KR101773038B1 - Depositing apparatus having vaporizer and depositing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액상의 원료 물질을 기화시켜 피처리물 상에 증착하기 위한 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다. 상기 기화기를 갖는 증착장치는, 원료 물질을 공급하는 원료물질 공급부; 상기 원료물질 공급부로부터 원료 물질을 공급받아 기화시키는 기화기; 상기 기화기와 연결되어, 기화된 원료 물질이 피처리물 상에 증착되는 반응공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지가스 공급부; 상기 기화기와 연결되어, 상기 연결배관으로 공급된 퍼지 가스를 펌핑하는 배기장치; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 따르면, 제1 퍼지가스 공급부에 의해 퍼지 가스가 연결배관으로 공급되어, 연결배관 및 기화기 내의 이물질들을 제거하므로, 증착장치 내에 이물질들이 존재하여 공정상의 문제를 야기하는 것을 미연에 방지할 수 있다. The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method having a vaporizer for vaporizing a liquid raw material and depositing the liquid raw material on a workpiece. The vapor deposition apparatus having the vaporizer may further include: a raw material supply unit for supplying the raw material; A vaporizer supplied with the raw material from the raw material supply part and vaporized; A reaction chamber connected to the vaporizer to provide a reaction space in which the vaporized raw material is deposited on the object to be processed; A first purge gas supply unit for supplying a purge gas to the connection pipe to remove foreign matter remaining in a connection pipe between the vaporizer and the reaction chamber; An exhaust device connected to the vaporizer to pump the purge gas supplied to the connection pipe; And a control unit.
According to this configuration, since the purge gas is supplied to the connection pipe by the first purge gas supply unit to remove foreign substances in the connection pipe and the vaporizer, it is possible to prevent the occurrence of foreign matter in the deposition apparatus, have.

Description

기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법 {Depositing apparatus having vaporizer and depositing method}[0001] The present invention relates to a deposition apparatus having a vaporizer and a deposition method,

본 발명은 액상의 원료 물질을 기화시켜 피처리물 상에 증착하기 위한 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다. The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method having a vaporizer for vaporizing a liquid raw material and depositing the liquid raw material on a workpiece.

일반적으로 물질을 박막 형태로 형성하는 방법은 물리적 충돌을 이용하는 스퍼터링 방법과, 기상의 원료 물질을 공급하는 기상증착방법으로 구분된다. Generally, a method of forming a material into a thin film is classified into a sputtering method using a physical collision and a vapor deposition method of supplying a vapor phase raw material.

근래에 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 조성 및 두께의 균일도와 단차 피복성이 우수한 기상증착방법이 많이 사용되고 있다. 이러한 기상증착방법은 박막을 형성하는데 필요한 원료 물질을 기판이 안착된 반응 챔버에 공급함으로써 기판 상에 원하는 박막을 증착하는 방식이다. 그러나, 박막형성에 사용되는 원료 물질이 기체상태가 아닌 액체상태로 존재하는 경우에는, 액상의 원료 물질을 기화시킨 후에 반응 챔버 내부의 기판 표면까지 이송하게 된다. 따라서, 반응 챔버의 원료 물질 주입구 근처까지는 액체상태로 된 원료 물질을 공급하고, 기화기를 통과하면서 액상의 원료 물질을 기화시켜 공급하는 방법을 사용한다.2. Description of the Related Art Recently, as a semiconductor device has become highly integrated, a vapor deposition method having excellent uniformity in composition and thickness and excellent step coverage has been widely used. Such a vapor deposition method is a method of depositing a desired thin film on a substrate by supplying raw materials necessary for forming a thin film to a reaction chamber on which the substrate is placed. However, when the raw material used for forming the thin film exists in a liquid state rather than a gaseous state, the liquid raw material is vaporized and then transferred to the substrate surface inside the reaction chamber. Therefore, a method is used in which raw material in a liquid state is supplied to the vicinity of the raw material inlet of the reaction chamber, and the liquid raw material is vaporized while passing through the vaporizer.

이하에서는, 도 1을 참조하여 종래기술의 기화기를 사용하는 증착장치의 개략적인 구성에 대해 설명하기로 한다. 도 1은 종래기술에 따른 기화기를 사용하는 증착장치의 구성도이다. Hereinafter, a schematic configuration of a vapor deposition apparatus using a conventional vaporizer will be described with reference to FIG. 1 is a configuration diagram of a vapor deposition apparatus using a vaporizer according to the prior art.

증착장치는, 기판(도시하지 않음) 상에 박막을 증착하는 공정을 진행하는 반응 챔버(10)와, 액상의 원료 물질(12)을 반응 챔버(10)에 공급하기 위한 원료 공급부(14)와, 원료 물질(12)을 기체 상태로 변환시켜 반응 챔버(10) 내로 공급하는 기화기(16)와, 반응 챔버(10)에 반응가스를 공급하기 위한 반응가스 공급부(52)와, 액상의 원료 물질(12)을 기화기(16)로 이송시키기 위한 캐리어 가스 공급부(42)로 구성된다.The deposition apparatus includes a reaction chamber 10 for conducting a process of depositing a thin film on a substrate (not shown), a raw material supply section 14 for supplying a raw material 12 of liquid phase to the reaction chamber 10, A vaporizer 16 for converting the raw material 12 into a gaseous state and supplying the gas to the reaction chamber 10, a reaction gas supply unit 52 for supplying a reaction gas to the reaction chamber 10, And a carrier gas supply part 42 for transferring the carrier gas 12 to the vaporizer 16.

반응 챔버(10)는 박막증착 공정이 진행되도록 진공상태를 유지할 수 있는 밀폐공간으로 형성된다. 도면에 도시하지는 않았지만, 반응 챔버(10)의 내부공간에는 기판이 안착되는 기판 안착대와, 원료 물질 및 반응 가스를 분배시키는 분배장치가 마련되어 있다. The reaction chamber 10 is formed as a closed space that can maintain a vacuum state so that a thin film deposition process can be performed. Although not shown in the drawing, a reaction chamber 10 has an inner space provided with a substrate mounting table on which a substrate is placed, and a distribution device for distributing the raw material and the reaction gas.

원료 공급부(14)는 액상의 원료 물질(12)이 저장되는 저장탱크(18)와, 원료 물질(12)을 저장탱크(18)로 공급하는 원료 물질 공급원(도시되지 않음)과, 저장탱크(18) 내의 원료 물질(12)을 기화기(16)로 공급하기 위한 제1 캐리어 가스, 예를 들어 Ar(아르곤)을 공급하는 제1 캐리어 가스 공급원(도시되지 않음)을 포함한다. 원료 공급부(14)는 원료 물질(12)의 유량을 제어하는 제1 유량제어기(MFC)(50)를 더 포함할 수 있다.The raw material supply unit 14 includes a storage tank 18 for storing the liquid raw material 12, a raw material supply source (not shown) for supplying the raw material 12 to the storage tank 18, (Not shown) for supplying a first carrier gas, for example, Ar (argon), for supplying the raw material 12 in the vaporizer 16 to the vaporizer 16. The first carrier gas The raw material supply unit 14 may further include a first flow controller (MFC) 50 for controlling the flow rate of the raw material 12.

캐리어 가스 공급부(42)는 기화기(16)에서 기화된 원료 물질을 공급배관을 따라 반응 챔버(10)로 공급하기 위한 제2 캐리어 가스, 예를 들어 Ar을 공급하는 제2 캐리어 가스 공급원(도시되지 않음)과, 제2 캐리어 가스의 유량을 제어하는 제2 유량제어기(MFC)(20)와, 제2 캐리어 가스를 가열하는 제1 가열기(22)를 포함한다.The carrier gas supply unit 42 is connected to a second carrier gas supply source (not shown) for supplying a second carrier gas, for example Ar, for supplying the source material vaporized in the vaporizer 16 to the reaction chamber 10 along the supply line A second flow controller (MFC) 20 for controlling the flow rate of the second carrier gas, and a first heater 22 for heating the second carrier gas.

기화기(16)는 펌핑라인(pumping line)(26)을 통해 배기장치(24)와 연결되어, 기화기(16) 내부의 잔류가스 등은 배기장치(24)에 의해 배기된다. 배기장치(24)에는 진공펌프(도시하지 않음)가 연결된다.The vaporizer 16 is connected to the exhaust device 24 via a pumping line 26 so that residual gas or the like inside the vaporizer 16 is exhausted by the exhaust device 24. [ A vacuum pump (not shown) is connected to the exhaust device 24.

반응 챔버(10)에 반응가스를 공급하기 위한 반응가스 공급부(52)는 반응가스 공급원(도시하지 않음)과, 반응가스의 유량을 제어하기 위한 제3 유량제어기(MFC)(54)와, 반응가스를 가열하기 위한 제 2 가열기(56)를 포함한다.The reaction gas supply unit 52 for supplying the reaction gas to the reaction chamber 10 includes a reaction gas supply source (not shown), a third flow controller (MFC) 54 for controlling the flow rate of the reaction gas, And a second heater 56 for heating the gas.

기화기(16)와 펌핑 라인(26) 사이 및 기화기(16)와 가열기(22) 사이 등에는 유량을 조절할 수 있도록 밸브를 장착하여 사용한다.A valve is installed between the vaporizer 16 and the pumping line 26 and between the vaporizer 16 and the heater 22 to adjust the flow rate.

이러한 기화기를 갖는 증착장치에서 가장 중요시되는 점은 액상의 원료 물질을 완전히 기체로 기화시켜 반응 챔버(10)로 공급하는 것이다. 만일 기화기(16) 내에서 액상의 원료 물질이 완전히 기화되지 않을 경우, 기화기(16) 및 원료공급라인에 잔류하고 있는 액상의 원료 물질이 열분해되어, 기화기(16) 내부를 오염시키고 원료공급라인 내에 이물질(particle)이 발생되어 공정상의 문제를 일으키게 된다. 또한, 기화기(16)의 오염으로 인해 기화기를 빈번히 교체할 경우 가동율이 감소되고, 그로 인해 제작비용이 증가되는 문제가 발생된다. The most important point in the vapor deposition apparatus having such a vaporizer is to completely vaporize the liquid raw material into gas and supply it to the reaction chamber 10. If the liquid raw material in the vaporizer 16 is not completely vaporized, the liquid raw material remaining in the vaporizer 16 and the raw material supply line is thermally decomposed to contaminate the inside of the vaporizer 16, Particles are generated and cause a process problem. In addition, when the vaporizer is frequently replaced due to contamination of the vaporizer 16, the operating rate is reduced, thereby increasing the manufacturing cost.

따라서, 본 발명은 액상의 원료 물질을 기화시켜 피처리물 상에 증착하기 위한 증착장치에서 기화기 내부 및 원료공급라인에 잔류하는 이물질을 효율적으로 제거할 수 있는 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법을 제공하고자 함에 목적이 있다. Accordingly, the present invention provides a deposition apparatus and a deposition method having a vaporizer capable of effectively removing foreign substances remaining in a vaporizer and a raw material supply line in a vapor deposition apparatus for vaporizing a liquid raw material and depositing the liquid raw material on an object to be treated There is a purpose in this.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 기화기를 갖는 증착장치는, 원료 물질을 공급하는 원료물질 공급부; 상기 원료물질 공급부로부터 원료 물질을 공급받아 기화시키는 기화기; 상기 기화기와 연결되어, 기화된 원료 물질이 피처리물 상에 증착되는 반응공간을 제공하는 반응 챔버; 상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지가스 공급부; 상기 기화기와 연결되어, 상기 연결배관으로 공급된 퍼지 가스를 펌핑하는 배기장치; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a vapor deposition apparatus having a vaporizer, including: a raw material supply unit for supplying a raw material; A vaporizer supplied with the raw material from the raw material supply part and vaporized; A reaction chamber connected to the vaporizer to provide a reaction space in which the vaporized raw material is deposited on the object to be processed; A first purge gas supply unit for supplying a purge gas to the connection pipe to remove foreign matter remaining in a connection pipe between the vaporizer and the reaction chamber; An exhaust device connected to the vaporizer to pump the purge gas supplied to the connection pipe; And a control unit.

또한, 상기 연결배관으로 공급된 퍼지가스는 상기 기화기를 거쳐 상기 배기장치에 의해 펌핑되어 배기되는 것을 특징으로 한다. Further, the purge gas supplied to the connection pipe is pumped by the exhaust device via the vaporizer and is exhausted.

또한, 상기 연결배관에 설치되어, 상기 퍼지 가스가 상기 반응 챔버로 유입되는 것을 차단하는 차단 밸브; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. A shutoff valve installed in the connection pipe for shutting off the introduction of the purge gas into the reaction chamber; And further comprising:

또한, 상기 반응 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 피처리물 상에 증착되지 않은 원료 물질을 제거하기 위한 제2 퍼지가스 공급부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. A second purge gas supply unit for supplying a purge gas into the reaction chamber to remove raw materials not deposited on the object to be processed; And further comprising:

또한, 상기 제1 퍼지가스 공급부 및 상기 제2 퍼지가스 공급부는 단일 부재로 통합되는 것을 특징으로 한다. The first purge gas supply unit and the second purge gas supply unit are integrated into a single member.

또한, 상기 기화기는, 기화공간을 갖는 하우징; 상기 기화공간의 주위에 설치되어 원료 물질을 가열하는 히터; 상기 기화공간의 상부에 설치되어, 원료 물질을 미립화시키기 위해 복수의 미세한 홀을 갖는 필터; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The vaporizer further includes: a housing having a vaporization space; A heater installed around the vaporization space to heat the raw material; A filter provided on the vaporization space and having a plurality of fine holes for atomizing the raw material; And a control unit.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 의하면, 액상의 원료 물질을 기화시켜 피처리물 상에 증착하기 위한 증착방법은, 원료 물질을 기화기 내로 공급하여 기화시키는 단계; 상기 기화기와 연결된 반응 챔버 내로 기화된 원료 물질을 공급하여 피처리물 상에 증착시키는 단계; 상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 단계; 상기 퍼지 가스를 펌핑하여 배기시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a deposition method for vaporizing a liquid raw material and depositing the liquid raw material on a target to be processed, the method including: supplying a raw material into a vaporizer to vaporize; Supplying a vaporized raw material into a reaction chamber connected to the vaporizer and depositing the vaporized raw material on a workpiece; Supplying a purge gas to the connection pipe to remove foreign matter remaining in a connection pipe between the vaporizer and the reaction chamber; Pumping and purge the purge gas; And a control unit.

또한, 상기 배기시키는 단계는 상기 퍼지 가스가 상기 기화기를 거쳐 배기되도록 하는 것을 특징으로 한다. Further, the evacuation step is characterized in that the purge gas is evacuated through the vaporizer.

또한, 상기 배기시키는 단계 동안 상기 기화기 내로 퍼지 가스를 공급하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Supplying purge gas into the vaporizer during the evacuation step; And further comprising:

또한, 상기 퍼지 가스를 공급하는 단계 동안 상기 퍼지 가스가 상기 반응 챔버 내로 유입되는 것을 차단하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Blocking the introduction of the purge gas into the reaction chamber during the supply of the purge gas; And further comprising:

또한, 상기 반응 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 피처리물 상에 증착되지 않은 원료 물질을 제거하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Supplying purge gas into the reaction chamber to remove a raw material not deposited on the object to be processed; And further comprising:

또한, 상기 연결배관으로 공급되는 퍼지 가스 및 상기 반응 챔버 내로 공급되는 퍼지 가스는 동일한 퍼지가스 공급부에 의해 공급되는 것을 특징으로 한다. Further, the purge gas supplied to the connection pipe and the purge gas supplied into the reaction chamber are supplied by the same purge gas supply unit.

또한, 상기 기화시키는 단계는, 상기 원료 물질을 복수의 미세한 홀을 갖는 필터를 통해 통과시켜 미립화시키는 단계; 상기 필터를 통과한 원료 물질을 가열하여 기화시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The vaporizing step may include passing the raw material through a filter having a plurality of fine holes to atomize the raw material; Heating and vaporizing the raw material passing through the filter; And a control unit.

본 발명에 따르면, 퍼지가스 공급부에 의해 퍼지 가스가 연결배관으로 공급되어, 연결배관 및 기화기 내의 이물질들을 제거하므로, 증착장치 내에 이물질들이 존재하여 공정 상의 문제를 야기하는 것을 미연에 방지할 수 있다. According to the present invention, the purge gas is supplied to the connection pipe by the purge gas supply part, and the foreign substances in the connection pipe and the vaporizer are removed, so that it is possible to prevent a problem in the process due to the presence of foreign substances in the vapor deposition device.

또한, 퍼지 가스는 기화기를 통과하므로 기화기 내의 이물질들도 더욱 효과적으로 제거될 수 있어, 기화기의 교체주기를 감소시킬 수 있고, 따라서 기화기의 교체를 위한 시간과 비용을 절감할 수 있다. Further, since the purge gas passes through the vaporizer, the foreign substances in the vaporizer can be removed more effectively, thereby reducing the replacement period of the vaporizer, thus saving time and cost for replacement of the vaporizer.

또한, 퍼지가스 공급부에 의해 퍼지 가스가 연결배관으로 공급될 때, 기화기 내로도 퍼지 가스가 공급되어 배기장치에 의해 배출됨으로써, 기화기 내의 이물질을 더욱 효과적으로 제거할 수 있다. Further, when the purge gas is supplied to the connection pipe by the purge gas supply part, the purge gas is also supplied into the vaporizer and discharged by the exhaust device, so that the foreign matter in the vaporizer can be removed more effectively.

도 1은 종래기술에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 증착장치의 기화기의 구성을 나타내는 개략적인 단면도이다. 1 is a configuration diagram of a vapor deposition apparatus having a vaporizer according to the prior art.
2 is a view showing a schematic configuration of a vapor deposition apparatus having a vaporizer according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a schematic configuration of a vapor deposition apparatus having a vaporizer according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the vaporizer of the vapor deposition apparatus of the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements throughout. The same reference numerals in the drawings denote like elements throughout the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a schematic configuration of a vapor deposition apparatus having a vaporizer according to an embodiment of the present invention. 3 is a view showing a schematic configuration of a vapor deposition apparatus having a vaporizer according to another embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 기화기를 갖는 증착장치에서 박막을 증착하는 방법은, 실시예로서 반응 챔버 내에 피처리물(예를 들어, 웨이퍼)을 로딩시킨 후 반응 챔버 내로 원료 물질을 공급하여 피처리물의 표면에 원료 물질의 화학 흡착을 유도하는 A 단계와, 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 주입하여 여분의 미흡착 원료 물질을 퍼지(배출)하는 B 단계와, 반응 챔버 내로 반응 가스를 공급하여 피처리물의 표면에 흡착된 원료 물질과의 반응을 유도하여 박막을 증착하는 C 단계와, 반응 챔버 내에 다시 퍼지 가스를 공급하여 반응 부산물 및 미반응 물질을 퍼지(배출)하는 D 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.A method of depositing a thin film in a vapor deposition apparatus having a vaporizer according to the present invention is a method of depositing a thin film on a surface of a material to be processed by loading a material to be processed (for example, a wafer) A step A for inducing the chemical adsorption of the raw material, a step B for purging (discharging) the excess unadsorbed raw material by injecting purge gas into the reaction chamber, and a step for supplying a reaction gas into the reaction chamber to adsorb And a step D for purifying (discharging) reaction by-products and unreacted materials by supplying a purge gas into the reaction chamber again.

본 발명의 기화기를 갖는 증착장치는 상기 공정에 사용되는 장치로서, 반응 챔버(110), 원료물질 공급부(210), 캐리어가스 공급부(230), 기화기(300), 배기장치(410), 반응가스 공급부(440), 제1 퍼지가스 공급부(450), 제2 퍼지가스 공급부(430)를 포함한다. A vapor deposition apparatus having a vaporizer of the present invention is an apparatus used in the above process and includes a reaction chamber 110, a raw material supply unit 210, a carrier gas supply unit 230, a vaporizer 300, an exhaust unit 410, A first purge gas supply unit 450, and a second purge gas supply unit 430. The first purge gas supply unit 450 includes a first purge gas supply unit 440, a first purge gas supply unit 450,

반응 챔버(110)는 기화된 원료 물질이 피처리물(101) 상에 증착되는 반응공간을 제공한다. 반응 챔버(110) 내에는 피처리물(101)이 안착되는 안착 수단(130), 이러한 안착 수단(130)과 대향 배치되어 원료 물질, 반응 가스 및 퍼지 가스를 분사하는 가스 분사 수단(120)이 구비된다. The reaction chamber 110 provides a reaction space in which the vaporized raw material is deposited on the object 101 to be processed. The reaction chamber 110 is provided with a mounting means 130 on which the article to be processed 101 is seated and a gas injection means 120 disposed opposite to the mounting means 130 for spraying the raw material, Respectively.

원료물질 공급부(210)는 액상의 원료 물질을 기화기(300)로 공급한다. 원료 물질 공급부(210)는 액상의 원료 물질을 저장하는 원료 저장부(211), 일단이 원료 저장부(211)에 연결되고 타단이 기화기(300)와 연결되는 제1 배관(212), 제1 배관(212)에 설치되어 기화기(300)로 공급되는 원료 물질의 양을 제어하는 제1 밸브(213)를 포함한다. 원료 물질로는 예를 들어, 액상의 TEMAZr을 사용한다. The raw material supply unit 210 supplies the liquid raw material to the vaporizer 300. The raw material supply part 210 includes a raw material storage part 211 for storing a liquid raw material, a first pipe 212 having one end connected to the raw material storage part 211 and the other end connected to the vaporizer 300, And a first valve 213 installed in the pipe 212 for controlling the amount of the raw material supplied to the vaporizer 300. As the raw material, for example, a liquid TEMAZr is used.

캐리어가스 공급부(230)는 액상의 원료 물질을 기화기(300)로 이송하기 위한 캐리어 가스를 공급한다. 캐리어 가스 공급부(240)는 캐리어 가스가 저장된 캐리어가스 저장부(231), 일단이 캐리어가스 저장부(231)에 연결되고 타단이 기화기(300)와 연결된 제 2 배관(232), 제 2 배관(232)에 설치되어 기화기(300)로 공급되는 캐리어 가스의 양을 제어하는 제 2 밸브(233)를 포함하여 이루어진다. 캐리어 가스로는 예를 들어, Ar(아르곤)을 사용한다. The carrier gas supply unit 230 supplies a carrier gas for transferring the liquid raw material to the vaporizer 300. The carrier gas supply unit 240 includes a carrier gas storage unit 231 storing a carrier gas, a second pipe 232 having one end connected to the carrier gas storage unit 231 and the other end connected to the vaporizer 300, 232 for controlling the amount of carrier gas supplied to the carburetor 300. The second valve 233 controls the amount of the carrier gas supplied to the carburetor 300. As the carrier gas, for example, Ar (argon) is used.

기화기(300)는 캐리어 가스에 의해 이송된 액상의 원료 물질을 기화시켜 반응 챔버(110)로 공급한다. 캐리어 가스와 함께 기화기(300) 내로 들어온 원료 물질은 히터와 같은 가열수단에 의해 가열되어 기화된 후, 반응 챔버(110)로 들어가게 된다. The vaporizer 300 vaporizes the liquid raw material transferred by the carrier gas and supplies it to the reaction chamber 110. The raw material that has entered the vaporizer 300 together with the carrier gas is heated and vaporized by a heating means such as a heater, and then enters the reaction chamber 110.

반응 챔버(110)로 들어온 기화된 원료 물질은 안착 수단(130) 상의 피처리물의 표면에 화학 흡착된다(A 단계). 다음에, 반응 챔버(110) 내에서 피처리물의 표면에 흡착되지 않은 원료 물질은 퍼지 가스에 의해 배출될 수 있다(B 단계).The vaporized raw material that has entered the reaction chamber 110 is chemisorbed onto the surface of the object to be treated on the seating means 130 (step A). Next, the raw material not adsorbed on the surface of the object to be treated in the reaction chamber 110 can be discharged by the purge gas (step B).

제2 퍼지가스 공급부(430)는 가스 분사 수단(120)에 퍼지 가스를 공급하여 피처리물 상에 흡착되지 않은 기상의 원료 물질을 배출시킨다. 제2 퍼지가스 공급부(430)는 퍼지 가스가 저장된 퍼지가스 저장부(431), 일단이 퍼지가스 저장부(431)와 연결되고 타단이 반응 챔버(110)와 연결된 제3 배관(432), 제3 배관(432)에 설치되어 가스 분사 수단(120)으로 공급되는 퍼지 가스의 양을 조절하는 제3 밸브(433)를 포함한다. 퍼지 가스로는 예를 들어, Ar을 사용한다. The second purge gas supplying unit 430 supplies purge gas to the gas injecting unit 120 to discharge gaseous raw materials that are not adsorbed on the object to be treated. The second purge gas supply unit 430 includes a purge gas storage unit 431 storing the purge gas, a third pipe 432 having one end connected to the purge gas storage unit 431 and the other end connected to the reaction chamber 110, And a third valve 433 provided in the third pipe 432 for adjusting the amount of the purge gas supplied to the gas injection means 120. As the purge gas, for example, Ar is used.

반응 챔버(110) 내의 기상의 원료 물질이 퍼지 가스에 의해 배출된 다음에는, 반응 가스를 공급하여 피처리물의 표면에 흡착된 원료 물질과 반응 가스와의 반응을 유도하여 박막을 형성한다(C 단계).After the gaseous raw material in the reaction chamber 110 is discharged by the purge gas, a reaction gas is supplied to induce a reaction between the raw material adsorbed on the surface of the material to be treated and the reaction gas to form a thin film (Step C ).

반응가스 공급부(440)는 반응 챔버(110) 내로 반응 가스를 분사하여 기상의 원료 물질과 반응을 유도한다. 반응 가스 공급부(440)는 반응 가스가 저장된 반응가스 저장부(441), 일단이 반응가스 저장부(441)와 연결되고 타단이 반응 챔버(110)와 연결된 제5 배관(442), 제5 배관(442)에 설치되어 반응 가스의 양을 조절하는 제5 밸브(443)를 포함한다. 실시예에서는 원료 물질인 TEMAZr과 반응하여 ZrO2 박막을 형성하기 위해 반응 가스로 O2를 사용한다. The reaction gas supply unit 440 injects the reaction gas into the reaction chamber 110 to induce a reaction with the gaseous raw material. The reaction gas supply unit 440 includes a reaction gas storage unit 441 in which the reaction gas is stored, a fifth pipe 442 having one end connected to the reaction gas storage unit 441 and the other end connected to the reaction chamber 110, And a fifth valve (443) installed in the second chamber (442) for controlling the amount of the reaction gas. In the embodiment, O 2 is used as a reactive gas in order to react with TEMAZr, which is a raw material, to form a ZrO 2 thin film.

반응 챔버(110) 내로 반응 가스를 공급하여 피처리물의 표면에 박막을 형성한 다음에는, 반응 챔버(110) 내에 다시 퍼지 가스를 공급하여 반응 부산물 및 미반응 물질을 퍼지(배출)한다(D 단계).After the reaction gas is supplied into the reaction chamber 110 to form a thin film on the surface of the object to be processed, purge gas is supplied again to the reaction chamber 110 to purge (discharge) the reaction by-products and unreacted materials ).

상기 A 단계에서, 기화기(300) 내로 공급되는 액상의 원료 물질이 완전히 기화되지 못하면, 이러한 원료 물질이 열분해되어 이물질(particle)을 형성할 수 있다. 여기서, 이물질에는 잠재적으로 이물질이 될 수 있는 기화되지 않은 액상의 원료 물질도 포함된다. 기화기(300) 내부에 존재하는 이러한 이물질을 제거하기 위해 배기장치(410)를 이용한다. In the step A, if the liquid raw material supplied into the vaporizer 300 is not completely vaporized, the raw material may be pyrolyzed to form a particle. Here, the foreign matter also includes a raw material that is not vaporized, which may be a foreign matter. An exhaust device 410 is used to remove such foreign substances present inside the vaporizer 300. [

배기장치(410)는 기화기(300) 내부에 존재하는 이물질을 펌핑하여 제거하는 역할을 한다. 배기장치(410)는 배기펌프(411), 일단이 기화기(300)에 연결되고 타단이 배기펌프(411)와 연결된 배기배관(412), 배기배관(412)에 설치되어 기화기(300)와 배기펌프(411) 사이의 연통을 제어하는 배기밸브(413), 펌핑된 이물질들을 트랩하는 트랩부(414)를 포함한다. 배기장치(410)에 의한 펌핑은 퍼지 단계(B 단계 및 D 단계) 동안에 이루어질 수 있고, 바람직하게는 상기 D 단계 동안에 이루어진다. The exhaust device 410 serves to pumped and remove foreign substances present in the vaporizer 300. The exhaust device 410 includes an exhaust pump 411, an exhaust pipe 412 having one end connected to the carburetor 300 and the other end connected to the exhaust pump 411 and the exhaust pipe 412, An exhaust valve 413 for controlling the communication between the pumps 411, and a trap portion 414 for trapping the pumped foreign substances. Pumping by the exhaust device 410 may be performed during the purge step (step B and step D), preferably during step D. [

한편, 기화기(300)와 반응 챔버(110) 사이를 연결하는 연결배관(421) 내로는 기화된 원료 물질이 공급되는데, 이러한 연결배관(421) 내에도 기화되지 못한 액상의 원료 물질 또는 이미 열분해된 이물질이 존재하게 된다. 이러한 이물질이 연결배관(421)에 존재하게 되면 여러가지 공정상의 문제를 일으키게 된다. The vaporized raw material is supplied into the connection pipe 421 connecting the vaporizer 300 and the reaction chamber 110. The liquid raw material that is not vaporized in the connection pipe 421, A foreign substance is present. When such a foreign matter is present in the connection pipe 421, various process problems are caused.

따라서, 본 발명에서는 연결배관(421)에 존재하는 이물질을 제거하기 위한 단계(E 단계)를 추가로 포함한다. 이러한 E 단계는 제1 퍼지가스 공급부(450)에 의해 수행된다. Therefore, the present invention further includes a step (step E) for removing the foreign substances present in the connection pipe 421. This step E is performed by the first purge gas supply unit 450.

제1 퍼지가스 공급부(450)는 연결배관(421)에 퍼지 가스를 공급하여 연결배관(421)에 존재하는 이물질을 제거하는 역할을 한다. 제1 퍼지가스 공급부(450)는 퍼지 가스가 저장된 퍼지가스 저장부(451), 일단이 퍼지가스 저장부(451)와 연결되고 타단이 기화기(300)와 연결된 제4 배관(452), 제4 배관(452)에 설치되어 연결배관(421)으로 공급되는 퍼지 가스의 양을 조절하는 제4 밸브(453)를 포함한다. 퍼지 가스로는 예를 들어, Ar을 사용한다. The first purge gas supply unit 450 supplies purge gas to the connection pipe 421 to remove foreign substances present in the connection pipe 421. The first purge gas supply unit 450 includes a purge gas storage unit 451 storing purge gas, a fourth pipe 452 having one end connected to the purge gas storage unit 451 and the other end connected to the vaporizer 300, And a fourth valve 453 installed in the pipe 452 for controlling the amount of purge gas supplied to the connection pipe 421. As the purge gas, for example, Ar is used.

연결배관(421)에는 차단 밸브(420)가 설치될 수 있다. 차단 밸브(420)는 제1 퍼지가스 공급부(450)에 의해 공급된 퍼지 가스가 반응 챔버(110) 내로 유입되는 것을 차단하는 역할을 한다. The shutoff valve 420 may be installed in the connection pipe 421. The shutoff valve 420 serves to prevent the purge gas supplied by the first purge gas supply unit 450 from flowing into the reaction chamber 110.

제1 퍼지가스 공급부(450)에 의해 연결배관(421)으로 공급된 퍼지 가스는 배기장치(410)에 의해 펌핑되어 배출되는 것이 바람직하다. 이때, 퍼지 가스는 연결배관(421)을 지나 기화기(300)를 통과하면서 기화기(300) 내부의 이물질도 함께 제거할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. The purge gas supplied to the connection pipe 421 by the first purge gas supply unit 450 is preferably pumped by the exhaust device 410 and discharged. At this time, it is preferable that the purge gas passes through the connection pipe 421 and passes through the vaporizer 300 so that the foreign substances in the vaporizer 300 can be removed together.

제1 퍼지가스 공급부(450)에 의해 퍼지 가스가 연결배관(421)으로 공급되면, 차단 밸브(420)는 폐쇄되어 퍼지 가스가 반응 챔버(110)로 유입되는 것을 방지한다. 다음에, 퍼지 가스는 연결배관(421) 내에 존재하는 이물질들과 함께 기화기(300)를 통과하게 된다. 퍼지 가스는 배기펌프(411)에 의한 펌핑압력에 의해 기화기(300) 내에 존재하는 이물질들도 함께 끌어와서 트랩부(414)로 들어가게 된다. When the purge gas is supplied to the connection pipe 421 by the first purge gas supply unit 450, the shutoff valve 420 is closed to prevent the purge gas from flowing into the reaction chamber 110. Next, the purge gas passes through the vaporizer 300 together with the foreign substances present in the connection pipe 421. The purge gas also attracts foreign substances present in the vaporizer 300 by the pumping pressure of the exhaust pump 411 and enters the trap portion 414. [

제1 퍼지가스 공급부(450)에 의해 퍼지 가스가 공급될 때, 기화기(300) 내로는 캐리어가스 공급부(230)로부터 퍼지 가스로서 Ar이 공급될 수 있다. 기화기(300) 내로 공급된 퍼지 가스는 기화기(300) 내의 이물질들을 끌어와서 연결배관(421)으로 공급된 퍼지 가스와 함께 배기장치(410)에 의해 펌핑되어 배출될 수 있다.
즉, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 기화기(300)는 챔버 연결부(330)를 통해 연결배관(421)과 연결되고, 펌핑라인 연결부(340)를 통해 배기장치(410)와 연결될 수 있다. 연결배관(421)에 퍼지 가스가 공급되면, 퍼지 가스는 챔버 연결부(330)를 통해 기화기(300) 내부로 유입되고, 펌핑라인 연결부(340)를 통해 기화기(300)를 빠져나갈 수 있다.
따라서, 연결배관(421)을 통해 기화기(300) 내부로 유입된 퍼지 가스는, 기화기(300)를 빠져나가면서, 기화기(300) 내에 존재하는 이물질들을 기화기(300) 외부로 이끌어낼 수 있다.
이러한 구조로 인하여, 연결배관(421)으로 공급되는 퍼지 가스는 연결배관(421)을 지나 기화기(300)를 통과하면서 기화기(300) 내부의 이물질도 함께 제거할 수 있다.When the purge gas is supplied by the first purge gas supply unit 450, Ar may be supplied as purge gas from the carrier gas supply unit 230 into the vaporizer 300. The purge gas supplied into the vaporizer 300 may be pumped by the exhaust device 410 together with the purge gas supplied to the connection pipe 421 by drawing foreign substances in the vaporizer 300 and discharged.
2 to 4, the vaporizer 300 may be connected to the connection pipe 421 through the chamber connection part 330 and may be connected to the exhaust device 410 through the pumping line connection part 340. When the purge gas is supplied to the connection pipe 421, the purge gas may be introduced into the vaporizer 300 through the chamber connection part 330 and may exit the vaporizer 300 through the pumping line connection part 340.
Therefore, the purge gas introduced into the vaporizer 300 through the connection pipe 421 can draw foreign substances present in the vaporizer 300 to the outside of the vaporizer 300 while exiting the vaporizer 300.
Due to such a structure, the purge gas supplied to the connection pipe 421 can also remove foreign substances in the vaporizer 300 while passing through the connection pipe 421 and the vaporizer 300.

연결배관(421) 내로 퍼지 가스를 공급하는 상기 E 단계는 배기장치(410)에 의한 펌핑과 함께 이루어질 수 있다. 이와 달리, 상기 E 단계는 피처리물(예를 들어, 웨이퍼)의 교체시간에 이루어질 수 있으며, 다른 적절한 시기에 이루어질 수도 있다. The step E for supplying the purge gas into the connection pipe 421 may be performed together with the pumping by the exhaust device 410. Alternatively, the step E may be performed at a replacement time of the object to be processed (e.g., a wafer), or at another appropriate time.

상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 제1 퍼지가스 공급부(450)에 의해 퍼지 가스가 연결배관(421)으로 공급되어, 연결배관(421) 및 기화기(300) 내의 이물질들을 제거하므로, 증착장치 내에 이물질들이 존재하여 공정 상의 문제를 야기하는 것을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 퍼지 가스는 기화기(300)를 통과하므로 기화기(300) 내의 이물질들도 더욱 효과적으로 제거될 수 있어 기화기(300)의 교체주기를 감소시킬 수 있고, 따라서 기화기(300)의 교체를 위한 시간과 비용을 절감할 수 있다. As described above, in this embodiment, the purge gas is supplied to the connection pipe 421 by the first purge gas supply unit 450 to remove foreign substances in the connection pipe 421 and the vaporizer 300, It is possible to prevent occurrence of a problem in the process due to the presence of foreign substances. Since the purge gas passes through the vaporizer 300, the foreign substances in the vaporizer 300 can be removed more effectively, thereby reducing the replacement cycle of the vaporizer 300, and therefore, the time for replacement of the vaporizer 300 The cost can be reduced.

이하에서는, 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착장치의 구성을 설명하기로 한다. Hereinafter, a configuration of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 3에 도시된 실시예는 도 2의 제1 퍼지가스 공급부(450)와 제2 퍼지가스 공급부(430)가 단일부재로 통합된 것을 제외하고는 도 2의 실시예와 동일하다. The embodiment shown in FIG. 3 is the same as the embodiment of FIG. 2 except that the first purge gas supply part 450 and the second purge gas supply part 430 of FIG. 2 are integrated into a single member.

본 실시예에서 퍼지가스 공급부(460)는 반응 챔버(110) 내의 가스 분사 수단(120)에 퍼지 가스를 공급하면서, 동시에 연결배관(421)으로 퍼지 가스를 공급하는 역할도 한다. The purge gas supply unit 460 supplies the purge gas to the gas injection means 120 in the reaction chamber 110 while supplying the purge gas to the connection pipe 421 at the same time.

퍼지가스 공급부(460)는 퍼지 가스가 저장된 퍼지가스 저장부(461), 일단이 퍼지가스 저장부(461)와 연결되고 타단이 반응 챔버(110)와 연결된 제3 배관(462), 제3 배관(462)에 설치되어 가스 분사 수단(120)으로 공급되는 퍼지 가스의 양을 조절하는 제3 밸브(463), 일단이 퍼지가스 저장부(461)와 연결되고 타단이 기화기(300)와 연결된 제4 배관(464), 제4 배관(464)에 설치되어 연결배관(421)으로 공급되는 퍼지 가스의 양을 조절하는 제4 밸브(465)를 포함한다. 퍼지 가스로는 예를 들어, Ar을 사용한다. The purge gas supply unit 460 includes a purge gas storage unit 461 storing purge gas, a third pipe 462 having one end connected to the purge gas storage unit 461 and the other end connected to the reaction chamber 110, A third valve 463 provided in the purge gas accumulator 462 for regulating the amount of purge gas supplied to the gas injector 120 and a third valve 463 connected to the purge gas reservoir 461 and the other end connected to the vaporizer 300, 4 pipe 464 and a fourth valve 465 disposed in the fourth pipe 464 for controlling the amount of purge gas supplied to the connection pipe 421. [ As the purge gas, for example, Ar is used.

퍼지가스 공급부(460)가 반응 챔버(110) 내로 퍼지 가스를 공급할 때는 제4 밸브(465)는 차단되고, 제3 밸브(463)가 개방된다. 퍼지가스 공급부(460)가 연결배관(421)으로 퍼지 가스를 공급할 때는 제3 밸브(463)는 차단되고, 제4 밸브(465)가 개방된다. When the purge gas supply unit 460 supplies the purge gas into the reaction chamber 110, the fourth valve 465 is shut off and the third valve 463 is opened. When the purge gas supply unit 460 supplies the purge gas to the connection pipe 421, the third valve 463 is shut off and the fourth valve 465 is opened.

본 실시예에서는 도 2의 제1 퍼지가스 공급부(450)와 제2 퍼지가스 공급부(430)가 하나의 퍼지가스 공급부(460)로 통합됨으로써, 도 2에 도시된 증착장치와 동일한 효과를 달성하면서 장치의 구성을 간단히 할 수 있다. In this embodiment, the first purge gas supply unit 450 and the second purge gas supply unit 430 shown in FIG. 2 are integrated into one purge gas supply unit 460, thereby achieving the same effect as that of the deposition apparatus shown in FIG. 2 The configuration of the apparatus can be simplified.

이하에서는, 도 4를 참조하여 본 발명의 증착장치의 기화기의 구성에 대해 살펴보기로 한다. 도 4는 본 발명의 증착장치의 기화기의 구성을 나타내는 개략적인 단면도이다. Hereinafter, the structure of the vaporizer of the vapor deposition apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the vaporizer of the vapor deposition apparatus of the present invention.

기화기(300)는 하우징(310)과, 하우징(310)의 상부에 위치하며 액상의 원료 물질 및 캐리어 가스, 예를 들어 Ar이 공급되는 주입구(301)와, 액상의 원료 물질이 기화되는 기화공간(311)과, 기화공간(311)의 주변에 설치되며 액상의 원료 물질을 가열하는 히터(320)와, 기화된 원료 물질을 반응 챔버(110)로 공급하기 위한 연결배관(421)과 연결되는 챔버 연결부(330)와, 원료 물질 또는 캐리어 가스를 배기시키기 위하여 배기장치(410)와 연결되는 펌핑라인 연결부(340)를 포함한다. The vaporizer 300 includes a housing 310 and an inlet 301 for supplying a liquid raw material and a carrier gas, for example, Ar, to the vaporizing space 301, which is located above the housing 310 and in which the liquid raw material is vaporized. A heater 320 installed around the vaporization space 311 for heating the liquid raw material and a connection pipe 421 for supplying the vaporized raw material to the reaction chamber 110, A chamber connection part 330 and a pumping line connection part 340 connected to the exhaust device 410 to exhaust the raw material or carrier gas.

주입구(301)와 기화공간(311)의 사이에는 오리피스(orifice)(302)가 설치된다. 액상의 원료 물질이 기화기(300)의 주입구(301)에 공급되면, 오리피스(302)를 통과하는 과정에서 압력은 감소하고 유속이 증가하면서, 유체가 팽창하게 된다.An orifice 302 is provided between the injection port 301 and the vaporizing space 311. When the liquid raw material is supplied to the inlet 301 of the vaporizer 300, the pressure decreases in the process of passing through the orifice 302, and the fluid expands while the flow rate increases.

기화공간(311)의 상부에는 필터(350)가 설치된다. 필터(350)에는 복수의 미세한 홀이 설치되어 있어, 주입구(301)를 통해 들어오는 액상의 원료 물질이 필터(350)를 통과하면서 미립화되어 1차 기화가 이루어진다. 실시예에서, 기화공간(311)의 길이는 15 mm이고, 필터(350)에 설치되는 홀은 0.23mm의 직경을 갖는다. A filter 350 is installed above the vaporization space 311. The filter 350 is provided with a plurality of fine holes so that the liquid raw material flowing through the injection port 301 is atomized while passing through the filter 350 to perform primary vaporization. In an embodiment, the length of the vaporizing space 311 is 15 mm, and the holes provided in the filter 350 have a diameter of 0.23 mm.

필터(350)를 통과하면서 미립화된 원료 물질은 히터(320)에 의해 가열되어 2차 기화된다. 히터(320)는 기화공간(311)을 전체적으로 둘러싸는 것이 바람직하다. The raw material that has been atomized while passing through the filter 350 is heated by the heater 320 and is secondarily vaporized. The heater 320 preferably surrounds the vaporization space 311 as a whole.

기화공간(311)의 온도와 압력은 원료 물질의 기화효율에 중요한 영향을 미친다. 실시예에서, 기화공간(311)의 온도는 110 내지 140℃로 유지된다. 기화공간(311)의 압력은 80 내지 120 torr로 유지되어, 기화기(300) 내부로 공급된 원료 물질의 유속을 최적으로 제어하게 된다. The temperature and pressure of the vaporization space 311 have a significant influence on the vaporization efficiency of the raw material. In an embodiment, the temperature of the vaporization space 311 is maintained at 110 to 140 占 폚. The pressure of the vaporization space 311 is maintained at 80 to 120 torr to optimally control the flow rate of the raw material supplied into the vaporizer 300.

이러한 기화기(300)에 따르면, 기화공간(311)의 상부에 필터(350)가 설치되어 있어, 액상의 원료 물질이 필터(350)를 통과하면서 1차 기화가 이루어지고, 필를 통과한 원료 물질이 히터(320)에 의해 가열되어 2차 기화가 이루어지므로, 액상의 원료 물질의 기화효율을 증대시킬 수 있다. According to the vaporizer 300, the filter 350 is installed in the upper part of the vaporizing space 311, so that the liquid raw material passes through the filter 350 and is subjected to primary vaporization, The secondary vaporization is performed by heating by the heater 320, so that the vaporization efficiency of the liquid raw material can be increased.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention will be.

110 : 반응 챔버 210 : 원료물질 공급부
230 : 캐리어가스 공급부 300 : 기화기
301 : 주입구 302 : 오리피스
310 : 하우징 311 : 기화공간
320 : 히터 330 : 펌핑라인 연결부
340 : 챔버 연결부 350 : 필터
410 : 배기장치 411 : 배기펌프
413 : 배기밸브 414 : 트랩부
421 : 연결배관 420 : 차단 밸브
430 : 제2 퍼지가스 공급부 440 : 반응가스 공급부
450 : 제1 퍼지가스 공급부 460 : 퍼지가스 공급부110: reaction chamber 210: raw material supply part
230: carrier gas supply unit 300: vaporizer
301: inlet 302: orifice
310: housing 311: vaporization space
320: heater 330: pumping line connection
340: chamber connection part 350: filter
410: exhaust device 411: exhaust pump
413: exhaust valve 414:
421: Connection piping 420: Shutoff valve
430: second purge gas supply unit 440: reaction gas supply unit
450: first purge gas supply unit 460: purge gas supply unit

Claims (13)

기화기를 갖는 증착장치에 있어서,
원료 물질을 공급하는 원료물질 공급부;
상기 원료물질 공급부로부터 원료 물질을 공급받아 기화시키는 기화기;
상기 기화기와 연결되어, 기화된 원료 물질이 피처리물 상에 증착되는 반응공간을 제공하는 반응 챔버;
상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지가스 공급부;
상기 기화기와 연결되는 배기장치;
를 포함하고,
상기 제1 퍼지가스 공급부는,
상기 연결배관에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치.In a vapor deposition apparatus having a vaporizer,
A raw material supply unit for supplying a raw material;
A vaporizer supplied with the raw material from the raw material supply part and vaporized;
A reaction chamber connected to the vaporizer to provide a reaction space in which the vaporized raw material is deposited on the object to be processed;
A first purge gas supply unit for supplying a purge gas to the connection pipe to remove foreign matter remaining in a connection pipe between the vaporizer and the reaction chamber;
An exhaust device connected to the carburetor;
Lt; / RTI >
Wherein the first purge gas supply unit includes:
Wherein the connection pipe is directly connected to the connection pipe. 제1항에 있어서,
상기 연결배관으로 공급된 퍼지가스는 상기 기화기를 거쳐 상기 배기장치에 의해 펌핑되어 배기되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. The method according to claim 1,
Wherein the purge gas supplied to the connection pipe is pumped and exhausted by the exhaust device via the vaporizer. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연결배관에 설치되어, 상기 퍼지 가스가 상기 반응 챔버로 유입되는 것을 차단하는 차단 밸브;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. 3. The method according to claim 1 or 2,
A shutoff valve installed in the connection pipe for shutting off the introduction of the purge gas into the reaction chamber;
Wherein the vaporizer further comprises a vaporizer. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반응 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 피처리물 상에 증착되지 않은 원료 물질을 제거하기 위한 제2 퍼지가스 공급부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치.3. The method according to claim 1 or 2,
A second purge gas supply unit for supplying purge gas into the reaction chamber to remove raw materials not deposited on the object to be processed;
Wherein the vaporizer further comprises a vaporizer. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기화기는,
기화공간을 갖는 하우징;
상기 기화공간의 주위에 설치되어 원료 물질을 가열하는 히터;
상기 기화공간의 상부에 설치되어, 원료 물질을 미립화시키기 위해 복수의 미세한 홀을 갖는 필터;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The vaporizer includes:
A housing having a vaporization space;
A heater installed around the vaporization space to heat the raw material;
A filter provided on the vaporization space and having a plurality of fine holes for atomizing the raw material;
Wherein the vaporizer is a vapor deposition apparatus. 제5항에 있어서,
상기 기화공간은,
110℃ 내지 140℃의 온도로 유지되고, 80 torr 내지 120 torr의 압력으로 유지되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치.6. The method of claim 5,
The vaporization space
Is maintained at a temperature of 110 DEG C to 140 DEG C, and is maintained at a pressure of 80 torr to 120 torr. 액상의 원료 물질을 기화시켜 피처리물 상에 증착하기 위한 증착방법에 있어서,
원료 물질을 기화기 내로 공급하여 기화시키는 단계;
상기 기화기와 연결된 반응 챔버 내로 기화된 원료 물질을 공급하여 피처리물 상에 증착시키는 단계;
상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 단계;
상기 퍼지 가스를 펌핑하여 배기시키는 단계;
를 포함하고,
상기 연결배관은,
일측이 상기 반응 챔버와 연결되고, 타측이 상기 기화기와 연결되며,
상기 퍼지 가스는,
상기 연결배관과 직접 연결되는 퍼지가스 공급부에 의해 상기 연결배관으로 공급되는 것을 특징으로 하는 증착방법.A vapor deposition method for vaporizing a liquid raw material and depositing the liquid raw material on a target to be processed,
Supplying the raw material into the vaporizer and vaporizing;
Supplying a vaporized raw material into a reaction chamber connected to the vaporizer and depositing the vaporized raw material on a workpiece;
Supplying a purge gas to the connection pipe to remove foreign matter remaining in a connection pipe between the vaporizer and the reaction chamber;
Pumping and purge the purge gas;
Lt; / RTI >
The connection piping includes:
One side connected to the reaction chamber, the other side connected to the vaporizer,
The purge gas,
And a purge gas supply unit connected directly to the connection pipe. 제7항에 있어서,
상기 배기시키는 단계는 상기 퍼지 가스가 상기 기화기를 거쳐 배기되도록 하는 것을 특징으로 하는 증착방법.8. The method of claim 7,
Wherein the evacuating step causes the purge gas to be evacuated through the vaporizer. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 배기시키는 단계 동안 상기 기화기 내로 퍼지 가스를 공급하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.9. The method according to claim 7 or 8,
Supplying purge gas into the vaporizer during the venting step;
Lt; RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI > 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 퍼지 가스를 공급하는 단계 동안 상기 퍼지 가스가 상기 반응 챔버 내로 유입되는 것을 차단하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.9. The method according to claim 7 or 8,
Blocking purge gas from entering the reaction chamber during the purge gas supply step;
Lt; RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI > 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 반응 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 피처리물 상에 증착되지 않은 원료 물질을 제거하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.9. The method according to claim 7 or 8,
Supplying a purge gas into the reaction chamber to remove a raw material not deposited on the object to be processed;
Lt; RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI > 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 기화시키는 단계는,
상기 원료 물질을 복수의 미세한 홀을 갖는 필터를 통해 통과시켜 미립화시키는 단계;
상기 필터를 통과한 원료 물질을 가열하여 기화시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the vaporizing step comprises:
Passing the raw material through a filter having a plurality of fine holes to atomize the raw material;
Heating and vaporizing the raw material passing through the filter;
Wherein the deposition is performed by a deposition method. 기화기를 갖는 증착장치에 있어서,
원료 물질을 공급하는 원료물질 공급부;
상기 원료 물질을 기화시키는 기화기;
상기 기화기와 연결되어, 기화된 원료 물질이 피처리물 상에 증착되는 반응공간을 제공하는 챔버;
상기 기화기와 상기 챔버 사이의 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지가스 공급부; 및
상기 기화기와 연결되는 배기장치;
를 포함하고,
상기 퍼지가스 공급부는,
상기 연결배관에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치.In a vapor deposition apparatus having a vaporizer,
A raw material supply unit for supplying a raw material;
A vaporizer for vaporizing the raw material;
A chamber connected to the vaporizer to provide a reaction space in which the vaporized raw material is deposited on the object to be processed;
A purge gas supply unit for supplying purge gas to the connection pipe between the carburetor and the chamber; And
An exhaust device connected to the carburetor;
Lt; / RTI >
The purge gas supply unit includes:
Wherein the connection pipe is directly connected to the connection pipe.
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