KR100637191B1 - Deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 증착되는 박막의 두께를 정확하게 조절할 수 있으며, 증착되는 박막의 두께를 측정하는 크리스탈 센서의 수명이 향상된 증착 장치를 위하여, 기판을 지지하는 기판 지지수단와, 상기 기판에 증착될 물질을 방출하는 복수개의 가열 용기들과, 상기 가열 용기들에 대응되는 복수개의 크리스탈 센서들, 그리고 상기 각 크리스탈 센서를 감싸고, 상기 각 크리스탈 센서에 대응되는 상기 가열 용기 방향으로 개구부를 구비한 캡을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치를 제공한다.The present invention can accurately control the thickness of the thin film to be deposited, and for the deposition apparatus with improved lifetime of the crystal sensor for measuring the thickness of the thin film is deposited, the substrate support means for supporting the substrate and the material to be deposited on the substrate A plurality of heating vessels, a plurality of crystal sensors corresponding to the heating vessels, and a cap surrounding each of the crystal sensors, the cap having an opening in a direction of the heating vessel corresponding to each of the crystal sensors. A vapor deposition apparatus is provided.

Description

증착 장치 {Deposition apparatus}Deposition apparatus

도 1은 종래의 증착 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional vapor deposition apparatus.

도 2는 도 1의 크리스탈 센서를 확대하여 도시하는 개념도.FIG. 2 is an enlarged conceptual view of the crystal sensor of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.3 is a sectional view schematically showing a deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 크리스탈 센서를 확대하여 도시하는 개념도.4 is an enlarged conceptual view illustrating the crystal sensor of FIG. 3.

도 5는 도 3의 크리스탈 센서의 사진.5 is a photograph of the crystal sensor of FIG.

도 6은 캡이 구비된 크리스탈 센서와 캡이 구비되지 않은 크리스탈 센서의 수명을 보여주는 그래프.6 is a graph showing the lifespan of a crystal sensor with a cap and a crystal sensor without a cap.

도 7은 캡이 구비된 크리스탈 센서와 캡이 구비되지 않은 크리스탈 센서의 활성도를 보여주는 그래프.7 is a graph showing the activity of the crystal sensor with a cap and the crystal sensor without a cap.

도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 증착 장치에 구비되는 크리스탈 센서를 개략적으로 도시하는 개념도.8 is a conceptual diagram schematically showing a crystal sensor provided in the deposition apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 증착 장치에 구비되는 크리스탈 센서를 개략적으로 도시하는 개념도.9 is a conceptual diagram schematically showing a crystal sensor provided in the deposition apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

101: 진공챔버 102: 입구101: vacuum chamber 102: inlet

103: 출구 104: 기판 이송 수단103: exit 104: substrate transfer means

105: 기판 지지수단 106: 액튜에이터105: substrate support means 106: actuator

110a,110b: 가열 용기 112a, 112b: 크리스탈 센서110a, 110b: heating vessel 112a, 112b: crystal sensor

114a, 114b: 캡 216a, 216b: 셔터114a, 114b: Cap 216a, 216b: Shutter

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 증착되는 박막의 두께를 정확하게 조절할 수 있으며, 증착되는 박막의 두께를 측정하는 크리스탈 센서의 수명이 향상된 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to a deposition apparatus capable of precisely adjusting the thickness of a deposited thin film and improving the life of a crystal sensor for measuring the thickness of the deposited thin film.

전계발광 디스플레이 장치는 자발광형 디스플레이 장치로서, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 장치로서 주목받고 있다. The electroluminescent display device is a self-luminous display device, and has attracted attention as a next generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.

일반적인 전계발광 디스플레이 장치에 구비되는 전계발광 소자에는 서로 대향된 전극들 사이에 적어도 발광층을 포함하는 중간층이 된다. 상기 중간층에는 다양한 층들이 구비될 수 있는 바, 예컨대 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등을 들 수 있다. 유기 전계발광 소자의 경우, 이러한 중간층들은 유기물로 형성된 유기 박막들이다.The electroluminescent device provided in the general electroluminescent display device is an intermediate layer including at least a light emitting layer between the electrodes facing each other. The intermediate layer may be provided with various layers, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer or an electron injection layer. In the case of organic electroluminescent devices, these intermediate layers are organic thin films formed of organic material.

상기와 같은 구성을 가지는 전계발광 소자를 제조하는 과정에서, 기판 상에 형성되는 홀 주입층, 홀수송층, 발광층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 등의 박막 들, 그리고 전극들은 증착 장치를 이용하여 증착(deposition)의 방법에 의해 형성될 수 있다. In the process of manufacturing the electroluminescent device having the above configuration, thin films, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transporting layer or an electron injection layer formed on the substrate, and the electrodes are deposited using a deposition apparatus ( by the method of deposition).

상기 증착 방법은 일반적으로 진공 챔버 내에 기판을 장착한 후, 증착될 물질을 담은 가열 용기를 가열하여 그 내부의 증착될 물질을 증발 또는 승화시킴으로써 박막을 제작한다.The deposition method generally produces a thin film by mounting a substrate in a vacuum chamber and then heating a heating vessel containing the material to be deposited to evaporate or sublime the material to be deposited therein.

유기 전계발광 소자의 박막을 이루는 상기 유기물은 10-6 내지 10-7 torr의 진공도에 250 내지 450℃ 정도의 온도범위에서 증발 또는 승화한다. 한편 전극재료는 유기재료와 비교하여 일반적으로 고온에서 증발하게 되는데, 이러한 증발온도는 재료의 종류에 따라 다양하다. 일반적으로 이용되는 마그네슘(Mg)은 500 내지 600℃, 은(Ag)은 1000℃ 이상에서 증발한다. 또한 전극재료로서 이용되는 알루미늄(Al)은 1000℃내외에서 증발하며, 리튬(Li)은 300℃ 정도에서 증발한다.The organic material forming the thin film of the organic electroluminescent device is evaporated or sublimed in a temperature range of about 250 to 450 ° C. at a vacuum degree of 10 −6 to 10 −7 torr. On the other hand, the electrode material is generally evaporated at a high temperature compared with the organic material, the evaporation temperature varies depending on the type of material. Magnesium (Mg) generally used is 500 to 600 ° C, and silver (Ag) is evaporated at 1000 ° C or more. In addition, aluminum (Al) used as an electrode material evaporates around 1000 ° C, and lithium (Li) evaporates at about 300 ° C.

상기와 같은 유기재료 또는 전극재료 등을 기판에 증착시키는 데 있어서 가장 중요한 것은 기판 전체에 걸쳐 증착되는 막의 두께가 균일하게 되어야 한다는 점이다. 따라서, 증착될 물질을 방출하는 가열 용기의 상부에 크리스탈 센서를 두어 증착되는 박막의 두께를 측정한다.The most important thing in depositing the organic material or the electrode material on the substrate is that the thickness of the film deposited over the entire substrate should be uniform. Thus, a crystal sensor is placed on top of the heating vessel that releases the material to be deposited to measure the thickness of the deposited film.

도 1은 종래의 증착 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 2는 도 1의 크리스탈 센서를 확대하여 도시하는 개념도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional deposition apparatus, and FIG. 2 is an enlarged conceptual view of the crystal sensor of FIG. 1.

상기 도면들을 참조하면, 진공 챔버(1) 내에 기판을 지지하는 기판 지지수단(5)이 구비되어 있고, 상기 지지수단(5)에 의해 지지되는 기판에 증착될 물질을 방 출하는 가열 용기들(10a, 10b)이 구비된다. 그리고 상기 기판에 증착되는 박막의 두께를 측정하기 위해 상기 가열 용기들(10a, 10b)의 상부로 크리스탈 센서들(12a, 12b)이 구비된다. 상기 크리스탈 센서들(12a, 12b)은 상기 각 크리스탈 센서에 대응되는 가열 용기로부터 증착되는 물질의 양을 측정한다. Referring to the drawings, a substrate supporting means 5 for supporting a substrate is provided in the vacuum chamber 1, and heating containers for emitting material to be deposited on the substrate supported by the supporting means 5 ( 10a, 10b) are provided. Crystal sensors 12a and 12b are provided on the heating vessels 10a and 10b to measure the thickness of the thin film deposited on the substrate. The crystal sensors 12a and 12b measure the amount of material deposited from the heating vessel corresponding to each crystal sensor.

그러나 상기와 같은 종래의 증착 장치의 경우에는 상기 크리스탈 센서들에, 각 크리스탈 센서에 대응되는 가열 용기가 아닌 가열 용기로부터 방출되는 물질들도 도달하게 되며, 이로 인하여 각 가열 용기로부터 방출되는 물질의 양을 정확하게 측정할 수 없게 되며, 그 결과 증착되는 박막의 두께를 정확하게 조절할 수 없다는 문제점이 있었다. 또한, 상기 크리스탈 센서는 항상 증착물질에 노출되어 있게 되기에, 그 수명이 단축된다는 문제점이 있었다.However, in the case of the conventional deposition apparatus as described above, the crystal sensors reach the materials emitted from the heating vessel, not the heating vessel corresponding to each crystal sensor, and thus the amount of the substance emitted from each heating vessel. Cannot be accurately measured, and as a result, there was a problem in that the thickness of the deposited thin film cannot be precisely controlled. In addition, since the crystal sensor is always exposed to the deposition material, its life is shortened.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 증착되는 박막의 두께를 정확하게 조절할 수 있으며, 증착되는 박막의 두께를 측정하는 크리스탈 센서의 수명이 향상된 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Disclosure of Invention The present invention is to solve various problems, including the above problems, and to provide a deposition apparatus capable of precisely adjusting the thickness of a deposited thin film and improving the lifetime of a crystal sensor for measuring the thickness of the deposited thin film. It is done.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,In order to achieve the above object and other various objects, the present invention,

기판을 지지하는 기판 지지수단;Substrate support means for supporting a substrate;

상기 기판에 증착될 물질을 방출하는 복수개의 가열 용기들;A plurality of heating vessels for discharging material to be deposited on the substrate;

상기 가열 용기들에 대응되는 복수개의 크리스탈 센서들; 및A plurality of crystal sensors corresponding to the heating vessels; And

상기 각 크리스탈 센서를 감싸고, 상기 각 크리스탈 센서에 대응되는 상기 가열 용기 방향으로 개구부를 구비한 캡;을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치를 제공한다.And a cap surrounding each of the crystal sensors and having an opening in a direction of the heating container corresponding to each of the crystal sensors.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 가열 용기들과 상기 크리스탈 센서들은 1 대 1 대응되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the heating vessels and the crystal sensors may be one-to-one correspondence.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 캡의 개구부에는 개폐조절이 가능한 셔터가 더 구비되는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the opening of the cap may be further provided with a shutter capable of opening and closing adjustment.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 증착 장치는 상기 기판 지지수단을 회전시킬 수 있는 액튜에이터를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, the deposition apparatus may further include an actuator capable of rotating the substrate support means.

본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, The present invention also to achieve the above object,

기판을 지지하는 기판 지지수단;Substrate support means for supporting a substrate;

상기 기판에 증착될 물질을 방출하는 적어도 하나의 가열 용기;At least one heating vessel for discharging a substance to be deposited on the substrate;

상기 가열 용기의 상부에 구비된 적어도 하나의 크리스탈 센서; 및At least one crystal sensor provided at an upper portion of the heating vessel; And

상기 크리스탈 센서와 상기 크리스탈 센서에 대응되는 상기 가열 용기 사이에 구비되는, 개폐조절이 가능한 셔터;를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치를 제공한다.It is provided between the crystal sensor and the heating container corresponding to the crystal sensor, the shutter capable of opening and closing control; provides a deposition apparatus characterized in that it comprises a.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 증착 장치는 복수개의 가열 용기들과 복수개의 크리스탈 센서들을 구비하며, 상기 가열 용기들과 상기 크리스탈 센서들은 1 대 1 대응되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the deposition apparatus may include a plurality of heating containers and a plurality of crystal sensors, and the heating containers and the crystal sensors may be in a one-to-one correspondence.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 증착 장치는 상기 기판 지지수단을 회전시킬 수 있는 액튜에이터를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, the deposition apparatus may further include an actuator capable of rotating the substrate support means.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 4는 도 3의 크리스탈 센서 및 캡을 확대하여 도시하는 도면이며, 도 5는 도 3의 크리스탈 센서의 사진이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating a deposition apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 4 is an enlarged view of the crystal sensor and the cap of FIG. 3, and FIG. 5 is a photograph of the crystal sensor of FIG. 3. to be.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명에 따른 증착 장치는 내부가 진공으로 유지되며, 일측에 입구(102)와 타측에 출구(103)를 갖는 진공 챔버(101)를 구비한다.Referring to the drawings, the deposition apparatus according to the present invention has a vacuum chamber 101 having an inlet 102 on one side and an outlet 103 on the other side.

증착 물질이 증착될 기판(미도시)은 상기 입구(102)와 출구(103)를 통해 진공 챔버(101)를 관통하도록 배설된 기판 이송 수단(104)에 의해 진공 챔버(101) 내부로 이송된다. 이 때, 기판은 그 상부에서 기판 지지 수단(105)에 의해 지지되고, 이 기판 지지수단(105)은 기판 이송 수단(104)에 설치되어 진공 챔버(101)내로의 출입이 가능하도록 한다. 그리고 필요에 따라 상기 기판 지지수단(105)을 회전시킬 수 있는 액튜에이터(106)를 더 구비할 수 있다.The substrate (not shown) on which the deposition material is to be deposited is transferred into the vacuum chamber 101 by the substrate transfer means 104 disposed to penetrate the vacuum chamber 101 through the inlet 102 and the outlet 103. . At this time, the substrate is supported by the substrate support means 105 thereon, and the substrate support means 105 is installed in the substrate transfer means 104 to allow entry into and out of the vacuum chamber 101. And the actuator 106 which can rotate the substrate support means 105 as needed may be further provided.

상기 진공 챔버(101)에는 기판에 증착될 물질을 방출하는 복수개의 가열 용기들(110a, 110b)이 구비되는데, 상기 가열 용기들(110a, 110b)의 외부에는 상기 가열 용기들(110a, 110b)을 가열하는 가열 수단(미도시)이 더 구비될 수 있다.The vacuum chamber 101 is provided with a plurality of heating vessels 110a and 110b for releasing a substance to be deposited on a substrate, and the heating vessels 110a and 110b outside the heating vessels 110a and 110b. Heating means for heating the (not shown) may be further provided.

가열 용기들(110a, 110b)은, 도 3에 도시된 바와 달리, 가열 용기들에 별도로 장착된 이동 장치(미도시)가 챔버(101) 내부에 설치된 이송 레일(미도시)과 결 합되도록 하여 챔버(101) 내부에서 이동이 가능하도록 설치될 수도 있다. 이때의 이동은 원형 운동이 될 수도 있고 상하 운동이 될 수도 있는 등 다양한 형태로 이동될 수 있다.The heating vessels 110a and 110b, unlike that shown in FIG. 3, allow a moving device (not shown) separately mounted to the heating vessels to be coupled with a transfer rail (not shown) installed inside the chamber 101. The chamber 101 may be installed to be movable. At this time, the movement may be a circular motion, or may be moved in various forms such as vertical movement.

그리고 상기 가열 용기들(110a, 110b)에 대응되는 복수개의 크리스탈 센서들(112a, 112b)이 구비된다. 상기 크리스탈 센서들(112a, 112b)은 도 4에 도시된 바와 같은 구조를 취하고 있으며, 증착 물질이 부착되는 플레이트(112a1)와, 상기 플레이트(112a1)의 진동을 감지하는 센서(112a2)를 구비하고 있다. 즉, 가열 용기(110a)로부터 방출된 물질이 상기 플레이트(112a1)에 부착되는 순간 상기 물질과 상기 플레이트(112a1)의 충돌로 인해 상기 플레이트(112a1)는 진동하게 되며, 상기 진동을 상기 플레이트(112a1)에 연결된 센서(112a2)가 감지하여 그 진동을 전기적 신호로 변환한다. 이를 통해 상기 각 크리스탈 센서에 대응하는 가열 용기에서 방출된 물질의 양을 측정하게 되며, 이를 통해 증착되는 박막의 두께를 제어하게 된다. 이 경우, 상기 가열 용기들(110a, 110b)과 상기 크리스탈 센서들(112a, 112b)은 필요에 따라 1 대 1 대응이 되도록 할 수 있다. A plurality of crystal sensors 112a and 112b corresponding to the heating vessels 110a and 110b are provided. The crystal sensors 112a and 112b have a structure as shown in FIG. 4, and include a plate 112a1 to which a deposition material is attached, and a sensor 112a2 that detects vibration of the plate 112a1. have. That is, the plate 112a1 vibrates due to the collision of the material and the plate 112a1 at the moment when the substance discharged from the heating vessel 110a is attached to the plate 112a1, and the vibration of the plate 112a1 is performed. Sensor 112a2 connected to the sensor detects and converts the vibration into an electrical signal. This measures the amount of material emitted from the heating vessel corresponding to each crystal sensor, thereby controlling the thickness of the deposited film. In this case, the heating vessels 110a and 110b and the crystal sensors 112a and 112b may be in a one-to-one correspondence as necessary.

이때, 전술한 바와 같이 상기 크리스탈 센서들에는 각 크리스탈 센서에 대응하는 가열 용기로부터 방출되는 물질뿐만 아니라 대응하지 않는 가열 용기로부터 방출되는 물질도 도달할 수 있으며, 따라서 각 가열 용기로부터 방출되는 물질의 양을 정확하게 측정할 수 없게 된다. 그러므로 본 실시예에 따른 증착 장치는 이를 방지하기 위해, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 각 크리스탈 센서(112a, 112b)를 감싸고, 상기 각 크리스탈 센서(112a, 112b)에 대응되는 상기 가열 용기(110a, 110b) 방향으로 개구부를 구비한 캡(114a, 114b)이 더 구비되어 있다. 이때, 도 3 및 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, 캡(114a, 114b)은 가열 용기(110a, 110b) 방향으로 돌출된 돌출부를 가지며 캡의 개구부는 돌출부의 선단부에 형성되어 있다.At this time, as described above, the crystal sensors can reach not only the substance discharged from the heating vessel corresponding to each crystal sensor but also the substance discharged from the non-corresponding heating vessel, and thus the amount of the substance released from each heating vessel. Cannot be measured accurately. Therefore, in order to prevent the deposition apparatus according to the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, the deposition apparatus surrounds each of the crystal sensors 112a and 112b and corresponds to the respective crystal sensors 112a and 112b. Caps 114a and 114b having openings in the heating container 110a and 110b directions are further provided. 3 and 4, the caps 114a and 114b have protrusions protruding toward the heating vessels 110a and 110b, and the openings of the caps are formed at the tip of the protrusions.

이와 같이 각 크리스탈 센서에 대응되는 가열 용기에서 방출되는 물질만이 상기 크리스탈 센서에 도달할 수 있도록 하는 캡이 구비되도록 함으로써, 증착되는 박막의 두께를 보다 정확히 조절할 수 있다. 또한, 그와 같은 캡이 구비되어 각 크리스탈 센서에 부착되지 않아야 할 물질이 부착되는 것을 방지함으로써, 크리스탈 센서의 장수명화도 도모할 수 있다.As such, by providing a cap for allowing only the material discharged from the heating container corresponding to each crystal sensor to reach the crystal sensor, the thickness of the deposited thin film can be more accurately controlled. In addition, by providing such a cap to prevent the attachment of substances that should not be attached to each crystal sensor, the life of the crystal sensor can be extended.

도 5는 본 실시예에 따른 캡의 사진이고, 도 6은 캡이 구비된 크리스탈 센서와 캡이 구비되지 않은 크리스탈 센서의 수명을 비교하여 나타내는 그래프이며, 도 7은 캡이 구비된 크리스탈 센서와 캡이 구비되지 않은 크리스탈 센서의 활성도(activation)를 비교하여 나타내는 그래프이다. 도 5의 사진에서 알 수 있는 바와 같이 캡의 개구부의 면적은 상기 크리스탈 센서의 상기 가열 용기 방향의 면의 면적보다 작도록 할 수도 있다.FIG. 5 is a photograph of a cap according to the present embodiment, and FIG. 6 is a graph showing the lifespan of a crystal sensor with a cap and a crystal sensor without a cap, and FIG. 7 is a crystal sensor with a cap and a cap. It is a graph which compares and shows the activation of the crystal sensor which is not provided. As can be seen in the photograph of FIG. 5, the area of the opening of the cap may be smaller than the area of the surface in the direction of the heating vessel of the crystal sensor.

도 6을 참조하면, 시간이 흐름에 따라 캡이 구비되지 않은 크리스탈 센서의 수명은 급격히 증가하는 것에 비해, 캡이 구비된 크리스탈 센서의 수명은 그러하지 않음을 알 수 있다. 여기서 수명이 급격히 증가한다고 함은, 크리스탈 센서를 사용할 수 있는 잔여 시간이 급격히 줄어든다는 의미이다. 또한, 도 7을 참조하면, 시간이 흐름에 따라 캡이 구비되지 않은 크리스탈 센서의 활성도가 급격히 감소하는 것에 비해, 캡이 구비된 크리스탈 센서의 활성도는 그 감소 폭이 작은 것을 알 수 있다. 여기서 활성도라 함은, 크리스탈 센서의 민감도를 말한다.Referring to FIG. 6, it can be seen that the life of a crystal sensor with a cap does not increase as the life of the crystal sensor without a cap is rapidly increased with time. A dramatic increase in lifespan means that the remaining time that the crystal sensor can be used is drastically reduced. Referring to FIG. 7, it can be seen that, as time passes, the activity of the crystal sensor without the cap is rapidly decreased, whereas the activity of the crystal sensor with the cap is small. Here, the activity refers to the sensitivity of the crystal sensor.

도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 증착 장치에 구비되는 크리스탈 센서를 개략적으로 도시하는 개념도이다.8 is a conceptual diagram schematically showing a crystal sensor provided in the deposition apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 플레이트(212a1)와 상기 플레이트(212a1)의 운동을 감지하 는 센서(212a2)를 구비한 크리스탈 센서(212a)를 감싸도록 캡(214a)이 구비되어 있으며, 상기 캡(214a)의 개구부에는 개폐조절이 가능한 셔터(216a)가 구비되어 있다.Referring to FIG. 8, a cap 214a is provided to enclose a crystal sensor 212a having a plate 212a1 and a sensor 212a2 that senses movement of the plate 212a1. The opening of the) is provided with a shutter 216a which can be controlled to open and close.

먼저 전술한 실시예에 따른 증착 장치를 개략적으로 도시하는 도 3을 참조하여 증착 장치의 작동을 살펴보면, 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버(101) 내로 출입을 할 뿐이며, 증착될 물질은 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버(101) 내에 있는지 여부에 관계없이 가열 용기(110a, 110b)로부터 계속해서 방출된다. 따라서 상기 가열 용기(110a, 110b)로부터 방출된 물질은 기판이 진공 챔버(101) 내에 있는지 여부에 관계없이 계속해서 그 상부의 크리스탈 센서들(112a, 112b)에 부착되게 되며, 이는 결국 크리스탈 센서들(112a, 112b)의 수명 감소를 초래한다. Referring first to the operation of the deposition apparatus with reference to FIG. 3 schematically showing the deposition apparatus according to the above-described embodiment, the substrate to be deposited only enters and exits into the vacuum chamber 101, and the material to be deposited is the substrate to be deposited. Irrespective of whether it is in this vacuum chamber 101 or not, it discharges continuously from the heating container 110a, 110b. Thus, the material released from the heating vessels 110a, 110b continues to adhere to the crystal sensors 112a, 112b thereon regardless of whether the substrate is in the vacuum chamber 101, which in turn results in crystal sensors Resulting in reduced lifetime of 112a and 112b.

따라서, 상술한 바와 같이 플레이트(212a1)와 상기 플레이트(212a1)의 운동을 감지하는 센서(212a2)를 구비한 크리스탈 센서(212a)를 감싸도록 캡(214a)이 구비되도록 함과 동시에, 상기 캡(214a)의 개구부에는 개폐조절이 가능한 셔터(216a)가 구비되도록 함으로써, 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버 내에 있을 때에는 상기 셔터(216a)가 열려 증착되는 박막의 두께를 상기 크리스탈 센서(212a)를 통해 조절할 수 있도록 하고, 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버 내에 있지 않을 때에는 상기 셔터(216a)가 닫혀 가열 용기로부터 방출된 물질이 크리스탈 센서(212a)에 부착되지 않도록 함으로써 상기 크리스탈 센서(212a)의 수명을 늘릴 수 있다. Accordingly, as described above, the cap 214a is provided to surround the crystal sensor 212a having the plate 212a1 and the sensor 212a2 for detecting the movement of the plate 212a1. The opening of the 214a is provided with a shutter 216a that can be controlled to open and close. When the substrate to be deposited is in the vacuum chamber, the shutter 216a is opened to adjust the thickness of the thin film to be deposited through the crystal sensor 212a. When the substrate to be deposited is not in the vacuum chamber, the shutter 216a is closed to extend the life of the crystal sensor 212a by preventing the material discharged from the heating vessel from adhering to the crystal sensor 212a. have.

도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 증착 장치에 구비되는 크리스탈 센서를 개략적으로 도시하는 개념도이다.9 is a conceptual diagram schematically showing a crystal sensor provided in the deposition apparatus according to another preferred embodiment of the present invention.

전술한 실시예들에 있어서는 각 크리스탈 센서를 감싸는 캡이 구비되어 있었으나, 필요에 따라 상기 캡이 구비되지 않고 셔터만 구비되도록 할 수 있다. 예컨대 가열 용기가 하나일 경우가 그러한 경우이며, 가열 용기가 두 개 이상 구비되더라도 필요에 따라 캡이 구비되지 않을 수도 있다. 따라서, 적어도 하나의 가열 용기(미도시)가 구비되고, 상기 가열 용기의 상부에 적어도 하나의 크리스탈 센서(312a)가 구비되도록 하며, 상기 크리스탈 센서(312a)와 상기 크리스탈 센서(312a)에 대응되는 상기 가열 용기 사이에 개폐조절이 가능한 셔터(316a)가 구비되도록 하는 것이다. 이를 통해서도 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버 내에 존재하지 않을 때는 크리스탈 센서(312a)에 가열 용기에서 방출된 물질이 부착되지 않도록 함으로써, 크리스탈 센서(312a)의 수명을 늘릴 수 있다.In the above-described embodiments, the cap surrounding each crystal sensor was provided, but if necessary, the shutter may be provided without the cap. This is the case, for example, when there is only one heating container, and even if two or more heating containers are provided, the cap may not be provided as necessary. Accordingly, at least one heating container (not shown) is provided, and at least one crystal sensor 312a is provided on the heating container, and corresponds to the crystal sensor 312a and the crystal sensor 312a. It is to be provided with a shutter 316a capable of opening and closing between the heating vessel. In this case, when the substrate to be deposited is not present in the vacuum chamber, the material discharged from the heating container is not attached to the crystal sensor 312a, thereby extending the life of the crystal sensor 312a.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 증착 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the vapor deposition apparatus of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 각 크리스탈 센서에 대응되는 가열 용기에서 방출되는 물질만이 상기 크리스탈 센서에 도달할 수 있도록 하는 캡이 구비되도록 함으로써, 증착되는 박막의 두께를 보다 정확히 조절할 수 있다.First, the thickness of the thin film to be deposited can be more precisely controlled by providing a cap that allows only the material discharged from the heating vessel corresponding to each crystal sensor to reach the crystal sensor.

둘째, 플레이트와 상기 플레이트의 운동을 감지하는 센서를 구비한 크리스탈 센서를 감싸도록 캡이 구비되도록 함과 동시에, 상기 캡의 개구부에는 개폐조절이 가능한 셔터가 구비되도록 함으로써, 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버 내에 있을 때에는 상기 셔터가 열려 증착되는 박막의 두께를 상기 크리스탈 센서를 통해 조절 할 수 있도록 하고, 증착이 이루어질 기판이 진공 챔버 내에 있지 않을 때에는 상기 셔터가 닫혀 크리스탈 센서에 증착될 물질이 부착되지 않도록 함으로써 상기 크리스탈 센서의 수명을 늘릴 수 있다. Second, the cap is provided to surround the crystal sensor having a plate and a sensor for sensing the movement of the plate, and at the same time the opening of the cap is provided with a shutter that can be controlled to open and close, so that the substrate to be deposited is vacuum chamber When in, the shutter is opened to control the thickness of the deposited film through the crystal sensor, and when the substrate to be deposited is not in the vacuum chamber, the shutter is closed to prevent the material to be deposited on the crystal sensor. The life of the crystal sensor can be increased.

셋째, 플레이트 및 상기 플레이트의 운동을 감지하는 센서를 구비한 크리스탈 센서와 가열 용기 사이에 개폐조절이 가능한 셔터가 구비되도록 함으로써, 크리스탈 센서의 수명을 늘릴 수 있다.Third, by providing a shutter capable of opening and closing between the crystal sensor having a plate and a sensor for detecting the movement of the plate and the heating container, the life of the crystal sensor can be increased.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (7)

기판을 지지하는 기판 지지수단;Substrate support means for supporting a substrate; 상기 기판에 증착될 물질을 방출하는 복수개의 가열 용기들;A plurality of heating vessels for discharging material to be deposited on the substrate; 상기 가열 용기들에 대응되는 복수개의 크리스탈 센서들; 및A plurality of crystal sensors corresponding to the heating vessels; And 상기 각 크리스탈 센서를 감싸고, 상기 각 크리스탈 센서에 대응되는 상기 가열 용기 방향으로의 개구부를 갖는 캡;을 구비하되,A cap surrounding the crystal sensor, the cap having an opening in a direction of the heating container corresponding to the crystal sensor; 상기 캡은 상기 가열 용기 방향으로 돌출된 돌출부를 가지며 상기 캡의 개구부는 상기 돌출부의 선단부에 형성된 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the cap has a protrusion protruding in the direction of the heating vessel, and the opening of the cap is formed at the tip of the protrusion. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 용기들과 상기 크리스탈 센서들은 1 대 1 대응되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the heating vessels and the crystal sensors correspond one-to-one. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캡의 개구부에는 개폐조절이 가능한 셔터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.Deposition apparatus characterized in that the opening of the cap is further provided with a shutter capable of opening and closing adjustment. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착 장치는 상기 기판 지지수단을 회전시킬 수 있는 액튜에이터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The deposition apparatus further comprises an actuator capable of rotating the substrate support means. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캡의 개구부의 면적은 상기 크리스탈 센서의 상기 가열 용기 방향의 면의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 증착 장치.And the area of the opening of the cap is smaller than the area of the surface of the crystal sensor in the direction of the heating vessel. 삭제delete 삭제delete
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