KR20070122082A

KR20070122082A - 표시장치

Info

Publication number: KR20070122082A
Application number: KR1020060057096A
Authority: KR
Inventors: 김연규; 송영걸; 문연규; 김정임
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-06-23
Filing date: 2006-06-23
Publication date: 2007-12-28
Also published as: US20070297076A1; KR101216600B1; US7709080B2; CN101093322A; CN101093322B

Abstract

서로 마주보는 제1 기판과 제2 기판, 상기 제1 및 제2 기판을 서로 합착하는 실런트 패턴 및 상기 실런트 패턴의 내부에 형성된 격벽 패턴을 포함하는 표시장치가 제공된다. 상기 격벽 패턴은 상기 실런트 패턴에 포함된 제1 화합물과 화학적으로 반응하는 제2 화합물을 포함하여 상기 제1 화합물의 확산을 차단한다.

기판, 실런트 패턴, 액정, 에폭시, 아민

Description

표시장치{DISPLAY APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 분리 사시도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 취해진 단면도이다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도이다.

도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 취해진 단면도이다.

도 6a 내지 도 6f는 도 3에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 설명하는 단면도들이다.

도 7a 내지 도 7d는 도 5에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 설명하는 단면도들이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

100 -- 제1 기판 110 -- 게이트 라인

140 -- 데이터 라인 160 -- 화소 전극

200 -- 제2 기판 230 -- 공통 전극

300 -- 격벽 패턴 400 -- 실런트 패턴

500 -- 스페이서 600,600' -- 포토 마스크

DA -- 표시 영역 PA -- 화소 영역

T -- 박막트랜지스터

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명은 오염에 의한 화질의 저하를 방지할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.

일반적으로 최근 주로 사용되는 표시장치에는 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이, 유기전계발광 디스플레이가 있다. 상기한 표시장치는 대형 TV나 노트북 컴퓨터의 모니터 및 휴대전화와 같이 영상을 표시하기 위한 장치에 다양하게 사용된다.

위와 같은 표시장치에는 서로 마주보는 두 장의 기판이 사용된다. 예컨대, 액정표시장치의 경우 액정을 사이에 두고 서로 마주보는 두 장의 기판이 구비된다. 상기 액정에는 전계가 작용하며, 상기 전계의 작용으로 액정의 배열이 변경되면서 그에 따른 영상이 외부에 표시된다.

상기한 영상이 표시되는 영역을 표시 영역이라 하면, 표시 영역은 상기 두 장의 기판 가장자리를 제외한 중심부를 포함하는 영역에 정의된다. 상기 가장자리에는 상기 두 장의 기판을 합착하기 위한 실런트 패턴이 형성된다.

상기 실런트 패턴은 고분자 수지를 포함하는 화합물로 이루어진다. 상기 두 장의 기판을 합착하는 공정 중에 상기 실런트 패턴에 포함된 화합물이 표시 영역으로 확산될 수 있다. 이 경우, 표시 영역이 오염되어 표시장치의 화질이 저하되는 문제가 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 표시 영역의 오염을 방지하여 고화질을 유지할 수 있는 표시장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 제1 기판, 제2 기판, 실런트 패턴, 격벽 패턴을 포함한다. 상기 제1 기판에는 표시 영역이 정의된다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 마주보며 제1 및 제2 기판은 서로 합착된다. 상기 실런트 패턴은 상기 표시 영역 외부의 상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되며, 상기 실런트 패턴에 의해 상기 제1 및 제2 기판이 서로 합착된다. 상기 격벽 패턴은 상기 실런트 패턴과 상기 표시 영역 사이의 상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되며, 상기 실런트 패턴에 포함된 제1 화합물과 화학적으로 반응하는 제2 화합물을 포함하여 상기 제1 화합물이 상기 표시 영역으로 확산되는 것을 차단한다.

상기 제1 화합물은 아민계 화합물을 포함하며, 상기 제2 화합물은 에폭시계 화합물을 포함한다. 상기 에폭시계 화합물은 에폭시드를 갖는 아크릴 단위체를 중합한 고분자 물질을 포함할 수 있다.

상기 격벽 패턴의 표면에는 요철이 형성되어 그 표면적이 증가되고, 그 결과 제1 및 제2 화합물이 반응할 수 있는 기회가 증가되어 화학 반응이 촉진된다.

본 실시예에 따르면, 상기 격벽 패턴이 물리적 및 화학적으로 작용하여 상기 실런트 패턴에 의해 상기 표시 영역이 오염되는 것을 방지한다.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 다만 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 또한 하기 실시예와 함께 제시된 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 크기는 명확한 설명을 강조하기 위해서 간략화되거나 다소 과장되어진 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1을 참조하면, 서로 마주보는 제1 기판(100)과 제2 기판(200)이 구비되며, 제1 및 제2 기판(100,200)의 사이에는 액정(미도시)이 배열된다. 제1 기판(100)에는 영상이 표시되는 표시 영역(Display Area; DA)이 정의된다. 표시 영역(DA)은 제1 기판(100)의 가장자리 부분을 제외하고 제1 기판(100)의 중심 부분을 포함하도록 위치한다.

제1 기판(100)상에는 복수의 게이트 라인(110)들과 데이터 라인(140)들이 형성되며, 이들이 상호간에 교차하면서 화소 영역(Pixel Area; PA)들이 정의된다. 화소 영역(PA)들은 영상이 표시되는 최소 단위를 나타내며, 각 화소 영역(PA)들은 반복되는 동일한 구조를 갖는다.

화소 영역(PA)들 각각에는, 화소 전극(160)과 박막트랜지스터(T)가 구비된다. 박막트랜지스터(T)는 게이트 라인(110)과 데이터 라인(140) 및 화소 전극(160)에 각각 연결된 게이트 전극과 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 제2 기판(200)상에는 화소 전극(160)과 대응되는 공통 전극(230)이 형성된다.

액정표시장치의 동작시, 게이트 라인(110)으로 게이트 온 신호가 인가되면 박막트랜지스터(T)가 턴온된다. 또한 데이터 라인(140)으로는 영상 정보에 따른 데이터 신호가 전달되어 화소 전극(160)으로 인가된다. 공통 전극(230)에는 공통전압이 인가되며, 화소 전극(160)과 공통 전극(230)의 전압차에 따른 전계가 액정에 작용하여 액정의 배열이 변경되면 영상이 표시된다.

액정은 각종 이물질에 노출되어 오염될 수 있는데, 액정이 오염되면 상기한 액정표시장치의 동작시 외부에 표시되는 영상의 화질이 저하될 수 있다. 액정을 오염시키는 오염원 중 하나로 실런트 패턴(300)이 있다.

실런트 패턴(300)은 제1 기판(100)상의 표시 영역(DA) 외부에 형성된다. 또는 실런트 패턴(300)은 표시 영역(DA)의 외부에 대응되는 제2 기판(200)상에 형성될 수도 있다. 실런트 패턴(300)은 열이나 빛에 의해 경화되는 수지를 포함하며, 상기 수지가 경화되면서 제1 및 제2 기판(100,200)이 상호간에 합착된다. 실런트 패턴(300)이 경화될 때, 실런트 패턴(300)에 포함되어 있는 일부 화합물(설명의 편의상 제1 화합물이라 한다.)이 미경화 상태에서 표시 영역(DA)으로 확산되어 액정을 오염시킬 수 있다.

상기 제1 화합물에 의한 액정 오염을 방지하기 위해 격벽 패턴(400)이 형성 된다. 격벽 패턴(400)은 제1 및 제2 기판(100,200) 중 어느 한 쪽에 형성되며, 격벽 패턴(400)은 실런트 패턴(300)과 표시 영역(DA) 사이에서 물리적 장벽으로 작용하여 상기 제1 화합물의 이동을 차단한다. 또한 격벽 패턴(400)은 화학적 장벽으로 작용하여 상기 제1 화합물의 이동을 차단한다.

상기 제1 화합물은 아민계 화합물을 포함한다. 아민(amine)은 일반적으로 암모니아의 수소원자를 탄화수소기로 치환한 형태의 화합물을 나타내는데, 실런트 패턴(300)에 포함되는 제1 화합물은 화학식『NH₂CO(CH₂)nCON₂H₅』(n은 1이상의 정수)으로 표시된다. 구체적으로, 제1 화합물은 다음의 화학식1이나 화학식2의 구조식으로 표시될 수 있다.

<화학식1>

<화학식2>

상기 화학식1 및 화학식2에서 탄소 및 수소는 생략되어 있으며, 상기 탄소는 원소 기호가 표시되지 않은 주사슬을 따라 위치하며, 상기 수소는 상기 탄소의 결합선이 4가 되도록 상기 주사슬에 위치하는 탄소와 결합된다.

격벽 패턴(400)은 상기 제1 화합물과 화학적으로 반응하는 제2 화합물을 포함한다. 상기 제2 화합물로는 에폭시계 화합물이 사용될 수 있으며, 상기 에폭시계 화합물은 에폭시드(epoxide)를 갖는 아크릴 단위체를 중합하여 형성된다. 상기 중합과 관련된 화학 반응은 다음의 반응식1로 표시된다.

<반응식1>

반응식1에서 반응물은 에폭시드를 갖는 아크릴 단위체이며, 생성물은 중합 반응에 따른 고분자 물질이다. 반응식1에 있어서, 점선으로 표시된 부분이 에폭시드를 나타내며, R과 R'로 표시된 부분은 아미드(-NH-CO-), 에스테르(-CO-O-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 설프옥사이드(-SOO-), 하이드옥사이드(-OH), 할라이드(-F, -Cl, -Br, -I), 이미드(-CO-N-CO-), 아자(-N-), 아민(-NH₂), 아조(-N=N-), 알데 히드(-CO-H), 카르복시(-CO-), 안하이드라이드(-CO-O-CO-), 우레아(-NH-CO-NH-)의 작용기를 포함하는 구조이다.

특히, 화학적으로 안정한 아미드(-NH-CO-), 에스테르(-CO-O-), 에테르(-O-), 설파이드(-S-), 카르복시(-CO-)를 포함하는 것이 바람직하다.

위와 같이, 실런트 패턴(300)의 제1 화합물과 격벽 패턴(400)의 제2 화합물이 각각 아민계 화합물과 에폭시계 화합물을 포함하는 경우, 아민과 에폭시드의 화학 반응에 따라 제1 및 제2 화합물은 다음과 같이 화학적으로 반응한다.

제1 화합물이 화학식1로 표시되는 경우, 제1 화합물과 제2 화합물의 화학 반응은 반응식2와 같이 표시된다.

<반응식2>

제1 화합물이 화학식2로 표시되는 경우, 제1 화합물과 제2 화합물의 화학 반응은 반응식3과 같이 표시된다.

<반응식3>

반응식2 및 반응식3에 나타난 바와 같이, 에폭시계의 제2 화합물 중 일부 또는 전부가 아민계의 제1 화합물과 결합된다. 반응식2 및 반응식3에 있어서, 고분자인 제2 화합물를 구성하는 개개의 분자들(n) 중, 일부(k)가 제1 화합물과 반응하고 일부(l)는 제1 화합물과 반응하지 않는다. 상기 제1 화합물과 반응하는 것들이 반드시 서로 인접하여 연속적으로 결합된 것은 아니며, 인접하는 것들 중 일부 또는 전부가 제1 화합물과 반응하게 된다.

상기한 반응시, 제2 화합물의 구조가 고리 모양에서 사슬 모양으로 변경되며, 제1 화합물의 아민에 포함된 수소 하나가 제2 화합물의 에폭시드에 포함된 산소와 결합하게 된다.

위와 같은 화학 반응으로, 제1 화합물은 제2 화합물에 결합되어 더 이상 표시 영역(DA)으로 확산될 수 없다. 상기 반응식2 및 반응식3에 나타난 바와 같이, 상기한 화학 반응에서 어떠한 부가물도 발생되지 않는다. 따라서, 상기 화학 반응에 따른 부가물에 의해 액정이 오염될 염려도 없다.

결국, 격벽 패턴(400)은 실런트 패턴(300)으로부터의 오염 물질을 물리적 및 화학적으로 차단하여 표시 영역(DA) 내부의 액정 오염을 방지하고, 액정표시장치의 화질을 향상시키는 역할을 한다.

도 2를 참조하면, 상하로 서로 마주보는 제1 및 제2 기판(100,200)이 구비되며, 제1 기판(100)에는 표시 영역(DA)이 정의된다. 제1 기판(100)의 가장자리를 따라 폐루프를 이루는 실런트 패턴(300)이 형성된다. 표시 영역(DA)과 실런트 패 턴(300)의 사이에는 격벽 패턴(400)이 형성된다. 격벽 패턴(400)은 실런트 패턴(300)에 대응되는 폐루프를 이루며, 실런트 패턴(300)으로부터의 오염 물질(화살표로 표시)은 격벽 패턴(400)에서 차단되어 표시 영역(DA)으로 확산되지 못한다.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 취해진 단면도이다.

도 3을 참조하면, 제1 기판(100)상의 소정 영역에는 박막 트랜지스터(T)의 게이트 전극(111)이 형성된다. 게이트 전극(111)상에는 게이트 절연막(120)이 형성되어 제1 기판(100) 전체를 덮고 있다. 게이트 절연막(120)상에는 게이트 전극(111)과 중첩되게 반도체 패턴(130)이 형성된다. 반도체 패턴(130)상에는 서로 마주보도록 소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)이 형성된다. 반도체 패턴(130)은 액티브 패턴(131)과 오믹콘택 패턴(132)의 이중층으로 구성되는데, 액티브 패턴(131)은 박막트랜지스터(T)의 동작시 채널이 형성되며 오믹콘택 패턴(132)은 소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)을 따라 분리된다.

박막트랜지스터(T)상에는 보호막(150)이 형성되어 제1 기판(100) 전체를 덮고 있다. 보호막(150)상에는 화소전극(160)이 형성된다. 보호막(150)은 드레인 전극(142)을 노출시키는 콘택홀(150h)이 형성되며, 화소전극(160)은 콘택홀(150h)을 통하여 드레인 전극(142)과 전기적으로 연결된다.

제2 기판(200)상에는 차광막 패턴(210)과 컬러필터(220)가 형성된다. 컬러필터(220)는 화소 영역(PA)에 대응되는 영역에 형성되며, 빛의 3원색에 해당하는 적색/녹색/청색으로 구성되어 컬러 영상이 표시되도록 작용한다. 차광막 패턴(210)은 화소 영역(PA)이외의 영역에서 빛의 투과를 차단한다. 차광막 패턴(210)과 컬러필 터(220)상에는 화소전극(160)과 마주보도록 공통전극(230)이 형성된다. 공통전극(230)상에는 스페이서(500)가 형성되어 제1 및 제2 기판(100,200) 사이의 일정한 간격을 유지한다.

제1 및 제2 기판(100,200)의 가장자리에는 실런트 패턴(300)과 격벽 패턴(400)이 형성된다. 실런트 패턴(300)은 제1 기판(100)상에 형성되어 상부면이 제2 기판(200)에 접촉된다. 격벽 패턴(400)은 제2 기판(200)상에 형성되어 하부면이 제1 기판(100)에서 소정 간격 이격된다. 상기 간격은 대략적으로 제1 및 제2 기판(100,200) 사이 간격의 10% 이하로 설정될 수 있다. 상기 이격된 부분으로 실런트 패턴(300)에서 발생된 오염 물질이 이동할 수 있지만, 상기 오염 물질은 격벽 패턴(400)에 포함된 화합물과의 화학 반응에 의해 확산이 차단된다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 개략적인 평면도이다. 이하의 설명에서 앞선 실시예와 공통되는 부분에 대한 상세 설명은 생략한다.

도 4를 참조하면, 표시 영역(DA)이 정의된 제1 기판(100)과 이와 마주보는 제2 기판(200)이 구비되며, 제1 기판(100)의 가장자리를 따라 실런트 패턴(300)이 형성된다. 표시 영역(DA)과 실런트 패턴(300)의 사이에는 오염 물질(화살표 표시) 차단을 위한 격벽 패턴(400)이 형성된다.

실런트 패턴(300)은 제1 및 제2 기판(100,200) 사이의 공간을 밀폐하여 그 내부에 액정이 수용되도록 폐루프를 이룬다. 격벽 패턴(400)은 실런트 패턴(300)에 대응되지만, 격벽 패턴(400)이 폐루프를 이룰 필요는 없다. 따라서, 격벽 패턴(400)은 소정의 부분, 예컨대 장방형 격벽 패턴(400)의 모서리 부분이 절개되어 개방된 루프를 형성하고 있다. 실런트 패턴(300)으로부터의 오염 물질(화살표로 표시)은 격벽 패턴(400)에서 차단되어 표시 영역(DA)으로 확산되지 못한다. 상기 개방된 부분에서 상기 오염 물질과 격벽 패턴(400)과의 접촉이 증가되며, 그에 따른 화학 반응이 촉진되어 상기 오염 물질의 확산이 차단된다.

도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 취해진 단면도이다.

도 5를 참조하면, 제1 기판(100)상에는 박막 트랜지스터(T)의 게이트 전극(111), 게이트 절연막(120), 반도체 패턴(130), 소오스 전극(141)과 드레인 전극(142), 보호막(150) 및 화소 전극(160)이 형성된다.

제2 기판(200)상에는 차광막 패턴(210), 컬러필터(220), 공통전극(230) 및 스페이서(500)가 형성된다.

제1 및 제2 기판(100,200)의 가장자리에는 실런트 패턴(300)과 격벽 패턴(400)이 형성된다. 실런트 패턴(300)은 제1 기판(100)상에 형성되어 상부면이 제2 기판(200)에 접촉된다. 격벽 패턴(400)은 제1 기판(200)상에 형성되어 상부면이 제2 기판(200)에서 소정 간격 이격된다.

격벽 패턴(400)의 상부면에는 요철(401)이 형성된다. 요철(401)에 의해 격벽 패턴(400)의 상부면의 표면적이 증가된다. 상기한 표면적의 증가로 인하여, 실런트 패턴(300)으로부터의 오염 물질과 격벽 패턴(400)과의 접촉이 증가되며, 그에 따른 화학 반응이 촉진되어 상기 오염 물질의 확산이 보다 효과적으로 차단된다. 상기 오염 물질과 격벽 패턴(400)과의 접촉이 보다 증가되도록, 격벽 패턴(400)의 측면에도 요철(401)이 형성될 수 있다.

도 6a를 참조하면, 제2 기판(200)상에 차광막 패턴(210)과 컬러필터(220)가 형성된다. 차광막 패턴(210)은 제2 기판(200)상에 포토레지스트 성분의 차광막을 도포한 후, 상기 차광막을 패터닝하여 형성된다. 패터닝시 상기 차광막에 대한 노광 및 현상이 진행되며, 화소 영역에 대응되는 영역에 도포된 차광막이 현상에 의해 제거된다.

컬러필터(220)는 제2 기판(200)상에 컬러 포토레지스트막을 도포한 후, 상기 컬러 포토레지스트막을 패터닝하여 형성된다. 컬러필터(220)는 상기 차광막의 패터닝시 상기 차광막이 제거된 영역을 채우며, 상기 컬러 포토레지스트막에 대한 패터닝은 적색/녹색/청색에 대해 3회 실시된다.

도 6b를 참조하면, 컬러필터(220)상에 공통전극(230)이 형성된다. 공통전극(230)은 컬러필터(220)상에 산화아연인듐(IZO)이나 산화주석인듐(ITO)을 이용한 투명 도전막을 증착하여 형성된다. 컬러필터(220)와 공통전극(230)의 사이에는 필요에 따라 제2 기판(200) 표면의 평탄화를 위한 오버코트막(미도시)이 추가될 수 있다.

도 6c를 참조하면, 공통전극(230)상에 포토레지스트 성분이 포함된 물질막(450)이 코팅된다. 물질막(450)은 에폭시드를 갖는 아크릴 단위체를 중합한 고분자물질을 포함한다. 상기 고분자 물질은 앞서 살핀 반응식1에서 살핀 바와 같이, 다음의 화학식3으로 표시될 수 있다.

<화학식3>

이어서, 물질막(450)에 대한 노광이 진행된다. 노광시 물질막(450)의 소정 영역을 노출하는 포토 마스크(600)가 사용된다. 포토 마스크(600)는 투광 영역(610)과 비투광 영역(620)을 갖는다.

도 6d를 참조하면, 노광된 물질막(450)에 대한 현상이 진행된다. 물질막(450)에 포지티브 타입의 포토레지스트 성분이 포함된 경우 상기 노광에서 노광되지 않은 부분이 제거된다. 반대로, 물질막(450)에 네가티브 타입의 포토레지스트 성분이 포함된 경우 상기 노광에서 노광된 부분이 제거된다. 도 6d에는 네카티브 타입의 성분이 포함된 경우가 도시되어 있다. 현상에 의해, 물질막(450)이 패터닝되어 격벽 패턴(400)과 스페이서(500)가 동시에 형성된다.

도 6e를 참조하면, 상기한 제2 기판(200)에 대한 공정과 별도로 제1 기판(100)에 대한 공정이 진행된다. 제1 기판(100)상에 게이트 전극(111)과 반도체 패턴(130)과 소오스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함하는 박막트랜지스터(T) 를 형성한다. 박막트랜지스터(T)상에 보호막(150)을 형성하고, 보호막(150)상에 화소전극(160)을 형성한다.

도 6f를 참조하면, 제1 기판(100)상의 가장자리에 실런트 패턴(300)이 도포되고, 제1 및 제2 기판(100,200)이 서로 마주보도록 정렬된다. 실런트 패턴(300)이 열이나 광에 의해 경화되며 제1 및 제2 기판(100,200)이 합착되면 액정표시장치가 완성된다.

위와 같은 과정에 의하면, 격벽 패턴(400)이 스페이서(500)와 함께 형성되어 격벽 패턴(400)을 형성하기 위한 별도의 공정이 생략되고 공정의 효율이 향상될 수 있다.

도 7a를 참조하면, 제1 기판(100)상에 게이트 전극(111)과 반도체 패턴(130)과 소오스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한다. 박막트랜지스터(T)상에 보호막(150)을 형성하고, 보호막(150)상에 화소전극(160)을 형성한다.

제1 기판(100)의 전면에 보호막(150) 및 화소전극(160)을 덮도록 물질막(450)이 형성된다. 물질막(450)은 에폭시드를 갖는 아크릴 단위체를 중합한 고분자 물질을 포함하며, 상기 고분자 물질은 화학식3으로 표시된다.

물질막(450)에 대한 노광이 진행된다. 노광시 포토 마스크(600')가 사용되며, 포토 마스크(600')는 투광 영역(610')과 중간 투광 영역(630')을 갖는다. 중간 투광 영역(630')에서는 해당되는 물질막(450)의 영역 범위에서 위치에 따라 광의 일부가 투과되도록 조절된다. 이러한 포토 마스크(600')로는 하프톤 마스크나 슬릿 마스크가 사용될 수 있다.

도 7b를 참조하면, 노광된 물질막(450)에 대한 현상이 진행된다. 물질막(450)에 포지티브 타입 또는 네가티브 타입의 포토레지스트 성분이 포함된다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 포지티브 타입인 경우 노광된 부분이 제거되고 잔류하는 부분에 의해 격벽 패턴(400)이 형성된다. 또한 상기 잔류하는 부분에는 노광시 영역별로 광의 일부가 투과되도록 조절되어 요철(401)이 형성된다.

한편, 격벽 패턴(400)의 상부면 외에 측면에도 요철(401)을 형성할 수 있으며, 이는 물질막(450)을 패터닝하여 격벽 패턴(400)을 형성한 후 그 표면을 가공하여 형성될 수 있다.

도 7c를 참조하면, 제2 기판(200)상에 차광막 패턴(210)과 컬러필터(220)와 공통 전극(230) 및 스페이서(500)가 형성된다.

도 7d를 참조하면, 제1 기판(100)상의 가장자리에 실런트 패턴(300)이 도포되고, 제1 및 제2 기판(100,200)이 서로 마주보도록 정렬된다. 실런트 패턴(300)이 열이나 광에 의해 경화되며 제1 및 제2 기판(100,200)이 합착되면 액정표시장치가 완성된다.

위와 같은 과정에 의하면, 스페이서(500)와 격벽 패턴(400)은 별도로 형성되며 양자는 상이한 재질로 형성될 수 있다. 이 경우, 스페이서(500)가 외부의 충격에 대해 탄력을 갖고 제1 및 제2 기판(100,200) 사이 간격을 유지하도록, 스페이 서(500)는 고 탄성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.

이상 예시적인 관점에서 몇 가지 실시예를 살펴보았지만, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

이상에서 살펴 본 바와 같이, 실런트 패턴과 화학적으로 반응하는 재질의 격벽 패턴을 이용하여, 격벽 패턴이 물리적 및 화학적으로 오염 물질을 차단함으로써 표시장치에서 고화질의 영상이 표시될 수 있다.

Claims

표시 영역이 정의된 제1 기판;

상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판;

상기 표시 영역 외부의 상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되며, 상기 제1 및 제2 기판을 서로 합착하는 실런트 패턴; 및

상기 실런트 패턴과 상기 표시 영역 사이의 상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되며, 상기 실런트 패턴에 포함된 제1 화합물과 화학적으로 반응하는 제2 화합물을 포함하여 상기 제1 화합물이 상기 표시 영역으로 확산되는 것을 차단하는 격벽 패턴을 포함하는 표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 제1 화합물은 아민계 화합물이고 상기 제2 화합물은 에폭시계 화합물인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 2항에 있어서,

상기 에폭시계 화합물은 에폭시드를 갖는 아크릴 단위체를 중합한 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 3항에 있어서,

상기 고분자 물질은 다음의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 4항에 있어서,

상기 아민계 화합물은 다음의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 5항에 있어서,

상기 격벽 패턴은 상기 아민계 화합물과 상기 에폭시계 화합물이 화학적으로 반응하여 생성된 다음의 화학식을 갖는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 4항에 있어서,

상기 아민계 화합물은 다음의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 7항에 있어서,

상기 격벽 패턴은 상기 아민계 화합물과 상기 에폭시계 화합물이 화학적으로 반응하여 생성된 다음의 화학식을 갖는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 격벽 패턴의 표면은 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 9항에 있어서,

상기 격벽 패턴은 노광을 거쳐서 형성되며, 상기 요철은 상기 노광시 해당 영역범위내에서 위치에 따라 노광량을 조절하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 격벽 패턴은 상기 제1 및 제2 기판 사이의 간격 보다 작은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 격벽 패턴은 상기 실런트 패턴에 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 1항에 있어서,

상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 기판상에 형성되며, 상기 제1 및 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 13항에 있어서,

상기 격벽 패턴과 상기 스페이서는 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
제 13항에 있어서,

상기 격벽 패턴과 상기 스페이서는 동일한 공정을 거쳐서 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.