KR20080006800A - 표시판과 이를 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

표시판과 이를 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

기판과 상기 기판상에 형성되는 차단막을 포함하는 표시판과 이를 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법이 제공된다. 상기 차단막은 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 갖는 고분자 물질을 포함한다. 상기 차단막에 의해 불순물에 의한 오염과 정전기로 인한 오동작이 방지된다.
기판, 정전기, 불순물, 전도성 고분자

Description

표시판과 이를 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY PANEL AND LCD HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시판의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 차단막에 있어서 정전기에 의한 오동작 방지 과정을 설명하는 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 차단막에 있어서 불순물에 의한 오염 방지 과정을 설명하는 도면들이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 취해진 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4b의 차단막에서 고분자 물질의 조성에 따른 전도도 특성을 나타낸 그래프이다.
도 6a 내지 도 6f는 도 4b에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 설명하는 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6b의 제1 차단막을 형성하는 과정을 설명하는 도면들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 -- 제1 기판 110 -- 게이트 라인
140 -- 데이터 라인 160 -- 화소 전극
170 -- 제1 차단막 180 -- 제1 배향막
200 -- 제2 기판 210 -- 차광 패턴
220 -- 컬러필터 230 -- 공통 전극
240 -- 제2 차단막 250 -- 제2 배향막
300 -- 액정층 400 -- 박막트랜지스터
본 발명은 영상을 표시하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시장치에 사용되는 표시판과 이를 이용한 액정표시장치 및 상기한 액정표시장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
영상이 표시되는 작동 원리에 따라 액정표시장치, 플라즈마 표시장치, 유기전계발광 표시장치 등의 다양한 표시장치가 있다. 상기한 표시장치는 대형 TV나 노트북의 모니터 및 휴대전화와 같은 다양한 전자 제품에 사용된다.
위와 같은 표시장치에는 일정 간격 이격되어 서로 마주보는 두 장의 기판이 구비된다. 예컨대, 액정표시장치의 경우 액정층을 사이에 두고 서로 마주보는 두 장의 기판이 구비된다. 상기 액정층에는 전기장이 작용하며, 상기 전기장의 작용으로 액정층을 구성하는 액정의 배열이 변경되면서 그에 따른 영상이 외부에 표시된다.
상기한 액정표시장치의 제조 과정이나 또는 제조 후 사용 과정에서 정전기가발생될 수 있고, 정전기가 액정층에 유입되면 상기 전기장에 영향을 미쳐 액정표시장치의 오동작을 유발할 수 있다. 또한 상기 액정층은 각종 불순물에 의해 오염될 수 있고, 상기한 오염시 액정표시장치의 화질이 저하된다.
위와 같은 점은 액정표시장치 이외의 다른 표시장치에도 동일하게 적용되어, 각 표시장치에 있어서 두 개의 기판 사이 공간이 정전기에 노출되거나 불순물에 쉽게 오염될 수 있다.
본 발명의 목적은 정전기 및 불순물을 차단할 수 있는 표시판을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시판을 이용하여 고화질의 영상을 제공하는 액정표시장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 액정표시장치를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시판은 영상을 표시하는 표시장치용 기판과, 상기 기판상에 형성되어 상기 기판으로부터의 불순물 및 정전기를 차단하는 차단막을 포함한다. 상기 차단막은 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 갖는 다음의 화학식으로 표시되는 고분자 물질을 포함한다.
Figure 112006050198081-PAT00001
본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 제1 및 제2 기판, 제1 및 제2 배향막, 액정층, 차단막을 포함한다. 상기 제1 및 제2 기판은 서로 마주본다. 상기 제1 및 제2 배향막은 상기 제1 기판 및 제2 기판상에 각각 형성된다. 상기 액정층은 상기 제1 및 제2 기판 사이에 형성된다. 상기 차단막은 상기 제1 기판과 제1 배향막 사이와 상기 제2 기판과 제2 배향막 사이 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 액정층으로 불순물 및 정전기가 유입되는 것을 차단한다. 상기 차단막은 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 갖는 고분자 물질을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법은 다음의 단계들을 포함한다. 제1 및 제2 기판을 준비한다. 상기 제1 및 제2 기판상에 각각 제1 및 제2 배향막을 형성한다. 상기 제1 및 제2 기판을 마주보도록 합착하고 그 사이에 액정층을 형성한다. 상기 제1 및 제2 기판을 준비함에 있어서, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 중 적어도 하나의 기판상에 상기 액정층으로 불순물 및 정전기가 유입되는 것 을 차단하는 차단막을 형성하며, 상기 차단막은 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 가지며 폴리스틸렌술폰산 주사슬에 아닐린 단위체를 그래프트화 반응시켜 그래프트 공중합된 수용성 폴리아닐린 그래프트 공중합체를 갖는 고분자 물질을 포함한다.
상기 차단막을 형성하는 것은 다음의 단계들을 포함한다. 상기 고분자 물질을 수용액에 용해시킨다. 상기 수용액에 상기 점토계 물질을 혼합한다. 상기 혼합 용액에 경화제를 첨가한다. 상기 경화제가 첨가된 혼합 용액을 상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 하나의 기판상에 도포한다.
상기한 실시예들에 따르면, 상기 차단막이 정전기와 불순물을 차단하여 고화질의 영상이 표시될 수 있다. 격벽 패턴이 물리적 및 화학적으로 작용하여 상기 실런트 패턴에 의해 상기 표시 영역이 오염되는 것을 방지한다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 다만 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 또한 하기 실시예와 함께 제시된 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 크기는 명확한 설명을 강조하기 위해서 간략화되거나 다소 과장되어진 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시판의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10)과 차단막(20)이 구비된다. 기판(10)은 표시장치에 사용되는 것으로, 예컨대 액정표시장치용 표시판인 경우 유리나 플라스틱 재질의 투명 절연 기판이 된다. 표시장치는 외부로 영상이 표시되는 기판과 상기 영상이 표시되는 기판에 대향되는 기판을 포함하는데, 상기 기판(10)은 표시장치에 구비되는 상기 영상이 표시되는 기판이나 대향 기판 중 어느 하나에 해당된다.
차단막(20)은 고분자 물질과 상기 고분자 물질에 분사된 점토계 물질을 포함한다. 차단막(20)은 상기 고분자 물질과 점토계 물질을 통하여 정전기 및 불순물로 인한 표시장치의 오동작을 방지한다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 차단막에 있어서 정전기에 의한 오동작 방지 과정을 설명하는 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 기판(10)의 소정 영역에서 정전기가 발생되어 다량의 전하(30)들이 유입된다. 상기 정전기는 여러가지 원인들에 의해 발생된다. 예컨대, 사용자가 컴퓨터 모니터로 사용되는 표시장치의 화면을 손가락으로 누르게 되면, 정전기가 발생되어 기판(10)에 유입될 수 있다.
또는 액정표시장치에 있어서는 제조 과정 중에 다음과 같이 정전기가 발생될 수 있다. 액정표시장치의 제조 과정 중에는, 기판(10)에 편광판(미도시)이 부착된다. 편광판은 보호필름이 부착된 상태에서 이송되며, 상기 보호필름을 박리한 후 기판(10)에 부착된다. 상기 박리 과정에서 정전기가 발생되며, 상기 정전기에 의한 다량의 전하(30)들이 편광판으로부터 기판(10)에 유입된다. 전하(30)들은 불필요한 전기장을 형성하여 표시장치의 오동작을 유발할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 전하(30)들은 차단막(20) 내부에서 확산되며 차단막(20) 외부로 이동하지 못한다. 이는 차단막(20)에 포함된 전도성의 고분자 물질에 의한 것이다. 즉, 상기 전도성의 고분자 물질에 의해 차단막(20)은 소정의 전도성을 갖게 되고, 이로 인하여 전하(30)들은 차단막(20) 내부에서 이동하면서 확산된다. 전하(30)들은 차단막(20)의 외부나 기타 차단막(20)에 인접한 다른 막으로 이동하지 못하며 실질적으로 차단막(20)의 내부에 제한된다. 따라서 정전기에 의한 전하(30)들이 표시장치의 오동작을 유발하는 것을 방지할 수 있다.
차단막(20)에 포함된 전도성 고분자 물질은 폴리스틸렌술폰산 주사슬에 아닐린단위체를 그래프트화 반응시켜 그래프트 공중합된 것이다. 즉, 차단막(20)은 폴리스틸렌술폰산그래프트폴리아닐린(polystyrene sulfonic acid-g-polyaniline; 이하 'PSSA-g-PANI'이라 명명)을 포함하며, 이는 수용성으로 다음의 화학식1로 표시될 수 있다.
<화학식1>
Figure 112006050198081-PAT00002
상기한 PSSA-g-PANI에 있어서, 폴리스틸렌술폰산의 주사슬은 폴리아닐린과 연관되지 않은 제1 부분(1)과 연관된 제2 부분(2)으로 구분된다. 제1 부분(1)은 폴리아닐린과 연관되지 않은 스틸렌술폰산에 의해 수용성을 나타낸다. 제2 부분(2)에서는 일부의 아닐린에서 질소와 결합된 수소가 술폰산의 황과 결합된 산소에 전자를 제공하면서 분극 상태를 나타내면서 전도성을 갖게 된다. 따라서 상기한 PSSA-g-PANI를 이용하면, 제1 부분(1)에 의해 수용액을 이용한 차단막(20)을 형성할 수 있고, 상기 차단막(20)은 제2 부분(2)에 의해 전도성을 갖게 된다.
차단막(20)은 다음의 화학식2로 표시되는 에틸트리메톡시실레인을 미량 더 포함할 수 있다.
<화학식2>
Figure 112006050198081-PAT00003
또는 차단막(20)은 다음의 화학식3으로 표시되는 테트라에틸오소실리케이트를 미량 더 포함할 수 있다.
<화학식3>
Figure 112006050198081-PAT00004
상기 에틸트리메톡시실레인이나 테트라에틸오소실리케이트는 차단막(20)이 수용액 상태에서 고체 상태의 막으로 경화되도록 작용한다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 차단막에 있어서 불순물에 의한 오염 방지 과정을 설명하는 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(10)의 소정 영역에서 불순물(40)이 발생되어 차단 막(20)으로 이동한다. 불순물(40)은 기판(10)의 외부에서 유입되거나 또는 기판(10)에 대한 공정 진행 중에 공정에 따른 반응 부산물로서 발생되는 등, 여러가지 원인들에 의해 발생된다. 특히, 액정표시장치는 컬러필터나 오버코트막과 같은 포토레지스트 성분의 막을 포함하는데, 상기 포토레지스트는 고분자 수지와 유기 용매 및 광에 반응하는 감광성 화합물을 포함하여 이러한 복잡한 화합물에서 불순물이 발생될 수 있다. 상기 불순물은 기체, 액체, 고체 상태일 수 있다.
도 3b는 도 3a의 'A' 부분에 대한 확대 평면도이고, 도 3c는 'A' 부분에 대한 확대 단면도이다.
도 3b를 참조하면, 차단막(20)은 점토계 물질을 포함하며 상기 점토계 물질은 판상 구조를 갖는 복수의 층(25)들로 이루어진다. 상기 판상의 층(25)들은 상호간에 분리되어 상기 차단막(20) 내부의 전도성 고분자 물질에 분산되어 있다. 판상의 층(25)은 약 1 나노미터 두께이며 상기 전도성 고분자 물질에 분산되므로, 상기 전도성 고분자 물질과 점토계 물질은 고분자 - 점토 나노 복합체를 구성한다.
도 3c를 참조하면, 차단막(20)의 내부에 분산된 판상의 층(25)들은 오염물(40)의 이동을 방해한다. 오염물(40)은 판상의 층(25)들에 의해, 차단막(20)을 통과하지 못하거나 극히 일부만이 통과할 수 있다. 따라서 오염물(40)이 차단막(20)을 통과하여 표시장치의 동작에 오동작을 유발하는 것을 방지할 수 있다.
상기 점토계 물질은 나트륨 이온(Na+), 마그네슘 이온(Mg+), 칼슘 이온(Ca2 +)과 같은 다양한 무기 양이온을 포함하며, 상기 판상의 층(25)들은 상기 무기 양이 온과의 정전기적 결합을 통하여 강하게 적층된다. 상기 점토계 물질은 몬트모릴로나이트(montmorillonite), 벤토나이트(bentonite), 헥토라이트(hectorite), 플루오로헥토라이트(fluorohectorite), 사포나이트(saponite), 베이델라이트(beidelite), 논트로나이트(nontronite), 스티븐사이트(stevensite), 버미큘라이트(vermiculite), 볼콘스코이트(volkonskoite), 마가다이트(magadite), 케냐라이트(kenyalite) 중 어느 하나로부터 형성될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도이다.
도 4a를 참조하면, 서로 마주보는 제1 및 제2 기판(100,200)이 구비된다. 제1 기판(100)상에는 행 방향의 게이트 라인(110)들과 열 방향의 데이터 라인(140)들이 서로 절연된 상태로 교차한다. 게이트 라인(110)들과 데이터 라인(140)들이 교차하면서 화소 영역들이 정의된다. 화소 영역들은 모두 동일한 구조를 갖는다.
각 화소 영역에는 박막 트랜지스터(400)와 화소 전극(160)이 형성된다. 박막 트랜지스터(400)는 게이트 전극(111)과 소오스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함한다. 게이트 전극(111)은 게이트 라인(110)으로부터 분기되어 형성된다. 소오스 전극(141)은 데이터 라인(140)으로부터 분기되어 형성된다. 드레인 전극(142)은 소오스 전극(141)과 마주보며 화소 전극(160)에 전기적으로 연결된다. 화소 전극(160)은 화소 영역에서 박막 트랜지스터(400)를 제외한 대부분의 영역을 차지한다.
제2 기판(200)에는 화소 전극(160)에 대응되는 공통 전극(230)이 형성된다.화소 전극(160)과 공통 전극(230)은 상호 작용하여 제1 및 제2 기판(100,200)사이 에 전기장을 형성한다.
도 4b는 도 4a의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 취해진 단면도이다.
도 4b를 참조하면, 제1 기판(100)상에는 게이트 전극(111)이 형성된다. 게이트 전극(111)상에는 게이트 절연막(120)이 형성되며 게이트 절연막(120)은 제1 기판(100)의 전면을 덮는다. 게이트 절연막(120)상에는 반도체 패턴(130)이 형성된다. 반도체 패턴(130)은 일체로 형성된 액티브 패턴(131)과 두 부분으로 분리된 오믹 콘택 패턴(132)을 포함한다. 반도체 패턴(130)상에는 상호 이격되며 서로 마주보는 소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)이 형성된다. 오믹 콘택 패턴(132)과 소오스 전극(141) 및 드레인 전극(142) 사이에 노출된 액티브 패턴(131)은 박막 트랜지스터(400)의 작동시 채널이 형성되는 채널 영역에 해당된다.
소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)상에는 상기 채널 영역을 보호하기 위한 보호막(150)이 형성된다. 보호막(150)에는 드레인 전극(142)의 일부를 노출하는 콘택홀(150h)이 형성된다. 보호막(150)상에는 화소 전극(160)이 형성되며, 화소 전극(160)은 콘택홀(150h)을 통하여 드레인 전극(142)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(160)상에는 제1 차단막(170)과 제1 배향막(180)이 형성된다.
제2 기판(200)상에는 차광 패턴(210)과 컬러필터(220)가 형성된다. 차광 패턴(210)은 화소 영역들간의 경계에 해당하는 부분 및 박막 트랜지스터(400)를 커버하도록 형성되며, 이를 제외한 영역에서는 개구된다. 차광 패턴(210)은 화소 전극(160)에서 제어되지 않은 광이 투과하는 것을 차단한다. 컬러필터(220)는 차광 패턴(210)에서 개구된 부분을 채우도록 형성된다. 컬러필터(220)는 컬러 영상을 표 시할 수 있도록 광의 삼원색에 해당하는 청색/녹색/적색의 필터를 포함한다. 컬러필터(220)상에는 컬러필터(220)를 보호하고 제2 기판(200)을 평탄화하기 위한 오버코트막(미도시)이 추가될 수 있다.
컬러필터(220) 또는 상기 오버코트막상에는 공통 전극(230)이 형성된다. 공통 전극(230)상에는 제2 차단막(240)과 제2 배향막(250)이 형성된다. 제1 및 제2 배향막(180,250)의 사이에는 액정(301)이 배열된 액정층(300)이 개재된다. 액정(301)의 초기 배열 방향은 제1 및 제2 배향막(180,250)에 의해 조절될 수 있다.
액정표시장치의 동작시, 게이트 라인(110)으로 게이트 온 신호가 인가되면 박막트랜지스터(400)가 턴온된다. 또한 데이터 라인(140)으로는 영상 정보에 따른 데이터 신호가 전달되어 화소 전극(160)으로 인가된다. 동시에 공통 전극(230)에는 공통전압이 인가되며, 화소 전극(160)과 공통 전극(230)에 인가된 전압차에 따른 전기장이 액정층(300)에 작용한다. 액정(301)은 유전율 이방성을 가지며 상기 전기장에 의해 그 배열 방향이 변경된다. 액정(301)은 굴절율 이방성을 가지며 그 배열 방향에 대응되는 투과율을 나타내면서 영상이 표시된다.
위와 같은 동작에 있어서, 액정층(300)은 각종 불순물에 노출되어 오염될 수 있는데, 액정(301)이 오염되면 액정표시장치의 동작시 외부에 표시되는 영상의 화질이 저하될 수 있다. 액정(301)을 오염시키는 오염원 중 하나로 컬러필터(220)가 있다. 컬러필터는 안료를 포함하는 컬러 포토레지스트를 패터닝하여 형성될 수 있다. 앞서 살핀 바와 같이, 포토레지스트는 고분자 수지, 유기 용매, 감광성 화합물을 포함하는 화합물로서 다양한 화학 성분을 포함하고 있어, 이들로부터 불순물이 발생될 수 있다.
제1 및 제2 차단막(170,240)은 판상의 층들을 갖는 점토계 물질을 포함하며, 상기 판상의 층들이 제1 및 제2 차단막(170,240)내에서 분산되어 분포한다. 상기 판상의 층들은 불순물의 이동을 차단하여, 상기 불순물들이 제1 및 제2 차단막(170,240)을 통과하면서 액정층(300)을 오염시키는 것을 방지한다. 앞서 살핀 바와 같이, 상기 점토계 물질은 몬트모릴로나이트를 포함하는 다양한 광물로부터 제조되며 또한 나트륨 이온과 같은 무기 양이온을 포함할 수 있다.
액정표시장치의 동작에 있어서, 정전기가 발생되어 제1 및 제2 기판(100,200)으로부터 다량의 전하들이 액정층(301)에 유입될 수 있다. 상기 전하들이 유입되면, 액정층(301)에 작용하는 전기장의 세기가 달라지면서 액정표시장치의 동작상 오류가 발생될 수 있다.
제1 및 제2 차단막(170,240)은 전도성을 갖는 고분자 물질을 포함하며, 정전기에 의해 유입된 전하들을 내부에서만 확산되도록 작용한다. 그 결과, 상기 전하들은 제1 및 제2 차단막(170,240)의 내부에만 존재하며 액정층(300)으로 이동하지 못한다. 앞서 살핀 바와 같이, 상기 전도성 고분자 물질은 폴리스틸렌술폰산 주사슬에 아닐린단위체를 그래프트화 반응시켜 그래프트 공중합된 수용성 폴리아닐린 그래프트 공중합체를 포함한다. 즉, 상기 고분자 물질은 화학식1로 표시되는 PSSA-g-PANI으로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 배항막(180,250)의 두께가 너무 두꺼우면, 화소 전극(160)과 공통 전극(230)으로부터 액정(301)에 작용하는 전기장의 세기가 약화될 수 있다. 또 한 제1 및 제2 배항막(180,250)의 두께가 너무 두꺼우면 균일한 두께를 갖지 못하여 액정(301)을 균일하게 배열할 수 없다. 이러한 점을 감안하여, 제1 및 제2 배향막(180,250)은 1000Å 정도의 두께를 갖도록 형성된다. 제1 및 제2 차단막(170,240)은 제1 및 제2 배향막(180,250)에 대응되도록 500 ~ 2000Å 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
제1 및 제2 차단막(170,240)이 모두 형성되어야 하는 것은 아니며, 필요에 따라 제1 및 제2 차단막(170,240) 중 어느 하나만이 형성될 수도 있다. 예컨대, 액정표시장치에 있어서 불순물에 의한 오염이 주로 제2 기판(200)에 형성된 컬러필터(222)에 의한 것임을 감안하여, 제1 차단막(170)을 생략하고 제2 차단막(240)만을 형성할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 도 4b의 차단막에서 고분자 물질의 조성에 따른 전도도 특성을 나타낸 그래프이다.
제1 및 제2 차단막(170,240)에 포함된 PSSA-g-PANI는 스틸렌술폰산과 아미노스틸렌의 공중합체를 아닐린과 반응시켜 제조될 수 있다. 도 5a와 도 5b는 각각 상기 스틸렌술폰산과 아미노스틸렌과의 공중합체 전체에서 아미노스틸렌이 차지하는 함량이 1.2몰%인 경우와 8.0몰%인 경우를 나타낸다. 도 5a 및 도 5b에서 가로축은 상기 스틸렌술폰산과 아미노스틸렌과의 공중합체에 반응하는 아닐린의 몰%를 나타내며, 세로축은 상기 반응하는 아닐린의 함량에 따른 전도도를 나타낸다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 반응하는 아닐린이 증가될수록 전도도가 증가된다. 다만 일정 수준의 전도도, 예컨대 10-3S/cm의 전도도를 나타내는데 필요한 상기 반응하는 아닐린은 각각 45몰%와 34몰%로서 서로 상이하다.
위와 같이, PSSA-g-PANI를 제조함에 있어서, 상기 스틸렌술폰산과 아미노스틸렌과의 공중합체에서 아미노스틸렌이 차지하는 함량을 조절하거나 상기 스틸렌술폰산과 아미노스틸렌과의 공중합체에 반응하는 아닐린의 함량을 조절함으로써 전도도가 조절될 수 있다. 액정표시장치에서 발생되는 정전기에 의한 오동작을 발생하려면 10-9 ~ 10-1 S/cm의 전도도를 갖는 것이 바람직하다.
도 6a 내지 도 6f는 도 4b에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 설명하는 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 제1 기판(100)상에 게이트 도전막을 형성한 후 이를 패터닝하여 게이트 전극(111)을 형성한다. 게이트 전극(111)상에 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 게이트 절연막(120)과 반도체막을 형성한다. 반도체막을 패터닝하여 반도체 패턴(130)을 형성한다. 반도체 패턴(130)상에 데이터 도전막을 형성한 후 이를 패터닝하여 소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)을 형성한다. 반도체 패턴(130)은 액티브 패턴(131)과 오믹 콘택 패턴(132)을 포함하며, 오믹 콘택 패턴(132)은 소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)을 따라 분리되도록 추가로 식각된다.
소오스 전극(141)과 드레인 전극(142)상에 게이트 절연막(120)과 동일한 방법으로 보호막(150)을 형성한다. 보호막(150)은 드레인 전극(142)을 노출하는 콘택 홀(150h)을 갖도록 패터닝된다. 패터닝된 보호막(150)상에 산화아연인듐(IZO)이나 산화주석인듐(ITO)을 이용한 투명 도전막을 증착한 후 이를 패터닝하여 화소 전극(160)이 형성된다.
도 6b를 참조하면, 화소 전극(160)상에 제1 차단막(170)이 형성된다. 제1 차단막(170)은 수용액 상태의 물질을 제1 기판(100)의 전면에 스핀 코팅 방법으로 도포하여 형성된다. 상기 제1 차단막(170) 형성에 관한 보다 상세한 공정은 후술한다.
도 6c를 참조하면, 제1 차단막(170)상에 제1 배향막(180)을 형성한다. 제1 배향막(180)은 배향 안정성, 내구성, 생산성이 우수한 폴리이미드 계열의 고분자 화합물로 형성된다. 상기 폴리이미드계 화합물은 희석된 저농도 용액 상태에서 스핀 코팅 또는 프린팅 방법으로 제1 차단막(170)상에 도포되며, 열처리를 통하여 액체 성분이 증발되면 제1 배향막(180)이 형성된다.
도 6d를 참조하면, 제2 기판(200)상에 차광 패턴(210)과 컬러필터(220)가 형성된다. 차광 패턴(210)은 제2 기판(200)상에 포토레지스트 성분의 차광막을 도포한 후, 상기 차광막을 패터닝하여 형성된다. 패터닝시 상기 차광막에 대한 노광 및 현상이 진행되며, 화소 영역에 대응되는 영역에 도포된 차광막이 상기 현상시 제거된다.
컬러필터(220)는 제2 기판(200)상에 컬러 포토레지스트막을 도포한 후, 상기 컬러 포토레지스트막을 패터닝하여 형성된다. 컬러필터(220)는 상기 차광막의 패터닝시 상기 차광막이 제거된 영역을 채우며, 상기 컬러 포토레지스트막에 대한 패터 닝은 적색/녹색/청색에 대해 3회 실시된다. 컬러필터(220)상에 투명 도전막을 증착하여 공통전극(230)이 형성된다.
도 6e를 참조하면, 공통전극(230)상에 제2 차단막(240)과 제2 배향막(250)이 형성된다. 제2 차단막(240)은 제1 차단막(170)과 동일한 방법으로 형성되며, 제2 배향막(250)은 제1 배향막(180)과 동일한 방법으로 형성된다.
도 6f를 참조하면, 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 형성한다. 액정층(300)은 주입 방법 또는 적하 방법에 의해 형성될 수 있다. 제1 및 제2 기판(100,200)을 서로 마주보도록 정렬하고 압착하여 합착한다.
도 7a 내지 도 7e는 도 6b의 제1 차단막을 형성하는 과정을 설명하는 도면들이다.
도 7a를 참조하면, 고분자 물질이 용해된 수용액(171)이 담긴 용기(500)에 점토계 물질(172)을 혼합한다. 상기 고분자 물질은 화학식1로 표시되는 PSSA-g-PANI가 사용된다. 앞서 살핀 바와 같이, 상기 PSSA-g-PANI는 폴리아닐린과 연관되지 않은 스틸렌술폰산에 의해 수용성을 나타낸다. 점토계 물질(172)은 몬트모릴로나이트를 포함하는 다양한 광물로부터 제조되며 나트륨 이온과 같은 무기 양이온을 포함할 수 있다. 점토계 물질(172)은 약 1 나노미터 정도의 두께를 갖는 판상의 층들을 갖는 입자들로 가공된다.
점토계 물질(172)은 수용액(171)에 대해 5 ~ 20%의 중량비로 혼합된다. 점토계 물질(172)이 지나치게 많으면 상기 수용액(171)에 포함된 고분자 물질의 물성을 변화시킬 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 혼합 용액(173)을 섞어주면서 점토계 물질(172)에 포함된 판상의 층(172a)들이 혼합 용액(173)에서 분산되도록 한다. 앞서 살핀 바와 같이, 판상의 층(172a)들은 무기 양이온과의 정전기적 결합을 통하여 강하게 적층되어 용이하게 분산되지 않는다. 이 경우, 혼합 용액(173)에 초음파를 적용하여 상기 판상의 층(172a)들이 보다 용이하게 분산되도록 할 수 있다. 판상의 층(172a)들이 분산된 혼합 용액(173)은 여러가지 형태로 사용될 수 있다. 예컨대, 혼합 용액(173)에서의 침전물이 사용될 수도 있고, 또는 막 형성을 위해 다음과 같이 용액 상태로서 사용될 수도 있다.
도 7c를 참조하면, 혼합 용액(173)에 미량의 경화제(174)를 첨가한다. 경화제(174)는 화학식2나 화학식3으로 표시되는 에틸트리메톡시실레인 또는 테트라에틸오소실리케이트가 사용될 수 있다. 경화제(174)는 혼합 용액(173)에 대해 0.2 ~ 1%의 중량비로 소량 첨가된다.
도 7d를 참조하면, 제1 기판(100)상에 경화제가 첨가된 혼합 용액(175)을 도포한다. 제1 기판(100)은 스테이지(610)상에 안착되며, 디스펜서(620)를 이동하면서 제1 기판(100)상에 경화제가 첨가된 혼합 용액(175)을 도포한다. 상기한 도포 는 다양한 방식이 적용될 수 있으며, 예컨대 제1 기판(100)이 회전하면서 경화제가 첨가된 혼합 용액(175)을 도포하는 회전 도포 방식이 적용될 수도 있다.
도 7e를 참조하면, 열처리를 통하여 경화제가 첨가된 혼합 용액(175)에서 액체 성분을 증발시키면, 경화제(174)의 작용으로 제1 차단막(170)이 형성된다. 제1 차단막(170)에 노즐(640)을 통하여 세정액(650)을 분사하면서 제1 차단막(170)을 세정한다.
도 7a 내지 도 7e를 참조하여 살핀 방법과 동일한 방법으로, 도 6e에 도시된 것과 같은 제2 차단막(240)을 형성할 수 있다.
이상 예시적인 관점에서 몇 가지 실시예를 살펴보았지만, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 기판상에 차단막을 적용하여 불순물에 의한 오염과 정전기로 인한 표시장치의 오동작이 방지될 수 있다.

Claims (20)

  1. 영상을 표시하는 표시장치용 기판; 및
    상기 기판상에 형성되며, 상기 기판으로부터의 불순물 및 정전기를 차단하는 차단막을 포함하고,
    상기 차단막은 상기 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 갖는 다음의 화학식으로 표시되는 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시판.
    Figure 112006050198081-PAT00005
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 판상 구조를 갖는 복수의 층들로 이루어지며, 상기 판상의 층들은 상호간에 분리되어 상기 고분자 물질내에 분산된 것을 특징으로 하는 표시판.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 몬트모릴로나이트, 벤토나이트, 헥토라이트, 플루오로헥토라이트, 사포나이트, 베이델라이트, 논트로나이트, 스티븐사이트, 버미큘라이트, 볼콘스코이트, 마가다이트, 케냐라이트 중 어느 하나로부터 형성된 것을 특징으로 하는 표시판.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 차단막은 에틸트리메톡시실레인 또는 테트라에틸오소실리케이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시판.
  5. 서로 마주보는 제1 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 제2 기판상에 각각 형성된 제1 및 제2 배향막;
    상기 제1 및 제2 기판 사이에 형성된 액정층; 및
    상기 제1 기판과 제1 배향막 사이와 상기 제2 기판과 제2 배향막 사이 중 적어도 하나에 형성되며, 상기 액정층으로 불순물 및 정전기가 유입되는 것을 차단하는 차단막을 포함하고,
    상기 차단막은 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 갖는 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 판상 구조를 갖는 복수의 층들로 이루어지며, 상기 판상의 층들은 상호간에 분리되어 상기 고분자 물질내에 분산된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 몬트모릴로나이트, 벤토나이트, 헥토라이트, 플루오로헥토라이트, 사포나이트, 베이델라이트, 논트로나이트, 스티븐사이트, 버미큘라이트, 볼콘스코이트, 마가다이트, 케냐라이트 중 어느 하나로부터 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 고분자 물질은 폴리스틸렌술폰산 주사슬에 아닐린단위체를 그래프트화 반응시켜 그래프트 공중합된 수용성 폴리아닐린 그래프트 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 수용성 폴리아닐린 그래프트 공중합체는 다음의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
    Figure 112006050198081-PAT00006
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 차단막은 에틸트리메톡시실레인 또는 테트라에틸오소실리케이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  11. 제 5항에서 있어서,
    상기 차단막은 10-9 ~ 10-1 S/cm의 전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  12. 제 5항에서 있어서,
    상기 차단막은 500 ~2000 Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  13. 제1 및 제2 기판을 준비하는 단계;
    상기 제1 및 제2 기판상에 각각 제1 및 제2 배향막을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 기판을 마주보도록 합착하고 그 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 기판을 준비하는 단계는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 중 적어도 하나의 기판상에 상기 액정층으로 불순물 및 정전기가 유입되는 것을 차단하는 차단막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 차단막은 불순물이 지나가는 것을 차단하는 점토계 물질과, 상기 정전기가 내부에서 확산되도록 전도성을 가지며 폴리스틸렌술폰산 주사슬에 아닐린 단위체를 그래프트화 반응시켜 그래프트 공중합된 수용성 폴리아닐린 그래프트 공중합체를 갖는 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 수용성 폴리아닐린 그래프트 공중합체는 다음의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
    Figure 112006050198081-PAT00007
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 차단막을 형성하는 단계는,
    상기 고분자 물질을 수용액에 용해시키는 단계;
    상기 수용액에 상기 점토계 물질을 혼합하는 단계;
    상기 혼합 용액에 경화제를 첨가하는 단계; 및
    상기 경화제가 첨가된 혼합 용액을 상기 제1 및 제2 기판 중 적어도 하나의 기판상에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 판상 구조를 갖는 복수의 층들로 이루어지며,
    상기 점토계 물질을 혼합한 후 초음파를 적용하여 상기 혼합 용액을 섞어주면서 상기 판상의 층들을 분산시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 몬트모릴로나이트, 벤토나이트, 헥토라이트, 플루오로헥토라이트, 사포나이트, 베이델라이트, 논트로나이트, 스티븐사이트, 버미큘라이트, 볼콘스코이트, 마가다이트, 케냐라이트 중 어느 하나로부터 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 점토계 물질은 상기 수용액에 대해 5 ~ 20%의 중량비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 경화제는 에틸트리메톡시실레인 또는 테트라에틸오소실리케이트인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 에틸트리메톡시실레인 또는 테트라에틸오소실리케이트는 상기 혼합 용액에 대해 0.2 ~ 1%의 중량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60029205T2 (de) * 1999-02-15 2007-06-06 Dsm Ip Assets B.V. Harzzusammensetzung und gehärtetes produkt
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
US7511217B1 (en) * 2003-04-19 2009-03-31 Nanosolar, Inc. Inter facial architecture for nanostructured optoelectronic devices
KR100534288B1 (ko) * 2003-07-25 2005-12-08 재단법인서울대학교산학협력재단 신규한 폴리아닐린 그래프트 공중합체

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