KR20070081256A - 다단 구조 형성용 광 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 - Google Patents

다단 구조 형성용 광 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

다단 구조 형성용 광 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다. 다단 구조 형성용 광 마스크는 광을 투과하는 투광 영역, 광을 부분적으로 투과하는 하프톤층을 포함하는 반투광 영역 및 광을 차단하는 차광 영역을 포함하되, 하프톤층은 적어도 일부가 제거되어 형성된 개구를 포함한다.
다단, 포토레지스트 패턴, 하프톤, 개구

Description

다단 구조 형성용 광 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법{Photomask for formation of multi-step structure and method of fabricating thin film transistor plate using the same}
도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 제조 공정 중 중간 구조물의 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 실험예의 시뮬레이션한 결과를 도시한 그래프이다.
도 8 및 도 9는 실험예에 대한 비교예 1 및 2의 시뮬레이션한 결과를 도시한 그래프들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
200: 다단 구조 형성용 광 마스크 210: 투명 기판
211: 차광층 212: 하프톤층
213: 개구
본 발명은 광 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다단 구조 형성용 마스크 및 이를 이용하여 다단 구조의 포토레지스트 패턴을 형성하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 복수의 화소 전극이 매트릭스 형태로 배열되어 있는 표시판(이하, 박막 트랜지스터 표시판이라 함)과 하나의 공통 전극이 기판 전면을 덮고 있는 표시판으로 구성되어 있는 형태이다.
박막 트랜지스터 표시판의 경우, 광을 부분적으로 통과시키는 반투광층을 포함하는 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정에 의해 적어도 이단 구조의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 이용하여 반도체층과 데이터 배선을 패터닝할 수 있다. 포토레지스트 패턴의 표면 균일도(uniformity)를 좋게 하기 위해 반투광층으로서 하프톤층을 포함하는 마스크를 사용할 수 있는데, 광을 차단하는 차광층의 경계측에 위치하는 하프톤층에서의 불충분한 광 투과량으로 인해, 노광하고자 하는 포토레지스트층이 충분하게 노광되지 않아 목적 형상의 포토레지스트 패턴으로 패터닝되지 않을 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 목적하는 포토레지스트 패턴을 형성 할 수 있는 다단 구조 형성용 광 마스크를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이러한 다층 구조 형성용 마스크를 이용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크는 광을 투과하는 투광 영역, 광을 부분적으로 투과하는 하프톤층을 포함하는 반투광 영역 및 광을 차단하는 차광 영역을 포함하되, 상기 하프톤층은 적어도 일부가 제거되어 형성된 개구를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 게이트 전극, 절연층, 비정질 규소층, 도전층 및 포토레지스트층이 차례로 형성된 절연 기판 상에 상기한 바와 같은 다단 구조 형성용 광 마스크를 위치시키고, 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광하여 적어도 이단 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 비정질 규소층 및 상기 도전층을 각각 반도체층 및 데이터 배선으로 패터닝하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위" 또는 "상"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 기술하는 제조 방법을 구성하는 단계들은 순차적 또는 연속적임을 명시하거나 다른 특별한 언급이 있는 경우가 아니면, 하나의 제조 방법을 구성하는 하나의 단계와 다른 단계가 명세서 상에 기술된 순서로 제한되어 해석되지 않는다. 따라서 당업자가 용이하게 이해될 수 있는 범위 내에서 제조 방법의 구성 단계의 순서를 변화시킬 수 있으며, 이 경우 그에 부수하는 당업자에게 자명한 변 화는 본 발명의 범위에 포함되는 것이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크를 이용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법을 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 제조 공정 중 중간 구조물의 단면도들이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 우선 투명한 절연 기판(110) 상에 예를 들어 저저항 금속인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금 등의 단일막 구조 또는 다중막 구조로 이루어진 게이트 배선이 배치되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(미도시)과 게이트선의 끝에 연결되어 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드(미도시) 및 게이트선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(126)을 포함한다.
게이트 배선이 형성되어 있는 절연 기판(110) 상에 비정질 규소층(140), 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소층(150), 데이터 배선 형성을 위한 도전층(160) 및 포토레지스트층(170)을 차례로 형성한다. 도전층(160)은 예를 들어 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 단일막 구조 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 포토레지스트층(170)은 예를 들어 노광되는 부분이 제거되는 포지티브 포토레지스트로 이루어질 수 있다.
계속해서, 도 2에 도시한 바와 같이 상기한 바와 같이 게이트 전극(126)을 포함하는 게이트 배선, 게이트 절연막(130), 비정질 규소층(140), n+ 수소화 비정 질 규소층(150), 도전층(160) 및 포토레지스트층(170)이 차례로 형성되어 있는 절연 기판(110) 상에 다단 구조 형성용 광 마스크(200)를 배치한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크(200)는 노광광을 실질적으로 100%에 가깝게 투과시키는 투광 영역(T), 노광광을 실질적으로 0%에 가깝게 투과시키는 차광 영역(B) 및 노광광을 0% 내지 100% 사이의 범위로 투과시키는 반투광 영역(H)을 포함한다.
투광 영역(H)은 전면 노광 영역으로서 투명 기판(210)이 그대로 노출되어 형성된다. 투명 기판(210)은 노광광의 투과율을 100% 또는 100%에 가까운 수치로 하고 있다. 이러한 투명 기판(210)은 예를 들어 석영 등으로 이루어질 수 있다.
차광 영역(B)은 투광 기판(210) 상에 노광광을 차단하는 차광층(211)이 위치한 영역이다. 차광층(211)은 노광광의 투과율을 0% 또는 0%에 가까운 수치로 하고 있다. 차광층(211)은 예를 들어 금속 크롬 등의 투과율이 낮은 물질로 이루어질 수 있다.
반투광 영역(H)은 투명 기판(210) 상에 노광광을 일부만 투과시키는 하프톤층(212)이 위치한 영역이다. 하프톤층(212)은 0% 내지 100% 사이, 바람직하게는 50 내지 80% 사이의 노광광을 투과시킨다. 여기서, 각 영역의 투과율은 마스크 기판(210) 자체의 노광광 투과율을 100%로 한 경우에 있어서의 차광층(211) 및 하프톤층(212)의 상대적인 투과율이다.
이러한 하프톤층(212)은 하나의 물질막으로 이루어질 수도 있고, 도시하지는 않았지만 서로 다른 광 투과율을 갖는 다층막, 예를 들어 서로 다른 광투과율을 갖 는 2층의 물질막으로 이루어질 수도 있다.
또한, 하프톤층(212)은 하프톤층(212)의 일부가 제거되어 형성된 개구(213)를 포함한다. 개구(213)는 하프톤층(212)에서의 노광광의 투과율을 보다 향상시키기 위한 것이다.
하프톤층(212)과 차광층(211)이 인접하여 있는 경우, 하프톤층(212)과 차광층(211)의 경계 측으로 위치한 하프톤층(212)에서의 노광광 투과율은 하프톤층(212)의 중앙과 비교하여 상대적으로 낮다. 따라서, 하프톤층(212)의 중앙과 차광층(211)과의 경계 측으로 위치한 하프톤층(212)에 각각 대응하는 포토레지스트층은 노광 정도가 달라질 수 있고, 노광 정도의 불균형으로 인해 목적하는 포토레지스트 패턴을 형성하지 못할 수 있다. 결국 이러한 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 피식각층을 식각하는 경우 피식각층을 목적하는 패턴으로 식각할 수 없게 된다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크에서는 하프톤층(212)에 개구(213)를 포함함으로써, 바람직하게는 하프톤층(212)과 차광층(211)의 경계 측에 위치한 하프톤층(212)에 개구(213)를 형성함으로써 하프톤층(212)에서의 노광광 투과율을 향상시킬 수 있다. 개구(213)의 개수는 예를 들어 1개 일 수도 있고, 2개 이상일 수도 있으며, 이는 하프톤층(212)이 목적으로 하는 광 투과율에 따라 조절할 수 있다. 또한 개구(213)의 폭도 하프톤층(212)이 목적으로 하는 광 투과율에 따라 다양한 선폭으로 조절할 수 있다.
하프톤층(212)은 포토리소그래피 공정에 있어서 형성되는 박막의 두께, 포토 레지스트 재료의 종류, 식각하고자 하는 깊이 등에 따라서 그에 적합한 광 투과율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 크롬 산화막, 몰리브덴 실리사이드 또는 산화 마그네슘 등으로 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 광 투과율을 갖는 물질이 사용될 수 있다.
이러한 다단 구조 형성용 광 마스크(200)의 반투광 영역(H)은 박막 트랜지스터의 채널을 형성하고자 하는 영역의 포토레지스트층(170)에 대응하고, 차광 영역(B)은 데이터 배선을 형성하고자 하는 영역의 포토레지스트층(170)에 대응된다.
다단 구조 형성용 광 마스크(200)에 노광광을 조사하게 되면, 투광 영역(T)을 통해서는 노광광이 실질적으로 100%에 가깝게 투과되고, 차광 영역(B)을 통해서는 노광광이 실질적으로 0%에 가깝게 투과되며, 반투광 영역(H)을 통해서는 노광광이 0% 내지 100% 사이, 바람직하게는 50% 내지 80% 사이의 범위로 투과된다.
따라서, 다단 구조 형성용 광 마스크(200)를 통해 조사된 노광광에 의해 광화학적 구조가 변경된 포토레지스트층(200)을 현상하면, 도 3에 도시한 바와 같이 광 마스크의 투광 영역(T)에 대응하는 포토레지스트층(도 2의 170)은 실질적으로 모두 제거되고, 차광 영역(T)에 대응하는 포토레지스트층(도 2의 170)은 실질적으로 모두 남아 있으며, 반투광 영역(H)에 대응하는 포토레지스트층(도 2의 170)은 부분적으로 제거되어 고층부(171a)와 저층부(171b)의 이단 구조의 포토레지스트 패턴(171)를 포함하는 포토레지스트 패턴(171, 172)이 형성된다.
이때, 저층부(171b)는 후술하는 박막 트랜지스터의 채널 영역을 형성하기 위한 것으로, 저층부(171a)의 폭은 다단 구조 형성용 광 마스크(도 2의 200)의 반투 광 영역(H)의 하프톤층(212)의 폭과 실질적으로 동일하다. 포토레지스트 패턴(171)의 저층부(171b)는 도전층(160)으로부터 저층부(171b)의 중앙이나 양 끝단까지의 이르는 거리가 거의 비슷한데, 이는 다단 구조 형성용 광 마스크(도 2의 200)의 하프톤층(212)에 형성된 개구(도 2의 213), 예를 들어 차광 영역(B)과 반투광 영역(H)의 경계 측에 위치한 하프톤층(도 2의 212)에 형성된 개구(도 2의 213)에 의해 향상된 광 투과율에 기인한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크(도 2의 200)를 이용하여는 경우 저층부(171b)의 폭을 목적하는 바대로 조절할 수 있다.
계속해서, 도 4에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(171, 172)을 식각 마스크로 하여 비정질 규소층(도 3의 140), n+ 수소화 비정질층(도 3의 150) 및 도전층(도 3의 160)을 동시에 패터닝한다. 이에 따라, 실질적으로 동일한 형태의 반도체층(141, 142), 저항 접촉 패턴(151, 152), 소오스 전극과 드레인 전극이 형성될 영역인 소오스/드레인 패턴(도 4의 161) 및 데이터선(162)의 한쪽 끝에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(미도시)를 포함하는 데이터 배선이 형성된다.
계속해서, 도 5에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(도 4의 171)의 저층부(도 4의 171b) 아래에 위치하는 소오스/드레인 패턴(161)이 노출될 때까지 예를 들어 에치백 공정에 의해 포토레지스트 패턴(도 4의 171, 172)을 제거한다.
이어, 에치백 공정 후 남은 포토레지스트 패턴(173, 174, 175)을 식각 마스크로 하여 소오스/드레인 패턴(도 4의 161)을 패터닝하여 데이터 배선의 소오스 전 극(173)과 드레인 전극(174)을 형성한다. 이때, 소오스/드레인 패턴(도 4의 161) 하부에 위치하는 저항 접촉 패턴(도 4의 151)도 오버 에치되어 저항 접촉층(153, 154)을 형성된다. 다음, 포토레지스트 패턴(173, 174, 175)을 예를 들어 스트립 공정으로 제거한다.
상기한 바와 같은 게이트 전극(126), 그 위에 형성된 반도체층(141), 저항성 접촉층(153, 154) 및 소오스 전극(163)과 드레인 전극(164)은 박막 트랜지스터를 구성하고, 소오스 전극(163)과 드레인 전극(164)에 의해 노출된 반도체층(141)은 박막 트랜지스터의 채널 영역에 해당된다.
계속해서, 도 6에 도시한 바와 같이 데이터 배선 및 이들이 가리지 않는 반도체층(141) 상에 보호막(180)을 형성한다. 보호막(180)은 예를 들어 질화 규소, 산화 규소 등의 무기물로 이루어질 수 있으며, 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 갖는 유기물로 이루어질 수도 있다. 보호막(180)이 유기물로 이루어질 경우 절연 특성을 보완하기 위해 하부에 질화 규소 또는 산화 규소로 이루어진 절연막(미도시)이 추가로 형성될 수도 있다. 보호막(180)은 예를 들어 스퍼터링, 화학 기상 증착, 플라즈마 화학 기상 증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.
이어, 보호막(180)에 드레인 전극(164)을 노출하는 콘택홀(181)을 형성한 후, 보호막(180) 상에 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드 등의 투명 도전층(미도시)을 예를 들어 스퍼터 방법 등으로 적층한다.
다음, 투명 도전층에 대해 마스크를 이용한 패터닝을 실시하여 콘택홀(171)을 통해 드레인 전극(164)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(190)을 형성한다.
이하, 실험예들 및 비교예들을 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.
실험예
크롬막으로 구성된 차광층을 포함하는 차광 영역 사이에 광 투과율이 약 60%인 산화 크롬막으로 구성되고 개구가 형성되어 있는 하프톤층을 구비하는 반투광 영역을 포함하는 광 마스크를 이용하여 포토리소그래피 공정을 시뮬레이션 하였다. 이때, 반투광 영역의 전체폭은 약 4.1㎛이고, 하프톤층에 형성되어 있는 개구는 각 차광 영역과 반투광 영역의 경계 측에 위치하며, 개구의 폭은 약 1.4㎛이다. 또한, 반투광 영역의 양 옆에 형성되어 있는 차광 영역의 폭은 약 1.3㎛이다. 포토리소그래피 공정은 노광 광원이 I-line Quroant AZ 1350j이고, 노광광 세기는 약 63mJ이며, 75sec의 현상 조건으로 진행하였다. 상기한 바와 같은 시뮬레이션한 결과를 도 7에 나타냈다.
비교예 1
크롬막으로 구성된 차광층을 포함하는 차광 영역 사이에 슬릿 패턴을 구비하는 반투광 영역을 포함하는 광 마스크를 이용하여 포토리소그래피 공정을 시뮬레이션한 하였다. 이때, 반투광 영역의 전체폭은 약 4.1㎛이고, 슬릿 패턴의 폭은 약 1.4㎛이고, 슬릿 패턴 사이의 폭은 약 1.3㎛였다. 또한, 반투광 영역의 양 옆에 형성되어 있는 차광 영역의 폭은 약 1.3㎛ 이다. 포토리소그래피 공정은 실험예 1과 동일하게 진행되었다. 상기한 바와 같은 시뮬레이션한 결과를 도 8에 나타냈다.
비교예 2
크롬막으로 구성된 차광층을 포함하는 차광 영역 사이에 광 투과율이 약 60%인 산화 크롬막으로 구성된 하프톤층을 구비하는 반투광 영역을 포함하는 광 마스크를 이용하여 포토리소그래피 공정을 시뮬레이션하였다. 이때, 반투광 영역의 전체폭은 약 4.1㎛이고, 반투광 영역의 양 옆에 형성되어 있는 차광 영역의 폭은 약 1.3㎛이다. 상기한 바와 같은 시뮬레이션한 결과를 도 9에 나타냈다.
실험예와 비교예 1을 비교하여 보면, 실험예에서의 포토레지스트 패턴 두께의 최저값과 최고값은 각각 약 394.1㎚ 및 약 945.4㎚이고, 비교예 1에서의 포토레지스트 패턴 두께의 최저값과 최고값은 각각 약 1010.1㎚ 및 약 1208.7㎚이다. 이 결과로부터 동일한 조건의 포토리소그래피 공정 하에서, 실험예의 경우가 노광 정도가 향상됨을 알 수 있다.
또한, 실험예와 비교예 2를 비교하여 보면, 실험예에서의 포토레지스트 패턴 두께의 최저값과 최고값은 각각 약 394.1㎚ 및 약 945.4㎚이고, 비교예 2에서의 포토레지스트 패턴 두께의 최저값과 최고값은 각각 약 855.0㎚ 및 약 1824.7㎚이다. 이때, 실험예에서의 포토레지스트 패턴 두께의 최저값과 최고값의 차이는 약 551.3㎚이고, 비교예 2에서의 포토레지스트 패턴 두께의 최저값과 최고값의 차이는 약 969.7㎚이다. 이 결과로부터 동일한 조건에서의 포토리소그래피 공정을 진행할 경우 실험예의 경우 비교예 2의 경우보다 완만하게 포토레지스트 패턴 표면의 프로파일이 형성될 수 있음을 알 수 있다.
상기 실험예와 비교예 1 및 2의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명 의 일 실시예에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크를 이용하여 저층부와 고층부의 다단 구조의 포토레지스트 패턴을 형성하는 경우, 반투광 영역과 대응하는 저층부를 충분히 낮은 두께로 형성할 수 있어 저층부를 제거하기 위한 에치백 공정시 그 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 저층부에서 고층부로의 연결 부분이 경사가 완만하게 형성될 수 있어, 저층부의 폭이 좁아지지 않아 목적하는 형상의 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 다단 구조 형성용 광 마스크를 이용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 경우, 반투광 영역과 차광 영역의 경계에서도 광 투과량이 충분하여 목적하는 바의 저층부와 고층부를 포함하는 다단 구조의 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하게 되면 저층부를 제거하기 위한 에치백 시간을 감소할 수 있고, 이로 인하여 씨디 스큐(Ctrtical Dimension Skew) 및 반도체층이 소오스/드레인 전극의 외측으로 돌출되는 것을 감소할 수 있어, 반도체층과 데이터 배선을 하나의 마스크를 이용하여 패터닝하는 경우 발생하는 고질적인 빛샘 현상을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 광을 투과하는 투광 영역;
    광을 부분적으로 투과하는 하프톤층을 포함하는 반투광 영역; 및
    광을 차단하는 차광 영역을 포함하되,
    상기 하프톤층은 적어도 일부가 제거되어 형성된 개구를 포함하는 다단 구조 형성용 광 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구는 상기 차광 영역과 인접하여 위치하는 다단 구조 형성용 광 마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    하프톤층은 서로 다른 광 투과율을 갖는 적어도 2개의 물질막을 포함하는 다단 구조 형성용 광 마스크.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하프톤층의 광 투과율(T)은 50%≤T≤80%인 다단 구조 형성용 광 마스크.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다단 구조 형성용 광 마스크는 적어도 이단 구조의 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 박막 트랜지스터 표시판의 제조에 적용되는 다단 구조 형성용 광 마스크.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 하프톤층의 폭은 상기 박막 트랜지스터의 채널의 폭과 실질적으로 동일한 다단 구조 형성용 광 마스크.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다단 구조 형성용 광 마스크는 적어도 이단 구조의 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 박막 트랜지스터 표시판의 제조에 적용되는 다단 구조 형성용 광 마스크.
  8. 제 8 항에 있어서,
    상기 하프톤층의 폭은 박막 트랜지스터의 채널의 폭과 실질적으로 동일한 다단 구조 형성용 광 마스크.
  9. 제 1 항에 있어서,
    하프톤층은 서로 다른 광 투과율을 갖는 적어도 2개의 물질막을 포함하는 다 단 구조 형성용 광 마스크.
  10. 게이트 전극, 절연층, 비정질 규소층, 도전층 및 포토레지스트층이 차례로 형성된 절연 기판 상에 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 항에 따른 다단 구조 형성용 광 마스크를 위치시키고, 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광하여 적어도 이단 구조를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 비정질 규소층 및 상기 도전층을 각각 반도체층 및 데이터 배선으로 패터닝하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
KR1020060013079A 2006-02-10 2006-02-10 다단 구조 형성용 광 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 KR20070081256A (ko)

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