KR20070099398A - Apparatus for inspecting substrate and method of inspecting substrate using the same - Google Patents

Apparatus for inspecting substrate and method of inspecting substrate using the same Download PDF

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KR20070099398A
KR20070099398A KR1020060084736A KR20060084736A KR20070099398A KR 20070099398 A KR20070099398 A KR 20070099398A KR 1020060084736 A KR1020060084736 A KR 1020060084736A KR 20060084736 A KR20060084736 A KR 20060084736A KR 20070099398 A KR20070099398 A KR 20070099398A
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pattern
inspection light
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lens
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KR1020060084736A
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손형일
김영일
양정욱
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삼성전자주식회사
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Abstract

An inspecting apparatus and a substrate inspecting method using the same are provided to check a fault of a pattern by applying an inspection light to a substrate in a coherent state and sensing brightness of the inspection light. A substrate inspecting method includes the steps of: applying inspecting light on a substrate(140) where a pattern(142) is formed; detecting the brightness of the inspecting light reflected from the substrate; and determining whether the pattern is faulty from the detected brightness. The inspecting light is applied to the substrate in a coherent state.

Description

기판검사장치와 이를 이용한 기판검사방법{APPARATUS FOR INSPECTING SUBSTRATE AND METHOD OF INSPECTING SUBSTRATE USING THE SAME}Substrate Inspection System and Substrate Inspection Method Using the Same {APPARATUS FOR INSPECTING SUBSTRATE AND METHOD OF INSPECTING SUBSTRATE USING THE SAME}

도 1은 액정표시장치의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device;

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 검사장치를 나타낸 도면이고,2 is a view showing a substrate inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention,

도 3는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 검사장치에서 카메라의 배치를 설명하기 위한 도면이고,3 is a view for explaining the arrangement of the camera in the substrate inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention,

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 검사장치에서 카메라의 구성을 설명하기 위한 도면이고,4 is a view for explaining the configuration of the camera in the substrate inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention,

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 검사장치에서 출사하는 검사광을 설명하기 위한 도면이고,5 is a view for explaining the inspection light emitted from the substrate inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention,

도 6a 및 도 6b는 화소영역의 크기와 광학해상도와의 관계를 설명하기 위한 도면이고,6A and 6B are views for explaining the relationship between the size of the pixel region and the optical resolution;

도 7은 검사광의 회절을 설명하기 위한 도면이고,7 is a diagram for explaining diffraction of inspection light;

도 8은 패턴의 높이에 따른 반사광의 시프트를 설명하기 위한 도면이고,8 is a view for explaining the shift of the reflected light according to the height of the pattern,

도 9a 및 도 9b는 패턴에 높이에 따른 회절 스펙트럼을 나타낸 사진이고,9a and 9b are photographs showing the diffraction spectrum according to the height in the pattern,

도 10은 패턴의 높이에 따른 휘도 변화를 설명하기 위한 도면이고,10 is a view for explaining the change in luminance according to the height of the pattern,

도 11은 실험을 통해 얻어진 휘도 이미지를 나타낸 사진이고,11 is a photograph showing a luminance image obtained through an experiment,

도 12는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 검사장치를 나타낸 도면이다.12 is a view showing a substrate inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 검출부 20 : 광원부10 detection unit 20 light source unit

21 : 램프 22 : 램프 커버21: lamp 22: lamp cover

30 : 카메라 31 : 촬상단위30: camera 31: imaging unit

35 : 렌즈 40 : 안착부35 lens 40 seating part

50 : 구동부 141 : 절연기판50: driving unit 141: insulated substrate

142 : 패턴142: pattern

본 발명은 기판검사장치와 이를 이용한 기판검사방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판 상의 패턴 불량을 정확하게 측정할 수 있는 기판 검사장치와 이를 이용한 기판 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method using the same, and more particularly, to a substrate inspection apparatus capable of accurately measuring a pattern defect on a substrate and a substrate inspection method using the same.

최근 기존의 브라운관을 대체하여 액정표시장치와 유기전계발광장치(OLED)와 같은 평판표시장치(flat panel display)가 많이 사용되고 있다.Recently, flat panel displays such as liquid crystal displays and organic light emitting diodes (OLEDs) have been used in place of existing CRTs.

이들 표시장치에는 여러 패턴이 형성되어 있다. 예를 들어 액정표시장치의 컬러필터 기판에는 블랙매트릭스 및 컬러필터와 같은 패턴이 형성되어 있다. 이와 같은 패턴의 균일한 두께로 형성되어야 한다. 컬러필터의 경우 두께가 균일하게 형성되지 않으면 화면에 얼룩을 일으킬 수 있다.Various patterns are formed in these display devices. For example, a pattern such as a black matrix and a color filter is formed on a color filter substrate of a liquid crystal display device. It should be formed with a uniform thickness of such a pattern. In the case of the color filter, if the thickness is not uniform, it may cause staining on the screen.

표시장치의 제조과정에서는 기판 검사를 통해 이들 패턴의 높이가 균일하게 형성되어 있는지를 검사한다.In the manufacturing process of the display device, the substrate is inspected to determine whether the height of these patterns is uniformly formed.

그런데 종래 기판 검사는 패턴이 형성되어 있는 기판에 빛을 조명하면서 작업자가 육안으로 불량여부를 판단하였기 때문에 정확한 측정이 어려운 문제가 있다.However, the conventional substrate inspection has a problem that accurate measurement is difficult because the operator visually determined whether the pattern is defective while illuminating light on the substrate on which the pattern is formed.

따라서, 본 발명의 목적은 패턴의 불량을 정확히 측정하는 기판검사방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate inspection method for accurately measuring a defect of a pattern.

본 발명의 다른 목적은 패턴의 불량을 정확히 측정하는 기판검사장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate inspection apparatus for accurately measuring a defect of a pattern.

상기 본 발명의 목적은 패턴이 형성되어 있는 기판에 검사광을 가하는 단계와; 상기 기판에서 반사된 상기 검사광의 휘도를 감지하는 단계와; 상기 감지된 휘도로부터 상기 패턴의 불량여부를 판단하는 단계를 포함하는 기판 검사방법에 의하여 달성된다.An object of the present invention is the step of applying the inspection light to the substrate is a pattern is formed; Sensing the luminance of the inspection light reflected from the substrate; It is achieved by a substrate inspection method comprising determining whether the pattern is defective from the sensed brightness.

상기 검사광은 코히어런트(coherent)한 상태로 상기 기판에 가해지는 것이 바람직하다. The inspection light is preferably applied to the substrate in a coherent state.

상기 검사광은 선광인 것이 바람직하다. It is preferable that the said inspection light is a beneficiation.

상기 휘도는 상기 검사광을 상기 기판에 스캔하면서 얻는 것이 바람직하다. It is preferable that the luminance is obtained while scanning the inspection light onto the substrate.

상기 스캔 시에, 상기 검사광의 상기 기판으로의 입사각은 일정하며, 상기 휘도는 상기 기판의 입사점에서 일정한 위치에서 감지하는 것이 바람직하다. In the scan, the incident angle of the inspection light to the substrate is constant, and the brightness is preferably sensed at a predetermined position at the incident point of the substrate.

상기 휘도는 일렬로 배치되어 있는 촬상단위를 포함하는 라인 카메라(line camera)를 이용하여 얻는 것이 바람직하다. The luminance is preferably obtained by using a line camera including an imaging unit arranged in a line.

상기 촬상단위는 CCD(charge-coupled device)를 포함하는 것이 바람직하다. The imaging unit preferably includes a charge-coupled device (CCD).

반사된 상기 검사광은 렌즈를 거쳐 상기 라인카메라로 입사되는 것이 바람직하다. The reflected inspection light is preferably incident on the line camera via a lens.

상기 기판에는 복수의 화소 영역이 형성되어 있으며, 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도(optical resolution)는 상기 화소 영역 크기(size)의 100% 내지 300% 사이인 것이 바람직하다. A plurality of pixel areas are formed on the substrate, and the optical resolution of each imaging unit is preferably between 100% and 300% of the pixel area size.

상기 각 촬상 단위의 광학해상도(R)는 (b-f)*D/f(여기서, b는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리, f는 상기 렌즈의 초점거리, D는 상기 각 촬상 단위의 크기(size))로 표현되며, 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리를 변화시켜 조절하는 것이 바람직하다. The optical resolution R of each imaging unit is (bf) * D / f (where b is the distance between the lens and the incident point, f is the focal length of the lens, and D is the size of each imaging unit ( size)), and the optical resolution of each imaging unit is preferably adjusted by changing the distance between the lens and the incident point.

상기 렌즈와 상기 라인카메라와의 거리(a)는 D*R/b값의 90% 내지 110%인 것이 바람직하다. Preferably, the distance a between the lens and the line camera is 90% to 110% of the D * R / b value.

상기 패턴은 블랙매트릭스, 컬러필터 및 컬럼스페이서 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다. The pattern preferably includes at least one of a black matrix, a color filter, and a column spacer.

상기 휘도는 상기 패턴의 높이에 따라 달라지는 것이 바람직하다. Preferably, the brightness varies depending on the height of the pattern.

상기 본 발명의 목적은 패턴이 형성되어 있는 기판에 선(line)형태의 검사광을 가하는 단계와; 상기 기판에서 반사된 상기 검사광의 휘도를 라인 카메라를 이 용하여 감지하는 단계와; 상기 감지된 휘도로부터 상기 패턴의 불량여부를 판단하는 단계를 포함하는 기판 검사방법에 의해서도 달성가능하다.An object of the present invention is the step of applying a line-shaped inspection light to the substrate on which the pattern is formed; Sensing the luminance of the inspection light reflected from the substrate using a line camera; It can also be achieved by a substrate inspection method comprising determining whether the pattern is defective from the sensed brightness.

상기 휘도는 상기 검사광을 상기 기판에 스캔하면서 얻는 것이 바람직하다. It is preferable that the luminance is obtained while scanning the inspection light onto the substrate.

상기 스캔 시에, 상기 검사광의 상기 기판으로의 입사각은 일정하며, 상기 휘도는 상기 기판의 입사점에서 일정한 위치에서 감지하는 것이 바람직하다. In the scan, the incident angle of the inspection light to the substrate is constant, and the brightness is preferably sensed at a predetermined position at the incident point of the substrate.

반사된 상기 검사광은 렌즈를 거쳐 상기 라인카메라로 입사되며, 상기 기판에는 복수의 화소 영역이 형성되어 있으며, 상기 라인 카메라는 일렬로 배치되어 있는 촬상단위를 포함하며, 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도(optical resolution)는 상기 화소 영역 크기(size) 100% 내지 300% 사이인 것이 바람직하다. The reflected inspection light is incident to the line camera through a lens, and the substrate includes a plurality of pixel regions, and the line camera includes an imaging unit arranged in a line, and the optical resolution of each imaging unit. Optical resolution is preferably between 100% and 300% of the pixel area size.

상기 각 촬상 단위의 광학해상도(R)는 (b-f)*D/f(여기서, b는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리, f는 상기 렌즈의 초점거리, D는 상기 각 촬상단위의 크기(size))로 표현되며, 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리를 변화시켜 조절하는 것이 바람직하다. The optical resolution R of each imaging unit is (bf) * D / f (where b is the distance between the lens and the incident point, f is the focal length of the lens, and D is the size of each imaging unit ( size)), and the optical resolution of each imaging unit is preferably adjusted by changing the distance between the lens and the incident point.

상기 본 발명의 다른 목적은 패턴이 형성되어 있는 기판인 안착되는 안착부와; 상기 안착부 상부에 위치하며, 상기 기판에 검사광을 공급하는 광원부와 상기 기판에 반사된 상기 검사광의 휘도를 감지하는 카메라를 포함하는 검출부와; 상기 안착부와 상기 검출부를 상대이동시키는 구동부와; 상기 카메라가 감지한 휘도로부터 상기 패턴의 불량여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것에 의하여 달성된다. Another object of the present invention and the seating portion that is the substrate is a pattern is formed; A detection unit positioned above the seating unit, the light source unit supplying inspection light to the substrate, and a camera configured to sense a brightness of the inspection light reflected by the substrate; A driving unit for relatively moving the seating unit and the detection unit; It is achieved by including a control unit for determining whether the pattern is defective from the brightness detected by the camera.

상기 광원부가 공급하는 상기 검사광은 코히어런트(coherent)한 것이 바람직하다. The inspection light supplied by the light source unit is preferably coherent.

상기 검사광은 선광인 것이 바람직하다. It is preferable that the said inspection light is a beneficiation.

상기 광원부는 방출되는 빛의 방출각을 제한하는 슬릿을 포함하는 것이 바람직하다. The light source unit preferably includes a slit for limiting the emission angle of the emitted light.

상기 카메라는 라인 카메라(line camera)를 포함하는 것이 바람직하다. The camera preferably comprises a line camera.

상기 검출부는 상기 카메라와 상기 안착부 사이에 위치하는 렌즈를 더 포함하는 것이 바람직하다. Preferably, the detection unit further includes a lens located between the camera and the seating unit.

상기 안착부와 검출부의 상대이동시에, 상기 기판의 반사 지점과 상기 광원부의 상대위치 및 상기 기판의 반사 지점과 상기 카메라의 상대위치는 일정하게 유지되는 것이 바람직하다. In the relative movement of the seating portion and the detection portion, it is preferable that the relative position of the reflection point of the substrate and the light source portion and the relative position of the reflection point of the substrate and the camera are kept constant.

상기 패턴은 블랙매트릭스, 컬러필터 및 컬럼스페이서 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.The pattern preferably includes at least one of a black matrix, a color filter, and a column spacer.

여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 제1실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.In various embodiments, like reference numerals refer to like elements, and like reference numerals refer to like elements in the first embodiment and may be omitted in other embodiments.

이하의 실시예에서는 기판으로서 액정표시장치의 컬러필터 기판을 예로 들어 설명하나, 본 발명은 박막트랜지스터 기판에도 적용될 수 있다. 또한 발명은 유기전계발광장치(OLED), 전기영동표시장치(EPD), 플라즈마디스플레이장치(PDP)와 같은 다른 표시장치의 기판에도 적용될 수 있다.In the following embodiment, a color filter substrate of a liquid crystal display device is described as an example, but the present invention can also be applied to a thin film transistor substrate. The invention can also be applied to substrates of other display devices such as organic light emitting devices (OLEDs), electrophoretic display devices (EPDs), plasma display devices (PDPs).

이하의 설명에서 ‘화소영역의 크기(Size)’는 화소영역의 면적과 동일한 면적을 가지는 정사각형의 한 변의 길이를 말한다. 각 촬상 단위는 정사각형 형상이며, ‘촬상 단위의 크기(Size)’는 촬상 단위의 한 변의 길이를 말한다. 각 촬상 단위는 촬상대상물의 정사각형 영역을 촬상하는데, ‘촬상 단위의 광학 해상도(optical resolution)’은 각 촬상되는 정사각형 영역의 한 변의 길이를 말한다.In the following description, the size of the pixel area refers to the length of one side of the square having the same area as the area of the pixel area. Each imaging unit has a square shape, and a "size of an imaging unit" means the length of one side of an imaging unit. Each imaging unit picks up a square area of an object to be imaged, and "optical resolution of an imaging unit" refers to the length of one side of the square area to be picked up.

도 1은 액정표시장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device.

액정표시장치(100)는 박막트랜지스터 기판(110), 컬러필터 기판(120) 그리고 양 기판(110, 120)에 위치한 액정층(130)을 포함한다.The liquid crystal display device 100 includes a thin film transistor substrate 110, a color filter substrate 120, and a liquid crystal layer 130 disposed on both substrates 110 and 120.

박막트랜지스터 기판(110)을 보면, 절연기판(111) 상에 복수의 박막트랜지스터(112)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(112)는 무기막 또는 유기막으로 이루어져 있는 보호층(113)이 덮고 있으며, 보호층(113)의 일부는 제거되어 박막트랜지스터(112)를 노출시키는 접촉구(114)를 형성한다. ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 도전물질로 이루어진 화소전극(115)은 접촉구(114)를 통해 박막트랜지스터(112)와 연결되어 있다.Referring to the thin film transistor substrate 110, a plurality of thin film transistors 112 are formed on the insulating substrate 111. The thin film transistor 112 is covered with a protective layer 113 made of an inorganic film or an organic film, and a portion of the protective layer 113 is removed to form a contact hole 114 exposing the thin film transistor 112. The pixel electrode 115 made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is connected to the thin film transistor 112 through the contact hole 114.

컬러필터 기판(120)을 보면, 절연기판(121) 상에 격자 형상의 블랙매트릭스(122)가 형성되어 있다. 블랙매트릭스(122)는 블랙안료를 포함한 유기물로 만들어 질 수 있으며, 박막트랜지스터 기판(110)의 박막트랜지스터(112)와 배선(도시하지 않음)과 대응하도록 형성되어 있다.Referring to the color filter substrate 120, a grid-like black matrix 122 is formed on the insulating substrate 121. The black matrix 122 may be made of an organic material including a black pigment, and is formed to correspond to the thin film transistor 112 and the wiring (not shown) of the thin film transistor substrate 110.

블랙매트릭스(122) 사이에는 컬러필터(123)가 형성되어 있다. 컬러필터(123)는 유기물로 이루어져 있으며 서로 다른 색상을 가진 3개의 서브층(123a, 123b, 123c)을 포함한다. 블랙매트릭스(122)와 컬러필터층(123) 상부에는 오버코트층(124)과 투명한 도전물질로 이루어진 공통전극(125)이 형성되어 있다. 공통전극(125) 상에는 컬럼스페이서(126)가 형성되어 있다. 컬럼스페이서(126)는 블랙매트릭스(122)에 대응하게 형성되어 있으며, 양 기판(110, 120) 사이의 간격을 유지한다.The color filter 123 is formed between the black matrices 122. The color filter 123 is composed of organic materials and includes three sub layers 123a, 123b, and 123c having different colors. The common electrode 125 made of an overcoat layer 124 and a transparent conductive material is formed on the black matrix 122 and the color filter layer 123. The column spacer 126 is formed on the common electrode 125. The column spacer 126 is formed to correspond to the black matrix 122 and maintains a gap between the substrates 110 and 120.

양 기판(110, 120) 사이에 위치한 액정층(130)은 화소전극(115)과 공통전극(125)이 형성하는 전계에 의해 그 배열상태가 결정된다. 박막트랜지스터 기판(110)의 하부에서 공급된 빛은 액정층(130)에서 투과율이 조정된 후 컬러필터층(123) 및 컬러필터 기판(120) 외부에 부착된 편광판(미도시)을 지나면서 색상이 부여된다.The arrangement state of the liquid crystal layer 130 disposed between the substrates 110 and 120 is determined by an electric field formed by the pixel electrode 115 and the common electrode 125. The light supplied from the lower portion of the thin film transistor substrate 110 passes through a polarizing plate (not shown) attached to the outside of the color filter layer 123 and the color filter substrate 120 after the transmittance is adjusted in the liquid crystal layer 130. Is given.

이상에서 설명한 블랙매트릭스(122), 컬러필터층(123) 및 컬럼스페이서(126) 등의 패턴은 통상 감광유기층을 코팅한 후 노광 및 현상하여 형성한다.The patterns of the black matrix 122, the color filter layer 123, and the column spacer 126 described above are usually formed by coating and then exposing and developing the photosensitive organic layer.

감광유기층의 코팅은 슬릿 코팅(slit coating), 스핀 코팅(spin coating) 또는 스크린 코팅(screen coating) 등의 방법으로 수행된다. 그런데 코팅 전에 절연기판 상에 파티클이 있으면 감광유기층의 두께가 불균일해지고 이에 따라 형성되는 패턴의 두께도 불균일해진다. 패턴의 두께는 패턴을 형성하는 과정 중에 파티클이 유입되어 불균일해질 수도 있다.Coating of the photosensitive organic layer is carried out by a method such as slit coating, spin coating or screen coating. However, if particles exist on the insulating substrate before coating, the thickness of the photosensitive organic layer is uneven, and thus the thickness of the pattern formed is uneven. The thickness of the pattern may be uneven due to the inflow of particles during the process of forming the pattern.

패턴의 두께가 불균일해지면 표시품질이 저하되는데, 특히 컬러필터층(123)의 두께가 불균일해지면 화면에 얼룩이 발생할 수 있다.If the thickness of the pattern becomes uneven, the display quality is deteriorated. In particular, if the thickness of the color filter layer 123 becomes uneven, staining may occur on the screen.

이에 따라 각 패턴을 형성한 후 패턴의 불량여부를 측정하게 된다. 패턴에 불량이 측정된 경우, 불량이 발생한 패턴을 재작업(rework)하거나 기판을 폐기하게 된다. Accordingly, after forming each pattern, whether the pattern is defective or not is measured. If a defect is measured in the pattern, the defective pattern is reworked or the substrate is discarded.

본 발명은 패턴의 불량을 측정하는 검사장치와 검사방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method for measuring a defect of a pattern.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 검사장치를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a substrate inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

기판 검사장치(1)는 검출부(10), 검출부(10) 하부에 위치하며 기판(140)이 안착되는 안착부(40), 안착부(40)를 직선운동시키는 구동부(50)를 포함한다. 검사 대상인 기판(140)은 절연기판(141) 및 절연기판(141) 상에 형성되어 있는 패턴(142)을 포함한다. 패턴(142)은 블랙매트릭스, 컬러필터층 및 컬럼스페이서 중 어느 하나일 수 있다.The substrate inspecting apparatus 1 includes a detector 10, a seat 40 positioned below the detector 10, and a driver 50 for linearly moving the seat 40. The substrate 140 to be inspected includes an insulating substrate 141 and a pattern 142 formed on the insulating substrate 141. The pattern 142 may be any one of a black matrix, a color filter layer, and a column spacer.

검출부(10)는 고정되어 있으며 기판(140)에 검사광을 공급하는 광원부(20)와 기판(140)에서 반사된 반사광의 휘도를 감지하는 카메라(30)를 포함한다. 도 3과 같이 카메라(30)는 한 쌍으로 이루어져 있다. 각 카메라(30)는 휘도를 감지하는 영역, 즉 FOV(field of view)를 가진다. 각 카메라(30)의 FOV의 폭(d1)은 기판(140)의 폭(d2)의 절반보다 크다. 카메라(30)의 FOV는 일부 겹치며, 일부는 기판(140)을 벗어난다. 카메라(30)와 기판(140) 사이에는 렌즈(35)가 위치하고 있다.The detector 10 is fixed and includes a light source unit 20 for supplying inspection light to the substrate 140 and a camera 30 for sensing the luminance of the reflected light reflected from the substrate 140. As shown in FIG. 3, the camera 30 is composed of a pair. Each camera 30 has an area for sensing luminance, that is, a field of view (FOV). The width d1 of the FOV of each camera 30 is greater than half of the width d2 of the substrate 140. The FOV of the camera 30 partially overlaps, partly off the substrate 140. The lens 35 is positioned between the camera 30 and the substrate 140.

광원부(20)는 검사광과 기판(140)의 입사점이 일정한 각도(θ1)를 이루도록 배치되어 있다. 광원부(20)는 빛을 발생하는 램프(21)와 램프(21)를 둘러싸고 있으며 빛을 기판(140)을 향하도록 하는 램프 커버(22)로 구성되어 있다. 램프 커 버(22)는 기판(140)을 향한 일면이 개구되어 있다.The light source unit 20 is disposed such that the incident light of the inspection light and the substrate 140 has a constant angle θ1. The light source unit 20 includes a lamp 21 generating light and a lamp cover 22 surrounding the lamp 21 and directing the light toward the substrate 140. The lamp cover 22 has one surface facing the substrate 140.

광원부(20)의 구성은 균일한 강도의 선(line) 타입 검사광을 공급할 수 있다면 다양하게 변형될 수 있다. 광원부(20)는 할로겐 램프 또는 메탈-할라이드(metal-halide)램프와 같은 점광원(point light source)과, 점광원을 선광원으로 변환시키는 광섬유(optical fiber)를 포함할 수 있다.The configuration of the light source unit 20 may be variously modified as long as it can supply line type inspection light of uniform intensity. The light source unit 20 may include a point light source such as a halogen lamp or a metal-halide lamp, and an optical fiber converting the point light source into a linear light source.

카메라(30)는 도 4와 같이 CCD(charge-coupled device)로 이루어진 n개의 촬상단위(31)가 일렬로 배치되어 있는 라인 카메라이다. 각 촬상단위(31)는 정사각형 형상으로, 한 변의 길이, 즉 활상단위(31)의 크기(size)는 D로 표현된다. 카메라(30)의 촬상단위(31)는 램프(21)와 평행하게 배치되어 있다. 카메라(30)는 기판(140)의 입사점과 일정한 각도(θ2)를 이루도록 배치되어 있다.The camera 30 is a line camera in which n imaging units 31 made of a charge-coupled device (CCD) are arranged in a line as shown in FIG. 4. Each imaging unit 31 has a square shape, the length of one side, that is, the size of the live unit 31 is represented by D. The imaging unit 31 of the camera 30 is arranged in parallel with the lamp 21. The camera 30 is disposed to form a predetermined angle θ2 with the incident point of the substrate 140.

구동부(50)는 안착부(40)를 이동시켜 검출부(10)가 기판(140) 전체를 스캔하도록 한다. 기판(140) 전체 스캔을 위해 램프(21)의 길이는 기판(140)의 폭(d2)보다 다소 크게 마련되는 것이 바람직하다.The driver 50 moves the seat 40 so that the detector 10 scans the entire substrate 140. For the entire scan of the substrate 140, the length of the lamp 21 is preferably larger than the width d2 of the substrate 140.

기판(140) 전체에 대한 스캔 시에 입사점과 광원부(20)와의 각도(θ1) 및 입사점과 카메라(30)와의 각도(θ2)는 일정하게 유지된다.When scanning the entire substrate 140, the angle θ1 between the incident point and the light source unit 20 and the angle θ2 between the incident point and the camera 30 are kept constant.

스캔 시에 패턴(142)의 높이에 따라 카메라(30)에 감지되는 반사광의 강도가 변화한다.The intensity of the reflected light detected by the camera 30 changes according to the height of the pattern 142 at the time of scanning.

도시하지는 않았지만 기판 검사장치(1)는 감지된 휘도값을 바탕으로 패턴(142)의 불량여부를 판단하는 제어부를 더 포함할 수 있다. Although not shown, the substrate inspection apparatus 1 may further include a controller to determine whether the pattern 142 is defective based on the detected luminance value.

도 5은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 검사장치에서 출사하는 검사광을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining inspection light emitted from the substrate inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention.

검사광은 광원부(20)에 가까운 부분에서는 평행광이 아니지만 기판(140)에 입사할 때는 실질적으로 평행한 상태로 입사한다. 이와 같이 실질적으로 평행한 상태를 코히어런트(coherent) 상태라 한다. 이러한 코히어런트 상태의 검사광을 만들기 위해 입사점과 광원부(20) 간의 거리(c)는 일정한 값, 예를 들어 약 3m이상을 유지하여야 한다.The inspection light is not parallel light at a portion close to the light source unit 20, but is incident in a substantially parallel state when it enters the substrate 140. This substantially parallel state is called a coherent state. In order to make the coherent inspection light, the distance c between the incident point and the light source 20 must be maintained at a constant value, for example, about 3 m or more.

반사된 검사광으로부터 기판(140)을 검사하기 위해서는 카메라(30)가 적절한 광학 해상도를 가져야 한다. 즉, 카메라(30)의 각 촬상 단위(31)의 광학 해상도가 적절한 범위를 가져야 한다. 이를 컬러필터 기판(120)을 검사 대상으로 예시하여 설명한다.In order to inspect the substrate 140 from the reflected inspection light, the camera 30 must have an appropriate optical resolution. That is, the optical resolution of each imaging unit 31 of the camera 30 should have an appropriate range. This will be described by exemplifying the color filter substrate 120 as an inspection object.

도 6a와 같이, 컬러필터 기판(120)에는 복수의 화소영역이 형성되어 있다. 화소영역은 복수의 서브화소가 모여 있는 것으로 화면을 구성하는 기본 단위가 된다. 화소영역은 도시한 바와 같이 각각 적색, 청색 및 녹색을 표현하는 3영역을 포함하며, 한변의 길이가 d3인 정사각형 형상이다.As illustrated in FIG. 6A, a plurality of pixel areas are formed in the color filter substrate 120. A pixel area is a group of a plurality of subpixels, which is a basic unit constituting a screen. As shown in the drawing, the pixel region includes three regions representing red, blue, and green, respectively, and has a square shape having a length of one side d3.

각 촬상 단위(31)는 기판(140) 중 정사각형 형상의 단위 촬상영역을 촬상한다. 단위 촬상 영역의 한 변의 길이인 광학 해상도(R)는 화소영역의 한 변의 길이(d3), 즉 화소영역의 크기(size)의 100% 내지 300%인 것이 바람직하다.Each imaging unit 31 picks up a square unit imaging area of the substrate 140. The optical resolution R, which is the length of one side of the unit imaging area, is preferably 100% to 300% of the length d3 of one side of the pixel area, that is, the size of the pixel area.

통상 불량은 수 개의 화소영역에 걸쳐서 일어난다. 광학해상도(R)가 화소영 역의 크기(d3)의 100%보다 작으면, 즉 단위 촬상영역이 화소영역보다 작으면 광학적인 이유로 불량을 감지할 수 없다. 반대로 광학해상도(R)가 화소영역의 크기(d3)의 300%보다 크면, 해상력이 감소하여 불량이 발생하여도 이를 불량으로 인식하지 못하거나, 불량이 발생한 위치를 결정할 수 없다.Normal failures occur over several pixel regions. If the optical resolution R is smaller than 100% of the size d3 of the pixel area, that is, the unit imaging area is smaller than the pixel area, the defect cannot be detected for optical reasons. On the contrary, if the optical resolution R is larger than 300% of the size d3 of the pixel region, the resolution may decrease, so that even if a defect occurs, the optical resolution R may not be recognized as a defect or a position where the defect occurs may not be determined.

한편 도 6b와 같이 화소영역이 정사각형이 아닌 경우가 있다. 이 경우에는 화소영역의 크기(d3)는 화소영역과 동일한 면적을 가지는 정사각형의 한 변 길이를 기준으로 할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 6B, the pixel area may not be square. In this case, the size d3 of the pixel region may be based on the length of one side of the square having the same area as the pixel region.

이하 광학해상도(R)를 조절하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of adjusting the optical resolution R will be described.

광학해상도(R)는 다음과 같은 식 1로 결정된다.The optical resolution R is determined by the following equation.

[식 1][Equation 1]

R = (b-f)*D/fR = (b-f) * D / f

여기서, b는 도 2에 도시한 렌즈(35)와 입사점과의 거리, f는 렌즈(35)의 초점거리, D는 도 4에 도시한 각 촬상단위(31)의 크기이다.Here, b is the distance between the lens 35 and the incidence point shown in FIG. 2, f is the focal length of the lens 35, and D is the size of each imaging unit 31 shown in FIG.

한편, 렌즈(35)와 입사점과의 거리(b)는 식 1로부터 다음과 같은 식 2로 표현된다.On the other hand, the distance b between the lens 35 and the incident point is expressed by the following expression (2) from the equation (1).

[식 2][Equation 2]

b = f *(R/D+1)b = f * (R / D + 1)

검사에서 광학해상도(R)는, 통상 카메라(30)와 렌즈(35)는 교체하지 않고 렌즈(35)와 입사점과의 거리(b)를 변경하여 조절한다. 예를 들어, 화소영역의 크기(d3)가 300㎛, 촬상단위(31)의 크기(D)가 14㎛, 렌즈(35)의 초점거리(f)가 60㎛인 경우, 광학해상도(R)가 500㎛이기 위해서는 식 2에 의해 렌즈(35)와 입사점과의 거리(b)를 약 2202mm로 조절하면 된다.In the inspection, the optical resolution R is usually adjusted by changing the distance b between the lens 35 and the incident point without replacing the camera 30 and the lens 35. For example, when the size d3 of the pixel region is 300 μm, the size D of the imaging unit 31 is 14 μm, and the focal length f of the lens 35 is 60 μm, the optical resolution R In order to be 500 µm, the distance b between the lens 35 and the incident point may be adjusted to about 2202 mm by Equation 2.

물론 광학해상도(R) 조절을 위해 카메라(30)와 렌즈(35)를 교체하는 것도 가능하다.Of course, it is also possible to replace the camera 30 and the lens 35 to adjust the optical resolution (R).

한편, 광학해상도(R)는 촬상 단위(31)의 개수(n) 및 FOV의 폭(d1)과 관련된다.On the other hand, the optical resolution R is related to the number n of the imaging units 31 and the width d1 of the FOV.

예를 들어, 도 3과 같이 카메라(30)가 2대이고 기판(140)의 폭(d2)이 1500mm이고 FOV의 폭(d1)이 800mm라고 가정한다.For example, it is assumed that two cameras 30 are provided, the width d2 of the substrate 140 is 1500 mm, and the width d1 of the FOV is 800 mm, as shown in FIG. 3.

원하는 광학해상도(R)가 500㎛라고 하면, 촬상단위(31)의 개수(n)는 d1/R, 약 1600개가 되어야 한다. 카메라(30)의 촬상단위(31)의 개수(n)가 1600개 보다 작다면, 카메라(30)를 3개 이상 사용하거나, 광학해상도(R)를 증가시켜야 한다.If the desired optical resolution R is 500 mu m, the number n of the imaging units 31 should be d1 / R, about 1600. If the number n of the imaging units 31 of the camera 30 is smaller than 1600, three or more cameras 30 should be used, or the optical resolution R should be increased.

이와 같이, 카메라(30)의 개수, 촬상단위(31)의 개수(n) 및 광학해상도(R)는 밀접한 관계를 가지고 있다.In this way, the number of the cameras 30, the number n of the imaging units 31, and the optical resolution R have a close relationship.

원하는 광학해상도(R)에 따라 렌즈(35)와 입사점과의 거리(b)가 정해지면, 도 2에 나타낸 렌즈(35)와 카메라(30) 간의 거리(a)는 다음 식 3에 의해 결정된다.When the distance b between the lens 35 and the incident point is determined according to the desired optical resolution R, the distance a between the lens 35 and the camera 30 shown in Fig. 2 is determined by the following equation (3). do.

[식 3][Equation 3]

a = (D/R)*ba = (D / R) * b

위에서 예시한 경우에 따르면 계산된 a 값은 약 62mm가 된다. 렌즈(35)와 카메라(30) 간의 거리(a)는 카메라(30)의 초점을 맞추기 위해 조절하며, 계산된 값의 90% 내지 110% 사이에서 조절될 수 있다.In the case illustrated above, the calculated value a is about 62 mm. The distance a between the lens 35 and the camera 30 is adjusted to focus the camera 30 and may be adjusted between 90% and 110% of the calculated value.

도 7은 검사광의 회절을 설명하기 위한 도면이다.7 is a diagram for explaining diffraction of inspection light.

기판(140)에 형성되어 있는 패턴(142)은 블랙매트릭스인 경우 격자 상으로, 컬러필터인 경우 일정한 간격으로 배치된 라인 상으로, 컬럼스페이서인 경우에는 균일하게 배치된 도트 상일 수 있다.The pattern 142 formed on the substrate 140 may be on a lattice in the case of a black matrix, on a line arranged at regular intervals in the case of a color filter, or on a dot uniformly arranged in the case of a column spacer.

이와 같은 패턴(142)은 입사되는 검사광에 대하여 회절 격자(diffracting grating)로 작용한다. 따라서 광원(20)에서 패턴(142)으로 입사된 빛은 회절되어 파장별로 나누어진 스펙트럼을 이루면서 반사된다.Such a pattern 142 acts as a diffracting grating on incident inspection light. Therefore, the light incident from the light source 20 to the pattern 142 is diffracted and reflected while forming a spectrum divided by wavelength.

패턴(142)에서 반사되어 회절된 빛의 스펙트럼을 보면 파장에 따라 강도가 달라짐을 알 수 있다.Looking at the spectrum of light reflected and diffracted by the pattern 142, it can be seen that the intensity varies depending on the wavelength.

이하 패턴(142)의 높이에 따라 카메라(30)에 인식되는 반사광에 휘도차이가 발생하는 이유를 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the reason why the luminance difference occurs in the reflected light recognized by the camera 30 according to the height of the pattern 142 will be described with reference to FIGS. 8 to 10.

도 8는 패턴의 높이에 따른 반사광의 시프트를 설명하기 위한 도면, 도 9a 및 도 9b는 패턴에 높이에 따른 회절 스펙트럼을 나타낸 사진 및 도 10은 패턴의 높이에 따른 휘도 변화를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the shift of the reflected light according to the height of the pattern, 9a and 9b is a photograph showing the diffraction spectrum according to the height in the pattern, and FIG. 10 is a view for explaining the change in luminance according to the height of the pattern. .

파티클 등의 불량요인에 의해 패턴(142)의 높이는 위치에 따라 달라진다. 높이가 다른 패턴(142)은 기판(140) 상에서 도트 형태로 나타날 수도 있으며, 라인 형태로 나타날 수도 있다. The height of the pattern 142 may vary depending on the position due to defects such as particles. The patterns 142 having different heights may appear in the form of dots on the substrate 140 or may appear in the form of lines.

도 8에서 보면 패턴(142)의 높이에 따라 반사광의 경로가 차이가 있음을 알 수 있다. 즉 정상 패턴(142a)에서 반사된 (a)의 경우와 높은 패턴(142b)에서 반사된 (b)의 경우 반사점의 높이가 달라 반사광의 시프트가 일어난다.In FIG. 8, it can be seen that the path of the reflected light is different depending on the height of the pattern 142. That is, in the case of (a) reflected from the normal pattern 142a and (b) reflected from the high pattern 142b, the height of the reflection point is different so that the reflected light shifts.

도 9a는 패턴(142)의 높이가 일정할 경우의 회절 스펙트럼를 나타낸 것이며, 도 9b는 패턴(142)의 높이가 불일정할 경우의 회절 스펙트럼을 나타낸 것이다.9A shows a diffraction spectrum when the height of the pattern 142 is constant, and FIG. 9B shows a diffraction spectrum when the height of the pattern 142 is uneven.

도 9b에서 보면 패턴(142)의 높이가 불일정할 경우 화살표로 표시한 부분에서 주변과 다른 형태를 나타냄을 알 수 있다. 즉 패턴(142)의 높이에 따라 반사광의 시프트가 일어나 휘도가 달라지는 것이다.In FIG. 9B, when the height of the pattern 142 is inconsistent, it can be seen that the shape indicated by the arrow is different from the surroundings. That is, the shift of the reflected light occurs according to the height of the pattern 142, and the luminance is changed.

도 10을 보면 정상 패턴(142a)인 (a)의 경우와 높은 패턴(142b)의 경우 회절 스펙트럼의 형태는 거의 유사하다. 그러나 고정되어 있는 카메라(30)가 인식하는 파장은 서로 다르다.Referring to FIG. 10, the shape of the diffraction spectrum is almost similar to that of (a) that is the normal pattern 142a and that of the high pattern 142b. However, the wavelengths recognized by the fixed camera 30 are different from each other.

(a)의 경우 가장 높은 강도를 가진 파장의 빛이 카메라(30)에 인식된다. 반 면 (b)의 경우 비교적 낮은 강도를 가진 파장의 빛이 카메라(30)에 인식된다. 따라서 카메라(30)는 높은 패턴(142b)에서 정상 패턴(142a)에 비하여 낮은 휘도를 감지하게 된다.In the case of (a), light of the wavelength having the highest intensity is recognized by the camera 30. On the other hand, in the case of (b), light having a wavelength having a relatively low intensity is recognized by the camera 30. Therefore, the camera 30 senses a lower luminance than the normal pattern 142a in the high pattern 142b.

휘도 감지는 검사광을 기판(140) 전체에 걸쳐 스캔하면서 이루어진다. 스캔을 통해 전체 패턴(142)에서의 반사광 휘도를 측정하게 되고, 이를 합친다. 이렇게 합쳐진 휘도 데이터를 보면 주위에 비해 낮은 휘도를 가지는 부분이 감지되고, 이로부터 패턴(142) 높이가 불균일한 부분을 판단할 수 있다.Luminance sensing is performed while scanning the inspection light across the substrate 140. By scanning, the reflected light luminance in the entire pattern 142 is measured and combined. When the luminance data is combined as described above, a portion having a lower luminance than the surroundings is sensed, and a portion having an uneven height of the pattern 142 may be determined therefrom.

도 8 내지 도 10에서는 패턴(142)이 높으면 휘도가 낮아지는 것으로 설명하였다. 그러나 패턴(142) 높이가 다를 경우 반사광의 휘도가 높을 지 또는 낮을 지는 광원부(20)와 카메라(30)의 위치관계에 따라 결정된다. 즉, 카메라(30)가 통상 높이를 가진 패턴(142)에서 반사된 빛의 회절패턴에서 비교적 낮은 강도의 빛을 감지한다면, 다른 높이를 가진 패턴(142)에서 반사된 빛이 더 강하게 감지될 수도 있다.8 to 10 illustrate that the luminance is lowered when the pattern 142 is high. However, when the height of the pattern 142 is different, it is determined according to the positional relationship between the light source 20 and the camera 30 whether the brightness of the reflected light is high or low. That is, if the camera 30 detects light of relatively low intensity in the diffraction pattern of the light reflected from the pattern 142 having the normal height, the light reflected from the pattern 142 having another height may be detected more strongly. have.

얻어진 휘도 값으로부터 패턴(142)의 불량을 판정하는 기준은 여러가지가 있을 수 있다. 예를 들어 휘도 값을 수치화하고, 휘도가 주위에 비해 일정 수준 이상 높은 부분을 불량으로 판정할 수 있다. 불량 부분은 점 또는 선으로 나타낼 수 있다.There may be various criteria for determining the defect of the pattern 142 from the obtained luminance value. For example, the luminance value is digitized, and a portion where the luminance is higher than a predetermined level compared to the surroundings can be determined as defective. The defective part may be represented by a dot or a line.

패턴(142)의 불량으로 판정되면, 패턴(142)을 제거하고 다시 형성하거나 기판(140)을 폐기할 수 있다.If it is determined that the pattern 142 is defective, the pattern 142 may be removed and formed again, or the substrate 140 may be discarded.

도 11은 실험을 통해 얻어진 휘도 이미지를 나타낸 사진이다.11 is a photograph showing a luminance image obtained through an experiment.

도 11은 컬러필터에 대한 이미지로서, 네모로 표시한 부분에 주위와 휘도가 상이한 점을 관찰할 수 있다. 이러한 불량은 감광 유기층 형성 후 파티클이 감광 유기층 상부에 유입되어 발생한다.FIG. 11 is an image of a color filter, and it is possible to observe that the luminance and the surroundings are different in the square-marked portion. Such defects are caused by particles flowing into the photosensitive organic layer after forming the photosensitive organic layer.

도 11에 도시한 점 외에 휘도가 상이한 부분은 선 또는 면 형태로 나타날 수 있다.In addition to the points shown in FIG. 11, portions having different luminance may appear in a line or plane form.

도 11을 보면 패턴 불량이 명확하게 표시되어 불량 판정이 용이하다. 한편, 얻어진 휘도 데이터는 필요에 따라 다양하게 변형, 조작하여 패턴 불량 판정에 사용될 수 있다.Referring to Fig. 11, the pattern defect is clearly displayed, so that the defect determination is easy. On the other hand, the obtained luminance data can be variously modified and manipulated as necessary to be used for pattern defect determination.

도 12는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 검사장치를 나타낸 도면이다.12 is a view showing a substrate inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention.

제1실시예에서 설명한 바와 같이 광원(20)에서의 검사광은 코히어런트한 상태로 기판(140)에 입사되어야 한다. 검사광을 코히어런트한 상태를 만들기 위해서는 기판(140)과 광원(20) 사이에 상당한 거리가 필요하다. 이 때문에 기판 검사장치(1)의 부피가 매우 커지는 문제가 있다.As described in the first embodiment, the inspection light from the light source 20 should be incident on the substrate 140 in a coherent state. In order to make the inspection light coherent, a considerable distance is required between the substrate 140 and the light source 20. For this reason, there exists a problem that the volume of the board | substrate inspection apparatus 1 becomes very large.

제2실시예에 따르면 광원(20)의 램프 커버(22)에는 슬릿(22a)이 설치되어 있다. 슬릿(22a)은 검사광의 방출각을 제한하는데, 이에 의해 검사광은 비교적 짧은 거리에서도 코히어런트 상태가 된다. 이에 따라 광원(20)과 기판(140) 간의 거리(d2)를 줄일 수 있어 기판 검사장치(1)의 크기를 줄일 수 있다.According to the second embodiment, the slit 22a is provided in the lamp cover 22 of the light source 20. The slit 22a limits the emission angle of the inspection light, whereby the inspection light is coherent even at a relatively short distance. Accordingly, the distance d2 between the light source 20 and the substrate 140 may be reduced, thereby reducing the size of the substrate inspection apparatus 1.

비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, those skilled in the art will recognize that modifications can be made to the embodiments without departing from the spirit or principles of the invention. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 패턴의 불량을 정확히 측정하는 기판검사방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, a substrate inspection method for accurately measuring a defect of a pattern is provided.

또한 본 발명에 따르면, 패턴의 불량을 정확히 측정하는 기판검사장치가 제공된다.In addition, according to the present invention, a substrate inspection apparatus for accurately measuring a defect of a pattern is provided.

Claims (26)

패턴이 형성되어 있는 기판에 검사광을 가하는 단계와;Applying inspection light to the substrate on which the pattern is formed; 상기 기판에서 반사된 상기 검사광의 휘도를 감지하는 단계와;Sensing the luminance of the inspection light reflected from the substrate; 상기 감지된 휘도로부터 상기 패턴의 불량여부를 판단하는 단계를 포함하는 기판 검사방법.And determining whether the pattern is defective from the detected luminance. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 검사광은 코히어런트(coherent)한 상태로 상기 기판에 가해지는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And said inspection light is applied to said substrate in a coherent state. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 검사광은 선광인 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And said inspection light is a beneficiation. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 휘도는 상기 검사광을 상기 기판에 스캔하면서 얻는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And said luminance is obtained while scanning said inspection light onto said substrate. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스캔 시에,In the scan, 상기 검사광의 상기 기판으로의 입사각은 일정하며, 상기 휘도는 상기 기판의 입사점에서 일정한 위치에서 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.The incident angle of the inspection light to the substrate is constant, and the brightness is detected at a predetermined position from the incident point of the substrate. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 휘도는 일렬로 배치되어 있는 촬상단위를 포함하는 라인 카메라(line camera)를 이용하여 얻는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And the luminance is obtained by using a line camera including an imaging unit arranged in a line. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 촬상단위는 CCD(charge-coupled device)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법. And the imaging unit includes a charge-coupled device (CCD). 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 반사된 상기 검사광은 렌즈를 거쳐 상기 라인카메라로 입사되는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And the reflected inspection light is incident on the line camera via a lens. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판에는 복수의 화소 영역이 형성되어 있으며,A plurality of pixel regions are formed on the substrate. 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도(optical resolution)는 상기 화소 영역 크기(size)의 100% 내지 300% 사이인 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And optical resolution of each imaging unit is between 100% and 300% of the pixel area size. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 각 촬상 단위의 광학해상도(R)는 (b-f)*D/f(여기서, b는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리, f는 상기 렌즈의 초점거리, D는 상기 각 촬상 단위의 크기(size))로 표현되며,The optical resolution R of each imaging unit is (bf) * D / f (where b is the distance between the lens and the incident point, f is the focal length of the lens, and D is the size of each imaging unit ( size)), 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리를 변화시켜 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.The optical resolution of each imaging unit is adjusted by varying the distance between the lens and the incident point. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 렌즈와 상기 라인카메라와의 거리(a)는 D*R/b값의 90% 내지 110%인 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And a distance (a) between the lens and the line camera is 90% to 110% of the D * R / b value. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 패턴은 블랙매트릭스, 컬러필터 및 컬럼스페이서 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And the pattern comprises at least one of a black matrix, a color filter, and a column spacer. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 휘도는 상기 패턴의 높이에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.And said brightness varies with the height of said pattern. 패턴이 형성되어 있는 기판에 선(line)형태의 검사광을 가하는 단계와;Applying inspection light in a line form to the substrate on which the pattern is formed; 상기 기판에서 반사된 상기 검사광의 휘도를 라인 카메라를 이용하여 감지하는 단계와;Sensing the luminance of the inspection light reflected from the substrate using a line camera; 상기 감지된 휘도로부터 상기 패턴의 불량여부를 판단하는 단계를 포함하는 기판 검사방법.And determining whether the pattern is defective from the detected luminance. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 휘도는 상기 검사광을 상기 기판에 스캔하면서 얻는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And said luminance is obtained while scanning said inspection light onto said substrate. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 스캔 시에,In the scan, 상기 검사광의 상기 기판으로의 입사각은 일정하며, 상기 휘도는 상기 기판의 입사점에서 일정한 위치에서 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.The incident angle of the inspection light to the substrate is constant, and the brightness is detected at a predetermined position from the incident point of the substrate. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 반사된 상기 검사광은 렌즈를 거쳐 상기 라인카메라로 입사되며,The reflected inspection light is incident to the line camera through a lens, 상기 기판에는 복수의 화소 영역이 형성되어 있으며,A plurality of pixel regions are formed on the substrate. 상기 라인 카메라는 일렬로 배치되어 있는 촬상단위를 포함하며,The line camera includes an imaging unit arranged in a line, 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도(optical resolution)는 상기 화소 영역 크기(size) 100% 내지 300% 사이인 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.And optical resolution of each imaging unit is between 100% and 300% of the pixel area size. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 각 촬상 단위의 광학해상도(R)는 (b-f)*D/f(여기서, b는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리, f는 상기 렌즈의 초점거리, D는 상기 각 촬상단위의 크기(size))로 표현되며,The optical resolution R of each imaging unit is (bf) * D / f (where b is the distance between the lens and the incident point, f is the focal length of the lens, and D is the size of each imaging unit ( size)), 상기 각 촬상 단위의 광학 해상도는 상기 렌즈와 상기 입사점과의 거리를 변화시켜 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 검사방법.The optical resolution of each imaging unit is adjusted by varying the distance between the lens and the incident point. 패턴이 형성되어 있는 기판인 안착되는 안착부와;A seating part that is a substrate on which a pattern is formed; 상기 안착부 상부에 위치하며, 상기 기판에 검사광을 공급하는 광원부와 상기 기판에 반사된 상기 검사광의 휘도를 감지하는 카메라를 포함하는 검출부와;A detection unit positioned above the seating unit, the light source unit supplying inspection light to the substrate, and a camera configured to sense a brightness of the inspection light reflected by the substrate; 상기 안착부와 상기 검출부를 상대이동시키는 구동부와;A driving unit for relatively moving the seating unit and the detection unit; 상기 카메라가 감지한 휘도로부터 상기 패턴의 불량여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.And a controller which determines whether the pattern is defective from the brightness detected by the camera. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 광원부가 공급하는 상기 검사광은 코히어런트(coherent)한 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.And the inspection light supplied by the light source unit is coherent. 제20항에 있어서,The method of claim 20, 상기 검사광은 선광인 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.And said inspection light is a beneficiation. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 광원부는 방출되는 빛의 방출각을 제한하는 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.The light source unit substrate inspection apparatus comprising a slit for limiting the emission angle of the emitted light. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 카메라는 라인 카메라(line camera)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.And the camera comprises a line camera. 제23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 검출부는 상기 카메라와 상기 안착부 사이에 위치하는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.The detection unit further comprises a lens positioned between the camera and the seating portion. 제23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 안착부와 검출부의 상대이동시에,In the relative movement of the seating portion and the detection portion, 상기 기판의 반사 지점과 상기 광원부의 상대위치 및 상기 기판의 반사 지점과 상기 카메라의 상대위치는 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 기판검사장 치.And a reflection point of the substrate and a relative position of the light source unit, and a reflection point of the substrate and the relative position of the camera are kept constant. 제23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 패턴은 블랙매트릭스, 컬러필터 및 컬럼스페이서 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 검사장치.And the pattern includes at least one of a black matrix, a color filter, and a column spacer.
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