KR20070077713A

KR20070077713A - Apparatus for thermal processing of semiconductor substrates

Info

Publication number: KR20070077713A
Application number: KR1020060007448A
Authority: KR
Inventors: 양재현; 조귀영
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-01-24
Filing date: 2006-01-24
Publication date: 2007-07-27

Abstract

A heat treatment apparatus for a semiconductor substrate is provided to check previously failure factors of a substrate heat treatment by monitoring process parameters such as the oxygen concentration and temperature according to the height of a process chamber using an oxygen concentration detecting unit. A heat treatment apparatus for a semiconductor substrate includes a process chamber(100), a boat(200) for loading/unloading a plurality of substrate to/from the process chamber, a cap member(300) for opening/closing a lower portion of the process chamber, a heating unit(400) for heating the inside of the process chamber, and an oxygen concentration detecting unit. The oxygen concentration detecting unit(500) is used for sensing an oxygen concentration of the process chamber.

Description

Heat treatment device for semiconductor substrate {APPARATUS FOR THERMAL PROCESSING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판 열처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 단면도,1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor substrate heat treatment apparatus according to the present invention,

도 2는 도 1에 도시된 내부 튜브의 개략적 사시도,FIG. 2 is a schematic perspective view of the inner tube shown in FIG. 1;

도 3은 도 2에 도시된 내부 튜브의 개략적 평면도이다.3 is a schematic plan view of the inner tube shown in FIG. 2.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 처리실 112 : 배기관100: treatment chamber 112: exhaust pipe

200 : 보트 300 : 캡 부재200: boat 300: cap member

310a,310b : 분사홀 400 : 가열 부재310a, 310b: injection hole 400: heating member

500 : 산소 농도 검출 유닛 510 : 감지관500: oxygen concentration detection unit 510: detection tube

520 : 산소 농도 검출부 530 : 농도 제어부520: oxygen concentration detection unit 530: concentration control unit

540 : 표시부 550 : 온도 검출부540: display unit 550: temperature detector

560 : 온도 제어부560 temperature control unit

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 열처리하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to an apparatus for heat treating a semiconductor substrate.

일반적으로 반도체 소자의 제조에서는 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 팹(FAB) 공정과, 패턴이 형성된 웨이퍼를 각 단위 칩으로 조립하는 어셈블리 공정이 수행된다. 그리고 팹 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼를 구성하고 있는 각 단위 칩의 전기적 특성을 검사하여 정상 및 불량 여부를 판별하는 이디에스(Electric Die Sorting : EDS) 공정이 수행된다. In general, in the fabrication of semiconductor devices, a fabrication process is performed on a wafer (FAB), and an assembly process of assembling the wafer on which the pattern is formed into unit chips. In addition, an electric die sorting (EDS) process is performed between the fab process and the assembly process to examine the electrical characteristics of each unit chip constituting the wafer to determine whether it is normal or defective.

이디에스(EDS) 공정에서는 웨이퍼를 구성하는 칩들에 전기적 신호를 인가시켜 칩의 전기적 단선, 쇼트 등과 같은 기본적인 전기적 불량 여부를 판단한다. 이후 웨이퍼 칩의 열에 대한 신뢰성을 확인하기 위하여 웨이퍼를 고온 열처리하는 베이킹 공정이 진행되고, 베이킹 공정을 통해 열적 스트레스가 가해진 웨이퍼 상의 칩들에 전기적 신호를 인가시켜 메모리 데이터의 유실 여부 등을 테스트한다. 테스트 결과 불량으로 판정된 웨이퍼 상의 칩에는 잉크로 마킹을 하고, 이후 공정에서 웨이퍼에 열을 가하여 칩에 마킹된 잉크 액과 웨이퍼 위에 남아 있는 수분을 건조시킨다. 그리고 불량 칩에 마킹된 잉크 마크의 잉크 크랙 상태 등을 현미경을 이용하여 검사한다.In the EDS process, an electrical signal is applied to the chips constituting the wafer to determine basic electrical defects such as electrical disconnection and short of the chip. Thereafter, a baking process of high temperature heat treatment of the wafer is performed to confirm the reliability of the heat of the wafer chip, and an electrical signal is applied to the chips on the wafer subjected to thermal stress through the baking process to test whether the memory data is lost. The chip on the wafer determined to be defective as a result of the test is marked with ink, and then heat is applied to the wafer in the process to dry the ink liquid marked on the chip and the moisture remaining on the wafer. The ink crack state of the ink mark marked on the defective chip is inspected using a microscope.

상술한 바와 같은 이디에스 공정 중 베이킹 공정과 잉크 마크를 건조시키는 공정에서는, 복수의 웨이퍼들이 수납된 보트를 종형 타입의 처리실로 반입시킨 후 처리실 내를 가열함과 동시에, 웨이퍼 상에 산화막 등의 생성을 방지하기 위해 분위기 가스를 처리실 내로 유통시켜 웨이퍼를 고온으로 열처리하고 있다.In the process of drying the ink mark and the baking process of the above-described die process, a boat containing a plurality of wafers is loaded into a vertical type processing chamber and the inside of the processing chamber is heated, and an oxide film or the like is formed on the wafer. In order to prevent this, an atmosphere gas is circulated into the processing chamber to heat-process the wafer at a high temperature.

그런데, 분위기 가스가 처리실 내를 흐를 때, 처리실 내에서 와류가 형성되거나, 가스가 유입되는 부분과 배출되는 부분에서의 가스 압력의 차이 등으로 인해 처리실 내의 상하 방향으로 분위기 가스의 농도 구배가 발생하게 된다. 이로 인하여 처리실 내의 상단부로 올라갈수록 산소 농도가 증가하고, 이에 따른 산화막(SiO₂)의 성장으로 알루미늄 패드가 변색되어 패드 위에 와이어 본딩(Wire Bonding)이 용이하게 이루어지지 못하는 문제점이 있었다. However, when the atmospheric gas flows in the processing chamber, a vortex is formed in the processing chamber, or a concentration gradient of the atmospheric gas is generated in the up and down direction in the processing chamber due to a difference in the gas pressure at the portion where the gas flows in and out. do. As a result, the oxygen concentration increases as the upper end of the processing chamber increases, and the aluminum pad is discolored due to the growth of the oxide film (SiO ₂ ), thereby making it difficult to easily bond the wire onto the pad.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 통상적인 반도체 기판의 열처리 장치가 가진 문제점을 감안하여 이를 해소하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 처리실 내의 산소 농도 및 온도 등의 공정 파라미터를 모니터링할 수 있는 반도체 기판의 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Accordingly, the present invention was created to solve the problem in view of the problems of the conventional heat treatment apparatus of a conventional semiconductor substrate as described above, and an object of the present invention is to monitor process parameters such as oxygen concentration and temperature in a processing chamber. It is to provide a heat treatment apparatus for a semiconductor substrate.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 기판의 열처리 장치는, 하부가 개방되고, 공정이 진행되는 공간을 제공하는 처리실과; 복수의 기판들을 수납하며 상기 처리실에 반출입되는 보트와; 상기 처리실의 하부를 개폐시키는 캡 부재와; 상기 처리실 내를 가열하는 가열 부재와; 상기 처리실 내의 산소 농도를 센싱하는 산소 농도 검출 유닛;을 포함하되, 상기 처리실 내 기판의 산화를 방지하기 위해 공급되는 분위기 가스는 상기 처리실의 어느 일측으로부터 공급된 후 타측으로 배출되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a heat treatment apparatus for a semiconductor substrate according to the present invention includes a processing chamber that provides a space in which a lower portion thereof is opened and a process proceeds; A boat accommodating a plurality of substrates and carrying in and out of the process chamber; A cap member for opening and closing a lower portion of the processing chamber; A heating member for heating the inside of the processing chamber; And an oxygen concentration detecting unit for sensing an oxygen concentration in the processing chamber, wherein the atmospheric gas supplied to prevent oxidation of the substrate in the processing chamber is supplied from one side of the processing chamber and then discharged to the other side.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 기판의 열처리 장치에 있어서, 상기 캡 부재에는 상기 분위기 가스를 상기 처리실 내로 공급하는 다수의 분사홀들이 형성되고, 상기 처리실의 상측에는 공급된 상기 분위기 가스를 배출시키는 배기관이 연통 설치되는 것이 바람직하다.In the heat treatment apparatus of a semiconductor substrate according to the present invention having the configuration as described above, the cap member is formed with a plurality of injection holes for supplying the atmosphere gas into the processing chamber, the upper atmosphere gas supplied to the processing chamber It is preferable that an exhaust pipe for discharging gas is installed in communication.

여기서, 상기 분위기 가스는 불활성 가스인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the said atmosphere gas is an inert gas.

본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 산소 농도 검출 유닛은 상기 처리실 내에 높이를 달리하여 설치되는 다수의 감지관들과; 상기 감지관들을 통해 유입되는 기체의 산소 농도를 센싱하는 산소 농도 검출부와; 상기 산소 농도 검출부로부터 전송되는 검출 신호에 대응하여 소정의 제어 신호를 생성시키는 농도 제어부;를 포함하는 것이 바람직하다.According to one aspect of the invention, the oxygen concentration detection unit comprises a plurality of sensing tubes are installed in the processing chamber at different heights; An oxygen concentration detector for sensing an oxygen concentration of the gas flowing through the detection tubes; And a concentration controller configured to generate a predetermined control signal in response to the detection signal transmitted from the oxygen concentration detector.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 산소 농도 검출 유닛은 상기 감지관들을 통해 유입되는 기체의 온도를 센싱하는 온도 검출부와; 상기 온도 검출부로부터 전송되는 검출 신호에 대응하여 소정의 제어 신호를 생성시키는 온도 제어부;를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to another feature of the invention, the oxygen concentration detection unit includes a temperature detector for sensing the temperature of the gas flowing through the detection tube; The temperature controller may further include a temperature controller configured to generate a predetermined control signal in response to the detection signal transmitted from the temperature detector.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 산소 농도 검출 유닛은 상기 농도 제어부 또는 상기 온도 제어부의 제어 신호를 수용하여 상기 처리실 내의 높이에 따른 산소 농도 또는 온도를 나타내는 표시부를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to an aspect of the present disclosure, the oxygen concentration detecting unit may further include a display unit which receives a control signal of the concentration control unit or the temperature control unit and indicates an oxygen concentration or temperature according to a height in the processing chamber.

그리고, 상기 감지관들은 석영 재질을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the sensing tubes preferably include a quartz material.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판의 열처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a heat treatment apparatus of a semiconductor substrate according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시예 )(Example)

도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판 열처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 내부 튜브의 개략적 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 내부 튜브의 개략적 평면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor substrate heat treatment apparatus according to the present invention, Figure 2 is a schematic perspective view of the inner tube shown in Figure 1, Figure 3 is a schematic plan view of the inner tube shown in Figure 2 to be.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 기판의 열처리 장치는, 반도체 소자의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(EDS) 공정의 진행 중 기판을 가열하는 열처리 장치에 관한 것으로, 처리실(100), 보트(200), 캡 부재(300), 가열 부재(400) 및 산소 농도 검출 유닛(500)을 포함한다.1 to 3, a heat treatment apparatus of a semiconductor substrate according to the present embodiment relates to a heat treatment apparatus that heats a substrate during an EDS process of inspecting electrical characteristics of a semiconductor device. 100, a boat 200, a cap member 300, a heating member 400, and an oxygen concentration detection unit 500.

처리실(100) 내측으로 복수의 기판(W)들이 수납된 보트(200)가 반입되면 처리실(100)의 개방된 하부는 캡 부재(300)에 의해 밀폐된다. 이 후 가열 부재(400)를 이용하여 처리실(100) 내를 가열한다. 이와 동시에, 기판상의 산화막 생성을 방지하기 위해 분위기 가스를 처리실(100)을 통해 공급/배출시키면서 기판의 고온 열처리 공정이 진행된다. 그리고, 산소 농도 검출 유닛(500)을 이용하여 공정 진행 중 처리실(500) 내의 산소 농도를 감지한다.When the boat 200 containing the plurality of substrates W is loaded into the processing chamber 100, the open lower portion of the processing chamber 100 is sealed by the cap member 300. Thereafter, the inside of the processing chamber 100 is heated using the heating member 400. At the same time, a high temperature heat treatment process of the substrate is performed while supplying / exhausting an atmosphere gas through the processing chamber 100 to prevent the formation of an oxide film on the substrate. Then, the oxygen concentration in the process chamber 500 is sensed by using the oxygen concentration detection unit 500.

처리실(100)은 하부가 개방된 구조로 기판(W)의 열처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 처리실(100)의 내측에는 하부가 개방된 통형의 내부 튜브(110)가 구비된다. 내부 튜브(110)의 외측 둘레에는 일정 거리 이격된 상태로 내부 튜브(110)를 감싸는 외부 튜브(120)가 배치된다. 내부 튜브(110)와 외부 튜브(120)는 플랜지(130)에 의해 지지된다. 그리고, 내부 튜브(110)의 상측에는 후술할 캡 부재(300)의 분사홀들을 통해 공급되는 분위기 가스를 배출시키는 배기관(112)이 연통 설치된다.The process chamber 100 has a structure in which a lower portion thereof is open, and provides a space in which the heat treatment process of the substrate W is performed. Inside the processing chamber 100, a cylindrical inner tube 110 having a lower opening is provided. The outer circumference of the inner tube 110 is disposed in the outer tube 120 surrounding the inner tube 110 to be spaced a predetermined distance apart. The inner tube 110 and the outer tube 120 are supported by the flange 130. In addition, an exhaust pipe 112 for discharging the atmosphere gas supplied through the injection holes of the cap member 300, which will be described later, is installed in an upper side of the inner tube 110.

보트(200)는 다수의 기판(W)들을 수납하며, 처리실(100) 내의 내부 튜브(110)에 기판들을 반입/반출 시킬 때 사용하는 것으로, 보트 승강기(미도시)와 같은 이송 장치에 의해 이송되어 처리실(100) 안으로 반입된다.The boat 200 accommodates a plurality of substrates W and is used to bring in / out of substrates into the inner tube 110 in the processing chamber 100, and is transported by a transfer device such as a boat lifter (not shown). And are brought into the processing chamber 100.

캡 부재(300)는 판재로 이루어질 수 있으며, 처리실(100)의 플랜지(130) 하단에 설치되어 처리실(100)을 개폐시킨다. 그리고, 캡 부재(300)에는 가스 공급부(미도시)로부터 공급되는 분위기 가스를 처리실(100) 내로 분사시키도록 다수의 분사홀들(310a,310b)이 형성된다. 분사홀들(310a,310b)은 처리실(100) 내의 공간에 분위기 가스를 보다 균일하게 공급할 수 있도록 캡 부재(300)의 평면 내에 원형의 배열로 배치되는 것이 바람직하다. The cap member 300 may be formed of a plate material and installed at a lower end of the flange 130 of the processing chamber 100 to open and close the processing chamber 100. In addition, a plurality of injection holes 310a and 310b are formed in the cap member 300 to inject the atmospheric gas supplied from the gas supply unit (not shown) into the processing chamber 100. The injection holes 310a and 310b may be arranged in a circular arrangement in the plane of the cap member 300 so as to more uniformly supply the atmosphere gas to the space in the processing chamber 100.

가열 부재(400)는 처리실(100)의 외측에 설치되며, 공정 진행 중 처리실(100) 내부를 일정 온도 범위의 공정 온도로 유지시킨다.The heating member 400 is installed outside the processing chamber 100 and maintains the inside of the processing chamber 100 at a process temperature in a predetermined temperature range during the process.

열처리 공정 진행 중 기판상에 산화막이 생성되는 것을 방지하기 위하여 처리실(100) 내에는 분위기 가스가 공급된다. 분위기 가스로는 질소 가스와 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다. 분위기 가스는 캡 부재(300)에 형성된 다수의 분사홀들(310a,310b)을 통해 처리실(100)내로 공급되어 흐른 후, 내부 튜브(110)의 상측 에 설치된 배기관(112)을 통해 처리실(100) 외부로 배출된다. 여기서, 분위기 가스의 공급 및 배출이 캡 부재(300)와 배기관(112)을 통해 상하 방향으로 이루어지는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 처리실(100)의 어느 일측으로부터 공급된 후 타측으로 배출될 수 있도록 다양한 유입/유출 구조를 가질 수 있다.In order to prevent the oxide film from being formed on the substrate during the heat treatment process, an atmosphere gas is supplied into the process chamber 100. As an atmosphere gas, an inert gas such as nitrogen gas may be used. Atmospheric gas is supplied into the processing chamber 100 through a plurality of injection holes 310a and 310b formed in the cap member 300 and flows therethrough, and then the processing chamber 100 is provided through an exhaust pipe 112 installed above the inner tube 110. ) It is discharged to the outside. Here, although the case where the supply and discharge of the atmosphere gas is made in the up and down direction through the cap member 300 and the exhaust pipe 112 has been described, the present invention is not limited thereto, and after supplying from one side of the processing chamber 100, It may have a variety of inflow / outflow structure to be discharged to the side.

분위기 가스가 처리실(100) 내를 흐를 때, 가스가 유입되는 부분과 배출되는 부분 사이에는 압력차가 발생한다. 이로 인해 처리실(100) 내에는 분위기 가스의 농도 구배가 발생하여 처리실(100) 내의 상단부로 올라갈수록 산소 농도가 증가하게 된다. 산소 농도의 증가에 의한 산화막의 성장으로 패드가 변색이 되어 공정 불량을 야기하게 된다. 본 발명은 이러한 문제점을 사전에 인지하여 대처할 수 있도록 처리실(100) 내의 산소 농도를 검출하여 외부로 표시할 수 있는 산소 농도 검출 유닛(500)을 가진다.When the atmospheric gas flows through the processing chamber 100, a pressure difference occurs between a portion where the gas flows in and a portion that discharges the gas. As a result, a concentration gradient of the atmospheric gas is generated in the processing chamber 100, and the oxygen concentration increases as the pressure gradient rises to the upper end of the processing chamber 100. The growth of the oxide film due to the increase in the oxygen concentration causes the pad to discolor and cause process defects. The present invention has an oxygen concentration detection unit 500 that can detect the oxygen concentration in the processing chamber 100 and display it to the outside so as to recognize such a problem in advance.

산소 농도 검출 유닛(500)은, 감지관들(510), 산소 농도 검출부(520), 농도 제어부(530) 및 표시부(540)를 포함한다.The oxygen concentration detecting unit 500 includes sensing tubes 510, an oxygen concentration detecting unit 520, a concentration control unit 530, and a display unit 540.

감지관들(510)은 산소 농도 측정을 위해 처리실(100) 내의 기체를 산소 농도 검출부(520)로 유입시키기 위한 것으로, 처리실(100) 내에 높이를 달리하여 다수의 감지관(510a,510b,510c)들이 설치될 수 있다. 여기서, 감지관들(510)은 석영 재질을 포함하는 것이 바람직하다.The detection tubes 510 are for introducing a gas in the processing chamber 100 into the oxygen concentration detecting unit 520 to measure the oxygen concentration, and the plurality of detection tubes 510a, 510b, and 510c with different heights in the processing chamber 100. ) May be installed. Here, the sensing tubes 510 preferably include a quartz material.

산소 농도 검출부(520)는 감지관들(510)을 통해 유입되는 기체의 산소 농도를 센싱하여 전기적 신호로 변환한 후 검출 신호를 농도 제어부(530)로 전송한다. 농도 제어부(530)는 산소 농도 검출부(520)로부터 전송되는 검출 신호에 대응하여 소정의 제어 신호를 생성시킨다. 그리고, 표시부(540)는 농도 제어부(530)의 제어 신호를 수용하여 처리실(100) 내의 높이에 따른 산소 농도 정보를 외부로 표시한다. The oxygen concentration detector 520 senses the oxygen concentration of the gas flowing through the detection tubes 510, converts the oxygen concentration into an electrical signal, and transmits the detection signal to the concentration controller 530. The concentration controller 530 generates a predetermined control signal in response to the detection signal transmitted from the oxygen concentration detector 520. In addition, the display unit 540 receives the control signal of the concentration controller 530 and displays the oxygen concentration information according to the height in the processing chamber 100 to the outside.

또한, 산소 농도 검출 유닛(500)은 감지관들(510)을 통해 유입되는 기체의 온도를 센싱하는 온도 검출부(550)와, 온도 검출부(550)로부터 전송되는 검출 신호에 대응하여 소정의 제어 신호를 생성시키는 온도 제어부(56)를 가질 수 있다. 온도 제어부(560)의 제어 신호는 표시부(540)로 전달되고, 표시부(540)는 제어 신호를 수용하여 처리실(100) 내의 높이에 따른 산소 농도 정보와 함께 온도 정보를 외부로 표시한다. In addition, the oxygen concentration detecting unit 500 may detect a temperature of a gas flowing through the sensing tubes 510 and a predetermined control signal in response to a detection signal transmitted from the temperature detecting unit 550. It may have a temperature control unit 56 for generating a. The control signal of the temperature control unit 560 is transmitted to the display unit 540, and the display unit 540 receives the control signal and displays the temperature information together with the oxygen concentration information according to the height in the processing chamber 100 to the outside.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 처리실 내의 높이에 따른 산 소 농도 및 온도 등의 공정 파라미터를 모니터링하여, 기판 열처리 공정의 불량 원인을 사전에 감지함으로써 공정 불량을 최소화할 수 있다. As described above, according to the present invention, process defects such as oxygen concentration and temperature according to the height in the processing chamber may be monitored, and process defects may be minimized by detecting the cause of the defect in the substrate heat treatment process in advance.

Claims

A processing chamber in which the lower portion is opened and provides a space in which the process proceeds;

A boat accommodating a plurality of substrates and carrying in and out of the process chamber;

A cap member for opening and closing a lower portion of the processing chamber;

A heating member for heating the inside of the processing chamber;

And an oxygen concentration detecting unit configured to sense an oxygen concentration in the processing chamber.

The atmosphere gas supplied to prevent oxidation of the substrate in the processing chamber is supplied from any one side of the processing chamber and then discharged to the other side.

The method of claim 1,

The cap member is formed with a plurality of injection holes for supplying the atmosphere gas into the processing chamber,

And an exhaust pipe for discharging the supplied atmospheric gas is provided above the processing chamber.

The method of claim 2,

The atmosphere gas is an inert gas, the heat treatment apparatus of the semiconductor substrate.

The method of claim 2,

The oxygen concentration detection unit,

A plurality of sensing tubes installed at different heights in the processing chamber;

An oxygen concentration detector for sensing an oxygen concentration of the gas flowing through the detection tubes;

And a concentration controller configured to generate a predetermined control signal in response to the detection signal transmitted from the oxygen concentration detector.

The method of claim 4, wherein

The oxygen concentration detection unit,

A temperature detector configured to sense a temperature of a gas flowing through the sensing tubes;

And a temperature controller configured to generate a predetermined control signal in response to the detection signal transmitted from the temperature detector.

The method of claim 5,

The oxygen concentration detection unit,

And a display unit configured to receive a control signal of the concentration controller or the temperature controller and indicate an oxygen concentration or a temperature according to a height in the processing chamber.

The method of claim 4, wherein

And the sensing tubes comprise a quartz material.