KR20080009737A - 이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 카메라 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따르면 어레이로 배열된 복수의 광검출기(20,30) 및 광검출기에 의해 기능적으로 공유되는 복수의 트랜지스터(60,90)를 포함하되, 각 광검출기로부터 인접한 트랜지스터로의 거리가 실질적으로 동일한 이미지 센서가 제공된다.

Description

이미지 센서 및 이를 포함하는 디지털 카메라{PIXEL WITH SYMMETRICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR PLACEMENT}
본 발명은 전반적으로 증폭기를 공유하는 복수의 포토다이오드를 구비하는 CMOS 이미지 센서 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 이미지 센서의 "유닛 셀(unit cell)" 내에서 각 포토다이오드로부터 실질적으로 동일한 거리에 위치한 전계 효과 트랜지스터(FET)를 구비하는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 증폭기인 소스 폴로워 트랜지스터(source follower transistor) SF를 공유하는 두 개의 포토다이오드의 개략도가 도시되었다. 포토다이오드는 그들 각각의 전달 게이트(transfer gate)(TG1 및 TG2)를 통해 그들 각각의 플로팅 확산부(floating diffusion)(FD1 및 FD2)로 그들의 전하를 전달한다.
도 2를 참조하면, 증폭기인 소스 폴로워(SF)를 공유하는 네 개의 포토다이오드(PD1, PD2, PD3, PD4)를 구비하는 전형적인 종래 기술의 이미지 센서의 개략도가 도시되었다. 도 1과 유사하게, 도 2의 동작은 자신들의 전하를 그들 각각의 전달 게이트(TG1, TG2, TG3, TG4)를 통해 그들 각각의 플로팅 확산부(FD1, FD2, FD3, FD4)로 전달하는 포토다이오드(PD1, PD2, PD3, PD4)를 포함한다.
도 3 및 4를 참조하면, 도 1 및 2의 상면도가 각각 도시되었다. 이미지 센서는 복수의 포토다이오드 및 그들과 관련된 전계 효과 트래지스터(FET)를 포함하되, 이들 트랜지스터는 이미지 센서 유닛 셀 내에서 비대칭하게 배치되며 포토다이오드들로부터 서로 다른 거리에 배치된다. FET는 이미지 센서에서 증폭, 리셋(reset) 및 행 선택(row selection)과 같은 다양한 기능을 제공하는 역할을 한다. 도 1 및 2의 설계는 광학적 필 팩터(fill factor)를 최대화하지만, 각 포토다이오드를 둘러싸는 영역의 광학적, 정전기적 비대칭성 때문에 광학적 이득 고정 패턴 노이즈(fixed pattern noise)를 가질 수 있다.
종래 기술의 이미지 센서가 만족스럽다고 해도, 이는 광학적 이득 고정 패턴 노이즈와 같은 단점을 포함한다. 따라서, 광학적 필 팩터를 최대화하는 한편 광학적 이득 고정 패턴 노이즈를 감소시켜야 할 필요성이 존재한다.
본 발명은 전술된 하나 또는 그 이상의 문제점을 극복하기 위한 것이다. 간략하게 요약하자면, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 어레이로 배열된 복수의 광검출기와 광검출기에 의해 기능적으로 공유되는 복수의 FET를 포함하며, 각 광검출기로부터 인접한 FET까지의 거리는 실질적으로 동일한 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명의 전술된 측면과 그 외의 측면들은 하기의 설명과 도면을 참조로 하여 보다 명백해질 것이며 도면에서 공통적인 모습의 동일한 소자에 대해 가능한 한 동일한 참조 번호가 지정되었다.
본 발명은 공유된 증폭기 픽셀 내의 이득 고정 노이즈를 감소시키는 장점을 제공한다.
도 1은 증폭기를 공유하는 두 개의 포토다이오드와 FET의 위치를 도시한 종래 기술의 이미지 센서의 개략도,
도 2는 증폭기를 공유하는 네 개의 포토다이오드와 FET의 위치를 도시한 종래 기술의 이미지 센서의 개략도,
도 3은 도 1의 상면도,
도 4는 도 2의 상면도,
도 5는 증폭기를 공유하는 두 개의 포토다이오드를 도시한 본 발명의 이미지 센서의 개략도,
도 6은 증폭기를 공유하는 네 개의 포토다이오드를 도시한 본 발명의 이미지 센서의 개략도,
도 7은 FET의 위치를 도시한 도 5의 상면도,
도 8은 FET의 위치를 도시한 도 6의 상면도,
도 9는 도 6의 레이아웃을 갖는 본 발명의 디지털 카메라의 측면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 이미지 센서 20 : 포토다이오드
25 : 포토다이오드 30 : 포토다이오드
35 : 포토다이오드 40 : 전달 게이트
45 : 전달 게이트 50 : 전달 게이트
55 : 전달 게이트 60 : 리셋 트랜지스터
70 : 플로팅 확산부 75 : 플로팅 확산부
80 : 플로팅 확산부 85 : 플로팅 확산부
90 : 소스 폴로워 트랜지스터 또는 증폭기
100 : 행 선택 신호 라인 110 : 열 버스(column bus)
120 : 디지털 카메라
하기의 설명에서, 본 발명은 바람직한 실시예에서 소프트웨어 프로그램으로서 기술될 것이다. 당업자는 이러한 소프트웨어의 동등물이 하드웨어 내에 구성될 수 있음을 쉽게 인지할 것이다.
도 5를 참조하면, 두 개의 광검출기, 바람직하게는 입사광에 응답하여 각각 전하를 축적하는 포토다이오드(PD1 및 PD2)(20, 30)를 구비하는 본 발명의 이미지 센서(10)의 개략도가 도시되었다. 두 개의 전달 게이트(TG1 및 TG2)(40, 50)는 각각 포토다이오드(20, 30)에 전기적으로 접속되고, 전달 게이트(40, 50)는 전하를 포토다이오드로부터 이와 관련된 플로팅 확산부로 전달하도록 전압을 사용하여 순차적으로 펄스되며, 이때 플로팅 확산부는 전하를 전압 신호로 변환한다. 리셋 트랜지스터(RG)(60)는 전하를 포토다이오드(20, 30)로부터 플로팅 확산부(70, 80)로 전달하기 전에 각 플로팅 확산부(n+)(70, 80)의 전압을 기준 전압으로 설정한다.
소스 폴로워 트랜지스터(SF)(90), 또는 증폭기는 전압 신호를 열 버스(110)로 출력하도록 증폭시키기 위해 각 플로팅 확산부(70, 80)에 의해 공유된다. 행 선택 신호 라인(RSEL)(100)은 열 버스(110)로 출력할 행을 선택한다. 전달 게이트(40, 50)는 서로 다른 시간에 순차적으로 펄스되어, 각 포토다이오드에 대해 상이한 신호를 생성하기 위해 다른 포토다이오드(30)로부터 전하를 전달하기에 앞서 포토다이오드(20)로부터의 전하가 증폭기(90)를 통해 열 버스(110)로 출력되도록 관련된 플로팅 확산부(70)로 포토다이오드(20)로부터의 전하가 전달되게 한다.
도 6을 참조하면, 증폭기(90)를 공유하는 네 개의 포토다이오드(추가의 포토다이오드는 (25, 35))를 구비하는 도 5의 다른 실시예가 도시되었다. 이 실시예는 도 5와 동일한 기능을 하며 네 개의 전달 게이트(40, 45, 50, 55)(추가의 전달 게이트는 (45, 55))는 전하를 각각의 플로팅 확산부(70, 75, 80, 85)(추가의 플로팅 확산부는 (75, 85))로 전달하도록 순차적으로 펄스된다. 플로팅 확산부(70, 75, 80, 85)는 전하를 전압으로 변환하며 이는 열 버스(110)로 출력되도록 소스 폴로워 트랜지스터(90)에 의해 증폭된다.
도 7을 참조하면, 2×2 어레이로 배열된 복수의 포토다이오드(PD)를 구비하는 도 5의 상면도가 도시되었다. 네 개의 포토다이오드와 관련된 FET의 그룹은 픽 셀 어레이 유닛 셀을 구성한다. 명확한 이해를 위해, 오직 네 개의 포토다이오드만이 도시되었지만, 본 발명의 전형적인 이미지 센서(10)는 각 픽셀이 하나의 포토다이오드를 구비하는 다양한 사이즈의 메가픽셀 이미지 센서를 포함한다. 본 명세서에서 지칭되는 전계 효과 트랜지스터(FET)는 리셋 트랜지스터(60) 및 소스 폴로워 트랜지스터(90)이다. 이러한 FET는 네 개의 광검출기 각각에 대한 그들의 근접성과 관련하여 대칭성을 제공하도록 유닛 셀 내에 설계되고 물리적으로 위치된다. 또한, FET는 각 트랜지스터에 인가되는 전압이 각각의 광검출기 부근의 정전기적 퍼텐셜과 관련하여 바람직하게는 동일하거나 또는 실질적으로 동일하도록 배치된다. 또한, 이러한 FET는 광검출기(PD)에 의해 기능적으로 공유된다.
본 명세서에 기술된 본 발명은 공유되는 증폭기 픽셀 내의 광학적 이득 고정 패턴 노이즈를 감소시키는 방법을 제공한다. 픽셀 내의 FET의 배치가 p-n 접합을 생성하고, 이들이 포지티브 퍼텐셜로 바이어스되기 때문에, FET 접합은 약한 광검출기 및 컬렉트 광생성된 일렉트론으로서 작용할 수 있다. 이것은 특히 FET 둘레에 강한 p-웰이 존재하지 않을 경우에 나타난다. FET로부터 공유되는 그룹 또는 광검출기들의 유닛 셀 내의 인접한 광검출기까지의 거리가 유닛 셀 내의 각 광검출기들에 있어서 동일하거나 대칭하도록(또는 실질적으로 동일하거나 실질적으로 대칭하도록) FET를 배치함으로써, 유닛 셀 내의 모든 광검출기의 결과적인 양자 효과는 동일하거나 실질적으로 유사할 것이다. 도 7은 유닛 셀 내의 각 광검출기가 그 옆에 물리적으로 동일하게 위치한 FET를 구비하도록 FET가 배치된 본 발명의 설계를 도시한다.
다르게 말하자면, 각 광검출기는 그들 사이에 실질적으로 균일한 피치(pitch)를 포함하고, 트랜지스터들은 광검출기를 둘러싸는 영역 내에서 실질적으로 균일한 피치에 배치된다.
도 8을 참조하면, 2×4 어레이로 배열된 복수의 포토다이오드(PD)를 구비하는 도 6의 상면도가 도시되었다. 8개의 포토다이오드와 관련된 FET의 그룹은 픽셀 어레이 유닛 셀을 구성한다. 명확한 이해를 위해서 오직 8개의 포토다이오드만이 도시되었지만, 본 발명의 전형적인 이미지 센서(10)는 각 픽셀이 하나의 포토다이오드를 구비하는 다양한 치수의 메가픽셀 이미지 센서를 포함한다. 전술된 바와 같이, 본 명세서에서 지칭되는 FET는 리셋 트랜지스터(60) 및 소스 폴로워 트랜지스터(90)이고 전술된 바와 같이 동작한다. 도 8은 유닛 셀 내의 각 광검출기(PD)가 그 옆에 물리적으로 동일하게 배치된 FET를 구비하도록 FET가 배치된 본 발명의 설계를 도시한다.
도 9를 참조하면, 일반적인 소비자에게 익숙한 전형적인 상업적 실시예를 나타내는, 자신의 내부에 배치된 이미지 센서(10)를 구비하는 디지털 카메라(120)의 측면도가 도시되었다.

Claims (10)

  1. 이미지 센서로서,
    (a) 어레이로 배열된 복수의 광검출기들과,
    (b) 상기 광검출기들에 의해 기능적으로 공유되는 복수의 트랜지스터들을 포함하되,
    각 광검출기로부터 인접하는 트랜지스터까지의 거리는 실질적으로 동일한
    이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 광검출기로부터 기능적으로 공유되는 복수의 트랜지스터들까지의 거리는 실질적으로 동일한
    이미지 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    각 트랜지스터에 인가되는 퍼텐셜은 실질적으로 동일한
    이미지 센서.
  4. 제 2 항에 있어서,
    각 트랜지스터에 인가되는 퍼텐셜은 실질적으로 동일한
    이미지 센서.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 광검출기는 자신들의 사이에 실질적으로 균일한 피치(pitch)를 포함하고,
    상기 트랜지스터들은 상기 광검출기들을 둘러싸는 영역 내에서 실질적으로 균일한 피치에 배치되는
    이미지 센서.
  6. 이미지 센서를 포함하는 디지털 카메라로서,
    상기 이미지 센서는,
    (a) 어레이로 배열된 복수의 광검출기들과,
    (b) 상기 광검출기들에 의해 기능적으로 공유되는 복수의 트랜지스터들을 포함하되,
    각 광검출기로부터 인접하는 트랜지스터까지의 거리는 실질적으로 동일한
    디지털 카메라.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 각 광검출기로부터 기능적으로 공유되는 복수의 트랜지스터들까지의 거리는 실질적으로 동일한
    디지털 카메라.
  8. 제 6 항에 있어서,
    각 트랜지스터에 인가되는 퍼텐셜은 실질적으로 동일한
    디지털 카메라.
  9. 제 7 항에 있어서,
    각 트랜지스터에 인가되는 퍼텐셜은 실질적으로 동일한
    디지털 카메라.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 각 광검출기는 자신들의 사이에 실질적으로 균일한 피치를 포함하고,
    상기 트랜지스터들은 상기 광검출기들을 둘러싸는 영역 내에서 실질적으로 균일한 피치에 배치되는
    디지털 카메라.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7960768B2 (en) * 2008-01-17 2011-06-14 Aptina Imaging Corporation 3D backside illuminated image sensor with multiplexed pixel structure
TWI433307B (zh) * 2008-10-22 2014-04-01 Sony Corp 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件
JP5029624B2 (ja) * 2009-01-15 2012-09-19 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
FR2955701A1 (fr) * 2010-01-28 2011-07-29 St Microelectronics Sa Structure compacte de capteur d'image
JP5377549B2 (ja) * 2011-03-03 2013-12-25 株式会社東芝 固体撮像装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5933188A (en) 1994-10-19 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus and method with reset
US6160281A (en) * 1997-02-28 2000-12-12 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with inter-pixel function sharing
US6466266B1 (en) * 1998-07-28 2002-10-15 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with shared row timing signals
JP3697073B2 (ja) 1998-08-05 2005-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US6956605B1 (en) * 1998-08-05 2005-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US6734906B1 (en) * 1998-09-02 2004-05-11 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus with photoelectric conversion portions arranged two dimensionally
JP3559714B2 (ja) * 1998-09-02 2004-09-02 キヤノン株式会社 撮像装置およびそれを用いた撮像システム
US6657665B1 (en) * 1998-12-31 2003-12-02 Eastman Kodak Company Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier
JP3585219B2 (ja) * 2000-08-25 2004-11-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP3792628B2 (ja) * 2002-09-02 2006-07-05 富士通株式会社 固体撮像装置及び画像読み出し方法
JP4298276B2 (ja) * 2002-12-03 2009-07-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP3746769B2 (ja) * 2003-02-24 2006-02-15 新光電子株式会社 物品の寸法測定装置
JP4553612B2 (ja) * 2004-03-18 2010-09-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像素子およびそれを備えた撮像装置
JP4230406B2 (ja) * 2004-04-27 2009-02-25 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US7830437B2 (en) * 2005-05-11 2010-11-09 Aptina Imaging Corp. High fill factor multi-way shared pixel

Also Published As

Publication number Publication date
KR101320784B1 (ko) 2013-10-22
TW200703633A (en) 2007-01-16
JP2008546199A (ja) 2008-12-18
US7342213B2 (en) 2008-03-11
US20060273241A1 (en) 2006-12-07
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