JPH06283694A - 増幅型固体撮像素子 - Google Patents
増幅型固体撮像素子Info
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- JPH06283694A JPH06283694A JP5090925A JP9092593A JPH06283694A JP H06283694 A JPH06283694 A JP H06283694A JP 5090925 A JP5090925 A JP 5090925A JP 9092593 A JP9092593 A JP 9092593A JP H06283694 A JPH06283694 A JP H06283694A
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- Japan
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- power supply
- amplification type
- metal film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 増幅型固体撮像素子において隣接垂直画素列
間領域に入射する光によって受光重心のずれや混色が生
じることを防止する。 【構成】 隣接垂直画素列間領域一つおきに電源線９が
形成され、該電源線９が形成されていない隣接垂直画素
列間領域が、垂直選択線９（２Ａｌ）と同層の金属膜９
ａ及び／又は電源線８（１Ａｌ）と同層の金属膜１２に
より遮光されている。
間領域に入射する光によって受光重心のずれや混色が生
じることを防止する。 【構成】 隣接垂直画素列間領域一つおきに電源線９が
形成され、該電源線９が形成されていない隣接垂直画素
列間領域が、垂直選択線９（２Ａｌ）と同層の金属膜９
ａ及び／又は電源線８（１Ａｌ）と同層の金属膜１２に
より遮光されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅型固体撮像素子、
特にゲートがリング形状を有しこのリングゲートより内
側がソース領域、外側がドレイン領域となるリングゲー
トＭＯＳトランジスタにより画素が形成され、この画素
を多数マトリック状に配設した増幅型固体撮像素子に関
する。
特にゲートがリング形状を有しこのリングゲートより内
側がソース領域、外側がドレイン領域となるリングゲー
トＭＯＳトランジスタにより画素が形成され、この画素
を多数マトリック状に配設した増幅型固体撮像素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図６（Ａ）、（Ｂ）は増幅型固体撮像素
子の従来例の一つを示すもので、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。図面におい
て、１は半導体基板、２はｎ+ 型のソース領域で、画素
の中心に位置している。３はｎ+ 型のドレイン領域で、
次に述べるリング状のゲート（５）よりも外側に形成さ
れており、このドレイン領域３が各画素間を分離する役
割も果す。
子の従来例の一つを示すもので、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。図面におい
て、１は半導体基板、２はｎ+ 型のソース領域で、画素
の中心に位置している。３はｎ+ 型のドレイン領域で、
次に述べるリング状のゲート（５）よりも外側に形成さ
れており、このドレイン領域３が各画素間を分離する役
割も果す。
【０００３】５は光透過性を持つように薄いポリシリコ
ン（１Ｐｏｌｙ）により形成されたリング（円環）ゲー
ト（極太の実線で示す。）、６は該リングゲート５と後
述する垂直選択線（９）とを中継するポリシリコン（２
Ｐｏｌｙ）からなる中継配線膜（破線で示す。）、７は
第１層目のアルミニウム膜（１Ａｌ）からなり垂直に延
びる信号線で、各画素垂直列毎に一本ずつ上から視てそ
の中心を通るように垂直の向きに形成されており、垂直
列の画素のソース２に接続されている。８は同じく第１
層目のアルミニウム膜（１Ａｌ）からなり、垂直に延び
る電源線で、ドレイン３に接続されている。信号線７と
ソース２との接続部及び電源線８とドレイン３との接続
部を１Ｃｏｎと称することとする。
ン（１Ｐｏｌｙ）により形成されたリング（円環）ゲー
ト（極太の実線で示す。）、６は該リングゲート５と後
述する垂直選択線（９）とを中継するポリシリコン（２
Ｐｏｌｙ）からなる中継配線膜（破線で示す。）、７は
第１層目のアルミニウム膜（１Ａｌ）からなり垂直に延
びる信号線で、各画素垂直列毎に一本ずつ上から視てそ
の中心を通るように垂直の向きに形成されており、垂直
列の画素のソース２に接続されている。８は同じく第１
層目のアルミニウム膜（１Ａｌ）からなり、垂直に延び
る電源線で、ドレイン３に接続されている。信号線７と
ソース２との接続部及び電源線８とドレイン３との接続
部を１Ｃｏｎと称することとする。
【０００４】９は第２層目のアルミニウム膜からなる垂
直選択線で、各隣接水平画素行間領域上に水平に形成さ
れており、そして、上記中継配線膜６を介して各画素の
リングゲート５に接続されている。該垂直選択線９と中
継配線膜６との接続を２Ｃｏｎと称し、中継配線膜６と
リングゲート５との接続をＰＣｏｎと称することとす
る。従来の増幅型固体撮像素子は、図６（Ａ）に示すよ
うに、電源線７、７、…が全隣接垂直画素列間領域にで
はなく、隣接垂直画素列間領域一つおきに形成されてお
り、残りの隣接垂直画素列間領域には垂直に延びるアル
ミニウム膜が存在していなかった。
直選択線で、各隣接水平画素行間領域上に水平に形成さ
れており、そして、上記中継配線膜６を介して各画素の
リングゲート５に接続されている。該垂直選択線９と中
継配線膜６との接続を２Ｃｏｎと称し、中継配線膜６と
リングゲート５との接続をＰＣｏｎと称することとす
る。従来の増幅型固体撮像素子は、図６（Ａ）に示すよ
うに、電源線７、７、…が全隣接垂直画素列間領域にで
はなく、隣接垂直画素列間領域一つおきに形成されてお
り、残りの隣接垂直画素列間領域には垂直に延びるアル
ミニウム膜が存在していなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の増幅
型固体撮像素子には、電源線７、７、…が隣接垂直画素
列間領域一つおきに形成されており、残りの隣接垂直画
素列間領域には垂直に延びるアルミニウム膜が存在して
いなかった。即ち、垂直画素列２列に対して電源線７が
１本しかない構成であった。そのため下記の二つの問題
があった。その一つは、受光重心が画素の中心と若干ず
れて、画像の品位が低下する要因となるという問題であ
った。
型固体撮像素子には、電源線７、７、…が隣接垂直画素
列間領域一つおきに形成されており、残りの隣接垂直画
素列間領域には垂直に延びるアルミニウム膜が存在して
いなかった。即ち、垂直画素列２列に対して電源線７が
１本しかない構成であった。そのため下記の二つの問題
があった。その一つは、受光重心が画素の中心と若干ず
れて、画像の品位が低下する要因となるという問題であ
った。
【０００６】即ち、リングゲートＭＯＳトランジスタに
より画素を構成した増幅型固体撮像素子は、基本的には
リングゲート５を透過した光がチャンネル内に入射して
光電変換され、各画素の幾何学的中心がその画素の受光
エリアの重心（中心）となるといえる。しかし、厳密に
はリングゲート５から外側に逸れている光、即ちドレイ
ン３に入り込んだ光も一部が光電変換されて信号電流と
なる。電源線７、７、…は電源電圧伝達手段として機能
するが、遮光するに充分な厚さを持っており、しかも隣
接垂直画素列間領域上を通っているので、リングゲート
５を逸れた光の入射を妨げる。従って、リングゲート５
から外側へ入射した光が光電変換されて生じる信号電流
を少なくすることができる。
より画素を構成した増幅型固体撮像素子は、基本的には
リングゲート５を透過した光がチャンネル内に入射して
光電変換され、各画素の幾何学的中心がその画素の受光
エリアの重心（中心）となるといえる。しかし、厳密に
はリングゲート５から外側に逸れている光、即ちドレイ
ン３に入り込んだ光も一部が光電変換されて信号電流と
なる。電源線７、７、…は電源電圧伝達手段として機能
するが、遮光するに充分な厚さを持っており、しかも隣
接垂直画素列間領域上を通っているので、リングゲート
５を逸れた光の入射を妨げる。従って、リングゲート５
から外側へ入射した光が光電変換されて生じる信号電流
を少なくすることができる。
【０００７】しかしながら、全隣接垂直画素列間領域に
電源線７、７、…が設けられているわけではなく隣接垂
直画素列間領域一つおきにしか設けられていない。従っ
て、その設けられていない隣接垂直画素列間領域におい
てはリングゲート５の外側へ向う光も一部光電変換され
て信号電流に加わってしまうことになる。これでは、各
画素の受光領域が電源線７の通っていない隣接垂直画素
列間領域側において実質的に拡がったことになり、従っ
て、実質的受光領域中心（受光重心）が画素の幾何学的
中心（ソース２の中心）から電源線７の通っていない隣
接垂直画素列間領域側の方へ寄ることになる。そして、
もともと、増幅型固体撮像素子は画素の幾何学的中心の
位置が画素の中心位置としてレイアウトされるので、受
光重心が水平方向において等間隔で配置されていないこ
とになり、狭い間隔のところと広い間隔のところが交互
に並ぶこととなる。これでは良好な画像再生が妨げられ
ることになる。これは、白黒用においてもカラー用にお
いても生じる問題である。
電源線７、７、…が設けられているわけではなく隣接垂
直画素列間領域一つおきにしか設けられていない。従っ
て、その設けられていない隣接垂直画素列間領域におい
てはリングゲート５の外側へ向う光も一部光電変換され
て信号電流に加わってしまうことになる。これでは、各
画素の受光領域が電源線７の通っていない隣接垂直画素
列間領域側において実質的に拡がったことになり、従っ
て、実質的受光領域中心（受光重心）が画素の幾何学的
中心（ソース２の中心）から電源線７の通っていない隣
接垂直画素列間領域側の方へ寄ることになる。そして、
もともと、増幅型固体撮像素子は画素の幾何学的中心の
位置が画素の中心位置としてレイアウトされるので、受
光重心が水平方向において等間隔で配置されていないこ
とになり、狭い間隔のところと広い間隔のところが交互
に並ぶこととなる。これでは良好な画像再生が妨げられ
ることになる。これは、白黒用においてもカラー用にお
いても生じる問題である。
【０００８】図６に示す従来の増幅型固体撮像素子のも
う一つの問題点は、オンチップカラーフィルターを設け
た場合に混色が生じる虞れがあるというところにある。
この点について詳しく説明すると次の通りである。図６
（Ｂ）に示すように、各画素上にはそれぞれフィルター
１０、１０、…が形成され、隣接する画素のフィルター
１０、１０どうし画素間の境界部で重なり合うのが普通
であり、絶対に重なり合わないようにすることは実際上
不可能である。
う一つの問題点は、オンチップカラーフィルターを設け
た場合に混色が生じる虞れがあるというところにある。
この点について詳しく説明すると次の通りである。図６
（Ｂ）に示すように、各画素上にはそれぞれフィルター
１０、１０、…が形成され、隣接する画素のフィルター
１０、１０どうし画素間の境界部で重なり合うのが普通
であり、絶対に重なり合わないようにすることは実際上
不可能である。
【０００９】そして、その重なり合った部分を通った光
は二つのフィルターを通ることになるので、本来その画
素に入るべき光の成分と異なる成分が入ることになる。
例えば、シアンのフィルターの端にイエローのフィルタ
ーが重なった場合、そのシアンが入るべき画素の周縁部
にはグリーンの光も入り込んでしまうことになる。勿
論、かかる混色は電源線７があるところではその電源線
７の遮光により阻むことができる。しかしながら、電源
線７、７、…のない隣接垂直画素列間領域では画素の周
縁部で生じるかかる混色が生じてしまう。
は二つのフィルターを通ることになるので、本来その画
素に入るべき光の成分と異なる成分が入ることになる。
例えば、シアンのフィルターの端にイエローのフィルタ
ーが重なった場合、そのシアンが入るべき画素の周縁部
にはグリーンの光も入り込んでしまうことになる。勿
論、かかる混色は電源線７があるところではその電源線
７の遮光により阻むことができる。しかしながら、電源
線７、７、…のない隣接垂直画素列間領域では画素の周
縁部で生じるかかる混色が生じてしまう。
【００１０】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、増幅型固体撮像素子において隣接垂
直画素列間領域に入射する光によって受光重心のずれや
混色が生じることを防止することを目的とする。
されたものであり、増幅型固体撮像素子において隣接垂
直画素列間領域に入射する光によって受光重心のずれや
混色が生じることを防止することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の増幅型固体撮
像素子は、各隣接垂直画素列間領域に遮光性のある金属
膜を形成したことを特徴とする。請求項２の増幅型固体
撮像素子は、請求項１の増幅型固体撮像素子において、
カラーフィルターが形成されていることを特徴とする。
像素子は、各隣接垂直画素列間領域に遮光性のある金属
膜を形成したことを特徴とする。請求項２の増幅型固体
撮像素子は、請求項１の増幅型固体撮像素子において、
カラーフィルターが形成されていることを特徴とする。
【００１２】請求項３の増幅型固体撮像素子は、請求項
１又は２の増幅型固体撮像素子において、各隣接垂直画
素列間領域に形成された金属膜が電源線を成しているこ
とを特徴とする。請求項４の増幅型固体撮像素子は、請
求項１又は２の増幅型固体撮像素子において、一つおき
の隣接垂直画素列間領域に形成された方の金属膜のみ電
源線を成していることを特徴とする。
１又は２の増幅型固体撮像素子において、各隣接垂直画
素列間領域に形成された金属膜が電源線を成しているこ
とを特徴とする。請求項４の増幅型固体撮像素子は、請
求項１又は２の増幅型固体撮像素子において、一つおき
の隣接垂直画素列間領域に形成された方の金属膜のみ電
源線を成していることを特徴とする。
【００１３】請求項５の増幅型固体撮像素子は、隣接垂
直画素列間領域一つおきに電源線が形成され、電源線が
形成されていない隣接垂直画素列間領域が、垂直選択線
と同層の金属膜及び／又は電源線と同層の金属膜により
遮光されてなることを特徴とする。請求項６の増幅型固
体撮像素子は、垂直選択線と中継配線膜とを、電源線、
信号線と同層の金属層を介して接続したことを特徴とす
る。
直画素列間領域一つおきに電源線が形成され、電源線が
形成されていない隣接垂直画素列間領域が、垂直選択線
と同層の金属膜及び／又は電源線と同層の金属膜により
遮光されてなることを特徴とする。請求項６の増幅型固
体撮像素子は、垂直選択線と中継配線膜とを、電源線、
信号線と同層の金属層を介して接続したことを特徴とす
る。
【００１４】
【作用】請求項１の増幅型固体撮像素子によれば、全隣
接垂直画素列間領域に金属膜が形成されているので、そ
の金属膜により隣接垂直画素列間領域に光が入射するこ
とを阻むことができ、延いては受光重心のずれを防止す
ることができる。請求項２の増幅型固体撮像素子によれ
ば、画素境界部において生じる隣接フィルターの重なり
部分を通った光による混色をも隣接垂直画素列間領域に
形成した金属膜により阻むことができる。
接垂直画素列間領域に金属膜が形成されているので、そ
の金属膜により隣接垂直画素列間領域に光が入射するこ
とを阻むことができ、延いては受光重心のずれを防止す
ることができる。請求項２の増幅型固体撮像素子によれ
ば、画素境界部において生じる隣接フィルターの重なり
部分を通った光による混色をも隣接垂直画素列間領域に
形成した金属膜により阻むことができる。
【００１５】請求項３の増幅型固体撮像素子によれば、
電源線を成す金属膜により各隣接垂直画素列間領域を遮
光するので、受光重心のずれや混色を防止することがで
きる。請求項４の増幅型固体撮像素子によれば、電源線
を成す金属膜と、電源線を成さない金属膜により各隣接
垂直画素列間領域を遮光するので、受光重心のずれや混
色を防止することができる。
電源線を成す金属膜により各隣接垂直画素列間領域を遮
光するので、受光重心のずれや混色を防止することがで
きる。請求項４の増幅型固体撮像素子によれば、電源線
を成す金属膜と、電源線を成さない金属膜により各隣接
垂直画素列間領域を遮光するので、受光重心のずれや混
色を防止することができる。
【００１６】請求項５の増幅型固体撮像素子によれば、
隣接垂直画素列間領域が電源線と、垂直選択線と同層の
金属膜及び／又は電源線と同層の金属膜により遮光され
ているので、受光重心のずれや混色を防止することがで
きる。請求項６の増幅型固体撮像素子によれば、垂直選
択線を中継配線膜に直接接続するのではなく、該垂直選
択線よりも下層で中継配線膜よりも上層の金属膜を介し
て接続するために深いコンタクトホールが必要でなくな
り、接続の信頼度を高めることができる。
隣接垂直画素列間領域が電源線と、垂直選択線と同層の
金属膜及び／又は電源線と同層の金属膜により遮光され
ているので、受光重心のずれや混色を防止することがで
きる。請求項６の増幅型固体撮像素子によれば、垂直選
択線を中継配線膜に直接接続するのではなく、該垂直選
択線よりも下層で中継配線膜よりも上層の金属膜を介し
て接続するために深いコンタクトホールが必要でなくな
り、接続の信頼度を高めることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明増幅型固体撮像素子を図示実施
例に従って詳細に説明する。図１は本発明増幅型固体撮
像素子の第１の実施例を示す平面図である。本実施例は
図６に示す従来の増幅型固体撮像素子とは全隣接垂直画
素列間領域に１Ａｌからなる電源線８、８、…が形成さ
れている点と、垂直選択線９と中継配線膜６とのコンタ
クト位置（２Ｃｏｎの位置）、垂直選択線９及び中継配
線膜６のパターンが異なっている点で、大きく相違して
いるが、それ以外の点では共通しており、共通点につい
ては既に説明済みなので、相違する点についてのみ説明
する。
例に従って詳細に説明する。図１は本発明増幅型固体撮
像素子の第１の実施例を示す平面図である。本実施例は
図６に示す従来の増幅型固体撮像素子とは全隣接垂直画
素列間領域に１Ａｌからなる電源線８、８、…が形成さ
れている点と、垂直選択線９と中継配線膜６とのコンタ
クト位置（２Ｃｏｎの位置）、垂直選択線９及び中継配
線膜６のパターンが異なっている点で、大きく相違して
いるが、それ以外の点では共通しており、共通点につい
ては既に説明済みなので、相違する点についてのみ説明
する。
【００１８】本増幅型固体撮像素子は隣接垂直画素列間
領域一つおきにではなく、全隣接垂直画素列間領域上に
電源線８、８、…が形成されている。そして、全隣接垂
直画素列間領域に電源線８、８、…を形成した関係上、
２Ａｌからなる垂直選択線９と２Ｐｏｌｙからなる中継
配線膜６のコンタクト２Ｃｏｎの位置を、リングゲート
５とのコンタクトＰＣｏｎに近接させることによって新
たに加わった電源線８、８、…とドレイン３とのコンタ
クト２Ｃｏｎの位置を確保している。
領域一つおきにではなく、全隣接垂直画素列間領域上に
電源線８、８、…が形成されている。そして、全隣接垂
直画素列間領域に電源線８、８、…を形成した関係上、
２Ａｌからなる垂直選択線９と２Ｐｏｌｙからなる中継
配線膜６のコンタクト２Ｃｏｎの位置を、リングゲート
５とのコンタクトＰＣｏｎに近接させることによって新
たに加わった電源線８、８、…とドレイン３とのコンタ
クト２Ｃｏｎの位置を確保している。
【００１９】このような増幅型固体撮像素子によれば、
全隣接垂直画素列間領域が電源線８、８、…によって遮
光されているので、従来の増幅型固体撮像素子において
隣接垂直画素列間領域１つおきにしか電源線８、８、…
が設けられていなかったために存在していた受光重心の
ずれ、オンチップカラーフィルターの重なり部分に入射
した光による混色が生じるという問題を解決することが
できる。
全隣接垂直画素列間領域が電源線８、８、…によって遮
光されているので、従来の増幅型固体撮像素子において
隣接垂直画素列間領域１つおきにしか電源線８、８、…
が設けられていなかったために存在していた受光重心の
ずれ、オンチップカラーフィルターの重なり部分に入射
した光による混色が生じるという問題を解決することが
できる。
【００２０】図２は本発明増幅型固体撮像素子の第２の
実施例を示す平面図で、図３（Ａ）、（Ｂ）は図２のＡ
−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。本実施例につい
ても図６に示した従来の増幅型固体撮像素子と共通する
部分の説明を省略する。
実施例を示す平面図で、図３（Ａ）、（Ｂ）は図２のＡ
−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。本実施例につい
ても図６に示した従来の増幅型固体撮像素子と共通する
部分の説明を省略する。
【００２１】本増幅型固体撮像素子は、図６に示した従
来の増幅型固体撮像素子とは、第１に電源線８のない一
つおきの隣接垂直画素列間領域を、１Ａｌからなる遮光
膜１２と、２Ａｌからなる垂直選択線９を部分的に張り
出させた張り出し部９ａとによって遮光するようにした
点で異なっている。従って、本増幅型固体撮像素子によ
れば、第１の実施例と同様に全隣接垂直画素列間領域を
金属膜により遮光することができ、延いては受光重心の
ずれ、オンチップカラーフィルターの重なり部分に入射
した光による混色が生じるという問題を解決することが
できる。
来の増幅型固体撮像素子とは、第１に電源線８のない一
つおきの隣接垂直画素列間領域を、１Ａｌからなる遮光
膜１２と、２Ａｌからなる垂直選択線９を部分的に張り
出させた張り出し部９ａとによって遮光するようにした
点で異なっている。従って、本増幅型固体撮像素子によ
れば、第１の実施例と同様に全隣接垂直画素列間領域を
金属膜により遮光することができ、延いては受光重心の
ずれ、オンチップカラーフィルターの重なり部分に入射
した光による混色が生じるという問題を解決することが
できる。
【００２２】第２に、本増幅型固体撮像素子は１Ａｌか
らなる上記遮光膜１２を２Ａｌからなる垂直選択線９と
２Ｐｏｌｙからなる中継配線膜６との間の中継に利用し
ている点［図３（Ｂ）参照］で、垂直選択線９を中継配
線膜６と直接接続した従来の増幅型固体撮像素子と相違
している。従って、垂直選択線９と中継配線膜６との接
続のため深いコンタクトホールを必要としなくなり、接
続の信頼度を高めることができる。
らなる上記遮光膜１２を２Ａｌからなる垂直選択線９と
２Ｐｏｌｙからなる中継配線膜６との間の中継に利用し
ている点［図３（Ｂ）参照］で、垂直選択線９を中継配
線膜６と直接接続した従来の増幅型固体撮像素子と相違
している。従って、垂直選択線９と中継配線膜６との接
続のため深いコンタクトホールを必要としなくなり、接
続の信頼度を高めることができる。
【００２３】そして、電源線８、８、…は隣接垂直画素
列間領域一つおきに配置されており、その点では図６に
示す従来の場合と共通しており、図１に示す第１の実施
例のようにすべての隣接垂直画素列間領域にドレインと
の接続を要する電源線７、７、…を形成するわけではな
いので、電源線７とドレイン３とのコンタクト２Ｃｏｎ
を避けるために垂直選択線８と中継配線膜６とのコンタ
クト２Ｃｏｎの位置を中継配線膜６のリングゲート５と
のコンタクトＰＣｏｎに近接させるということが必要で
なくなる。従って、図１に示す第１の実施例よりも低い
加工精度でも同じ集積度の増幅型固体撮像素子を得るこ
とができ、デザインルールの厳しさが軽くて済む。ま
た、第１の実施例では２Ｐｏｌｙからなる中継配線膜６
の一部がリングゲート５に重なっているので、その分各
画素の受光面積が若干ではあるが減少するし、きわめて
僅かではあるが受光重心（中心）にずれが生じるが、本
実施例ではそのようなことはない。
列間領域一つおきに配置されており、その点では図６に
示す従来の場合と共通しており、図１に示す第１の実施
例のようにすべての隣接垂直画素列間領域にドレインと
の接続を要する電源線７、７、…を形成するわけではな
いので、電源線７とドレイン３とのコンタクト２Ｃｏｎ
を避けるために垂直選択線８と中継配線膜６とのコンタ
クト２Ｃｏｎの位置を中継配線膜６のリングゲート５と
のコンタクトＰＣｏｎに近接させるということが必要で
なくなる。従って、図１に示す第１の実施例よりも低い
加工精度でも同じ集積度の増幅型固体撮像素子を得るこ
とができ、デザインルールの厳しさが軽くて済む。ま
た、第１の実施例では２Ｐｏｌｙからなる中継配線膜６
の一部がリングゲート５に重なっているので、その分各
画素の受光面積が若干ではあるが減少するし、きわめて
僅かではあるが受光重心（中心）にずれが生じるが、本
実施例ではそのようなことはない。
【００２４】図４は本発明増幅型固体撮像素子の第３の
実施例の一つの変形例を示す平面図、図５（Ａ）、
（Ｂ）は図４のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。本変形例は１Ａｌからなる遮光膜１２は設けず、２
Ａｌからなる垂直選択線９の張り出し部９ａのみによっ
て電源線７のない方の隣接垂直画素列間領域の遮光をす
るようにしたものである。尚、各垂直選択線９・９間の
絶縁性を充分に確保するため、垂直選択線９の張り出し
部９ａとその一つ隣りの垂直選択線９との間には間隙が
必要であり、その間隙においては遮光できないという点
と、遮光膜１２を形成しないので、これを垂直選択線９
と中継配線膜６との中継に使用して深いコンタクトホー
ルを必要でなくするようにするという効果が得られない
という点では、図３の増幅型固体撮像素子よりも若干劣
る。しかし、受光重心のずれ防止効果は略完全であり、
混色防止効果はきわめて大きい。
実施例の一つの変形例を示す平面図、図５（Ａ）、
（Ｂ）は図４のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。本変形例は１Ａｌからなる遮光膜１２は設けず、２
Ａｌからなる垂直選択線９の張り出し部９ａのみによっ
て電源線７のない方の隣接垂直画素列間領域の遮光をす
るようにしたものである。尚、各垂直選択線９・９間の
絶縁性を充分に確保するため、垂直選択線９の張り出し
部９ａとその一つ隣りの垂直選択線９との間には間隙が
必要であり、その間隙においては遮光できないという点
と、遮光膜１２を形成しないので、これを垂直選択線９
と中継配線膜６との中継に使用して深いコンタクトホー
ルを必要でなくするようにするという効果が得られない
という点では、図３の増幅型固体撮像素子よりも若干劣
る。しかし、受光重心のずれ防止効果は略完全であり、
混色防止効果はきわめて大きい。
【００２５】尚、図示はしないが、１Ａｌからなる遮光
膜１２のみによって電源線７のないほうの隣接垂直画素
列間領域の遮光を行うようにするというバリエーション
もあり得る。このようにすれば、遮光膜１２を垂直選択
線９と中継配線膜６の中継に使用して深いコンタクトホ
ールを必要でなくするという効果は得られる。このよう
に、電源線７のない一つおきの隣接垂直画素列間領域の
遮光は２Ｐｏｌｙからなる垂直選択線９の張り出し部９
ａと１Ｐｏｌｙからなる遮光膜１２の双方によってある
いはいずれか一方によって行うようにすると良く、双方
によって行うようにしたのが図２、図３に示した増幅型
固体撮像素子であり、一方、例えば垂直選択線９の張り
出し部９ａのみにより行うようにしたのが図４、図５に
示した増幅型固体撮像素子である。勿論、図示はしない
がそれを遮光膜１２のみにより行うようにしても良いの
である。
膜１２のみによって電源線７のないほうの隣接垂直画素
列間領域の遮光を行うようにするというバリエーション
もあり得る。このようにすれば、遮光膜１２を垂直選択
線９と中継配線膜６の中継に使用して深いコンタクトホ
ールを必要でなくするという効果は得られる。このよう
に、電源線７のない一つおきの隣接垂直画素列間領域の
遮光は２Ｐｏｌｙからなる垂直選択線９の張り出し部９
ａと１Ｐｏｌｙからなる遮光膜１２の双方によってある
いはいずれか一方によって行うようにすると良く、双方
によって行うようにしたのが図２、図３に示した増幅型
固体撮像素子であり、一方、例えば垂直選択線９の張り
出し部９ａのみにより行うようにしたのが図４、図５に
示した増幅型固体撮像素子である。勿論、図示はしない
がそれを遮光膜１２のみにより行うようにしても良いの
である。
【００２６】
【発明の効果】請求項１の増幅型固体撮像素子は、各隣
接垂直画素列間領域に遮光性のある金属膜を形成したこ
とを特徴とするものである。従って、請求項１の増幅型
固体撮像素子によれば、全隣接垂直画素列間領域に金属
膜が形成されているので、その金属膜により隣接垂直画
素列間領域に光が入射することを阻むことができ、延い
ては受光重心のずれを防止することができる。
接垂直画素列間領域に遮光性のある金属膜を形成したこ
とを特徴とするものである。従って、請求項１の増幅型
固体撮像素子によれば、全隣接垂直画素列間領域に金属
膜が形成されているので、その金属膜により隣接垂直画
素列間領域に光が入射することを阻むことができ、延い
ては受光重心のずれを防止することができる。
【００２７】請求項２の増幅型固体撮像素子は、請求項
１の増幅型固体撮像素子において、カラーフィルターが
形成されていることを特徴とするものである。従って、
請求項２の増幅型固体撮像素子によれば、画素境界部に
おいて生じる隣接フィルターの重なり部分を通った光に
よる混色をも隣接垂直画素列間領域に形成した金属膜に
より阻むことができる。
１の増幅型固体撮像素子において、カラーフィルターが
形成されていることを特徴とするものである。従って、
請求項２の増幅型固体撮像素子によれば、画素境界部に
おいて生じる隣接フィルターの重なり部分を通った光に
よる混色をも隣接垂直画素列間領域に形成した金属膜に
より阻むことができる。
【００２８】請求項３の増幅型固体撮像素子は、請求項
１又は２の増幅型固体撮像素子において、各隣接垂直画
素列間領域に形成された金属膜が電源線を成しているこ
とを特徴とするものである。従って、請求項３の増幅型
固体撮像素子によれば、電源線を成す金属膜により各隣
接垂直画素列間領域を遮光するので、受光重心のずれや
混色を防止することができる。
１又は２の増幅型固体撮像素子において、各隣接垂直画
素列間領域に形成された金属膜が電源線を成しているこ
とを特徴とするものである。従って、請求項３の増幅型
固体撮像素子によれば、電源線を成す金属膜により各隣
接垂直画素列間領域を遮光するので、受光重心のずれや
混色を防止することができる。
【００２９】請求項４の増幅型固体撮像素子は、請求項
１又は２の増幅型固体撮像素子において、一つおきの隣
接垂直画素列間領域に形成された方の金属膜のみ電源線
を成していることを特徴とするものである。従って、請
求項４の増幅型固体撮像素子によれば、電源線を成す金
属膜と、電源線を成さない金属膜により各隣接垂直画素
列間領域を遮光するので、受光重心のずれや混色を防止
することができる。
１又は２の増幅型固体撮像素子において、一つおきの隣
接垂直画素列間領域に形成された方の金属膜のみ電源線
を成していることを特徴とするものである。従って、請
求項４の増幅型固体撮像素子によれば、電源線を成す金
属膜と、電源線を成さない金属膜により各隣接垂直画素
列間領域を遮光するので、受光重心のずれや混色を防止
することができる。
【００３０】請求項５の増幅型固体撮像素子は、隣接垂
直画素列間領域一つおきに電源線が形成され、該電源線
が形成されていない隣接垂直画素列間領域が、垂直選択
線と同層の金属膜及び／又は電源線と同層の金属膜によ
り遮光されてなることを特徴とするものである。従っ
て、請求項５の増幅型固体撮像素子によれば、隣接垂直
画素列間領域が電源線と、垂直選択線と同層の金属膜及
び／又は電源線と同層の金属膜により遮光されているの
で、受光重心のずれや混色を防止することができる。
直画素列間領域一つおきに電源線が形成され、該電源線
が形成されていない隣接垂直画素列間領域が、垂直選択
線と同層の金属膜及び／又は電源線と同層の金属膜によ
り遮光されてなることを特徴とするものである。従っ
て、請求項５の増幅型固体撮像素子によれば、隣接垂直
画素列間領域が電源線と、垂直選択線と同層の金属膜及
び／又は電源線と同層の金属膜により遮光されているの
で、受光重心のずれや混色を防止することができる。
【００３１】請求項６の増幅型固体撮像素子は、垂直選
択線と中継配線膜を、電源線、信号線と同層の金属層を
介して接続したことを特徴とするものである。従って、
請求項６の増幅型固体撮像素子によれば、垂直選択線を
中継配線膜に直接接続するのではなく、該垂直選択線よ
りも下層で中継配線膜よりも上層の金属膜を接続するた
めに深いコンタクトホールが必要でなくなり、接続の信
頼度を高めることができる。
択線と中継配線膜を、電源線、信号線と同層の金属層を
介して接続したことを特徴とするものである。従って、
請求項６の増幅型固体撮像素子によれば、垂直選択線を
中継配線膜に直接接続するのではなく、該垂直選択線よ
りも下層で中継配線膜よりも上層の金属膜を接続するた
めに深いコンタクトホールが必要でなくなり、接続の信
頼度を高めることができる。
【図１】本発明増幅型固体撮像素子の第１の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】本発明増幅型固体撮像素子の第２の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は第２の実施例の断面図で、
（Ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、（Ｂ）は図２の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
（Ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、（Ｂ）は図２の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図４】図２、図３に示した第２の実施例の変形例の平
面図である。
面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は上記変形例の断面図で、
（Ａ）は図４のＡ−Ａ線に沿う断面図、（Ｂ）は図４の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
（Ａ）は図４のＡ−Ａ線に沿う断面図、（Ｂ）は図４の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は増幅型固体撮像素子の従来例
の一を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
の一を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。
５ リングゲート ６ 中継配線膜 ７ 信号線 ８ 電源線 ９ 垂直選択線 ９ａ 垂直選択線と同層の遮光用張り出し部 １０ フィルター １２ 信号線、電源線と同層の遮光膜
Claims (6)
- 【請求項１】 リングゲートＭＯＳトランジスタからな
る画素をマトリックス状に配置して撮像領域とした増幅
型固体撮像素子において、 各隣接垂直画素列間領域に遮光性のある金属膜が形成さ
れてなることを特徴とする増幅型固体撮像素子 - 【請求項２】 撮像領域表面にカラーフィルターが形成
されてなることを特徴とする請求項１記載の増幅型固体
撮像素子 - 【請求項３】 各隣接垂直画素列間領域に形成された金
属膜が電源線を成していることを特徴とする請求項１又
は２記載の増幅型固体撮像素子 - 【請求項４】 隣接垂直画素列間領域に形成された金属
膜のうち一つおきの隣接垂直画素列間領域に形成された
方の金属膜のみ電源線を成していることを特徴とする請
求項１又は２記載の増幅型固体撮像素子 - 【請求項５】 リングゲートＭＯＳトランジスタからな
る画素をマトリックス状に配置して撮像領域とし、電源
線及び信号線を同じ層の金属膜により形成し、上記リン
グゲートＭＯＳトランジスタのリングゲートに接続され
た水平に延びる垂直選択線を上記金属膜よりも上層の金
属膜により形成した増幅型固体撮像素子において、 隣接垂直画素列間領域一つおきに上記電源線が形成さ
れ、 上記電源線が形成されていない隣接垂直画素列間領域
が、垂直選択線と同層の金属膜及び／又は電源線と同層
の金属膜により遮光されてなることを特徴とする増幅型
固体撮像素子 - 【請求項６】 リングゲートＭＯＳトランジスタからな
る画素をマトリックス状に配置して撮像領域とし、リン
グゲートより上層にこれと接続された中継配線層を有
し、電源線及び信号線を該中継配線層よりも上層の金属
膜により形成し、水平に延びる垂直選択線を該金属膜よ
り上層の金属膜により形成した増幅型固体撮像素子にお
いて、 隣接垂直画素列間領域一つおきに上記電源線が形成さ
れ、 上記電源線が形成されていない隣接垂直画素列間領域を
遮光する、垂直選択線と同層の金属膜を有し、 上記垂直選択線と上記中継配線層とを接続する、上記電
源線及び信号線と同層の金属膜を有することを特徴とす
る増幅型固体撮像素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090925A JPH06283694A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 増幅型固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090925A JPH06283694A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 増幅型固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283694A true JPH06283694A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14012017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5090925A Pending JPH06283694A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 増幅型固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283694A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642965B1 (en) | 1998-07-21 | 2003-11-04 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image sensing device with light-shielding member having openings spaced at an equal pitch |
| JP2006156545A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ及び密着型イメージセンサ |
| JP2009194260A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ及び電子機器 |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP5090925A patent/JPH06283694A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642965B1 (en) | 1998-07-21 | 2003-11-04 | Nec Electronics Corporation | Solid-state image sensing device with light-shielding member having openings spaced at an equal pitch |
| JP2006156545A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | 光電変換装置、マルチチップ型イメージセンサ及び密着型イメージセンサ |
| JP2009194260A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ及び電子機器 |
| US8817152B2 (en) | 2008-02-15 | 2014-08-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, camera, and electronic device |
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