KR20070082450A

KR20070082450A - 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법

Info

Publication number: KR20070082450A
Application number: KR1020060015335A
Authority: KR
Inventors: 최덕규
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-02-16
Filing date: 2006-02-16
Publication date: 2007-08-21
Also published as: US8419891B2; US20070187037A1; US20130186439A1; KR100763332B1; US8834672B2

Abstract

본 발명은 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법을 제공한다. 상기 나이프에지링은 내측벽과 외측벽이 형성되며, 일정 폭의 상면이 형성되고, 상기 외측벽에 다단의 경사부가 형성되는 몸체 및 상기 몸체를 관통하며, 흡입구가 상기 경사부에 위치하는 복수개의 배출홀을 구비한다. 또한, 본 발명은 상기 나이프에지링을 갖는 반도체 현상설비를 제공한다. 그리고, 상기 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법은 웨이퍼의 상면에 현상액을 공급하고, 상기 웨이퍼의 저면부에 세정액을 분사하며, 이어, 상기 웨이퍼의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액을 상기 웨이퍼의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링의 외측벽에 형성된 경사부를 통해 가이드하여 상기 경사부에 형성된 복수개의 배출홀로 유입시켜 외부로 배출시킨다.

Description

나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법{KNIFE EDGE RING AND SEMICONDUCTOR DEVELOP EQUIPMENT HAVING THE SAME AND WAFER BACK-SIDE WASHING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVELOP EQUIPMENT}

도 1은 본 발명의 나이프에지링의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.

도 2는 본 발명의 나이프에지링의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.

도 3은 본 발명의 나이프에지링의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.

도 4는 본 발명의 반도체 현상설비를 보여주는 단면도이다.

도 5는 본 발명의 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법에 대한 일 실시예를 보여주는 흐름도이다.

도 6은 본 발명의 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법에 대한 다른 실시예를 보여주는 흐름도이다.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**

100 : 나이프에지링

110 : 몸체

111 : 배출홀

113 : 경사부

200 : 진공흡입부

본 발명은 반도체 현상설비에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 웨이퍼 에지부의 저면에 잔류되는 현상액과 세정액을 외부로 용이하게 배출할 수 있는 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자는 확산·산화공정, 증착공정, 사진공정, 식각공정, 세정공정등의 다양한 공정을 반복적 또는 선택적으로 수행함으로써 제조된다.

이와 같은 공정 중, 상기 사진·식각 공정은 상기 반도체 소자를 제조하기 위한 막질 패터닝 작업시 이용된다.

상기 사진·식각공정은 통상, 웨이퍼 상에 포토레지스트 재질의 감광막을 일정두께로 코팅한 후, 형성하고자 하는 패턴이 설계된 래티클을 이용하여 웨이퍼 상으로 빛을 노광시키고, 노광되어진 감광막을 현상공정을 거쳐 제거해 주는 방식으로 이루어지고 있다.

여기서, 상기 현상공정은 다음과 같이 이루어진다.

먼저, 노광이 완료된 웨이퍼를 일정 속도로 회전시킴과 아울러 회전되는 웨이퍼에 일정량의 현상액을 공급한다. 이어, 현상액 공급이 완료되고, 회전되는 웨이퍼의 저면부에 세정액을 공급하여 상기 저면부를 세정한다. 그리고, 세정이 완료 된 웨이퍼를 인출하여 베이크 플레이트의 상부에 안착시킨 후에 소정의 온도로 베이킹시킴으로써 공정을 완료한다.

그러나, 상기 회전되는 웨이퍼의 상부에 공급되는 현상액은 원심력에 의하여 상기 웨이퍼의 에지부측으로 이동되고, 이와 같이 이동되는 현상액은 웨이퍼의 저면부에 물방울의 형태로 맺힌다.

또한, 상기 웨이퍼의 저면부에 공급되는 세정액이 회전되는 웨이퍼의 저면부에서 완전히 배출되지 못하고, 다른 물방울의 형태로 상기 웨이퍼의 에지부 저면부에 맺힐 수 있다.

따라서, 상기 현상액의 물방울과 상기 세정액의 물방울이 합쳐지는 경우에, 상기 웨이퍼 에지부의 저면부에는 더 큰 물방울의 형태로 잔류되는 문제점이 있다.

이와 같이, 웨이퍼 에지부 저면에 현상액 또는 세정액, 및 상기 두 액체가 합쳐진 물방울이 맺혀진 상태에서 웨이퍼에 대해 배이킹을 진행하면 웨이퍼 에지부 상면에 형성된 회로패턴이 불량이 발생된다.

즉, 세정을 마친 웨이퍼가 베이크 플레이트의 상면에 안착되면, 상기 웨이퍼 에지부 저면에 맺혀있던 물방울들은 웨이퍼의 에지부 측부로 밀려나오게 되며, 이러한 상태에서 웨이퍼에 소정의 열이 가해지면, 상기 밀려나온 물방울은 증발하여, 증발된 화학적 물질이 상기 웨이퍼 에지부 상면 주위에 증착되게 된다.

이와 같이, 물방울의 증발로 인한 화학적 물질이 상기 회로패턴이 형성된 웨이퍼 에지부 상면에 증착되면, 이는 오염원으로 작용하여 상기 회로패턴의 불량을 야기시키고, 이에 따라 제품불량 및 제품손실량이 증가되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해소하기 위하여, 웨이퍼의 저면에 맺히는 현상액 및 세정으로 인한 물방울을 외부로 용이하게 배출시키거나, 강제배출시키도록 하기 위한 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법을 제공함에 있다.

본 발명은 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법을 제공한다.

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 양태에 따른 나이프에지링은 내측벽과 외측벽이 형성되며, 일정 폭의 상면이 형성되고, 상기 외측벽에 다단의 경사부가 형성되는 몸체 및 상기 몸체를 관통하며, 흡입구가 상기 경사부에 위치하는 복수개의 배출홀을 포함한다.

여기서, 상기 흡입구의 단면적은 상기 배출홀의 단면적보다 더 크도록 형성될 수 있다.

또한, 상기 몸체의 상면과 상기 경사부와 사이의 각은 둔각인 것이 바람직하다.

그리고, 상기 외측벽에는 상기 몸체의 상면으로부터 연장되고, 상기 연장되는 종단에서 상기 몸체의 하방을 따라 상기 몸체의 내측으로 경사진 경사면을 구비한 돌기부가 더 형성될 수도 있다.

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 양태에 따른 반도체 현상설비는 웨이퍼를 회전시키는 척과, 상기 웨이퍼로 현상액을 공급하는 현상액공급부와, 상기 척의 주변부에서 상기 웨이퍼 저면과 인접되도록 배치되며, 복수개의 배출홀이 형성된 나이프에지링 및 상기 웨이퍼 저면으로 세정액을 분사하는 세정액분사부를 포함한다.

여기서, 상기 나이프에지링은 내측벽과 외측벽이 형성되며, 일정 폭의 상면이 형성되고, 상기 외측벽에 다단의 경사부가 형성되는 몸체이며, 상기 배출홀들 각각은 상기 몸체를 관통하며, 흡입구가 상기 경사부에 위치하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 배출홀들은 상기 흡입구를 통해 배출홀로 유입되는 상기 현상액과 상기 세정액을 강제배기시키도록 진공흡입부와 연결되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 흡입구의 단면적은 상기 배출홀의 단면적보다 넓게 형성될 수있다.

그리고, 상기 몸체의 상면과 상기 경사부와 사이의 각은 둔각일 수도 있다.

한편, 상기 외측벽에는 상기 몸체의 상면으로부터 연장되며, 상기 연장된 종단에서 상기 몸체의 하방을 따라 상기 몸체의 내측으로 경사진 경사면을 구비하여 형성된 돌기부가 더 형성될 수도 있다.

또한, 상기 세정액분사부는 상기 나이프에지링을 지지하는 이너컵과, 상기 이너컵에 형성된 다수개의 분사홀과, 상기 분사홀에 연결되어 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하는 것이 바람직하다.

전술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 양태에 따른 본 발명의 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법은 웨이퍼의 상면에 현상액을 공급하는 단계와, 상기 웨이퍼의 저면부에 세정액을 분사하는 단계 및 상기 웨이퍼의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액을 상기 웨이퍼의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링의 외측벽에 형성된 경사부를 통해 가이드하여 상기 경사부에 형성된 복수개의 배출홀로 유입시켜 외부로 배출시키는 단계를 포함한다.

또한, 상기 세정액을 분사하는 동안에, 상기 웨이퍼의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액을 상기 웨이퍼의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링의 외측벽에 형성된 경사부를 통해 가이드하여 상기 경사부에 형성된 복수개의 배출홀로 유입시켜 외부로 배출시키는 단계를 포함할 수도 있다.

그리고, 상기 배출홀로 유입되는 상기 잔류되는 현상액과 상기 세정액을 진공흡입하여 외부로 배출시키는 단계를 포함할 수도 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 나이프에지링 및 이를 갖는 반도체 현상설비, 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법을 설명하도록 한다.

먼저, 도 1을 참조로 하여 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 나이프에지링을 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 나이프에지링의 일 실시예에 대한 단도면이다.

상기 나이프에지링(100)은 웨이퍼(W)의 저면과 일정거리(h) 이격되어 배치되는 링형상의 몸체(110)와, 상기 몸체(110)에 관통 형성된 복수개의 배출홀들(111) 을 구비한다.

상기 몸체(110)는 내측벽(110a)과 외측벽(110b)을 구비하고, 상기 외측벽(110b)에는 다단의 경사부(113)가 형성되고, 상기 다단의 경사부(113)에는 상기 배출홀(111)과 연결되는 흡입구들(111a)이 형성된다. 그리고, 상기 몸체(110)의 저면에는 상기 배출홀(111)들 내의 유체가 배출되는 배출구들(111b)이 각각 마련된다. 그리고, 상기 내측벽(110a)은 상기 몸체(110)의 중앙홀(112)의 내벽이다.

여기서, 상기 다단의 경사부(113)는 상기 외측벽(110a) 상부로부터 제 1경사부(113a)와 상기 제 1경사부(113a)와 연결되는 제 2경사부(113b)로 구성되고, 상기 제 1경사부(113a)는 상기 제 2경사부(113b)보다 그 경사도가 급하게 형성된다(α>β). 또한, 상기 제 1,2경사부(113a,113b)의 경사각(α,β)은 상기 몸체(110)의 저면을 기준으로 둔각으로 형성된다.

그리고, 상기 경사각은 150°내지 170°로 형성될 수 있다.

또한,, 상기 몸체(110)의 상면(110c)은 상기 내측벽(110a)과 상기 외측벽(110b)이 연결되는 연결폭(t)이 0.1 내지 0.5mm로 형성된다.

상기 내측벽(110a)과 상기 몸체(110)의 상면은 서로 직각으로 유지될 수도 있고, 상기 내측벽(110a)과 상기 상면이 만나는 모서리가 테이퍼처리되어 경사면이 형성될 수도 있다.

한편, 상기 몸체(110)의 내부에 관통 형성된 상기 배출홀(111)은 진공흡입부(200)와 연결될 수도 있다. 상기 진공흡입부(200)는 상기 몸체(110)의 저면에 형성된 배출구들(111b)과 서로 체결된(S) 튜브(210)와, 상기 튜브(210)의 일단에 연결 되는 진공펌프(220)가 구비된다.

상기와 같은 구성을 통한 본 발명의 일 실시예에 따른 나이프에지링의 작용 및 효과를 설명하도록 한다.

도 1을 참조하면, 웨이퍼(W)의 상면에 도포된 포토래지스트(미도시)는 웨이퍼(W)의 에지부 저면측으로 유도되어 액적(P)의 형태로 상기 저면에 맺히게된다.

또한, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면을 세정하기 위한 세정액이 소정의 분사압으로 상기 저면으로 공급되는 경우, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면과 몸체(110)의 상면(110a)의 사이 공간을 통해 상기 웨이퍼(W) 에지부의 저면으로 유도된다.

이때, 상기 세정액과 상기 현상액으로부터의 두 액적이 뭉쳐져 더 큰 액적(P)을 형성하게 된다.

이와 같이 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면에 맺힌 상기 액적(P)은 상기 몸체(110)의 경사부(113)에 직접적으로 접촉되지 않는다. 또한, 상기의 액적(P)이 하방으로 낙하하는 경우에, 먼저 상기 액적(P)은 상기 몸체(110)의 제 1경사부(113a)로 낙하되고, 상기 제 1경사부(113a)로 낙하된 되게 상기 액적(P)은 상기 제 1경사부(113a)에 의해 가이드되어 흡입구들(111a)로 유입된다.

상기 흡입구들(111a)로 유입된 상기 액적(P)은 상기 배출홀(111)의 내부로 유입되고, 상기 몸체(110)의 저면에 형성된 배출구(111b)를 통해 상기 몸체(110)의 외부로 용이하게 배출될 수 있다.

또한, 상기 몸체(110)의 외측벽(110b)에 형성된 경사부(113)는 다단이고, 각 경사부(113a,113b)의 경사각(α,β)은 상기 몸체(110)의 저면을 기준으로 둔각으로 형성되기 때문에, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면의 하방에 배치된 제 1경사부(113a)에서는 하방으로 흘러내리는 액적(P)의 속도가 빠르고, 제 1경사부(113a)에 형성된 흡입구(111a)로 용이하게 흡입될 수 있다.

그러나, 이와 같이 일차적으로 제 1경사부(113a)의 흡입구(111a)로 흡입이 안된 나머지 액적(P)은 다음의 제 2경사부(113b)로 가이드되고, 제 2경사부(113b)에 형성된 흡입구(111b)로 다시 유입된다.

따라서, 이차적으로 상기 액적(P)을 상기 배출홀(111)을 통해 상기 몸체(110)의 외부로 용이하게 배출시키는 것이다.

한편, 상기 배출홀(111)과 진공흡입부(200)와 연결시키는 경우에, 상기 배출홀(111)로 유입된 액적(P)은 배출홀(111)의 내부에 형성되는 흡입력에 의해 외부로 더 용이하게 배출될 수 도 있다.

즉, 외부로 동력이 진공펌프(220)에 인가되면, 튜브(210)의 내부에는 진공흡입력이 제공된다. 따라서, 상기 진공흡입력은 상기 배출홀(111)의 내부에 제공된다.

그러므로, 상기 흡입구들(111a)로 유입된 액적(P)은 상기 진공흡입력에 의해 상기 배출홀(111)로 흡입되고, 상기 배출구들(111b)로 배출되어 상기 튜브(210)를 통해 외부로 배출된다.

또한, 상기와 같이 진공흡입부(200)를 상기 배출홀(111)과 연결시켜 상기 배출홀(111)에 진공흡입력을 제공하면, 상기 흡입구(111a)가 형성된 경사부(113)의 주위에서 잔존될 수 있는 액적(P)까지도 추가적으로 흡입할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면부에서 낙하하는 액적(P)이 상기 경사부(113)에서 흐르는 도중에 상기 경사부(113)의 경사면에서 잔존되는 잔류액적(P)까지도 흡입하여 외부로 배출할 수 있는 것이다.

그러므로, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면에 맺히는 현상액의 액적과 웨이퍼 에지부 저면에 분사되어 형성된 세정액의 액적 모두(P)는 상기 몸체(110)에 형성된 다단의 경사부(113)를 통해 하방으로 흐르고, 이와 동시에 진공흡입력이 형성되는 배출홀(111)로 유입되어 상기 몸체(110)의 외부로 배출된다. 이에 따라 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면을 세정됨과 아울러 나이프에지링의 외측벽(111b)이 동시에 세정될 수 있다.

다음은 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 나이프에지링을 설명하도록 한다.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나이프에지링을 보여주는 단면도이다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 나이프에지링은 내측벽(110a)과 외측벽(110b)을 갖고, 상기 외측벽(110b)에 다단의 경사부(113)가 형성된 몸체(110)와, 상기 몸체(110)를 관통하도록 형성된 배출홀(111)을 구비한다. 그리고, 상기 경사부(113)에는 상기 배출홀(111)의 흡입구(111c)는 상기 경사부(113)에 위치하고, 상기 배출홀(111)의 배출구(111d)는 상기 몸체(110)의 저면 또는 측부에 위치될 수 있다.

여기서, 상기 흡입구(111a)의 단면적(A)은 상기 배출구(111d)의 단면적(A”) 보다 크도록 형성된다. 따라서, 상기 흡입구(111a)의 직경(d)은 상기 배출구(111b)의 직경(d’)보다 크도록 형성된다.

또한, 상기 배출홀(111)의 홀 내부의 유로는 상기 경사부(113)의 상면(110c)에서 상기 몸체(110)의 하방으로 향할수록 상기 내측벽(110a)으로부터 벌어지도록 될 수도 있다.

또 한편, 도 3은 상기 몸체(110)의 외측벽(110b)에 돌기부(120)가 더 형성된 것을 보여주는 단면도이다.

도 3을 참조하면, 상기 외측벽(110b)에는 상기 몸체(110)의 상면(110c)으로부터 연장되며, 상기 연장된 종단에서 상기 몸체(110)의 하방을 따라 상기 몸체(110)의 내측으로 경사진 경사면을 구비하여 형성된 돌기부(120)가 더 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 연장된 돌기부(120)의 상면길이와 상기 몸체의 상면길이를 합한 길이는 0.5mm 이내인 것이 바람직하다. 여기서, 상기 돌기부(120)는 상기에 상술한 상기 일 실시예의 구성에도 동일하게 채택될 수 있다.

그리고, 이외의 구성은 상기 일 실시예의 구성과 동일하므로 생략하기로 한다.

상기의 구성을 통한 본 발명의 다른 실시예에 따른 나이프에지링의 작용 및 효과를 설명하도록 한다.

웨이퍼(W) 에지부 저면에 맺힌 현상액의 액적(P)과 세정액의 액적(P)은 그 하중에 의해 상기 경사부(113)로 낙하된다. 낙하된 상기 액적(P)은 경사부(113)의 경사면을 타고 몸체(110)의 하방으로 흐른다. 상기 흐르는 액적(P)은 흡입구(111c) 로 유입된다. 흡입구(111c)로 유입된 액적(P)은 배출홀(111)의 내부로 유입된다.

이때, 흡입구(111c)의 단면적(A)이 상기 배출홀(111)의 단면적(A’) 보다 크게 형성되기 때문에, 상기 액적(P)이 상기 흡입구(111c)로 용이하게 유입될 수 있다. 또한, 상기 액적(P)이 양이 일정량 이상으로 많은 경우에, 이를 흡입구(111c)로 용이하게 유입될 수 있도록 유도할 수 있다.

이에 더하여, 상기 배출홀(111)을 도 1에 도시된 바와 같은 진공흡입부(200)를 더 장착하는 경우에는, 상기 배출홀(111)로 유입된 액적(P)이 배출홀(111)에 형성된 흡입력에 의해 외부로 더 용이하게 배출될 수 있다. 또한, 상기 배출홀(111)보다 큰 단면적을 갖는 흡입구(111c) 주위의 경사부(113)에 잔류할 수 있는 액적(P)을 강제 흡입하여 배출홀(111)을 통해 외부로 배출할 수도 있다. 이에 따라, 상기 배출홀(111)로 제공되는 진공흡입력은 상기 흡입구(111c)를 통해 상기 웨이퍼(W) 에지부의 저면에 제공되어, 상기 저면부에 잔존될 수 있는 액적(P)까지도 강제 흡입하여 배출홀(111)을 통해 외부로 배출할 수도 있다.

또 한편, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면부에 맺혀 있던 상기 액적(P)이 상기 배출홀(111)에 유입되거나 흡입되어질 때, 상기 돌기부(120)의 경사면에 접촉되어 유도됨으로써 상기 액적(P)이 상기 경사부(113)의 상면에서 튀지 않도록 하여 상기 경사부(113)를 통해 상기 흡입구(111a)로 용이하게 유도되도록 할 수도 있다.

다음은 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 현상설비를 설명하도록 한다.

도 4는 본 발명의 반도체 현상설비를 보여주는 단면도이다.

도 4를 참조하면, 상기 반도체 현상설비는 웨이퍼(W)의 중앙부 저면을 지지하여 일정속도로 회전시키는 척(190)과, 상기 척(190)의 상부에 위치하여 상기 웨이퍼(W)의 상면으로 일정량의 현상액을 공급하는 현상액공급부(500)와, 상기 척(190)의 주변부를 감싸도록 위치하고, 상기 웨이퍼(W)의 저면과 일정거리(h) 인접되도록 배치되며, 복수개의 배출홀(111)이 형성된 나이프에지링(100)과, 상기 웨이퍼(W)의 저면을 향해 순수와 같은 세정액을 분사하는 세정액분사부를 포함한다.

여기서, 상기 나이프에지링(100)은 내측벽(110a)과 외측벽(110b)이 형성되며, 일정 폭, 예컨데 0.1mm 내지 0.5mm으로 형성된 폭을 갖는 상면(110c)이 형성되고, 상기 외측벽(110b)에 다단의 경사부(113)가 형성되는 몸체(110)이다. 그리고, 상기 배출홀들(111)은 각각은 상기 몸체(110)를 관통하고, 흡입구(111a)가 상기 경사부 각각(113a,113b)에 위치한다.

또한, 상기 흡입구(111a)의 단면적(A)은 상기 배출홀(111)의 단면적(A’)보다 크게 형성될 수 있다.

그리고, 상기 몸체(110)의 저면과 상기 경사부들(113a,113b)와 사이의 각은 둔각일 수도 있다. 상기 둔각은 150°내지 170°일 수 있다.

한편, 상기 배출홀들(111)은 상기 흡입구들(111a)을 통해 그 내부로 유입되는 상기 현상액 및 상기 세정액의 액적(P)을 강제 배출시키도록 진공흡입부(200)와 연결될 수 있다.

또 한편, 상기 외측벽(110b)에는 상기 몸체(110)의 상면(110c)으로부터 연장 되며, 상기 연장된 종단에서 상기 몸체(110)의 하방을 따라 상기 몸체(110)의 내측으로 또 한편, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면부에 맺혀 있던 상기 액적(P)이 상기 배출홀(111)에 유입되거나 흡입되어질 때, 상기 돌기부(120)의 경사면에 접촉되어 유도됨으로써 상기 액적(P)이 상기 경사부(113)의 상면에서 튀지 않도록 하여 상기 경사부(113)를 통해 상기 흡입구(111a)로 용이하게 유도되도록 할 수도 있다.경사진 경사면을 구비하여 형성된 돌기부(120)가 더 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 연장된 돌기부(120)의 상면길이와 상기 몸체의 상면길이를 합한 길이는 0.5mm 이내인 것이 바람직하다.

그리고, 상기 세정액분사부는 상기 나이프에지링(100)을 지지하는 이너컵(310)과, 상기 이너컵(310)에 형성된 다수개의 분사홀(320)과, 상기 분사홀(320)에 연결되어 세정액을 공급하는 세정액공급부(420)를 구비한다. 상기 세정액공급부(420)는 상기 분사홀(320)과 튜브(410)로 연결된다.

또한, 상기 이너컵(310)을 관통하는 다수개의 홀들(311)은 상기 몸체(110)를 관통하는 배출홀들(111)과 연결되고, 상기 홀들(311)은 진공흡입부(200)의 튜브(210)와 연결된다.

상기 다수개의 분사홀 각각(320)의 분사방향은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면을 향하도록 일정 경사도를 갖는다.

상기와 같은 구성을 통한 본 발명의 반도체 현상설비의 작용 및 효과를 설명하도록 한다.

도 4를 참조하면, 척(190)의 상부에 안착된 웨이퍼(W)는 척의 회전동작에 의 해 일정 회전속도로 회전된다. 이어, 현상액공급부(500)는 일정량의 현상액을 웨이퍼(W)의 상면으로 공급한다. 웨이퍼(W) 상면으로 공급된 현상액은 웨이퍼(W) 상면에 도포되어, 웨이퍼(W) 상의 포토래지스트를 제거한 후에 웨이퍼(W)의 측부를 통해 배출된다.

이때, 상기 현상액은 상기 웨이퍼(W) 에지부에 뭉쳐서 상기 에지부(W) 저면에 일정크기의 액적(P)형태로 맺힐 수 있다.

이어, 상기 웨이퍼(W) 저면을 세정할 수 있도록 세정액분사부(400)는 경사진 분사홀(320)을 통해 일정 분사압으로 세정액을 상기 에지부 저면으로 분사한다.

상기 분사된 세정액은 상기 저면에 접촉된 후에 상기 몸체(110)의 상면(110c)을 통해 상기 몸체(110)의 외측부로 배출된다.

이때, 상기 세정액의 일부가 상기 액적(P)형태의 현상액과 합쳐져 더 큰 액적(P)의 형태로 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면에 맺힐 수 있다.

이와 같이 상기 에지부 저면에 맺힌 상기 액적(P)은 그 하중에 의해 상기 몸체(110)의 경사부(113)로 낙하되고, 상기 낙하된 액적(P)은 상기 경사부(113)에 의해 상기 몸체(110)의 하방으로 흐를 수 있다.

이어, 상기 경사부(113)에서 흐르는 상기 액적(P)은 흡입구(111a)로 안내되고, 흡입구(111a)로 안내된 액적(P)은 상기 배출홀(111)로 유입된다. 그리고, 배출홀(111)로 유입된 액적(P)은 배출구(111b)를 통해 상기 몸체(110)의 외부로 용이하게 배출된다.

또한, 상기 흡입구(111a)로 안내되지 않고 하방으로 흘러내린 나머지 액적 (P)은 제 2경사부(113b)의 흡입구(111a)로 안내되고, 이 역시 배출홀(111)을 통해 외부로 배출된다.

한편, 진공흡입부(200)를 통해 상기 배출홀(111)에 진공흡입력을 제공하면, 상기 흡입구(111a)를 통해 배출홀(111)로 유입되는 액적(P)을 더 잘 흡입할 수 있다.

즉, 진공펌프(220)는 일정의 진공흡입력을 튜브(210)를 통해 배출홀(111)에 제공한다. 이와 같이 제공된 진공흡입력은 상기 흡입구(111a)의 주변에도 작용된다.

따라서, 배출홀(111)에 진공흡입력을 제공함으로써, 상기 웨이퍼(W) 에지부의 저면에 맺힌 액적(P)을 그 하중에 낙하하기 이전에 강제 흡입하여, 흡입구(111a)로 안내할 수 있고, 이에 따라, 배출홀(111)로 강제 유입시켜 상기 몸체(110)의 외부로 용이하게 배출할 수도 있다.

다음은 전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법을 설명하도록 한다. 또한, 상기 웨이퍼 저면 세정방법을 설명함에 있어 사용되는 구성요소는 상기 실시예 또는 도 1 내지 도 4에 기술한 바와 동일하 기 때문에 이하에서는 생략하기로 한다.

도 5는 본 발명의 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법의 일 실실시예를 보여주는 흐름도이다.

도 4 내지 5를 참조하면, 웨이퍼(W)가 안착된 척(190)은 외부로부터 동력을 전달받아 일정속도로 회전된다. 이어, 상기 회전되는 웨이퍼(W) 상면에는 일정량의 현상액이 현상액공급부(500)에 의해 공급된다(S10). 상기 공급된 현상액은 웨이퍼(W)의 상면에 골고루 퍼진다. 그러나, 상기 웨이퍼(W) 에지부 상면으로 공급된 현상액은 웨이퍼(W)의 에지부 저면으로 유도되어 상기 저면에 액적(P) 형태로 상기 저면에 맺힐 수 있다.

이어, 상기 회전되는 웨이퍼(W)의 저면부에 세정액을 분사하는 단계(S20)를 거친다. 즉, 상기 세정액은 일정 경사가 형성되어 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면으로 일정 분사압으로 분사된다. 이어, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 저면을 세정함과 아울러 상기 몸체(110)의 상면을 통해 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면으로 유도된다.

이때, 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면에 먼저 맺혀있던 현상액 액적(P)과 합쳐져 더 큰 형태의 액적(P)으로 형성될 수 있다.

이어, 상기 웨이퍼(W)의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액은 상기 웨이퍼(W)의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링(100)의 외측벽(110b)에 형성된 경사부(113)를 통해 가이드되어 상기 경사부(113)에 형성된 복수개의 배출홀(111)로 유입되는 단계(S30)를 포함한다.

즉, 이와 같이 형성된 상기 액적(P)은 그 하중에 의해 나이프에지링(100)의 외측벽(110b)에 형성된 경사부(113)의 상면에 낙하될 수 있다. 이어, 상기 낙하된 액적(P)은 상기 경사부(113)의 상면에서 상기 몸체(110)의 하방을 향해 흐를 수 있다. 상기 흐르는 액적(P)은 몸체(110)에 관통되어지게 형성된 배출홀(111)로 유입되고, 상기 유입된 액적(P)은 몸체(110)의 외부로 배출될 수 있다.

한편, 상기 배출홀(111)로 유입되는 잔류되는 현상액과 세정액을 진공흡입하여 외부로 배출시키는 단계(S40)를 더 포함할 수도 있다.

다음, 도 6은 본 발명의 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법의 다른 실실시예를 보여주는 흐름도이다.

도 4 및 도 6을 참조하면, 웨이퍼 상면에 현상액을 공급하는 단계를 거치고(S100), 상기 웨이퍼(W) 저면부에 세정액을 분사하는 동안에, 상기 웨이퍼(W)의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액을 상기 웨이퍼(W)의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링(100)의 외측벽(110b)에 형성된 경사부(113)를 통해 가이드하여 상기 경사부(113)에 형성된 복수개의 배출홀(111)로 유입시키는 단계(S200)를 거칠수도 있다.

그리고, 상기 배출홀(111)로 유입된 현상액과 세정액을 외부로 배출하되, 상기 배출홀(111)로 유입되는 상기 잔류되는 현상액과 상기 세정액을 진공흡입하여 외부로 배출시키는 단계(S300)를 더 포함할 수 있다.

즉, 상기 진공흡입부(200)로부터 발생되는 진공흡입력은 상기 배출홀(111)로 제공되고, 상기 배출홀(111)로 제공된 진공흡입력은 상기 경사부(113)로 낙하된 액적(P)을 강제흡입시켜 배출홀(111)로 강제유입시킨 후에, 몸체(110)의 외부로 배출 할 수 있다.

이와 같이 상기 배출홀(111)에 진공흡입력이 제공되면, 상기 진공흡입력은 상기 경사부(113)에 형성된 흡입구(111a)의 주변 및 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면부까지 제공될 수 있다.

따라서, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면에서 그 하중에 의해 낙하되는 액적(P)을 제외하고도, 상기 저면에 잔존할 수 있는 다른 액적(P)까지도 강제흡입하여 배출홀(111)로 유입시킬 수 있다. 즉, 상기 진공흡입부(200)를 상기 배출홀과 연결시키면, 상기 흡입구(111a)의 주변의 경사부(113)와 상기 웨이퍼(W) 에지부의 저면까지도 용이하게 세정할 수 있다.

그러므로, 상기 웨이퍼(W) 에지부 저면부에 현상액과 세정액으로 인한 액적(P)이 잔존되지 않도록 하여, 추후에 상기 웨이퍼(W)에 대하여 베이크 공정이 수행되더라도 상기 웨이퍼(W)의 상면에 액적(P)이 증발됨으로 인해 발생되는 오염원이 증착되지 않도록 할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 에지부 저면에 맺히는 현상액의 액적과, 상기 저면을 세정한 후의 세정액의 액적을 나이프에지링의 경사부에 형성된 배출홀로 유입시켜 외부로 용이하게 배출시킬 수 있다.

이와 아울러, 상기 배출홀에 진공흡입력을 더 제공하여, 상기 웨이퍼 에지부 저면에 맺힌 액적을 강제 흡입시켜 배출홀을 통해 외부로 용이하게 배출시킬 수 있고, 이에 더하여 상기 진공흡입력에 의해 상기 웨이퍼 에지부 저면에 잔존될 수 있 는 액적까지도 외부로 배출할 수 있다.

따라서, 웨이퍼의 에지부 저면에 맺히는 현상액의 액적과 세정액의 액적을 배출홀로 유입시켜 배출하거나, 이에 더하여 강제 흡입하여 외부로 배출함으로써, 액적이 웨이퍼에 잔존됨으로 인해 베이크 공정시 발생하는 웨이퍼 에지부 상면에서의 패턴불량을 용이하게 방지할 수 있고, 이에 따라 제품불량률을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.

Claims

내측벽과 외측벽이 형성되며, 일정 폭의 상면이 형성되고, 상기 외측벽에 다단의 경사부가 형성되는 몸체; 및

상기 몸체를 관통하며, 흡입구가 상기 경사부에 위치하는 복수개의 배출홀을 포함하는 나이프에지링.
제 1항에 있어서, 상기 흡입구의 단면적은 상기 배출홀의 단면적보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나이프에지링.
제 1항에 있어서, 상기 몸체의 저면과 상기 경사부와 사이의 각은 둔각인 것을 특징으로 하는 나이프에지링.
웨이퍼를 회전시키는 척;

상기 웨이퍼로 현상액을 공급하는 현상액공급부;

상기 척의 주변부에서 상기 웨이퍼 저면과 인접되도록 배치되며, 복수개의 배출홀이 형성된 나이프에지링; 및

상기 웨이퍼 저면으로 세정액을 분사하는 세정액분사부를 포함하는 반도체 현상설비.
제 4항에 있어서, 상기 나이프에지링은 내측벽과 외측벽이 형성되며, 일정 폭의 상면이 형성되고, 상기 외측벽에 다단의 경사부가 형성되는 몸체이며, 상기 배출홀들 각각은 상기 몸체를 관통하며, 흡입구가 상기 경사부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비.
제 4항에 있어서,

상기 배출홀들은 상기 흡입구를 통해 배출홀로 유입되는 상기 현상액과 상기 세정액을 강제배기시키도록 진공흡입부와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비.
제 5항에 있어서, 상기 흡입구의 단면적은 상기 배출홀의 단면적보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비.
제 5항에 있어서, 상기 몸체의 상면과 상기 경사부와 사이의 각은 둔각인 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정유닛.
제 5항에 있어서, 상기 외측벽에는 상기 몸체의 상면으로부터 연장되며, 상기 연장된 종단에서 상기 몸체의 하방을 따라 상기 몸체의 내측으로 경사진 경사면을 구비하여 형성된 돌기부가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비.
제 4항에 있어서, 상기 세정액분사부는 상기 나이프에지링을 지지하는 이너컵과, 상기 이너컵에 형성된 다수개의 분사홀과, 상기 분사홀에 연결되어 세정액을 공급하는 세정액공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비.
웨이퍼의 상면에 현상액을 공급하는 단계;

상기 웨이퍼의 저면부에 세정액을 분사하는 단계; 및

상기 웨이퍼의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액을 상기 웨이퍼의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링의 외측벽에 형성된 경사부를 통해 가이드하여 상기 경사부에 형성된 복수개의 배출홀로 유입시켜 외부로 배출시키는 단계를 포함하는 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법.
제 11항에 있어서, 상기 세정액을 분사하는 동안에, 상기 웨이퍼의 에지부 저면부에 잔류되는 상기 현상액과 상기 세정액을 상기 웨이퍼의 저면과 인접되어 배치되는 나이프에지링의 외측벽에 형성된 경사부를 통해 가이드하여 상기 경사부에 형성된 복수개의 배출홀로 유입시켜 외부로 배출시키는 단계를 포함하는 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법.
제 11항에 있어서, 상기 배출홀로 유입되는 상기 잔류되는 현상액과 상기 세정액을 진공흡입하여 외부로 배출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 현상설비의 웨이퍼 저면 세정방법.