KR101028044B1 - Apparatus For Supplying Source Gas - Google Patents

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Abstract

화학 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 공급하는 소스가스 공급장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(100)는 소스물질(120)이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부(110); 및 소스가스가 증착 챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기 챔버(150)를 포함하고, 대기 챔버(150)는 소스가스가 퇴적되는 일정 면적의 퇴적판(160)과, 퇴적판(160)에 퇴적된 소스가스를 탈착시키기 위하여 퇴적판(160)을 가열하는 가열부(170)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 양을 정확하게 제어할 수 있어서 박막 증착시 증착챔버 내의 증착 압력을 효율적으로 조절할 수 있다.Disclosed are a source gas supply apparatus and a method for gasifying and supplying a source material which is a raw material when a thin film is deposited by a chemical vapor deposition method. Source gas supply apparatus 100 according to the present invention is a source evaporation unit 110 is heated source material 120 is a source gas; And a standby chamber 150 that waits before the source gas is introduced into the deposition chamber, wherein the standby chamber 150 is deposited on the deposition plate 160 having a predetermined area where the source gas is deposited and the deposition plate 160. It characterized in that it comprises a heating unit 170 for heating the deposition plate 160 to desorb the source gas. According to the present invention, the amount of source gas introduced into the deposition chamber can be precisely controlled so that the deposition pressure in the deposition chamber can be efficiently controlled during thin film deposition.

소스물질, 증착 압력, 화학증착법 Source material, deposition pressure, chemical vapor deposition

Description

소스가스 공급장치{Apparatus For Supplying Source Gas}Apparatus For Supplying Source Gas

본 발명은 화학증착법에 의한 박막 증착시 고체 원료의 유량을 조절하는 소스가스 공급장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 화학증착법에 의한 박막 증착시 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 양을 정확하게 실시간으로 제어할 수 있어서 증착챔버 내의 증착 압력을 효과적으로 조절할 수 있는 소스가스 공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a source gas supply device for controlling the flow rate of a solid raw material during the deposition of a thin film by chemical vapor deposition. More specifically, the present invention relates to a source gas supply device capable of effectively controlling the amount of source gas introduced into the deposition chamber during deposition of a thin film by chemical vapor deposition in real time to effectively control the deposition pressure in the deposition chamber.

화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의한 박막 증착은 반도체 소자의 절연층과 능동층, 액정 표시 소자의 투명 전극, 전기 발광표시 소자의 발광층과, 보호층 등의 여러 응용에 있어 기술적으로 매우 중요하다. 일반적으로, CVD에 의해 증착된 박막의 물성은 증착 압력, 증착 온도, 증착 시간 등의 CVD 공정 조건에 매우 민감하게 영향을 받는다. 예를 들어, 증착 압력의 변화에 따라 증착되는 박막의 조성, 밀도, 접착력, 증착 속도 등이 변할 수 있다.Thin film deposition by Chemical Vapor Deposition (CVD) is of great technical importance in many applications such as insulating and active layers of semiconductor devices, transparent electrodes of liquid crystal display devices, light emitting layers of electroluminescent display devices, and protective layers. Do. In general, physical properties of thin films deposited by CVD are very sensitive to CVD process conditions such as deposition pressure, deposition temperature, and deposition time. For example, the composition, density, adhesion, deposition rate, and the like of the thin film to be deposited may vary depending on the deposition pressure.

CVD의 경우 증착 압력은 증착하고자 하는 박막 물질의 원료를 공급하는 소스가스 공급장치로부터 공급되는 소스가스의 유량(즉, 소스가스의 압력)에 직접적으로 영향을 받는다. 즉, CVD에서 증착 압력을 적절하게 제어하기 위해서는 무엇보 다도 소스가스 공급장치에서의 소스가스의 압력을 정확하게 조절하여야 한다. 소스가스의 압력 조절은 증착 속도를 정밀하고 일정하게 조절할 필요가 있는 경우에 특히 중요하다.In the case of CVD, the deposition pressure is directly influenced by the flow rate of the source gas (ie, the pressure of the source gas) supplied from the source gas supplier supplying the raw material of the thin film material to be deposited. In other words, in order to properly control the deposition pressure in CVD, the pressure of the source gas in the source gas supply device must be precisely adjusted. Pressure control of the source gas is particularly important where it is necessary to control the deposition rate precisely and consistently.

도 1은 종래의 소스가스 공급장치(10)의 구성을 나타내는 도면이다. 종래의 소스가스 공급장치(10)는 소스물질(12)을 저장하는 소스물질 저장부(11), 히터(13), 운반가스 공급부(14) 및 다수의 밸브(V1~V5)로 구성된다. 일반적으로, 소스물질은 상온에서 고체 상태로 존재하기 때문에 소스물질을 상온 이상으로 가열해야 소스물질이 소스가스화 되며, 이때 히터(13)가 소스물질을 가열하는 역할을 한다. 통상적으로 소스가스는 비중이 큰 관계로 이동도가 작기 때문에 운반가스를 이용하여 소스가스가 증착챔버 내로 원활하게 이동하도록 한다. 다수의 밸브는 상황에 따라 개폐되어 소스가스 및 운반가스의 유량을 조절한다. 예를 들어, 운반가스를 사용하지 않는 경우에는 밸브(V1, V3)는 폐쇄된다. 또한, 밸브(V1)의 개폐 여부에 따라 운반가스가 소스물질 저장부(13)를 통과할 수도 있고 통과하지 않을 수도 있다.1 is a view showing the configuration of a conventional source gas supply device 10. The conventional source gas supply device 10 is composed of a source material storage unit 11 for storing the source material 12, the heater 13, the carrier gas supply unit 14 and a plurality of valves (V1 ~ V5). In general, since the source material is in a solid state at room temperature, the source material is source gasified only when the source material is heated to room temperature or more, and the heater 13 serves to heat the source material. In general, since the source gas has a high specific gravity and low mobility, the source gas is used to smoothly move the source gas into the deposition chamber. A plurality of valves are opened and closed depending on the situation to regulate the flow rate of the source gas and the carrier gas. For example, when the carrier gas is not used, the valves V1 and V3 are closed. In addition, the carrier gas may or may not pass through the source material storage unit 13 depending on whether the valve V1 is opened or closed.

이와 같은 종래의 소스가스 공급장치는 다음과 같은 문제점이 있다. The conventional source gas supply device has the following problems.

첫째, 소스물질 저장부(11)에 남아 있는 소스물질(12)의 양에 따라 소스물질(12)의 증발 양이 달라지기 때문에 밸브(V2)의 개폐만으로는 소스가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없다. First, since the evaporation amount of the source material 12 is changed according to the amount of the source material 12 remaining in the source material storage 11, only the opening and closing of the valve V2 cannot accurately adjust the pressure of the source gas.

둘째, 소스물질(12)이 가열로 인해 휘발 및 퇴적 과정이 반복됨에 따라 소스물질(12)의 휘발 표면적이 계속 달라지게 되어 소스물질(12)의 증발 양이 달라지기 때문에 밸브(V2)의 개폐만으로는 소스가스의 압력을 정확하게 조절할 수 없다. 특히, 소스물질(12)이 분말 형태일 경우에는 소스물질(12)의 표면 조건이 계속 달라지게 되는 문제점이 발생된다.Second, as the volatilization and deposition processes of the source material 12 are repeated, the volatilization surface area of the source material 12 is continuously changed, so that the amount of evaporation of the source material 12 is changed, thereby opening and closing the valve V2. It is not possible to accurately control the pressure of the source gas by itself. In particular, when the source material 12 is in powder form, a problem occurs that the surface conditions of the source material 12 continue to vary.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 화학증착법에 의한 박막 증착시 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 양을 정확하게 제어할 수 있는 소스가스 공급장치 및 소스가스 공급방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, and provides a source gas supply device and a source gas supply method that can accurately control the amount of source gas flowing into the deposition chamber during the thin film deposition by the chemical vapor deposition method There is.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 소스가스 공급장치는 소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부; 및 상기 소스가스가 증착 챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기 챔버를 포함하고, 상기 대기 챔버는 상기 소스가스가 퇴적되는 일정 면적의 퇴적판과, 상기 퇴적판에 퇴적된 소스가스를 탈착시키기 위하여 상기 퇴적판을 가열하는 가열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Source gas supply apparatus according to the present invention to achieve the above object is a source evaporation unit is a source material is heated source gas; And a standby chamber waiting before the source gas is introduced into the deposition chamber, wherein the standby chamber has a predetermined area of the deposition plate on which the source gas is deposited, and the deposition gas to desorb the source gas deposited on the deposition plate. It is characterized by including a heating unit for heating the plate.

상기 퇴적판은 복수개일 수 있다.The deposition plate may be a plurality.

상기 복수개의 퇴적판 각각에 상기 가열부가 설치될 수 있다.The heating unit may be installed in each of the plurality of deposition plates.

상기 대기 챔버는 상기 퇴적판을 냉각할 수 있는 냉각부를 더 포함할 수 있다.The standby chamber may further include a cooling unit capable of cooling the deposition plate.

상기 대기 챔버에는 상기 퇴적판에 소스가스가 퇴적됨에 따라 상기 퇴적판의 표면 변화를 측정하는 광센서를 더 포함할 수 있다.The atmospheric chamber may further include an optical sensor for measuring a change in surface of the deposition plate as source gas is deposited on the deposition plate.

상기 대기 챔버에는 상기 퇴적판에 소스가스가 퇴적됨에 따라 상기 퇴적판의 질량 변화를 측정하는 질량 센서를 더 포함할 수 있다.The atmospheric chamber may further include a mass sensor for measuring a mass change of the deposition plate as the source gas is deposited on the deposition plate.

상기 소스가스를 증착 챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a carrier gas supply unit supplying a carrier gas for transporting the source gas to the deposition chamber.

그리고 상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 소스가스 공급방법은 (a) 소스물질 증발부 내에 저장되어 있는 소스물질을 가열하여 소스가스를 만드는 단계; (b) 소스가스를 대기 챔버로 유입시키는 단계; (c) 상기 대기 챔버에 유입된 소스가스를 일정 면적의 퇴적판에 퇴적시키는 단계; (d) 상기 대기 챔버 내의 상기 퇴적판에 퇴적되지 않은 소스가스를 제거하는 단계; (e) 상기 퇴적판에 퇴적된 소스가스를 상기 퇴적판으로부터 탈착시키는 단계; 및 (f) 상기 퇴적판으로부터 탈착된 소스가스를 증착 챔버 내로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.And source gas supply method according to the present invention to achieve the above object (a) heating the source material stored in the source material evaporation unit to make a source gas; (b) introducing a source gas into the atmosphere chamber; (c) depositing source gas introduced into the atmospheric chamber on a deposition plate of a predetermined area; (d) removing source gas not deposited on the deposition plate in the atmospheric chamber; (e) desorbing source gas deposited on the deposition plate from the deposition plate; And (f) supplying the source gas desorbed from the deposition plate into the deposition chamber.

상기 (e) 단계에서 퇴적 시간을 조절함으로써 증착 챔버 내로 공급되는 소스가스의 양을 제어할 수 있다.In step (e), the amount of source gas supplied into the deposition chamber may be controlled by adjusting the deposition time.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 증발된 소스물질을 대기 챔버로 유입시켜 퇴적판에 퇴적시킨 후, 퇴적판에 퇴적되어 있는 소스물질을 가열하여 증착 챔버로 공급하기 때문에 정량의 소스가스를 증착 챔버로 공급할 수 있어서 증착 압력을 정확하면서 균일하게 제어할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, since the evaporated source material is introduced into the atmospheric chamber and deposited on the deposition plate, the source material deposited in the deposition plate is heated and supplied to the deposition chamber, so that the quantity of source gas is supplied to the deposition chamber. It can be supplied to the effect of being able to control the deposition pressure accurately and uniformly.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스가스 공급장치(100)의 구성을 나타내는 도면이다. 도시한 바와 같이, 소스가스 공급장치(100)는 소스물질(120)을 저장하는 소스물질 저장부(110), 히터(130), 운반가스 저장부(140), 대기챔버(150) 및 다수의 밸브(V1~V6)로 구성되며, 소스물질 저장부(110), 히터(130), 운반가스 저장부(140) 및 다수의 밸브(V1~V6)의 기본적인 역할은 상술한 종래의 소스가스 공급장치(10)에서와 동일하므로 이와 관련한 상세한 설명은 생략하도록 한다.2 is a view showing the configuration of a source gas supply device 100 according to an embodiment of the present invention. As shown, the source gas supply device 100 is a source material storage unit 110 for storing the source material 120, the heater 130, the carrier gas storage unit 140, the atmospheric chamber 150 and a plurality of Comprising the valve (V1 ~ V6), the basic role of the source material storage unit 110, the heater 130, the carrier gas storage unit 140 and the plurality of valves (V1 ~ V6) is the conventional source gas supply described above Since the same as in the device 10, detailed description thereof will be omitted.

본 발명에 따른 소스가스 공급장치(100)에서는 증착챔버 내로 정량의 소스가스를 공급하기 위하여 대기 챔버(150)를 소스물질 저장부(110)와 증착챔버 사이에 설치하는 것을 특징적 구성으로 한다.In the source gas supply device 100 according to the present invention, the atmospheric chamber 150 is installed between the source material storage unit 110 and the deposition chamber in order to supply a quantity of source gas into the deposition chamber.

도 2를 참조하면, 대기 챔버(150)의 내부에는 일정 면적을 갖는 플레이트 형태로 형성되어 소스가스(125)가 퇴적되는 퇴적판(150)이 설치된다. 또한, 대기 챔버(150)의 내부에는 퇴적판(160)을 가열하여 퇴적판(160)에 퇴적되어 있는 소스가스(125)가 탈착되도록 하는 가열부(170)가 설치되어 있다. 도시된 바와 같이, 가열부(170)는 퇴적판(160) 내부에 설치되어 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 퇴적판(160) 외부에 설치될 수도 있다. 또한, 대기챔버(150)의 내부에는 대기챔버(150)로 유입된 소스가스(125)의 퇴적이 촉진되도록 하기 위하여 퇴적판(150)의 온도를 상온 이하로 냉각시키는 냉각부(미도시)를 설치할 수도 있다.Referring to FIG. 2, a deposition plate 150 formed in a plate shape having a predetermined area and having a source gas 125 deposited therein is installed inside the atmospheric chamber 150. In addition, a heating unit 170 is installed in the atmospheric chamber 150 to heat the deposition plate 160 so that the source gas 125 deposited on the deposition plate 160 is desorbed. As shown, the heating unit 170 is installed inside the deposition plate 160 but is not necessarily limited thereto and may be installed outside the deposition plate 160. In addition, a cooling unit (not shown) for cooling the temperature of the deposition plate 150 to room temperature or less in order to facilitate deposition of the source gas 125 introduced into the atmospheric chamber 150 inside the atmospheric chamber 150. It can also be installed.

대기 챔버(150)는 증착 챔버로 공급되는 소스가스의 양을 정확하게 제어하는 역할, 즉 대기 챔버(150)를 통하여 증착 챔버에 정량의 소스가스만 공급함으로써 증착 압력을 정확하게 제어할 수 있어서 한 배치에서 제조되는 박막의 특성이 전 기판에 걸쳐 균일하고 아울러 배치가 변해도 배치간 박막의 특성이 균일하게 되는 것이다.The atmospheric chamber 150 serves to accurately control the amount of source gas supplied to the deposition chamber, that is, precisely control the deposition pressure by supplying only a certain amount of source gas to the deposition chamber through the atmospheric chamber 150 in one batch. Even if the properties of the thin film to be produced are uniform throughout the entire substrate and the arrangement changes, the properties of the thin film between the batches are uniform.

대기 챔버(150)에서 증착 챔버로 정량의 소스가스만을 공급할 수 있게 되는 원리는 다음과 같다. Principle that can supply only a predetermined amount of source gas from the atmospheric chamber 150 to the deposition chamber is as follows.

먼저, 소스물질 저장부(12)에서 기화되어 대기 챔버(150) 내로 유입된 소스가스(125)를 퇴적판(160) 상에 퇴적시킨다. 즉, 대기 챔버(150)를 소정 압력의 소스가스로 충진시킨 후 소정의 시간이 경과되면 대기 챔버(150) 내의 소스가스 중 일부가 퇴적판(160) 상에 퇴적된다. 여기서, "퇴적"이란 소스가스(125)가 퇴적판(160) 상에 쌓이는 것을 의미하며, 본 발명에서는 예를 들어, 흡착(adsorption), 응축(condensation) 등의 과정을 통하여 소스가스(125)가 퇴적판(160) 상에 퇴적될 수 있다. 따라서, 퇴적판(160) 상에 퇴적된 소스가스(125)의 양(또는 부피)을 알 수 있고, 퇴적판(160) 상에 퇴적된 소스가스(125)만 증착 챔버로 공급하면 증착 챔버에는 정량의 소스가스를 공급할 수 있게 되는 것이다. 물론 이를 위해서는 퇴적판(160) 상에 퇴적되지 않은 소스가스를 제거하는 과정과 소스가스(125)를 퇴적판(160)으로부터 분리시키는 과정이 선행되어야 한다.First, the source gas 125 vaporized in the source material storage 12 and introduced into the atmospheric chamber 150 is deposited on the deposition plate 160. That is, after a predetermined time elapses after filling the atmospheric chamber 150 with the source gas of a predetermined pressure, a portion of the source gas in the atmospheric chamber 150 is deposited on the deposition plate 160. Here, “deposition” means that the source gas 125 is accumulated on the deposition plate 160. In the present invention, for example, the source gas 125 may be formed through adsorption, condensation, or the like. May be deposited on the deposition plate 160. Therefore, the amount (or volume) of the source gas 125 deposited on the deposition plate 160 can be known, and if only the source gas 125 deposited on the deposition plate 160 is supplied to the deposition chamber, It is possible to supply a quantity of source gas. Of course, for this purpose, the process of removing the source gas not deposited on the deposition plate 160 and the process of separating the source gas 125 from the deposition plate 160 must be preceded.

퇴적판(160) 상에 퇴적된 소스가스(125)의 양(또는 부피)을 파악할 수 있는 방법에는 다양한 방식이 적용될 수 있다.Various methods may be applied to a method for determining the amount (or volume) of the source gas 125 deposited on the deposition plate 160.

첫째, 퇴적판에 흡착된 소스가스의 양을 계산하는 방식으로서, 퇴적판 상에 소스가스가 흡착되는 경우에 적용할 수 있는 방식이다. 즉, 소스가스가 퇴적판의 전면적에 한 층으로 완전히 흡착된다고 하면, 퇴적판이 일정한 면적을 가지고 있고 소스가스의 물리적 특성(예를 들어, 원자당 부피 또는 원자당 질량 등)은 이미 알고 있기 때문에, 퇴적판에 흡착되어 있는 소스가스의 부피를 쉽게 파악할 수 있다. 이 방식은 고체의 퇴적판과 기체의 소스가스 사이에서 일어나는 흡착의 메커니즘, 즉 소스가스가 퇴적판의 전면적에 한 층으로 완전히 흡착된 후에는 추가적으로 흡착이 이루어지지 않는 현상을 이용한 것이다. 따라서, 퇴적판에 흡착되는 소스가스의 부피는 퇴적판의 면적과 퇴적(즉, 흡착) 시간에 비례하며, 일정 시간이 경과하면 소스가스의 흡착양은 포화되어 이 이후에는 퇴적 시간이 증가하여도 소스가스의 흡착양은 변하지 않는다.First, as a method of calculating the amount of source gas adsorbed on the deposition plate, it is a method that can be applied when the source gas is adsorbed on the deposition plate. In other words, if a source gas is completely adsorbed in one layer over the entire surface of the deposit, the deposit has a certain area and the physical properties of the source gas (eg, volume per atom or mass per atom, etc.) are already known. The volume of source gas adsorbed on the sediment plate can be easily determined. This method takes advantage of the mechanism of adsorption that occurs between the solid deposition plate and the gas source gas, that is, no additional adsorption occurs after the source gas is completely adsorbed in one layer over the entire surface of the deposition plate. Therefore, the volume of source gas adsorbed on the deposition plate is proportional to the area of the deposition plate and the deposition (ie, adsorption) time, and after a certain time, the amount of absorption of the source gas is saturated and the source is increased even after the deposition time increases. The amount of adsorption of gas does not change.

퇴적판의 재질은 사용되는 소스가스의 종류에 따라 변할 수 있으며, 퇴적 시간을 줄이기 위하여 가능한 한 소스가스의 흡착이 잘 되는 재질의 퇴적판을 선택하는 것이 바람직하다.The material of the deposition plate may vary depending on the type of source gas used, and in order to reduce the deposition time, it is desirable to select a deposition plate of a material that is capable of adsorbing the source gas as much as possible.

대면적 기판용 증착 시스템의 경우에는 한 배치에 증착 챔버로 공급되는 소스가스의 양이 많은 경우, 예를 들어 대면적 기판용 증착 시스템의 경우에는 대기 챔버(150) 내에 복수개의 퇴적판(150)을 설치할 수 있다. 또한, 복수개의 퇴적판이 설치되는 경우 대기 챔버의 부피가 필요 이상으로 커지는 것을 방지하기 위하여 복수개의 퇴적판은 서로 적층된 구조로 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 복수개의 퇴적판 각각에는 퇴적된 소스가스를 퇴적판으로부터 분리시키기 위한 복수개의 가열부가 설치되며, 이러한 복수개의 가열부는 서로 독립적으로 제어되도록 하는 것이 좋다. 이는 복수개의 퇴적판 중 일부의 퇴적판만 가열하게 되면 가열된 퇴적판에 퇴적된 소스가스만 증착 챔버로 공급될 수 있으므로 증착 압력을 더욱 정밀하 게 제어할 수 있기 때문이다.In the case of a large-area substrate deposition system, when the amount of source gas supplied to the deposition chamber is large in one batch, for example, in the case of a large-area substrate deposition system, the plurality of deposition plates 150 in the atmospheric chamber 150. Can be installed. In addition, when a plurality of deposition plates are installed, it is preferable that the plurality of deposition plates are installed in a stacked structure to prevent the volume of the atmospheric chamber from becoming larger than necessary. In addition, each of the plurality of deposition plates is provided with a plurality of heating portions for separating the deposited source gas from the deposition plate, it is preferable that such a plurality of heating portions are controlled independently of each other. This is because when only a portion of the plurality of deposition plates is heated, only the source gas deposited on the heated deposition plate can be supplied to the deposition chamber, so that the deposition pressure can be more precisely controlled.

둘째, 소스가스가 퇴적되어 형성되는 퇴적층의 광학적 성질의 변화를 측정하는 방식으로서, 퇴적판에 소스가스가 한 층 이상으로 계속하여 응축 또는 증착되는 경우에 적용할 수 있는 방식이다. 즉, 소스가스가 퇴적판에 계속 퇴적됨에 따라 퇴적층의 두께가 달라지게 되고 이러한 퇴적층의 두께의 변화는 퇴적층의 광학적 성질(즉, 퇴적층의 투과도)의 변화를 측정하여 파악할 수 있다.Second, as a method of measuring the change in the optical properties of the deposited layer formed by depositing the source gas, it is a method that can be applied when the source gas is continuously condensed or deposited in one or more layers on the deposited plate. That is, as the source gas continues to be deposited on the deposition plate, the thickness of the deposition layer is changed, and the change in the thickness of the deposition layer can be grasped by measuring the change in the optical properties of the deposition layer (that is, the transmittance of the deposition layer).

이러한 퇴적층의 광학적 성질의 측정을 위하여 본 발명에서는 대기 챔버에 광원 및 광 센서(미도시)를 설치할 수 있다. 광원 및 광 센서는 대기 챔버의 내부나 외부에 설치될 수 있으나 작동의 편의상 대기 챔버의 외부에 설치되는 것이 바람직하다. 광원 및 광 센서가 대기 챔버 외부에 설치되는 경우에는 광원으로부터 방출된 소정의 광(예를 들어, 레이저)이 대기챔버 내의 퇴적판에 조사되고, 퇴적판에 조사된 광이 퇴적층과 퇴적판을 투과하여 광센서에 도착할 수 있도록 대기 챔버에는 관측창이 설치될 수 있다.In the present invention, a light source and an optical sensor (not shown) may be installed in the atmospheric chamber in order to measure the optical properties of the deposited layer. The light source and the light sensor may be installed inside or outside the waiting chamber, but are preferably installed outside the waiting chamber for convenience of operation. When the light source and the optical sensor are installed outside the atmospheric chamber, a predetermined light (for example, a laser) emitted from the light source is irradiated onto the deposition plate in the atmospheric chamber, and the light irradiated onto the deposition plate passes through the deposition layer and the deposition plate. The observation window may be installed in the waiting chamber to reach the light sensor.

셋째, 소스가스가 퇴적되는 퇴적판의 질량 변화를 측정하는 방식으로서, 퇴적판에 소스가스가 한 층 이상으로 계속하여 응축 또는 증착되는 경우에 적용할 수 있는 방식이다. 즉, 소스가스가 퇴적판에 계속 퇴적됨에 따라 퇴적판의 질량이 변하게 되고 이러한 퇴적판의 질량 변화를 측정함으로써 퇴적판에 퇴적된 소스가스의 양을 파악할 수 있다.Third, as a method of measuring the mass change of the deposition plate on which the source gas is deposited, it is a method that can be applied when the source gas is continuously condensed or deposited in one or more layers on the deposition plate. In other words, as the source gas continues to be deposited on the plate, the mass of the plate changes, and by measuring the mass change of the plate, the amount of source gas deposited on the plate can be determined.

이러한 퇴적판의 질량 측정을 위하여 본 발명에서는 대기 챔버 내에 질량 센서(미도시)를 설치할 수 있다. In the present invention, a mass sensor (not shown) may be installed in the atmospheric chamber to measure the mass of the deposition plate.

이하 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(100)의 동작을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation of the source gas supply device 100 according to the present invention will be described with reference to FIG. 2.

먼저, 소스가스를 공급하기 위해　소스물질(120)이 저장되어 있는 소스물질 저장부(110)의 히터(130)를 동작시킨다. 소스물질 저장부(110)의 온도가 소스물질(120)의 기화 온도에 도달하기 전까지는 모든 밸브(V1~V6)를 폐쇄한 상태로 유지한다. First, in order to supply the source gas, the heater 130 of the source material storage unit 110 in which the source material 120 is stored is operated. All valves V1 to V6 are kept closed until the temperature of the source material storage 110 reaches the vaporization temperature of the source material 120.

이후 히터(130)의 계속된 동작에 의해 소스물질 저장부(110)의 온도가 소스물질(120)의 기화 온도에 도달하면, 밸브(V1)를 개방하여 운반가스가 소스물질 저장부(110)로 유입되도록 한다. 이때, 운반가스는 밸브(V1)의 개폐 여부에 따라 소스물질 저장부(110)를 통과할 수도 있고 통과하지 않을 수도 있으나, 일반적인 소스가스의 이동도를 고려할 때 운반가스가 소스물질 저장부(110)를 통과하도록 하는 것이 바람직하다. 한편, 소스가스의 이동도가 충분한 경우에는 운반가스를 사용하지 않아도 되며 이러한 경우에는 운반가스 공급부(140)를 설치하지 않아도 된다.Then, when the temperature of the source material storage unit 110 reaches the vaporization temperature of the source material 120 by the continuous operation of the heater 130, the valve (V1) is opened by the carrier gas source material storage unit 110 To get into In this case, the carrier gas may or may not pass through the source material storage unit 110 depending on whether the valve V1 is opened or closed, but considering the mobility of the general source gas, the carrier gas is the source material storage unit 110. It is desirable to pass through). On the other hand, when the mobility of the source gas is sufficient, it is not necessary to use a carrier gas, in this case it is not necessary to install the carrier gas supply unit 140.

밸브(V1)의 개방에 의해 소스물질 저장부(110)로 운반가스가 유입되고, 이어서 밸브(V2)와 밸브(V4)를 개방하면 소스물질 저장부(110)에서 기화된 소스가스가 운반가스와 같이 대기 챔버(150)로 유입된다. 이때, 소스가스의 흐름을 온 오프로 제어하는 것보다는 배관의 개방 정도를 미세하게 조절하여 소스가스의 흐름을 제어하는 것이 바람직하다. When the carrier gas is introduced into the source material storage unit 110 by opening the valve V1, and then the valve V2 and the valve V4 are opened, the source gas vaporized in the source material storage unit 110 is the carrier gas. As it is introduced into the atmospheric chamber 150. At this time, it is preferable to control the flow of the source gas by finely adjusting the opening degree of the pipe rather than controlling the flow of the source gas on and off.

대기 챔버(150)로 유입된 소스가스는 대기 챔버(140)에 설치된 퇴적판(160)에 흡착된다. 이때, 퇴적판(160)의 하부에 설치되어 있는 냉각부(미도시)를 작동 시켜 퇴적판(160)의 온도를 상온보다 낮게 유지하면 소스가스의 종류에 따라서는 흡착 속도가 증가되어 빠른 시간 내에 소스가스를 흡착시킬 수 있다. 일정한 면적의 퇴적판(160)에 소스가스가 완전히 흡착되기 위해서는 소정의 흡착 시간이 필요하며, 흡착 시간 동안에 밸브(V5)와 밸브(V6)는 폐쇄 상태로 유지한다.Source gas introduced into the atmospheric chamber 150 is adsorbed by the deposition plate 160 installed in the atmospheric chamber 140. At this time, by operating the cooling unit (not shown) installed in the lower portion of the deposition plate 160 to maintain the temperature of the deposition plate 160 lower than room temperature, the adsorption rate increases depending on the type of source gas within a short time The source gas can be adsorbed. A predetermined adsorption time is required to completely adsorb the source gas to the deposition plate 160 having a predetermined area, and the valve V5 and the valve V6 are kept closed during the adsorption time.

이후, 밸브(V1, V2, V4)를 폐쇄하고 밸브(V6)를 개방하여 대기 챔버(150) 내에 퇴적판(160)에 흡착되지 않고 남아 있는 소스가스와 운반가스를 배출시킨다.Thereafter, the valves V1, V2, and V4 are closed and the valve V6 is opened to discharge the source gas and the carrier gas remaining without being adsorbed to the deposition plate 160 in the atmospheric chamber 150.

다음으로, 밸브(V6)를 폐쇄하고 퇴적판(160)의 하부에 설치되어 있는 가열부(170)를 동작시켜 퇴적판(160)에 흡착되어 있던 소스가스(125)가 탈착되도록 한다.Next, the valve V6 is closed and the heating unit 170 installed in the lower portion of the deposition plate 160 is operated to desorb the source gas 125 adsorbed on the deposition plate 160.

퇴적판(160)으로부터 소스가스가 모두 탈착되면 밸브(V3, V4)를 개방하여 운반가스를 대기챔버(150)로 유입시키면서, 밸브(V5)를 개방하면 정량의 소스가스가 증착 챔버로 유입되어 원하는 증착 공정을 수행하게 된다.When all the source gas is desorbed from the deposition plate 160, the valves V3 and V4 are opened to introduce the carrier gas into the atmospheric chamber 150. When the valve V5 is opened, the source gas of the quantity is introduced into the deposition chamber. To perform the desired deposition process.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

도 1은 종래의 기술에 의한 소스가스 공급 장치의 일 실시예의 구성을 나타내는 도면도. 1 is a view showing the configuration of an embodiment of a source gas supply apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명에 의한 소스가스 공급 장치의 일 실시예의 구성을 나타내는 도면. 2 is a view showing the configuration of an embodiment of a source gas supply apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 소스가스 공급장치 100: source gas supply device

110: 소스물질 저장부110: source material storage

120: 소스물질120: source material

130: 히터130: heater

140: 운반가스 공급부140: carrier gas supply unit

150: 대기 챔버150: waiting chamber

160: 퇴적판160: deposition plate

170: 가열부170: heating unit

Claims (9)

화학 증착법에 의한 박막 증착시 사용되는 소스가스를 증착 챔버 내로 공급하는 장치로서, An apparatus for supplying a source gas used in the deposition of a thin film by chemical vapor deposition into the deposition chamber, 소스물질이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부; 및A source evaporator, in which a source material is heated to become a source gas; And 상기 소스가스가 증착 챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기 챔버; An atmospheric chamber waiting before the source gas enters the deposition chamber; 를 포함하고,Including, 상기 대기 챔버는,The atmospheric chamber, 상기 소스가스가 퇴적되는 일정 면적의 퇴적판과,A deposition plate having a predetermined area where the source gas is deposited; 상기 퇴적판에 퇴적된 소스가스를 분리시키기 위하여 상기 퇴적판을 가열하는 가열부를 포함하며,It includes a heating unit for heating the deposition plate to separate the source gas deposited on the deposition plate, 상기 대기 챔버에 유입되어 상기 퇴적판에 퇴적된 상기 소스가스를 상기 퇴적판으로부터 분리시켜 상기 증착 챔버 내로 공급하는 것을 특징으로 하는 장치.And supplying the source gas introduced into the atmospheric chamber and deposited on the deposition plate to be separated from the deposition plate and into the deposition chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퇴적판은 복수개인 것을 특징으로 하는 장치.And said deposition plate is plural. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 복수개의 퇴적판 각각에 상기 가열부가 설치되는 것을 특징으로 하는 장치.And the heating unit is provided on each of the plurality of deposition plates. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대기 챔버는 상기 퇴적판을 냉각할 수 있는 냉각부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.The standby chamber further comprises a cooling unit capable of cooling the deposition plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대기 챔버에는 상기 퇴적판에 소스가스가 퇴적됨에 따라 상기 퇴적판의 표면 변화를 측정하는 광센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.And the optical chamber further comprises an optical sensor for measuring a change in surface of the deposition plate as source gas is deposited on the deposition plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대기 챔버에는 상기 퇴적판에 소스가스가 퇴적됨에 따라 상기 퇴적판의 질량 변화를 측정하는 질량 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.The atmospheric chamber further comprises a mass sensor for measuring the mass change of the deposition plate as the source gas is deposited on the deposition plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소스가스를 증착 챔버로 운반하는 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부를 더 포함하는 장치.The apparatus further comprises a carrier gas supply for supplying a carrier gas for transporting the source gas to the deposition chamber. 화학 증착법에 의한 박막 증착시 사용되는 소스가스를 증착 챔버 내로 공급하는 방법으로서,As a method for supplying a source gas used in the deposition of a thin film by chemical vapor deposition into the deposition chamber, (a) 소스물질 증발부 내에 저장되어 있는 소스물질을 가열하여 소스가스를 만드는 단계;(a) heating the source material stored in the source material evaporator to create a source gas; (b) 소스가스를 대기 챔버로 유입시키는 단계;(b) introducing a source gas into the atmosphere chamber; (c) 상기 대기 챔버에 유입된 소스가스를 일정 면적의 퇴적판에 퇴적시키는 단계; (c) depositing source gas introduced into the atmospheric chamber on a deposition plate of a predetermined area; (d) 상기 대기 챔버 내의 상기 퇴적판에 퇴적되지 않은 소스가스를 제거하는 단계;(d) removing source gas not deposited on the deposition plate in the atmospheric chamber; (e) 상기 퇴적판에 퇴적된 소스가스를 상기 퇴적판으로부터 분리시키는 단계; 및(e) separating the source gas deposited on the deposition plate from the deposition plate; And (f) 상기 퇴적판으로부터 분리된 소스가스를 증착 챔버 내로 공급하는 단계(f) supplying a source gas separated from the deposition plate into a deposition chamber 를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.Method comprising a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 (e) 단계에서 퇴적 시간을 조절함으로써 증착 챔버 내로 공급되는 소스가스의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.Controlling the amount of source gas supplied into the deposition chamber by adjusting the deposition time in step (e).
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109536894B (en) * 2017-09-22 2020-08-11 清华大学 Preparation device of organic light emitting diode
TWI821363B (en) * 2018-08-31 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 Precursor delivery system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003147529A (en) * 2001-11-12 2003-05-21 Tohoku Ricoh Co Ltd Method of manufacturing thin metal oxide film and apparatus for manufacturing the same
JP2006299335A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk Film deposition method, film deposition apparatus used for the same, and vaporization device
KR20080044905A (en) * 2005-09-09 2008-05-21 엠케이에스 인스트루먼츠 인코포레이티드 Precursor gas delivery with carrier gas mixing
KR20080106294A (en) * 2006-03-30 2008-12-04 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 Atomic layer growing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6409839B1 (en) * 1997-06-02 2002-06-25 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
US5966499A (en) * 1997-07-28 1999-10-12 Mks Instruments, Inc. System for delivering a substantially constant vapor flow to a chemical process reactor
WO2003083169A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-09 Ans Inc Apparatus and method for depositing organic matter of vapor phase

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003147529A (en) * 2001-11-12 2003-05-21 Tohoku Ricoh Co Ltd Method of manufacturing thin metal oxide film and apparatus for manufacturing the same
JP2006299335A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk Film deposition method, film deposition apparatus used for the same, and vaporization device
KR20080044905A (en) * 2005-09-09 2008-05-21 엠케이에스 인스트루먼츠 인코포레이티드 Precursor gas delivery with carrier gas mixing
KR20080106294A (en) * 2006-03-30 2008-12-04 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 Atomic layer growing apparatus

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