KR100317214B1 - 고체 촬상 장치 - Google Patents

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Abstract

고체 촬상 장치는 복수개 광전 변환 셀과, 차광 부재, 및 복수개 개구부를 포함한다. 이러한 광전 변환 셀은 광 신호를 광전 변환하기 위한 광전 변환기를 포함하고 매트릭스 형태로 배열되어 광전 변환된 신호 전하를 축적하게 된다. 광전 변환기는 소정 방향으로 상이한 피치로 인접해 있다. 차광 부재는 매트릭스 형태로 배열된 광전 변환 셀을 덮는다. 개구부는 차광 부재 내에 광전 변환기와 대응하여 형성되고, 광 신호를 광전 변환기에 전달한다. 이러한 개구부는 소정 방향으로 동일한 간격으로 배치되어 있다.

Description

고체 촬상 장치{SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE}
본 발명은 광전 변환기(photoelectric converter)가 매트릭스 형태로 배열된 수광면 위에 결상된 피사체(object)의 광학적 이미지를 취득하기 위한 고체 촬상 장치(solid-state image sensing device)에 관한 것이다.
고체 촬상 장치는 광전 변환 기능과 축적 기능을 갖는 매트릭스 형태로 배열된 화소군과, 각 화소에 축적된 신호 전하(signal charge)를 시계열로 순차 추출하는 스캐닝 기능을 갖는 회로와의 일체 구조로 되어 있다. 이러한 고체 촬상 장치로서, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 구조를 갖는 MOS 촬상 장치(CMOS 이미지 센서)는 전력 소비가 낮고 주변 회로를 모놀리식으로 집적할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이러한 CMOS 이미지 센서는 광전 변환 및 전하 축적을 행하는 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 광전 변환기(301)를 포함한다. 광전 변환기(301) 각각은 신호 전하를 추출하기 위한 회로 영역(302)에 인접해 있다. 광전 변환기(301) 및 회로 영역(302)은 광전 변환 셀(305)을 구성한다.
광전 변환기(301) 및 회로 영역(302)에 전원 전압 등을 공급하기 위한 전원선은 X 방향으로 인접해 있는 각 광전 변환 셀(305)들 사이의 Y 방향 배선 영역(303)에 배치되어 있다. 리셋 신호를 광전 변환기(301) 및 회로 영역(302)으로 송신하기 위한 리셋 신호선이나 선택 신호선 등은 Y 방향으로 인접해 있는 각 광전 변환 셀(305) 사이의 X 방향 배선 영역(304)에 배치되어 있다. 회로 영역(302)은 컨택트(303a)를 통해 전원선에 접속되어 있다.
차광 부재(310)는 매트릭스 형태로 배열된 각 광전 변환 셀(305)을 덮는다. 개구부(311)는 차광 부재(310) 내의 각 광전 변환기(301)의 중심에 대응하는 위치에 형성된다.
CMOS 이미지 센서의 상세 회로 구성을 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.
광전 변환기(301)로서, 광 다이오드(401)를 사용한다. 광 다이오드(401)는 실리콘 기판 내에 형성된 p-형 웰과, 웰 내의 실리콘 기판의 표면에서 형성된 n-형 불순물 영역으로 이루어진다. 광이 광 다이오드(401)로 입사되면, 전자 - 정공 쌍이 n형 불순물 영역에 생성된다. n-형 불순물 영역에서는, 정공이 p형 웰로 이동하여 전자만이 남게 된다. 즉, 광을 조사함으로써 광 다이오드(401)의 n형 불순물 영역에 전하가 축적된다. 축적된 전햐량은 입사광의 강도에 따라 변화하고, 이것이 신호 전하가 된다.
신호 전하에 의한 1 화소 영상 신호는 전원선(411)을 통해 전원 전압 VDD를 수신하는 트랜지스터(402)에 의해 증폭된다. 트랜지스터(402)는 컨택트(411a)를 통해 전원선(411)에 접속된다. 컨택트(411a)는 도 4의 컨택트(303a)에 대응한다.
1 화소 영상 신호는, 수직 스캐닝 시프트 레지스터(421)로부터의 신호에 의해 트랜지스터(403)가 선택되고 수평 스캐닝 시프트 레지스터(422)로부터의 신호에 의해 트랜지스터(404)가 선택됨으로써 신호 출력 단자(431)로부터 출력된다. 리셋 신호가 트랜지스터(405)로 입력되면, 전원 전압 VDD는 잔여 전하를 소거하기 위해 광 다이오드(401)로 입력된다.
도 5의 트랜지스터(402, 403, 및 405)는 도 4의 회로 영역(302) 내에 형성된다. 광이 회로 영역(302) 내에 입사되면, 트랜지스터(402, 403, 및 405)가 오동작한다. 이를 방지하기 위해, 도 4의 차광 부재(310)가 회로 영역(302)을 덮는다.
매트릭스 형태로 배열된 광 다이오드(401)로부터 출력되어 트랜지스터(402)에 의해 증폭되는 각 화소에 대한 영상 신호는 수직 및 수평 스캐닝 시프트 레지스터(421 및 422)에 의해 이미지 신호로서 순차 추출된다.
도 4에 도시된 광전 변환기(301) 및 개구부(311)는 광을 수광한다는 점을 고려하면 과도하게 축소될 수는 없다. 예를 들어, 개구부(311)는 수신되는 광의 파장을 고려하여 과도하게 축소될 수는 없다. 이러한 이유로, 광전 변환기(301)의 광 다이오드 및 개구부(311)의 크기를 축소시킴으로써 집적도가 증가시키면, CMOS 이미지 센서의 특성은 열화된다.
도 4 및 5에서 도시된 바와 같이, 전원 전압 VDD를 공급하기 위한 전원선이 인접한 광전 변환 셀(305) 각각마다 마련될 필요는 없다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 전원선(411)을 X 방향으로 인접해 있는 광전 변환 셀(305) 용으로 공통으로 사용하여 전원선(411)의 수를 거의 반으로 줄일 수 있다. 그 결과, 도 7에 도시된 바와 같이, 전원선을 2개의 Y 방향 배선 영역(303) 마다 배치하면 충분하고, 집적도를 증가시킬 수 있다. 이러한 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, X 방향으로 인접한 회로 영역(302)이 공통 컨택트(411b)를 통해 전원선(411)에 접속된다.
그러나, 상술한 바와 같이 집적도를 증가시키면, X 방향으로 있는 광전 변환기(310)들의 개구부(311) 간의 간격이 달라지고, 재생 이미지는 피사체의 광학적 위치로부터 부분적으로 쉬프트되어 재생된다.
좀더 상세히는, 도 7에 도시된 바와 같이, Y 방향 배선 영역(303)을 통한 X 방향으로 인접해 있는 개구부(311)들 간의 거리 d1은 Y 방향 배선 영역(303)을 통하지 않고 바로 인접해 있는 개구부(311)들 간의 거리 d2와는 다르다. 그러나, 화상 재생시에는 화소가 동일한 간격으로 배열되므로, 정확한 이미지를 재생할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은 집적도를 향상시키고 좀더 정확한 이미지 재생 상태를 얻을 수 있는 고체 촬상 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르면, 소정 방향으로 상이한 피치로 서로 인접해 있으며 광학 신호를 광전 변환하는 광전 변환기를 가지며, 광전 변환된 신호 전하를 축적하기 위해 매트릭스 형태로 배열된 복수의 광전 변환 셀과; 상기 광전 변환 셀을 덮는 매트릭스 형태로 배열된 차광 부재와; 소정 방향으로 동일한 간격으로 배열되어 있으며 상기 광전 변환기들에 대응하여 상기 차광 부재에 형성되며, 광학 신호를 상기 광전 변환기에 전달하는 복수의 개구부를 포함하는 고체 촬상 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 평면도.
도 2는 도 1의 CMOS 이미지 센서의 상세 구성을 도시하는 회로도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 평면도.
도 4는 종래의 이미지 센서의 평면도.
도 5는 도 3의 CMOS 이미지 센서의 상세 구성을 도시하는 회로도.
도 6은 고집적도를 이루는 종래의 CMOS 이미지 센서의 상세 구성을 도시하는 회로도.
도 7은 도 6의 CMOS 이미지 센서의 평면도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
101 : 광전 변환기
105 : 광전 변환 셀
110 : 차광 부재
111 : 개구부
221 : 수직 스캐닝 시프트 레지스터
222 : 수평 스캐닝 시프트 레지스터
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 1실시예에 따른 CMOS 이미지 센서를 도시한다. 이 CMOS 이미지 센서는 광전 변환 및 전하 축적을 행하는 복수의 광전 변환기(101)가 매트릭스 형태로 배열된 수광면을 갖는다. 이러한 수광면에서, 각 광전 변환기(101)는 신호 전하를 추출하기 위한 회로 영역(102)에 인접하여 있다. 광전 변환기(101) 및 회로 영역(102)은 광전 변환 셀(105)을 구성한다.
전원 전압 등을 광전 변환기(101) 및 회로 영역(102)에 공급하기 위한 전원선(후술됨)은 X- 방향으로 인접해 있는 각 광전 변환 셀(105)들 사이에 있는 Y-방향 배선 영역(103)에 배치된다. 제1 실시예에서, Y- 방향 배선 영역(103)은 광전 변환 셀(105)의 2개 열마다 배치되고, 하나의 전원선을 X 방향으로 인접해 있는 광전 변환 셀(105)이 공유한다. 그 결과, 집적도가 증가한다. 회로 영역(102)은 컨택트(103a)를 통해 전원선에 접속되고, 컨택트(103a)는 X 방향으로 인접한 회로 영역(102)에서 공통으로 사용된다.
리셋 신호를 광전 변환기(101) 및 회로 영역(102)에 전송하기 위한 리셋 신호선(후술됨), 선택 신호선(후술됨) 등은 Y 방향으로 인접해 있는 각각의 광전 변환 셀(105)들 사이에 있는 X 방향 배선 영역(104)에 배치되어 있다.
차광 부재(110)는 매트릭스 형태로 배열된 각각의 광전 변환 셀(105)을 덮는다. 차광 부재(110) 내에 각 광전 변환기(101)의 중심에 대응하는 위치에 개구부(111)가 형성된다. 제1 실시예에서, 개구부(111)는 X 및 Y 방향으로 동일한 간격으로 배치되어 있다.
Y 방향 배선 영역(103)이 광전 변환 셀(105)의 2개열 마다 배치되어 있기 때문에, 도 1로부터 명백한 바와 같이 X 방향으로의 광전 변환기(101)들 간의 피치가 상이하다. 따라서, 개구부(111)는, 종래 기술과는 달리, 광전 변환기(101)의 중심에 대응하는 위치에 형성되는 것이 아니라, 광전 변환기(101)에 대응하는 영역에서 동일한 간격으로 형성된다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 개구부(111)는 Y 방향 배선 영역(103)을 통해 인접해 있는 광전 변환기(101)들 중 하나의 중심에 대응하여 형성되고, 나머지 개구부(111)는 Y 방향 배선 영역(103)에 보다 근접해 있는 나머지 인접한 광전 변환기(101)의 위치에 대응하여 형성된다.
CMOS 이미지 센서의 상세 회로 구성은 도 2를 참조하여 이하에서 설명하기로한다. 이 회로 구성 자체는 도 5에서와 동일하며, 단지 그 주요부만을 간단히 설명하기로 한다.
신호 전하에 의한 1 화소 영상 신호는 전원선(211)을 통해 전원 전압 VDD를 수신하는 트랜지스터(202)에 의해 증폭된다. 트랜지스터(202)는 컨택트(211a)를 통해 전원선(211)에 접속된다. 컨택트(211a)는 도 1의 컨택트(103a)에 대응한다.
트랜지스터(203)는 선택 신호선(212)을 통하는 수직 스캐닝 시프트 레지스터(221)로부터의 신호에 의해 선택된다. 트랜지스터(204)는 선택 신호선(213)을 통하는 수평 스캐닝 시프트 레지스터(222)로부터의 신호에 의해 선택된다. 1-화소 영상 신호는 이 트랜지스터(203 및 204)를 선택함으로써 신호 출력 단자(231)로부터 출력된다. 리셋 신호가 리셋 신호선(214)을 통해 트랜지스터(205)로 입력되면, 전원 전압 VDD는 잔여 전하를 제거하기 위해 광 다이오드(201)에 입력된다.
매트릭스 형태로 배열된 광 다이오드(201)로부터 출력되고 트랜지스터(202)에 의해 증폭되는 각 화소에 대한 영상 신호는 수직 및 수평 스캐닝 시프트 레지스터(221 및 222)에 의해 이미지 신호로서 순차 추출된다.
제1 실시예에서, Y 방향 배선 영역(103)을 통하여 X 방향으로 인접해 있는 개구부(111)들 간의 거리와, Y 방향 배선 영역(103)을 통하지 않고 X 방향으로 바로 인접해 있는 개구부(111)들 간의 거리는 도 1에 도시된 바와 같이 간격 xd로 동일하게 설정된다. 영상 재생시 화소들이 동일한 간격으로 배열되어 있기 때문에, 정확한 영상을 재생할 수 있다.
제1 실시예에서는 X 방향으로만 인접해 있는 광전 변환 셀(105)에 의해 Y 방향 배선 영역(103)을 공유함으로써, X 방향으로의 집적도를 증가시킴을 주지하기 바란다. 그러나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, Y 방향 배선 영역(103)뿐 아니라 X 방향 배선 영역(104)도 Y 방향으로 인접해 있는 광전 변환 셀(105)에 의해 공유될 수 있음으로써, 집적도를 증가시키게 된다. 이러한 경우, 개구부(111a와 111c)(111b와 111d)는 Y 방향으로는 간격 yd와 동일한 간격으로 형성된다. 개구부(111a 내지 111d)는 광전 변환기(101)에 대응하는 영역 내에 형성된다.
좀더 상세히는, 제1 내지 제4 개구부(111a 내지 111d) 들 중 십자 형태로 교차하는 전원선 및 신호선을 통해 배치된 제1 개구부(111a)은 광전 변환기(101)의 제1 위치에 대응하여 형성된다. 제2 개구부(111b)는 광전 변환기(101)의 제1 위치보다는 전원선(211)(Y 방향 배선 영역(103))에 더욱 근접한 제2 위치에 대응하여 형성된다. 제3 개구부(111c)는 제1 위치보다는 (X 방향 배선 영역(104))의 신호선(212 및 214)에 더욱 근접한 제3 위치에 대응하여 형성된다. 제4 개구부(111d)는 광전 변환기(101)의 제1 위치보다는 전원선(211)과 신호선(212 및 214)에 더욱 근접한 제4 위치에 대응하여 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, X 또는 Y 방향으로 인접해 있는 광전 변환기들이 상이한 피치로 배치된 경우에도, 상기 광전 변환기 위에 형성된 개구부들은 동일한 피치로 배치된다. 이러한 배치에 의해 광전 변환기의 집적도를 증가시킬 수 있고, 재생 이미지가 원래의 이미지와 더 잘 매칭된 상태로 재생될 수 있다.

Claims (8)

  1. 고체 촬상 장치(solid-state image sensing device)에 있어서,
    광 신호를 광전 변환하는 광전 변환기(101)를 갖고, 상기 광전 변환된 신호 전하(signal charges)를 축적하는 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 광전 변환 셀(105)- 상기 광전 변환기는 소정 방향으로 상이한 피치로 서로 인접하여 배치됨-,
    매트릭스 형태로 배열된 상기 광전 변환 셀을 덮는 차광 부재(110),
    상기 차광 부재에 상기 광전 변환기에 대응하여 형성되고, 광 신호를 상기 광전 변환기에 전달하며, 소정 방향으로 동일한 간격으로 배열되어 있는 복수개의 개구부(111)
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광전 변환기는 X 방향 및 Y 방향 중 적어도 한 방향으로 상이한 피치로 서로 인접해 있는 고체 촬상 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광전 변환기는 X 방향 및 Y 방향의 쌍방으로 상이한 피치로 서로 인접해 있는 고체 촬상 장치.
  4. 제1항에 있어서, X 방향으로 2개 열마다 인접해 있는 상기 광전 변환 셀들 사이에 배치되어 있고 Y 방향으로 연장되는 전원선(211), 및
    Y 방향으로 인접해 있는 광전 변환 셀들 사이에 배치되고, X 방향으로 연장되는 신호선(212, 214)
    을 더 포함하고,
    상기 광전 변환기는 X 방향으로 상이한 피치로 서로 인접해 있는 고체 촬상 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전원선에 인접해 있는 개구부들 중 하나는 상기 광전 변환기의 중심에 대응하여 형성되고,
    상기 전원선에 인접해 있는 나머지 개구부는 상기 전원선에 근접한 상기 광전 변환기의 소정 위치에 대응하여 형성되는 고체 촬상 장치.
  6. 제1항에 있어서, X 방향으로 2개 열마다 인접해 있는 광전 변환 셀들 사이에 배열되고, Y 방향으로 연장되는 전원선(211), 및
    Y 방향으로 2개 행마다 인접해 있는 광전 변환 셀들 사이에 배열되고, X 방향으로 연장되는 신호선(212, 214)
    을 더 포함하고,
    상기 광전 변환기는 X 방향 및 Y 방향으로 상이한 피치로 서로 인접해 있는 고체 촬상 장치.
  7. 제6항에 있어서, 십자 형태로 교차하는 상기 전원선 및 신호선을 통해 상기 개구부로서 기능하는 제1, 제2, 제3, 및 제4 개구부(111a, 111b, 111c, 111d)가 형성되고,
    상기 제1 개구부는 상기 광전 변환기의 제1 위치에 대응하여 형성되고,
    상기 제2 개구부는 상기 광전 변환기의 제1 위치보다 상기 전원선에 더욱 근접한 상기 광전 변환기의 제2 위치에 대응하여 형성되고,
    상기 제3 개구부는 상기 광전 변환기의 제1 위치보다 상기 신호선에 더욱 근접한 상기 광전 변환기의 제3 위치에 대응하여 형성되고,
    상기 제4 개구부는 상기 광전 변환기의 제1 위치보다 상기 전원선 및 상기 신호선에 더욱 근접한 상기 광전 변환기의 제4 위치에 대응하여 형성되는 고체 촬상 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 광전 변환 셀 각각은 상기 광전 변환기에 의해 광전 변환된 신호 전하를 증폭하기 위한 회로부(102)를 포함하고,
    상기 회로부는 상기 차광 부재에 의해 피복되어 광으로부터 차광되는 고체 촬상 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795367B1 (en) * 2000-05-16 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Layout technique for address signal lines in decoders including stitched blocks
JP2006502588A (ja) * 2002-10-11 2006-01-19 スモール カメラ テクノロジーズ マイクロレンズ付き固体イメージセンサ及び非テレセントリック撮像レンズを備えた光学系
JP3988189B2 (ja) * 2002-11-20 2007-10-10 ソニー株式会社 固体撮像装置
US7432491B2 (en) * 2005-05-06 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Pixel with spatially varying sensor positions
JP6309378B2 (ja) 2014-07-04 2018-04-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR830005724A (ko) * 1981-03-24 1983-09-09 요시야마 히로기찌 고체촬상소자의 제조방법
JPH07131719A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Canon Inc 固体撮像素子および画像記録装置
JPH10136264A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH10262260A (ja) * 1996-08-14 1998-09-29 Sharp Corp カラー固体撮像装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63100879A (ja) 1986-10-17 1988-05-02 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPH06204450A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH06283694A (ja) 1993-03-24 1994-10-07 Sony Corp 増幅型固体撮像素子
US5734155A (en) * 1995-06-07 1998-03-31 Lsi Logic Corporation Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same
JP3031606B2 (ja) 1995-08-02 2000-04-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置と画像撮像装置
US6256066B1 (en) * 1996-06-28 2001-07-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-resolution image pickup method and apparatus therefor
US6977684B1 (en) 1998-04-30 2005-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR830005724A (ko) * 1981-03-24 1983-09-09 요시야마 히로기찌 고체촬상소자의 제조방법
JPH07131719A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Canon Inc 固体撮像素子および画像記録装置
JPH10262260A (ja) * 1996-08-14 1998-09-29 Sharp Corp カラー固体撮像装置
JPH10136264A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Toshiba Corp 固体撮像装置

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