having different compositions from each other.

즉, 본 실험에서 사용한 메탈 할라이드 램프의 경우, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 atc=4752mJ/cm2의 값이 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 필요한 에너지량 A에 상당한다(atc=A). 또, 시간 tc에 있어서의 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 btc=23160mJ/cm2는, 각 층간 절연막 S1, S2, S3 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Ba, Bb, Bc와 각각 동일하거나 또는 상회하고 있는 것으로 생각된다(btc≥Ba, btc≥Bb, btc≥Bc).That is, in the case of the metal halide lamp used in this experiment, the value of the irradiation amount a tc = 4752 mJ / cm 2 of the light in the wavelength range of 310 nm to 360 nm at the time tc corresponds to the energy amount A required for the polymerization reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel (A tc = A). The amount of light b tc = 23160 mJ / cm 2 , which is absorbed by the interlayer insulating film at the time tc, in the wavelength region of 310 nm to 430 nm is equal to the amount of gas generated in each interlayer insulating film S1, S2, by an impact applied to the volume of gas there is leading to foaming in the liquid crystal layer is considered that the same or higher than the amount of energy of each Ba, Bb, Bc necessary (b tc ≥Ba, b tc ≥Bb , b tc ≥Bc ).

또, 오버 조사 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 a2tc=9504mJ/cm2의 값은 상기 에너지량 A를 상회하고 있으며(a2tc>A), 본 기간에 있어서의 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 b2tc=46320mJ/cm2는, 당연히 상기 에너지량 Ba, Bb, Bc를 각각 상회하고 있다(b2tc>Ba, b2tc>Bb, b2tc>Bc).The value of the irradiation amount a 2tc = 9504 mJ / cm 2 of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the over-irradiation time 2tc exceeds the energy amount A (a 2tc > A), and the wavelength region 310 nm (B 2tc > Ba, b 2tc > Bb, b 2tc > Bc) of the energy b 2tc = 46320 mJ / cm 2 of the light having the wavelength of 430 nm is naturally higher than the energy amounts Ba, Bb and Bc respectively.

한편, 희가스 형광 램프 A의 경우는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc는 180초이며, 파장 영역 310nm~360nm의 광의 적산 방사 조도는 16.4mW/cm2, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 적산 방사 조도는 23.6mW/cm2였다. 또, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 2952mJ/cm2이며, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량은 4248mJ/cm2였다. 한편, 오버 조사 시간 2tc는 360초이며, 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 5904mJ/cm2이고, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량은 8496mJ/cm2였다.On the other hand, in the case of the rare gas fluorescent lamp A, the time tc required for curing the monomer is 180 seconds, the integrated irradiance of the light in the wavelength range of 310 nm to 360 nm is 16.4 mW / cm 2 and the integrated irradiance of the light in the wavelength region of 310 to 430 nm 23.6 mW / cm &lt; 2 & gt ;. The irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the time tc was 2952 mJ / cm 2 , and the irradiation amount of the light in the wavelength region 310 to 430 nm was 4248 mJ / cm 2 . On the other hand, over exposure time 2tc is 360 seconds, the amount of irradiation of light in a wavelength range of 310nm ~ 360nm in time 2tc is 5904mJ / cm 2, a wavelength range of 310nm ~ 430nm light irradiation amount was 8496mJ / cm 2.

본 조건 하에서는, 각 층간 절연막 S1, S2, S3을 각각 사용한 3장의 액정 패널 모두에 있어서, 발포는 발생하지 않았다.Under these conditions, no foaming occurred in all of the three liquid crystal panels using the respective interlayer insulating films S1, S2, and S3.

즉, 본 실험에서 사용한 희가스 형광 램프 A의 경우, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 atc=2952mJ/cm2의 값이 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 필요한 에너지량 A에 상당한다(atc=A). 또, 시간 tc에 있어서의 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 btc=4248mJ/cm2는, 각 층간 절연막 S1, S2, S3 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Ba, Bb, Bc를 각각 하회하고 있다고 생각된다(btc<Ba, btc<Bb, btc<Bc).That is, in the case of the rare gas fluorescent lamp A used in this experiment, the value of the irradiation amount a tc = 2952 mJ / cm 2 of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the time tc is smaller than the energy amount A required for the polymerization reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel (A tc = A). The amount of light b tc = 4248 mJ / cm 2 in the wavelength region of 310 nm to 430 nm absorbed in the interlayer insulating film at the time tc is equal to the amount of gas generated in each interlayer insulating film S1, S2, by the applied shock there is a gas flow leading to foaming in the liquid crystal layer is considered to fall below the amount of energy required Ba, Bb, Bc, respectively (b tc <Ba, b tc <Bb, b tc <Bc).

또, 오버 조사 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 a2tc=5904mJ/cm2의 값은 상기 에너지량 A를 상회하고 있지만(a2tc>A), 본 기간에 있어서의 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 b2tc=8496mJ/cm2는, 상기 에너지량 Ba, Bb, Bc를 각각 하회하고 있다고 생각된다(b2tc<Ba, b2tc<Bb, b2tc<Bc).The value of the irradiation amount a 2tc = 5904 mJ / cm 2 of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the over-irradiation time 2tc exceeds the energy amount A (a 2tc > A), but the wavelength region 310 nm The amount b 2tc = 8496 mJ / cm 2 of light with a wavelength of 430 nm is considered to be below the amounts of energy Ba, Bb and Bc, respectively (b 2tc <Ba, b 2tc <Bb, b 2tc <Bc).

희가스 형광 램프 B의 경우는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc는 330초이며, 파장 영역 310nm∼360nm의 광의 적산 방사 조도는 11.6mW/cm2, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 적산 방사 조도는 18.2mW/cm2였다. 또, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 3828mJ/cm2이며, 파장 영역 310nm∼430nm의 광의 조사량은 6006mJ/cm2였다. 한편, 오버 조사 시간 2tc는 660초이며, 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 7656mJ/cm2이며, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량은 12012mJ/cm2였다.In the case of the rare gas fluorescent lamp B, the time tc required for curing the monomer is 330 seconds, the integrated irradiance of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm is 11.6 mW / cm 2 , the integrated irradiance of the light in the wavelength region 310 nm to 430 nm is 18.2 mW / cm &lt; 2 & gt ;. The irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the time tc was 3828 mJ / cm 2, and the irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 430 nm was 6006 mJ / cm 2 . On the other hand, over exposure time 2tc is 660 seconds, the amount of irradiation of light in a wavelength range of 310nm ~ 360nm in time 2tc is 7656mJ / cm 2, irradiation amount of light in a wavelength range 310nm ~ 430nm was 12012mJ / cm 2.

본 조건 하에서는, 층간 절연막 S1을 사용한 액정 패널에 대해서는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc 동안 광 조사한 경우도, 오버 조사 시간 2tc 동안 광 조사한 경우는 발포는 발생하지 않았다. 한편, 층간 절연막 S2, S3을 각각 사용한 각 액정 패널에 대해서는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc 동안 광 조사한 경우는 발포의 발생은 없었지만, 오버 조사 시간 2tc 동안 광 조사한 경우는 발포가 발생하였다.Under this condition, no foaming occurred in the liquid crystal panel using the interlayer insulating film S1 when light was irradiated for a time tc required for curing the monomer, and for light irradiation for an over-irradiation time 2tc. On the other hand, for each liquid crystal panel using the interlayer insulating films S2 and S3, foaming did not occur when light irradiation was performed for a time tc required for curing the monomer, but foaming occurred when light irradiation was performed for an over-irradiation time 2tc.

즉, 본 실험에서 사용한 희가스 형광 램프 B의 경우, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 atc=3828mJ/cm2의 값이 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 필요한 에너지량 A에 상당한다(atc=A). 또, 시간 tc에 있어서의 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 btc=6006mJ/cm2는, 각 층간 절연막 S1, S2, S3 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Ba, Bb, Bc를 각각 하회하고 있다고 생각된다(btc<Ba, btc<Bb, btc<Bc).That is, in the case of the rare gas fluorescent lamp B used in this experiment, the value of the irradiation amount a tc = 3828 mJ / cm 2 of the light in the wavelength range of 310 nm to 360 nm at the time tc is smaller than the energy amount A required for the polymerization reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel (A tc = A). The amount of light b tc = 6006 mJ / cm 2 in the wavelength region of 310 nm to 430 nm absorbed by the interlayer insulating film at the time tc is equal to the amount of gas generated in each interlayer insulating film S1, S2, by the applied shock there is a gas flow leading to foaming in the liquid crystal layer is considered to fall below the amount of energy required Ba, Bb, Bc, respectively (b tc <Ba, b tc <Bb, b tc <Bc).

또, 오버 조사 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 a2tc=7656mJ/cm2의 값은 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 최저한 필요한 에너지량 A를 상회하고 있지만(a2tc>A), 본 기간에 있어서의 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 b2tc=12012mJ/cm2는, 층간 절연막 S1 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Ba를 하회하고 있다고 생각된다. 그러나, 상기 조사량 b2tc=12012mJ/cm2는, 층간 절연막 S2, S3 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Bb, Bc와 각각 동일하거나 혹은 상회하고 있다고 생각된다(b2tc<Ba, b2tc≥Bb, b2tc≥Bc).The value of the irradiation amount a 2tc = 7656 mJ / cm 2 of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the over-irradiation time 2tc exceeds the minimum amount of energy A required for the polymerization reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel (a 2tc &Gt; A), and the amount of light b 2tc = 12012 mJ / cm 2 in the wavelength region of 310 nm to 430 nm in this period is the amount of gas generated in the interlayer insulating film S 1 and penetrating into the liquid crystal layer, It is considered that the amount of energy Ba required to reach the amount of gas reaching the foaming in the step of FIG. However, the irradiation dose b 2tc = 12012 mJ / cm 2 is an amount of energy necessary for the amount of gas generated in the interlayer insulating films S 2 and S 3 to penetrate into the liquid crystal layer to become the amount of gas reaching the foaming in the liquid crystal layer due to the impact applied to the liquid crystal panel Bb, and Bc, respectively (b 2tc <Ba, b 2tc ≥Bb, b 2tc ≥Bc).

희가스 형광 램프 C의 경우는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc는 480초이며, 파장 영역 310nm~360nm의 광의 적산 방사 조도는 8.5mW/cm2, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 적산 방사 조도는 10.3mW/cm2였다. 또, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 4080mJ/cm2이며, 파장 영역 310nm∼430nm의 광의 조사량은 4944mJ/cm2였다. 한편, 오버 조사 시간 2tc는 960초이며, 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량은 8160mJ/cm2이고, 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량은 9888mJ/cm2였다.In the case of the rare gas fluorescent lamp C, the time tc required for curing the monomer is 480 seconds, the integrated irradiance of the light in the wavelength range 310 nm to 360 nm is 8.5 mW / cm 2 , the integrated irradiance of the light in the wavelength range 310 nm to 430 nm is 10.3 mW / cm &lt; 2 & gt ;. The irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the time tc was 4080 mJ / cm 2, and the irradiation amount of the light in the wavelength region 310 nm to 430 nm was 4944 mJ / cm 2 . On the other hand, over exposure time 2tc is 960 seconds, the amount of irradiation of light in a wavelength range of 310nm ~ 360nm in time 2tc is 8160mJ / cm 2, irradiation amount of light in a wavelength range 310nm ~ 430nm was 9888mJ / cm 2.

본 조건 하에서는, 층간 절연막 S1, S2를 각각 사용한 각 액정 패널에 대해서는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc 동안 광 조사한 경우도, 오버 조사 시간 2tc 동안 광 조사한 경우도 발포는 발생하지 않았다. 한편, 층간 절연막 S3을 사용한 액정 패널에 대해서는, 모노머의 경화에 필요한 시간 tc 동안 광 조사한 경우는 발포의 발생은 없었지만, 오버 조사 시간 2tc 동안 광 조사한 경우는 발포가 발생하였다.Under these conditions, no foaming occurred in each of the liquid crystal panels using the interlayer insulating films S1 and S2, even when light was irradiated for a time tc required for curing the monomer, or when irradiated with light for an over-irradiation time 2tc. On the other hand, in the liquid crystal panel using the interlayer insulating film S3, foaming did not occur when light irradiation was performed for a time tc required for curing the monomer, but foaming occurred when light irradiation was performed for an over-irradiation time 2tc.

즉, 본 실험에서 사용한 희가스 형광 램프 C의 경우, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 atc=4080mJ/cm2의 값이 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 필요한 에너지량 A에 상당한다(atc=A). 또, 시간 tc에 있어서의 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 btc=4944mJ/cm2는, 각 층간 절연막 S1, S2, S3 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Ba, Bb, Bc를 각각 하회하고 있다고 생각된다(btc<Ba, btc<Bb, btc<Bc).That is, in the case of the rare gas fluorescent lamp C used in this experiment, the value of the irradiation amount a tc = 4080 mJ / cm 2 of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the time tc is smaller than the energy amount A (A tc = A). The amount of light b tc = 4944 mJ / cm 2 in the wavelength region of 310 nm to 430 nm absorbed by the interlayer insulating film at the time tc is equal to the amount of gas generated in each interlayer insulating film S1, S2, by the applied shock there is a gas flow leading to foaming in the liquid crystal layer is considered to fall below the amount of energy required Ba, Bb, Bc, respectively (b tc <Ba, b tc <Bb, b tc <Bc).

또, 오버 조사 시간 2tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 a2tc=8160mJ/cm2의 값은 상기 에너지량 A를 상회하고 있지만(a2tc>A), 본 기간에 있어서의 파장 영역 310nm~430nm의 광의 조사량 b2tc=9888mJ/cm2는, 층간 절연막 S1, S2 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Ba, Bb를 각각 하회하고 있다고 생각된다. 그러나, 층간 절연막 S3 내에서 발생하여 액정층 내에 침투하는 가스량이 액정 패널에 가해진 충격에 의해 액정층 내에서의 발포에 이르는 가스량이 되는데 필요한 에너지량 Bc와 동일하거나 혹은 상회하고 있다고 생각된다(b2tc<Ba, b2tc<Bb, b2tc≥Bc).The value of the irradiation amount a 2tc = 8160 mJ / cm 2 of the light in the wavelength region 310 nm to 360 nm at the over-irradiation time 2tc exceeds the energy amount A (a 2tc > A), but the wavelength region 310 nm The irradiation amount b 2tc = 9888 mJ / cm 2 of the light of? 430 nm is the energy required for the amount of gas generated in the interlayer insulating films S1 and S2 to penetrate into the liquid crystal layer to become the amount of gas reaching foaming in the liquid crystal layer due to the impact applied to the liquid crystal panel The amounts Ba and Bb, respectively. It is considered, however, that the amount of gas generated in the interlayer insulating film S3 and penetrating into the liquid crystal layer is equal to or more than the amount of energy Bc required for the amount of gas to reach the foaming in the liquid crystal layer due to the impact applied to the liquid crystal panel ( b2tc &Lt; Ba, b2tc < Bb, b2tc &gt; Bc).

이상을 정리하면 이하와 같이 된다. 서로 조성이 상이한 아크릴계 유기 절연막인 층간 절연막 S1, S2, S3(두께는 각각 3μm)을 각각 사용하여, 액정층의 두께가 4μm인 3장의 액정 패널에 대해, 모노머가 경화하는데 필요한 조사 시간 tc 동안, 3종류의 희가스 형광 램프 A~C와 메탈 할라이드 램프로부터 방출되는 광을 조사하였을 때, 3종류의 희가스 형광 램프 A~C를 이용한 경우는 액정 패널에 충격을 주어도 액정층 내에서 발포는 발생하지 않았다. 그러나, 메탈 할라이드 램프를 이용한 경우는 액정 패널에 충격을 주면 액정층 내에서 발포가 발생하였다.The above is summarized as follows. The thicknesses of the interlayer insulating films S1, S2, and S3 (each having a thickness of 3 mu m), which are acrylic organic insulating films having different compositions from each other, were used for three liquid crystal panels each having a thickness of 4 mu m, When three kinds of rare gas fluorescent lamps A to C were used when light emitted from three kinds of rare gas fluorescent lamps A to C and a metal halide lamp was irradiated, foaming did not occur in the liquid crystal layer even when the liquid crystal panel was impacted . However, when a metal halide lamp was used, a shock occurred in the liquid crystal panel to cause foaming in the liquid crystal layer.

또, 층간 절연막 S1을 이용한 액정 패널의 경우, 발포가 발생하는 에너지량 Ba의 역치는, 12012mJ/cm2~23160mJ/cm2의 사이에 존재하고, 층간 절연막 S2를 이용한 액정 패널의 경우, 발포가 발생하는 에너지량 Bb의 역치는, 9888mJ/cm2~12012mJ/cm2의 사이에 존재하며, 층간 절연막 S3을 이용한 액정 패널의 경우, 발포가 발생하는 에너지량 Ba의 역치는, 8496mJ/cm2~9888mJ/cm2의 사이에 존재하는 것을 알 수 있었다.In the case of a liquid crystal panel using the interlayer insulating film S1, in the case of the liquid crystal panel, the threshold for the amount of energy Ba that foaming occurs, and is present between the 12012mJ / cm 2 ~ 23160mJ / cm 2, using the interlayer insulating film S2, foaming threshold amount of energy Bb generated is, exists between the 9888mJ / cm 2 ~ 12012mJ / cm 2, the case of a liquid crystal panel using the interlayer insulating film S3, the threshold of the amount of energy of Ba which foaming occurs, 8496mJ / cm 2 ~ Cm &lt; 2 &gt; and 9888 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

또한, 시간 tc에 있어서의 파장 영역 310nm~360nm의 광의 조사량 atc(=액정 패널 내의 광 반응성 물질의 중합 반응에 필요한 에너지량 A)가 [희가스 형광 램프 A]<[희가스 형광 램프 B]<[희가스 형광 램프 C]<메탈 할라이드 램프]로 되어 있지만, 이것은 단파장 비율이 클수록 반응 속도가 빨라져, 필요 조사량이 적어지기 때문이라고 생각된다.Further, the irradiation amount a tc (= the amount of energy A required for the polymerization reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel) in the wavelength range of 310 nm to 360 nm at the time tc is [the rare gas fluorescent lamp A] <the rare gas fluorescent lamp B < Rare-gas fluorescent lamp C] <metal halide lamp]. However, it is considered that the larger the short wavelength ratio, the faster the reaction rate and the smaller the required irradiation amount.

1 : 광 조사부
1a : 광원(램프)
1b : 미러
1c : 전원
111 : 내측관(유전체)
112 : 외측관(유전체)
11A, 11B : 양단부
2 : 워크 스테이지
2a : 전압을 인가하는 기구
3 : 액정 패널
3a, 3b : 광 투과성 기판(유리 기판)
3c : 자외선 반응 재료를 포함한 액정
3d : 시일제
4 : 제어부
10, 20 : 램프
11, 21 : 용기(발광관)
12, 13 : 전극
22, 23 : 전극
14, 26 : 저연화점 유리층
15, 27 : 형광체층
16 : 전원 장치
24 : 보호막
25 : 자외선 반사막
S : 방전 공간
W11, W12 : 리드선
50 : 액정 패널
51 : 제1 유리 기판
52 : 제2 유리 기판
53 : TFT
54 : 액정 구동용 전극
55 : 투명 전극(ITO)
56 : 배향막
57 : 컬러 필터
58 : 액정(액정층)
59 : 시일제
531 : 게이트
532 : 게이트 절연막
533 : 반도체층
534 : 소스
535 : 드레인
536 : 드레인 배선
541 : 소스 배선
500 : 층간 절연막(유기 절연막)
500a : 콘택트 홀
1:
1a: Light source (lamp)
1b: mirror
1c: Power supply
111: Inner tube (dielectric)
112: outer tube (dielectric)
11A and 11B:
2: Workstage
2a: a device for applying a voltage
3: liquid crystal panel
3a, 3b: light-transmitting substrate (glass substrate)
3c: liquid crystal containing ultraviolet reactive material
3d: sealant
4:
10, 20: lamp
11, 21: container (luminous tube)
12, 13: electrode
22, 23: electrode
14, 26: low softening point glass layer
15, 27: Phosphor layer
16: Power supply
24: Shield
25: ultraviolet ray reflection film
S: Discharge space
W11, W12: Lead wire
50: liquid crystal panel
51: first glass substrate
52: second glass substrate
53: TFT
54: Electrode for liquid crystal driving
55: transparent electrode (ITO)
56: alignment film
57: Color filter
58: liquid crystal (liquid crystal layer)
59: Seal
531: Gate
532: Gate insulating film
533: semiconductor layer
534: Source
535: Drain
536: drain wiring
541: source wiring
500: interlayer insulating film (organic insulating film)
500a: contact hole

Claims (4)

액티브 소자 상에 층간 절연막을 구비하고 광 반응성 물질을 함유하는 액정을 내부에 봉입한 MVA 방식의 액정 패널을 유지하는 워크 스테이지와, 상기 워크 스테이지에 유지된 상기 액정 패널에 대해 램프로부터의 광을 조사하는 광 조사부를 구비하며, 상기 광 조사부로부터의 광을 상기 워크 스테이지에 유지된 액정 패널에 대해 조사함으로써, 상기 액정 패널 내의 광 반응성 물질을 반응시켜 액정 패널의 내부에 배향부를 형성하는 액정 패널의 제조 장치에 있어서,
상기 광 조사부의 램프는, 희가스 형광 램프로서, 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량(a)이 당해 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량(A)과 동일할 때,
층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량(b)이, 당해 파장 영역의 광을 흡수한 층간 절연막 내에서 발생하는 가스의 발생량이 액정층 내에 침투하여 액정층 내에서의 발포에 이르는 양이 되는데 필요한 에너지량(B)보다 작아지는 발광 스펙트럼을 갖는 램프인 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 장치.
A work stage holding an MVA type liquid crystal panel having an interlayer insulating film on an active element and having a liquid crystal containing a photoreactive substance sealed therein; and a light source for irradiating the liquid crystal panel held on the work stage with light from a lamp And irradiating the light from the light irradiation unit to the liquid crystal panel held on the work stage to react the light reactive material in the liquid crystal panel to form an alignment part in the liquid crystal panel In the apparatus,
The lamp of the light irradiating unit is a rare gas fluorescent lamp. When the amount of light (a) of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is equal to the amount of energy (A)
It is necessary that the amount of irradiation (b) of the light in the wavelength region absorbed in the interlayer insulating film is such that the amount of gas generated in the interlayer insulating film that absorbs the light in the wavelength region penetrates into the liquid crystal layer to reach foaming in the liquid crystal layer (B) is smaller than the energy amount (B) of the liquid crystal panel.
청구항 1에 있어서,
상기 액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량(a)은 310nm~360nm의 파장 영역의 광의 조사량이며, 상기 층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량(b)은, 430nm 이하의 파장 영역의 광의 조사량인 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 장치.
The method according to claim 1,
(A) of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is an amount of light in the wavelength region of 310 to 360 nm, and the amount (b) of light in the wavelength region absorbed by the interlayer insulating film is 430 nm or less Of the light in the wavelength region of the liquid crystal panel.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 희가스 형광 램프는, 실질적으로 파장 300nm 이하의 광을 방사하지 않는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 장치.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the rare gas fluorescent lamp does not emit light substantially having a wavelength of 300 nm or less.
액티브 소자 상에 층간 절연막을 구비하고 광 반응성 물질을 함유하는 액정을 내부에 봉입한 MVA 방식의 액정 패널에 광 조사함으로써, 상기 액정 패널 내의 광 반응성 물질을 반응시켜 액정 패널의 내부에 배향부를 형성하는 액정 패널의 제조 방법에 있어서,
액정 패널 내의 광 반응성 물질의 반응에 기여하는 파장 영역의 광의 조사량(a)이 당해 광 반응성 물질의 반응에 필요한 에너지량(A)과 동일할 때,
층간 절연막에 흡수되는 파장 영역의 광의 조사량(b)이, 당해 파장 영역의 광을 흡수한 층간 절연막 내에서 발생하는 가스의 발생량이 액정층 내에 침투하여 액정층 내에서의 발포에 이르는 양이 되는데 필요한 에너지량(B)보다 작아지도록 희가스 형광 램프를 이용하여 광 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 방법.
An MVA type liquid crystal panel having an interlayer insulating film on the active element and containing a liquid crystal containing a photoreactive material is irradiated with light to react the photoreactive material in the liquid crystal panel to form an alignment portion in the liquid crystal panel A method of manufacturing a liquid crystal panel,
When the irradiation amount (a) of the light in the wavelength region contributing to the reaction of the photoreactive substance in the liquid crystal panel is equal to the amount of energy (A) required for the reaction of the photoreactive substance,
It is necessary that the amount of irradiation (b) of the light in the wavelength region absorbed in the interlayer insulating film is such that the amount of gas generated in the interlayer insulating film that absorbs the light in the wavelength region penetrates into the liquid crystal layer to reach foaming in the liquid crystal layer And irradiating the liquid crystal panel with light by using a rare gas fluorescent lamp so as to be smaller than the energy amount (B).
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