KR20080015038A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

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KR20080015038A
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후이베르트 비세르
데이비드 윌리엄 캘런
로베르트-한 문니크 슈미트
로베르토 비 위너
요한네스 테오도루스 구일리엘무스 마리아 반 데 벤
조지 하워드 로빈스
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
에이에스엠엘 홀딩 엔.브이.
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Abstract

방사선의 펄스 동안 리소그래피 장치 내의 기판의 이동을 보상하는 방법 및 장치는, 기판에 실질적으로 동조하여 기판 상에 입사하는 패터닝된 방사선 빔을 이동시키도록 구성된 피봇가능한 거울을 제공하는 단계를 포함한다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 리소그래피 투영 장치 및 방법들에 관한 것이다.
본 명세서에서 채택되는 바와 같은 "프로그램가능한 패터닝 구조체"라는 용어는, 기판의 타겟부 내에 생성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선 빔에 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 구성가능(configurable)하거나 프로그램가능한 구조체 또는 필드(field)를 언급하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다; 또한, "광 밸브(light valve)" 및 "공간 광 변조기(spatial light modulator)"(SLM)라는 용어가 본 명세서에서 사용될 수도 있다. 일반적으로, 이러한 패턴은 집적 회로 또는 다른 디바이스(아래 참조)와 같이 타겟부 내에 생성될 디바이스 내의 특정 기능층에 해당할 것이다. 이러한 패터닝 구조체의 예로는 다음을 포함한다:
- 프로그램가능한 거울 어레이. 이러한 디바이스의 일 예시는 점탄성(viscoelastic) 제어층 및 반사 표면을 갖는 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)이다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사 표면의 어드레싱된 영역들에서는 입사광을 회절광(diffracted light)으로서 반사시키는 반면, 어드레스되지 않은 영역들에서는 입사광을 비회절광으로서 반사시키는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절 광을 필터링하여 회절광만을 남게 할 수 있다; 이러한 방식으로 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 상기 빔이 패터닝된다. 또한, 격자 광 밸브(grating light valve: GLV)들의 어레이가 대응하는 방식으로 사용될 수 있으며, 각각의 GLV는 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자를 형성하도록 (예를 들어, 전위(electric potential)의 인가에 의해) 서로에 대해 변형될 수 있는 복수의 반사 리본(reflective ribbon)들을 포함할 수 있다. 프로그램가능한 거울 어레이의 또 다른 대안적인 실시예는 매우 작은(가능하게는 현미경 크기(microscopic)의) 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 적절한 국부화된 전기장을 인가하거나 압전 작동 수단(piezoelectric actuation mean)들을 채택함으로써 일 축선에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 예를 들어, 거울들은 매트릭스-어드레서블일 수 있으므로, 어드레싱된 거울들은 입사하는 방사선 빔을 어드레스되지 않은 거울들과는 다른 방향으로 반사할 것이다; 이러한 방식으로 반사된 빔이 매트릭스-어드레서블 거울들의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 앞서 서술된 두 상황 모두에서, 패터닝 구조체는 1 이상의 프로그램가능한 거울 어레이들을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 거울 어레이들에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국 특허 제 5,296,891호 및 제 5,523,193호 및 PCT 특허 출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있 으며, 이 문서들은 본 명세서에서 인용 참조된다. 프로그램가능한 거울 어레이의 경우, 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
- 프로그램가능한 LCD 어레이. 이러한 구성의 일 예시는 본 명세서에서 인용 참조되는 미국 특허 제 5,229,872호에 개시되어 있다. 앞선 내용에서와 같이, 이러한 경우 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블로서 구현될 수 있다.
피처들의 프리-바이어싱(pre-biasing), 광 근접성 보정 피처(optical proximity correction feature)들, 위상 변동 기술, 및/또는 다중 노광 기술들이 사용되는 경우, 프로그램가능한 패터닝 구조체 상에 "나타난(displayed)" 패턴은, 기판 또는 기판의 층에 최종적으로 전사되는 패턴과 실질적으로 상이할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
리소그래피 투영 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC), 평판 디스플레이(flat panel display), 및 미세 구조체(fine structure)에 관련된 다른 디바이스의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 프로그램가능한 패터닝 구조체는 예를 들어 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 생성할 수 있으며, 이 패턴은 방사선-감응재(예컨대, 레지스트)층으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 또는 다른 반도체 재료의 웨이퍼 또는 유리 플레이트(glass plate) 상의 (예를 들어, 1 이상의 다이 및/또는 다이의 부분(들)을 포함하는) 타겟부 상으로 이미징(imaging)될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 투영 시스템을 통해 (예를 들어, 한번에 하나씩) 연속하여 조 사(irradiate)되는 인접한 타겟부들의 전체 매트릭스 또는 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피 투영 장치는, 통상적으로 스텝-앤드-스캔(step-and-scan) 장치로서 언급되는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 장치에서는, 투영 빔 아래에서 주어진 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행한 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판 테이블을 사실상 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사될 수 있다. 일반적으로, 투영 시스템은 배율 팩터(factor)(M: 일반적으로 < 1)를 가지므로, 기판 테이블이 스캐닝되는 속력(V)은 마스크 테이블이 스캐닝되는 속력의 팩터 M배가 될 것이다. 스캐닝 타입의 장치 내의 빔은 스캐닝 방향으로 슬릿 폭(slit width)을 갖는 슬릿의 형태를 가질 수 있다. 본 명세서에 서술된 바와 같은 리소그래피 장치와 관련된 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에 인용 참조되는 미국 특허 제 6,046,792호로부터 얻을 수 있다.
리소그래피 투영 장치를 사용하는 제조 공정에서, (예를 들어, 마스크 내의) 패턴은 방사선-감응재 층(예컨대, 레지스트)에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 덮여 있는 기판 상으로 이미징된다. 이 이미징 절차 이전에, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅, 및/또는 소프트 베이크(soft bake)와 같은 다양한 다른 절차를 거칠 수 있다. 노광 이후, 기판은 노광 후 베이크(post-exposure bake: PEB), 현상, 하드 베이크(hard bake), 및/또는 이미징된 피처들의 측정/검사와 같은 다른 절차들을 거칠 수 있다. 이러한 일련의 절차들은 디바이스(예를 들어, IC) 의 개별층을 패터닝하기 위한 기초로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 이러한 전사 절차(transfer procedure)들은 기판 상에 레지스트의 패터닝된 층을 발생시킬 수 있다. 증착, 에칭, 이온-주입(도핑), 금속화(metallization), 산화(oxidation), 화학-기계적 폴리싱 등과 같은 1 이상의 패턴 공정이 후속될 수 있으며, 이 각각은 개별층을 생성, 수정, 또는 마무리하도록 의도될 수 있다. 여러 개의 층들이 요구되는 경우, 모든 절차 또는 그 변형예가 각각의 새로운 층에 대해 반복될 수 있다. 최종적으로, 디바이스들의 어레이가 기판(웨이퍼) 상에 존재할 것이다. 이 디바이스들은 다이싱(dicing) 또는 소잉(sawing)과 같은 기술에 의해 서로 분리되고, 개개의 디바이스들은 캐리어(carrier)에 장착되고 핀 등에 연결될 수 있다. 이러한 공정들에 대한 추가 정보는, 예를 들어 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing(제 3 판, Peter van Zant 저, McGraw Hill 출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)"로부터 얻을 수 있다.
"투영 시스템"이라는 용어는, 예를 들어 굴절 광학기, 반사 광학기, 카타디옵트릭(catadioptric) 시스템 및 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 다양한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용된 "투영 시스템"이라는 용어는 간단하게 프로그램가능한 패터닝 구조체로부터 기판으로 패터닝된 빔을 전사하는 여하한의 시스템을 언급한다는 것을 이해하여야 한다. 간명함을 위해, 투영 시스템은 이후 "투영 렌즈"라고 칭해질 수 있다. 또한, 방사선 시스템은 방사선의 빔을 지향, 성형, 축소, 확대, 패터닝 및/또는 다른 방법으로 제어하는 이러한 디자인 타입들 중 어느 것에 따라 작동하는 구성요소들을 포함 하며, 또한 이러한 구성요소들은 집합적으로 또는 개별적으로 이하 "렌즈"라고 칭해질 수도 있다.
또한, 리소그래피 장치는 2 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 디바이스들에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안에 1 이상의 다른 테이블에서는 준비 단계가 수행될 수 있다. 듀얼(dual) 스테이지 리소그래피 장치는, 예를 들어 본 명세서에 인용 참조되는 미국 특허 제 5,969,441호 및 PCT 출원 제 WO 98/40791호에서 설명된다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(예컨대, 물)에 기판이 침지되는 형태로 구성될 수도 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템의 최초 요소 사이에도 적용될 수 있다. 투영 시스템의 유효 개구수(effective numerical aperture)를 증가시키는 침지 기술의 이용은 당업계에 잘 알려져 있다.
본 명세서에서 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 갖는) 자외 방사선, 및 EUV(예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는 극자외(extreme ultra-violet) 방사선)뿐만 아니라, (이온빔 또는 전자빔과 같은) 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄하는데 사용된다.
프로그램가능한 패터닝 구조체를 이용하는 현재 공지된 리소그래피 투영 장 치에서, 기판 테이블은 패터닝된 방사선 빔의 경로 내에서(예를 들어, 프로그램가능한 패터닝 구조체 아래에서) 스캐닝된다. 프로그램가능한 패터닝 구조체 상에 패턴이 놓이고(set), 그 후 방사선 시스템의 펄스 동안 기판 상에 노광된다. 방사선 시스템의 다음 펄스 이전의 중단 시간(interval)에, 기판 테이블은 (이전 타겟부의 전체 또는 부분을 포함할 수 있는) 기판의 다음 타겟부를 노광하도록 요구되는 위치로 기판을 이동시키며, 프로그램가능한 패터닝 구조체 상의 패턴은 필요에 따라 업데이트된다. 이 공정은 기판 상의 전체 라인(예를 들어, 처리되지 않은(row) 타겟부들)이 스캐닝될 때까지 반복될 수 있으며, 이에 따라 새로운 라인이 시작된다.
방사선 시스템의 펄스가 지속하는 작지만 유한의 시간 동안, 기판 테이블은 결과적으로 작지만 유한의 거리를 이동시켰을 수 있다. 이전에, 이러한 이동은 프로그램가능한 패터닝 구조체를 이용한 리소그래피 투영 장치에 대해 문제가 되지 않았는데, 이는 예를 들어 펄스 동안의 기판 이동의 크기가 기판 상에 노광되는 피처의 크기에 비해 작았기 때문이다. 그러므로, 생성된 오차는 중요하지 않았다. 하지만, 기판 상에 생성되는 피처들이 작아짐에 따라, 이러한 오차는 더 중요해진다. 미국 공개 출원 제 2004/0141166호는 이러한 문제에 대한 한가지 해결책을 제시하고 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 이러한 장치는 다수의 다른 가능한 응용예들을 갖는다는 것을 명확히 이해하여야 한다. 예를 들어, 이는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이(LCD) 패널, 박막 자기 헤드, 박막 트랜지스터(TFT) LCD 패널, 인쇄 회로 기판(PCB), DNA 분석 디바이스 등의 제조시에 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 응용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어로 대체되는 것으로 간주되어야 한다는 것을 이해할 것이다.
본 발명은, 방사선의 펄스 동안의 기판 이동을 보상하기 위해, 기판에 실질적으로 동조하여 방사선 빔을 이동시키는 피봇가능한 거울 및 펄스 주파수에 대응하여 거울을 발진적으로 피봇시키는 액추에이터를 포함하는 리소그래피 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 패터닝된 방사선 빔에 의한 노광시 투영 시스템에 대해 기판을 이동시키도록 구성된 위치설정 구조체; 패터닝된 방사선 빔의 1 이상의 펄스 동안 투영 시스템에 대해 패터닝된 방사선 빔을 이동시키도록 구성된 피봇가능한 거울(pivotable mirror); 및 방사선 시스템의 펄스 주파수에 실질적으로 대응하는 발진 타이밍(oscillation timing)에 따라 거울을 발진적으로(oscillatingly) 피봇하고, 패터닝된 방사선 빔이 1 이상의 펄스 동안 기판의 이동과 사실상 동기적으로 스캐닝되도록 구성된 액추에이터(actuator)를 포함하는 리소그래피 투영 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 방사선의 펄스화된 빔(pulsed beam)을 제공하는 단계; 원하는 패턴에 따라 방사선의 펄스화된 빔을 패터닝하는 단계; 전체적으로 또는 부분적으로 기판을 덮고 있는 방사선-감응재 층의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 노광시 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하 는 투영 시스템에 대해 기판을 이동시키는 단계; 및 패터닝된 방사선 빔의 1 이상의 펄스 동안 투영 시스템에 대해 패터닝된 방사선 빔의 경로를 변경(alter)하기 위해서, 패터닝된 방사선 빔의 펄스 주파수에 실질적으로 대응하는 발진 타이밍에 따라 피봇가능한 거울을 발진적으로 피봇하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공되며, 상기 경로는 1 이상의 펄스 동안 기판의 이동과 사실상 동기적으로 변경되고, 상기 패터닝된 방사선 빔의 단면은 기판의 타겟부의 표면에 실질적으로 평행한 평면 상으로 투영된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 노광시 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 투영 시스템에 대해 기판을 이동시키는 단계; 기판의 이동과 사실상 동기적으로 패터닝된 방사선 빔의 경로를 변경하기 위해서, 패터닝된 방사선 빔의 펄스 주파수에 실질적으로 대응하는 발진 타이밍에 따라 피봇가능한 거울을 발진적으로 피봇하는 단계; 및 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
일 실시예에 따르면:
방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공되고,
상기 장치는:
패터닝 디바이스의 위치를 측정하도록 구성된 위치 측정 시스템;
기판의 위치를 측정하도록 구성된 위치 측정 시스템; 및
의도된(intended) 상대 위치로부터 패터닝 디바이스 및 기판의 측정된 상대 위치들의 편차(deviation)에 응답하여, 투영 시스템의 위치에 대해 기판 상으로 투영된 방사선의 패터닝된 빔의 위치를 조정하도록 구성된 방사선 빔 위치 조정기를 포함한다.
일 실시예에 따르면:
패터닝 디바이스를 이용하여 방사선의 빔을 패터닝하는 단계;
노광을 형성하도록 기판의 타겟부 상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계;
상기 노광시 패터닝 디바이스의 위치를 측정하는 단계;
상기 노광시 기판의 위치를 측정하는 단계;
의도된 상대 위치로부터 패터닝 디바이스 및 기판의 측정된 상대 위치의 편차에 응답하여, 투영 시스템의 위치에 대해 기판 상으로 투영된 패터닝된 빔의 위치를 조정하는 방사선 빔 위치 조정기를 이용하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 실시예들은, 예를 들어 방사선 시스템의 펄스 동안 기판이 이동함으로써 야기되는 오차들을 감소시키는데 사용될 수 있는 방법 및 장치를 포함한다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
방사선의 빔을 공급하도록 구성된(예를 들어, 공급할 수 있는 구조체를 갖는) 방사선 시스템(또한 이 특정한 예시에서, 방사선(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)의 빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(EX, IL)은 방사선 소스(LA)도 포함한다);
상기 빔에 패턴을 적용하도록 구성된 프로그램 가능한 패터닝 구조체(PPM)(예를 들어, 프로그램가능한 거울 어레이)(일반적으로, 프로그램가능한 패터닝 구조체는 투영 시스템(PL)에 대해 고정될 것이다. 하지만, 그 대신에 투영 시스템(PL)에 대해 그것을 정확히 이동시키도록 구성된 위치설정 구조체에 연결될 수도 있다);
기판을 유지하도록 구성된 대상물 테이블(기판 테이블)(WT)(이 예시에서, 기판 테이블(WT)에는 기판(W)(예를 들어, 레지스트-코팅된 반도체 웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되며, 기판 및/또는 기판 테이블의 위치를 투영 시스템(PL)에 대해 정확하게 나타내도록 구성되는 (예를 들어, 간섭계) 측정 구조체(IF) 및 투영 시스템(PL)에 대해 기판을 정확하게 위치시키는 위치설정 구조체(PW)에 연결된다); 및
기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이 및/또는 그 부분(들)을 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템("투영 렌즈")(PL)(예를 들어, 석영 및/또는 CaF2 투영 렌스 시스템, 이러한 재료들로 구성된 렌즈 요소들을 포함한 카타디옵트릭 시스템, 및/또는 거울 시스템)(투영 시스템은 기판 상으로 프로그램가능한 패터닝 구조체의 이미지를 투영할 수 있다)을 포함한다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사성 프로그램가능한 패터닝 구조체를 갖는) 반사형으로 구성된다. 하지만, 일반적으로는 (예를 들어, 투과성 프로그램가능한 패터닝 구조체를 갖는) 투과형으로 구성되거나, 두 형태의 측면 모두를 가질 수도 있다.
상기 소스(LA)(예를 들어, 수은 램프, 엑시머 레이저, 전자총(electron gun), 레이저-생성 플라즈마 소스(laser-produced plasma) 또는 방전 플라즈마 소스(discharge plasma source), 또는 스토리지 링(storage ring) 또는 싱크로트론(synchrotron) 내에서 전자빔의 경로 주위에 제공되는 언듈레이터(undulator))는 방사선의 빔을 생성한다. 이 빔은 바로, 또는 예를 들어 빔 익스팬더(beam expander: EX)와 같은 컨디셔닝 구조체나 필드를 가로지른 후에 조명 시스템(일루미네이터)(IL)으로 공급된다. 상기 일루미네이터(IL)는 상기 빔에 의해, 예를 들어 기판에 전달된 방사선 에너지의 각도 분포에 영향을 줄 수 있는 빔 내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정 구조체 또는 필드(AM)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 장치는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 프로그램가능한 패터닝 구조체 상에 입사한 빔(PB)은 그 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖는다.
도 1에 대해 상기 소스(LA)는 (예를 들어, 상기 소스(LA)가 수은 램프인 경우에 흔한 바와 같이) 리소그래피 투영 장치의 하우징(housing) 내에 있을 수도 있지만, 그것이 리소그래피 투영 장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어낸 방사선 빔이 (예를 들어, 적절한 지향 거울의 도움으로) 상기 장치 내로 유도될 수도 있다는 것을 유의하여야 한다; 이 후자의 시나리오는 상기 소스(LA)가 엑시머 레이저인 경우에 흔하다. 본 발명의 1 이상의 실시예들 및 청구항들은 두 시나리오를 모두 포괄한다. 전형적인 소스(LA)에서는, 리소그래피 이미징 공정들에서 이미징 오차들을 유도할 수 있는 영향들이 많이 존재한다. 예를 들어, 상기 소스(LA)가 펄스화된 방사선을 제공하는 일 실시예에서, 이는 펄스 진폭 변동, 펄스-폭 변동 및 지터(jitter)라고도 알려진 펄스 간의 변동(pulse-to-pulse variation)을 포함할 수 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크 테이블(도시되지 않음) 상에 유지될 수 있는 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)를 거친다(intercept). 상기 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)에 의해 선택적으로 반사되었으면(대안적으로 가로질렀으면), 상기 빔(PB)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔(PB)을 포커스한다. 도 1의 실시예에서는, 빔 스플리터(beam splitter: BS)가 패터닝 구조체(PPM)로 상기 빔을 지향하는 역할을 하는 한편, 투영 시스템(PL)으로도 통과하게 하지만, 대체 지오메트리들(alternate geometries)이 본 발명의 1 이상의 실시예의 범위 내에서 존재한다. 본 명세서에서는 방사선의 빔에 패턴을 부여하는 프로그램가능한 패터닝 구조체와 통합한 리소그래피 장치에 관하여 본 발명의 일 실시예가 설명되지만, 본 발명은 이러한 구성으로 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 특히 본 발명의 일 실시예는, 방사선의 빔에 패턴을 부여하기 위해 예를 들어 마스크 테이블 상에 유지된 마스크가 사용되는 리소그래피 장치와 관련하여 사용될 수 있다.
위치설정 구조체(및 간섭계 측정 구조체(IF))의 도움으로 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 상기 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 사용되는 경우, 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)에 대한 위치설정 구조체는 (예를 들어, 프로그램가능한 구조체(PPM)의 설치(placement) 후에, 스캔과 스캔 사이에 및/또는 스캔하는 동안) 빔(PB)의 경로에 대해 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다.
일반적으로, 대상물 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 도 1에 명확히 도시되어 있지 않다. 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)를 위치시키기 위해 유사한 시스템이 사용될 수 있다. 요구되는 상대 이동을 제공하기 위해, 대안적으로 또는 추가적으로 상기 빔이 이동가능한 한편, 대상물 테이블 및/또는 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)는 고정된 위치를 가질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM) 및 기판(W)은 (가능하게는 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)의 정렬 마크들과 함께) 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 몇몇 상이한 모드들에서 사용될 수 있다. 일 스캔 모드에서, 마스크 테이블은 v의 속력으로 주어진 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능하여, 상기 빔(PB)이 마스크 이미지 전반에 걸쳐 스캐닝하도록 유도된다. 동시에, 기판 테이블(WT)은 속력 V = Mv로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 일제히 이동되며, 이때 M은 투영 시스템(PL)의 배율(전형적으로, M=1/4 또는 1/5)이다. 몇몇 실시예들에서, 역배율(demagnification)은 1, 예를 들어 0.3, 0.1, 0.05, 0.01, 0.005 또는 0.0035보다 상당히 작다. 또한, M은 0.001보다 클 수도 있고, 또는 0.001과 앞선 상한계(foregoing upper limits) 사이의 범위 내에 있을 수도 있다는 것을 주의한다. 이러한 방식으로, 분해능을 떨어뜨리지 않고 비교적 큰 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
또 다른 모드에서, 마스크 테이블은 프로그램가능한 패터닝 구조체를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 상기 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 구조체는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 연속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트(update)된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 구조체를 이용하는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 상이한 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 1에 도시된 장치는, 예를 들어 다음의 방식으로 사용될 수 있다. 펄스 모 드에서, 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM)는 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 펄스화된 방사선 소스를 이용하여 기판의 타겟부(C) 상으로 전체 패턴이 투영된다. 기판 테이블(WT)은, 상기 빔(PB)이 기판(W)을 가로질러 라인을 스캐닝하게 하도록 기본적으로 일정한 속력으로 이동된다. 프로그램가능한 패터닝 구조체(PPM) 상의 패턴은 방사선 시스템의 펄스 사이사이에서 필요에 따라 업데이트되며, 상기 펄스들은 연속되는 타겟부(C)가 기판(W) 상의 요구된 위치에서 노광되도록 시간이 조절된다(time). 결과적으로, 상기 빔(PB)은 기판의 스트립(strip)에 대해 완전한 패턴을 노광하도록 기판(W)을 가로질러 스캐닝할 수 있다. 이러한 공정은 한 라인씩 전체 기판(W)이 노광될 때까지 반복될 수 있다. 또한, 상이한 모드들이 사용될 수도 있다.
이미징시 기판 테이블의 상대적인 동작으로 인하여, 방사선 소스(LA)에서의 시간 도메인의 변화들은 기판 테이블(WT)에서의 공간 도메인(spatial domain)의 변화들에 맵핑(map)된다. 이는 2 가지 주요 영향을 발생시킨다. 먼저 펄스 간격이 변화하는 경우에, 기판 상에 이미징된 위치가 변화한다. 예를 들어, 평균보다 약간 큰 펄스 간격은, 기판의 이미징된 부분들 사이의 거리를 더 크게 한다. 둘째로, 펄스 지속기간의 변화는 블러링 영향(blurring effect)을 유도하는데, 펄스 동안 기판의 더 크거나 더 작은 부분이 이미지 필드를 가로지르기 때문이다.
기판 테이블(WT)의 이동을 설명하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스는 도 2에 나타낸 바와 같은 투영 시스템(PL)의 일부분을 형성하는 거울(10)을 포함할 수 있다. 특히, 거울(10)은 투영 시스템(PL)의 퓨필에 근접하여, 또는 그 켤레면(conjugate plane)에 유리하게 위치된다. 도 2는 투영 시스템(PL)을 양분(bisect)하는 거울과 함께 2 부분의 디바이스로 투영 시스템(PL)을 나타내지만, 이는 일반적으로 본 발명의 1 이상의 실시예에서의 요건은 아니다. 반대로, 다른 원하는 이미징 특성에 따라, 투영 시스템(PL)의 특정한 구성이 필요에 따라 변할 수 있다. 이해될 수 있는 바와 같이, 거울(10)은 실질적으로 평면이어야 하지만, 실제로는 약간의 굴곡을 허용할 수 있어, 거울에는 투영 시스템의 광학력(optical power)의 일부가 존재한다.
이미징 작업 동안 거울(10)을 이동시키기 위해, 액추에이터 또는 액추에이터들의 그룹(12)이 위치된다. 특정 실시예에서, 액추에이터(12)는 비교적 높은 주파수로 작은 각도에 대해 거울(10)을 상호간에(reciprocally) 회전시키도록, 즉 거울을 발진적으로 피봇하도록 배치될 수 있다. 특히, 회전은 거울의 반사면과 함께 놓이는 축선을 중심으로 할 수 있다.
도 2의 시스템은 1:1의 확대율 및 비교적 큰 회전의 거울(10)을 갖는 것으로 나타내어 있다. 결과적으로, 이미지 평면(16)에서의 초점(14)은 광학 축선(18)으로부터 비교적 크게 d만큼 변위(displace)된다. 실제로는, 현저한 축소-확대가 존재할 수 있으며, 거울(10)의 경사는 아주 작을 것이므로 변위가 아주 작을 수 있다. 특히, 이미지의 변위는 실질적으로 방사선 소스의 단일 펄스의 지속기간에 걸쳐 기판 테이블에 의해 가로질러진 거리에 대응하여야 한다.
예시의 방식에 의해, 주변선(marginal ray)의 위치에서 거울(10)의 1 nm 변위는, 이미지 평면(16)에서의 1/NA 변위에 맵핑되며, 이때 NA는 투영 시스템(PL)의 개구수이다. 또한, 퓨필 D[m]에서 빔의 직경에 걸쳐 병진하는 거울의 회전 변화 a'[rad/s]는 기판 레벨에서의 속도 v와 동일하여 다음과 같다: v = a'D / (2NA).
도 3 및 도 4는 연속하는 펄스들이 초점면 상으로 이미징되는, 단일 스캐닝에서의 이후 시간들을 계략적으로 예시한다. 도 3에서, 거울(10)은 그 제로 크로싱(zero crossing)까지 회전되었으며, 초점(14)은 광학 축선(18)과 정렬된다. 도 4는 동작을 지속하여, 초점(14)이 광학 축선(18)으로부터 도 2의 그 초기 변위에 반대인 방향으로 한번 더 변위된다.
전형적인 리소그래피 장치에서, 소스(LA)는 약 1 내지 10 KHz의 펄스 반복률을 가질 수 있다. 결과적으로 이는, 액추에이터 또는 액추에이터들(12)이 고주파 작업에 적합해야 한다는 것을 의미하여, 거울(10)이 그 주파수에 동조하여 적절히 진동될 수 있음을 보장하는데 유용하다. 또한, 거울(10)이 그 연계된 장착 구조체와 함께 소스(LA)의 펄스 주파수와 실질적으로 동일한 공진 주파수(resonant frequency)를 갖도록 설계되는 경우, 거울을 이동시키는데 요구되는 에너지는 최소화되어야 한다. 이는 액추에이터들의 로드(load) 및 그에 따른 거울(10)의 변형 로드가 최소화되어야 한다는 추가 영향을 갖는다.
소스(LA)의 펄스 주파수와 거울의 진동 주파수를 매칭하기 위해, 제어 루프 내에서 거울(10), 그 액추에이터(들)(12) 및 필요에 따라 기판 테이블과 연결되는 센서(30)를 포함할 수 있다. 소스 펄스 주파수에 대한 거울의 이동의 동기화를 위해, 상이한 방법들이 사용될 수 있다. 예시의 방식에 의해, 소스 펄스를 트리거(trigger)하기 위해 진동하는 거울 상의 센서(30)로부터의 신호가 사용될 수 있 으며, 소스 주파수가 거울의 평균 공진 주파수에 고정되는 경우 제어기가 거울 주파수 및 고정된 소스 주파수에 대한 위상을 조정하는 동안에는 위상 고정 루프 시스템(phase locked loop system)이 사용될 수 있다. 또 다른 예시로서, 소스 펄스를 트리거하고 거울 동작의 위상 및 진폭을 제어하는데 사용되는 외부 타이밍 소스(external timing source)가 제공될 수 있다.
거울(10)의 진동 주파수가 소스(LA)의 주파수와 실질적으로 동기화될 것을 보장하는 것 이외에, 거울(10)의 회전 속도의 진폭 A가 기판 테이블의 스캐닝 속력에 대응할 것을 보장하는 것이 유리할 수 있다.
또 다른 예시의 방식에 의해, 전형적인 시스템에서 실제 값들은 다음과 같을 수 있다. 스캐닝 속력은 약 10 mm/s, NA = 1 및 D = 20 mm일 수 있다. 이는 거울(10)의 사인 회전 이동(sinusoidal rotational movement)의 제로 크로싱에서 a' = 1 rad/s를 초래한다. 사인 이동 a = A sin(2πtυ)에 대해 A가 rad 단위의 진폭인 경우, 시간에 대한 미분은: a' = A 2πυcos(2πtυ)이다. t=0에서, 이는 a' = A 2πυ이므로 1 KHz 진동에 대해 거울의 이동의 진폭은: A = 0.16 mrad이 된다.
거울의 사인 회전 동작의 선택은 몇몇 유용한 효과를 허용할 수 있다. 특히, 이미징 펄스와 일치(coincide)하는 제로 크로싱에 가까운 동작의 일부와 작은 진폭을 선택함에 의해, 신호 동작은 실질적으로 선형적이다. 또한, 동작의 종점(end point)들에서의 점진적인 감속 및 가속은 거울 상의 응력(stress)을 감소시키며, 이는 억제되지 않는(unchecked) 경우 시간에 걸친 거울의 변형을 초래할 수 있다. 하지만, 본 발명의 1 이상의 실시예는 사인 회전 동작의 사용에 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다.
또한, 거울은 1 이상의 밸런스 매스(balance mass)에 커플링(couple)될 수 있다. 1 이상의 밸런스 매스는, 거울을 진동시키는 액추에이터에 의해 생성된 힘들을 취하고(take up) 분리(isolate)하도록 구성된다. 특히, 1 이상의 밸런스 매스는 밸런스 매스-거울 시스템의 운동량(momentum)을 보존함에 따라 리소그래피 장치의 다른 부분들로 도입된 힘들을 감소시켜, 액추에이터에 의해 발생된 힘들에 반대되는 방향으로 자유롭게 이동가능하도록 구성된다.
앞서 서술된 바와 같이, 거울 어셈블리(mirror assembly)(즉, 거울들의 조합, 그 연계된 장착 구조체 및 그것을 구동하는 액추에이터 시스템)의 공진 주파수는 소스(LA)의 펄스 주파수에 매칭하도록 설정될 수 있지만, 실제로 이는 정밀하게 달성되기 어려울 수 있다. 예를 들어, 제조 공차(manufacturing tolerance)들 또는 작업 중 열적 영향들로 인해, 어셈블리의 공진 주파수가 1% 정도 변할 수 있다. 또한, 정확히 그 공진 주파수가 아닌 주파수로 거울을 작동시키는 요건을 유도하여 소스(LA)의 주파수가 작업 중에 변할 수도 있다. 또한, 몇몇 구성에 대해 비교적 큰 댐핑(damping)이 예상될 수 있다.
결과적으로, 거울의 발진을 제어하기 위해 위상 고정 루프(PLL) 또는 위치 서보 제어(position servo control)를 사용하기 원하는 경우, 제어기는 거울의 발진 주파수의 수 배인 주파수로 작동시키기 위해 필요할 것임을 예상할 수 있다. 예를 들어, 소스가 6 KHz의 펄스 주파수를 갖는 경우, 거울은 동일한 주파수를 가질 것이며, 거울에 대한 제어기는 예를 들어 60 KHz의 주파수를 가질 수 있다. 원하지 않는 고조파(harmonic)들을 회피하기 위해 샘플링 주파수(samping frequency)는 원하는 발진 주파수의 정수 배이어야 한다는 것을 이해하여야 한다.
하지만, 본 발명의 특정 실시예에서 도 7에 나타낸 바와 같은 제어 시스템이 제공된다. 이 구성에서, 원하는 발진 주파수에 대응하는 기준 신호, 위상 및 거울의 동작의 진폭은 신호 발생기(40)에 의해 발생된다. 그 후, 위상 및 진폭 보상 신호(phase and amplitude compensated signal: 43)를 생성하기 위해, 위상 보상기(41) 및 진폭 보상기(42)에 의해 신호가 수정된다. 이 보상 신호는 액추에이터 시스템(44)으로 공급되어 거울(45)의 발진을 유도한다. 센서(46)는 거울의 실제 동작을 측정하는데 사용된다.
후속하여, 위상 및 진폭 계산 유닛(47)은 거울의 실제 동작과, 신호 발생기(40)에 의해 발생된 기준 신호에 의해 나타낸 거울의 유도된 동작 간의 차이를 결정한다. 이로부터, 위상 및 진폭 계산 유닛(47)은 거울의 유도된 이동과 실제 이동 간의 위상 차이, 및 거울의 동작의 유도된 진폭과 실제 진폭 간의 차이를 결정한다. 이 차이들은, 위상 및 진폭 보상 신호(43)를 발생시키기 위해 위상 보상기(41) 및 진폭 보상기(42)로 각각 피드백(feed back)된다. 기준 신호 발생기(40) 및 거울의 이동을 측정하는 센서(46)는 거울의 발진 주파수의 수 배로 기능하는(function) 전자 기술을 필요로 하지만, 위상 및 진폭 계산 유닛(47), 위상 보상기(41) 및 진폭 보상기(42)는 이러한 고주파들로 작동될 필요가 없다는 점에서 유리하다. 따라서, 제어 시스템의 비용이 감소될 수 있다. 하지만, 실제로 위상 및 진폭 계산 유닛(47)의 전체 또는 일부분은 더 높은 샘플링 주파수에서 작동될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 특정 실시예에 따른 거울 동작을 위한 제어 시스템을 도시한다. 앞선 내용에서와 같이, 신호 발생기(50)는 거울의 요구되는 동작을 나타내는 기준 신호를 발생시킨다. 진폭 보상기(51)는, 액추에이터 시스템(53)에 제공되는 진폭 보상 신호(52)를 제공하기 위해 신호의 진폭을 조정하여, 거울(54)의 발진을 유도한다. 앞선 내용에서와 같이, 센서(55)는 거울의 동작을 측정하는데 사용되며, 위상 및 진폭 계산 유닛(56)은 거울의 실제 동작과, 신호 발생기(50)에 의해 발생된 기준 신호에 의해 나타낸 바와 같은 유도된 동작 간의 차이를 측정한다.
도 7과 관련하여 앞서 설명된 특정 실시예에서와 같이, 위상 및 진폭 계산 유닛(56)은 거울의 동작의 유도된 위상 및 진폭과 실제 위상 및 진폭 간의 차이를 결정하고, 진폭 보상 신호(52)를 발생시키는데 사용하기 위해 상기 진폭 차이를 진폭 보상기(51)로 피드백한다. 하지만, 이 특정 실시예에서 거울의 유도된 동작과 실제 동작 간의 위상 차이는, 거울 어셈블리의 공진 주파수의 요구되는 변화를 결정하기 위해 위상 보상기(57)에 의해 사용된다. 이는 거울의 유도된 동작과 실제 동작 간의 위상 차이가 감소되도록, 거울 어셈블리의 공진 주파수를 조정하는 공진 주파수 조정 유닛(58)에 제공된다.
도 7과 관련하여 앞서 설명된 실시예에서와 같이, 기준 신호 발생기(50) 및 센서(55)는 거울의 발진 주파수의 수 배인 주파수에서 작동되어야 하지만, 나머지 제어 시스템은 저주파들에서 작동될 수 있다. 따라서, 제어 시스템의 비용이 최소 화된다. 이 실시예에서 거울 어셈블리의 공진 주파수는 요구되는 발진 주파수에 매칭되도록 조정되기 때문에, 거울 어셈블리의 액추에이터 시스템으로 공급되어야 하는 구동 신호의 매그니튜드(magnitude)가 매우 감소된다는 점에서 유리하다. 이러한 측면에서, 구동 신호의 매그니튜드는 거울 어셈블리 내에서 댐핑에 의해 영향을 받을뿐만 아니라, 거울 어셈블리의 유도된 발진 주파수와 자연 발생적인(natural) 공진 주파수 간의 차이의 매그니튜드에 의해서도 영향을 받는다는 것을 이해하여야 한다. 거울 어셈블리는 투영 시스템 내에 장착될 수 있기 때문에, 거울 어셈블리에 대해 요구되는 구동 신호들의 매그니튜드를 감소시키는 것이 유리할 수 있다. 거울 어셈블리에 제공된 구동 신호들의 매그니튜드가 커질수록, 거울 어셈블리 내에서 발생될 수 있고 투영 시스템의 정확성에 악영향을 줄 수 있는 열 정도(amount of heat)가 커진다.
거울 어셈블리의 공진 주파수는, 그 매스를 조정하기 위해 유체 또는 금속 부스러기(metal shavings)와 같은 다른 물질이 거울 어셈블리로부터 제어가능하게 추가되거나 제거될 수 있는 시스템을 제공함으로써 조정될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 거울 어셈블리의 견실성(stiffness)을 변화시킴으로써 공진 주파수가 조정될 수도 있다. 후자의 방법은, 예를 들어 거울 어셈블리로부터의 매스의 추가 및/또는 제거에 의해 거울 어셈블리의 무게 중심의 위치 변화로부터 생길 수 있는 여하한의 문제(complication)들을 회피한다.
도 9는 거울 어셈블리의 견실성이 조정될 수 있는 구성을 도시한다. 특히, 도면은 거울(61)을 장치의 기준 프레임 또는 기초 프레임과 같은 장치 내의 레퍼런 스(reference: 62)에 장착하는데 사용될 수 있는 유연한 장착부(flexible mount: 60)를 도시한다. 유연한 장착부(60)는 자기점성(magneto-rheological: MR) 유체로 채워진 챔버(chamber: 63)를 포함한다. 상기 챔버(63)는 제어기(65)에 연결되는 1 이상의 전자석(64)과 인접한다. 자기점성 유체의 속성 중 하나는, 유체의 점성 및 이에 따른 견실성이 필드에 적용된 자기장의 함수로서 변화한다는 것이다. 따라서, 챔버(63) 내의 자기점성 유체에 적용되는 자기장을 조정함으로써, 유연한 지지체(60)의 견실성이 조정될 수 있다. 이러한 1 이상의 유연한 지지체(60)의 견실성을 조정하는 것은, 전체적으로 거울 어셈블리의 견실성을 조정하는데 사용될 수 있다. 또한, 거울 어셈블리의 견실서을 조정하는 다른 메카니즘이 사용될 수도 있다.
본 발명의 실시예들은 기판 테이블의 이동과 연계된 블러(blur)를 감소시켜, 펄스 시간을 증가시킬 수 있게 할 수 있다. 증가된 펄스 시간의 한가지 유용한 결과는, 펄스당 총 에너지를 감소시키지 않고 피크 세기(peak intensity)를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 광학 구성요소들이 손상될 수 있는 가능성(potential damage)을 감소시킨다는 것이다. 또 다른 유용한 결과는, 일시적인(temporal) 모드들의 개수가 증가할 수 있으며, 이에 따라 광학 시스템에서의 스페클(speckle)을 감소시킨다는 것이다. 결과적으로, 더 긴 펄스 시간들은 개별적인 펄스들을 자르게(truncate) 할 수 있으며, 이에 따라 펄스간 도스 제어 조정을 허용한다.
방사선의 펄스 동안 투영 시스템에 대한 기판의 이동에 의해 야기된 오차들은, 방사선의 펄스 동안 기판의 이동과 실질적으로 동조하여 패터닝된 방사선 빔을 시프트하는 1 이상의 장치를 제공함으로써 감소될 수 있으며, 이는 방사선 빔이 기 판 상에 더 정확히 정렬되어 유지하게 할 수 있다. 또한, 패터닝된 방사선 빔을 시프트하도록 적용될 수 있는 대안적인 구조체들이 본 발명의 1 이상의 실시예의 범위 내에 있다.
특히, 방사선의 펄스 동안 투영 시스템에 대한 기판의 이동의 오차를 보상하는 것이 가능하다. 이러한 오차는, 예를 들어 투영 시스템에 대한 기판의 유도된 동작, 예를 들어 실질적으로 일정한 속력으로의 투영 시스템에 대한 기판 스캐닝으로부터의 편차이다. 유도된 이동으로부터의 이러한 편차는, 기판의 이동을 제어하는데 사용되는 시스템 내의 불완전(imperfection), 예를 들어 기판의 위치를 제어하는데 사용되는 액추에이터 내의 모터력 팩터 진동(motor force factor variation) 또는 코깅(cogging), 및/또는 리소그래피 장치 내의 다른 구성요소들로부터 기판으로 전달될 수 있는 진동에 의해 야기될 수 있다.
기판의 유도된 이동으로부터의 투영 시스템에 대한 기판의 이동 편차는, 기판이 유지되는 지지체 또는 기판의 위치 또는 변위를 측정하도록 구성된 센서의 출력으로부터 도출될 수 있다.
기판의 유도된 위치와 기판의 실제 위치 간의 차이는, 거울(10) 위치의 요구되는 변화에 대응한다. 따라서, 액추에이터(들)(12)는 패터닝된 방사선 빔이 기판의 유도된 이동에 대해 그 이동의 편차를 보상하기 위해 보정을 더한 기판의 유도된 위치에 실질적으로 동조하여 스캐닝하도록, 소스(LA)의 펄스율과 실질적으로 동조하여 거울을 발진시키기 위해 요구되는 이동의 조합에 의해 거울(10)의 이동을 제어하도록 구성될 수 있다.
기판의 유도된 이동으로부터의 편차를 보상하기 위한 거울(12) 이동의 보정은, 거울(10)의 발진의 중심점(mid-point)을 조정함으로써 이루어질 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 거울(10)의 발진과 방사선 소스(LA)의 펄싱(pulsing) 간의 위상 차이를 제어함으로써 조정이 이루어질 수도 있다.
대안적으로 또는 추가적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 액추에이터(들)(12)의 위치를 조정함으로써 기판의 유도된 이동으로부터 그 이동의 편차를 보상하도록 요구되는 보정에 대응하여, 거울(10)의 위치 조정을 제공하는 1 이상의 제 2 액추에이터(20)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 액추에이터(들)(12)는 액추에이터(들)(12)의 기부(base: 12a)에 대한 거울(10)의 위치를 제어할 수 있다. 그러므로, 제 2 액추에이터(들)(20)는 리소그래피 장치 내의 기준에 대해 액추에이터(들)(12)의 기부(12a)의 위치를 제어하도록 구성될 수 있다. 따라서, 액추에이터(들)(12)는 패터닝된 방사선 빔이 기판의 유도된 동작과 실질적으로 동조하여 스캐닝되도록 거울(10)의 발진을 제어하는데 사용되며, 제 2 액추에이터(들)(20)은 기판의 유도된 이동으로부터의 기판의 편차에 대한 여하한의 필수적인 보정을 제공하기 위해 사용된다.
보정들이 거울(10)의 동작에 적용되는 방법에 상관없이, 거울이 발진하는 축선과 동일한 축선을 중심으로 거울을 회전시키기 위해 보정들이 적용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 대안적으로 또는 추가적으로 보정들은 패터닝된 회전 빔이 거울 상에 입사하는 위치에서 거울의 표면에 실질적으로 평행하지만 거울이 발진하는 축선에는 수직한 평면 내에 놓이는 축선을 중심으로 거울을 회전시키도록 적용 될 수 있다. 따라서, 보정들은 기판의 유도된 이동으로부터의 편차들에 대해, 기판의 스캐닝 동작에 평행한 방향 및/또는 수직한 방향으로 각각 조정할 수 있다.
액추에이터(들)(12) 및 제 2 액추에이터들(20) 중 하나 또는 둘 모두는 여하한의 적절한 액추에이터 또는 그 조합으로부터 형성될 수 있다. 특히, 1 이상의 압전 요소(piezo-electric element)가 액추에이터(들)(12, 20)로서 사용될 수 있다. 대안예로서, 액추에이터(들) 중 하나 또는 둘 모두는 로렌츠 액추에이터(Lorentz actuator)일 수 있다. 이러한 구성의 장점은 그것이 하나의 구성요소로부터 다른 구성요소로의 진동의 전달을 최소화하도록 배치될 수 있다는 것이다. 따라서, 제 2 액추에이터(들)(20)가 특히 로렌츠 액추에이터일 수 있고, 거울(10)을 발진시키는 액추에이터(들)(12)로부터 장치의 나머지 부분으로의 진동의 전달을 최소화하도록 구성될 수 있다.
일반적으로, 액추에이터(들)(12, 20)의 하나 또는 둘 모두는 6 자유도까지 거울의 위치를 조정할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
방사선 시스템의 일련의 펄스 동안, 그리고 펄스들 사이의 간격 동안 투영 시스템에 대해, 실질적으로 일정한 속력으로 기판을 이동시키는 것이 바람직할 수 있다. 그 후, 본 명세서에서 설명된 장치는 방사선 시스템의 1 이상의 펄스의 지속기간 동안, 기판의 이동에 실질적으로 동조하여 패터닝된 방사선 빔을 이동시키는데 사용될 수 있다. 실질적으로 일정한 속도로 기판이 이동하는 것은, 기판 테이블 및 그와 경계된 위치 드라이버(driver)의 복잡성(complexity)을 감소시킬 수 있으며, 기판의 이동에 실질적으로 동조하여 패터닝된 방사선 빔을 이동시키는 것은 결 과적인 오차를 감소시킬 수 있다.
복수의 펄스 동안 패터닝된 방사선 빔은 기판의 이동에 실질적으로 동조하여 이동될 수 있다. 이러한 구성은 프로그램가능한 패터닝 구조체의 이미지가 복수의 시간에 기판의 동일한 부분 상으로 투영되게 할 수 있다. 이 기술은, 예를 들어 패터닝된 방사선 빔의 펄스 세기가 기판 상에 완전한 노광을 생성하기에 충분하지 않은 경우에 수행될 수 있다. 기판에 실질적으로 동조하여 패터닝된 방사선 빔을 이동시키는 것은 기판 상에서 패턴의 후속하는 노광들 사이의 오버레이 오차들의 발생을 감소시킬 수 있다.
각 펄스에 의해 기판 상에 노광되는 프로그램가능한 패터닝 구조체 상의 연속한 패턴들은 상이할 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 보정은 제 1 펄스에서의 오차를 오프셋하기 위해 1 이상의 후속하는 펄스들에서 이루어질 수 있다. 대안적으로, 패턴의 변화는 피처들 중 1 이상에 대한 그레이 스케일 이미지(gray scale image)를 생성하기 위해 (예를 들어, 기판의 주어진 부분들 상으로 이미징된 펄스들의 총 개수의 비율(proportion)에 대해 그 피처들을 단지 노광함으로써) 사용될 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 패터닝된 방사선 빔의 세기, 프로그램가능한 패터닝 구조체의 조명, 및/또는 퓨필 필터링은 기판의 동일한 부분 상으로 투영되는 방사선 시스템의 펄스 중 1 이상에 대해 변화될 수 있다. 이 기술은, 예를 들어 앞선 패러그래프에서 설명된 기술을 사용하여 발생될 수 있는 그레이 스케일의 수를 증가시키는데 사용될 수 있거나, 상이한 방향으로 지향되는(oriented) 피처들에 대해 상이한 노광들을 최적화하는데 사용될 수 있다.
앞서 설명된 구성은 프로그램가능한 패터닝 구조체를 이용하는 리소그래피 장치에서 기판의 유도된 이동으로부터 편차들을 보상하는 것에 관하여 설명되었지만, 이는 마스크에 의해 패턴이 방사선의 빔에 적용되는 장치에도 적용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 이러한 상황에서 마스크는 마스크에 의해 패터닝된 방사선의 빔에 대한 기판의 이동에 동조하여 기판 상으로 투영된 방사선의 빔에 대해 스캐닝될 수 있도록 지지체 상에 배치될 수 있다. 이러한 상황에서, 기판의 이동이 마스크의 이동을 정확히 반영하는 것은 필수적이다. 하지만, 기판과 마스크의 상대 이동에서의 오차가 생기면, 이는 앞서 설명된 것과 동일한 방식으로 투영 시스템에 대해 기판 상으로 투영된 방사선의 빔 위치를 조정하는 조정가능한 거울을 이용함으로써 보상될 수 있다. 하지만, 이 경우에는 거울의 보정 이동만이 요구되며, 앞서 설명된 방사선 시스템의 펄스들에 동조하여 거울의 발진을 제공하도록 요구되는 시스템의 요소들 및 프로그램가능한 패터닝 구조체 상의 패턴의 업데이팅은 필요로 하지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 또한, 투영 시스템이 주어진 팩터에 의해 기판 상으로 투영되는 마스크의 이미지를 축소하도록 구성되는 경우, 요구되는 기판의 이동은 마스크의 이동에 비해 동일한 팩터로 감소된다는 것을 이해하여야 한다.
도 10은 이러한 시스템을 도시한다. 이는 방사선의 빔을 컨디셔닝하는 조명 시스템과 같은 방사선의 소스(70) 및 상기 소스(70)로부터 방사선의 빔(72)으로 조명되는 마스크(71)를 포함한다. 투영 시스템(73)은 기판(74) 상으로 방사선의 빔을 투영하기 위해 제공된다. 하지만 앞서 설명된 바와 같이, 회전가능하게 장착된 거울(75)이 투영 시스템(73)에 대해 기판(74) 상으로 투영되는 방사선의 패터닝된 빔(76)의 위치를 조정하도록 구성되어 제공된다. 회전가능하게 장착된 거울(75)의 이동을 제어하기 위해 액추에이터 시스템(77)이 제공된다. 도 10의 명확함을 위해, 회전가능하게 장착된 거울(75)은 투영 시스템(73) 이후에 도시된다. 하지만, 회전가능하게 장착된 거울은 투영 시스템(73)의 일부분이거나, 투영 시스템 이전에 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한, 투영 시스템에 대한 방사선의 패터닝된 빔의 이동의 개선된 제어를 제공하기 위해, 1 이상의 추가적인 회전가능하게 장착된 거울이 제공될 수도 있다. 또한, 투영 시스템에 대한 방사선의 패터닝된 빔의 위치를 조정하기 위해 다른 메카니즘이 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
측정 시스템(78, 79)은 마스크(71) 및 기판(74)의 이동을 각각 측정하기 위해 제공된다. 이 측정들에 기초하여, 제어기(80)는 필요에 따라 투영 시스템(73)의 배율을 고려하여 마스크(71) 및 기판(74)의 유도된 상대 이동의 편차를 보상하기 위해 투영 시스템(73)에 대한 방사선의 패터닝된 빔(76)의 위치에 있어서 요구되는 조정을 결정할 수 있다. 따라서, 투영 시스템(73)에 대한 방사선의 패터닝된 빔(76)의 위치를 조정하기 위해 요구되는 신호들이 액추에이터(77)에 제공된다.
이상 본 발명의 특정 실시예가 서술되었지만, 청구된 바와 같은 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 명세서에서는 기판 상의 레지스트를 노광하기 위해 리소그래피 장치의 사용이 설명되었지만, 본 발명이 이러한 사용에 제한되지는 않으며, 본 발명의 일 실시예에 따른 장치는 레지스트없는 리소그래피(resistless lithography)에서 사용하는 패터닝된 방사선 빔을 투영하는데 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 이 실시예들 의 서술내용은 청구된 바와 같이 본 발명을 제한하려는 것이 아님을 분명히 유의한다.
이하 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영 장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패터닝된 방사선 빔을 이동시키도록 구성된 구조체를 개략적으로 도시하는 도면;
도 3은 구조체의 부분적인 이동 이후에 패터닝된 방사선 빔을 이동시키도록 구성된 구조체를 개략적으로 도시하는 도면;
도 4는 구조체의 추가 이동 이후에 패터닝된 방사선 빔을 이동시키도록 구성된 구조체를 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 구조체의 이동을 제어하는데 사용될 수 있는 제어 루프(control loop)의 일 예시를 개략적으로 도시하는 도면;
도 6은 패터닝된 방사선 빔을 이동시키도록 구성된 구조체의 변형예를 계략적으로 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 특정 실시예에 따른 제어 시스템을 개략적으로 도시하는 도면;
도 8은 본 발명의 상이한 특정 실시예에 따른 제어 시스템을 개략적으로 도시하는 도면;
도 9는 본 발명의 특정 실시예를 이용하여 사용될 수 있는 유연한(flexible) 지지체를 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 10은 방사선의 빔을 패터닝하는 마스크를 이용하는 리소그래피 장치에 대한 본 발명의 응용예를 개략적으로 도시하는 도면이다.
상기 도면들에서 대응하는 참조 부호들은 대응하는 부분들을 나타낸다.

Claims (3)

  1. 리소그래피 장치에 있어서:
    방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함하여 이루어지고,
    상기 장치는:
    상기 패터닝 디바이스의 위치를 측정하도록 구성된 위치 측정 시스템;
    상기 기판의 위치를 측정하도록 구성된 위치 측정 시스템; 및
    의도된 상대 위치로부터 상기 패터닝 디바이스 및 상기 기판의 측정된 상대 위치의 편차(deviation)에 응답하여, 상기 투영 시스템의 위치에 대해 상기 기판 상으로 투영된 방사선의 패터닝된 빔의 위치를 조정하도록 구성된 방사선 빔 위치 조정기를 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사선 빔 위치 조정기는 상기 투영 시스템에 대해 상기 방사선의 패터닝된 빔을 이동시키도록 구성된 피봇가능한 거울; 및 상기 거울의 위치를 제어하도 록 구성된 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 디바이스 제조 방법에 있어서:
    패터닝 디바이스로 방사선의 빔을 패터닝하는 단계;
    노광을 형성하기 위해 기판의 타겟부 상으로 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계;
    상기 노광시 상기 패터닝 디바이스의 위치를 측정하는 단계;
    상기 노광시 상기 기판의 위치를 측정하는 단계;
    의도된 상대 위치로부터 상기 패터닝 디바이스 및 상기 기판의 측정된 상대 위치의 편차에 응답하여, 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판 상으로 투영된 패터닝된 빔의 위치를 조정하도록 방사선 빔 위치 조정기를 이용하는 단계를 포함하여 이루어지는 디바이스 제조 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
JP5089205B2 (ja) * 2007-03-19 2012-12-05 キヤノン株式会社 画像形成装置、及びその制御方法
NL1036321A1 (nl) * 2007-12-20 2009-06-29 Asml Netherlands Bv Device control method and apparatus.
NL1036323A1 (nl) * 2007-12-27 2009-06-30 Asml Holding Nv Folded optical encoder and applications for same.
DE102008008232B4 (de) * 2008-02-08 2011-04-14 Realeyes Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Belichten eines Fotomaterials
CN101910817B (zh) * 2008-05-28 2016-03-09 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及器件制造方法
NL2004256A (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Asml Netherlands Bv Enhancing alignment in lithographic apparatus device manufacture.
JP5584785B2 (ja) * 2010-02-23 2014-09-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
US20110216302A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-08 Micronic Laser Systems Ab Illumination methods and devices for partially coherent illumination
NL2006969A (en) 2010-07-22 2012-01-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, computer program product and device manufacturing method.
NL2008111A (en) 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Optical apparatus, method of scanning, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2008426A (en) 2011-04-08 2012-10-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method.
NL2009902A (en) * 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
TWI572434B (zh) * 2013-12-04 2017-03-01 Metal Ind Res And Dev Centre Laser processing device with high speed vibration unit
US9461443B2 (en) * 2014-02-12 2016-10-04 Agilent Technologies, Inc. Optical system having reduced pointing-error noise
DE102014203040A1 (de) * 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
EP3444674A1 (en) * 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
WO2019197341A1 (en) * 2018-04-10 2019-10-17 Talens Systems, S.L.U. Apparatus and method for processing cardboard
CN108983557B (zh) * 2018-08-03 2021-02-09 德淮半导体有限公司 光刻系统和光刻方法
CN111580346B (zh) * 2020-05-21 2021-06-25 吉林大学 Dmd光刻系统中倾角及放大倍率的测量和校正方法

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3811748A (en) * 1971-01-27 1974-05-21 Rockwell International Corp Optical scanner
US3742234A (en) * 1971-06-23 1973-06-26 Hughes Aircraft Co High speed small deflection interlace mirror
US3936193A (en) * 1974-02-13 1976-02-03 Eocom Corporation Multiplex interferometer
US4025203A (en) * 1975-12-11 1977-05-24 Eastman Kodak Company Mirror-type beam steerer having a virtual pivot
US4155630A (en) * 1977-11-17 1979-05-22 University Of Delaware Speckle elimination by random spatial phase modulation
US4327975A (en) * 1980-04-16 1982-05-04 Harris Lee M Light-beam-projecting apparatus
US4491383A (en) * 1982-09-20 1985-01-01 Centro Ricerche Fiat S.P.A. Device for modifying and uniforming the distribution of the intensity of a power laser beam
US4711573A (en) * 1983-03-07 1987-12-08 Beckman Instruments, Inc. Dynamic mirror alignment control
US4577932A (en) * 1984-05-08 1986-03-25 Creo Electronics Corporation Multi-spot modulator using a laser diode
DE3582717D1 (de) * 1984-05-24 1991-06-06 Commw Of Australia Abtastvorrichtung der brennpunktflaeche.
US4732440A (en) * 1985-10-22 1988-03-22 Gadhok Jagmohan S Self resonant scanning device
US4668080A (en) * 1985-11-29 1987-05-26 Rca Corporation Method and apparatus for forming large area high resolution patterns
US4726671A (en) * 1986-06-19 1988-02-23 The Perkin-Elmer Corporation High resonance adjustable mirror mount
JPH0786647B2 (ja) * 1986-12-24 1995-09-20 株式会社ニコン 照明装置
JP2569711B2 (ja) * 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法
US4861125A (en) * 1988-05-06 1989-08-29 Tencor Instruments Suspension assembly for a scanning mirror
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) * 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5121138A (en) * 1990-05-22 1992-06-09 General Scanning, Inc. Resonant scanner control system
US6710855B2 (en) * 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US5229872A (en) * 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) * 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
DE69224645T2 (de) * 1992-11-26 1998-08-20 Oce Tech Bv Drehspiegelsystem
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
US5557438A (en) * 1993-11-23 1996-09-17 Schwartz; Nira Scanning and tracking using rotating polygons
JP3339149B2 (ja) * 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US6337479B1 (en) * 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) * 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
DE69729659T2 (de) * 1996-02-28 2005-06-23 Johnson, Kenneth C., Santa Clara Mikrolinsen-rastereinrichtung für mikrolithografie und für konfokale mikroskopie mit grossem aufnahmefeld
WO1997033205A1 (en) * 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
EP0823662A2 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
DE69717975T2 (de) * 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
EP0900412B1 (en) 1997-03-10 2005-04-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders
US5982553A (en) * 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US6268904B1 (en) * 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
WO1999002939A1 (en) * 1997-07-14 1999-01-21 Spectral Dimensions, Inc. Methods and devices for very rapid scan interferometry
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JPH11326826A (ja) * 1998-05-13 1999-11-26 Sony Corp 照明方法及び照明装置
US7098871B1 (en) * 1998-08-05 2006-08-29 Microvision, Inc. Optical scanning system with correction
IL133889A (en) * 2000-01-05 2007-03-08 Orbotech Ltd Pulse light pattern writer
US6204875B1 (en) * 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
US6317169B1 (en) * 1999-04-28 2001-11-13 Intel Corporation Mechanically oscillated projection display
US6246504B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 The Regents Of The University Of Caifornia Apparatus and method for optical raster-scanning in a micromechanical system
EP1093021A3 (en) * 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
JP2001255661A (ja) 2000-01-05 2001-09-21 Orbotech Ltd パルス光パターン書込み装置
US6379867B1 (en) * 2000-01-10 2002-04-30 Ball Semiconductor, Inc. Moving exposure system and method for maskless lithography system
KR100827874B1 (ko) * 2000-05-22 2008-05-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법
US6552779B2 (en) * 2000-05-25 2003-04-22 Ball Semiconductor, Inc. Flying image of a maskless exposure system
TW575771B (en) * 2000-07-13 2004-02-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4741115B2 (ja) * 2000-08-14 2011-08-03 イーリス エルエルシー リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
US7367931B2 (en) * 2000-10-30 2008-05-06 Pactiv Corporation Laser cutoff stacker assembly
US6831765B2 (en) * 2001-02-22 2004-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Tiltable-body apparatus, and method of fabricating the same
US6753947B2 (en) * 2001-05-10 2004-06-22 Ultratech Stepper, Inc. Lithography system and method for device manufacture
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
US6828698B2 (en) * 2001-06-14 2004-12-07 Lightbay Networks Corporation Gimbal for supporting a moveable mirror
US6798494B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-28 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
WO2003040830A2 (en) * 2001-11-07 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
JP3563384B2 (ja) * 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US7130098B2 (en) * 2002-01-24 2006-10-31 Rosemount Aerospace Inc. Silicon wafer based macroscopic mirror for wide angle scanning applications
SE0200547D0 (sv) 2002-02-25 2002-02-25 Micronic Laser Systems Ab An image forming method and apparatus
US6803938B2 (en) * 2002-05-07 2004-10-12 Texas Instruments Incorporated Dynamic laser printer scanning alignment using a torsional hinge mirror
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
SG130007A1 (en) * 2002-06-12 2007-03-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6869185B2 (en) * 2002-10-16 2005-03-22 Eastman Kodak Company Display systems using organic laser light sources
SG111171A1 (en) * 2002-11-27 2005-05-30 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
AU2003208566A1 (en) * 2003-01-08 2004-08-10 Explay Ltd. An image projecting device and method
SG138445A1 (en) * 2003-02-14 2008-01-28 Asml Netherlands Bv Device and method for wafer alignment with reduced tilt sensitivity
EP1469348B1 (en) 2003-04-14 2012-01-18 ASML Netherlands B.V. Projection system and method of use thereof
JP2004343075A (ja) * 2003-04-14 2004-12-02 Asml Netherlands Bv 投影システム及びその使用方法
EP1482373A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7232071B2 (en) * 2003-11-14 2007-06-19 Microvision, Inc. Scanned beam imager
JP2006128194A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7474384B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus
US7206117B2 (en) * 2004-12-10 2007-04-17 Lucent Technologies Inc. Segmented MEMS mirror for adaptive optics or maskless lithography
US7283210B2 (en) * 2005-03-22 2007-10-16 Nikon Corporation Image shift optic for optical system
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror

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