KR20080022235A - 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법 - Google Patents

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히로키 테라자키
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Abstract

높은 Cu연마속도로 고평탄화를 가능하게 하고, 또한 연마후의 피연마면 표면에 잔류하는 연마입자를 저감하기 위해서, 연마입자 및 화학성분을 함유하는 금속용 연마액으로서, 상기 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속에 상기 화학성분에 의해 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위의 전하와 동일부호의 표면전위의 전하를 갖는 연마입자를 함유하는 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법을 제공한다.

Description

금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법{METAL POLISHING LIQUID AND POLISHING METHOD USING IT}
본 발명은, 금속용 연마액 및 그것을 이용한 연마방법에 관한 것이다.
최근, 반도체집적회로(이하, LSI라 기재한다.)의 고집적화, 고성능화에 따라 새로운 미세가공기술이 개발되어 있다. 화학기계연마(이하, CMP라 기재한다.)법도 그 하나이고, LSI제조공정, 특히 다층배선 형성공정에 있어서의 층간절연막의 평탄화, 금속 플러그 형성, 매립배선 형성 등에 있어서 빈번하게 이용되는 기술이다 (예컨대, 미국특허 제4,944,836호 명세서 참조.).
또한, 최근은 LSI를 고성능화하기 위해서, 배선 재료로서 구리합금의 이용이 시도되고 있다. 그러나, 구리합금은 종래의 알루미늄 합금배선의 형성에서 빈번하게 이용된 드라이 에칭법에 의한 미세가공이 곤란하다. 따라서, 예컨대, 미리 홈을 형성하고 있는 절연막상에 구리합금 박막을 퇴적해서 매립하고, 홈부 이외의 구리합금 박막을 CMP에 의해 제거해서 매립배선을 형성하는, 소위 대머신법이 주로 채용되고 있다(예컨대, 일본국 특개평 2-278822호 공보 참조.).
금속의 CMP의 일반적인 방법은, 원형의 연마정반(platen)상에 연마 패드를 첩부하고, 연마 패드 표면을 금속용 연마액에 담그고, 기판의 금속막을 형성한 면을 눌러 붙여서, 그 이면으로부터 소정의 압력(이하, 연마압력이라 기재한다.)을 가한 상태에서 연마정반을 돌려서, 연마액과 금속막의 볼록부와의 기계적 마찰에 의해 볼록부의 금속막을 제거하는 것이다.
CMP에 이용되는 금속용 연마액은, 일반적으로는 산화제 및 연마입자로 이루어져 있고, 필요에 따라서 산화금속 용해제, 보호막 형성제 등이 더 첨가된다. 우선 산화에 의해 금속막 표면을 산화하고, 그 산화층을 연마입자에 의해 깎아내는 것이 기본적인 메커니즘이라 생각되고 있다. 오목부의 금속표면의 산화층은 연마 패드에 그다지 접촉하지 않아, 연마입자에 의해 깎아내는 효과가 미치지 않으므로, CMP의 진행과 함께 볼록부의 금속층이 제거되어 기판표면은 평탄화된다 (예컨대, F.B. Kaufman 등, "Chemical-Mechanical Polishing for Fabricating Patterned W Metal Features as Chip Interconnects", 저널ㆍ오브ㆍ일렉트로케미컬서사이어티지(Journal of The Electrochemical Society), 제138권 11호(1991년 발행), 3460∼3464페이지 참조.).
그러나, 종래의 연마입자를 포함하는 금속용 연마액을 이용해서 CMP에 의한 매립배선 형성을 행하는 경우에는, (1) 매립된 금속배선의 표면 중앙부분이 등방적으로 연마되어 접시와 같이 우묵하게 들어가는 현상(이하, 디싱이라 기재한다.)이나, 배선 금속과 함께 층간 절연막이 연마되어 우묵하게 들어가는 현상(이하, 부식이라 기재한다.) 등의 평탄성 악화의 발생이나, (2) 연마후의 기판 표면에 잔류하는 연마입자를 제거하기 위한 세정 공정의 복잡성 등의 문제가 생긴다.
평탄성 악화의 해결로서 디싱, 부식, 연마손상 등을 억제하고, 신뢰성이 높은 LSI배선을 형성하기 위해서, 글리신 등의 아미노아세트산 또는 아미드황산으로 이루어지는 산화금속 용해제 및 BTA(벤조트리아졸) 등의 보호막 형성제를 함유하는 금속용 연마액을 이용하는 방법 등이 제창되어 있다(예컨대, 일본국 특개평 8-83780호 공보 참조.).
그러나, BTA 등의 보호막 형성효과에 의한 평탄성 악화의 해결은, 디싱 및 부식 뿐만 아니라 연마속도도 현저하게 저하시켜 버리는 경우가 있어, 바람직하지 않은 경우가 있다.
한편, CMP처리에 의한 기판에 부착된 연마입자의 제거는, PVA블러시나 초음파에 의한 물리적인 세정으로 주로 행해지고 있다. 그러나, 기판에 부착되는 연마입자가 미세화함에 따라, 연마입자에 대하여 물리력을 유효하게 작용시키는 것이 곤란하게 되어 있다.
연마입자의 세정성의 해결로서, 기판에 부착된 연마입자의 제거는 세정액으로의 계면활성제의 첨가나, 세정액의 pH를 변경해서 연마입자와 기판의 전위를 동일부호로 함으로써 세정 효과를 높이는 방법이 제창되어 있다(예컨대, 일본국 특개평 8-107094호 공보 참조.).
상술한 바와 같이 , BTA의 보호막 형성효과는 상당히 높기 때문에, 디싱, 부식 뿐만 아니라 연마속도도 현저하게 저하시켜 버리는 경향이 있었다. 따라서, 디싱, 부식을 충분히 저하시키고, 또한 CMP속도를 저하시키지 않도록 하는 금속용 연마액이 요망되고 있다.
또한, 상기 계면활성제의 첨가는, 계면활성제 자신이 기판에 부착되어, 오염원으로 되는 경우가 있고, 더욱이, 사용하는 연마액과의 조합에 따라서는, 효과를 발휘하지 않는 경우가 있다는 문제가 있었다.
본 발명은, 높은 Cu연마속도로 고평탄화를 가능하게 하는 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 연마후의 기판표면에 잔류하는 연마입자의 저감을 가능하게 하는 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법을 제공한다.
본 발명은, (1) 연마입자 및 화학성분을 함유하는 금속용 연마액으로서,
상기 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속에 상기 화학성분에 의해 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위의 전하와 동일부호의 표면전위의 전하를 갖는 연마입자를 함유하는 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (2) 연마입자를 함유하는 금속용 연마액으로서,
상기 연마입자의 표면전위의 전하와, 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금 속의 표면전위의 전하가 동일부호인 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (3) 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위(mV)와 연마입자의 표면전위(mV)의 곱이 1∼10000인 상기 (1)의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (4) 피연마 금속의 표면전위(mV)와 연마입자의 표면전위(mV)의 곱이 1∼10000인 상기 (2)의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (5) 연마입자의 1차 입경이 200nm 이하인 상기 (1)∼(4) 중 어느 하나의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (6) 연마입자가 회합하고 있고, 그 회합한 2차 입경이 200nm 이하인 상기 (1)∼(5) 중 어느 하나의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (7) 연마입자의 배합량이 0.001∼10중량%인 (1)∼(6) 중 어느 하나의 상기 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (8) 연마입자가 콜로이달 실리카, 및 콜로이달 실리카류의 적어도 한쪽인 상기 (1)∼(7) 중 어느 하나의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (9) 금속용 연마액의 pH가 2.0∼7.0인 상기 (1)∼(8) 중 어느 하나의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (10) 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속이, 구리, 구리합금, 구리의 산화물 및 구리합금의 산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 (1)∼(9) 중 어느 하나의 금속용 연마액에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (11) 연마정반의 연마포상에 상기 (1)∼(10) 중 어느 하나 의 금속용 연마액을 공급하면서, 피연마막을 갖는 기판을 연마포에 누른 상태에서 연마정반과 기판을 상대적으로 움직이는 것에 의해 피연마막을 연마하는 연마방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법은, 높은 Cu연마속도로 고평탄화를 가능하게 한다.
또한, 본 발명의 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법은, 연마후의 피연마면에 잔류하는 연마입자의 저감을 가능하게 한다.
본 발명의 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법은, 높은 Cu연마속도로 고평탄화를 가능하게 한다.
또한, 본 발명의 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법은, 연마후의 피연마면에 잔류하는 연마입자의 저감을 가능하게 한다.
본 발명의 실시형태에 관한 금속용 연마액을 상세하게 설명한다.
본 발명의 금속용 연마액의 하나의 측면은, 연마입자 및 화학성분을 함유하는 금속용 연마액으로서,
상기 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속에 상기 화학성분에 의해 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위의 전하와 동일부호의 표면전위의 전하를 갖는 연마입자를 함유하는 것이다.
또, 본 발명의 금속용 연마액에 있어서의 화학성분은, 피연마 금속에 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층을 형성시키는 성분이며, 피연마 금속에 대하여 주로 기계적으로 작용하는 연마입자 이외의 구성 성분, 즉 산화금속 용해제, 금속방식제, 산화제, 그 밖의 첨가제 등을 가리킨다.
또한, 화학성분에 의해 형성되는 반응층은, 화학성분이 피연마 금속과 공유결합, 배위결합, 이온결합 등에 의해 결합한 층을 가리킨다. 흡착층은, 화학성분이 피연마 금속에 수소결합, 반데르발스력, 정전인력 등의 물리흡착에 의해 흡착한 층을 가리킨다. 본 발명에 있어서, 표면전위는, ζ전위 측정장치에 의해 측정한 ζ전위를 가리킨다. 피연마 금속의 표면전위 내지 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위는, 연마입자를 첨가하지 않은 금속용 연마액에 첨가한 피연마 금속의 산화물 분말 미립자를 측정해서 얻어지는 ζ전위를 가리킨다. 예를 들면 피연마 금속이 Cu인 경우, 연마입자를 함유하지 않는 금속용 연마액에 산화구리(II) 분말을 첨가해서 정치하고, 그 상등액을 채취해서 산화구리의 ζ전위를 측정한다. 또한, 연마입자의 표면전위는 금속용 연마액 중에서 상기 연마입자를 측정해서 얻어지는 ζ전위를 가리킨다.
또한, 본 발명의 금속용 연마액의 다른 측면은, 연마입자를 함유하는 금속용 연마액이며, 상기 연마입자의 표면전위의 전하와, 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속의 표면전위의 전하가 동일부호인 것이다.
피연마 금속의 표면전위는, 연마입자를 첨가하지 않은 금속용 연마액에 첨가한 피연마 금속의 산화물 분말 미립자를 측정해서 얻어지는 ζ전위를 가리킨다.
금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속은, 구리, 구리합금, 구리의 산화물 및 구리합금의 산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 이외에는, 탄탈, 티탄, 텅스텐 및 이들의 화합물 등을 들 수 있다.
상기 연마입자로서는, 예컨대, 실리카, 알루미나, 티타니아, 산화세륨 등을 들 수 있고, 콜로이달 실리카 및/또는 콜로이달 실리카류인 것이 바람직하다. 더욱이 상기 연마입자에 미량 금속종의 첨가나, 표면수식을 실시하고, 전위를 조정한 것을 사용할 수도 있다. 그 수법에 특별히 제한은 없다. 또한, 연마입자는 시판되고 있는 바와 같은 물질의 표면전위를 계측하고, 피연마 금속에 무엇을 선택할지에 의해 적절하게 선택하면 좋다.
여기에서, 콜로이달 실리카류는 콜로이달 실리카를 기본으로 하여, 졸ㆍ겔 반응시에 있어서 금속종을 미량 첨가한 것, 표면 실라놀기에 화학수식 등을 실시한 것 등을 가리키고, 그 수법에 특별히 제한은 없다.
ζ전위 측정장치에서 요구되는 금속용 연마액에 포함되는 화학성분에 의해 형성되는 피연마 금속의 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위(mV)와 연마입자의 표면전위(mV)와의 곱(이하, R＊A라 한다.)은 1∼10,000인 것이 바람직하고, 100∼10,000인 것이 보다 바람직하고, 250∼10,000인 것이 특히 바람직하다.
또한, ζ전위 측정장치에서 요구되는 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속의 표면전위(mV)와 연마입자의 표면전위(mV)와의 곱(이하, R＊A라 한다.)은 1∼10,000인 것이 바람직하고, 100∼10,000인 것이 보다 바람직하고, 250∼10,000인 것이 특히 바람직하다.
CMP는 피연마 금속 표면을 화학성분에 의한 작용으로, 화학성분과 피연마 금 속으로 이루어지는 반응층을 형성하고, 보다 무르게 연질로 개질해서 연마를 행한다고 생각되고 있다. 양호한 평탄성을 얻기 위해서는 이 무르게 연질인 반응층과 연마입자와의 접촉이 억제된 쪽이 바람직하지만, 양호한 연마속도 및 기판면내에서의 연마속도 분포의 안정화에는 연마입자의 첨가가 바람직하다고 생각된다.
본 발명에서는 피연마 금속에 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층과 동일전위의 연마입자를 이용함으로써, 정전반발력에 의해 반응층과 연마입자의 접촉이 억제 가능하게 되고, 또한 연마입자의 첨가에 의한 양호한 연마속도와 기판면내에서의 연마속도분포의 안정화를 양립할 수 있다고 생각된다.
또한, 피연마 금속에 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층과 동일전위의 연마입자를 이용함으로써, CMP처리후의 피연마 기판상으로의 연마입자의 잔류가 정전반발력에 의해 억제된다고 생각된다.
상기 연마입자의 1차 입경은, 200nm 이하인 것이 바람직하고, 5∼200nm인 것이 보다 바람직하고, 5∼150nm인 것이 특히 바람직하고, 5∼100nm인 것이 극히 바람직하다. 이 1차 입경이 200nm를 넘으면, 평탄성이 악화하는 경향이 있다
상기 연마입자가 회합하고 있는 경우, 2차 입경은, 200nm 이하인 것이 바람직하고, 10∼200nm인 것이 보다 바람직하고, 10∼150nm인 것이 특히 바람직하고, 10∼100nm인 것이 극히 바람직하다. 이 2차 입경이 200nm를 넘으면, 평탄성이 악화하는 경향이 있다. 또한, 10nm 미만의 2차 입경을 선택하는 경우는, 연마입자에 의한 미케니컬한 반응층 제거능력이 불충분하게 되어 CMP속도가 낮아지게 될 가능성이 있어서 주의가 필요하다.
본 발명에 있어서의 연마입자의 1차 입경은, 투과형 전자현미경(예컨대 (주)히다치제작소제의 S4700)을 이용해서 측정한다. 또한, 2차 입경은, 광회절산란식 입도분포계(예컨대, COULTER Electronics사제의 COULTER N4SD)를 이용해서 측정한다.
상기 연마입자의 금속용 연마액중의 배합량은, 0.001∼10중량%인 것이 바람직하고, 0.01∼2.0중량%인 것이 보다 바람직하고, 0.02∼1.0중량%인 것이 특히 바람직하다. 이 배합량이 0.001중량% 미만에서는 연마입자에 의한 미케니컬한 반응층 제거능력이 불충분해서 CMP속도가 낮아지게 되는 경향이 있고, 10중량%를 넘으면 평탄성이 악화하는 경향이 있다.
또, 각 화학성분, 연마입자의 배합량은 CMP사용시의 금속용 연마액에 대한 중량%이다.
본 발명의 금속용 연마액에 있어서, 금속용 연마액의 전pH영역에서 평탄성 향상 및 세정성 향상이 발휘되는 것으로 기대되지만, pH가 2.0∼7.0인 것이 바람직하고, pH가 3.0∼5.0인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서의 피연마 금속의 산화제로서는, 과산화수소(H2O2), 질산, 과옥소산칼륨, 과황산암모늄, 차아염소산, 오존수 등을 들 수 있고, 그 중에서도 과산화수소가 특히 바람직하다. 기판이 집적회로용 소자를 포함하는 실리콘 기판일 경우, 알칼리 금속, 알칼리 토류금속 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종류 단독으로, 혹은 2종류 이상 조합시켜 사용할 수 있지만, 할로겐화물 등에 의한 오염은 바 람직하지 않으므로, 불휘발 성분을 포함하지 않는 산화제가 바람직하다. 그 중에서도 안정성의 면으로부터 과산화수소가 바람직하다.
산화금속 용해제는, 수용성일 것이 요망되고, 유기산, 유기산에스테르, 유기산의 암모늄염 및 황산으로부터 선택되는 적어도 1종이면 바람직하다. 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 2-메틸부티르산, n-헥산산, 3,3-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, 4-메틸펜탄산, n-헵탄산, 2-메틸헥산산, n-옥탄산, 2-에틸헥산산, 벤조산, 글리콜산, 살리실산, 글리세린산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디핀산, 피메린산, 말레인산, 프탈산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 아스파라긴, 아스파라긴산, 알라닌, 아르기닌, 이소로이신, 글리신, 글루타민, 글루타민산, 시스틴, 시스테인, 세린, 티로신, 트립토판, 트레오닌, 바린, 히스티딘, 히드록시프롤린, 히드록시리신, 페닐알라닌, 프롤린, 메티오닌, 리신, 로이신 및 그들의 유기산의 암모늄염 등의 염, 황산, 질산, 암모니아, 암모늄염류, 예컨대 과황산암모늄, 질산암모늄, 염화암모늄 등, 크롬산 등 또는 그들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 포름산, 말론산, 말산, 타르타르산, 시트르산이 구리, 구리합금 및 구리 또는 구리합금의 산화물로부터 선택된 적어도 1종의 금속층을 포함하는 적층막에 대해서 적절하다. 이들은 보호막 형성제와의 밸런스가 얻어지기 쉽다는 점에서 바람직하다. 특히, 말산, 타르타르산, 시트르산에 관해서는 실용적인 CMP속도를 유지하면서, 에칭속도를 효과적으로 억제할 수 있다는 점에서 바람직하다. 이들은 1종류 단독으로, 또는 2종류 이상 조합시켜 사용할 수 있다.
금속 방식제는, 이하의 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 암모니아, 디 메틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 프로필렌디아민, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), 디에틸디티오카바민산나트륨 및 키토산 등의 암모니아 및 알킬아민, 디티존, 로인(2,2'-비퀴놀린), 네오큐프로인(2,9-디메틸-1,10-페난트롤린), 바소큐프로인(2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린) 및 큐페라존(비스시클로헥사논옥사릴히드라존) 등의 이민; 벤즈이미다졸-2-티올, 트리아진디티올, 트리아진트리티올, 2-[2-(벤조티아조릴)]티오프로피온산, 2-[2-(벤조티아조릴)]티오부틸산, 2-메르캅토벤조티아졸), 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-디히드록시프로필벤조트리아졸, 2,3-디카르복시프로필벤조트리아졸, 4-히드록시벤조트리아졸, 4-카르복실-1H-벤조트리아졸, 4-카르복실-1H-벤조트리아졸메틸에스테르, 4-카르복실-1H-벤조트리아졸부틸에스테르, 4-카르복실-1H-벤조트리아졸옥틸에스테르, 5-헥실벤조트리아졸, [1,2,3-벤조트리아졸-1-메틸][1,2,4-트리아조릴-1-메틸][2-에틸헥실]아민, 톨릴트리아졸, 나프토트리아졸, 비스[(1-벤조트리아조릴)메틸]포스폰산 등의 아졸; 노닐메르캅탄 및 도데실메르캅탄 등의 메르캅탄; 및 글루코오스, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도 벤조트리아졸, 트리아졸 및 그 유도체가 높은 연마속도와 낮은 에칭속도를 양립하는데 바람직하다.
본 발명에 있어서의 그 밖의 첨가제로서는, 이하의 군으로부터 선택된 1종 이상의 수용성 고분자가 적절하게 이용된다. 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리아크릴산 나트륨염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산 나트륨염, 폴리아크릴 아미드 등의 카르복실기를 갖는 모노머를 기본구성 단위로 하는 폴리머 및 그 염, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈 등의 비닐기를 갖는 모노머를 기본 구성단위로 하는 폴리머로 이루어지는 군을 들 수 있다. 다만, 적용하는 기판이 반도체집적회로용 실리콘 기판 등인 경우는 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 할로겐화물 등에 의한 오염은 바람직하지 않기 때문에, 산 혹은 그 암모늄염이 바람직하다. 이들 수용성 고분자를 첨가하는 것에 의해, 높은 연마속도와 양호한 디싱을 얻을 수 있다.
본 발명의 연마방법은, 연마정반의 연마포상에 상기의 금속용 연마액을 공급하면서, 피연마막을 갖는 기판을 연마포에 누른 상태에서 연마정반과 기판을 상대적으로 움직이는 것에 의해 피연마막을 연마하는 연마방법이다.
연마하는 장치로서는, 예컨대, 연마포(패드)를 첩부하고, 회전수가 변경가능한 모터 등을 설치한 정반과, 기판을 유지하는 홀더를 갖는 일반적인 연마 장치를 사용할 수 있다. 연마포로서는, 특별히 제한은 없지만, 일반적인 부직포, 발포 폴리우레탄, 다공질 불소수지 등을 사용할 수 있다. 연마 조건에는, 특별히 제한은 없지만, 기판이 튀어 나가지 않도록 정반의 회전속도를 200rpm 이하의 저회전으로 하는 것이 바람직하다.
피연마막을 갖는 기판의 연마포로의 연마 압력은 5∼100kPa인 것이 바람직하고, 연마속도의 웨이퍼 면내 균일성 및 패턴의 평탄성의 견지로부터 10∼50kPa인 것이 보다 바람직하다. 연마하고 있는 사이, 연마포에는 금속용 연마액을 펌프 등으로 연속적으로 공급하는 것이 바람직하다. 이 공급량에 제한은 없지만, 연마포의 표면이 항상 연마액으로 덮여 있는 것이 바람직하다. 연마 종료후의 반도체 기판 은, 유수중에서 잘 세정후, 스핀 드라이어 등을 이용해서 기판상에 부착된 물방울을 떨어뜨리고 나서 건조시키는 것이 바람직하다.
피연마막은, 상술한 피연마 금속과 같이, 구리, 구리합금, 구리의 산화물 및 구리합금의 산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 이외에는, 탄탈, 티탄, 텅스텐 및 이들의 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 금속용 연마액 및 연마방법은, 예컨대, LSI제조공정에 적용할 수 있고, 특히 다층배선 형성공정에 있어서, 기판상의 구리합금 박막 등의 배선재료를 연마해서 배선을 매립하여 형성할 수 있다. 또한, 자기헤드 등의 기판의 연마에도 사용할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1∼4 및 비교예 1:금속용 연마액 1)
이용한 금속용 연마액 1은, 1중량% 이하의 유기산(산화금속 용해제)과, 0.5중량% 이하의 질소함유 환상 화합물(금속방식제)과, 2중량% 이하의 수용성 고분자(첨가제)와, 10중량% 이하의 과산화수소(산화제)와, 물을 함유한다. 또한, 1차 입경이 표 1에 기재된 평균치±10%, 2차 입경이 표 1에 기재된 평균치±15%의 범위에 모아지고, 또한 표면전위가 각각 다른 표 1 기재의 연마입자를 상기 금속용 연마액 1에 첨가했다.
실시예 1∼4 및 비교예 1에서는, 각각 다른 표면전위를 갖는 연마입자를 첨 가한 상기 금속용 연마액 1을 이용하여, 하기 연마조건에서 피연마용 기판을 CMP 했다.
(실시예 5 및 비교예 2:금속용 연마액 2)
이용한 금속용 연마액 2는, O.5중량% 이하의 산화금속 용해제와, 0.3중량% 이하의 질소함유 환상 화합물(금속방식제)과, 0.5중량% 이하의 수용성 고분자(첨가제)와, 10중량% 이하의 과산화수소(산화제)와, 물을 함유한다. 또한, 1차 입경이 표 1에 기재된 평균치±10%, 2차 입경이 표 1에 기재된 평균치±15%의 범위에 모아지고, 또한 표면전위가 다른 표 1 기재의 연마입자를 상기 금속용 연마액 2에 첨가했다.
실시예 5 및 비교예 2에서는, 각각 다른 표면전위를 갖는 연마입자를 첨가한 상기 금속용 연마액 2를 이용하여, 하기 연마조건에서 CMP했다.
(실시예 6 및 비교예 3:금속용 연마액 3)
이용한 금속용 연마액 3은, 1중량% 이하의 유기산(산화금속 용해제)과, 2중량% 이하의 수용성 고분자(첨가제)와, 10중량% 이하의 과산화수소(산화제)와, 물을 함유한다. 또한, 1차 입경이 표 1에 기재된 평균치±10%, 2차 입경이 표 1에 기재된 평균치±15%의 범위에 모아지고, 또한 표면전위가 각각 다른 연마입자를 상기 금속용 연마액 3에 첨가했다.
실시예 6 및 비교예 3에서는, 각각 다른 표면전위를 갖는 표 1 기재의 연마입자를 첨가한 상기 금속용 연마액 3을 이용하여, 하기 연마조건에서 피연마용 기판을 CMP했다.
(표면전위 측정방법)
본 발명에 있어서, 화학성분에 의해 피연마 금속에 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그 혼합층의 표면전위(이하, 피연마 금속의 ζ전위라고도 한다.), 및 연마액중의 연마입자의 표면전위는, 측정 원리에 레이저 도플러법을 이용한 하기 ζ전위 측정장치로 측정했다. 피연마 금속이 Cu인 상기 피연마 금속의 ζ전위의 측정은, 연마입자를 함유하지 않는 금속용 연마액에 1중량%의 산화구리(II)분말(관동화학주식회사제)을 첨가해서 5분간 정치하고, 그 상등액을 피펫으로 채취하고, 5밀리리터를 시린지를 이용해서 측정셀에 주입해서 산화구리의 ζ전위를 측정했다. 연마입자의 표면전위(이하, 연마입자의 ζ전위라고도 한다.)는 금속용 연마액에 표 1에 기재된 배합량으로 함유시킨 상태에서 ζ전위 측정을 행하였다.
측정장치:ZETASIZER3000HS(MALVERN사제)
측정조건:온도 25℃
분산매의 굴절율 1.331
분산매의 점도 0.893cP
(연마입자경 측정방법)
본 발명에서 이용한 연마입자의 1차 입경은, 투과형 전자현미경((주)히다치제작소제의 S4700)을 이용하여, 연마액을 마이크로메쉬상에서 응집이 발생하지 않도록 건조시켜서 10∼50만배로 측정했다. 연마입자의 2차 입자는, 광회절산란식 입도분포계(COULTER Electronics사제의 COULTER N4SD)를 이용하여, 측정온도 20℃에서 intensity(산란강도, 탁도에 상당)가 5E+04∼4E+05의 범위로 되도록 조정하여, 강도가 지나치게 강할 경우에는 순수로 희석하여, 5회 측정하고, Unimodal치의 평균치를 구했다. 또, 용매굴절율:1.333(물), 입자굴절율 설정:unknown, 용매점도:1.005cp(물), Run Time:200sec, 레이저 입사각:90°에서 행하였다.
(구리배선이 형성된 피연마용 기판)
디싱의 평가에는 실리콘으로 이루어지는 기판 표면에, 깊이 500nm의 홈으로 형성된 패턴을 갖는 절연층에 스퍼터법에 의해 25nm의 TaN막과 10nm의 Cu막을 형성한 후, 전해 도금법에 의해 1.2㎛의 Cu를 퇴적한 피연마용 기판(SEMATECH854웨이퍼)을 이용했다. Cu연마속도는 피연마용 기판의 초기 막두께와 연마시간으로부터 구했다.
(연마 조건)
연마 패드:IC-1400(로델사제)
연마 압력:13.8kPa
연마액 공급량:200ml
(CMP후 세정)
CMP 처리후는, PVA블러시, 초음파수에 의한 세정을 행한 후, 스핀 드라이어로 건조를 행하였다.
(연마품 평가항목)
Cu 연마속도:구리막의 CMP 전후에서의 막두께 차이를 전기저항치로부터 환산해서 구했다.
디싱:디싱의 평가는, 배선 폭 100㎛, 배선 스페이스 폭 100㎛부를 접촉식 단 차계(Veeco제 DECKTAK V200-Si)로 주사해서 행하였다.
잔류 입자수:케이엘에이ㆍ텐콜사제 서프스캔6220을 이용하여, 연마 기판상의 잔류 연마입자를 계측했다.
CMP 후의 기판의 육안관찰, 광학현미경 관찰 및 전자현미경 관찰에 의해 연마손상 발생의 유무를 확인했다. 그 결과, 연마손상의 발생은 발견되지 않았다.
실시예 1∼6 및 비교예 1∼3에 있어서의, Cu 연마속도, 디싱 및 잔류 입자수의 평가결과를 표 1에 나타냈다.
Figure 112008011770378-PAT00001
실시예 1은, 거의 동일한 연마입자경을 갖고 연마입자의 표면전위가 피연마 금속과 다른 부호의 연마입자를 첨가한 비교예 1에 대하여, 거의 동등한 Cu연마속도를 나타내는 한편, 디싱은 대폭 저감한다는 것을 알 수 있다. 실시예 2는 실시예 1과 거의 동일한 연마입자경을 갖고 연마입자의 표면전위가 실시예 1보다도 큰 입자를 첨가한 것이다. 실시예 1과 비교하여, 디싱이 향상하는 것을 알 수 있다. 실시예 3은 연마입자로서 티타니아류를 선택한 것이다. 연마입자종에 의하지 않고 디싱이 양호한 것을 알 수 있다. 실시예 4에 나타낸 바와 같이 연마입자의 1차 입경, 2차 입경이 큰 경우, 디싱이 악화하는 경향이 있으므로 주의가 필요하다는 것을 알 수 있다. 실시예 5 및 비교예 2로부터 그 효과는 pH에 의존하지 않고 효과가 발휘되는 것을 알 수 있다. 실시예 6은 실시예 1∼5의 화학성분으로부터 금속방식제를 제외한 것이다. 금속방식제를 포함하지 않는 것으로부터 연마속도, 디싱이 커지고 있지만, 실시예 6과 동일한 화학성분을 갖는 비교예 3에 대하여, 디싱이 향상하는 것을 알 수 있다. 실시예 1∼6 및 비교예 1∼3으로부터 피연마 금속과 연마입자의 ζ전위가 동일부호에서 R＊A의 값이 클수록 잔류 입자수가 저감되는 것을 알 수 있다.
또, 도 1에, 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1의, 연마속도와 디싱을 R＊A와의 관계로 플롯한 그래프를 나타낸다.
도 1로부터 분명한 바와 같이 R＊A의 값이 커지게 됨에 따라서 디싱이 감소하는 것을 알 수 있다. 한편, Cu연마속도의 분명한 감소는 확인되지 않는다. 즉, R＊A의 값을 크게 함으로써 Cu연마속도를 유지하고 또한 디싱을 저감할 수 있는 것을 알 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 피연마 금속의 표면전위의 부호가 마이너스이기 때문에, 마이너스의 표면전위의 부호를 나타내는 연마입자를 사용했지만, 피연마 금속의 표면전위의 부호가 플러스인 경우에는, 플러스의 표면전위의 부호를 나타내는 연마입자를 사용하면 본 발명의 효과가 얻어진다고 생각된다.
본 발명의 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법은, 높은 Cu연마속도로 고평탄화를 가능하게 한다.
또한, 본 발명의 금속용 연마액 및 이것을 이용한 연마방법은, 연마후의 피연마면에 잔류하는 연마입자의 저감을 가능하게 한다.
도 1은, 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1의, 연마속도(좌축, 실선) 및 디싱(우축, 점선)과, R＊A(피연마 금속 및 연마입자의 각각의 표면전위(mV)의 곱)와의 관계를 나타내는 그래프이다.

Claims (11)

  1. 연마입자 및 화학성분을 함유하는 금속용 연마액으로서,
    상기 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속에 상기 화학성분에 의해 형성되는 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위의 전하와 동일부호의 표면전위의 전하를 갖는 연마입자를 함유하는 금속용 연마액.
  2. 연마입자를 함유하는 금속용 연마액으로서,
    상기 연마입자의 표면전위의 전하와 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속의 표면전위의 전하가 동일부호인 금속용 연마액.
  3. 제 1항에 있어서, 반응층 또는 흡착층 또는 그들의 혼합층의 표면전위(mV)와 연마입자의 표면전위(mV)의 곱이 1∼10000인 금속용 연마액.
  4. 제 2항에 있어서, 피연마 금속의 표면전위(mV)와 연마입자의 표면전위(mV)의 곱이 1∼10000인 금속용 연마액.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 연마입자의 1차 입경이 200nm 이하인 금속용 연마액.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 연마입자가 회합하고 있고, 그 회합한 2차 입경이 200nm 이하인 금속용 연마액.
  7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 연마입자의 배합량이 0.001∼10중량%인 금속용 연마액.
  8. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 연마입자가 콜로이달 실리카 및 콜로이달 실리카류의 적어도 한쪽인 금속용 연마액.
  9. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, pH가 2.0∼7.0인 금속용 연마액.
  10. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 금속용 연마액의 연마대상인 피연마 금속이, 구리, 구리합금, 구리의 산화물 및 구리합금의 산화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 금속용 연마액.
  11. 연마정반의 연마포상에 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 금속용 연마액을 공급하면서, 피연마막을 갖는 기판을 연마포에 누른 상태에서 연마정반과 기판을 상대적으로 움직이는 것에 의해 피연마막을 연마하는 연마방법.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101102384B1 (ko) * 2003-08-14 2012-01-05 엘지전자 주식회사 광디스크, 기록방법, 기록재생장치 및 기록재생시스템
JP5090925B2 (ja) * 2005-11-22 2012-12-05 日立化成工業株式会社 アルミニウム膜研磨用研磨液及びこれを用いたアルミニウム膜の研磨方法
US8778217B2 (en) * 2006-07-05 2014-07-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing slurry for CMP, and polishing method
KR101418626B1 (ko) * 2007-02-27 2014-07-14 히타치가세이가부시끼가이샤 금속용 연마액 및 연마방법
JP2008280229A (ja) * 2007-04-13 2008-11-20 Hitachi Chem Co Ltd 表面修飾二酸化ケイ素粒子の製造法及び研磨液
WO2008151918A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Basf Se A process for polishing patterned and unstructured surfaces of materials and an aqueous polishing agent to be used in the said process
US7955520B2 (en) * 2007-11-27 2011-06-07 Cabot Microelectronics Corporation Copper-passivating CMP compositions and methods
JP4521058B2 (ja) * 2008-03-24 2010-08-11 株式会社Ａｄｅｋａ 表面改質コロイダルシリカおよびこれを含有するｃｍｐ用研磨組成物
US20110027997A1 (en) * 2008-04-16 2011-02-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Polishing liquid for cmp and polishing method
JP5819589B2 (ja) * 2010-03-10 2015-11-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物を用いた方法
JP5695367B2 (ja) 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
KR101776923B1 (ko) * 2011-08-05 2017-09-11 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법
JP2013138053A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP5706837B2 (ja) * 2012-02-01 2015-04-22 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ 洗浄方法及びその装置
US20140011722A1 (en) * 2012-07-04 2014-01-09 Andrew Garner Use of cellulose nanocrystals as a corrosion inhibitor
US9359678B2 (en) 2012-07-04 2016-06-07 Nanohibitor Technology Inc. Use of charged cellulose nanocrystals for corrosion inhibition and a corrosion inhibiting composition comprising the same
US9222174B2 (en) 2013-07-03 2015-12-29 Nanohibitor Technology Inc. Corrosion inhibitor comprising cellulose nanocrystals and cellulose nanocrystals in combination with a corrosion inhibitor
JP6385085B2 (ja) * 2014-03-14 2018-09-05 株式会社ディスコ バイト切削方法
KR20190017815A (ko) * 2016-06-09 2019-02-20 히타치가세이가부시끼가이샤 Cmp용 연마액 및 연마 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
JP3192968B2 (ja) * 1995-06-08 2001-07-30 株式会社東芝 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
JPH1133896A (ja) * 1997-05-22 1999-02-09 Nippon Steel Corp 研磨砥粒、研磨剤及び研磨方法
JP3957924B2 (ja) * 1999-06-28 2007-08-15 株式会社東芝 Ｃｍｐ研磨方法
JP3502319B2 (ja) * 2000-02-08 2004-03-02 日本碍子株式会社 窒化アルミ薄膜表面の研磨方法
JP2002080827A (ja) * 2000-02-09 2002-03-22 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
US6638145B2 (en) * 2001-08-31 2003-10-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Constant pH polish and scrub
JP3667273B2 (ja) * 2001-11-02 2005-07-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄方法および洗浄液
JP4077192B2 (ja) * 2001-11-30 2008-04-16 株式会社東芝 化学機械研磨方法および半導体装置の製造方法
EP1881524B1 (en) * 2002-04-30 2010-06-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing slurry and polishing method
TWI282360B (en) * 2002-06-03 2007-06-11 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing composition and polishing method thereof
JP2004031443A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及び研磨方法
JP2004067928A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Kao Corp 研磨液組成物
JP2004172338A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Sony Corp 研磨方法、研磨装置および半導体装置の製造方法

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