KR20070078382A - 질화물 반도체 발광 소자 - Google Patents

질화물 반도체 발광 소자 Download PDF

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KR20070078382A
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oxygen concentration
composition
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타카시 쿄노
히데키 히라야마
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스미토모덴키고교가부시키가이샤
도꾸리쯔교세이호징 리가가쿠 겐큐소
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Abstract

InAlGaN층(19)은 양자우물 발광층(13)과 n형 질화갈륨계 반도체층(15) 사이에 설치된다. 양자우물 발광층(13)의 산소 농도는 InAlGaN층(19)의 산소 농도보다 낮다. 양자우물 발광층(13)은 p형 AlGaN 반도체층(17)과 InAlGaN층(19) 사이에 설치된다. InAlGaN층(19)의 인듐 조성은 InAlGaN 우물층(13a)의 인듐 조성보다도 크다. InAlGaN층(19)의 인듐 조성은 InAlGaN 장벽층(13b)의 인듐 조성보다도 크다. InAlGaN 우물층(13a)의 알루미늄 조성은 InAlGaN층(19)의 알루미늄 조성보다도 작다. InAlGaN 장벽층(13b)의 알루미늄 조성은 InAlGaN층(19)의 알루미늄 조성보다도 작다.

Description

질화물 반도체 발광 소자{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT GENERATING DEVICE}
도 1은 제1 실시 형태에 따른 질화물 발광 소자의 구조를 모식적으로 도시한 도면.
도 2a 및 도 2b는 구조 1 및 구조 2를 위한 제조 공정을 도시한 도면.
도 3a 및 도 3b는 구조 1을 위한 제조 공정을 도시한 도면.
도 4a 및 도4b는 구조 2를 위한 제조 공정을 도시한 도면.
도 5는 구조 1을 갖는 발광 다이오드를 모식적으로 도시한 도면.
도 6은 구조 2를 갖는 발광 다이오드를 모식적으로 도시한 도면.
도 7a는 온도 300 K에 있어서 측정된 구조 1의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이며, 도 7b는 온도 210 K에 있어서 측정된 구조 1의 발광 스펙트럼을 도시한 도면.
도 8a는 온도 300 K에 있어서 측정된 구조 2의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이며, 도 8b는 온도 210 K에 있어서 측정된 구조 2의 발광 스펙트럼을 도시한 도면.
도 9는 구조 1을 위한 밴드 다이어그램을 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 질화물 반도체 발광 소자 13 : 양자우물 발광층
15 : n 형 질화갈륨계 반도체층 17 : P 형 AlGaN 반도체층
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
특허 문헌 1(특허 공개 2000-164925호 공보)에는 더블 헤테로 접합 구조의 발광부를 구비하는 질화물 반도체 발광 소자가 기재되어 있다. 질화물 반도체 발광 소자는 산소 원자 농도를 Qa(원자/㎤)로 하고, 인듐(In) 조성비를 달리하는 주체층과 종속층으로 이루어지는 다층 구조의 n형 InGaN으로 이루어지는 발광층을 포함한다. 발광층은 산소 원자 농도를 Qa 이하의 Qc(원자/㎤)로 하는 III족 질화물 반도체로 이루어지는 n형 클래드층과, 산소 원자 농도를 Qc 이상이며, Qa 이하의 Qp(원자/㎤)로 하는 III족 질화물 반도체로 이루어지는 p형 클래드층에 협지되어 있다.
특허 문헌 1에서는 산소 농도 Qa의 InGaN 발광층은 산소 원자 농도를 Qa 이하의 산소 원자 농도 Qc의 n형 클래드층과, 산소 원자 농도를 Qc 이상 산소 원자 농도 Qa 이하의 산소 원자 농도 Qp의 p형 클래드층에 협지되어 있다. 또한, 특허 문헌 1은 InAlGaN 반도체층을 포함하는 발광층에 대해서는 하등 교시(敎示)하지 않는다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으며, 높은 캐리어 주입 효율 을 갖고 있으며, InAlGaN 반도체층을 포함하는 발광층을 구비하는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 의하면, 질화물 반도체 발광 소자는 (a) InX1AlY1Ga1 - X1 - Y1N 우물층(1〉X1〉0, 1〉Y1〉0)과 InX2AlY2Ga1 - X2 - Y2N 장벽층(1〉X2〉0, 1〉Y2〉0)을 포함하는 양자우물 발광층과, (b) n형 질화갈륨계 반도체층과, (c) 상기 양자우물 발광층과 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 사이에 설치된 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(1〉X3〉0, 1〉Y3〉0)과, (d) 상기 InX2AlY2Ga1 - X2 - Y2N 장벽층 재료의 밴드갭 폭보다 큰 밴드갭 폭을 갖는 p형 AlGaN 반도체층을 구비하고, 상기 양자우물 발광층은 상기 p형 AlGaN 반도체층과 상기 InX3AlY3Ga1 - X3 - Y3N층 사이에 설치되어 있으며, 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 상기 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 인듐 조성(X1)보다도 크고, 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 상기 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 인듐 조성(X2)보다도 크며, 상기 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 알루미늄 조성(Y1)은 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작고, 상기 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 알루미늄 조성(Y2)은 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작으며, 상기 양자우물 발광층의 산소 농도는 상기 InX3AlY3Ga1 - X3 -Y3N층의 산소 농도보다 낮다.
이 질화물 반도체 발광 소자에 의하면, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 인듐 조성(X1)보다도 클 뿐만 아니라, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 인듐 조성(X2)보다도 크기 때문에, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층은 우수한 완충 효과를 갖는다. 이 때문에, 발광층의 결정성을 양호하게 할 수 있다.
또한, InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 인듐 조성(X1)이 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)보다 작고, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 인듐 조성(X2)이 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)보다 작기 때문에, InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 알루미늄 조성(Y1)을 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작게 하는 동시에, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 알루미늄 조성(Y2)을 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작게 하여, 원하는 밴드갭폭을 갖는 InX1AlY1Ga1 - X1 - Y1N 우물층 및 InX2AlY2Ga1 - X2 - Y2N 장벽층을 얻을 수 있다.
또한, InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 알루미늄 조성(Y1) 및 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 알루미늄 조성(Y2)이 모두 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작기 때문에, 양자우물 발광층의 산소 농도를 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도보다 낮게 할 수 있다.
양자우물 발광층의 InAlGaN 반도체에 있어서 n형 도펀트로서 작용하는 산소 농도가 작아지기 때문에, p형 AlGaN층에의 전자의 누설이 감소하고, 발광 효율이 높아진다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서는 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도는 1×1018 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 산소 농도를 1×1018 cm-3 미만으로 하기 위해서는 성장 온도를 증가시켜 인듐 조성을 작게 해야 한다. 그러나, 산소 농도를 1×1018 cm-3 미만으로 하기 위해 인듐 조성을 작게 하면, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 완충 능력이 저하한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서는 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도는 1×1020 cm-3 이하인 것이 바람직하다. 산소 농도를 1×1020 cm-3을 초과하여 크게 하면, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층 자체의 결정 품질이 저하하고, 이 결정 품질의 저하는 발광층의 결정 품질에 영향을 준다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서는 상기 양자우물 발광층의 산소 농도는 1×1018 cm-3보다 작은 것이 바람직하다. 양자우물 발광층이 1×1018 cm-3 이상의 산소 농도가 되면, 양자우물 발광층의 결정 품질에 영향을 미치는 동시에, p형 AlGaN 반도체층으로의 전자의 누설이 증가한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서는 상기 양자우물 발광층의 산소 농도는 1×1016 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 1×1016 cm-3 미만의 산소 농도로 하기 위해서는 성장 온도를 높게 해야 하고, 그 경우 인듐 조성이 낮아지며, 발광 효율이 저하한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 III족 질화물 지지 기체를 더욱 구비할 수 있다. 상기 n형 질화갈륨계 반도체층은 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층과 상기 III족 질화물 기판 사이에 설치될 수 있다. III족 질화물 지지 기체를 이용함으로써, 양호한 결정 품질의 질화갈륨계 반도체의 성장을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서는 상기 III족 질화물 지지 기체는 질화갈륨 지지 기체인 것이 바람직하다. 저전위 밀도의 지지 기체가 제공된다.
본 발명의 상기한 목적 및 다른 목적, 특징 및 이점은 첨부 도면을 참조하여 진행되는 본 발명의 적합한 실시 형태의 이하의 상세한 기술로부터, 보다 용이하게 밝혀진다.
본 발명의 지견은 예시로서 도시된 첨부 도면을 참조하여 이하의 상세한 기술을 고려함으로써 용이하게 이해할 수 있다. 이어서, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 질화물 반도체 발광 소자에 따른 실시 형태를 설명한다. 가능한 경우에는 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙인다.
(제1 실시 형태)
도 1은 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 구조를 도시하는 도 면이다. 질화물 반도체 발광 소자(11)는 양자우물 발광층(13)과, n형 질화갈륨계 반도체층(15)과, p형 AlGaN 반도체층(17)을 구비한다. 양자우물 발광층(13)은 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(1〉X1〉0, 1〉Y1〉0) 우물층(13a)과 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N(1〉X2〉0, 1〉Y2〉0) 장벽층(13b)을 포함한다. 또한, 질화물 반도체 발광 소자(11)는 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N(1〉X3〉0, 1〉Y3〉0)층(19)을 포함한다. InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)은 양자우물 발광층(13)과 n형 질화갈륨계 반도체층(15) 사이에 설치되어 있다. p형 AlGaN 반도체층(17)은 InX2AlY2Ga1 - X2 - Y2N 장벽층(13b) 재료의 밴드갭폭(EB)보다 큰 밴드갭폭(ECP)을 갖는다. 양자우물 발광층(13)은 p형 AlGaN 반도체층(17)과 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19) 사이에 설치되어 있다. InX3AlY3Ga1 - X3 - Y3N층(19)의 인듐 조성(X3)은 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(13a)의 인듐 조성(X1)보다도 크다. InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 인듐 조성(X3)은 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(13b)의 인듐 조성(X2)보다도 크다. InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(13a)의 알루미늄 조성(Y1)은 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작다. InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(13b)의 알루미늄 조성(Y2)은 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작다. 양자우물 발광층(13)의 산소 농도는 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 산소 농도보다 낮다.
이 질화물 반도체 발광 소자(11)에 의하면, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 인듐 조 성(X3)은 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(13a)의 인듐 조성(X1)보다도 클 뿐만 아니라, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(13b)의 인듐 조성(X2)보다도 크기 때문에, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)은 우수한 완충 효과를 갖는다. 이 때문에, 양자우물 발광층(13)의 결정성 및 발광 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(13a)의 인듐 조성(X1)이 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 인듐 조성(X3)보다 작고, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(13b)의 인듐 조성(X2)이 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 인듐 조성(X3)보다 작기 때문에, InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(13a)의 알루미늄 조성(Y1)을 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작게 하는 동시에, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(13b)의 알루미늄 조성(Y2)을 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작게 하여, 원하는 밴드갭폭(EW, EB)을 각각 갖는 InX1AlY1Ga1 - X1 - Y1N 우물층 및 InX2AlY2Ga1 - X2 - Y2N 장벽층을 얻을 수 있다.
또한, InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(13a)의 알루미늄 조성(Y1) 및 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(13b)의 알루미늄 조성(Y2)이 모두 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작기 때문에, 양자우물 발광층(13)의 산소 농도(N13)를 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도(N19)보다 낮게 할 수 있다. 양자우물 발광층(13)의 InAlGaN 반도체에 있어서 n형 도펀트로서 작용하는 산소 농도가 작아지기 때문에, p형 AlGaN층 에의 전자의 누설이 감소하고, 발광 효율이 높아진다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 양자우물 발광층(13)은 자외선 파장 영역의 광을 발생하도록 구성되어 있다. 바람직하게는, 피크 발광 파장은 260 nm 이상 360 nm 이하의 범위에 있다. 양자우물 발광층(13)은 양자우물 구조를 갖기 때문에, 우물층의 밴드갭폭 및/또는 조성, 장벽층의 밴드갭폭 및/또는 조성을 조정함으로써 자외선 파장 영역에 있어서 원하는 파장의 광을 발생하도록 구성된다.
질화물 반도체 발광 소자(11)는 III족 질화물 지지 기체(21)를 더 구비할 수 있다. n형 질화갈륨계 반도체층(15)은 InX3AlY3Ga1 - X3 - Y3N층(19)과 III족 질화물 지지 기체(21) 사이에 설치될 수 있다. III족 질화물 지지 기체(21)를 이용함으로써, 양호한 결정 품질의 질화갈륨계 반도체의 성장을 제공할 수 있다. 바람직하게는, III족 질화물 지지 기체(21)는 n형 질화갈륨 지지 기체이다. 저관통(貫通)전위 밀도의 지지 기체가 질화물 반도체 발광 소자(11)에 제공된다.
질화물 반도체 발광 소자(11)는 III족 질화물 지지 기체(21) 상에 설치된 버퍼층(23)을 더욱 포함할 수 있다. 버퍼층(23)은 n형 질화갈륨계 반도체로 이루어진다. n형 질화갈륨계 반도체는, 예컨대 n형 GaN 또는 n형 AlGaN이다.
질화물 반도체 발광 소자(11)는 p형 AlGaN 반도체층(17) 상에 설치된 p형 질화갈륨계 반도체층(25)을 포함할 수 있다. p형 질화갈륨계 반도체층(25)은 p형 AlGaN 반도체층(17)의 밴드갭폭보다도 작은 밴드갭 길이를 갖고 있으며, 예컨대 p형 AlGaN 또는 p형 GaN이다.
질화물 반도체 발광 소자(11)는 p형 질화갈륨계 반도체층(25) 상에 설치된 제1 전극(27)과, III족 질화물 지지 기체(21)의 이면에 설치된 제2 전극(29)을 포함한다. 제1 전극(27)은 애노드 전극으로서 작동하고, 제2 전극(29)은 캐소드 전극으로서 작동한다. 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하면, 양자우물 발광층(13)에 캐리어가 주입되고, 캐리어의 재결합에 의해 광(L)이 발생한다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 산소 농도(N19)는 1×1018 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 산소 농도를 1×1018 cm-3 미만으로 하기 위해서는 성장 온도를 증가시킬 필요가 있다. 이는 인듐 조성의 저하를 야기하고, 또한 InX3AlY3Ga1 - X3 - Y3N층(19)의 완충 능력의 열화를 야기한다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19)의 산소 농도(N19)는 1×1020 cm-3 이하인 것이 바람직하다. 산소 농도를 1×1020 cm-3을 초과하여 크게 하면, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(19) 자체의 결정 품질이 저하하고, 이 결정 품질의 저하는 양자우물 발광층의 결정 품질에 영향을 준다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 양자우물 발광층(13)의 산소 농도는 1×1018 cm-3보다 작은 것이 바람직하다. 양자우물 발광층(13)이 1×1018 cm-3 미만의 산소 농도가 되면, 양자우물 발광층(13)의 결정 품질에 영향을 미치는 동시에, p형 AlGaN 반도체층으로의 전자의 누설을 증가시킨다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 양자우물 발광층(13)의 산소 농도는 1× 1016 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 1×1016 cm-3 미만의 산소 농도로 하면, 인듐 조성이 낮아지며, 발광 효율이 저하한다.
또한, 질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 우물층(13a)의 산소 농도는 1×1018 cm-3보다 작은 것이 바람직하다. 우물층(13a)이 1×1018 cm-3 이상의 산소 농도가 되면, 우물층(13a)의 결정 품질에 영향을 미치는 동시에, p형 AlGaN 반도체층으로의 전자의 누설을 증가시킨다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 우물층(13a)의 산소 농도는 1×1016 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 1×1016 cm-3 미만의 산소 농도로 하기 위해서는 성장 온도를 높게 해야 하며, 그 경우, 인듐 조성이 낮아지고, 발광 효율이 저하한다.
또한, 질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 장벽층(13b)의 산소 농도는 1×1018 cm-3보다 작은 것이 바람직하다. 장벽층(13b)이 1×1018 cm-3 이상의 산소 농도가 되면, 장벽층(13b)의 결정 품질에 영향을 미치는 동시에, p형 AlGaN 반도체층으로의 전자의 누설을 증가시킨다.
질화물 반도체 발광 소자(11)에서는 장벽층(13b)의 산소 농도는 1×1016 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 1×1016 cm-3 미만의 산소 농도로 하기 위해서는 성장 온도를 높게 해야 하며, 그 경우, 인듐 조성이 낮아지고, 발광 효율이 저하한다.
(제2 실시 형태)
도 2a, 도 2b, 도 3a 및 도 3b 를 참조하면서, 질화물 반도체 발광 소자의 제작 방법을 설명한다. 질화갈륨 웨이퍼(31)를 준비한다. 질화갈륨 웨이퍼(31)는 도전성을 갖고 있으며, n형 GaN으로 이루어진다. 질화갈륨 웨이퍼(31)를 유기 금속 기상 성장로 안에 배치한다. 우선, 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 질화갈륨 웨이퍼(31)의 서멀 클리닝을 행한다. 서멀 클리닝을 위해, 유기 금속 기상 성장로의 온도를 섭씨 1050°로 설정한다. 유기 금속 기상 성장로에는 암모니아 및 수소(NH3＋H2)를 포함하는 가스를 공급하고, 예컨대 10분간, 질화갈륨 웨이퍼(31)의 열처리를 행한다.
이 후에, 도 2a에 도시되는 바와 같이, 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 n형 GaN막(33)을 질화갈륨 웨이퍼(31) 상에 성장한다. 이 성장은, 예컨대 섭씨 1150°에 있어서 행해지고, n형 GaN막(33)의 두께는 예컨대 2 마이크로미터이다. 계속해서, 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 n형 AlGaN막(35)을 n형 질화갈륨막(33) 상에 성장한다. 이 성장은, 예컨대 섭씨 1080°에 있어서 행해진다. n형 AlGaN막(35)의 조성은 예컨대 Al0 .18Ga0 .82N이며, 그 두께는 예컨대 30 나노미터이다.
도 2b에 도시되는 바와 같이, 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 n형 InAlGaN 완충막(37)[제1 실시 형태의 기술과 동일하게, InX3AlY3Ga1 - X3 - Y3N층(1〉U3〉0, 1〉V3〉0)으로 기재]을 n형 AlGaN막(35) 상에 성장한다. 이 성장은, 예컨대 섭씨 780°에 있어서 행해진다. n형 InAlGaN 완충막(37)의 조성은 예컨대 n형 In0.05 Al0.24Ga0.71N막(37)이며, 그 두께는 예컨대 35 나노미터이다. 이들의 공정에 의해 에피택셜 기판(B)을 얻을 수 있다.
계속해서, 도 3a 및 도 3b 를 참조하면서 양자우물 발광 영역의 형성을 설명한다. 우선, 도 3a에 도시되는 바와 같이, 구조 1을 위한 양자우물 발광 영역(39)을 에피택셜 기판(B) 상에 성장한다. 양자우물 발광 영역(39)은 우물층(39a) 및 장벽층(39b)을 포함한다. 우물층(39a)은 InU1AlV1Ga1-U1-V1N 우물층(1〉U1〉0, 1〉V1〉0)으로 이루어진다. 장벽층(39b)은 InU2AlV2Ga1-U2-V2N 장벽층(1〉U2〉0, 1〉V2〉0)으로 이루어진다. 양자우물 발광 영역(39)의 형성 온도는 InAlGaN 완충막(37)의 성장 온도와 실질적으로 동일한 온도로 행해진다. 본 실시예에서는 양자우물 발광 영역(39)의 성장은, 예컨대 섭씨 780°에 있어서 행해진다. 일실시예에서는 우물층(39a)의 조성은 In0.06Al0.19Ga0.75N 우물층이며, 또한 장벽층(39b)의 조성은 In0.05Al0.24Ga0.71N 장벽층이다. In0.06Al0.19Ga0.75N 우물층의 두께는 2.5 나노미터이며, In0.05Al0.24Ga0.71N 장벽층의 두께는 15 나노미터이다.
도 3b에 도시되는 바와 같이, 전자 블록을 위한 p형 AlGaN막(41)을 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 형성한다. 이 성장은, 예컨대 섭씨 1030°에 있어서 행해진다. p형 AlGaN막(41)의 조성은 예컨대 Al0.27Ga0.73N이며, p형 AlGaN막(41)의 두께는 예컨대 25 나노미터이다. 계속해서, 양호한 오믹 콘택트를 형성하기 위한 p형 AlGaN막(43)을 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 형성한다. 이 성장은, 예컨 대 섭씨 1030°에 있어서 행해진다. p형 AlGaN막(43)의 조성은 예컨대 Al0.18 Ga0.82N이며, p형 AlGaN막(43)의 두께는 예컨대 60 나노미터이다. 이들의 공정에 의해, 에피택셜 기판(B1)을 얻을 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면서, 구조 2를 위한 양자우물 발광 영역(45)의 형성을 설명한다. 양자우물 발광 영역(45)을 에피택셜 기판(B) 상에 성장한다. 양자우물 발광 영역(45)은 우물층(45a) 및 장벽층(45b)을 포함한다. 우물층(45a)은 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(1〉X1〉0, 1〉Y1〉0)으로 이루어진다. 장벽층(45b)은 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(1〉X2〉0, 1〉Y2〉0)으로 이루어진다. 양자우물 발광 영역(45)의 형성 온도는 InAlGaN 완충막(37)의 성장 온도보다도 높은 온도로 행해진다. 본 실시예에서는 양자우물 발광 영역(45)의 성장은, 예컨대 섭씨 830°에 있어서 행해진다. 이 때, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 인듐 조성(X1)보다도 크고, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 인듐 조성(X2)보다도 크다. InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 알루미늄 조성(Y1)은 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작고, InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 알루미늄 조성(Y2)은 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작다. 일실시예에서는 우물층(45a)의 조성은 In0.02Al0.09Ga0.81N 우물층이다. 장벽층(45b)의 조성은 In0.02Al0.22Ga0.76N 장벽층이다. In0.02Al0.09Ga0.81N 우물층의 두께는 2.7 나노미 터이며, In0.02Al0.22Ga0.76N 장벽층의 두께는 15 나노미터이다.
도 4b에 도시되는 바와 같이, 전자 블록을 위한 p형 AlGaN막(47)을 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 형성한다. 이 성장은, 예컨대 섭씨 1030°에 있어서 행해진다. p형 AlGaN막(47)의 조성은 예컨대 Al0.27Ga0.73N이며, p형 AlGaN막(47)의 두께는 예컨대 25 나노미터이다. 계속해서, 양호한 오믹 콘택트를 형성하기 위한 p형 AlGaN막(49)을 유기 금속 기상 성장로를 이용하여 형성한다. 이 성장은, 예컨대 섭씨 1030°에 있어서 행해진다. p형 AlGaN막(49)의 조성은 예컨대 Al0.18Ga0.82N이며, p형 AlGaN막(49)의 두께는 예컨대 60 나노미터이다. 이들의 공정에 의해, 에피택셜 기판(B2)을 얻을 수 있다.
에피택셜 기판(B1, B2)을 SIMS법에 의해 분석하여, 양자우물 발광층(39, 45)의 산소 농도를 대략 계산한다. 에피택셜 기판(B1)의 양자우물 발광층(39) 및 완충막의 산소 농도는 모두 약 1×1018 cm-3이다. 에피택셜 기판(B2)의 양자우물 발광층(45) 및 완충막의 산소 농도는, 각각 약 5×1017 cm-3, 약 1×1018 cm-3이다. 이 결과, AlInGaN의 성장 온도를 높게 하면 산소 농도가 작아지는 것을 나타내고 있다. 산소농도의 저감에 의해 결정 품질이 양호해진다.
Ni/Au라는 애노드 전극(51a)을 에피택셜 기판(B1)의 p형 영역에 형성하는 동시에, Ti/Al이라는 캐소드 전극(51b)을 에피택셜 기판(B1)의 GaN 기판 이면에 형성하여, 도 5에 도시되는 LED 구조(S1)를 형성한다. 또한, 에피택셜 기판(B2)의 p형 영역에 Ni/Au라는 애노드 전극(53a)을 형성하는 동시에, 에피택셜 기판(B2)의 GaN 기판의 이면에 Ti/Al이라는 캐소드 전극(53b)을 형성하여, 도 6에 도시되는 LED 구조(S2)를 형성한다.
이들의 LED 구조(S1, S2)에 전압을 인가하여 광출력을 측정한다. 도 7a 및 도 7b는 LED 구조(S1)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 8a 및 도 8b는 LED 구조(S2)의 발광 스펙트럼을 도시한다. 도 7a 및 도 8a의 발광 스펙트럼은 온도 300 K에 있어서 측정되고, 도 7b 및 도 8b의 발광 스펙트럼은 온도 210 K에 있어서 측정된다. LED 구조(S1, S2) 중 어느 한쪽의 발광 스펙트럼도 온도 300 K에서는 단일의 예리한 피크를 갖고 있다. 그러나, LED 구조(S1)의 발광 스펙트럼은 온도 210 K에 있으면 피크 파장보다도 장파 길이의 파장 영역에 발광이 발생하는 것을 나타내는 고조를 갖는다.
LED 구조(S1)의 발광 스펙트럼에 나타나는 고조는, p형 AlGaN 영역에 있어서의 발광이라고 생각된다. p형 AlGaN의 발광 효율은 실온 정도에서는 그다지 크지 않다. 그러나, 저온에서는 p형 AlGaN의 발광 효율이 높아지는 동시에, p형 AlGaN의 전기 특성이 열화되기 때문에, 양자우물 발광 영역으로부터 전자가 누설되는 영향이 발광 스펙트럼에 나타난다. 한편, LED 구조(S2)의 발광 스펙트럼에는 고조가 나타나고 있지 않다. 즉, 도 9에 도시되는 바와 같이, 양자우물 활성층의 산소 농도가 높으면, p형 AlGaN 영역에의 전자의 누설(E2)이 많아지며, 캐리어 주입 효율이 열화된다. 왜냐하면, 산소 원자는 질화갈륨계 반도체 중에 있어서, 도너성 불순물로서 작용하기 때문이다. 양자우물 활성층에 있어서 전자(E1)와 홀(H1)이 재 결합하면, 350 nm의 파장 성분을 갖는 광(자외선)이 발생한다. p형 AlGaN 영역에 있어서 전자(E2)와 홀(H2)이 재결합하면, 390 nm의 파장 성분을 갖는 광이 발생한다. 이 발광은 마그네슘(Mg)에 기인하는 깊은 엑셉터 레벨과 관련하고 있으며, 390 nm 부근에 피크를 갖는 넓은 발광 스펙트럼을 나타낸다.
LED 구조(S2)의 발광 피크 강도는 LED 구조(S1)의 발광 피크 강도의 약 2배이다.
이것은 다음과 같이 생각할 수 있다.
(1) 양자우물 발광층의 성장 온도를 높게 하면, 우물층과 장벽층과의 계면의 급준성이 양호해진다.
(2) 양자우물 발광층의 성장 온도를 높게 하면, 산소의 취득이 적어지고, 이 결과로서, 양자우물 발광층의 결정성이 향상된다.
(3) 산소 농도가 작아지면, 캐리어의 주입 효율이 향상된다.
이 때문에, 양자우물 활성층에 있어서 전자(E)의 대부분이 홀(H)과 재결합하기 때문에, 350 nm의 파장 성분을 갖는 광(자외선)의 발광 강도가 강해진다. p형 AlGaN 영역에 있어서의 재결합은 매우 적다.
적합한 실시 형태에 있어서 본 발명의 원리를 도시하여 설명하였지만, 본 발명은 그와 같은 원리로부터 일탈하지 않고, 배치 및 상세한 내용에 있어서 변경될 수 있는 것은 당업자에 의해 인식된다. 본 발명은 본 실시 형태에 개시된 특정한 구성에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 특허청구의 범위 및 그 정신의 범위로부터 오는 모든 수정 및 변경에 권리를 청구한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 높은 캐리어 주입 효율을 가지며, InAlGaN 반도체층을 포함하는 발광층을 구비하는 질화물 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. n형 질화갈륨계 반도체층과,
    InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층(1〉X1〉0, 1〉Y1〉0)과 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층(1〉X2〉0, 1〉Y2〉0)을 포함하는 양자우물 발광층과,
    상기 양자우물 발광층과 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 사이에 설치된 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층(1〉X3〉0, 1〉Y3〉0)과,
    상기 InX2AlY2Ga1 - X2 - Y2N 장벽층 재료의 밴드갭 폭보다 큰 밴드갭 폭을 갖는 p형 AlGaN 반도체층
    을 구비하고,
    상기 양자우물 발광층은 상기 p형 AlGaN 반도체층과 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층 사이에 설치되며,
    상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 상기 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 인듐 조성(X1)보다도 크고,
    상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 인듐 조성(X3)은 상기 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 인듐 조성(X2)보다도 크며,
    상기 InX1AlY1Ga1-X1-Y1N 우물층의 알루미늄 조성(Y1)은 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작고,
    상기 InX2AlY2Ga1-X2-Y2N 장벽층의 알루미늄 조성(Y2)은 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 알루미늄 조성(Y3)보다도 작으며,
    상기 양자우물 발광층의 산소 농도는 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도는 1×1018 cm-3 이상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층의 산소 농도는 1×1020 cm-3 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양자우물 발광층의 산소 농도는 1×1018 cm-3보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양자우물 발광층의 산소 농도는 1×1016 cm-3 이상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, III족 질화물 지지 기체를 더 포함하고,
    상기 n형 질화갈륨계 반도체층은 상기 InX3AlY3Ga1-X3-Y3N층과 상기 III족 질화물 기판 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 III족 질화물 지지 기체는 질화갈륨 지지 기체인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101007087B1 (ko) * 2009-10-26 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101157758B1 (ko) * 2009-07-15 2012-06-26 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 반도체 광소자
KR20150144041A (ko) * 2014-06-16 2015-12-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG115549A1 (en) * 2002-07-08 2005-10-28 Sumitomo Chemical Co Epitaxial substrate for compound semiconductor light emitting device, method for producing the same and light emitting device
CN101689523B (zh) * 2007-07-17 2012-02-22 住友电气工业株式会社 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
JP2010123920A (ja) * 2008-10-20 2010-06-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物系半導体発光素子を作製する方法、及びエピタキシャルウエハを作製する方法
KR101018088B1 (ko) * 2008-11-07 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 질화물 반도체 소자
JP2010212651A (ja) * 2009-09-08 2010-09-24 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法
DE102009060749B4 (de) 2009-12-30 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102009060747A1 (de) 2009-12-30 2011-07-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Halbleiterchip
CN102280547A (zh) * 2011-08-31 2011-12-14 厦门大学 一种有源区为p型的氮化镓系半导体发光管
CN102368519B (zh) * 2011-10-27 2016-04-20 华灿光电股份有限公司 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法
CN102623596A (zh) * 2012-04-25 2012-08-01 华灿光电股份有限公司 一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管
CN108511567A (zh) * 2013-03-15 2018-09-07 晶体公司 与赝配电子和光电器件的平面接触
JP6721816B2 (ja) * 2015-06-29 2020-07-15 株式会社タムラ製作所 窒化物半導体テンプレート及び紫外線ｌｅｄ
JP6654596B2 (ja) * 2017-03-24 2020-02-26 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
US10156335B1 (en) * 2017-08-01 2018-12-18 Epistar Corporation Light-emitting device
CN117691019B (zh) * 2024-02-02 2024-04-30 江西兆驰半导体有限公司 一种P型GaN层发光二极管外延片及制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06164055A (ja) * 1992-11-25 1994-06-10 Asahi Chem Ind Co Ltd 量子井戸型半導体レーザ
JP2956623B2 (ja) * 1996-12-02 1999-10-04 日本電気株式会社 自励発振型半導体レーザ素子
JP3371828B2 (ja) 1998-11-24 2003-01-27 昭和電工株式会社 窒化物半導体発光素子
US6570898B2 (en) * 1999-09-29 2003-05-27 Xerox Corporation Structure and method for index-guided buried heterostructure AlGalnN laser diodes
JP3726252B2 (ja) * 2000-02-23 2005-12-14 独立行政法人理化学研究所 紫外発光素子およびＩｎＡｌＧａＮ発光層の製造方法
US7700940B2 (en) * 2002-07-16 2010-04-20 Nitride Semiconductor Co., Ltd. Gallium nitride-based compound semiconductor device
JP4903982B2 (ja) * 2003-12-04 2012-03-28 重弥 成塚 半導体素子及びその製造方法
JP5028640B2 (ja) * 2004-03-26 2012-09-19 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP2006332370A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体発光素子

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101157758B1 (ko) * 2009-07-15 2012-06-26 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 반도체 광소자
US8927962B2 (en) 2009-07-15 2015-01-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III nitride semiconductor optical device
KR101007087B1 (ko) * 2009-10-26 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8314414B2 (en) 2009-10-26 2012-11-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package for improving a light emission efficency
US8716693B2 (en) 2009-10-26 2014-05-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package for improving a light emission efficiency
US8994001B2 (en) 2009-10-26 2015-03-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device for improving a light emission efficiency
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