TW421816B - Solid-state image sensing device - Google Patents

Solid-state image sensing device Download PDF

Info

Publication number
TW421816B
TW421816B TW088112173A TW88112173A TW421816B TW 421816 B TW421816 B TW 421816B TW 088112173 A TW088112173 A TW 088112173A TW 88112173 A TW88112173 A TW 88112173A TW 421816 B TW421816 B TW 421816B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
line
axis
phase
electricity
Prior art date
Application number
TW088112173A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nagata
Yasutaka Nakashiba
Original Assignee
Nippon Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co filed Critical Nippon Electric Co
Application granted granted Critical
Publication of TW421816B publication Critical patent/TW421816B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

A7 421816 _B7_ 五、發明說明P ) 發明背畳 本發明傺關於一種固態影像戲測裝置,用以接收在一光 接收表面上形成之一物體之光影像,在此表面上諸光電 轉換器是配置成一矩陣。 固態影像感測裝置整體包括一群圖素,以一光雷轉換 功能及聚積功能配置成一矩陣;及一電路,具有一掃描 功能以順序摘取在各個圖素中聚積之信號電荷,依時 間順序《類似如此之固態影像感測裝置,有一 MO S (金氣 半導體)影像烕測裝置(互補金氣半導體C Μ 0 S影像感測器) 具有一 C Μ 0 S之結構,其中之功率消耗較低及週邊電路能 以單石積體化。 如第4圆所示此C Μ 0 S影像感測器包括多個光電轉換器 3 0 1配置成一矩陣以執行光電轉換及電荷聚積。每一光 電轉換器3 0 1是鄰近一電路區3 Q 2用以摘取信號電荷者。 光電轉換器3 G 1及電路匾3 Q 2構成一光電轉換胞格(c e 1 1 ) 3 0 5 0 用於供應一電源電壓或同類物至光電轉換器3 Q 1及電 路區3 Q 2之電源線是敷設在X軸向鄰近之各Μ光電轉換 胞格3 D 5間之Υ軸向布線區3 Q 3中。一重置信號線用於發 送一重置信號至光電轉換器301及電路區302者,一選擇 信號線及同類物皆敷設在Υ軸向郯近之各個光電轉換胞 格3 G 5間之X軸向布線區3 0 4中。電路區3 Q 2是經由一接觸 點3 Q3 a建接至電源線。 光屛蔽構件3 1 Q覆篕配置成一矩陣之各個光電轉換胞 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)別規格(210 X 297公楚) , , 裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之注音V事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42 1816 A7 _B7_ 五、發明說明(> ) 格3 D 5。開口 3 1 1是形成光屏蔽構件3 1 0中相當於各個光 電轉換器3 G 1之中心位置。 C Μ 0 S影像感測器之詳細電路配置將由參考第5圖而說 明之。 作為光電轉換3 Q 1條使用一光二極體4 Q.1。光二極體4 0 1 是由在矽基體中形成之Ρ型井,及由井中的矽基體表面 形成之η型雜質區造成。當光線射入在光二極體4 0 1上 時,電洞對即産生在η型雑質區中。在η型雜質區中, '電洞移勤至Ρ型井故僅剩下電子。即是電荷藉光線照射 而聚積在光二極體4Q1之η型雜質區。聚積之電荷量依 射入光線之強度而改變並作為信號電荷。 由信號電荷所致之1圔素信號是以一電晶體4 Q 2放大, 此電晶體是經一電源線4 1 1接收一電源電壓V D D。電晶體 4 〇2是經一接觸點411a而連接至電源線411。接觸點411a相當 於第4圃中之接觸點3 0 3 a。 1圖素之視頻信號之輸出是自一信號輸出端子4 3 1藉 來自垂直掃描移位暫存器4 2 1信號選擇一電晶體4 G 3,及 藉來自水平掃描移位暫存器4 2 2之信號選擇一電晶體4 0 4 而完成,當一重置信號是輸入至一電晶體4 0 5時,電源 供應電壓V D D即輸入至光二極體4 (H以抹除剩餘之電荷。 第5圖中之電晶體4 0 2 , 4 0 3及4 [) 5是形成在第4圖中 之電路區3 D 2。當光線人射在電路區3 0 2上時,電晶體4 0 2 ,4 G 3及4 G 5會錯誤動作。要防止此誤動需有光屛蔽構件 31〇(第4圖)覆蓋電路區302q 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A.l規格(2]0 X 297公;ί| ) , « .---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42 1816 A7 _B7__ 五、發明說明(〗) 用於自光二極體4 〇 1輸出之各個圖素之視頻信號是配 置成矩陣及由電晶體4 2 D放大並順序由垂直及水平掃描 移位暫存器4 2 1及4 2 2摘取為影像信號。 第4圖中所示之光電轉換器3 Q 1及開口 3 1 1以光線接收 之觀點看來是不能過度縮小造型β例如開口 3 1 1在考慮 接收光線之波長下不能過度縮小造型。為此理由,若積 體化程度是由光電轉換器3 G 1之光二極體及開口 3 1 1之縮 小造型而增加,則C Μ 0 S影像感測器之待性退化。 如第4圖及第5圆所示,用於供應電源電壓VDD之電 源線不需為毎一個鄰近之光電轉換胞格3 G 5預備。卽是 如第6圖所示,一値電源線4 1 1是共同使用於鄰近在X軸 向之光電轉換胞格305,此可實質地將電源線411之數量 減半。其結果如第7圖所示,電源線是満足於配置在每隔 一個之Υ軸向布線區,而積體化程度能有增加<在此情 況下,如第6圖所示,在X軸向鄰近之雷路區3 0 2是經 過一共同接觸點411a連接至電源線4 1 1。 担是若積體化程度是由上述方法增加,則在X軸向之 光電轉換器3 0 1之諸開口 3 1 1間之間距成為不同,而重現 影像自一物體之光位置局部位移。 更特別的是如第7圖所示,在X軸向經過Y軸向布線 區3 0 3之鄰近諸開口 3 1 1間之距離d 1是與沒有中介之Y軸 向布線區3 (] 3之諸開口 3 1 1間之距離d 2不同。但是圖素是 配置在影像重現之相等間距上,因而精確之影像不能重 現。 -5 - 本紙張尺度迪用中國國家標準<CNS)M規格(210 X 297公茇) t ^ 裝--------訂---------線 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 2 1816 w A7 B7 五、發明說明(4 沭 簡 明 0 態 感格置是其是信間 狀 像胞配器,其光等 現 影諸是換件,,遞相 重 態此並轉構Ρ傳之 像 。固 , ,電蔽開並向 影置一1)號光屛個,方 之裝之el信諸光多器定 確測供(C光,一及換預 精感提格諸荷,,轉 一 更像明胞換電近格電在 得影發換轉號鄰胞光置 獲態本轉電信相換諸配 能固據電光之互轉於是 供之根光於換距電對口 提度傜個用轉間光相開 是程,多,電同之中諸 標化標:器光不中件 , 目體目括換積以陣構器 一積述包轉聚向矩蔽換 明 之之上其電以方在屛轉 説 明高成,光陣定置光電 塱 發更逹置諸矩預配在光。簡 本有要裝有一 一蓋成至上式 並 測具成在覆形號隔圃 之 例 施 實 1 第 之 明 發 本 據 艮 示 。 顯圖 是面 圖平 1 之 第器 翻 is 像 影 7 > 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I - 第 示 顯 是 。 圖 _ 2 路 第電 之 之 中 圖 置 配 細 詳 之 器 損 0 像 影 ί線' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之 例 施 實 二 第 之 明 發 本 據 根 示 。 顯圖 是面 圖平 3 之 第器 測 感 像 影 第第電 之 置 配 β 細 圖詳 面之 平器 之測 器Μ 測像 感影 像0S 影CM S -ο 之 Μ C 中 知圖 習 4 - 第 示示 顯顯 是是 。 圖圔圖 路 4 5 知 習 之 度 程 化 體 積 高 C 成圖 逹路 一 電 示置 顯配 是細 圖詳 6 之 第器 測 戲 像 影 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2.10 X 297公釐) 421816 A7 __B7五、發明說明( 之 中 圖 6 明 .第説 示細 顯詳 是例 圖施 7 啻 第佳 最 圖 面 平 之 器 Μ 感 像 影 下一 如之 明例 説施 細實 詳一 而第 式明 圖發 隨本 伴據 考根 參_示 將顯 明圖 發 1 本第 0 像 影 有 具 器 測 感 像 影10 S 盗 ο 盎 Μ ί C 換 此轉 。 電 器光 個 多 有 上 其 面 表 收 接 光 成 置 配 並 積 聚 荷 電 及 換 轉 電 光一了 Ji— 賁 於 用 上 面 表 收 接 光 此 在10 C 區 陣路 矩電 荷 電 號言 /Ί 取 摘 作 器 換 轉 電 光1 毎 近 邻 是 轉 電 光 區 路 電 及 .器 換 轉 電 光 至 物 類 阆後 50其於 10或明 格壓說 胞電Μ泉 換源Η 原 .轉電Ιίϋ 1 j 光_ s 個供IP 一 於區 成用路 構 電 X 在 設 敷 是 及之 01近 tl β 向 --------------—裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 布 ο 1 向 格軸 胞 Υ 換 = 轉中 電例 光施 値實 各 j 之 間 Υ 中 區 線 胞 換 轉 ο置ii ιξϊΗ 區光 線在 布置 向配 軸是 第 在 之程 近化 部 S 向積 軸加 X 增 在局 由布 是之 線果 源結 電後 個最 一 0 及用 >共 上05 一了 1 彳格 泡 隔 目換 彳轉 之II 5 電 ο 1 光 線1C 源區 電路 至電 接諸 連之 3a近 10鄰 點向 觸自 接車 一 X 經在 是於 區用 路使 電同 〇 共 度是 1 觸接 而 訂: 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 信 ,— 置10 重器 1 換 轉 線 號 電 及 電 同 光及 至— 號 言 /i 置 重 一 線 送號 發信 於擇 β 選} 一 後 於2’ 明10 説區 /V 路 後 於 明 説 間 5 ο t―一 格 包 月 換 轉 電 光 個 各 之 近 B· 向 由 ο 庠 4 ο Υ 1 在區 設線 敷布 是向 皆軸 物 X; 類之 構' 蔽 屏 光 格 1Α 1Χ 口 開 胞心 換中 轉之 電01 先ί 個 各 之 SI 矩 成 置 配 蓋 覆 器 換 轉 電 光 個 各 於 當 相 在 是 此 中 例 施 實 一 第 在 ο 中 ο t I 11-件 構蔽 屏光 成 形 處 置 位 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)AO見格(210 X 297公釐) 42 1816 a7 __B7_ 五、發明說明U_ ) 開口. η 1是配置在x與γ軸向上有相等之間距。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於Υ軸向布線區i D 3是配置為每隔一行之光電轉換胞 格1 Q 5上,故在X軸向中之諸光電轉換1 CU間之間距是不 同的,如圖所明示β因此開口 1 1 1不是形成在相當於諸 光電轉換器1Q 1之中心處,與前述技術不一樣,而是在 相當諸光電鞞換器1 〇 1之各區中有相等間距。即是如第 1圖所示在當一開口 1 1 1是形成在相當於經Υ軸向布線 區1 D 3鄰近之一個光電轉換器1 0 1之中心,另一開口 1 1 1 是形成在相當於較鄰近於Υ軸向布線區1 c 3之其他鄰近 之光電轉換器1G1之位置。 C M Q S影像感測器之詳細電路配置將參考第2圖說明。 應注意其電路配置本身是舆第5圖中者相词,故僅將其主 要部分作簡短解釋。 對倍號電赭之1圖素之視頻信號是由一電晶體2 0 2放 大,此電晶體是經一電源線2 1 1接收一雷源電壓V D D。電 晶體2是經一接觸點21 la連接至電源線211 〇接觸點2ila相 當於第1圖中之觸點1 ϋ 3 a。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制^ 電晶體2 G 3是由來自一垂直掃描移位暫存器2 1 1經一選 擇倍號線2 1 2選出。電晶體4 0 4是由來自一水平掃描移位 暫存器2 2 2經一選擇信號線2 1 3選出。1画素之視頻信號 是自一信號輸出端子231ϋ選擇電晶體203及2Q4而輸出。 當一重置信號是經一重置信號線2 U而輸出至一電曷體
I 2 0 5時,電源電壓V D D則輸出至一光二極體2 0 1以抹除 剩餘之電荷。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSM4规格(2】0 X 297公藶) 42 1816 A7 _B7_ 五、發明說明(7 ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甩於各個圖素之視頻信號傜自配置成矩陣之光二極體 2 0 1及由電晶體2 0 2放大後輸出,且是由垂直及水平掃描 移位暫存器2 2 1及2 2 2順序摘取為影像信號。 在第一實施例中,在X軸向郧近之諸開口 1 1 1間經Y軸 向布線區1 0 3之距離及在X軸向直接鄰近之諸開口 1 11間 無Γ軸向布線區1 0 3中介之距離是定置為相等於間距X d ,如第1圃所示。由於圖素在影像重現時皆是配置為相 等間距,一精確之影像就能重現。 應注意第一實施例在X軸向上藉由僅在X軸向中鄰近 之光電轉換胞格1 0 5而共享Y軸向布線區1 0 3故增加X軸 向之稍體化程度。但本發明並不僅限於此。 例如第3圆所示,不僅Y軸向布線區1 0 3,而且X軸 向布線區1Q4亦可由在Y軸向鄰近之光電轉換胞格105共 享。在此情況下,開口 Ilia及UlcUllb及llld)亦是在 Y軸向形成一相等之間距y扒開口 1 1 1 a至1 1 1 d皆是形成 在相當於光電轉換器101之區内之處。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更特別的是第一至第四蘭口 1 1 1 a至1 11 d是配置在電源 線及信號線之交叉處,其中之第一開口 1 1 1 a是形成在相 當於光電轉換器1 D 1之第一位置。第二開口 1 1 1 b是形成在 相當於較第一位置更接近電源線2 1 1 ( Y軸向布線區1 0 3 ) 之光電轉換器101之第二位置。第三開口 lUc是形成在 相當於較第一位置更接近信號線2 1 2及2 1 4 ( X軸向布線 區10O之光電轉換器101之第三位置。第四開口 llld是 形成在相當於較第一位置更接近電源線2 1 1及信號線2 1 2 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21ΰ X 297公釐) Α7 42Ί β1 6 _Β7__ 五、發明說明(^ ) 和2 1 4之光電轉換器1 Ο 1之第四位置。 如上文所説明。根據本發明,即使當在X或Υ軸向鄰 近之光電轉換器皆是配置在不同間距上,而在諸光電轉 換器上形成之諸開口定配置在相等之間距上。此種布局 能增加光電轉換器之積體化程度,及在影像重現狀態下 能收到之影像更能匹配原始之影像。 符號之説明 1 01 , 3 Q 1 ....光電轉換器 102, 302....電路區/電路部分 103, 303.·. ·Υ軸向布線區 1 04,3 0 4 .... X軸向布線區 1 0 5 , 3 0 5 ....光電鞞換胞格 103a,211a, 303a,41ia,411b.....接觸點 1 1 Ο , 3 1 Ο ·...光屏蔽構件 1 1 1,1 1 1 a,1 1 1 b,1 1 1 c,U 1 d , 3 1 1 · . ‘ ·開口 2 0 1 , 4 0 1 ....光二極體 202,203,2(H ,205,402 ,403,404, 405. ·..電晶體 211, 411,...雷源線 2 1 2, 2 1 3 ....選擇佶號線 2 14......重置信號線 2 2 1, 4 2 1 ....垂直掃描移位暫存器 2 2 2, 4 2 2 ....水平掃描移位暫存器 2 3 1 , 4 3 1 ....信號輸出端子 X d , y d.......間距 -1 Ο - 本紙張尺度滷用令國國家標準(CNSM.·丨規格⑵Ο X 297公釐) ,r i- 裝--------訂---------線 (請先閱11背面之注意事碩再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Claims (1)

  1. 4'2 1 81 6 儲 CS D8 第88112173號「固態影像感測裝置」專利案 (89年10月23日修正) A申請專利範圍: 1. 一種固態影像感測裝置,其特徴包括: 多値光電轉換胞格(105),其具有光電轉換器(101) 轉同 電不 光以 積向 聚方 以定 陣預 矩一 1 在 成是 置器 配換 是轉 並電 號光 信該 光 , 換荷 轉電 電號 光信 於之 用換 近構 鄰蔽 相屛 互光 距一 間 格口 肢 _ 電個 光多 諸 /1- 件及 該 之 矩1 成 在 置 配 蓋 覆 其 於 當 相 中 件 構 蔽 屏 光 該 在 成 形 是 其 器 換 轉°. 電上 光隔 該間 至等 號相 信之 光向 遞方 傳定 並預 處在 器置 換配 轉是 電 口 光開. 諸諸 該該 器 。 換近 轉鄰 電相 光互 諸距 該間 中同 其不 ,以 置上 裝脑 之一 項少 1 至 第之 圍向 範軸 利 Υ 專及 饋 X 申在 如是 2 器 換 轉 電 。 光近 諸鄰 該相 中互 其距 ,間 置同 裝不 之以之 項上項 1 者 1 第二 圍向 eL軸 利 Y 專及 請 X 申在 如是 3 第 圍 範 利 專 請 串 如 括 包 又 置 裝 該 中 其 置 裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線轉 源電 1£ /ru 霄" 者 乂|& 之 近 β 粦 行1 隔 每 向 軸 νΛ 在 置 配 是 其 IX t-H 2 rf\ 伸 並 間 格 胞 換 2 λτί 線 虎 05 信 -Γ1、 其 光 諸 之 近 及鄰 向 上軸 向 Y 軸在 Y 置 在配 延是 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 近 鄰 相 互 且距 > .間 上同 向不 軸以 X 向 在軸 延 X 伸在 並是 J 器 間換 格轉 胞電 換光 轉該 電 項 4 第 圍 範 利 專 請 申 如 相 在 成 形 是1 之 Q 開 之 線 源處 電心 該中 近之 鄰 器 該換 中轉 其電 ,光 置該 裝於 之當 及 該 近 接 於 當 相 在 成 形 是 Ρ 開1 S 之 線 源 電 該 近 該 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 42181b A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 :之 鄰鄰第 位 括Η 行 相 之C, 一 包Ρ 一且互 αιι第 又Ίί隔,距 開1 之 置γ及毎上間 該b’ 器 裝 ;向向同 為11S換 該Μ上軸軸不 作轉 中 向ΓΧ以 中a’ u電 。其卜軸往在上 其11J光 處,車Y置延向 ,(1^該 置置EX在配伸軸 置口 線於 在 虎 ί 位裝 延是並 Υ 裝開SS當 之之Ξ伸其,及 之四&相 器項gs並,間X 項第Μ在 換,0格在 6及_成 轉第 間21胞是 第,源形 電圍),格,換器 圍三電是 光範11胞12轉換 範第在口 該利(2換(2電轉利,W開 之專線轉線光電 專二F1 線請源電號諸光 請第.第 源申電光信之該。申 ,id該處 電如 諸 近 近如 111置 * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .該 該 該 換 部 近 近 近。轉f 路 接 接 接處電 U 電 更 更 更置光 P 該 置 置 置位一 P 蔽 位 位及位四每*s屏 一 .,一 *, 一第該^以 第處第處第之中 Θ 蓋 該置該置該器其$ί覆 較位較位較換 件 於二於三於轉置)1没構 當第當第當電裝),,蔽 相之相之相光之02荷屏 在器在器在該項{1電光 成換成換成之1分號該 形轉形轉彤線第部信以 是電是電是號圍路之是 。 口光 口光口 信範電換分照 開該開該開該利一轉部光 二之三之四及專括電路受 第線第線第線請包光電不 該羱該號該源申格格該使 電 信 電如胞胞 分 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
TW088112173A 1998-07-21 1999-07-17 Solid-state image sensing device TW421816B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20488698A JP3164069B2 (ja) 1998-07-21 1998-07-21 固体撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW421816B true TW421816B (en) 2001-02-11

Family

ID=16498034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088112173A TW421816B (en) 1998-07-21 1999-07-17 Solid-state image sensing device

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6642965B1 (zh)
JP (1) JP3164069B2 (zh)
KR (1) KR100317214B1 (zh)
TW (1) TW421816B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11226680B2 (en) 2014-07-04 2022-01-18 Japan Display Inc. Display apparatus with shield signal

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795367B1 (en) * 2000-05-16 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Layout technique for address signal lines in decoders including stitched blocks
EP1550166A1 (en) * 2002-10-11 2005-07-06 Smal Camera Technologies, INC. Optical system comprising a solid-state image sensor with microlenses and a non-telecentric taking lens
JP3988189B2 (ja) * 2002-11-20 2007-10-10 ソニー株式会社 固体撮像装置
US7432491B2 (en) * 2005-05-06 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Pixel with spatially varying sensor positions

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR840001604B1 (ko) * 1981-03-24 1984-10-11 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 고체촬상소자의 제조방법
JPS63100879A (ja) 1986-10-17 1988-05-02 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPH06204450A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH06283694A (ja) 1993-03-24 1994-10-07 Sony Corp 増幅型固体撮像素子
JPH07131719A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Canon Inc 固体撮像素子および画像記録装置
US5734155A (en) * 1995-06-07 1998-03-31 Lsi Logic Corporation Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same
JP3031606B2 (ja) 1995-08-02 2000-04-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置と画像撮像装置
US6256066B1 (en) * 1996-06-28 2001-07-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-resolution image pickup method and apparatus therefor
JP3724882B2 (ja) * 1996-08-14 2005-12-07 シャープ株式会社 カラー固体撮像装置
JPH10136264A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
US6977684B1 (en) 1998-04-30 2005-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11226680B2 (en) 2014-07-04 2022-01-18 Japan Display Inc. Display apparatus with shield signal

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000036588A (ja) 2000-02-02
KR100317214B1 (ko) 2001-12-22
US6642965B1 (en) 2003-11-04
KR20000011819A (ko) 2000-02-25
JP3164069B2 (ja) 2001-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210360186A1 (en) Solid-state imaging device and imaging system
CN101647118B (zh) 像素面积减小的图像传感器
US10468442B2 (en) Solid-state imaging device and camera
CN205959983U (zh) 图像传感器及处理器系统
US9236406B2 (en) Photoelectric conversion apparatus with gate control lines and wiring at same height
US20110156197A1 (en) Interwafer interconnects for stacked CMOS image sensors
US9130180B2 (en) Image sensor with organic photoelectric layer
US20110156195A1 (en) Interwafer interconnects for stacked CMOS image sensors
US20080258187A1 (en) Methods, systems and apparatuses for the design and use of imager sensors
TW540157B (en) CMOS image sensor
CN111048537A (zh) 包括有源区的图像传感器
JP2003037707A (ja) 空間分解能が異なる複数のリニアフォトセンサアレイを備える影像装置
JP2016033980A (ja) 撮像デバイス、撮像装置および撮像システム
TW421816B (en) Solid-state image sensing device
US20040252212A1 (en) Photographing apparatus
US9653511B2 (en) CMOS image sensor with peninsular ground contracts and method of manufacturing the same
JP5735318B2 (ja) 固体撮像素子および電子情報機器
US6066883A (en) Guarding for a CMOS photosensor chip
JP4845247B2 (ja) 光電変換装置
US20140110771A1 (en) Solid-state imaging device and semiconductor device
US7710482B2 (en) Semiconductor device
JPH0590557A (ja) 光電変換装置及び情報処理装置
CN107845654A (zh) 固体摄像装置和电子设备
JP2018050028A (ja) 固体撮像装置及び電子機器
US20050139769A1 (en) Solid state imaging device

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees