KR20110004081A - Canister for deposition apparatus, deposition apparatus using the same and method of depositing - Google Patents

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이기용
서진욱
정민재
홍종원
강유진
장석락
양태훈
정윤모
소병수
박병건
이반 마이단축
이동현
이길원
백원봉
박종력
최보경
정재완
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Abstract

PURPOSE: A canister for a deposition apparatus, and a deposition apparatus and a deposition method using the same are provided to constantly maintain the amount of source materials contained in reactive gas supplied to a deposition chamber by constantly maintaining environment for vaporizing the source materials. CONSTITUTION: A source storage unit(230) stores source materials. A heating unit(220) is located at the outside of a main body(210). A supply controlling unit(240) controls the source materials supplied to the main body from the source storage unit. The supply controlling unit includes a first valve(V1) and a first controller(C1). The first valve is located at a first pipe(P1) which connects the main body and the source storage unit. The first controller opens and closes the first valve.

Description

증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법{Canister for deposition apparatus, Deposition apparatus using the same and Method of depositing} Canister for a deposition apparatus, the deposition apparatus and a deposition method using the same deposition apparatus for Canister {, Deposition apparatus using the same and Method of depositing}

본 발명은 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정과 같이 기판 상에 소스 물질을 증착시키는 증착 공정 시 증착 챔버에 공급되는 반응 가스에 함유된 소스 물질의 양이 일정하게 유지할 수 있는 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것이다. The present invention is the amount of source material contained in the reaction gas supplied to the deposition chamber during the deposition step of depositing the source material on a substrate, such as that of the deposition apparatus and a deposition method using the canister, which for vapor deposition apparatus, an atomic layer deposition process a canister for a deposition apparatus that can be maintained constant, to a deposition apparatus and a deposition method using the same.

평판 표시 장치(Flat Panel Display device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치(Cathode-ray Tube Display device)를 대체하는 표시 장치로 사용되고 있으며, 대표적인 예로서 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device; LCD)와 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting diode Display device; OLED)가 있다. The flat panel display (Flat Panel Display device) is a light weight and due to the properties of the thin, such as a cathode ray tube display device (Cathode-ray Tube Display device) for being used as an alternate display device, as a representative example a liquid crystal display device (Liquid Crystal Display device; a OLED); LCD) and organic light emitting display (organic Light Emitting display diode device. 이 중, 유기전계발광표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Backlight)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. Among them, the organic light emitting display device has the advantage of being excellent in luminance characteristics and viewing angle characteristics and does not require a backlight (Backlight) can be implemented as ultra-thin as compared to the liquid crystal display device.

상기 유기전계발광표시장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(Passive matrix) 방식과 능동 구동(Active matrix) 방식으로 나뉘는데, 능동 구동 방식은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하는 회로를 가진다. The organic light emitting display device is divided into passive driving method (Passive matrix) method and the active matrix (Active matrix) according to the driving method, an active driving method is a thin film transistor, and has a circuit using a (Thin Film Transistor TFT).

상기 박막트랜지스터는 일반적으로 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. The thin film transistor and typically includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode and a drain electrode including a source region, a drain region and a channel region. 상기 반도체층은 다결정 실리콘(polycrystalline silicon; poly-si) 또는 비정질 실리콘(amorphous silicon; a-si)으로 형성할 수 있으나, 상기 다결정 실리콘의 전자이동도가 비정질 실리콘의 그것보다 높아 현재는 다결정 실리콘을 주로 적용하고 있다. It said semiconductor layer is polysilicon (polycrystalline silicon; poly-si), or amorphous silicon (amorphous silicon; a-si) can be formed in. However, the electron mobility of the polysilicon is higher than that of amorphous silicon is now polycrystalline silicon mainly applied.

상기 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 방법 중 하나로 금속을 이용한 결정화 방법이 있으며, 상기 금속을 이용한 결정화 방법은 금속 타겟에 플라즈마를 인가하여 증착하는 스퍼터링(Sputtering) 공정 또는 금속 촉매를 포함하는 반응 가스를 이용하여 화학적인 방법으로 기판 상에 금속 촉매의 원자층을 형성하는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 공정 등에 의해 기판 상에 금속 촉매를 증착하고, 상기 금속 촉매를 시드(seed)로 상기 비정질 실리콘을 결정화함으로써, 비교적 낮은 온도에서 빠른 시간 내에 결정화시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. The amorphous silicon, and a crystallization method using the metal as one of the method of crystallizing a polysilicon, the reaction gas to the crystallization method using the metal comprises sputtering (Sputtering) process or a metal catalyst deposited by applying the plasma to the metal target used in the atomic layer deposition to form an atomic layer of a metal catalyst on a substrate by a chemical method (atomic layer deposition; ALD) wherein depositing the metal catalyst on a substrate by a process, and the metal catalyst as a seed (seed) amorphous It has the advantage that can be crystallized into the crystallization by a silicon, a short time at a relatively low temperature.

상기와 같은 금속 촉매를 이용한 결정화법은 균일한 결정을 얻기 위하여, 매 증착 공정마다 동일한 양의 금속 촉매를 포함하는 반응 가스가 증착 챔버로 유입되어야 하지만, 통상적으로, 증착 챔버로 반응 가스를 공급하는 캐니스터는 금속 촉매와 같은 소스 물질을 본체에 저장하고, 매 증착 공정 시 상기 본체의 외측에 위치하는 가열 수단에 의해 상기 본체를 가열하여 상기 소스 물질을 기화시킨 후, 캐리어 가스와 상기 기화된 소스 물질을 혼합하여 반응 가스를 생성하고 있으므로, 상기 본체에 잔존하는 소스 물질의 양 및 상기 잔존하는 소스 물질의 형태 또는 단면적에 따라 기화되는 소스 물질의 양이 달라져 상기 증착 챔버로 유입되는 반응 가스에 함유된 소스 물질의 양이 일정하게 유지되지 않는다는 문제점이 있다. Crystallization method using a metal catalyst as described above to obtain a uniform crystal, the reaction gas containing the same amount of metal catalyst per deposition process is to be introduced into the deposition chamber, but typically, for supplying a reaction gas into the deposition chamber canister is then stored for the source material, such as metal catalyst in the main body, vaporizing the source material by the heating means located outside of said body at every deposition process by heating the body, the carrier gas and the vaporized source material the so and mixed to generate the reaction gas, the amount of the source material to be vaporized in accordance with the shape or cross-sectional area of ​​the source material to the amount and the remaining of the source material remaining in the body alters contained in the reaction gas that flows into the deposition chamber the amount of source material has not been maintained constant problem.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 캐니스터로부터 증착 챔버로 공급되는 반응 가스에 함유된 소스 물질의 양을 일정하게 유지할 수 있는 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다. The present invention for solving the problems of the prior art, the canister for a deposition apparatus which can maintain a constant amount of the source material contained in the reaction gas supplied from the canister into the deposition chamber, the deposition apparatus and a deposition method using the same. there is the object of the present invention to provide.

본 발명의 상기 목적은 본체; The object of the present invention to the body; 소스 물질을 저장하는 소스 저장부; Source storage unit for storing the source material; 상기 본체 외부에 위치하는 가열 수단; Heating means positioned outside the main body; 및 상기 소스 저장부로부터 상기 본체로 공급되는 소스 물질을 제어하기 위한 공급 제어 수단을 포함하는 증착 장치용 캐니스터에 의해 달성된다. And it is achieved by a canister for a deposition apparatus that includes supply control means for controlling the source materials supplied to the body from the source storage unit.

또한, 본 발명의 상기 목적은 증착 챔버; Further, the object of the invention is a deposition chamber; 상기 증착 챔버에 반응 가스를 공급하기 위한 캐니스터; Canister for supplying the reaction gas into the deposition chamber; 및 상기 캐니스터에 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부를 포함하며, 상기 캐니스터는 본체, 가열 수단, 소스 저장부 및 상기 소스 저장부로부터 상기 본체로 공급되는 소스 물질을 제어하기 위한 제 1 공급 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치에 의해 달성된다. And a parts carrier gas supply for supplying a carrier gas to the canister, wherein the canister includes a first supply control means for controlling the source material to be fed into the main body from the main body, heating means, a source storage unit, and wherein the source storage unit is achieved by the deposition apparatus comprises a.

또한, 본 발명의 상기 목적은 캐니스터의 본체와 소스 저장부 사이에 제 1 밸브를 개방시켜, 상기 본체에 일정량의 소스 물질을 공급하고, 상기 제 1 밸브를 폐쇄시킨 후, 상기 소스 물질을 기화시키고, 상기 본체에 캐리어 가스를 공급하여, 상기 기화된 소스 물질과 혼합하고, 상기 캐리어 가스와 기화된 소스 물질이 혼합된 반응 가스를 증착 챔버에 공급하고, 상기 반응 가스를 이용하여 상기 증착 챔버 내의 기판에 소스 물질을 증착하는 것을 포함하는 증착 방법에 의해 달성된다. Further, to the object of the present invention opens the first valve between the canister body and the source storage unit, and supplies a predetermined amount of the source material to the body, then closing the first valve, and vaporizing the source material , the substrate in the deposition chamber to a carrier gas supply to the main body, supplying mixed with the vaporized source material, and the carrier gas with the source material mixed vaporized reactant gas to the deposition chamber, and using the reaction gas to is achieved by a deposition method comprising deposition of the source material.

따라서, 본 발명에 따른 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법은 별도의 소스 저장부를 구비하고, 매 증착 공정 시 상기 소스 저장부로부터 캐니스터의 본체에 1회 증착 공정에 사용할 양만큼의 소스 물질이 공급되도록 하여, 상기 소스 물질이 기화되는 환경을 동일하게 유지함으로써, 매 증착 공정 시 상기 증착 챔버에 공급되는 반응 가스에 함유된 소스 물질의 양이 일정하도록 하는 효과가 있다. Thus, the source of the amount used in the first deposition step time to the main body of the vapor deposition apparatus canister, the deposition apparatus and the deposition method is a separate source storage canister from the provided and sheets of the deposition process when said source storage unit section using the same according to the present invention there is an effect to ensure that material is fed, by maintaining the same environment in which the vaporized source material, the amount of source material contained in the reaction gas supplied to the deposition chamber during the deposition process sheets is constant.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. For details on the purpose and technical construction and thus the advantageous effects according to the present invention it will be more clearly understood from the following detailed description with reference to the drawing illustrating a preferred embodiment of the present invention. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낼 것이며, 도면에 있어서 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. In addition, the same reference numerals throughout the specification will represent the same components, the length of the layers and regions in the drawings, the thickness and the like may be exaggerated for convenience.

(실시 예) (Example)

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치를 나타낸 개략도이다. 1 is a schematic view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 증착 챔버(100), 상기 증착 챔버(100)로 반응 가스를 공급하기 위한 캐니스터(canister, 200) 및 상기 캐니스터(200)에 캐리어 가스(carrier gas)를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부(300)를 포함한다. 1, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a carrier gas into a deposition chamber 100, a canister (canister, 200) and the canister (200) for supplying the reaction gas into the deposition chamber 100, a carrier gas supply unit 300 for supplying the (carrier gas).

상기 증착 챔버(100)는 챔버 본체(110), 반응 가스를 상기 챔버 본체(110) 내부로 유입시키는 유입구(120)와 연결되며, 상기 반응 가스를 기판(S) 상에 균일하게 분사하기 위한 샤워 헤드(125), 상기 기판(S)을 지지하기 위한 지지척(115) 및 상기 잔존하는 반응 가스를 배출하기 위한 배출구(130)를 포함한다. The deposition chamber 100 includes a chamber body 110, the reaction gas chamber body 110 is connected to the inlet 120, for introducing into the shower for uniformly injecting the reactive gas onto the substrate (S) It includes a head 125, the substrate holding chuck 115 and an outlet 130 for discharging the reaction gas to the remaining to support the (S). 여기서, 상기 증착 챔버(100)는 원자층 증착 공정을 위한 원자층 증착(ALD) 챔버일 수 있으며, 원활한 원자층 증착 공정을 위하여, 상기 지지척(115)는 상기 기판(S)을 일정 온도로 유지하기 위한 온도 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다. Here, the deposition chamber 100 may be an atomic layer deposition (ALD) chamber for an atomic layer deposition process, to facilitate an atomic layer deposition process, the supporting chuck 115 is the substrate (S) at a constant temperature a temperature controller (not shown) for maintaining may further include.

상기 캐니스터(200)는 매 증착 공정마다 소스 물질을 기화시키고, 상기 캐리어 가스 공급부(300)로부터 공급된 캐리어 가스와 기화된 소스 물질을 혼합한 반응 가스를 상기 증착 챔버(100)로 공급하기 위한 것으로, 소스 물질을 기화시키기 위 한 본체(210), 상기 본체(210) 외측에 위치하는 가열 수단(220), 소스 물질을 저장하기 위한 소스 저장부(230) 및 상기 본체(210)로 공급되는 소스 물질의 양을 제어하기 위한 제 1 공급 제어 수단(240)을 포함한다. The canister 200 is designed to vaporize the source materials for each deposition process and the supply of the reaction gas mixture of the carrier gas and the vaporized source material is supplied from the carrier gas supply unit 300 into the deposition chamber 100, source to be supplied to the body with a view to vaporize the source material 210, a heating unit 220, the source storage unit 230 and the main body 210 for storing the source material which is located in the main body 210, the outer and a first feed control means 240 for controlling the amount of material. 여기서, 상기 소스 저장부(230)에 저장되는 소스 물질은 원자층 증착 공정에 사용되는 금속 파우더(powder) 또는 액상의 유기물일 수 있다. Here, the source material is stored in the source storage unit 230 may be a metal powder (powder) or a liquid organic material used in the atomic layer deposition process.

상기 제 1 공급 제어 수단(240)은 상기 본체(210)와 소스 저장부(230)를 연결하는 제 1 배관(P1)에 위치하는 제 1 밸브(V1) 및 상기 제 1 밸브(V1)의 개폐를 제어하기 위한 제 1 제어부(C1)을 포함한다. It said first feed control means 240 will open and close the first valve (V1) and the first valve (V1) located on the first pipe (P1) connecting the main body 210 and the source storage unit 230 a first control unit (C1) for controlling. 여기서, 상기 제 1 제어부(C1)는 상기 제 1 배관(P1)을 통해 상기 본체(210)로 유입되는 소스 물질의 양에 따라 상기 제 1 밸브(V1)의 개폐를 제어하며, 바람직하게는 상기 증착 챔버(100)에 의해 1회 증착 공정 시 사용되는 소스 물질의 양만큼 상기 본체(210)에 공급되는 순간 상기 제 1 밸브(V1)를 폐쇄되도록 한다. Here, the first control unit (C1) is based on the amount of source material that is introduced into the main body 210 through the first pipe (P1), and controls the opening and closing of the first valve (V1), preferably from the by an amount of the source material to be used for once a deposition process by the deposition chamber 100, so that the moment to be supplied to the main body 210 closing the first valve (V1).

도 1을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치에 의해 기판(S) 상에 소스 물질을 증착하는 증착 공정을 설명하면, 먼저, 캐니스터(200)의 본체(210)와 소스 저장부(230) 사이에 위치하는 제 1 배관(P1)의 제 1 밸브(V1)을 개방하여 상기 본체(210)로 일정양의 소스 물질이 공급되도록 한다. With reference to Figure 1, it will be described a deposition process for depositing the source material on a substrate (S) by the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, first, the main body 210 of the canister 200 and the source storage unit ( 230) such that by opening the first valve (V1) of the first pipe (P1) which is located between the source material a certain amount of feed in the main body 210.

이어서, 상기 제 1 밸브(V1)를 폐쇄하여 상기 본체(210)로 소스 물질이 공급되는 것을 차단하고, 상기 본체(210)의 외측에 위치하는 가열 수단(220)을 이용하여 상기 소스 물질을 기화시킨다. Then, the first close the first valve (V1) by preventing the source material supplied into the main body 210, and evaporation of the source material using a heating means 220 which is located outside of the main body 210 thereby. 여기서, 본 발명의 실시 예에서는 제 1 밸브(V1)를 폐쇄한 이후, 소스 물질을 기화시키는 것으로 설명하고 있으나, 상기 소스 물질 의 기화 공정은 상기 소스 물질을 상기 본체(210)에 공급되는 공정과 동시에 이루어질 수 있다. Here, in the embodiment of the invention the first valve (V1) vaporizing process of the later, but is described as to vaporize the source material, the source material closing the process that is fed to the main body 210 of the source material and It can be achieved simultaneously.

다음으로, 상기 본체(210)와 캐리어 가스 공급부(300) 사이의 제 2 배관(P2)를 통해 상기 본체(210)로 캐리어 가스를 공급하여, 상기 기화된 소스 물질과 캐리어 가스가 혼합된 반응 가스를 생성한다. Next, the main body 210 and the carrier gas supply unit 300, the second by the carrier gas supplied to the main body 210, on which the vaporized source material and carrier gas mixed reaction gas via the pipe (P2) between the the produce. 여기서, 상기 제 2 배관(P2) 상에 상기 캐리어 가스의 공급을 제어하기 위한 제 2 공급 제어 수단(420)이 위치하도록 하여, 상기 본체(210)로 소스 물질이 공급되는 순간에는 캐리어 가스가 상기 본체(210) 내부로 유입되지 않도록 하는 것이 바람직하다. The second second supply so as to control means 420 is located, the carrier gas moment that the source materials supplied to the main body 210 for controlling the supply of the carrier gas in the pipe (P2) is the it is desirable to avoid introducing into the main body 210.

또한, 상기 본체(210)와 증착 챔버(100)를 연결하는 제 3 배관(P3)에 제 3 공급 제어 수단(430)이 위치하도록 하여, 상기 본체(210) 내부에서 소스 물질의 기화 및 반응 가스가 생성되는 동안에는 상기 증착 챔버(100)로 불완전한 상태의 반응가스가 공급되지 않도록 하는 것이 바람직하다. Furthermore, the third pipe and to the third supply control means 430 is located at (P3), evaporation of the source material inside the main body 210 and the reaction gas for connecting the main body 210 and deposition chamber 100 it is preferable to prevent the reaction gas in an incomplete state to the deposition chamber 100 is supplied while the created.

상기 제 2 공급 제어 수단(420)은 제 2 밸브(V2) 및 상기 제 2 밸브(V2)의 개폐를 제어하는 제 2 제어부를 포함할 수 있으며, 상기 제 3 공급 제어 수단(430)은 제 3 밸브(V3) 및 상기 제 3 밸브(V3)의 개폐를 제어하기 위한 제 3 제어부(C3)를 포함할 수 있다. The second supply control means 420 is a second valve (V2) and the first may include a second control unit for controlling the opening and closing of the second valve (V2), the third supply control means 430 is a third It may include a third controller (C3) for controlling the opening and closing of the valve (V3) and the third valve (V3).

계속해서, 상기 제 3 밸브(V3)를 개방하여, 기화된 소스 물질과 캐리어 가스가 혼합된 반응 가스가 상기 증착 챔버(100)로 공급되도록 한다. Subsequently, by opening the third valve (V3), such that with a vaporized source material and carrier gas mixed reaction gas is supplied to the deposition chamber 100. 상기 증착 챔버(100)로 공급된 반응 가스는 상기 증착 챔버(100)의 유입구(120)에 연결된 샤워헤드(125)를 통해 기판(S) 상에 균일하게 분사되며, 상기 기판(S)에 증착되지 않은 반응 가스는 배출구(130)을 통해 상기 증착 챔버(100) 외부로 배출된다. The reaction gas supplied to the deposition chamber 100 is uniformly sprayed on the substrate (S) through the showerhead 125 is connected to the inlet 120 of the deposition chamber 100, the deposition on the substrate (S) be the reaction gas that is discharged to the outside of the deposition chamber 100 through the outlet 130.

이어서, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 증착 챔버(100)의 증착 공정이 완료된 이후, 상기 증착 챔버(100) 및 제 3 배관(P3)에 잔존하는 반응 가스를 제거하기 위하여, 상기 캐리어 가스 공급부(300)와 제 2 밸브(V2) 사이와 상기 증착 챔버(100)와 제 3 밸브(V3) 사이를 연결하는 제 4 배관(P4) 및 상기 제 4 배관(P4) 상에 위치하는 제 4 공급 제어 수단(440)을 포함할 수 있다. Then, the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention after the deposition process in the deposition chamber 100 is completed, in order to remove the reaction gas remaining in the deposition chamber 100 and the third pipe (P3), the carrier gas 4 which is located on the fourth pipe (P4) and the fourth pipe (P4) for connecting the supply unit 300 and the second valve (V2) between said deposition chamber 100 and the third valve (V3) It may include a supply control means (440). 여기서, 상기 제 2 공급 제어 수단(420) 및 제 3 공급 제어 수단(430)과 동일하게 상기 제 4 공급 제어 수단(440)은 제 4 밸브(V4) 및 상기 제 4 밸브(V4)의 개폐를 제어하기 위한 제 4 제어부(C4)를 포함할 수 있다. Here, the opening and closing of the second supply control means 420, and a third supply the same to the control means 430 of the fourth supply control means 440 is a fourth valve (V4) and the fourth valve (V4) It may include a fourth control unit (C4) for controlling.

결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법은 별도의 소스 저장부를 구비하고, 매 증착 공정 시 상기 소스 저장부로부터 캐니스터의 본체에 1회 증착 공정에 사용할 양만큼의 소스 물질이 공급되도록 함으로써, 매 증착 공정 시 상기 소스 물질이 기화되는 상기 캐니스터의 환경을 동일하게 유지하여, 상기 캐니스터에 의해 공급되는 반응 가스에 함유된 소스 물질의 양을 일정하게 유지할 수 있다. As a result, the amount to be used for the canister, this deposition apparatus and deposition method once the deposition process in the body of a separate source storage canister from the source storage unit at every deposition process, and an evaluation unit using according to an embodiment of the present invention by ensuring that the source material is supplied can be maintained at every deposition process to keep the same environment of the canister, that the vaporized source material, a constant amount of the source material contained in the reaction gas supplied by the canister.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치를 나타낸 개략도이다. 1 is a schematic view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면 주요 부호에 대한 부호의 설명> <Description of the drawing The main code>

100 : 증착 챔버 200 : 캐니스터 100: deposition chamber 200: canister

210 : 본체 220 : 가열 수단 210: Body 220: the heating means

230 : 소스 저장부 300 : 캐리어 가스 공급부 230: the source storage unit 300: carrier gas supply

240 : 제 1 공급 제어 수단 240: first supply control means

P1 ~ P4 : 제 1 내지 제 4 배관 P1 ~ P4: first to fourth pipes

V1 ~ V4 : 제 1 내지 제 4 밸브 V1 ~ V4: first to fourth valves

Claims (20)

  1. 본체; main body;
    소스 물질을 저장하는 소스 저장부; Source storage unit for storing the source material;
    상기 본체 외부에 위치하는 가열 수단; Heating means positioned outside the main body; And
    상기 소스 저장부로부터 상기 본체로 공급되는 소스 물질을 제어하기 위한 공급 제어 수단을 포함하는 증착 장치용 캐니스터. Canister for a deposition apparatus that includes supply control means for controlling the source materials supplied to the body from the source storage unit.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 공급 제어 수단은 상기 본체와 소스 저장부를 연결하는 제 1 배관에 위치하는 제 1 밸브 및 상기 제 1 밸브의 개폐를 제어하기 위한 제 1 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치용 캐니스터. A canister for the supply control means is a deposition apparatus comprising: a first controller for controlling the first valve and the opening and closing of the first valve which is located on a first pipe for connecting a storage section of the main body and the source.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 제 1 제어부는 상기 제 1 배관을 통해 상기 본체에 공급되는 소스 물질의 양에 따라 상기 제 1 밸브를 폐쇄하는 것을 특징으로 하는 증착 장치용 캐니스터. It said first control unit for the canister vapor deposition apparatus characterized in that for closing the first valve in accordance with the amount of source material to be supplied to the main body through the first pipe.
  4. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 소스 물질은 금속 파우더인 것을 특징으로 하는 증착 장치용 캐니스터. The source material for the canister vapor deposition apparatus characterized in that the metal powder.
  5. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 본체에 캐리어 가스가 공급되는 제 2 배관 및 상기 캐리어 가스와 기화된 소스 가스가 혼합된 반응 가스가 배출되는 제 3 배관을 더 포함하는 증착 장치용 캐니스터. Canister for vapor deposition apparatus further comprising: a third pipe for the second pipe and the carrier gas and the source gas is a reaction gas mixture is vaporized carrier gas is supplied to the main discharge.
  6. 증착 챔버; A deposition chamber;
    상기 증착 챔버에 반응 가스를 공급하기 위한 캐니스터; Canister for supplying the reaction gas into the deposition chamber; And
    상기 캐니스터에 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부를 포함하며, And comprising a carrier gas supply for supplying a carrier gas to the canister,
    상기 캐니스터는 본체, 가열 수단, 소스 저장부 및 상기 소스 저장부로부터 상기 본체로 공급되는 소스 물질을 제어하기 위한 제 1 공급 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. The canister vapor deposition apparatus characterized in that it comprises a first supply control means for controlling the source material to be fed into the main body from the main body, heating means, a source storage unit, and wherein the source storage unit.
  7. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 제 1 공급 제어 수단은 상기 본체와 소스 저장부를 연결하는 제 1 배관에 위치하는 제 1 밸브 및 상기 제 1 밸브의 개폐를 제어하기 위한 제 1 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. The first supply control means is a deposition apparatus comprising: a first controller for controlling the first valve and the opening and closing of the first valve which is located on a first pipe for connecting a storage section of the main body and the source.
  8. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 제 1 제어부는 상기 제 1 배관을 통해 상기 본체에 공급되는 소스 물질의 양에 따라 상기 제 1 밸브를 폐쇄하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. The first controller is a deposition apparatus, characterized in that for closing the first valve in accordance with the amount of source material to be supplied to the main body through the first pipe.
  9. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 소스 물질은 금속 파우더인 것을 특징으로 하는 증착 장치. The source material is deposited and wherein the metal powder.
  10. 제 6 항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 캐리어 가스 공급부로부터 상기 본체로 공급되는 캐리어 가스를 제어하기 위한 제 2 공급 제어 수단 및 상기 본체로부터 상기 증착 챔버로 공급되는 반응 가스를 제어하기 위한 제 3 공급 제어 수단을 더 포함하는 증착 장치. Second supply control means and the deposition device further comprises a third supply control means for controlling the reaction gas supplied to the deposition chamber from the main body for controlling the carrier gas supplied to the body from the carrier gas supply unit.
  11. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 제 2 공급 제어 수단은 상기 캐리어 가스 공급부와 본체를 연결하는 제 2 배관에 위치하는 제 2 밸브 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 제어하기 위한 제 2 제어부를 포함하고, 상기 제 3 공급 제어 수단은 상기 본체와 증착 챔버를 연결하는 제 3 배관에 위치하는 제 3 밸브 및 상기 제 3 밸브의 개폐를 제어하기 위한 제 3 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. The second supply control means is a second valve and a second control unit for controlling the opening and closing of the second valve, the third supply control means which is located on the second pipe for connecting the carrier gas supply unit and the main body is a third valve and the evaporator, characterized in that a third control unit for controlling the opening and closing of the third valve located in the third pipe connecting the main body and the deposition chamber.
  12. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 캐리어 가스 공급부와 제 2 공급 제어 수단 사이와 상기 증착 챔버와 제 3 공급 제어 수단 사이를 연결하는 제 4 배관 및 상기 캐리어 가스 공급부로부터 상기 증착 챔버로 공급되는 캐리어 가스를 제어하기 위한 제 4 공급 제어 수단을 더 포함하는 증착 장치. The carrier gas supply and the second supply control the fourth supply control and between the means from the fourth pipe and the carrier gas supply coupled between said deposition chamber and the third supply control means for controlling the carrier gas supplied to the deposition chamber deposition apparatus further includes means.
  13. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 제 4 공급 제어 수단은 상기 제 4 배관에 위치하는 제 4 밸브 및 상기 제 4 밸브의 개폐를 제어하기 위한 제 4 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. The fourth supply control means is a deposition apparatus comprises a fourth control unit for controlling the opening and closing of the fourth valve and said fourth valve positioned on the fourth line.
  14. 제 13 항에 있어서, 14. The method of claim 13,
    상기 제 4 제어부는 반응 가스에 의한 증착 공정이 종료된 이후에 상기 제 4 밸브를 개방시키는 것을 특징으로 하는 증착 장치. The fourth control unit is a deposition apparatus, comprising a step of opening the fourth valve after the deposition process by the reaction gas has ended.
  15. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 증착 챔버는 원자층 증착 공정을 위한 ALD 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 증착 장치. The deposition chamber is a vapor deposition apparatus characterized in that the ALD deposition chamber for an atomic layer deposition process.
  16. 캐니스터의 본체와 소스 저장부 사이에 제 1 밸브를 개방시켜, 상기 본체에 일정량의 소스 물질을 공급하고, By opening the first valve between the canister body and the source storage unit, and supplies a predetermined amount of the source material to the main body,
    상기 제 1 밸브를 폐쇄시킨 후, 상기 소스 물질을 기화시키고, After closing the first valve, and vaporizing the source material,
    상기 본체에 캐리어 가스를 공급하여, 상기 기화된 소스 물질과 혼합하고, By the carrier gas supplied to the main body, and mixed with the vaporized source material,
    상기 캐리어 가스와 기화된 소스 물질이 혼합된 반응 가스를 증착 챔버에 공급하고, The vaporized source material and the carrier gas and supply the mixed reaction gas into a deposition chamber,
    상기 반응 가스를 이용하여 상기 증착 챔버 내의 기판에 소스 물질을 증착하는 것을 포함하는 증착 방법. Deposition method comprising deposition of the source material to the substrate in the deposition chamber by using the reaction gas.
  17. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 소스 물질의 증착이 종료된 이후, 상기 캐리어 가스 공급부와 증착 챔버 사이의 제 4 밸브를 개방하여 상기 증착 챔버 내부 및 상기 증착 챔버와 본체를 연결하는 제 4 배관에 잔존하는 반응 가스를 제거하는 것을 더 포함하는 증착 방법. After the deposition of the source materials is completed, the removal of reaction gas remaining in the fourth pipe for connecting the carrier gas supply unit and the deposition fourth the deposition chamber interior and the deposition chamber and the body to open the valve between the chamber deposition method further comprises.
  18. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 소스 물질은 원자층 증착 공정에 의해 상기 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 방법. The source material is deposited characterized in that the deposition on the substrate by atomic layer deposition process.
  19. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 소스 물질은 금속 파우더인 것을 특징으로 하는 증착 방법. The source material is deposited characterized in that the metal powder.
  20. 제 16 항에 있어서, 17. The method of claim 16,
    상기 일정량은 상기 증착 챔버에서 1회의 증착 공정을 진행하기 위해 필요한 소스 물질의 양인 것을 특징으로 하는 증착 방법. The amount deposited is characterized in that an amount of the source material needed to proceed with a single deposition process in the deposition chamber.
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