KR20080015719A - 선택 주파수의 자외선으로 막을 가열하는 방법 및 시스템 - Google Patents

선택 주파수의 자외선으로 막을 가열하는 방법 및 시스템 Download PDF

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Abstract

실리콘 기판과 같은 기판 상에 형성되는, 유전체와 같은 레이어가 레이어의 물질에 대한 특정 파장 또는 에너지를 선택하여 가열되며, 그리하여, 광자가 즉시 통과하고 물질에 의해 흡수된 다음 레이어와 기판의 인터페이스에서 반사되는 것을 특징으로 한다.
반도체, 기판, 처리, 광원, 가열

Description

선택 주파수의 자외선으로 막을 가열하는 방법 및 시스템{SELECTIVE FREQUENCY UV HEATING OF FILMS}
본 발명은 2004년 11월 5일 출원된 미국 특허 출원 10/982,045호를 전체적으로 참조로써 포함한다.
본 발명은 일반적으로 반도체 생산 방법에 관한 것으로, 특히, 공정에서 막을 가열하는 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 장치는 반도체 기판 또는 웨이퍼의 형태 안에 Si, Ge, 및 GaAs와 같은 벌크 물질을 먼저 제공함으로써 만들어진다. 그러면 도펀트(dopant)는 공정 또는 반응실에서 p- 및 n- 타입 영역을 만들도록 기판 안으로 주입된다. 도펀트는 열 확산 또는 이온 주입법을 사용하여 주입될 수 있다. 후자의 방법에서, 주입된 이온은 먼저 격자 사이로 분산된다. 그러므로, 도핑된 영역이 도우너(donor) 또는 억셉터(acceptor) 같은 전자적으로 활동하도록, 이온은 실질적인 격자 위치로 주입되어야 한다. 이 "활성화" 공정은 일반적으로 600℃에서 1300℃ 사이의 범위에서 벌크 웨이퍼를 가열하는 것에 의해 달성된다. 실리콘 웨이퍼를 사용하는 경우, 예를 들어 이산화 규소와 같은 유전체 레이어는 전기적인 인터페이스를 제공하기 위하여 "성장"되거나 침적될 수 있다. 최종적으로, 알루미늄과 같은 금속화가, 예를 들어 증착 또는 스퍼터링(sputtering) 기술 중 하나를 사용하는데 적용된다.
게이트 절연을 위한 것과 같이, 얇은 산화물 또는 유전체의 품질은 반도체 장치 제조 분야에서 더욱 중요해져 가고 있다. EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), DRAM(Dynamic Random Access Memory), 및 보다 최근에는 심지어 고속 기본 논리 기능(high-speed basic logic function)과 같은 여러 광범위한 카테고리의 상업용 장치가, 고품질, 초박형 산화물 레이어를 재생산하는 능력에 좌우된다. 속도와 수명 두 항목에서 만족할 만한 장치 성능을 달성하기 위하여, 고품질 유전체가 그러한 장치에 필요하다.
현재의 게이트 절연 레이어는 장래의 장치에 관한 짧은 필수 요건이 낮아진다. 가장 재래식 게이트 절연 레이어는 열 산화에 의해 형성된 순수 이산화 규소(SiO2) 막이다. 다른 것은 열로 성장된 레이어 상에 고온 증착된 SiO2 레이어의 결합을 사용한다.
반도체 장치와 구조가 더욱더 작아질수록, 게이트 산화물은 예를 들어, 15~20Å의 순서로 더욱더 얇아질 필요가 있다. 그런데, 산화물 레이어가 얇아질 수록, 터널링(tunneling) 누설은, 특히 낮은 품질의 산화물과 함께 문제가 될 수 있다. 산화물 성장에 대한 현재 기술로, 산화물 레이어의 품질은 매우 얇은 산화물 레이어를 유지하기에 충분하지 않다. 일반적으로, 산화물 레이어 품질을 개선하는 하나의 방법은 산화물이 성장하는 온도 또는 열 에너지를 증가시키는 것이다. 하나의 문제는 온도가 증가하듯이, 반도체 장치의 다른 특성에 악영향을 미치도록 다른 도펀트가 확산하는 것이다. 다른 한편, 이미 비교적 낮은 전자 에너지를 가진 열 에너지가 감소하는 경우, 열로 성장된 산화물은 낮은 집적 및 확산 효과와 같은 요인의 일 부분 때문에 낮은 품질을 보여준다. 그러므로, 종래의 열 처리를 사용해서 일정한 품질과 두께를 가진 얇은 산화물 레이어를 형성하는 것은 용이하지 않다.
순수 SiO2 레이어는 형성될 때 그 보전성이 부적절하고, 그 고유한 물리적 및 전기적 제한으로 인해 나빠지기 때문에, 얇거나 매우 얇은 유전체 또는 산화물 막을 필요로 하는 장치에 대하여 부적당하다. SiO2 레이어는 또한 이러한 얇은 레이어로 형성될 때, 균일하게 그리고 결점이 없이 제작하는 능력이 없기 때문에 문제가 있다. 또한, 다음 VLSI 처리 단계는 얇은 SiO2 레이어의 이미 약한 보전성을 떨어뜨리도록 계속한다. 또한, 순수 SiO2 레이어는 인터페이스 생성과 전하 트래핑에 의해 전하 주입에 노출될 때 떨어뜨리도록 하는 경향이 있다. 그러하듯이, 순수 SiO2 레이어는 장래 측정 기술을 위한 박막으로 적절하지 않다.
터널 산화물에서, 붕괴는 산화물에서 전하의 트래핑 때문에 발생하고, 그에 의해, 산화물이 더 이상 감소된 전압을 견딜 수 없을 때까지 산화물을 가로질러 전기장을 점차 상승시킨다. 더욱 고품질의 산화물은 시간 동안 더 작은 전하를 트래핑하고, 그에 의해 더 오래 붕괴하게 될 것이다. 그러므로, 더욱 고품질의 산화물 박막이 요구된다.
또한, 일반적으로 산화물 막은, 즉, 산화물 원자가 아주 근접하게 유사하도록, 그러나, 원자가 멀리 이동하듯이 그 구조는 예상할 수 없게 되는 축소된 주기가 있는, 비결정질이다. 산화물 레이어는 또한 짝이 안되거나 댕글링(dangling) 결합을 가진다. 이온 또는 전하가 있으면 댕글링 결합이 문제가 되고, 그 결과, 예를 들어, 장치 사이에서 커다란 실행 변화를 가져온다.
그러므로, 댕글링 결합을 비활성화되도록 하는 것이 바람직하다. 하나의 방법은 반응이 댕글링 결합을 전기적으로 비활성화할 때, 댕글링 결합을 가진 막을 수소에 노출하는 것이다. 그런데, 반응은 온도 또는 열 에너지를 증가시키는 것에 의해 제공될 수 있는 높은 에너지를 필요로 한다. 높은 온도에서, 산화물은 성장하고, "얇은" 산화물 레이어의 두께를 바람직하지 않게 증가시키게 된다.
그러므로, 전술된 종래 기술의 문제점을 극복하는 얇은 막 산화물 또는 유전체 형성 방법이 필요하다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 자외선(UV)과 같은 빛 에너지가 그러한 필름의 생성 동안 및/또는 사이에 유전체 또는 산화물 막을 조사하기 위해 사용된다. 광원으로부터 제공되는 추가 에너지는 고 품질 박막을 형성하도록 낮은 처리 온도를 허용한다.
일 실시예에서, 1Å과 1000Å 사이의 두께를 가진 얇은 유전체 막을 형성하도록, 150 nm 와 1 ㎛ 사이의 파장을 가진 빛이, 0℃와 1300℃ 사이의 온도와 0.001 mTorr와 1000 Torr 사이의 압력에서, 0.1 ms와 3600 s 사이의 시간 동안, 처리실 내에의 반도체 웨이퍼를 조사하는데 사용된다. 조사는 종래의 박막 형성 공정과 동시에 수행되거나, 제자리 또는 다른 처리실 중 중 하나에서 막의 형성 후에 수행될 수 있다. 조사와 사용되는 처리 가스는 임의의 가스 또는 대기, O2, N2, HCl, NH3, 및 H2O 를 포함하되, 이에 제한되지는 않는 막 형성에서 사용되는 가스가 된다.
일 실시예에서, 처리실은, 웨이퍼 위로 놓이는 그리드 램프 또는 한 줄의 램프와 같은 광원을 포함한다. 광원은 처리실의 상부의 반사기와 웨이퍼 사이에 배치된다. 광원은 하나의 연속 램프 또는 일련의 램프로 배열되는 할로겐 램프, 수은 램프, 또는 카드뮴 램프를 포함한다. 일 실시예에서, 필터가 되거나 필터가 아닐 수 있는 윈도우는 웨이퍼와 광원 사이에 위치된다. 핫 플레이트, 램프, 또는 방열판과 같은 제어 가능한 열원은 처리 가스가 처리실에 주입되는 동안 웨이퍼를 가열한다. 이송 메커니즘은 웨이퍼를 처리실 내와 함께 처리실 안으로 및 밖으로 이동시킬 수 있다. 처리실 내의 압력은 또한 적어도 0.001 Torr에서 1000 Torr까지 조절 가능하다. 하나 이상의 가스 출입구 포트는 처리를 허용하고 다른 가스가 처리실 안으로 주입되거나 처리실 밖으로 방출하는 것을 허용한다. 처리실은 단일 웨이퍼 처리실 또는 웨이퍼 일괄 처리실이 될 수 있다.
열 에너지와 관련하여 자외선을 사용하여, 결과적으로 산화물 또는 유전체 레이어가 고품질 레벨을 유지하면서, 박막(예를 들어, 약 100nm 또는 그 이하)으로 만들어질 수 있다. 평균 확산 효과, 전하 포착, 및 댕글링 결합을 감소시키는 것 과 같은, 산화물의 품질을 향상시키는, 더 낮은 온도가 사용된다. 막의 전기적 특징 또한 향상된다. 규소-이산화규소 인터페이스와 같이, 짝지워지지 않은 결합 수가 상당히 감소된다. 본 발명의 다른 이점은 상태의 원하지 않는 전기적 트랩(trap)/미드갭(midgap)의 감소, 원치 않는 Si-OH 결합의 감소, 및 막에서 H2O의 감소를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 자외선의 특정 주파수 또는 파장이 유전체와 같은 막과 실리콘과 같은 기판 사이의 인터페이스를 가열하도록 사용된다. 주파수는 광자 또는 빛 에너지가 물질에 의해 흡수되도록, 즉, 상기 물질이 빛 에너지에 투과되는, 막에 사용되는 물질의 종류에 기초하여 선택된다. 결과적으로, 물질은 인퍼테이스로부터 밖으로 가열되는데, 상기 물질은 빠르게 가열되는 것이 가능하다. 이는 막 표면에서 막과 실리콘 기판의 인터페이스까지 커다란 온도 경사를 제공한다.
본 발명의 이들 및 다른 특징과 이점이 첨부 도면과 관련하여 이하에서 주어진 선호되는 실시예 설명의 상세한 설명으로 보다 즉시 명백해 질 수 있다.
본 발명의 일 실시예와 그 이점은 다음 상세한 설명에 제시되는 바에 의해 가장 잘 이해될 것이다. 하나 이상의 도면에 도시된 같은 구성 요소에는 같은 참조 번호가 사용된다.
도 1 은 유전체 막의 형성에 관한 본 발명의 일 실시예를 나타낸 흐름도이다. 단계 100에서, 반도체 웨이퍼는 처리실에 배치된다. 웨이퍼는 웨이퍼 상에 형성될 막의 종류에 따라 공정의 상이한 단계에 있을 수 있다. 단계 102에서, 게이트 절연막과 같은 유전체 또는 산화물 레이어가 하나 이상의 처리 가스가 처리실에 주입되는 것에 의해 웨이퍼 상에 형성된다. 처리 가스는 웨이퍼 상에 유전체 또는 산화물 레이어의 형성에 사용된다. 형성 공정은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 액체원(liquid source)를 사용한 스핀 코팅에 의해 산화물 레이어를 성장 또는 증착이 될 수 있다. 적절한 처리 가스는 공기, O2, N2, HCl, NH3, 및 H2O 를 포함하되, 이에 제한되지는 않는다. 처리실 내의 압력과 온도는 공정과 시스템 파라미터에 따라 조절된다. 예를 들어, 압력은 0.001 mTorr ~ 1000 Torr의 범위이고, 온도는 0℃ ~ 1300℃의 범위이다. 일 실시예에서, 온도는 800℃ 이하이다. 산화물 레이어를 성장 또는 증착하는 공정은 잘 알려져 있으므로 구체적인 공정 파라미터는 주어지지 않을 것이다. 당업자가 막에 요구되는 특성에 따라 적절한 공정 파라미터를 사용할 것이라는 것을 알 수 있다. 본 발명의 주요 특징은 막의 품질을 향상하도록 유전체 박막의 형성 동안 온도를 현저하게 증가시킬 필요가 없다는 것이다.
단계 104에서, 웨이퍼는 빛 또는 광자 에너지로 조사된다. 일 실시예에서, 조사는 유전체 레이어의 형성 동안 수행된다. 다른 실시예에서, 조사는 경화를 위한 막 형성 사이클 사이와 같은 유전체 레이어 또는 막의 형성 후에 수행된다. 그 러므로, 광원은 막 형성의 상이한 주기 동안 그리고 상이한 지속 시간으로 온/오프 될 수 있다. 예를 들어, 광원은 막 형성 공정의 시작부터 공정의 끝까지 또는 그 사이의 임의의 하나 이상의 주기 동안 턴 온 될 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 104 단계의 조사가 원위치에서 수행될 수 있다. 다른 실시예에서, 조사는 웨이퍼가 증착 처리실에서 동일한 기계와 결합되거나 분리된 기계 안에 있는 다른 처리실로 이동되는 공정과 같이 분리된 처리실에서 수행될 수도 있다. 일 실시예에서, 빛은 가시 광선과 자외선(UV) 영역 내의 150 nm와 1 ㎛사이의 파장을 가진다. 자외선은 특히 비교적 높은 에너지, 즉, 3 eV 및 그 이상에 상응하는 에너지를 가진다. 유전체 레이어가 단계 102와 104에서 형성된 후, 공정은 반도체 장치 제조에 필요한 단계 106에서 계속된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 리액터(reactor, 200)의 일부의 단면을 개략적으로 나타낸다. 처리 리액터(200)는 실질적으로 부하 고정실(load lock chamber)과 같은 처리실을 감싸는, 알루미늄 또는 다른 적당한 금속으로 만들어질 수 있는 쉘(202,shell)을 포함한다. 처리실(204)은 석영, 탄화규소, Sl2O3 또는 다른 적절한 물질로 만들어지는 것과 같은 처리 튜브로부터 형성된다. 공정을 실행하기 위해, 처리실(204)은 가압될 가능성이 있다. 일반적으로, 처리실(204)은 약 0.001 Torr에서 1000 Torr, 바람직하게 약 0.1 Torr와 약 760 Torr 사이의 내부 압력을 견딜 수 있다. 처리실(204) 입구(206)는 게이트 밸브(208)로 밀폐될 수 있다. 게이트 벨브(208)는 웨이퍼 처리 동안 입구(206)를 밀폐하도록 동작할 수 있 고, 웨이퍼를 처리실(204) 안과 밖으로 이동하는 동안에는 입구(206)를 열도록 동작할 수 있다. 로봇 어셈블리 또는 다른 메커니즘(미도시)이, 웨이퍼 카세트로부터와 같이, 처리실로 그리고 처리실로부터 웨이퍼(210)를 이동시키기 위해 이용될 수 있다.
처리실(204) 내에 배치되는 것은 처리 동안 웨이퍼(210)를 지지하는 웨이퍼 지지부(212) 이다. 웨이퍼 지지부(212)는 처리실 안에서 웨이퍼를 위 아래로 배치하거나 웨이퍼를 회전하기 위해 고정되거나 이동할 수 있다. 웨이퍼 지지부(212)는 개별적으로 떨어져 있는 플레이트(도시된 바와 같이) 또는 임의의 다른 적절한 지지부가 될 수 있다. 열원(214)은 웨이퍼(210) 아래와 같은 처리실 안에 포함될 수도 있다. 열원은 방열판(susceptor), 핫 플레이트, 또는 램프와 같은 임의의 적절한 웨이퍼 열원이 될 수 있다. 램프는 단일 램프, 또는 덮은 웨이퍼를 균일하게 가열하도록 웨이퍼로부터 그리고 서로로부터 거리를 두고 배치되는 개별 램프의 어레이가 될 수도 있다.
광원(216)은 전술한 바와 같이, 공정 동안, 웨이퍼에, UV 에너지와 같은 광 에너지를 공급하기 위해 웨이퍼(210) 상에 배치된다. 광원(516)은 하나의 연속 램프 또는 한 줄의 램프가 될 수 있다. 적절한 램프 타입은 할로겐 램프, 수은 램프, 크세논 램프, 아르곤 램프, 크립톤 램프, 및 카드뮴 램프를 포함한다. 광원의 선택은 요구되는 광 에너지를 포함하는 다양한 요인에 달려있다. 예를 들어, 텅스텐 할로겐 램프는 가시광선과 적외선을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 수은(Hg) 램프는 저, 중, 또는 고압에서 상이한 강도비(intensity ratio)를 가진 스펙트럼 라인을 제공한다. 램프 활성화 및 작용은 임의의 적절한 종래의 방법으로 할 수 있다.
빛의 파장과 주파수는 공정과 형성되는 레이어의 타입과 같은 다양한 요인에 기초하여 조절될 수 있다. 일 실시예에서, 빛의 파장은 150 nm 와 1 ㎛ 사이이다. 웨이퍼(210) 상에 입사 광 에너지의 양을 최대화하기 위하여, 반사기(218)는 빛이 웨이퍼로 되돌아 가도록 반사하도록 광원(215) 상에 배치된다. 반사기(218)는 광원의 외주를 따라 배치될 수도 있다. 다른 실시예에서, 반사기(218)는 거울, 처리실(204)의 내면 코팅, 또는 둘의 결합과 같은 분리 반사기가 될 수 있다. 선택적으로, 윈도우(220)가 광원과 웨이퍼 사이에서 처리 동안 웨이퍼로 필터링되거나 필터링되지 않은 빛이 지나가는 것을 허용하도록 배치된다. 따라서, 윈도우(220)는 석영 및 ZnSe와 같은 물질로 만들어진 필터링 윈도우 또는 비-필터링 윈도우가 될 수 있다
다양한 처리실과 공정이 본 발명과 함께 사용될 수 있다. 예를 들어, 처리실은 빠른 열 공정을 위한 단일 웨이퍼 또는 복수 웨이퍼 시스템이 될 수 있다. 처리는 열 어닐링(annealing), 도펀트 확산, 열 산화, 니트로화, CVD 및 유사한 처리가 될 수 있고, 상기 처리 단계는 레이어 형성 동안 사용되는 빛 에너지가 결과 레이어의 품질을 향상시킬 때 얇은 유전체 레이어를 생성한다.
광 에너지를 사용하는 하나의 이점은 핫 플레이트 및 방열판과 같은 종래 열원으로부터의 열 에너지와 비교하여 에너지 레벨이 높다는 것이다. 열 에너지는 낮은 효율을 가지기 때문에, 전기 에너지로 전환될 때, 에너지 레벨이 낮다. 그러 나, 자외선 스펙트럼 내의 빛이 3eV 또는 그 이상에 상응하는 동안, 가시광선 스펙트럼 내의 빛 에너지는 1 eV 이상에 상응한다.
도 1 은 웨이퍼 상에 유전체 레이어를 형성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 흐름도;
도 2 는 도 1의 공정을 수행하기 위한 반도체 웨이퍼 처리 시스템의 일 실시예를 나타낸 측면도;
도 3 은 다양한 반도체 물질의 파장 함수로서 흡수계수를 나타낸 도면;
도 4 는 용융 석영에 대한 파장 함수로 투과율을 나타낸 도면; 및
도 5 는 일 실시예에 따라 자외선으로 처리된 웨이퍼의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

Claims (22)

  1. 광원을 구비한 처리실에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법에 있어서,
    제 1 물질을 포함하는 레이어가 위에 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계;
    상기 제 1 물질의 흡수 특성에 기초하여 상기 광원의 제 1 주파수를 선택하는 단계; 및
    상기 레이어를 가열하도록 상기 제 1 주파수에서 상기 광원으로 상기 레이어를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이어는 유전체 레이어인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 주파수는 자외선 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 조사 단계는 상기 기판 위에 배치된 광원으로 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 조사 동안 상기 기판 및 레이어를 열로 가열하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 주파수 선택은 상기 제 1 물질에 의해 즉시 흡수되는 주파수에 기초하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 레이어의 인터페이스에서 상기 빛을 반사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 램프 방식인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 플라즈마 방식인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법.
  11. 처리실에서 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    반도체 기판을 상기 처리실에 제공하는 단계;
    상기 기판 위로 막을 형성하는 단계; 및
    상기 막을 가열하는 빛으로 상기 막을 조사하는 단계를 포함하고,
    상기 빛은 상기 필름의 상기 물질에 따라 선택된 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 막은 유전체 막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 막의 상기 물질은 상기 선택된 에너지를 가진 상기 빛에 투과되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 막의 인터페이스로부터 상기 빛을 반사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 조사 단계는 상기 기판 상에 배치된 광원으로 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 조사 동안 상기 기판 및 막을 열로 가열하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  18. 웨이퍼 처리 시스템에 있어서,
    처리실;
    상기 처리실로 처리 가스를 도입하도록 구성된 가스 분산 시스템;
    처리 동안 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지부;
    상기 웨이퍼 아래 배치된 가열 구성소자; 및
    상기 웨이퍼 위에 배치된 조사 광원을 포함하고,
    상기 광원은 상기 레이어를 가열하도록 상기 웨이퍼 상의 레이어의 상기 물질에 따라 선택된 주파수 또는 에너지에서 빛을 방사하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 광원은 할로겐, 수은, 크세논, 아르곤, 크립톤, 및 카드뮴 램프 및 플라즈마 방식 광원을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 가열 구성 소자는 열 가열 구성 소자인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 주파수 또는 에너지는 상기 광에 대한 상기 물질의 상기 흡수에 기초하여 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 물질은 상기 빛의 상기 선택된 주파수 또는 에너지에 투과되는 것을 특 징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템.
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