KR20070120008A - 불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법, 전원 관리 유닛 - Google Patents

불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법, 전원 관리 유닛 Download PDF

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KR20070120008A
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챈 밍-다
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에이-데이타 테크놀로지 캄파니 리미티드
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Abstract

메모리 유닛 자체의 식별 코드로 제어 신호를 발생하고, 전원 관리 유닛안에서의 전원 제어 및 스위칭 회로가 제어 신호 및 외부 전압의 전압 레벨에 근거하여 제 2 승압 회로를 제어하고 외부 전압의 전압 레벨을 상승시키고, 제 2 항압 회로를 제어하고 외부 전압의 전압 레벨을 일정한 전압 또는 전압 강하시키어 메모리 유닛의 동작에 필요한 전압 레벨에 맞춰, 다른 사양의 메모리 유닛을 지원할 수 있는 불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법에 대한 것이 개시된다.
불휘발성 기억 장치, 전원 관리 유닛, 식별 코드

Description

불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법, 전원 관리 유닛{Non-volatile memory storage apparatus and method for controlling the apparatus, power management unit}
도 1은 종래기술에 따른 전원 관리 유닛의 블록도.
도 2는 본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치를 나타내는 블록도.
도 3은 본 발명에 따른 전원 관리 유닛을 나타내는 블록도.
도 4는 본 발명에 따른 메모리 유닛을 식별하고 제 2 사용 전압을 조정하는 방법을 설명하기 위한 흐름도.
<도면의 주요부분에 대한 기호의 설명>
10 : 어플리케이션 장치 20 : 불휘발성 기억 장치
21 : 기억 컨트롤러 22 : 메모리 유닛
110, 210 : 전원 관리 유닛 111 : 항압 회로
112 : 승압 회로 114 : 전압 센서
211 : 제 1 항압 회로 212 : 제 2 승압 회로
213 : 제 2 항압 회로 214 : 전압 검출 회로
215 : 전원 제어 및 스위칭 회로
220 : 제어 유닛 221 : 시스템 인터페이스
222 : 데이터 처리 장치 223 : 메모리 인터페이스
VOP1 : 제 1 사용 전압 VOP2 : 제 2 사용 전압
Vs : 외부 전압 Vc : 제어 신호
본 발명은 기억 장치 즉, 메모리 소자에 대한 것으로서, 불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법에 대한 것이다.
기억 장치의 집적화에 따라 불휘발성 기억 장치 예를 들면, 메모리 카드는 그 응용이 널리 확산되고 있으며, 휴대식 장치(portable device)에 까지 보급되고 있다.
휴대식의 응용 예를 들면, 휴대 전화(mobile phone)에 대한 소비자의 요구에 부응하기 위하여 이러한 메모리 기억 장치의 체적과 전력 소비량이 감소하게 되고, 제품 체적이 줄고 전지 사용시간을 길게 늘릴 수 있는 기억 장치일수록 사용자의 요구에 부응한다고 할 수 있다.
이러한 시대의 흐름에 부응하기 위하여, 본원 발명은 메모리 기억 장치의 전원 공급 전압을 조정할 수 있는 기능을 갖고, 나아가 인터페이스 신호 레벨(interface supply voltage)을 조정할 수 있는 기억 장치를 제안하고자 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 전원 관리 유닛의 블록도이다.
전원 관리 유닛(110)은 전압 센서(114)내 고유의 검출 전압에 근거하여, 승압 회로(112)가 공급 전압을 승압시키고, 항압 회로(111)는 공급 전원을 항압시키거나 압력 강하하도록 제어하고, 메모리 유닛(미도시)이 이러한 동작이 수행되도록 하여 준다.
상기 검출 전압은 메모리 유닛의 최소 사용 전압 보다 높고, 그의 사용전압 Vdd 보다 낮다. 메모리 유닛 각강느 모두 그 특유한 사용 전압 영역이 있기 때문에, 전원 관리 유닛(110)이 고유의 검출 전압만으로 근거하고, 외부 전압 VEXT를 조정할 수 있고, 또한 불휘발성 메모리 기억 장치 내에 다른 사양의 메모리 유닛을 이용할 때에는 전원 관리 유닛(110)은 다른 사양의 메모리 유닛을 지원할 수 없다는 문제점이 있다.
이러한 사항으로 인하여, 불휘발성 메모리 기억 장치의 응용 범위가 한정되어 버리는 문제점이 발생한다.
본 발명은 불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법에 대한 것이고, 메모리 유닛 자체의 식별 코드로 제어 신호를 발생하고, 전원 관리 유닛이 제어 신호 및 외부 전압의 전압 레벨에 근거하여 외부 전압의 전압 레벨을 조정하여 메모리 유닛에 필요한 전압 레벨에 맞춰 이렇게 다른 사양의 메모리 유닛을 지원할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치는 어플리케이션 장치가 출력한 외부 전압을 공급받고, 제어 신호에 근거하여 상기 외부 전압을 조정하여 제 1 사용 전압 및 제 2 사용 전압을 출력하는 전원 관리 유닛과, 상기 전원 관리 유닛에 접속되고, 상기 제 2 사용 전압을 공급받아 디지털 정보를 저장하기 위한 메모리 유닛과, 상기 전원 관리 유닛 및 메모리 유닛에 접속되어, 상기 제 1 사용 전압을 받아 내부 기능을 시동시키고, 상기 외부 전압을 공급받아 상기 어플리케이션 장치와의 사이에서 전송하는 외부 신호의 전압 레벨을 조정하고, 상기 제 2 사용 전압을 받아 상기 메모리 유닛과의 사이에서 전송하는 내부 신호의 전압 레벨을 조정하는 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은 상기 메모리 유닛내에 포함되어 있는 식별 코드에 근거하여, 상기 제 2 사용 전압을 상기 메모리 유닛의 수요에 맞도록 상기 제어 신호를 전송하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 메모리 인터페이스는 상기 메모리 유닛에 접속되어, 내부 기준 전압으로서 제 2 사용 전압을 공급받고, 내부 신호의 전압 레벨을 제 2 사용 전압의 전압 레벨에 맞추는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전압 관리 유닛은 이중 인터페이스 신호 레벨의 불휘발성 기억 장치의 상기 전원 관리 유닛이고, 제어 신호 및 검출 신호에 근거하여, 상기 불휘발성 기억 장치에서의 메모리 유닛의 수요에 맞도록, 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨을 결정하는 전원 제어 및 스위칭 회로와, 상기 불휘발성 기억 장치의 전원 공급 전압을 상기 불휘발성 기억 장치에 접속한 어플리케이션 장치와의 사이에 전송하는 외부 신호의 기준 전압 레벨에 조정하는 항압 회로와, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로의 제어에 따라 상기 전원 공급 전압을 상기 불휘발성 기억 장치에 접속한 메모리 유닛과의 사이에 전송하는 내부 신호의 기준 전압 레벨에 조정하 는 다른 항압 회로를 갖는 2개의 항압 회로와, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로의 제어에 따라 상기 전원 공급 전압을 상기 내부 신호의 기준 전압 레벨에 조정하는 승압 회로와, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로에 접속되어, 상기 전원 공급 전압의 전압 레벨을 검출하고, 검출 신호를 발생하는 전압 검출 회로를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치의 제어 방법은 불휘발성 기억 장치의 외부 전압을 조정하고, 데이터를 연산하기 위하여 제 1 사용 전압을 발생하여 이를 상기 불휘발성 기억 장치에 공급하는 단계와, 상기 불휘발성 기억 장치의 메모리 유닛내의 식별 신호를 받아, 외부 전압을 조정하여 내부 신호의 전압 레벨을 조정하고 디지털 정보를 기억하기 위하여 제 2 사용 전압을 발생하고, 이를 상기 불휘발성 기억 장치에 제공하는 단계와, 상기 외부 전압에 근거하여, 상기 외부 전압의 전압 레벨에 맞추도록 상기 불휘발성 기억 장치로부터 출력한 상기 외부 신호의 전압 레벨을 조정하는 단계와, 상기 제 2 사용 전압에 근거하여, 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨에 맞도록 상기 불휘발성 기억 장치로부터 전송한 상기 내부 신호의 전압 레벨을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 외부 전압이 상기 조작 범위보다 작은 경우에는 상기 외부 전압의 전압 레벨을 상승시키고, 상기 외부 전압이 상기 조작 범위보다 큰 경우에는 상기 외부 전압의 전압 레벨을 강하시키고, 상기 외부 전압이 상기 조작 범위 내인 경우에는 상기 외부 전압의 전압 레벨을 안정화시키는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 메모리 유닛 및 제어 유닛에 상기 불휘발성 기억 장치가 지원하는 상기 불휘발성 기억 장치의 최소치를 주는 단계와, 상기 메모리 유닛 안의 상 기 식별 신호를 받는 단계와, 상기 식별 신호에 근거하여 상기 메모리 유닛의 종류를 정확하게 식별하는지 여부를 판단하고, 상기 제 2 사용 전압의 조정범위 내에 속하는지 여부를 판단하여 메모리 유닛의 수요에 맞추는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치의 제어 방법은 메모리 유닛 안에서 식별 신호를 받는 단계와, 상기 식별 신호에 근거하여 제어 신호를 발생하는 단계와, 상기 제어 신호 및 검출 신호에 근거하여, 불휘발성 기억 장치가 지원하는 제 2 사용 전압의 최소치를 상기 메모리 유닛 및 제어 유닛에 제공하는 단계와, 상기 메모리 유닛의 종류를 정확하게 식별하는지 여부에 의하여, 상기 외부 전압을 조정하고 제 2 사용 전압을 상기 메모리 유닛의 수요에 부합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 검출 신호에 근거하여 상기 외부 전압이 상기 메모리 유닛의 조작 범위에 부합하는지 여부를 판단하고, 승압, 전압 강하 또는 일정한 전압의 동작을 행하는지 여부를 결정하여 상기 제 2 사용 전압을 공급하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 외부 신호가 조작 범위보다 작다면, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 상승시키고, 상기 외부 전압이 상기 조작 범위보다 크다면, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 강하시키고, 상기 외부 전압이 상기 조작 범위 내에 속하게 되면, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 안정시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치에 의해서, 외부 전압을 공급받음과 동시 에 제어 신호에 근거하여 외부 전압을 조정한 후에 제 1 사용 전압 및 제 2 사용 전압을 출력하는 전원 관리 유닛과, 상기 전원 관리 유닛에 접속되어 제 2 사용 전압을 받아 디지털 정보를 기억하기 위한 메모리 유닛과, 상기 전원 관리 유닛, 메모리 유닛 및 어플리케이션 장치에 접속되어 제 1 사용 전압을 받아 내부 기능을 시동시키고, 외부 전압을 공급받아 외부 전압의 전압 레벨에 맞추도록 어플리케이션 장치와의 사이에서 전송한 외부 신호의 전압 레벨을 조정하고, 제 2 사용 전압을 받아 제 2 사용 전압의 전압 레벨에 맞도록 상기 메모리 유닛과의 사이에서 전송한 내부 신호의 전압 레벨을 조정하는 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은 상기 메모리 유닛 안의 식별 코드에 근거하여 제 2 사용 전압을 상기 메모리 유닛의 수요에 맞도록 상기 제어 신호를 제공한다.
도 2는 본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치(20)는 기억 컨트롤러(storage controller(21) 및 메모리 유닛(memory unit)(22)는 포함한다.
상기 기억 컨트롤러(21)는 불휘발성 기억 장치(20)의 외부 어플리케이션 장치(application device)(10)에 접속되어, 상기 어플리케이션 장치(10)로부터 외부 전압 Vs를 공급받아 상기 불휘발성 기억 장치(20)가 동작될 수 있도록 한다. 그리고, 상기 기억 컨트롤러(21)는 상기 어플리케이션 장치(10)와 불휘발성 기억 장치(20) 사이에서 디지털 정보의 송수신이 가능하도록 한다.
메모리 유닛(22)은 상기 기억 컨트롤러(21)에 접속되고, 상기 어플리케이션 장치(10)이 입력한 디지털 정보를 저장하기 위한 것으로서, 불휘발성 메모리 유닛 으로 이루어질 수 있다. 즉, 적어도 1개의 불휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
상기 외부 전압 Vs는 상기 불휘발성 기억 장치(20)의 전원 공급 전압이다.
상기 기억 컨트롤러(21)는 전원 관리 유닛(power management unit)(210) 및 제어 유닛(control unit)(220)을 포함한다.
상세히, 상기 전원 관리 유닛(210)은 상기 어플리케이션 장치(10)와 메모리 유닛(22) 사이에 접속되어, 상기 메모리 유닛(22)의 사양과 제어 유닛(220)이 공급한 제어 신호 Vc에 근거하여, 공급받은 외부 전압 Vs를 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 전압 레벨 즉, 제 2 사용 전압(VOP2)에 맞추도록 조정한다.
그리고, 상기 전원 관리 유닛(210)은 상기 외부 전압 Vs를 일정한(regulate) 전압으로 변환한 후 상기 제어 유닛(220)에 공급한다. 즉, 상기 전원 관리 유닛(210)은 상기 외부 전압 Vs를 상기 제어 유닛(220)의 동작에 필요한 전압 즉, 제 1 사용 전압(VOP1)으로 변환하여 이를 유지되도록 하여, 상기 제어 유닛(220)에 공급한다.
상기 제어 유닛(220)은 시스템 인터페이스(system interface)(221)와, 데이터 처리 장치(processing device)(222)와 메모리 인터페이스(memory interface)(223)를 포함한다.
상기 시스템 인터페이스(221)는 상기 어플리케이션 장치(10)에 접속되고, 상기 메모리 인터페이스(223)는 상기 메모리 유닛(22)에 접속되고, 상기 데이터 처리 장치(222)가 상기 시스템 인터페이스(221) 및 메모리 인터페이스(223)에 접속된다.
상기 데이터 처리 장치(222)는 상기 제어 유닛(220)의 제어 프로그램에 근거하여, 상기 메모리 유닛(22)과 어플리케이션 장치(10)사이의 데이터 변환을 처리한다.
제 2 사용 전압(VOP2)가 외부 전압 Vs와 다를 가능성이 있기 때문에, 상기 메모리 유닛(22)과 메모리 인터페이스(223)와의 사이에서 전송한 내부 신호의 전압 레벨(VINT)이 상기 어플리케이션 장치(10)와 시스템 인터페이스(221) 사이에서 전송된 외부 전압 레벨(VEXT)보다 클 수 있다.
외부 신호와 내부 신호의 전송시에, 상기 메모리 유닛(22)과 어플리케이션 장치(10) 각각이 내부 신호의 전압 레벨(VINT)과 외부 신호의 전압 레벨(VEXT)로 안정적으로 구동되도록 하기 위하여, 상기 제어 유닛(220)의 내부에는 기준 전압을 각각 독립적으로 다루기 위한 인터페이스가 시스템 인터페이스(221)와 메모리 인터페이스(223)로 구분되어 형성된다.
즉, 상기 시스템 인터페이스(221)는 외부 신호의 전압 레벨(VEXT)을 외부 전압 Vs의 전압 레벨에 맞추도록, 상기 어플리케이션 장치(10)가 공급하는 외부 전압 Vs에 근거하여 외부 기준 전압을 VER으로 하고, 상기 메모리 인터페이스(223)은 내부 신호의 전압 레벨(VINT)를 제 2 사용 전압(VOP2)의 전압 레벨에 맞추도록 제 2 사용 전압(VOP2)에 근거하여 내부 기준 전합을 VIR로 한다.
또한, 상기 메모리 유닛(22)은 서로 다른 사양이 사용될 수 있으며, 이 경우 상기 메모리 유닛(22) 각각에는 모두 독특한 식별 코드 즉, 메이커 또는 제품 사양에 대한 정보등을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따르면 상기 메모리 유닛(22)을 다른 불휘발성 기억 장치(20)에 적용될 수 있으며, 이 경우 불휘발성 기억 장치의 안정적인 동작이 확보될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 전원 관리 유닛을 설명하기 위한 블록도이다.
본 발명에 따른 전원 관리 유닛(210)은 제 1 항압 회로(211)와, 제 2 승압 회로(212)와, 제 2 항압 회로(213)와, 전압 검출 회로(214) 및 전원 제어 및 스위칭 회로(215)를 포함한다.
상세히, 상기 제 1 항압 회로(211)는 상기 어플리케이션 장치(10)에 접속되어, 상기 어플리케이션 장치(10)가 제공하는 외부 전압 Vs를 공급받아 상기 외부 전압 Vs의 전압 레벨을 보다 안정화(또는 강하시킴)시킴과 동시에 상기 제어 유닛(220)의 동작에 필요한 제 1 사용 전압(VOP1)을 공급한다.
상기 제 2 항압 회로(213)는 상기 어플리케이션 장치(10)에 접속되어, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)의 제어에 따라 상기 어플리케이션 장치(10)가 공급하는 외부 전압 Vs를 공급받을지 여부를 결정하며, 공급 받는 경우에 상기 외부 전압 Vs의 전압 레벨을 안정화(또는 강하)시키어, 상기 메모리 유닛(22)의 조작 및 제어 유닛(220)이 내부 신호의 전압 레벨(VINT)를 조정하기 위한 제 2 사용 전압(VOP2)를 발생한다.
상기 제 2 승압 회로(212)는 상기 어플리케이션 장치(10)에 접속되어, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)에 의하여 상기 어플리케이션 장치(10)가 공급하는 외부 전압 Vs를 공급받는지 여부가 결정된다. 그리고, 상기 외부 전압 Vs의 전압 레벨을 상승시켜 상기 메모리 유닛(22)의 동작 및 제어 유닛(220)이 내부 신호의 전압 레벨(VINT)를 조정하기 위한 제 2 사용 전압(VOP2)를 발생한다.
상기 전압 검출 회로(214)는 상기 어플리케이션 장치(10)에 접속되어, 상기 어플리케이션 장치(10)가 공급하는 외부 전압 Vs의 전압 레벨을 검출함과 동시에, 검출 신호를 발생시켜 이를 전원 제어의 기준으로서 전원 제어 및 스위칭 회로(215)에 공급한다.
상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)는 상기 제어 유닛(220) 및 메모리 유닛(22)에 접속되고, 상기 제어 유닛(220)이 입력한 제어 신호 Vc 및 전압 검출 회로(214)가 입력한 검출 신호에 근거하여, 출력하고자 하는 제 2 사용 전압(VOP2)를 상기 제 2 승압 회로(212)로부터 공급받아 출력할 것인지 아니면 상기 제 2 항압 회로(213)로부터 공급받아 출력할 것인지를 결정한다. 그리고, 상기 전원 관리 유닛(210)이 받은 외부 전압 Vs가 승압, 항압 또는 전압 강하의 여부를 결정한다.
도 4는 본 발명에 따른 메모리 유닛을 식별하고 제 2 사용 전압을 조정하는 흐름도이다.
상기 어플리케이션 장치(10)에 접속된 불휘발성 기억 장치(20)가 시동되면, 상기 어플리케이션(10)이 외부 전압 Vs를 공급하기 시작한다.(S310).
이때에, 상기 전원 관리 유닛(210)에서의 제 1 항압 회로(211)는 상기 어플 리케이션 장치(10)가 공급하는 외부 전압 Vs를 공급받음과 동시에, 상기 외부 전압 Vs를 상기 제어 유닛(220)의 동작에 필요한 제 1 사용 전압(VOP1)으로 조정하여, 상기 제어 유닛(220)이 제 1 사용 전압(VOP1)에 의하여 동작될 수 있도록 한다.
예를 들면, 상기 어플리케이션 장치(10)와 메모리 유닛(22) 사이의 데이터 변환을 처리하거나 내부 신호 및 외부 신호의 전압 레벨 VINT 및 VEXT를 각각 조정하여 제 2 사용 전압(VOP2)와 외부 전압 Vs의 전압 레벨등에 부합시킨다.(S320)
상기 전원 관리 유닛(210)이 상기 제어 유닛(220)의 동작에 필요한 제 1 사용 전압(VOP1)을 공급하면, 상기 제어 유닛(220)은 먼저 제어 신호 Vc를 전원 관리 유닛(210)안의 전원 제어 및 스위칭 회로(215)로 출력한다.
그리고, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)는 제어 신호 Vc 및 검출 신호에 근거하여 제 2 항압 회로(213)에 의하여 외부 전압 Vs를 불휘발성 기억 장치(20)가 지원한 최소의 제 2 사용 전압(VOP2)로 조정하여, 이를 상기 메모리 유닛(22)으로 공급한다.(S330)
상기 메모리 유닛(22)이 최소의 제 2 사용 전압(VOP2)를 상기 메모리 유닛(22)에 공급하면, 상기 제어 유닛(220)은 그 내부의 메모리 인터페이스(223)를 구동시키고, 상기 메모리 유닛(22)내에 저장되어 있는 식별 코드를 판독할 수 있다(S340).
이를 위해, 공급방 마다 제공되어 있는 상기 메모리 유닛(22)은 모두 다른 사양 또는 정보를 포함하기 위하여, 상기 메모리 유닛(22) 각각에는 모두 독특한 식별 코드 예컨대, 메모리 유닛의 메이커 또는 제품 규격등의 정보를 포함한다.
상기 메모리 인터페이스(223)가 상기 메모리 유닛(22)내의 식별 코드를 받으면, 상기 제어 유닛(220)은 취득한 식별 코드가 정확하게 식별할 수 있는지 여부를 판단한다.
즉, 상기 메모리 유닛(22)의 메이커 및 제품 규격등의 정보를 식별할 수 있으면, 이때의 제 2 사용 전압(VOP2)가 상기 메모리 유닛(22)을 성공적으로 구동할 수 있음을 나타낸다. 다만, 상기 메모리 유닛(22)의 메이커 및 제품 사양등의 정보를 식별할 수 없어서 난수가 나오게 되면, 이때의 제 2 사용 전압(VOP2)이 상기 메모리 유닛(22)을 성공적으로 구동시킬 수 없다고 나타낸다(S350).
상기의 단계 S350에 의해, 상기 제어 유닛(220)이 상기 메모리 유닛(22) 안의 식별 코드를 식별할 수 없는 경우라면, 이때의 제 2 사용 전압(VOP2)이 상기 불휘발성 기억 장치(20)를 지원할 수 있는 제 2 사용 전압(VOP2)의 최대치에 이르는지 여부를 판단한다(S352).
상기의 단계 S352에 의해, 이때의 제 2 사용 전압(VOP2)가 불휘발성 기억 장치(20)를 지원할 수 있는 제 2 사용 전압(VOP2)의 최대치에 미치지 않을 경우에는, 상기 메모리 유닛(22)의 사양이 불휘발성 기억 장치(20)를 지원할 수 있는 사양의 범위내에 있음을 나타낸다.
이 때문에, 상기 제어 유닛(220)이 이러한 식별 정보에 근거하여 새로운 제 어 신호 Vc를 전원 관리 유닛(210)안의 전원 제어 및 스위칭 회로(215)까지 발생하고, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)가 검출 신호 및 새로운 제어 신호 Vc에 근거하여 제 2 승압 회로(212)를 제어하여 외부 전압 Vs의 전압 레벨을 상승시켜 제 2 사용 전압(VOP2)를 갱신하게 된다.
그리고, 상기 메모리 인터페이스(223)는 올바른 식별 코드를 시험해보고 이를 받아들이게 된다(S354).
상기의 단계 S352에 의해서, 제 2 사용 전압(VOP2)가 불휘발성 기억 장치(20)가 지원할 수 있는 제 2 사용 전압(VOP2)의 최대치에 이른 때에, 상기 메모리 유닛(22)의 사양이 불휘발성 기억 장치(20)를 지원할 수 있는 범위내의 사양이 아님을 나타내고, 상기 제어 유닛(220)은 식별 코드 검출 프로그램을 종료시킨다.
그리고, 상기 전원 관리 유닛(210)이 메모리 유닛의 동작에 필요한 것을 주도록, 최적의 제 2 사용 전압(VOP2)를 정확하게 설정할 수 없게 된다(S380).
상기의 단계 S350에 의하여, 상기 제어 유닛(220)이 상기 메모리 유닛(22) 안의 식별 코드를 정확하게 식별할 수 있으면, 상기 메모리 유닛(22)의 사양이 불휘발성 기억 장치(20)를 지원할 수 있는 범위내에 있다고 나태난다. 상기 제어 유닛(220)이 이러한 식별 정보에 근거하여, 새로운 제어 신호 Vc를 전원 제어 및 스위칭 회로(215)까지 발생시키고, 제 2 승압 회로(212) 또는 제 2 항압 회로(213)를 제어하여 외부 전압 Vs를 조정한다. 그리고, 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 것을 줄 수 있도록, 최적의 제 2 사용 전압(VOP2)를 발생시킨다(S360).
즉, 외주 전압 Vs가 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 제 2 사용 전압(VOP2) 보다 작다면, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)는 제 2 승압 회로(212)를 제어하고, 제 2 사용 전압(VOP2)의 전압 레벨을 상승시키게 된다. 그리고, 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 것에 부합되도록 한다.
외부 전압 Vs가 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 제 2 사용 전압(VOP2)에 부합되면, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)는 상기 제 2 항압 회로(213)를 제어해서 항압시킨다. 외부 전압 Vs가 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 제 2 사용 전압(VOP2)보다 크다면, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로(215)는 상기 제 2 항압 회로(213)를 제어해서, 제 2 사용 전압(VOP2)의 전압 레벨을 강하시켜, 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요하도록 부합시킨다.
제 2 사용 전압(VOP2)가 상기 메모리 유닛(22)의 동작에 필요한 것에 부합했다면, 제 2 사용 전압(VOP2)가 이미 설정 완료라고 나타내고, 상기 제어 유닛(220)이 식별 코드 검출 프로그램을 종료할 수 있다(S370).
이와 같이, 상기 메모리 유닛(22)을 외부 전압 Vs가 메모리 유닛(22)으로부터 벗어나는 조작 범위에 있더라도, 안정하게 동작할 수 있고, 불휘발성 기억 장치(20) 안의 다른 사양의 메모리 유닛(22)을 채용해도 정상적인 동작을 지원할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 이점은, 메모리 유닛을 외부 전압이 메모리 유닛으로부터 벗 어나는 조작 범위에 있더라도 안정하게 동작할 수 있으며, 불휘발성 기억 장치가 다수의 다른 사양의 메모리 유닛을 지원할 수 있는 것이다.
이와 같은 본 발명의 설명은 단지 본 발명이 바람직한 구체적인 실시예의 자세한 내용 및 도면에 지나지 않고, 본 발명의 특허청구범위에 한정되는 것도 아니다. 본 발명의 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 명세서를 보고서 적당한 변경이나 수식등을 실시할 수 있지만, 그러한 실시예 역시 본 발명의 권리범위 이내에 포함된다고 할 수 있다.
제안되는 바와 같은 본 발명에 따른 불휘발성 기억 장치 및 그 제어 방법에 의해서, 다른 사양 마다의 메모리 유닛안의 식별 코드로 메모리 유닛의 동작에 필요한 제 2 사용 전압을 공급할 수 있는 장점이 있다.
또한, 전원 관리 유닛이 메모리 유닛 안의 식별 코드에 대응한 제어 신호 및 외부 전압에 대응한 검출 신호에 근거하여 메모리 유닛의 동작에 필요한 것을 주도록 외부 전압을 승압, 일정한 전압 또는 전압 강하도록 결정할 수 있다.

Claims (22)

  1. 어플리케이션 장치가 출력한 외부 전압을 공급받고, 제어 신호에 근거하여 상기 외부 전압을 조정하여 제 1 사용 전압 및 제 2 사용 전압을 출력하는 전원 관리 유닛과,
    상기 전원 관리 유닛에 접속되고, 상기 제 2 사용 전압을 공급받아 디지털 정보를 저장하기 위한 메모리 유닛과,
    상기 전원 관리 유닛 및 메모리 유닛에 접속되어, 상기 제 1 사용 전압을 받아 내부 기능을 시동시키고, 상기 외부 전압을 공급받아 상기 어플리케이션 장치와의 사이에서 전송하는 외부 신호의 전압 레벨을 조정하고, 상기 제 2 사용 전압을 받아 상기 메모리 유닛과의 사이에서 전송하는 내부 신호의 전압 레벨을 조정하는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은 상기 메모리 유닛내에 포함되어 있는 식별 코드에 근거하여, 상기 제 2 사용 전압을 상기 메모리 유닛의 수요에 맞도록 상기 제어 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 유닛은 시스템 인터페이스 및 메모리 인터페이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 시스템 인터페이스는 상기 어플리케이션 장치에 접속되어, 외부 기준 전압으로서 상기 외부 전압을 공급받고, 외부 신호의 전압 레벨을 외부 전압의 전압 레벨에 맞추는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 메모리 인터페이스는 상기 메모리 유닛에 접속되어, 내부 기준 전압으로서 제 2 사용 전압을 공급받고, 내부 신호의 전압 레벨을 제 2 사용 전압의 전압 레벨에 맞추는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어 유닛은 소정의 제어 프로그램에 근거하여 상기 메모리 유닛과 어플리케이션 장치 사이의 데이터 변환을 처리하는 데이터 처리 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원 관리 유닛은,
    제어 신호 및 검출 신호에 근거하여 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨을 결정하는 전원 제어 및 스위칭 회로와,
    상기 외부 전압을 상기 제어 유닛의 동작에 필요한 제 1 사용 전압에 맞도록 조정하는 항압 회로와,
    상기 전원 제어 및 스위칭 회로의 제어에 따라 상기 외부 전압을 상기 메모리 유닛에 필요한 제 2 사용 전압에 맞도록 조정하기 위한 항압 회로를 갖는 제 2 항압 회로와,
    상기 전원 제어 및 스위칭 회로의 제어에 따라 상기 외부 전압을 상기 메모리 유닛에 필요한 전압 레벨까지 승압시키는 승압 회로와,
    상기 전원 제어 및 스위칭 회로에 접속되어, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 검출하고, 검출된 신호를 출력시키는 전압 검출 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 전압은 상기 불휘발성 기억 장치의 전원 공급 전압인 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치.
  8. 이중 인터페이스 신호 레벨의 불휘발성 기억 장치의 상기 전원 관리 유닛이고,
    제어 신호 및 검출 신호에 근거하여, 상기 불휘발성 기억 장치에서의 메모리 유닛의 수요에 맞도록, 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨을 결정하는 전원 제어 및 스위칭 회로와,
    상기 불휘발성 기억 장치의 전원 공급 전압을 상기 불휘발성 기억 장치에 접 속한 어플리케이션 장치와의 사이에 전송하는 외부 신호의 기준 전압 레벨에 조정하는 항압 회로와, 상기 전원 제어 및 스위칭 회로의 제어에 따라 상기 전원 공급 전압을 상기 불휘발성 기억 장치에 접속한 메모리 유닛과의 사이에 전송하는 내부 신호의 기준 전압 레벨에 조정하는 다른 항압 회로를 갖는 2개의 항압 회로와,
    상기 전원 제어 및 스위칭 회로의 제어에 따라 상기 전원 공급 전압을 상기 내부 신호의 기준 전압 레벨에 조정하는 승압 회로와,
    상기 전원 제어 및 스위칭 회로에 접속되어, 상기 전원 공급 전압의 전압 레벨을 검출하고, 검출 신호를 발생하는 전압 검출 회로를 포함하는 이중 인터페이스 신호 레벨의 불휘발성 기억 장치의 전원 관리 유닛.
  9. 불휘발성 기억 장치의 외부 전압을 조정하고, 데이터를 연산하기 위하여 제 1 사용 전압을 발생하여 이를 상기 불휘발성 기억 장치에 공급하는 단계와,
    상기 불휘발성 기억 장치의 메모리 유닛내의 식별 신호를 받아, 외부 전압을 조정하여 내부 신호의 전압 레벨을 조정하고 디지털 정보를 기억하기 위하여 제 2 사용 전압을 발생하고, 이를 상기 불휘발성 기억 장치에 제공하는 단계와,
    상기 외부 전압에 근거하여, 상기 외부 전압의 전압 레벨에 맞추도록 상기 불휘발성 기억 장치로부터 출력한 상기 외부 신호의 전압 레벨을 조정하는 단계와,
    상기 제 2 사용 전압에 근거하여, 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨에 맞도록 상기 불휘발성 기억 장치로부터 전송한 상기 내부 신호의 전압 레벨을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 메모리 유닛 안에서 상기 식별 신호를 받는 단계와,
    상기 식별 신호에 근거하여 제어 신호를 발생하는 단계와,
    상기 제어 신호 및 검출 신호에 근거하여, 상기 외부 전압을 조정하고 제 2 사용 전압을 발생하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 검출 신호에 근거하여, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 판단하고 승압, 전압 강하 또는 일정한 전압의 동작을 행하여야 하는지 여부를 결정하고, 제 2 사용 전압을 제공하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 외부 전압이 상기 조작 범위보다 작은 경우에는 상기 외부 전압의 전압 레벨을 상승시키고,
    상기 외부 전압이 상기 조작 범위보다 큰 경우에는 상기 외부 전압의 전압 레벨을 강하시키고,
    상기 외부 전압이 상기 조작 범위 내인 경우에는 상기 외부 전압의 전압 레벨을 안정화시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 사용 전압을 발생하는 단계는,
    상기 메모리 유닛 및 제어 유닛에 상기 불휘발성 기억 장치가 지원하는 상기 불휘발성 기억 장치의 최소치를 주는 단계와, 상기 메모리 유닛 안의 상기 식별 신호를 받는 단계와, 상기 식별 신호에 근거하여 상기 메모리 유닛의 종류를 정확하게 식별하는지 여부를 판단하고, 상기 제 2 사용 전압의 조정범위 내에 속하는지 여부를 판단하여 메모리 유닛의 수요에 맞추는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 메모리 유닛의 종류를 정확하게 식별할 수 없는 경우에는, 상기 제 2 사용 전압이 상기 메모리 유닛의 사용 전압이 아니라고 나타내고, 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨을 조정하고,
    상기 메모리 유닛의 종류를 식별할 수 있는 경우에는, 상기 제 2 사용 전압이 상기 메모리 유닛의 사용 전압이라고 나타내는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 사용 전압이 이미 상기 불휘발성 기억 장치가 지원하는 최대치까 지 조정되는 경우에도 상기 메모리 유닛의 종류를 식별할 수 없는 경우에는,
    상기 불휘발성 기억 장치가 상기 메모리 유닛을 지원하지 않는다고 나타내고, 상기 제 2 사용 전압의 조정을 정지시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 외부 신호가 상기 불휘발성 기억 장치의 제어 유닛과 어플리케이션 장치의 사이에 전송되고, 상기 내부 신호가 상기 제어 유닛과 메모리 유닛 사이에 전송되고, 상기 외부 신호와 내부 신호가 각각 개별적으로 조정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 외부 신호는 상기 제어 유닛의 시스템 인터페이스와 어플리케이션 장치와의 사이에 전송되어 상기 시스템 인터페이스에 의하여 조정되고,
    상기 내부 신호는 상기 제어 유닛의 메모리 인터페이스와 메모리 유닛과의 사이에 전송되어 상기 메모리 인터페이스에 의하여 조정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  18. 메모리 유닛 안에서 식별 신호를 받는 단계와,
    상기 식별 신호에 근거하여 제어 신호를 발생하는 단계와,
    상기 제어 신호 및 검출 신호에 근거하여, 불휘발성 기억 장치가 지원하는 제 2 사용 전압의 최소치를 상기 메모리 유닛 및 제어 유닛에 제공하는 단계와,
    상기 메모리 유닛의 종류를 정확하게 식별하는지 여부에 의하여, 상기 외부 전압을 조정하고 제 2 사용 전압을 상기 메모리 유닛의 수요에 부합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 메모리 유닛의 종류를 정확하게 식별할 수 없는 경우에는, 상기 제 2 사용 전압이 상기 메모리 유닛의 사용 전압이 아니라고 나타내고, 상기 제 2 사용 전압의 전압 레벨을 조정하고,
    상기 메모리 유닛의 종류를 식별하는 경우에는, 상기 제 2 사용 전압이 상기 메모리 유닛의 사용 전압이라고 나타내는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 사용 전압이 이미 상기 불휘발성 기억 장치가 지원하는 최대치까지 조정되어도 상기 메모리 유닛의 종류를 식별할 수 없는 경우에는, 상기 불휘발성 기억 장치가 상기 메모리 유닛을 지원하지 않는다고 나타내고, 상기 제 2 사용 전압의 조정을 정지시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 검출 신호에 근거하여 상기 외부 전압이 상기 메모리 유닛의 조작 범위에 부합하는지 여부를 판단하고,
    승압, 전압 강하 또는 일정한 전압의 동작을 행하는지 여부를 결정하여 상기 제 2 사용 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 외부 신호가 조작 범위보다 작다면, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 상승시키고,
    상기 외부 전압이 상기 조작 범위보다 크다면, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 강하시키고,
    상기 외부 전압이 상기 조작 범위 내에 속하게 되면, 상기 외부 전압의 전압 레벨을 안정시키는 것을 특징으로 하는 불휘발성 기억 장치의 제어 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9305609B2 (en) * 2008-04-30 2016-04-05 Micron Technology, Inc. System and method of command based and current limit controlled memory device power up
TWI384608B (zh) * 2009-04-21 2013-02-01 Ememory Technology Inc 積體電路與內嵌的控制電路
US8004922B2 (en) * 2009-06-05 2011-08-23 Nxp B.V. Power island with independent power characteristics for memory and logic
TWI529721B (zh) * 2014-05-06 2016-04-11 群聯電子股份有限公司 記憶體儲存裝置、記憶體控制電路單元及電源供應方法
US10872640B2 (en) * 2018-08-31 2020-12-22 Micron Technology, Inc. Capacitive voltage dividers coupled to voltage regulators

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003424A (ja) * 1998-04-17 2000-01-07 Hitachi Ltd メモリ内容移行制御部を備えたｉｃカ―ド及びｉｃカ―ドのデ―タ記憶方法
JP2004055012A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Renesas Technology Corp 不揮発性半導体メモリ
JP4653960B2 (ja) * 2003-08-07 2011-03-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 メモリカードおよび不揮発性メモリ混載マイコン
JP4488800B2 (ja) * 2004-06-14 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
JP4346526B2 (ja) * 2004-08-31 2009-10-21 株式会社東芝 半導体集積回路装置

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