KR20080027164A - 기판 처리 장치 - Google Patents
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- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
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Abstract
Description
Claims (10)
- 복수의 기판을 적층한 상태로 수용하는 처리실과,상기 기판 및 상기 처리실 내의 분위기를 가열하는 가열 수단과,상기 가열 수단에 의하여 가열된 상기 처리실 내의 분위기 온도에서 자기 분해하는 원료 가스를 공급하는 제1 가스 공급 수단과,산화성 가스를 공급하는 제2 가스 공급 수단과,상기 처리실 내의 분위기를 배출하는 배출 수단과,적어도 상기 제1 가스 공급 수단, 상기 제2 가스 공급 수단 및 상기 배출 수단을 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제1 가스 공급 수단은, 상기 처리실에 상기 원료 가스를 도입하는 적어도 1개의 제1 도입구를 더 포함하고,상기 제1 도입구는 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판쪽 방향을 피해 개구하고,상기 제2 가스 공급 수단은, 상기 처리실에 상기 산화성 가스를 도입하는 적어도 하나의 제2 도입구를 더 포함하고,상기 제2 도입구는 상기 처리실 내에 수용된 기판쪽 방향을 향해 개구하고,상기 제1 가스 공급 수단은, 상기 기판의 적층 방향을 따라 연재(延在)하는 제1 노즐을 포함하고,상기 제1 도입구는 상기 제1 노즐의 선단에 1개 설치되고,상기 제2 가스 공급 수단은, 상기 기판의 적층 방향을 따라 연재하는 제2 노즐을 포함하고,상기 제2 도입구는 상기 제2 노즐의 측벽에 복수 설치되고,상기 가열 수단은, 상기 기판 및 상기 처리실 내의 분위기를 180~250℃로 가열하고,상기 제어부는, 상기 제1 가스 공급 수단, 상기 제2 가스 공급 수단 및 상기 배출 수단을 제어하고, 상기 처리실에 대하여 상기 원료 가스인 테트라키스 에틸 메틸 아미노 하프늄(Tetrakis ethyl methyl amino hafnium, TEMAH)과 상기 산화성 가스인 오존을 교대로 공급, 배기하여, 상기 기판상에 산화 하프늄막을 생성하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 복수의 기판을 적층한 상태에서 수용하는 처리실과,상기 기판 및 상기 처리실 내의 분위기를 가열하는 가열 수단과,상기 가열 수단에 의하여 가열된 상기 처리실 내의 분위기 온도에서 자기 분해하는 원료 가스를 공급하는 제1 가스 공급 수단과,산화성 가스를 공급하는 제2 가스 공급 수단과,상기 처리실 내의 분위기를 배출하는 배출 수단과,적어도 상기 제1 가스 공급 수단, 상기 제2 가스 공급 수단 및 상기 배출 수단을 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제1 가스 공급 수단은, 상기 처리실에 상기 원료 가스를 도입하는 적어도 1개의 제1 도입구를 더 포함하고,상기 제1 도입구는 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판쪽 방향을 피해 개구하고,상기 제2 가스 공급 수단은, 상기 처리실에 상기 산화성 가스를 도입하는 적어도 하나의 제2 도입구를 더 포함하고,상기 제2 도입구는 상기 처리실 내에 수용된 기판쪽 방향을 향해 개구하고,상기 제어부는, 상기 제1 가스 공급 수단, 상기 제2 가스 공급 수단 및 상기 배출 수단을 제어하여, 상기 처리실에 대하여 상기 원료 가스와 상기 산화성 가스를 교대로 공급, 배기하여, 상기 기판상에 원하는 막을 생성하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 제1 가스 공급 수단은, 상기 기판의 적층 방향을 따라 연재하는 제1 노즐을 더 포함하고,상기 제1 도입구는 상기 제1 노즐의 선단에 1개 설치되고,상기 제2 가스 공급 수단은, 상기 기판의 적층 방향을 따라 연재하는 제2 노즐을 더 포함하고, 상기 제2 도입구는 상기 제2 노즐의 측벽에 복수 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 제2 도입구의 각각은, 상기 적층 방향에 있어서 소정 간격으로 상기 제2 노즐에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 원료 가스는, 상기 제1 도입구로부터 상기 처리실의 천정부 방향을 향해 상기 처리실 내부로 수직 방향으로 도입되고,상기 산화성 가스는, 상기 제2 도입구의 각각으로부터 수평 방향으로 상기 처리실 내부로 도입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 가열 수단은, 상기 기판 및 상기 처리실 내의 분위기를 180~250℃로 가열하고,상기 원료 가스는 테트라키스 에틸 메틸 아미노 하프늄, 상기 산화성 가스는 오존이며, 상기 기판상에 상기 막으로서 산화 하프늄막을 생성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2항에 있어서 상기 원료 가스는, 상기 기판에 대하여 주로 확산에 의하여 공급되고,상기 산화성 가스는, 상기 기판에 대하여 주로 가스 흐름에 의하여 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 제1 가스 공급 수단으로부터 상기 처리실로 상기 원 료 가스가 공급되고 있을 때에는, 상기 제2 가스 공급 수단으로부터는 불활성 가스가 공급되고,상기 제2 공급 수단으로부터 상기 처리실에 상기 산화성 가스가 공급되고 있을 때에는, 상기 제1 가스 공급 수단으로부터는 산화성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 복수의 기판을 적층한 상태에서 처리실에 수용하는 공정과,가열 수단의 가열에 의하여 상기 기판 및 상기 처리실 내의 분위기를 가열하는 공정과,상기 가열 수단에 의하여 가열된 상기 처리실 내의 분위기 온도에서 자기 분해하는 원료 가스를, 제1 가스 공급 수단에 의하여 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판쪽 방향을 피해 공급하는 공정과,제2 가스 공급 수단에 의하여 상기 처리실에 산화성 가스를 공급하는 공정과,배출 수단에 의하여 상기 처리실 내의 분위기를 배출하는 공정을 포함하며,상기 처리실에 대하여 상기 원료 가스와 상기 산화성 가스를 교대로 공급, 배기함으로써, 상기 기판상에 원하는 막을 생성하는 것을 특징으로 하는 박막의 형성 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 제1 가스 공급 수단으로부터 상기 처리실에 상기 원료 가스가 공급되고 있을 때에는, 상기 제2 가스 공급 수단으로부터는 불활성 가스가 공급되고,상기 제2 공급 수단으로부터 상기 처리실에 상기 산화성 가스가 공급되고 있을 때는, 상기 제1 가스 공급 수단으로부터는 산화성 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 박막의 형성 방법.
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