KR20070058162A - 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법 - Google Patents

세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070058162A
KR20070058162A KR1020050116489A KR20050116489A KR20070058162A KR 20070058162 A KR20070058162 A KR 20070058162A KR 1020050116489 A KR1020050116489 A KR 1020050116489A KR 20050116489 A KR20050116489 A KR 20050116489A KR 20070058162 A KR20070058162 A KR 20070058162A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning chemical
chemical solution
solution
chelating
monitoring
Prior art date
Application number
KR1020050116489A
Other languages
English (en)
Inventor
한명옥
박정대
이성재
이재석
황동원
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050116489A priority Critical patent/KR20070058162A/ko
Publication of KR20070058162A publication Critical patent/KR20070058162A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/20—Metals
    • G01N33/202—Constituents thereof
    • G01N33/2022—Non-metallic constituents

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법에 관한 것이다. 이 방법에 따르며, 먼저 킬레이트 화합물을 킬레이팅 수용액으로 만든 후, 킬레이팅 수용액과 세정 화학용액의 혼합으로 금속 착화합물이 형성된 혼합 용액에 빛을 조사한다. 금속 착화합물에 의한 조사된 빛의 흡광도 변화를 측정한 후, 흡광도 변화를 분석하여 금속 오염도를 정략적으로 산출하는 것을 포함하되, 킬레이트 화합물은 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 5',5"-디브로모파이로갈롤술폰프탈레인 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 반도체 기판의 세척 공정을 위한 화학 세정조에 채워져 있는 세정 화학용액 내에 존재하는 전이 금속 및 알루미늄뿐만이 아니라 텅스텐의 오염도를 실시간으로 측정함으로써, 안정적인 반도체 소자를 제조할 수 있는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법을 제공할 수 있다.
화학적 세정, 텅스텐, 킬레이팅, 흡광도, 모니터링

Description

세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법{Method of Monitoring The Contamination Level of Metal in The Chemical Cleaning Bath}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법을 설명하기 위한 블록도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세정 화학용액 내의 텅스텐 농도에 따른 흡광도 변화를 설명하기 위한 그래프;
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정 화학용액 내의 텅스텐 농도에 따른 흡광도 변화를 설명하기 위한 그래프;
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 세정 화학용액 내의 금속별 검출 선택성을 설명하기 위한 그래프.
본 발명은 반도체 장치 세정 공정에 관한 것으로, 더 구체적으로는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서는 사진, 확산, 식각 및 박막 증착 공정에서 발생하는 금속(metal), 입자(particle) 및 유기물을 세정하기 위한 목적으로 희석된 불산 (DHF : Diluted HF), 표준 세정 용액(암모니아수(NH4OH), 과산화수소수(H2O2) 및 물(H2O)이 소정의 비율로 혼합된 혼합 세정 용액), 황산(H2SO4) 및 초순수(DI water : DeIonized water) 등이 널리 쓰이고 있다. 그럼에도, 불구하고 이러한 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 화학 세정조(chemical cleaning bath) 내의 세정 화학용액에 존재하는 금속 오염원인 알루미늄(Al), 철(Fe) 등을 모니터링(monitoring)하지 못해 반도체 소자의 특성에 치명적인 영향을 주어 대형 품질 불량 사고의 위험을 안고 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해 화합물의 흡광도를 이용하는 자외-가시광선 분광 광도계(UV-Vis. Spectrophotometer : UltraViolet-Visible Spectrophotometer)를 사용하여 화학 세정조 내의 세정 화학용액에 존재하는 금속 오염원인 알루미늄 및 전이 금속(transition metal, 철, 코발트(Co), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir) 또는 백금(Pt)) 이온 등을 포함하는 화합물의 함량을 측정하는 방법이 있다. 이 방법의 원리는 바닥상태(ground state)에 있는 원자 또는 분자가 가시광선 또는 자외선을 흡수하면서 전자전이(electronic transition)를 일으키는 현상인 흡광도를 이용하는 것이다. 화합물은 그 종류에 따라 특정한 파장의 빛을 흡수하여 전자전이를 일으키게 된다. 이에 따라, 각 화합물이 서로 다른 파장에서 최대 흡광도를 나타내는 원리를 이용해 시료 속에 어떤 물질이 있는가를 확인할 수 있는 정성분석이 가능하다. 빛이 흡수되는 정도가 물질의 농도에 비례하는 것을 이용하여, 어떤 파장에서 최대 흡광도를 나타내는 물질의 함 량을 알 수 있게 된다.
자외-가시광성 분광 광도계로 흡광도를 측정하는 방법은 화학 세정조 내의 세정 화학용액에 존재하는 금속 오염원인 알루미늄 및 전이 금속 이온 등을 킬레이트 화합물(chelate compound)과 반응시켜 금속 착화합물로 만든다. 형성된 금속 착화합물에 빛을 조사하여 금속 착화합물에 의한 빛의 흡광도를 측정함으로써, 화학 세정조 내의 세정 화학용액에 존재하는 금속 오염도를 정량화하는 것이다.
화학 세정조 내의 세정 화학용액에 존재하는 전이 금속의 경우에는 4-(2-피리딜아조) 레조르시놀(PAR : 4-(2-PyridylAzo) Resorcinol)이라는 아조계 킬레이트 화합물, 알루미늄의 경우에는 에리오크롬 시아닌-R(ECR : Eroichrome Cyanine-R)이라는 킬레이트 화합물을 이용하여 각각의 금속 착화합물로 만들 수 있다. 이렇게 형성된 금속 착화합물에 빛을 조사하여 그 흡광도를 측정함으로써, 전이 금속과 알루미늄에 대해 1ppb 수준의 오염도를 측정할 수 있다.
최근의 반도체 제품에서 사용되는 금속 중에서 오염 관리가 매우 중요하게 대두되고 있는 금속은 텅스텐(W)이다. 그러나 상기한 종래의 방법으로는 세정 화학용액 내의 텅스텐에 의한 오염도를 측정할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 세정 화학용액의 텅스텐에 의한 오염도를 측정할 수 있는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 화학적 세정 배스 내의 금속 오염도 모니터링 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 먼저 킬레이트 화합물을 킬레이팅 수용액으로 만든 후, 킬레이팅 수용액과 세정 화학용액의 혼합으로 금속 착화합물이 형성된 혼합 용액에 빛을 조사한다. 금속 착화합물에 의한 조사된 빛의 흡광도 변화를 측정한 후, 흡광도 변화를 분석하여 금속 오염도를 정략적으로 산출하는 것을 포함하되, 킬레이트 화합물은 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 한다.
킬레이트 화합물은 세정 화학용액 내의 텅스텐과 결합할 수 있다. 킬레이트 화합물에 양이온 계면 활성제를 더 혼합할 수 있다. 양이온 계면 활성제는 알킬암모늄 할라이드계를 포함할 수 있다. 킬레이트 화합물은 킬레이팅 수용액의 0.0001~1.5 중량%의 함량을 가질 수 있다.
킬레이팅 수용액은 산(또는 염기)이 첨가되어 1차적으로 pH가 조절되고, 세정 화학용액과 혼합되어 2차적으로 pH가 조절될 수 있다. 킬레이팅 수용액에 산을 첨가하여 pH를 1~3으로 조절한 후, 염기성 세정 화학용액과 킬레이팅 수용액을 1:1~5:1로 혼합하여 혼합 용액의 pH를 4.8~7.0으로 만들 수 있다. 킬레이팅 수용액에 염기를 첨가하여 pH를 8~10으로 조절한 후, 산성 세정 화학용액과 킬레이팅 수용액을 1:1~5:1로 혼합하여 혼합 용액의 pH를 4.8~7.0으로 만들 수 있다.
킬레이트 화합물로 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산을 사용하는 경우, 조사되는 빛은 300~320nm 대역일 수 있다. 킬레이트 화합물로 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인을 사용하는 경우, 조사되는 빛은 520~550nm 대역일 수 있다. 킬 레이트 화합물에 양이온 계면 활성제를 더 혼합한 경우, 조사되는 빛은 665~695nm 대역일 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다. 도면들에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.
[화학식 1] 및 [화학식 2]는 본 발명의 실시예에 사용되는 벤젠디술폰 산(benzendesulfonic acid)계 킬레이트 화합물의 구조를 보여주고 있다.
Figure 112005070363301-PAT00001
[화학식 1]의 킬레이트 화합물인 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠술포닉 산은 티론(tiron)이라고도 하며, 수용성이 높은 편이다. pH에 따라 산성에서는 푸른색, 중성에서는 자주색 및 염기성에서는 붉은색으로 변하는 특징이 있다.
Figure 112005070363301-PAT00002
[화학식 2]의 킬레이트 화합물인 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인은 브로모페놀 레드(BPR : BromoPhenol Red)이라고도 하며, 약한 수용성을 가진다. 텅스텐에 대해서는 산성 조건에서 특히 강한 가시광선 영역의 빛을 흡수하는 성질이 있다. pH에 따라 강산성에서는 오렌지색, 중성에서는 붉은색 및 염기성에서는 자주색으로 변하는 특징이 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법을 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 킬레이트 화합물을 킬레이팅 수용액으로 만든 후, 킬레이팅 수용액에 산 또는 염기를 첨가하여 1차적으로 pH를 조절(S110)한다. 킬레이트 화합물은 모니터링하고자 하는 목적에 따라 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인을 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있다. 염기성의 화학용액 내에서는 산성 용액에 녹인 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인을 사용할 수 있다. 또한 실제 반도체 공정에서는 대부분의 금속 이온은 오염물질로 작용할 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 특성에 치명적인 영향을 줄 수 있다. 이에 따라, 종래기술에 사용된 킬레이트 화합물인 4-(2-피리딜아조) 레조르시놀, 에리오크롬 시아닌-R과 본 발명에 사용되는 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인을 혼합한 수용액을 사용함으로써, 세정 화학용액 내의 금속 이온 모니터링을 수행하는 것이 가장 바람직하다. 본 발명에 사용되는 킬레이트 화합물인 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산 및 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인은 모니터링하고자 하는 세정 화학용액 내의 텅스텐과 결합할 수 있다.
킬레이트 화합물에 양이온 계면 활성제(surfactant)를 더 혼합할 수 있다. 양이온 계면 활성제는 알킬 암모늄 할라이드(alkyl amonium halide)계를 포함할 수 있다. 양이온 계면 활성제는 자외-가시광선 분광 광도계의 최저 측정 준위(LDD : Low Limit Detection)를 낮추기 위해 첨가될 수 있다. 킬레이트 화합물은 킬레이팅 수용액의 0.0001~1.5 중량%의 함량을 가질 수 있다.
pH가 조절된 킬레이팅 수용액과 세정 화학용액을 일정 비율로 혼합하여 2차 적으로 pH를 조절(S120)한다. 킬레이팅 수용액에 산을 첨가하여 pH를 1~3으로 조절한 후, 염기성 세정 화학용액과 킬레이팅 수용액을 1:1~5:1로 혼합하여 혼합 용액의 pH를 4.8~7.0으로 만들 수 있다. 킬레이팅 수용액에 염기를 첨가하여 pH를 8~10으로 조절한 후, 산성 세정 화학용액과 킬레이팅 수용액을 1:1~5:1로 혼합하여 혼합 용액의 pH를 4.8~7.0으로 만들 수 있다.
분석하고자 하는 세정 화학용액의 pH에 따라서 킬레이팅 수용액에 산이나 염기를 첨가하여 pH를 조절한 후, 흡광도가 가장 큰 영역에서 측정할 수 있다. 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산은 pH가 약 3.0~11.0인 넓은 pH 영역에서 금속 이온과 반응한다. 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인은 강산성에서 특히 텅스텐에 대한 검출력이 높다. 예를 들어, pH가 2 이하인 산성 세정 화학용액의 경우 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인이 포함된 수용액에 염기를 첨가하여 중성 pH에서 흡광도를 측정한다. 이때의 혼합 비율은 세정 화학용액의 농도와 산성도에 따라 달라질 수 있다.
1차적으로 pH가 조절된 킬레이팅 수용액과 세정 화학용액의 혼합으로 금속 착화합물이 형성된 혼합 용액에 빛을 조사(S130)한다. 킬레이트 화합물로 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산을 사용하는 경우, 조사되는 빛은 300~320nm 대역일 수 있다. 킬레이트 화합물로 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인을 사용하는 경우, 조사되는 빛은 520~550nm 대역일 수 있다. 추가로 양이온 계면 활성제가 첨가된 경우에는 최대 흡광도 피크(peak)가 이동(shift)되기 때문에, 조사되는 빛은 665~695nm 대역일 수 있다.
금속 착화합물에 의한 조사된 빛의 흡광도 변화를 측정한 후, 흡광도 변화를 분석하여 금속 오염도를 정략적으로 산출(S140)함으로써, 세정 화학용액 내의 텅스텐을 포함하는 금속 오염도를 측정할 수 있다.
도 2 내지 도 4는 킬레이트 화합물 1인 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 킬레이트 화합물 2인 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인 그리고 양이온 계면 활성제가 사용된 킬레이팅 수용액을 텅스텐이 녹아 있는 표준 세정 용액과 혼합하여 자외-가시광선 분광 광도계로 측정한 흡광도를 보여주는 그래프들이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세정 화학용액 내의 텅스텐 농도에 따른 흡광도 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 2를 참조하면, 킬레이트 화합물 1인 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산이 1.5 중량%, 초산(CH3COOH)이 10% 정도 첨가된 수용액(pH가 약 2.06)과 텅스텐이 1~10ppm의 농도로 녹아 있는 표준 세정 용액(pH가 약 10)들을 1:4의 비율로 혼합한 시료들을 자외-가시광선 분광 광도계로 측정한 결과이다. 조사되는 빛은 300~320nm 대역인 것이 바람직하지만, 여기에서는 311nm의 빛이 조사되었을 때의 흡광도 변화를 나타낸 그래프이다. 텅스텐이 포함되지 않은 표준 세정 용액에 대비하여 311nm의 빛이 조사되었을 때, 킬레이트 화합물 1과 텅스텐의 복합체에 의한 흡광도의 변화 경향(실선)이 가장 높은 상관성(R2=0.9638)을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정 화학용액 내의 텅스텐 농도에 따른 흡광도 변화를 설명하기 위한 그래프이다.
도 3을 참조하면, 킬레이트 화합물 2인 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인이 1.5 중량%, 초산이 10% 정도 첨가된 수용액(pH가 약 2.06)과 텅스텐이 1~10ppm의 농도로 녹아 있는 표준 세정 용액(pH가 약 10)을 1:4의 비율로 혼합한 시료들을 자외-가시광선 분광 광도계로 측정한 결과이다. 조사되는 빛은 520~550nm 대역인 것이 바람직하지만, 여기에서는 535nm의 빛이 조사되었을 때의 흡광도 변화를 나타낸 그래프이다. 텅스텐이 포함되지 않은 표준 세정 용액에 대비하여 535nm의 빛이 조사되었을 때, 킬레이트 화합물 2와 텅스텐의 복합체에 의한 흡광도의 변화 경향(실선)이 가장 높은 상관성(R2=0.9954)을 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 세정 화학용액 내의 금속별 검출 선택성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4를 참조하면, 킬레이트 화합물 2인 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인이 1.5 중량%, 양이온 계면 활성제가 10ppm, 초산이 10% 정도 첨가된 수용액(pH가 약 2.11)과 텅스텐이 1ppm, 니켈이 1ppm 및 알루미늄이 1ppm의 농도로 녹아 있는 표준 세정 용액(pH가 약 10)을 1:4의 비율로 혼합한 시료들을 자외-가시광선 분광 광도계로 측정한 결과이다. 니켈과 알루미늄의 측정을 위해 종래기술에서 사용된 4-(2-피리딜아조) 레조르시놀과 에리오크롬 시아닌-R이라는 킬레이트 화합물도 포함되어 있다. 조사되는 빛은 665~695nm 대역인 것이 바람직하지만, 여기에서는 680nm의 빛이 조사되었을 때의 금속별 흡광도를 나타낸 그래프이다. 니켈, 알루미늄 및 텅스텐이 동일한 농도로 녹아 있는 표준 세정 용액에 680mm의 빛이 조사되었 을 때, 금속 물질 중 킬레이트 화합물 2와 텅스텐의 복합체에 의한 흡광도 피크가 가장 크게 나타날 수 있다.
상기한 본 발명의 실시예들에 따른 방법으로 세정 화학용액 내의 금속 오염도를 측정함으로써, 반도체 기판의 세척 공정을 위한 화학 세정조에 채워져 있는 세정 화학용액 내에 존재하는 전이 금속 및 알루미늄뿐만이 아니라 텅스텐에 의한 오염도를 실시간으로 측정할 수 있다. 이에 따라, 반도체 기판의 세척 공정을 위한 화학 세정조에 채워져 있는 세정 화학용액 내에 존재하는 전이 금속 및 알루미늄뿐만이 아니라 텅스텐의 오염도를 실시간으로 측정함으로써, 안정적인 반도체 소자를 제조할 수 있는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법을 제공할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 기판의 세척 공정을 위한 화학 세정조에 채워져 있는 세정 화학용액 내에 존재하는 전이 금속, 알루미늄 및 텅스텐의 오염도를 실시간으로 측정함으로써, 안정적인 반도체 소자를 제조할 수 있는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법을 제공할 수 있다.

Claims (11)

  1. 킬레이트 화합물을 킬레이팅 수용액으로 만드는 단계;
    상기 킬레이팅 수용액과 세정 화학용액의 혼합으로 금속 착화합물이 형성된 혼합 용액에 빛을 조사하는 단계;
    상기 금속 착화합물에 의한 조사된 상기 빛의 흡광도 변화를 측정하는 단계; 및
    상기 흡광도 변화를 분석하여 금속 오염도를 정략적으로 산출하는 단계를 포함하되, 상기 킬레이트 화합물은 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산, 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 킬레이트 화합물은 상기 세정 화학용액 내의 텅스텐과 결합하는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 킬레이트 화합물에 양이온 계면 활성제를 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 양이온 계면 활성제는 알킬암모늄 할라이드계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 킬레이트 화합물은 상기 킬레이팅 수용액의 0.0001~1.5 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 킬레이팅 수용액은 산(또는 염기)이 첨가되어 1차적으로 pH가 조절되고, 상기 세정 화학용액과 혼합되어 2차적으로 pH가 조절되는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 킬레이팅 수용액에 상기 산을 첨가하여 pH를 1~3으로 조절한 후,
    염기성 세정 화학용액과 상기 킬레이팅 수용액을 1:1~5:1로 혼합하여 상기 혼합 용액의 pH를 4.8~7.0으로 만드는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 킬레이팅 수용액에 상기 염기를 첨가하여 pH를 8~10으로 조절한 후,
    산성 세정 화학용액과 상기 킬레이팅 수용액을 1:1~5:1로 혼합하여 상기 혼합 용액의 pH를 4.8~7.0으로 만드는 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 킬레이트 화합물로 1,2-디하이드록시-3,5-벤젠디술폰 산을 사용하는 경우,
    상기 조사되는 빛은 300~320nm 대역인 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 킬레이트 화합물로 5',5"-디브로모피로갈롤술폰프탈레인을 사용하는 경우,
    상기 조사되는 빛은 520~550nm 대역인 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
  11. 제 3항에 있어서,
    상기 조사되는 빛은 665~695nm 대역인 것을 특징으로 하는 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법.
KR1020050116489A 2005-12-01 2005-12-01 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법 KR20070058162A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050116489A KR20070058162A (ko) 2005-12-01 2005-12-01 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050116489A KR20070058162A (ko) 2005-12-01 2005-12-01 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070058162A true KR20070058162A (ko) 2007-06-08

Family

ID=38355142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050116489A KR20070058162A (ko) 2005-12-01 2005-12-01 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070058162A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100785437B1 (ko) * 2006-12-13 2007-12-13 삼성전자주식회사 금속 검출용 시약 및 이를 이용한 세정액의 모니터링 방법
KR101711081B1 (ko) 2016-03-21 2017-02-28 주식회사 위드텍 반도체 공정의 화학적 용액 내 함유된 금속 불순물의 온라인 모니터링 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100785437B1 (ko) * 2006-12-13 2007-12-13 삼성전자주식회사 금속 검출용 시약 및 이를 이용한 세정액의 모니터링 방법
KR101711081B1 (ko) 2016-03-21 2017-02-28 주식회사 위드텍 반도체 공정의 화학적 용액 내 함유된 금속 불순물의 온라인 모니터링 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210062115A1 (en) Treatment Liquid for Semiconductor Wafers, Which Contains Hypochlorite Ions
KR100585139B1 (ko) 웨이퍼 세정액의 금속 측정 시약과 웨이퍼 세정액의 금속오염 모니터링 장치 및 방법
JP2599021B2 (ja) シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法
Zhu et al. High-efficiency photooxidation vapor generation of osmium for determination by inductively coupled plasma-optical emission spectrometry
Kawakubo et al. Speciation of iron in river and tap waters by catalytic spectrophotometry using oxidation of o-phenylenediamine with hydrogen peroxide
KR20070058162A (ko) 세정 화학용액의 금속 오염도 모니터링 방법
Van Dorp et al. Wet chemical etching of InP for cleaning applications: II. Oxide removal
KR0158691B1 (ko) 반도체 가공용 화학약품의 정량 측정 방법 및 이를 위한 장치
KR100785437B1 (ko) 금속 검출용 시약 및 이를 이용한 세정액의 모니터링 방법
US11239093B2 (en) Method for treating substrate, method for manufacturing semiconductor device, and kit for treating substrate
US7297547B2 (en) Analysis of metals in acidic solutions
Noda et al. Development of a method for resist removal by ozone with acetic acid vapor
EP2939263B1 (en) Determination of free hydrogen fluoride levels in a buffered oxide etchant
US7381564B2 (en) Method of calibrating the zero point of an apparatus used to determine a quantity of silica using a colorimetric method
Shvartsev et al. Influence of solution volume on the dissolution rate of silicon dioxide in hydrofluoric acid
Harris et al. Sub-part-per-billion iron determination by laser intracavity absorption spectrometry
Nejati-Yazdinejad Spectrophotometric determination of trace amount of copper (II) ion based on complexation with an anthraquinone derivative
Mizuguchi et al. On-site determination of trace nickel in liquid samples for semiconductor manufacturing by highly sensitive solid-phase colorimetry with α-furil dioxime
Lu et al. Evaluation of cleaning efficiency with a radioactive tracer and development of a microwave digestion method for semiconductor processes
JP3688593B2 (ja) 珪素材料中の不純物分析方法
Mori et al. Standard sample preparation for the analysis of several metals on silicon wafer
Fucskó et al. Fluoride interference in the determination of boron by inductively coupled plasma emission spectroscopy
Talebi et al. Determination of lead in water resources by flame atomic absorption spectrometry after pre-concentration with ammonium pyrrolidinedithiocarbamate immobilized on surfactant-coated alumina
Lee et al. Determination of Metal Contaminants Using Automated In-Situ Metrology in Semiconductor Cleaning Process
Chang et al. Coupling of an electrodialyzer with inductively coupled plasma mass spectrometry for the on-line determination of trace impurities in silicon wafers after surface metal extraction

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid