KR20070080151A - Apparatus for depositing chemical layers - Google Patents

Apparatus for depositing chemical layers Download PDF

Info

Publication number
KR20070080151A
KR20070080151A KR1020060011305A KR20060011305A KR20070080151A KR 20070080151 A KR20070080151 A KR 20070080151A KR 1020060011305 A KR1020060011305 A KR 1020060011305A KR 20060011305 A KR20060011305 A KR 20060011305A KR 20070080151 A KR20070080151 A KR 20070080151A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
container
source
deposition
monitor
chamber
Prior art date
Application number
KR1020060011305A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101258252B1 (en
Inventor
양원재
김창남
김상균
이호년
정명종
김홍규
신영훈
성면창
강선길
김도열
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020060011305A priority Critical patent/KR101258252B1/en
Publication of KR20070080151A publication Critical patent/KR20070080151A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101258252B1 publication Critical patent/KR101258252B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A deposition apparatus which controls deposition rate and thickness of respective organic matters, prevents mutual contamination between the organic matters during deposition of a subsequent organic film, and greatly secures the life of a crystal sensor is provided. A deposition apparatus comprises: a chamber; a container housing part(310) installed in the chamber to discharge a deposition material optionally; a source container(312) installed in the container housing part to discharge the deposition material by a heating means that heats the deposition material contained in the source container; a monitor part(320) formed in the container housing part such that the monitor part is higher than the source container to monitor a source discharged through the source container; a filter part(315) formed between the source container and the monitor part; and a shutter(317) which is formed at the container housing part such that the shutter is higher than the source container, and which is optionally opened or closed.

Description

증착 장치{Apparatus for depositing chemical layers}Evaporation apparatus {Apparatus for depositing chemical layers}

도시된 도 1은 종래 증착 장치를 나타낸 도면.1 shows a conventional deposition apparatus.

도 2a와 도 2c는 도 1에 도시된 용기 수용부의 다른 형태를 나타낸 도면.2a and 2c are views showing another form of the container receiving portion shown in FIG.

도 3a는 본 발명에 따른 증착 장치를 나타낸 도면.3a shows a deposition apparatus according to the invention.

도 3b는 도 3a의 용기 수용부를 나타낸 도면.3B is a view of the container receiving portion of FIG. 3A.

도 3c는 도 3b의 필터부를 나타낸 도면.3C is a view of the filter unit of FIG. 3B.

도 4는 본 발명의 변형된 실시예를 나타낸 도면.4 illustrates a modified embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

310: 용기 수용부 312: 소스용기310: container container 312: source container

315,315a,315b,315c: 필터부 317: 셔터315,315a, 315b, 315c: filter part 317: shutter

320: 모니터부 330: 주 셔터320: monitor 330: main shutter

340: 기판 350: 프레임 또는 마그넷340: substrate 350: frame or magnet

360: 로봇 암360: robot arm

본 발명은 전계발광소자를 제작하는 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus for manufacturing an electroluminescent device.

열적 물리적 기상 증착은 증착 재료의 증기로 기판 표면에 층을 형성하는 기술로서, 용기(vessel) 내에 수용된 증착 재료를 기화 온도까지 가열함으로써 발생되는 증착 재료의 증기가 수용된 용기 밖으로 이동한 후 코팅될 기판 상에서 응축되는 원리를 이용하였다. Thermal physical vapor deposition is a technique of forming a layer on the surface of a substrate with vapor of the deposition material, the substrate to be coated after moving out of the vessel containing the vapor of the deposition material generated by heating the deposition material contained in the vessel to the vaporization temperature. The principle of condensation in the bed was used.

이러한 증착 공정은 증착 재료를 수용하는 용기 및 코팅될 기판이 장착된 챔버 내부에서 진행되었으며 이때, 챔버 내부는 일반적으로 10-7 내지 10-2 Torr 범위의 압력 상태로 조성되었다. This deposition process was carried out inside a chamber equipped with a container containing the deposition material and a substrate to be coated, wherein the chamber was generally constructed under pressure ranging from 10 −7 to 10 −2 Torr.

상세하게는, 증착 재료를 수용하는 용기인 증착원(deposition source)은 전류가 벽(부재)을 통과할 때 온도가 증가되는 전기적 저항 재료로 만들어져 있다.Specifically, a deposition source, which is a container containing a deposition material, is made of an electrically resistive material that increases in temperature as current passes through a wall (member).

이에 따라, 증착원에 전류가 인가되면, 그 내부의 증착 재료는 증착원의 벽으로부터 전달되는 방사열 및 벽과의 접촉에 의한 전도열에 의해 가열되어 증기화 되어 증착을 하고자 하는 타겟에 소스가 증착되었다.Accordingly, when a current is applied to the deposition source, the deposition material therein is heated and vaporized by the radiant heat transferred from the walls of the deposition source and the conduction heat by contact with the walls to vaporize the source onto the target to be deposited. .

일반적으로 이러한 종래 증착 장치는 하나의 챔버 내에 용기인 증착원이 다수 형성되어 있고, 센서에 의해 각 증착원을 덮는 셀캡이 오픈되어 타겟에 증착되는 구조를 취했다. 그러나, 이와 같은 증착 장치에는 다음과 같은 문제가 있다.Generally, such a conventional deposition apparatus has a structure in which a plurality of deposition sources, which are containers, are formed in one chamber, and a cell cap covering each deposition source is opened by a sensor to be deposited on a target. However, such a vapor deposition apparatus has the following problems.

이하 도시된 도 1a 내지 도 2를 참조하여 종래 증착 장치의 문제를 설명한다.Hereinafter, a problem of the conventional deposition apparatus will be described with reference to FIGS. 1A to 2.

도시된 도 1은 종래 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 2a와 도 2c는 도 1에 도시된 용기 수용부의 다른 형태를 나타낸 도면이다. 이는 유기전계발광소자(이하 소자)의 제작시, 유기막의 형성은 유기물을 가열하여 고상의 소스를 기화시켜 기판에서 다시 고상의 막으로 형성시키는 열 증착 방식이 대표적인 방법을 나타낸다.1 is a view showing a conventional deposition apparatus, Figures 2a and 2c is a view showing another form of the container receiving portion shown in FIG. This is a typical method of forming an organic film in the fabrication of an organic light emitting device (hereinafter, referred to as a thermal evaporation method) in which an organic film is heated to vaporize a solid phase source to form a solid film on a substrate.

도시된 바와 같은 증착 장치(100)는, 저분자 유기물을 이용한 소자의 제작에 있어서 연구 개발 및 대량생산에 가장 널리 사용되는 증착 장치이다. The deposition apparatus 100 as shown is the deposition apparatus most widely used in research and development and mass production in the fabrication of devices using low molecular weight organic materials.

이러한 증착 장치(100)는, 챔버 내에 증착 재료를 선택적으로 방출하는 용기 수용부(110)가 구비되어 있고, 용기 수용부(110)의 상단에는 증착 재료를 선택적으로 방출하기 위한 셔터(117)가 구비되어 있다. 또한, 챔버 내에는 용기 수용부(110)에서 방출된 소스 플럭스(F)를 모니터링 하는 모니터부(120)가 구비되어 있어 방출된 증착 재료를 모니터링 하여 셔터(117)를 제어하고, 증착 재료를 선택방출 할 수 있도록 한다.The vapor deposition apparatus 100 includes a container accommodating part 110 for selectively discharging vapor deposition material in a chamber, and a shutter 117 for selectively discharging evaporating material is provided at an upper end of the container accommodating part 110. It is provided. In addition, the chamber is provided with a monitor 120 for monitoring the source flux F emitted from the container accommodating part 110 to control the shutter 117 by monitoring the released deposition material and to select the deposition material. Allow release.

여기서, 챔버 내의 상단에는 로봇 암(160)이 구비되어 프레임 또는 마그넷(150)과 장착된 기판(140)을 잡고 있으며, 그 하단에 주 셔터(130)가 선택 개폐되도록 제어되어 방출된 소스 플럭스(F)가 기판(140)에 균일하게 증착될 수 있도록 한다.Here, the robot arm 160 is provided at the upper end of the chamber to hold the frame 140 or the magnet 150 and the mounted substrate 140, and the main shutter 130 is controlled to be selectively opened and closed at the lower end of the source flux ( F) can be deposited uniformly on the substrate 140.

위와 같은 증착 장치(100)는, 유기막의 증착 속도 및 두께의 제어는 일반적으로 석영(quartz) 결정과 같은 재료를 이용하여 모니터부(120)의 센서인 크리스털(crystal) 표면에서 막의 형성 정도에 따른 주파수의 변화를 통해 이루어진다. 보통 진공 챔버 내에는 복수의 유기막을 동시에 증착하여 하나의 유기막을 형성하고자 할 경우 각 용기 수용부(110)에 별도의 모니터부(120)를 사용하는 것이 공정의 정확성을 위해 요구되어 지게 된다.In the deposition apparatus 100 as described above, the control of the deposition rate and thickness of the organic film is generally performed by using a material such as quartz crystals according to the degree of formation of the film on the crystal surface, which is a sensor of the monitor unit 120. This is achieved through a change in frequency. In general, when a plurality of organic films are simultaneously deposited in a vacuum chamber to form one organic film, it is required to use a separate monitor 120 for each container accommodating part 110 for the accuracy of the process.

크리스털의 주파수 변화는 크리스털 표면에 막이 형성되는 양에 크게 좌우되므로 공정이 진행됨에 따라 크리스털의 수명은 감소하게 된다. 여기서, 복수의 유기물을 이용하여 하나 또는 그 이상의 막을 형성할 때에는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버 내에 모니터(film thickness monitor)(120)를 위치시킬 경우 각 소스에 대한 증착 속도 및 두께 제어에 있어 공정의 정확성을 기대하기가 매우 곤란하다.Since the frequency change of the crystal depends largely on the amount of film formed on the surface of the crystal, the life of the crystal decreases as the process proceeds. Here, when forming one or more films using a plurality of organic materials, as shown in FIG. 1, when the film thickness monitor 120 is placed in the chamber, the deposition rate and the thickness control for each source may be controlled. It is very difficult to expect the accuracy of the process.

이에 따라, 도 2a나 도 2c와 같이 챔버 내의 소스 수용부(210a, 210b) 구조를 개량하였다.As a result, the structure of the source receiving portions 210a and 210b in the chamber is improved as shown in FIG. 2A and FIG. 2C.

그러나 도 2a의 경우 소스용기(212a)로부터 방출된 소스 플럭스(F)가 모니터부(215a)에 직접적으로 방출되어 모니터부(215a)의 센서 수명이 급격히 감소되는 문제가 있었다.However, in the case of FIG. 2A, the source flux F emitted from the source container 212a is directly emitted to the monitor 215a, so that the sensor life of the monitor 215a is rapidly reduced.

또한, 도 2b의 경우 위와 같은 문제를 해결하기 위하여 소스 수용부(210b)를 도시된 도면과 같이 구성하였으나, 소스 플럭스(F)가 모니터부(215b)에 도달하는데 소스 수용부(210b)에 충돌 후 간접적으로 모니터부(215b)에 도달하여 소스 플럭스(F)가 안정적이지 못하는 문제가 있었다. 이 경우, 소스 플럭스(F)가 모니터부(215b)의 센서에 도달하는 양이 증착 속도에 따라 달라질 수 있는 문제가 있었다.In addition, in the case of FIG. 2B, the source accommodating part 210b is configured as shown in order to solve the above problem, but the source flux F collides with the source accommodating part 210b when it reaches the monitor part 215b. Thereafter, indirectly reaching the monitor unit 215b, the source flux F was not stable. In this case, the amount that the source flux F reaches the sensor of the monitor unit 215b may vary depending on the deposition rate.

또한, 도 2c의 경우, 도 2b와 같은 문제를 해결하기 위하여 소스 수용부(210c)를 도시된 도면과 같이 구성하였으나, 이 역시 소스 플럭스(F)가 모니터부(215c)의 센서에 직접 도달하여 센서의 수명이 급격히 감소되는 문제가 발생하여 지속적인 사용을 하기에는 많은 어려운 문제가 있었다.In addition, in the case of FIG. 2C, the source accommodating part 210c is configured as shown in order to solve the problem as illustrated in FIG. 2B, but the source flux F reaches the sensor of the monitor part 215c directly. There is a problem that the life of the sensor is drastically reduced and there are many difficult problems for continuous use.

결국, 제어해야 할 유기물의 증착 속도가 낮을 경우 소스 플럭스(F)가 소스 수용부(210a, 210b, 210c)의 구조적인 문제로 인해 모니터부(215a, 215b, 215c)의 센서로 가는 양이 적어지기 때문에 센서가 받은 양이 상대적으로 더 낮아지게 되어 증착 속도 신호의 잡음 레벨이 증가 된다. 즉, 모니터부(215a, 215b, 215c)의 센서 수명이 단축되더라도 센서에 도달하는 소스 플럭스(F) 양을 증가 시켜야 잡음 레벨을 낮출 수 있게 되는 문제가 대두 되었다.As a result, when the deposition rate of the organic material to be controlled is low, the amount of source flux F goes to the sensors of the monitor units 215a, 215b, and 215c due to the structural problems of the source receiving portions 210a, 210b, and 210c. As a result, the amount received by the sensor is relatively lower, increasing the noise level of the deposition rate signal. That is, even if the sensor life of the monitor unit 215a, 215b, 215c is shortened, the noise level is lowered when the amount of source flux F reaching the sensor is increased.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 전계발광소자를 제작하는 증착 챔버 내에서 유기물 소스에 대한 독립 커버 및 독립 모니터를 채용하여 각 유기물의 증착 속도 및 두께 제어를 용이하게 하고 후속 유기막의 증착시 유기물 상호 간의 오염을 방지하며 유기물 소스와 크리스털 센서 사이에 소스로부터 플럭스를 방해하지 않을 정도의 매쉬를 장착하여 크리스털 센서의 수명을 크게 확보할 수 있록 한다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to adopt an independent cover and an independent monitor for an organic material source in a deposition chamber for fabricating an electroluminescent device to facilitate control of deposition rate and thickness of each organic material and to This prevents contamination between organic materials during deposition and ensures a long life of the crystal sensor by installing a mesh between the organic source and the crystal sensor that does not disturb the flux from the source.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 증착 장치는, 챔버; 챔버 내에 구비되어 증착 재료를 선택적으로 방출하는 용기 수용부; 용기 수용부 내에 구비되어 내부에 담긴 증착 재료를 가열하는 가열수단에 의해 증착 재료를 방출하는 소스용기; 용기 수용부 내에 형성되며 소스용기 보다 상측에 형성되어 소스용기를 통해 방출되는 소스를 모니터링하는 모니터부; 소스용기와 모니터부 사이에 형성된 필터부; 및 소스용기 보다 상측 부에 위치하고 용기 수용부에 형성되어 선택적으로 개폐되는 셔터를 포함한다.Deposition apparatus according to the present invention for solving the above problems, the chamber; A container accommodation portion provided in the chamber to selectively release the deposition material; A source container provided in the container receiving portion and discharging the deposition material by heating means for heating the deposition material contained therein; A monitor unit formed in the container receiving unit and monitoring the source formed above the source container and discharged through the source container; A filter unit formed between the source container and the monitor unit; And a shutter which is located above the source container and is formed in the container accommodating part to be selectively opened and closed.

여기서, 챔버 내에는 동일 증착 재료를 방출하는 용기 수용부가 하나 이상 추가로 더 형성된 것이다.Here, at least one further container receiving portion for discharging the same deposition material is formed in the chamber.

여기서, 필터부는 원형 또는 다각형의 매쉬구조인 것이다.Here, the filter portion is a mesh structure of a circular or polygonal.

여기서, 셔터는 소스용기로부터 방출되는 소스와 모니터부에 의해 센싱되어 선택적으로 개폐되는 것이다.Here, the shutter is sensed by the source and the monitor unit emitted from the source container is selectively opened and closed.

여기서, 증착 장치는 유기전계발광소자 제작용 증착 장치이다.Here, the deposition apparatus is a deposition apparatus for fabricating an organic light emitting device.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<일실시예><Example 1>

도 3a는 본 발명에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 용기 수용부를 나타낸 도면이고, 도 3c는 도 3b의 필터부를 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 변형된 실시예를 나타낸 도면이다.Figure 3a is a view showing a deposition apparatus according to the present invention, Figure 3b is a view showing the container receiving portion of Figure 3a, Figure 3c is a view showing the filter portion of Figure 3b, Figure 4 is a modified embodiment of the present invention The figure shown.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 증착 장치(300)는, 유기전계발광소자를 제작하기 위한 증착 장치(300)로써, 내부가 진공으로 된 챔버 내의 상단에는 로봇 암(360)이 구비되어 프레임 또는 마그넷(350)과 장착된 기판(340)을 잡고 있으며, 그 하단에 주 셔터(330)가 선택 개폐되도록 제어되어 용기 수용부(310)로부터 방출된 소스 플럭스(F)가 기판(340)에 균일하게 증착될 수 있도록 한다.As shown, the deposition apparatus 300 according to the present invention is a deposition apparatus 300 for manufacturing an organic light emitting device, the robot arm 360 is provided on the upper end of the chamber inside the vacuum frame or Holding the magnet 350 and the substrate 340 mounted, the main shutter 330 is controlled to be selectively opened and closed at the bottom thereof so that the source flux F emitted from the container accommodating portion 310 is uniform on the substrate 340. To be deposited.

그리고 챔버 내의 하단에는 증착 재료를 선택적으로 방출하는 용기 수용부 (310)가 형성되어 있다. 용기 수용부(310) 내에는 소스용기(312)가 구비되어 그 내부에 담긴 증착 재료를 가열하는 가열수단에 의해 증착 재료를 방출할 수 있게 되어 있다.At the lower end of the chamber, a container accommodating portion 310 for selectively discharging the deposition material is formed. A source container 312 is provided in the container accommodating portion 310 so as to discharge the deposition material by heating means for heating the deposition material contained therein.

또한, 용기 수용부(310) 내에는 소스용기(312) 보다 상측에 형성되어 소스용기(312)를 통해 방출되는 소스를 모니터링하는 모니터부(320)가 형성되어 있고, 소스용기(312)와 모니터부(320) 사이에 필터부(315)가 형성되어 있다.In addition, the container receiving portion 310 is formed on the upper side than the source container 312, the monitor unit 320 for monitoring the source discharged through the source container 312 is formed, the source container 312 and the monitor The filter unit 315 is formed between the units 320.

게다가, 용기 수용부(310)에는 소스용기(312) 보다 상측 부에 위치되어 소스용기(312)로 부터 방출된 소스 플럭스(F)를 선택적으로 방출하기 위하여 선택적으로 개폐되는 셔터(317)가 형성되어 있다. 여기서, 셔터(317)는 소스용기(312)로부터 방출된 소스와 모니터부(320)에 의해 센싱되어 선택적으로 개폐된다.In addition, the container accommodating portion 310 is formed with a shutter 317 positioned above the source container 312 and selectively opened and closed to selectively discharge the source flux F emitted from the source container 312. It is. Here, the shutter 317 is sensed by the source and the monitor unit 320 emitted from the source container 312 is selectively opened and closed.

위와 같은 증착 장치(300)는, 챔버 내에 증착 재료가 담긴 용기 수용부(310)가 하나만 형성되어 있고, 소스용기(312)로부터 방출된 소스 플럭스(F)는 용기 수용부(310)에 형성된 셔터(317)와 챔버 내의 상단에 형성된 주 셔터(330)에 의해 선택적으로 타겟 기판(340)에 증착 되게 된다.In the deposition apparatus 300 as described above, only one container accommodating part 310 containing deposition material is formed in the chamber, and the source flux F emitted from the source container 312 is a shutter formed in the container accommodating part 310. 317 and the main shutter 330 formed at the upper end of the chamber are selectively deposited on the target substrate 340.

이 경우, 챔버 내에서 타겟이 되는 기판(340)에 오직 하나의 증착 재료만 기판(340)에 증착 되게 되어 다른 증착 재료에 의해 일어나는 오염이 발생되지 않게 된다.In this case, only one deposition material is deposited on the substrate 340 to be the target substrate 340 in the chamber so that contamination caused by other deposition materials does not occur.

자세하게는, 용기 수용부(310) 내의 바닥에 형성된 소스용기(312)는 가열수단에 의해 소스용기(312)에 담긴 증착 재료가 방출되게 되고, 이때 방출된 소스 플럭스(F)는 용기 수용부(310) 내에 형성된 필터부(315)에 의해 걸러져 모니터부 (320)에 도달한다.In detail, the source container 312 formed at the bottom of the container receiving part 310 is to release the deposition material contained in the source container 312 by the heating means, wherein the discharged source flux F is the container receiving part ( Filtered by filter portion 315 formed within 310 to reach monitor portion 320.

이에 따라, 모니터부(320)의 센서인 크리스털(crystal)이 받는 영향을 필터부(315)가 걸러주게 되어 방출된 소스 플럭스(F)에 의해 센서의 수명이 급감하는 현상을 저지할 수 있게 되어 있다. 여기서, 필터부(315)는 원형 또는 다각형의 매쉬 구조이다.As a result, the filter unit 315 filters the influence of the crystal, which is a sensor of the monitor unit 320, to prevent a phenomenon in which the life of the sensor decreases rapidly due to the emitted source flux F. FIG. have. Here, the filter unit 315 has a circular or polygonal mesh structure.

도 3c에 도시된 바와 같이, 필터부(315a, 315b, 315c)는 원형의 형상으로 형성되거나 사각형 또는 크로스 형태의 매쉬 구조 등으로 형성될 수 있으며, 그 형상을 유지하며 미소 크기의 매쉬 구조로 형성되면 그 효과는 더욱 향상되겠다.As shown in FIG. 3C, the filter parts 315a, 315b, and 315c may be formed in a circular shape or may be formed in a square or cross-shaped mesh structure. The effect will be improved further.

이와 같이, 소스용기(312)와 모니터부(320) 사이에 필터부(315)를 장착하면 방출된 소스로부터 센서로 도달하는 소스 플럭스(F)를 크게 저해하지 않으면서 모니터부(320)의 센서 수명을 확보할 수 있게 된다. 이와 별도로 발광층 유기막의 경우 미세불순물(dopant)의 증착 분율은 극히 적게 마련인데 이때 모니터부(320)의 센서 위치를 소스용기(312)에 더 가깝게 형성하면 잡음 레벨을 낮추어 공정의 정확성을 높일 수도 있게 된다.As such, when the filter unit 315 is mounted between the source container 312 and the monitor unit 320, the sensor of the monitor unit 320 without significantly inhibiting the source flux F reaching the sensor from the emitted source. It is possible to secure a lifetime. Separately, in the case of the organic light emitting layer, the deposition rate of the fine impurities is extremely small. In this case, when the sensor position of the monitor 320 is formed closer to the source container 312, the accuracy of the process may be increased by lowering the noise level. do.

한편, 본 발명의 변형된 실시예로 도 4를 참조하면, 증착 장치(400)의 내부에 동일 증착 재료를 방출하는 용기 수용부(410)를 하나 이상 추가로 더 형성하면 유기물 상호 간에 오염을 방지하면서 증착 속도 및 두께제어를 보다 용이하게 할 수도 있게 된다.Meanwhile, referring to FIG. 4 as a modified embodiment of the present invention, if one or more additional container accommodating parts 410 are formed in the deposition apparatus 400 to emit the same deposition material, contamination of organic materials may be prevented. While controlling the deposition rate and thickness can be made easier.

위와 같이 본 발명은, 유기물 소스와 크리스털 센서 사이에 필터를 장착하여 소스로부터 플럭스를 방해하지 않고, 크리스털 센서의 수명을 크게 확보할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention is equipped with a filter between the organic material source and the crystal sensor, there is an effect that can greatly secure the life of the crystal sensor without disturbing the flux from the source.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the above-described technical configuration of the present invention may be embodied in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, 각 유기물 소스에 개별 커버와 개별 모니터를 채용하여 공정의 정확성을 확보하고 유기물 상호 간의 오염을 방지하며 크리스털 센서의 수명을 연장할 수 있다. 특히, 유기물 소스와 크리스털 센서 사이에 소스로부터 플럭스를 방해하지 않을 정도의 매쉬를 장착하여 크리스털 센서의 수명을 크게 확보할 수 있는 효과가 있다.According to the configuration of the present invention described above, by employing a separate cover and a separate monitor for each organic material source, it is possible to ensure the accuracy of the process, to prevent contamination between organic materials and to extend the life of the crystal sensor. In particular, by mounting a mesh between the organic material source and the crystal sensor so as not to disturb the flux from the source, there is an effect that can greatly secure the life of the crystal sensor.

Claims (5)

챔버;chamber; 상기 챔버 내에 구비되어 증착 재료를 선택적으로 방출하는 용기 수용부;A container accommodation portion provided in the chamber to selectively discharge the deposition material; 상기 용기 수용부 내에 구비되어 내부에 담긴 증착 재료를 가열하는 가열수단에 의해 증착 재료를 방출하는 소스용기;A source container provided in the container receiving part and discharging the deposition material by heating means for heating the deposition material contained therein; 상기 용기 수용부 내에 형성되며 상기 소스용기 보다 상측에 형성되어 상기 소스용기를 통해 방출되는 소스를 모니터링하는 모니터부; A monitor unit formed in the container accommodation unit and configured to monitor a source formed above the source container and discharged through the source container; 상기 소스용기와 상기 모니터부 사이에 형성된 필터부; 및A filter unit formed between the source container and the monitor unit; And 상기 소스용기 보다 상측 부에 위치하고 상기 용기 수용부에 형성되어 선택적으로 개폐되는 셔터를 포함하는 증착 장치.And a shutter disposed above the source container and formed to open and close the container. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버 내에는 동일 증착 재료를 방출하는 상기 용기 수용부가 하나 이상 추가로 더 형성된 것을 포함하는 증착 장치.And at least one further container containment portion for emitting the same deposition material in the chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필터부는 원형 또는 다각형의 매쉬 구조인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The filter unit deposition apparatus characterized in that the circular or polygonal mesh structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 셔터는 상기 소스용기로부터 방출되는 소스와 상기 모니터부에 의해 센싱되어 선택적으로 개폐되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the shutter is sensed by a source emitted from the source container and the monitor to selectively open and close the shutter. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착 장치는 유기전계발광소자 제작용 증착 장치인 것을 특징으로 하는 증착 장치.The deposition apparatus is a deposition apparatus, characterized in that the deposition apparatus for manufacturing an organic light emitting device.
KR1020060011305A 2006-02-06 2006-02-06 Apparatus for depositing chemical layers KR101258252B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060011305A KR101258252B1 (en) 2006-02-06 2006-02-06 Apparatus for depositing chemical layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060011305A KR101258252B1 (en) 2006-02-06 2006-02-06 Apparatus for depositing chemical layers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070080151A true KR20070080151A (en) 2007-08-09
KR101258252B1 KR101258252B1 (en) 2013-04-26

Family

ID=38600603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060011305A KR101258252B1 (en) 2006-02-06 2006-02-06 Apparatus for depositing chemical layers

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101258252B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101349475B1 (en) * 2012-07-27 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 Application for solar cell and method of fabricating the solar cell
CN112442661A (en) * 2019-08-28 2021-03-05 佳能株式会社 Evaporation plating device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59118884A (en) * 1982-12-24 1984-07-09 Hitachi Ltd Sputtering device
JPH04311567A (en) * 1991-04-09 1992-11-04 Mitsubishi Electric Corp Method and device for forming thin film
JP2005091345A (en) 2003-08-13 2005-04-07 Fuji Photo Film Co Ltd Method and device for producing vapor-deposition type phosphor sheet, and vapor deposition type phosphor sheet
KR100670065B1 (en) * 2005-11-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 Thickness monitor apparatus and vacuum evaporator using the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101349475B1 (en) * 2012-07-27 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 Application for solar cell and method of fabricating the solar cell
CN112442661A (en) * 2019-08-28 2021-03-05 佳能株式会社 Evaporation plating device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101258252B1 (en) 2013-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4966028B2 (en) Vacuum deposition equipment
KR101068597B1 (en) Evaporation apparatus and thin film depositing apparatus and method for feeding source of the same
KR100974041B1 (en) Apparatus for depositing film and methdod for measureing film thickness
JP4478113B2 (en) Heating vessel support and vapor deposition apparatus equipped with the same
JP3962349B2 (en) Vapor phase organic material vapor deposition method and vapor phase organic material vapor deposition apparatus using the same
TWI447246B (en) Vacuum evaporation device
KR101258252B1 (en) Apparatus for depositing chemical layers
KR20060081015A (en) Vacuum evaporating apparatus
JP2004059982A (en) Vacuum vapor deposition method
KR20100118314A (en) Vacuum evaporation apparatus and vacuum evaporation method
JP5180469B2 (en) Vacuum deposition equipment
KR101480726B1 (en) Vacuum Evaporating Apparatus
JP5044223B2 (en) Vacuum deposition equipment
KR100761084B1 (en) evaporating source and vacuum evaporating apparatus using the same
KR101980280B1 (en) Thin film deposition processing apparatus
JP3712646B2 (en) Molecular beam cell for thin film deposition
KR100471361B1 (en) Apparatus for depositing organic- electroluminescent device
KR101213094B1 (en) Depostion apparatus
KR101851734B1 (en) Deposition apparatus
KR101028044B1 (en) Apparatus For Supplying Source Gas
KR20150012383A (en) Thin film deposition processing apparatus
KR100637191B1 (en) Deposition apparatus
JP2014055335A (en) Vacuum film deposition apparatus, and temperature control method and apparatus for evaporation source therefor
KR102549982B1 (en) Evaporation source apparatus, vapor deposition apparatus and control method of evaporation source apparatus
JP2008156724A (en) Vacuum deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170320

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 7