JP2007334856A

JP2007334856A - 不揮発性ストレージ装置及びその制御方法

Info

Publication number: JP2007334856A
Application number: JP2006296741A
Authority: JP
Inventors: Shoan Sha; 祥安謝; Li-Pai Chen; 立白陳; Ming-Dar Chen; 明達陳
Original assignee: A Data Technology Co Ltd
Current assignee: A Data Technology Co Ltd
Priority date: 2006-06-16
Filing date: 2006-10-31
Publication date: 2007-12-27
Also published as: KR20070120008A; US20070291569A1; TWI301276B; DE102006044528B4; DE102006044528A1; TW200802399A; US7715268B2

Abstract

【課題】メモリユニット自体の識別コードで制御信号を発生し、電源管理ユニットが制御信号及び外部電圧の電圧レベルに基づいて外部電圧の電圧レベルを調整し、メモリユニットに必要である電圧レベルに合わせることにより、異なる仕様のメモリユニットを支援できる不揮発性ストレージ装置及びその制御方法の提供。
【解決手段】メモリユニット自体の識別コードで制御信号を発生し、電源管理ユニット内での電源制御及びスイッチング回路が制御信号及び外部電圧の電圧レベルに基づいて第２の昇圧回路を制御し外部電圧の電圧レベルを上昇させ、または、第２の恒圧回路を制御し外部電圧の電圧レベルを定圧または電圧降下させ、メモリユニットの動作に必要である電圧レベルに合わせ、こうして異なる仕様のメモリユニットを支援できるようになる不揮発性ストレージ装置及びその制御方法。
【選択図】図３

Description

本発明は、ストレージ装置に係り、特に不揮発性ストレージ装置及びその制御方法に関する。

体積が益々コンパクト化される傾向にある不揮発性メモリストレージ装置（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅｍｅｍｏｒｙｓｔｏｒａｇｅａｐｐａｒａｔｕｓ）、例えば「メモリカード（ｍｅｍｏｒｙｃａｒｄ）」は、その応用が広まっているとともに、携帯式装置（ｐｏｒｔａｂｌｅｄｅｖｉｃｅ）に普及されるようになっている。携帯式装置、例えば、「携帯電話」（ｍｏｂｉｌｅｐｈｏｎｅ）への応用に合せるため、これらのメモリストレージ装置が益々軽薄短小化されている。これにより、不揮発性メモリストレージ装置の電力消費量が低下され、製品体積を小さくし、電池使用時間を長くするという使用者の望みが満足される。そのため、新しく市場に出される製品はこれらのメモリストレージ装置の電源供給電圧を調整する機能を有するだけでなく、インターフェース信号レベル（ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｕｐｐｌｙｖｏｌｔａｇｅ）を調整する機能もある。

図１は、従来技術の電源管理ユニットの機能のブロック図である。電源管理ユニット１１０は、電圧センサ１１４内固有の検出電圧に基づいて、昇圧回路１１２が昇圧、または恒圧回路１１１が恒圧または圧力降下するように制御し、メモリユニット（図に示さず）が電源管理ユニットの動作のために与えられる。この検出電圧は、メモリユニットの最小使用電圧より高く、その自己の使用電圧Ｖ_ＤＤより低い。メモリユニットごとには、ともにその特有な使用電圧領域があるため、電源管理ユニット１１０が固有の検出電圧のみに基づいて外部電圧ＶＥＸＴを調整でき、且つ、不揮発性メモリストレージ装置内に異なる仕様のメモリユニットを用いるとき、電源管理ユニット１１０は、異なる仕様のメモリユニットを支援できないため、不揮発性メモリストレージ装置の応用範囲が限られることになる。

本発明は、不揮発性ストレージ装置及びその制御方法であって、メモリユニット自体の識別コードで制御信号を発生し、電源管理ユニットが制御信号及び外部電圧の電圧レベルに基づいて外部電圧の電圧レベルを調整し、メモリユニットに必要である電圧レベルに合わせ、こうして異なる仕様のメモリユニットを支援できるようになる。

本発明は、外部電圧を受けるとともに、制御信号に基づいて外部電圧を調整した後に第１の使用電圧及び第２の使用電圧を出力する電源管理ユニットと、前記電源管理ユニットに接続され、第２の使用電圧を受けデジタル情報のストレージに与えるメモリユニットと、前記電源管理ユニット、メモリユニット及びアプリケーション装置に接続され、第１の使用電圧を受け内部機能を起動させ、外部電圧を受けて外部電圧の電圧レベルに合わせるよう、アプリケーション装置との間で伝送した外部信号の電圧レベルを調整し、並びに、第２の使用電圧を受けて第２の使用電圧の電圧レベルに合わせるよう、メモリユニットとの間で伝送した内部信号の電圧レベルを調整する制御ユニットと、を含み、前記制御ユニットは、メモリユニット内の識別コードに基づいて、第２の使用電圧をメモリユニットの需要に合わせるよう、前記制御信号を与えることを特徴とする不揮発性ストレージ装置を提供する。

図２は、本発明に係る不揮発性ストレージ装置を示すブロック図である。不揮発性ストレージ装置（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅｓｔｏｒａｇｅａｐｐａｒａｔｕｓ）２０は、ストレージコントローラ（ｓｔｏｒａｇｅｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２１及びメモリユニット（ｍｅｍｏｒｙｕｎｉｔ）２２を含む。ストレージコントローラ２１は、不揮発性ストレージ装置２０の外部のアプリケーション装置（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅ）１０に接続され、アプリケーション装置１０から不揮発性ストレージ装置２０に与えて動作するための外部電圧（ｅｘｔｅｒｎａｌｖｏｌｔａｇｅ）Ｖｓを受け、並びに不揮発性ストレージ装置２０とアプリケーション装置１０との間でデジタル情報を伝送するものとする。メモリユニット２２は、ストレージコントローラ２１に接続され、アプリケーション装置１０が入力するデジタル情報をストレージするため、メモリユニット２２は不揮発性メモリユニットで良い、即ち、少なくとも一つの不揮発性メモリを含む。外部電圧Ｖｓは、不揮発性ストレージ装置２０の電源供給電圧である。

ストレージコントローラ２１は、電源管理ユニット（ｐｏｗｅｒｍａｎａｇｅｍｅｎｔｕｎｉｔ）２１０及び制御ユニット（ｃｏｎｔｒｏｌｕｎｉｔ）２２０を含む。電源管理ユニット２１０は、アプリケーション装置１０とメモリユニット２２との間に接続され、メモリユニット２２の仕様と制御ユニット２２０が供給する制御信号Ｖｃに基づいて、受けた外部電圧Ｖｓをメモリユニット２２の動作に必要である電圧レベル、即ち第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２に合せるように調整する。また、電源管理ユニット２１０が外部電圧Ｖｓを定圧（ｒｅｇｕｌａｔｅ）した後、制御ユニット２２０に与え、制御ユニット２２０の動作に必要な電圧、即ち第１の使用電圧Ｖ_ＯＰ１に維持する。

制御ユニット２２０は、システムインターフェース（ｓｙｓｔｅｍｉｎｔｅｒｆａｃｅ）２２１と、データ処理装置（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｄｅｖｉｃｅ）２２２とメモリインターフェース（ｍｅｍｏｒｙｉｎｔｅｒｆａｃｅ）２２３とを含む。システムインターフェース２２１は、アプリケーション装置１０に接続され、メモリインターフェース２２３がメモリユニット２２に接続され、データ処理装置２２２がシステムインターフェース２２１及びメモリインターフェース２２３に接続される。データ処理装置２２２は、制御ユニット２２０内の制御プログラムに基づいて、メモリユニット２２とアプリケーション装置１０との間のデータ変換を処理する。

第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２が外部電圧Ｖｓと異なる可能性があるため、メモリユニット２２とメモリインターフェース２２３との間で伝送する内部信号の電圧レベルＶ_ＩＮＴが、アプリケーション装置１０とシステムインターフェース２２１との間で伝送する外部信号の電圧レベルＶ_ＥＸＴより大きくされる。外部信号と内部信号が伝送される間も、メモリユニット２２とアプリケーション装置１０が、それぞれ内部信号の電圧レベルＶ_ＩＮＴ及び外部信号の電圧レベルＶ_ＥＸＴを正確かつ安定的に識別できるようにするため、制御ユニット２２０の内部には、両方のインターフェース（システムインターフェース２２１及びメモリインターフェース２２３）の基準電圧を独立に分けなければならない。即ち、システムインターフェース２２１は、外部信号の電圧レベルＶ_ＥＸＴを外部電圧Ｖｓの電圧レベルに合わせるように、アプリケーション装置１０が与える外部電圧Ｖｓに基づいて外部基準電圧Ｖ_ＥＲとしなければならなく、メモリインターフェース２２３は、内部信号の電圧レベルＶ_ＩＮＴを第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の電圧レベルに合わせるように、第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２に基づいて内部基準電圧Ｖ_ＩＲとしなければならない。

また、本発明のメモリユニット２２は、ともに異なる仕様または情報を含むため、メモリユニット２２のそれぞれは、独特な識別コードを有する。本発明の実施例によると、メモリユニット２２を変更し、異なる不揮発性ストレージ装置２０に応用されても、不揮発性ストレージ装置２０の安定な動作が確保できる。

図３は、本発明に係る電源管理ユニットを示すブロック図である。電源管理ユニット２１０は、第１の恒圧回路２１１と、第２の昇圧回路２１２と、第２の恒圧回路２１３と、電圧検出回路２１４と、電源制御及びスイッチング回路２１５とを含む。

第１の恒圧回路２１１は、アプリケーション装置１０に接続され、アプリケーション装置１０が与える外部電圧Ｖｓを受け、外部電圧Ｖｓの電圧レベルをより安定または降下させるとともに、制御ユニット２２０の動作に必要である第１の使用電圧Ｖ_ＯＰ１を供給する。第２の恒圧回路２１３は、アプリケーション装置１０に接続され、電源制御及びスイッチング回路２１５の制御によって、アプリケーション装置１０が与える外部電圧Ｖｓを受けるか否かを決定し、且つ外部電圧Ｖｓの電圧レベルを安定または降下させ、メモリユニット２２の操作及び制御ユニット２２０が内部信号の電圧レベルＶ_ＩＮＴを調整するための第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２を発生する。

第２の昇圧回路２１２は、アプリケーション装置１０に接続され、電源制御及びスイッチング回路２１５の制御によって、アプリケーション装置１０が与える外部電圧Ｖｓを受けるか否かを決定し、且つ外部電圧Ｖｓの電圧レベルを上昇させ、メモリユニット２２の動作及び制御ユニット２２０が内部信号の電圧レベルＶ_ＩＮＴを調整するための第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２を発生する。

電圧検出回路２１４は、アプリケーション装置１０に接続され、アプリケーション装置１０が与える外部電圧Ｖｓの電圧レベルを検出するとともに、検出信号を発生し電源制御の基準として電源制御及びスイッチング回路２１５に与える。

電源制御及びスイッチング回路２１５は、制御ユニット２２０およびメモリユニット２２に接続され、制御ユニット２２０が入力した制御信号Ｖｃ及び電圧検出回路２１４が入力した検出信号に基づいて、出力する第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２が第２の昇圧回路２１２から与えられるか、もしくは第２の恒圧回路２１３から与えられるか否かを決定し、且つ、電源管理ユニット２１０が受けた外部電圧Ｖｓが昇圧、恒圧または電圧降下を決定する。

図４は、本発明に係るメモリユニットを識別し第２の使用電圧を調整するフローチャートである。アプリケーション装置１０に接続された不揮発性ストレージ装置２０が起動されると、アプリケーション装置１０が、外部電圧Ｖｓを供給し始める（ステップＳ３１０）。

この際に、電源管理ユニット２１０においての第１の恒圧回路２１１は、アプリケーション装置１０が与える外部電圧Ｖｓを受けるとともに、外部電圧Ｖｓを制御ユニット２２０の動作に必要である第１の使用電圧Ｖ_ＯＰ１に調整し、制御ユニット２２０が第１の使用電圧Ｖ_ＯＰ１によりその内部の動作をし、例えば、アプリケーション装置１０とメモリユニット２２の間のデータ変換を処理や、内部信号及び外部信号の電圧レベルＶ_ＩＮＴ及びＶ_ＥＸＴをそれぞれ調整し、第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２と外部電圧Ｖｓの電圧レベルなどに適合させる（ステップＳ３２０）。

電源管理ユニット２１０が、制御ユニット２２０の動作に必要である第１の使用電圧Ｖ_ＯＰ１を与えると、制御ユニット２２０は、先に制御信号Ｖｃを電源管理ユニット２１０内の電源制御及びスイッチング回路２１５に出力し、電源制御及びスイッチング回路２１５が制御信号Ｖｃ及び検出信号に基づいて、第２の恒圧回路２１３により外部電圧Ｖｓを不揮発性ストレージ装置２０が支援する最小の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２に調整し、メモリユニット２２に与える（ステップＳ３３０）。

メモリユニット２２が最小の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２をメモリユニット２２に与えると、制御ユニット２２０は、その内部のメモリインターフェース２２３を駆動し、メモリユニット２２内にストレージしている識別コードを読み取りできる（ステップＳ３４０）。そこで、本発明のメモリユニット２２は、ともに異なる仕様または情報を含むため、メモリユニット２２ごと内には、ともに独特な識別コードを含む。

メモリインターフェース２２３がメモリユニット２２内から識別コードを受取ると、制御ユニット２２０は、さらにこの受取した識別コードが正確に識別できるか否かを判断し、即ち、このメモリユニット２２のメーカ及び製品規格などの情報を識別できると、この時の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２がメモリユニット２２を成功裏に駆動できることを表し、このメモリユニット２２のメーカ及び製品仕様などの情報を識別できず、メモリユニット２２が乱数を読取ると、この時の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２がメモリユニット２２を成功裏に駆動できないことを表す（ステップＳ３５０）。

ステップＳ３５０によって、制御ユニット２２０がメモリユニット２２内の識別コードを識別できないと、さらにこの時の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２が不揮発性ストレージ装置２０が支援できる第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の最大値に達するか否かを判断する（ステップＳ３５２）。

ステップＳ３５２によって、この時の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２が不揮発性ストレージ装置２０が支援できる第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の最大値に尚達しない時に、このメモリユニット２２の仕様が、不揮発性ストレージ装置２０が支援する範囲内にあることを表す。そのため、制御ユニット２２０がこの識別情報に基づいて、新しい制御信号Ｖｃを電源管理ユニット２１０内の電源制御及びスイッチング回路２１５までに発生し、電源制御及びスイッチング回路２１５が、検出信号及び新しい制御信号Ｖｃに基づいて第２の昇圧回路２１２を制御し、外部電圧Ｖｓの電圧レベルを上昇させ、第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２を更新させ、メモリインターフェース２２３が正しい識別コードを試して受け取って行くようになる（ステップＳ３５４）。

ステップＳ３５２によって、この時の第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２が不揮発性ストレージ装置２０が支援できる第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の最大値に達した時に、このメモリユニット２２の仕様が、不揮発性ストレージ装置２０が支援する範囲内にないことを表す。そのため、制御ユニット２２０が識別コード検出プログラムを終了させ、且つ、電源管理ユニット２１０が、メモリユニットの動作に必要な電圧を与えるよう、最適な第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２を正確に設定できない（ステップＳ３８０）。

ステップＳ３５０によって、制御ユニット２２０がメモリユニット２２内の識別コードを正確に識別できると、このメモリユニット２２の仕様が、不揮発性ストレージ装置２０が支援する範囲内にあることを表す。制御ユニット２２０がこの識別情報に基づいて、新しい制御信号Ｖｃを電源制御及びスイッチング回路２１５までに発生し、第２の昇圧回路２１２または第２の恒圧回路２１３を制御し外部電圧Ｖｓを調整し、メモリユニット２２の動作に必要な電圧を与えるよう、最適な第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２を発生させる（ステップＳ３６０）。

即ち、外部電圧Ｖｓが、メモリユニット２２の動作に必要な電圧第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２より小さいと、電源制御及びスイッチング回路２１５は、第２の昇圧回路２１２を制御し、第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の電圧レベルを上昇させ、メモリユニット２２の動作に必要な電圧に適合させる。外部電圧Ｖｓがメモリユニット２２の動作に必要である第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２に適合すると、電源制御及びスイッチング回路２１５は、第２の恒圧回路２１３を制御し恒圧させる。外部電圧Ｖｓが、メモリユニット２２の動作に必要である第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２より大きいと、電源制御及びスイッチング回路２１５は、第２の恒圧回路２１３を制御し、第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の電圧レベルを降下させ、メモリユニット２２の動作に必要な電圧に適合させる。

第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２がメモリユニット２２の動作に必要な電圧に適合したとき、第２の使用電圧Ｖ_ＯＰ２の設定が既に完了したことを表し、制御ユニット２２０が識別コード検出プログラムを終了できる（ステップＳ３７０）。

このようにして、メモリユニット２２を外部電圧Ｖｓがメモリユニット２２から外れる操作範囲においても安定に動作でき、かつ、不揮発性ストレージ装置２０内に異なる仕様のメモリユニット２２を採用しても正常な働きを保持できる。

本発明が提供する利点は、メモリユニットから外れる操作範囲においても、外部電圧がメモリユニットを安定に動作でき、かつ、不揮発性ストレージ装置が多数の異なる仕様のメモリユニットを支援できることである。

本発明が提供する他の一つの利点は、異なる仕様ごとのメモリユニット内の識別コードで、メモリユニットの動作に必要な電圧を与えるよう、第２の使用電圧を調整することである。

本発明が提供する他の一つの利点は、電源管理ユニットがメモリユニット内の識別コードに対応する制御信号、及び外部電圧に対応する検出信号に基づいて、メモリユニットの動作に必要な電圧を与えるよう、外部電圧を昇圧、定圧または電圧降下するよう決定することである。

しかし、前記の説明は、単に本発明の好ましい具体的な実施例の詳細説明及び図面に過ぎなく、本発明の特許請求の範囲を限定するものではなく、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家が本発明の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施形態が本発明の主張範囲内に含まれるべきことは言うまでもないことである。

従来技術の電源管理ユニットの機能のブロック図である。本発明に係る不揮発性ストレージ装置を示すブロック図である。本発明に係る電源管理ユニットを示すブロック図である。本発明に係るメモリユニットを識別し第２の使用電圧を調整するフローチャートである。

符号の説明

１０アプリケーション装置
２０不揮発性ストレージ装置
２１ストレージコントローラ
２２メモリユニット
１１０、２１０電源管理ユニット
１１４電圧センサ
１１２昇圧回路
１１１恒圧回路
２１１第１の恒圧回路
２１２第２の昇圧回路
２１３第２の恒圧回路
２１４電圧検出回路
２１５電源制御及びスイッチング回路
２２０制御ユニット
２２１システムインターフェース
２２２データ処理装置
２２３メモリインターフェース
Ｖ_ＯＰ１第１の使用電圧
Ｖ_ＯＰ２第２の使用電圧
Ｖｓ外部電圧
Ｖｃ制御信号

Claims

アプリケーション装置が出力した外部電圧を受けるとともに、制御信号に基づいて外部電圧を調整した後に第１の使用電圧及び第２の使用電圧を出力する電源管理ユニットと、
前記電源管理ユニットに接続され、第２の使用電圧を受けデジタル情報のストレージに与えるメモリユニットと、
前記電源管理ユニット及び前記メモリユニットに接続され、第１の使用電圧を受け内部機能を起動させ、外部電圧を受けてアプリケーション装置との間で伝送した外部信号の電圧レベルを調整し、第２の使用電圧を受けて前記メモリユニットとの間で伝送した内部信号の電圧レベルを調整する制御ユニットと、を含み、
前記制御ユニットは、前記メモリユニット内の識別コードに基づいて、第２の使用電圧を前記メモリユニットの需要に合わせるよう、前記制御信号を与えることを特徴とする不揮発性ストレージ装置。
前記制御ユニットは、システムインターフェース及びメモリインターフェースを含むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性ストレージ装置。
前記システムインターフェースは、アプリケーション装置に接続され、外部基準電圧として外部電圧を受けるとともに、外部信号の電圧レベルを外部電圧の電圧レベルに合わせることを特徴とする請求項２記載の不揮発性ストレージ装置。
前記メモリインターフェースは、前記メモリユニットに接続され、内部基準電圧として第２の使用電圧を受けるとともに、内部信号の電圧レベルを第２の使用電圧の電圧レベルに合わせることを特徴とする請求項２記載の不揮発性ストレージ装置。
前記制御ユニットは、さらに、制御プログラムに基づいて前記メモリユニットと前記アプリケーション装置との間のデータ変換を処理するデータ処理装置を含むことを特徴とする請求項２記載の不揮発性ストレージ装置。
前記電源管理ユニットは、さらに、
制御信号及び検出信号に基づいて、前記第２の使用電圧の電圧レベルを決定する電源制御及びスイッチング回路と、
外部電圧を前記制御ユニットの動作に必要である第１の使用電圧に調整する一方の恒圧回路と、前記電源制御及びスイッチング回路の制御によって、前記外部電圧を前記メモリユニットに必要である第２の使用電圧に調整する他方の恒圧回路とを有する二つの恒圧回路と、
前記電源制御及びスイッチング回路の制御によって、前記外部電圧を前記メモリユニットに必要である電圧レベルまでに昇圧させる昇圧回路と、
前記電源制御及びスイッチング回路に接続され、前記外部電圧の電圧レベルを検出し、検出信号を発生する電圧検出回路と、を含むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性ストレージ装置。
前記外部電圧は前記不揮発性ストレージ装置の電源供給電圧であることを特徴とする請求項１記載の不揮発性ストレージ装置。
二重インターフェース信号レベルの不揮発性ストレージ装置の前記電源管理ユニットであって、
制御信号及び検出信号に基づいて、前記不揮発性ストレージ装置内の前記メモリユニットの需要に合わせるよう、前記第２の使用電圧の電圧レベルを決定する電源制御及びスイッチング回路と、
前記不揮発性ストレージ装置の電源供給電圧を前記不揮発性ストレージ装置に接続するアプリケーション装置との間に伝送する外部信号の基準電圧レベルに調整する一方の恒圧回路と、前記電源制御及びスイッチング回路の制御によって、前記電源供給電圧を前記不揮発性ストレージ装置に接続するメモリユニットとの間に伝送する内部信号の基準電圧レベルに調整する他方の恒圧回路とを有する二つの恒圧回路と、
前記電源制御及びスイッチング回路の制御によって、前記電源供給電圧を前記内部信号の基準電圧レベルに調整する昇圧回路と、
前記電源制御及びスイッチング回路に接続され、前記電源供給電圧の電圧レベルを検出し、検出信号を発生する電圧検出回路と、を含むことを特徴とする二重インターフェース信号レベルの不揮発性ストレージ装置の電源管理ユニット。
不揮発性ストレージ装置の外部電圧を調整し、データを演算するため、第１の使用電圧を発生し前記不揮発性ストレージ装置に与える工程と、
前記不揮発性ストレージ装置のメモリユニットのうちから識別コードを受取り、外部電圧を調整し、内部信号の電圧レベルを調整並びにデジタル情報をストレージするため、第２の使用電圧を発生し前記不揮発性ストレージ装置に与える工程と、
前記外部電圧に基づいて、前記外部電圧の電圧レベルに合わせるよう、前記不揮発性ストレージ装置から出力した前記外部信号の電圧レベルを調整する工程と、
前記第２の使用電圧に基づいて、前記第２の使用電圧の電圧レベルに合わせるよう、前記不揮発性ストレージ装置から伝送した前記内部信号の電圧レベルを調整する工程と、を含むことを特徴とする不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
さらに、前記メモリユニット内から前記識別信号を受取る工程と、
前記識別信号に基づいて制御信号を発生する工程と、
前記制御信号及び検出信号に基づいて、前記外部電圧を調整し第２の使用電圧を発生する工程とを含むことを特徴とする請求項９記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
さらに、前記検出信号に基づいて前記外部電圧の電圧レベルを判断し、昇圧、電圧降下または定圧の動作を行うか否かを決定し、第２の使用電圧を与えることを特徴とする請求項１０記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記外部電圧が前記操作範囲より小さいと、前記外部電圧の電圧レベルを上昇させ、前記外部電圧が前記操作範囲より大きいと、前記外部電圧の電圧レベルを降下させ、前記外部電圧が前記操作範囲内にあると、前記外部電圧の電圧レベルを安定させることを特徴とする請求項１１記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記第２の使用電圧を発生する工程は、
前記メモリユニット及び制御ユニットに前記不揮発性ストレージ装置が支援する前記不揮発性ストレージ装置の最小値を与えること、
前記メモリユニット内の前記識別信号を受取ること、
前記識別信号に基づいて、前記メモリユニットの種類を正確に識別したか否かを判断し、小さい電圧から大きい電圧まで前記第２の使用電圧を調整するか否かを決定し、メモリユニットの需要に合わせること、を含むことを特徴とする請求項９記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記メモリユニットの種類を正確に識別できないと、前記第２の使用電圧が前記メモリユニットの使用電圧に等しくないことを表し、前記第２の使用電圧の電圧レベルを調整する必要があり、前記メモリユニットの種類を正確に識別すると、前記第２の使用電圧が前記メモリユニットの使用電圧であることを表すことを特徴とする請求項１３記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記第２の使用電圧が既に前記不揮発性ストレージ装置が支援する最大値までに調整されても、前記メモリユニットの種類を識別できないと、前記不揮発性ストレージ装置が前記メモリユニットを支援しないこと表し、且つ、前記第２の使用電圧の調整を停止させることを特徴とする請求項１４記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記外部信号が、前記不揮発性ストレージ装置の制御ユニットとアプリケーション装置との間に伝送され、前記内部信号が、前記制御ユニットとメモリユニットとの間に伝送され、且つ、前記外部信号と前記内部信号が、それぞれ個別に調整されることを特徴とする請求項９記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記外部信号が、前記制御ユニットのシステムインターフェースとアプリケーション装置との間に伝送され、且つ、前記システムインターフェースにより調整され、前記内部信号が、前記制御ユニットのメモリインターフェースとメモリユニットとの間に伝送され、且つ、前記メモリインターフェースにより調整されることを特徴とする請求項１６記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
メモリユニット内から識別信号を受取る工程と、
前記識別信号に基づいて制御信号を発生する工程と、
前記制御信号及び検出信号に基づいて、前記不揮発性ストレージ装置が支援する第２の使用電圧の最小値を前記メモリユニット及び制御ユニットに与える工程と、
前記メモリユニットの種類を正確に識別したか否かによって、前記外部電圧を調整し第２の使用電圧を前記メモリユニットの需要に適合させる工程とを含むことを特徴とする不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記メモリユニットの種類を正確に識別できないと、前記第２の使用電圧が前記メモリユニットの使用電圧と等しくないことを表し、前記第２の使用電圧の電圧レベルを調整する必要があり、前記メモリユニットの種類を正確に識別すると、前記第２の使用電圧が前記メモリユニットの使用電圧であることを表すことを特徴とする請求項１８記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記第２の使用電圧が既に前記不揮発性ストレージ装置が支援する最大値までに調整されても、前記メモリユニットの種類を識別できないと、前記不揮発性ストレージ装置が前記メモリユニットを支援しないことを表し、且つ、前記第２の使用電圧の調整を停止させることを特徴とする請求項１９記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
さらに、前記検出信号に基づいて前記外部電圧が前記メモリユニットの操作範囲に符合するか否かを判断し、昇圧、電圧降下または定圧の動作を行うか否かを決定して、前記第２の使用電圧を与えることを特徴とする請求項１８記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。
前記外部信号が操作範囲より小さいと、前記外部電圧の電圧レベルを上昇させ、前記外部電圧が前記操作範囲より大きいと、前記外部電圧の電圧レベルを降下させ、前記外部電圧が前記操作範囲内にあると、前記外部電圧の電圧レベルを安定させることを特徴とする請求項２１記載の不揮発性ストレージ装置の電圧及び信号レベルを調整する制御方法。