KR20080030326A - 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것으로, 특히 기판에 방열패턴이 형성된 발광소자 패키지에 관한 것이다. 본 발명은 발광소자가 장착된 기판에 방열패턴을 형성함으로서 기판의 노출 표면적을 넓혀 발광소자에서 생성되는 열을 효과적으로 배출할 수 있는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다. 또한, 발광소자 패키지에 별도의 구조물을 부착하지 않고 방열패턴만을 형성하여 우수한 방열효과를 기대할 수 있으므로 제조공정에 어려움이 없고 제조단가 역시 저렴한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발광소자, 방열패턴, 관통홀, 절개패턴, 면적
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방열패턴의 개략 사시도.
도 4 내지 도 12는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 분포는 나타낸 그래프.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도.
도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 15는 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 방열패턴의 개략 평면도.
도 16은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열패턴의 개략 사시도.
도 17은 종래 기술에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 분포를 나타낸 그래프.
도 18및 도 19는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 분포를 나타낸 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 기판 102, 302: 방열패턴
200, 400: 발광소자
본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것으로, 특히 기판에 방열패턴이 형성된 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체의 P-N 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. 상기와 같은 발광 다이오드를 이용한 발광소자는 기존의 전구 또는 형광등에 비하여 소모 전력이 작고 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하다. 종래 기술에 따른 발광소자 패키지는 상기와 같은 발광 다이오드가 실장된 발광소자를 기판 상에 장착하여 사용하였다.
하지만, 상기와 같은 발광 다이오드 즉, 발광칩의 기술이 점점 발달함에 따라 발광소자의 밝기 역시 점점 더 밝아지고 있다. 발광칩의 밝기는 전류에 비례하므로, 발광칩을 더 밝게 하기 위해서는 더 많은 전류를 필요로 한다. 그러나 별도의 방열구조가 형성되지 않은 종래기술에 따른 발광소자 패키지는 발광칩 동작 시 생성되는 열의 대부분을 기판을 통해 배출한다. 하지만, 발광칩으로 고출력인 파워칩과 같은 발광칩을 사용할 경우 기판만으로는 방열하기에는 기판의 면적에 한계가 있다. 즉, 고전류를 인가하면 할수록 발광칩은 더 많은 열을 발산하게 되고, 그에 따라 발광칩이 손상을 입게 되어 수명이 줄어드는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광소자 패키지의 열을 효과적으로 방열할 수 있는 발광소자 패키지를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 발광소자와, 상기 발광소자가 장착되는 기판과, 상기 기판을 관통하여 방열 면적을 넓히기 위한 방열패턴을 포함하고, 상기 방열패턴은 상기 발광소자가 장착된 영역 이외의 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지를 제공한다.
이때, 상기 방열패턴은 관통홀 또는 절개패턴을 포함할 수 있다.
상기 관통홀은 원기둥 형상, 타원기둥 형상, 다각기둥 형상 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 관통홀은 제 1 및 제 2 길이와 기판의 두께로 체적을 나타낼 수 있는 사각기둥 형상을 포함하고, 상기 제 1 길이와 제 2 길이 및 기판의 두께는 동일한 것이 바람직하다.
상기 절개패턴은 직선 절개패턴, 물결 절개패턴, 사각 절개패턴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하 도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 방열패턴의 개략 사시도이고, 도 4 내지 도 12는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 분포는 나타낸 그래프이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지는 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 광원인 발광소자(200)와, 상기 발광소자(200)가 장착되며 방열패턴(102)이 형성된 기판(100)을 포함한다.
상기 발광소자(200)는 본 발명에 따른 발광소자 패키지의 광원으로서, 그 내부에는 발광칩이 실장된다. 즉, 상기 발광소자(200)는 발광칩이 실장되어 외부 전원에 의해 발광될 수 있는 구조, 예를 들어 리드프레임이 형성된 하우징 상에 리드프레임과 전기적으로 연결된 발광칩이 실장된 구조를 가질 수 있다.
이때, 상기와 같은 발광칩은 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고 이들의 재결합에 의하여 발광된다. 본 실시예에서는 이러한 상기 발광소자(200)를 상기 기판(100) 상에 실장하고, 기판(100)의 전극패턴(미도시)과 상기 발광소자를 연결하여 외부전원을 인가할 수 있다. 본 실시예에서는 상기 발광소자(200)에 실장된 발광칩으로 1W의 파워칩을 사용하기로 한다.
상기 기판(100)은 발광소자(200)에 외부전원을 인가하고 발광소자(200) 동작 시 생성되는 열을 외부로 빠르게 배출하기 위한 것으로서, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB), 금속 심 인쇄회로기판(Metal Core Printed Circuit Board; MCPCB), FR4, BT 수지(Bismaleimide Triazine Resin; BT Resin) 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 인쇄회로기판을 예로 하여 설명하기로 한다. 이러한 본 실시예에 따른 기판(100)은 상부면에 발광소자(200)가 장착되며, 상기 발광소자(200)가 장착된 이외의 기판(100) 영역에 방열패턴(102)이 형성된다.
상기 방열패턴(102)은 상기 기판(100)의 표면적을 넓혀 발광칩의 동작 시 생성되는 열을 보다 빨리 외부로 배출하기 위한 것으로서, 본 실시예에서는 관통홀을 포함한다.
상기 관통홀은 도면에 도시된 바와 같이 매트릭스 형태로 배열된 다수개의 홀이 기판(100)을 수직관통하는 형상으로 형성되며, 본 실시예에서는 상기 관통홀을 사각기둥 형상으로 형성한다.
상기와 같이 사각기둥 형상으로 형성된 본 실시예에 따른 관통홀은 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 내지 제 4 수직면(VS1 ~ VS4)을 포함한다. 즉, 상기 기판(100)은 관통홀을 형성하기 전 관통홀이 형성될 영역의 기판(100) 상부 및 하부면에 제 1 및 제 2 수평면(HS1, HS2)을 가지며, 기판(100)을 수직관통하는 관통홀을 형성함으로서 상기 제 1 및 제 2 수평면(HS1, HS2)은 제거되고 제 1 내지 제 4 수직면(VS1 ~ VS4)이 형성된다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 수평면(HS1, HS2)은 각각 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)로 그 넓이를 나타낼 수 있으며, 상기 제 1 내지 제 4 수직면(VS1 ~ VS4)은 상기 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)와 기판의 두께(H1)로 그 넓이를 나타낼 수 있다.
표 1은 도 4 내지 도 11에 도시된 본 실시예에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 최대값과 최소값을 측정한 것이다. 이때, 상기 발광소자 패키지는 200W(mK)의 열전도율을 가지며 가로×세로×높이(두께)가 25mm×25mm×1.6mm인 기판(100)을 사용하였으며, 1W의 발광칩을 사용하였다. 또한, 발광소자 패키지에서 발생되는 열의 최대값과 최소값을 측정할 때 주위온도는 실온(약 섭씨 25도)에서 측정하였으며, 열전달 계수는 40W(m2K)이다. 또한, 표 1에서 크기는 관통홀의 가로(제 1 길이)×세로(제 2 길이)이며, 발광소자 패키지의 최고온도(Tmax)는 발광칩에서 측정하였으며, 최소온도(Tmin)는 발광칩과 가장멀리 떨어진 기판(100)에서 측정한 것이다. 또한, 괄호 안은 종래기술에 따른 발광소자 패키지와의 온도차를 기록한 것이다.
< 표 1 >
| 구분 | 0.2mm×0.2mm | 0.4mm×0.4mm | 0.6mm×0.6mm | 0.8mm×0.8mm | 1.0mm×1.0mm |
| Tmax(℃) | 134.32 (-8.07) | 129.09 (-13.3) | 124.72 (-17.67) | 121.30 (-21.09) | 118.87 (-23.52) |
| Tmin(℃) | 124.43 (-8.09) | 119.13 (-13.39) | 114.59 (-17.93) | 110.89 (-21.63) | 108.00 (-24.52) |
| 구분 | 1.2mm×1.2mm | 1.4mm×1.4mm | 1.6mm×1.6mm | 1.8mm×1.8mm | 0.0mm×0.0mm (종래기술) |
| Tmax(℃) | 118.10 (-24.29) | 117.45 (-24.94) | 118.65 (-23.74) | 123.06 (-19.33) | 142.39 |
| Tmin(℃) | 106.35 (-26.17) | 104.69 (-27.83) | 103.62 (-28.90) | 101.50 (-31.02) | 132.52 |
표 1을 참조하면, 도 4에 도시된 발광소자 패키지는 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 각각 0.2mm인 관통홀이 형성된 기판(100)을 사용하였다. 상기와 같이 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 각각 0.2mm인 관통홀의 제 1 내지 제 4 수직면(VS1 ~ VS4)은 각각 0.32mm2의 넓이를 갖게 되며, 관통홀 전체의 넓이 즉, 제 1 내지 제 4 수직면(VS1 ~ VS4) 면적의 합은 1.28mm2의 넓이를 갖게 된다. 이는 관통홀이 형성되기 전인 0.08mm2의 면적보다 16배가 넓어진 것으로서, 상기와 같이 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 각각 0.2mm이며 높이가 1.6mm인 관통홀을 형성하였을 경우 최고온도는 섭씨 134.32도, 최저온도는 섭씨 124.43도로 관통홀이 형성되지 않은 종래기술에 따른 발광소자 패키지(최고온도 섭씨 142.39도, 최저온도 섭씨 132.52도)보다 최고온도는 섭씨 8.07도, 최저온도는 섭씨 8.09도 낮아진다.
또한, 표 1에 나타나듯이 도 5 내지 도 12에 도시된 발광소자 패키지 역시 각각 제 1 길이×제 2 길이가 0.4mm×0.4mm, 0.6mm×0.6mm, 0.8mm×0.8mm, 1.0mm×1.0mm, 1.2mm×1.2mm, 1.4mm×1.4mm, 1.6mm×1.6mm, 1.8mm×1.8mm인 관통홀을 형성하여, 종래 기술에 따른 발광소자 패키지와의 최고온도 차이가 각각 섭씨 13.3도, 섭씨 17.67도, 섭씨 21.09도, 섭씨 23.52도, 섭씨 24.29도, 섭씨 24.94도, 섭씨 23.74도, 섭씨 19.33도 낮아진다.
이때, 표 1에 따르면 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 같고, 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)와 기판의 두께(H1)가 거의 동일할 때 발광 소자 패키지의 온도가 가장 낮아지며, 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 각각 1.4mm 또는 1.6mm일 때 가장 우수한 방열 성능을 나타낸다. 즉, 본 실시예에 따른 관통홀은 제 1 및 제 2 길이(L1, L2) 가 같고 기판의 두께(H1)와 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 거의 동일할 때 가장 우수한 방열 성능을 나타내며 특히, 기판의 두께(H1)가 1.6mm일 때 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 각가 1.6mm일 때 가장 우수한 방열 성능을 나타낸다. 따라서, 본 실시예에 따른 관통홀은 기판의 두께(H1)가 1.6mm일 때 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)가 각각 1.4mm인 것이 가장 바람직하다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 및 제 2 길이(L1, L2)는 동일하지 않을 수도 있다. 또한, 상기 기판의 두께(H1)가 1.6mm이하 또는 이상일 경우 상기 제 1 및 제 2 길이(L1, L2) 역시 달라진 기판의 두께(H1)와 거의 동일한 값을 갖는 것이 바람직하다.
상기와 같이 본 실시예에 따른 발광소자 패키지는 관통홀을 형성하여 종래기술에 따른 발광소자 패키지와 같은 크기를 갖는 기판을 사용하더라도 전체 열 방출 면적은 훨씬 넓어지게 되며, 이에 따라 방열성능 역시 우수해져 종래기술에 따른 발광소자 패키지보다 20%이상 발광소자 패키지의 최고온도를 낮출 수 있다.
한편, 본 실시예에서 상기 관통홀의 형상을 사각기둥 형상으로 하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 관통홀은 원기둥, 타원기둥 또는 다각기둥 형상으로 형성될 수도 있다.
다음은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대해 도면을 참조하여 설명하고자 한다. 후술할 내용 중 전술한 제 1 실시예와 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 설명하기로 한다.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 15는 본 발 명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 방열패턴의 개략 평면도이고, 도 16은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 방열패턴의 개략 사시도이고, 도 17은 종래 기술에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 분포를 나타낸 그래프이고, 도 18및 도 19는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 분포를 나타낸 그래프이다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지는 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이 광원인 발광소자(400)와, 상기 발광소자(400)가 장착되며 방열패턴(302)이 형성된 기판(300)을 포함한다.
상기 발광소자(400)는 본 발명에 따른 발광소자 패키지의 광원으로서, 그 내부에는 발광칩이 실장된다. 이러한 본 실시예에 따른 발광소자(400)는 전술한 제 1 실시예와 동일하게 발광칩이 실장되어 외부 전원에 의해 발광될 수 있는 구조를 갖는다. 이때, 본 실시예 역시 상기 발광칩으로 1W의 파워칩을 사용하기로 한다.
상기 기판(300)은 발광소자(400)에 외부전원을 인가하고 발광소자(400) 동작 시 생성되는 열을 외부로 빠르게 배출하기 위한 것으로서, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB), 금속 심 인쇄회로기판(Metal Core Printed Circuit Board; MCPCB), FR4, BT 수지(Bismaleimide Triazine Resin; BT Resin) 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 전술한 제 1 실시예와 동일하게 인쇄회로기판을 예로 하여 설명하기로 한다. 이러한 본 실시예에 따른 기판(300)은 상부면에 발광소자(400)가 장착되며, 상기 발광소자(400)가 장착된 이외의 기판(300) 영역에 방열패턴(302)이 형성된다.
상기 방열패턴(302)은 상기 기판(300)의 표면적을 넓혀 발광칩의 동작 시 생성되는 열을 보다 빨리 외부로 배출하기 위한 것으로서, 본 실시예에서는 절개패턴을 포함한다.
상기 절개패턴은 도면에 도시된 바와 같이 기판(300)의 가장자리에서 발광소자(400)가 장착된 방향으로 절개된 다수개의 슬릿이 기판(300)을 수직관통하는 형상으로 형성되며, 본 실시예에서는 이러한 상기 절개패턴을 사각기둥 형상 즉, 직선 절개패턴으로 형성한다.
하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 절개패턴은 도 15 (a)에 도시된 바와 같이 절곡된 물결무늬 형상으로 형성할 수도 있으며, 도 15 (b)에 도시된 바와 같이 물결무늬 형상으로 형성될 수도 있다. 또한, 도 15 (c)에 도시된 바와 같이 사각 형상으로 형성할 수도 있다. 즉, 상기 절개패턴은 직선형태와 곡선형태를 포함하는 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 도면에서는 절개패턴이 발광소자를 사이에 두고 기판 양측에 형성되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며 발광소자를 제외한 기판의 어떤 영역이라도 절개패턴이 형성될 수 있다.
상기와 같이 사각기둥 형상으로 형성된 본 실시예에 따른 절개패턴은 도 16에 도시된 바와 같이 제 6 내지 제 8 수직면(VS6 ~ VS8)을 포함한다. 즉, 상기 기판(100)은 절개패턴을 형성하기 전 절개패턴이 형성될 영역의 기판(100) 상부 및 하부면에 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4)과 제 5 수직면(VS5)을 가지며, 기판(100)을 수직관통하는 절개패턴을 형성함으로서 상기 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4)과 제 5 수직면(VS5)은 제거되고 제 6 내지 제 8 수직면(VS6 ~ VS8)이 형성된다. 이 때, 상기 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4)은 각각 제 3 및 제 4 길이(L3, L4)로 그 넓이를 나타낼 수 있으며, 제 5 수직면(VS5)은 제 3 길이(L3)와 기판의 두께(H2)로 그 넓이를 나타낼 수 있다. 또한, 상기 제 6 내지 제 8 수직면(VS6 ~ VS8)은 상기 제 3 및 제 4 길이(L3, L4)와 기판의 두께(H2)로 그 넓이를 나타낼 수 있다.
표 2는 도 17에 도시된 종래기술에 따른 발광소자와 도 18 및 도 19에 도시된 본 실시예에 따른 발광소자 패키지의 동작 시 발생되는 열의 최대값과 최소값을 측정한 것이다. 이때, 상기 발광소자 패키지는 200W(mK)의 열전도율을 가지며 가로×세로×높이(두께)가 25mm×25mm×1.6mm인 기판(300)을 사용하였으며, 6W의 발광칩을 사용하였다. 또한, 발광소자 패키지에서 발생되는 열의 최대값과 최소값을 측정할 때 주위온도는 실온(약 섭씨 25도)에서 측정하였으며, 열전달 계수는 20W(m2K)이다. 또한, 발광소자 패키지의 최고온도(Tmax)는 발광칩에서 측정하였으며, 최소온도(Tmin)는 발광칩과 가장멀리 떨어진 기판(300)에서 측정한 것이다. 또한, 괄호 안은 종래기술에 따른 발광소자 패키지와의 온도차를 기록한 것이다.
< 표 2 >
| 직선 절개패턴 | 물결 절개패턴 | 절개패턴 없음 | |
| Tmax(℃) | 121.9(-20.49) | 118.1(-24.29) | 142.39 |
| Tmin(℃) | 114.7(-13.32) | 110.6(-21.92) | 132.52 |
표 2를 참조하면, 도 18에 도시된 발광소자 패키지는 절개패턴이 형성되되 직선 형태의 절개패턴이 형성된다. 이때, 상기 절개패턴은 기판(300)의 일측과 이에 대향하는 타측에 다수개가 등간격으로 형성되는 것이 바람직하다. 상기와 같이 직선 절개패턴이 형성된 도 18에 도시된 발광소자 패키지는 도 17에 도시된 종래기 술에 따른 발광소자 패키지보다 우수한 방열성능을 나타낸다. 예를 들어, 도 18에 도시된 발광소자 패키지의 절개패턴의 제 3 및 제 4 길이(L3, L4)를 각각 1.4mm, 20mm로 하고, 기판의 두께(H2)를 1.6mm로 할 경우, 종래 기술에 따른 발광소자 패키지의 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4)의 면적의 합은 56mm2가 되고, 도 5 수직면(VS5)의 면적은 2.24mm2가 된다. 따라서, 상기 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4)과 제 5 수직면(VS5) 면적의 합은 58.24mm2가 된다. 하지만, 도 18에 도시된 본 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4)과 제 5 수직면(VS5)이 제거되는 대신 제 6 내지 제 8 수직면(VS6 ~ VS8)이 형성되며, 상기 제 6 내지 제 8 수직면(VS5 ~ VS7) 면적의 합은 66.24mm2이 되어 8mm2의 면적이 더 증가된다. 상기와 같이 직선 절개패턴이 형성된 본 실시예에 따른 발광소자 패키지는 최고온도가 섭씨 134.32도, 최저온도는 섭씨 124.43도로 절개패턴이 형성되지 않은 종래기술에 따른 발광소자 패키지(최고온도 섭씨 142.39도, 최저온도 섭씨 132.52도)보다 최고온도는 섭씨 20.49도, 최저온도는 섭씨 13.32도 낮아진다.
이때, 상기 제 3 길이보다 기판의 두께(H2)가 더 커야 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4) 및 제 5 수직면(VS5)보다 제 6 내지 제 8 수직면(VS6 ~ VS8) 면적의 합이 더 크게 되며, 상기와 같이 제 6 내지 제 8 수직면(VS6 ~ VS8) 면적의 합이 제 3 및 제 4 수평면(HS3, HS4) 및 제 5 수직면(VS5)보다 클수록 방열성능은 더욱 우수해진다.
한편, 도 19에 도시된 본 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지는 기판에 물결 절개패턴이 형성된다. 이러한 물결무늬 형태의 절개패턴이 형성될 경우 도 18에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 직선 절개패턴보다 그 면적이 더욱 넓어지게 되며, 표 2에 나타나듯이 종래기술에 따른 발광소자 패키지보다 최고온도는 섭씨 24.29도, 최저온도는 섭씨 21.92도 정도 낮아진다. 즉, 상기 절개패턴의 면적이 넓어질수록 방열성능은 더욱 우수해진다는 것을 알 수 있다.
상기와 같이 본 실시예에 따른 발광소자 패키지 역시 전술한 제 1 실시예와 동일하게 기판(300)의 노출 표면적을 넓힘으로서 열이 배출될 면적이 넓어져 더욱 우수한 방열성능을 기대할 수 있으며, 이로 인해 종래기술에 따른 발광소자 패키지보다 10%이상 발광소자 패키지의 최고온도를 낮출 수 있다.
이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명은 발광소자가 장착된 기판에 방열패턴을 형성함으로서 기판의 노출 표면적을 넓혀 발광소자에서 생성되는 열을 효과적으로 배출할 수 있는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
또한, 발광소자 패키지에 별도의 구조물을 부착하지 않고 방열패턴만을 형성하여 우수한 방열효과를 기대할 수 있으므로 제조공정에 어려움이 없고 제조단가 역시 저렴한 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
Claims (5)
- 발광소자와,상기 발광소자가 장착되는 기판과,상기 기판을 관통하여 방열 면적을 넓히기 위한 방열패턴을 포함하고,상기 방열패턴은 상기 발광소자가 장착된 영역 이외의 기판에 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
- 청구항 1에 있어서,상기 방열패턴은 관통홀 또는 절개패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
- 청구항 2에 있어서,상기 관통홀은 원기둥 형상, 타원기둥 형상, 다각기둥 형상 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
- 청구항 3에 있어서,상기 관통홀은 제 1 및 제 2 길이와 기판의 두께로 체적을 나타낼 수 있는 사각기둥 형상을 포함하고,상기 제 1 길이와 제 2 길이 및 기판의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
- 청구항 2에 있어서,상기 절개패턴은 직선 절개패턴, 물결 절개패턴, 사각 절개패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
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