KR20070054729A - 구리(ⅰ) 착화합물의 유기 발광 다이오드 내 용도 - Google Patents
구리(ⅰ) 착화합물의 유기 발광 다이오드 내 용도 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 화학식 I의 구리(I) 착화합물의 유기 발광 다이오드(OLED) 내 용도에 관한 것이다:
[화학식 I]
식 중,
X는 질소 또는 C-R 기이고,
R은 알킬 또는 아릴이고,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼이 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
n은 1, 2 또는 3이고,
그리고
Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
본 발명은 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 포함하는 발광 층, 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물 또는 발명의 발광 층을 포함하는 OLED 및 발명의 OLED를 포함하는 고정성 화상 디스플레이 유니트에 더 관한 것이다.
더 나아가, 본 발명은 화학식 Ia 및 Ib의 신규 구리(I) 착화합물에 더 관한 것으로서,
[화학식 Ia]
[화학식 Ib]
식 중, R, Ar 및 n은 각각 화학식 I에서 정의된 바와 같고, 화학식 Ia에서 Y 는 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노로서 정의되고, 그리고 화학식 Ib에서 Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노로서 정의된다.
유기 발광 다이오드, 구리(I) 착화합물, 발광 층
Description
본 발명은 화학식 I의 구리(I) 착화합물의 유기 발광 다이오드(OLED) 내 용도에 관한 것이다:
식 중,
X는 질소 또는 C-R 기이고,
R은 알킬 또는 아릴이고,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼이 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
n은 1, 2 또는 3이고,
그리고
Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 포함하는 발광 층, 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물 또는 본 발명의 발광 층을 포함하는 OLED 및 본 발명의 OLED를 포함하는 고정성 화상 디스플레이 유니트에 관한 것이다.
더 나아가, 본 발명은 화학식 Ia 및 Ib의 신규 구리(I) 착화합물에 관한 것이다:
식 중, R, Ar 및 n은 각각 화학식 I에서 정의된 바와 같고, 화학식 Ia에서 Y 는 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노로서 정의되고, 그리고 화학식 Ib에서 Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노로서 정의된다.
OLED에서, 전류에 의한 여기 시 빛을 방출하는 재료의 특성을 이용한다. OLED는 평판 화상 디스플레이 유니트의 제조를 위한 음극선관 및 액정 디스플레이에 대한 대체물로서 특히 관심을 끌고 있다. 매우 간결한 디자인 및 본질적으로 상대적으로 적은 전기 소비량 때문에, OLED를 포함하는 장치는 이동성 응용물, 예를 들어, 휴대 전화, 휴대용 컴퓨터 등에 특히 적합하다.
전류(전계발광)에 의한 여기 시 빛을 방출하는 다수의 재료가 제안되어 왔다. 그러나, 화학식 I의 구리 착화합물은 OLED를 위한 응용에서 아직 기술되지 않았다.
구리 중심에 대한 착화합물 리간드로서 바이덴테이트 페난트롤린 유도체 및 에테르 작용기에 의해 다리결합된 바이덴테이트 트라이페닐포스핀 이합체 또는 2개의 (모노덴테이트) 트라이페닐포스핀 분자 중 하나를 가지는 구리(I) 착화합물에 대한 Qisheng Zhang et al.(Adv. Mater. 2004, 16, No. 5,432-436)의 연구는 OLED 내 응용에 대한 이 화합물의 적합성을 보여준다.
대응하는 금(I) 및 은(I) 착화합물에 대한 트리스(2-다이페닐포스피노)에틸아민-구리(I) 테트라페닐보레이트의 구조적 및 분광학적 비교는 John P. Fackler et al.(J. Mol. Structure 470(1998), 151-160)에 의해 수행되었다. 저자는 연구한 금 착화합물 내에서 간혹 강한 냉광(luminescence)을 발견하였으나, 구리 및 은 착화합물 내에서는 그렇지 아니했다.
L. Sacconi and S. Midollini(J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1972, 1213- 1216)는 1,1,1-트리스(다이페닐포스피노메틸)에탄과 코발트(I), 니켈(I) 및 구리(I)의 할로겐 착화합물의 합성을 기술한다.
그러나, 2개의 전술한 간행물은 OLED 내 응용을 위한 문제에 있어서 구리 착화합물의 가능한 적합성에 대한 어떠한 암시도 제시하지 않는다.
따라서, 본 출원의 목적은 OLED의 상이한 층 내 이용에 적합한 추가 화합물 부류를 제공하는 것이고, 특히 전자기파 스펙트럼의 청색 및 녹색 영역, 또한 풀컬러(full-color) 디스플레이의 생산에 관하여 적색 영역에서 전계발광(electroluminescence)을 갖는 화합물을 제공하는 것이다.
이 목적은 서두에 도시한 화학식 I의 구리 착화합물의 OLED 내 용도에 의해 달성된다.
화학식 I의 구리(I) 착화합물은 방사체 물질을 위한 매트릭스 재료로서 또는 방사체 물질로서 OLED의 발광 층 내에서 이용될 수 있다. 예를 들어, OLED의 발광 층 및 정공 수송 층 사이에 배치되는 전자 차폐층 내에서 전자 차폐제로서 구리(I) 착화합물을 이용하는 것이 추가적으로 가능하다. 발광 층 내에서 방사체 분자로서 구리(I) 착화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
본 출원의 관점에서, 알킬, 아릴 및 아랄킬, 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알킬옥시카보닐, 알킬옥시설포닐라디칼 또는 기, 알킬 라디칼 또는 기, 알콕시 라디칼 또는 기 및 아릴옥시 라디칼 또는 기는 하기로서 정의된다:
아릴은 6 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 18개의 탄소 원자의 기본 골격을 갖는 라디칼이고, 이는 하나의 방향족 고리 또는 다수의 융합(fused) 방향족 고리로부터 형성된다. 적합한 기본 골격은, 예를 들어, 페닐, 나프틸, 안트라세닐 또는 페난트레닐이다. 이 기본 골격은 비치환될 수 있고(즉, 치환 가능한 모든 탄소 원자가 수소 원자를 보유한다) 또는 기본 골격의 하나, 하나 이상 또는 모든 치환 가능한 위치에서 치환될 수 있다.
적합한 치환체는, 예를 들어:
알킬 라디칼, 바람직하게는 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, 더 바람직하게는 메틸, 에틸, i-프로필 또는 t-부틸,
아릴 라디칼, 바람직하게는 C6 아릴 라디칼(이는 다시 치환되거나 또는 비치환될 수 있음),
헤테로아릴 라디칼, 바람직하게는 하나 이상의 질소 원자를 함유하는 헤테로아릴 라디칼, 더 바람직하게는 피리딜 라디칼,
알케닐 라디칼, 바람직하게는 하나의 이중 결합을 보유하는 알케닐 라디칼, 더 바람직하게는 하나의 이중 결합 및 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼,
또는
공여체 또는 수용체 작용을 갖는 기이다.
공여체 작용을 갖는 기는 +I 및/또는 +M 효과를 갖는 기를 지칭하고, 그리고 수용체 작용을 갖는 기는 -I 및/또는 -M 효과를 갖는 기를 지칭한다. 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 적합한 기는 할로겐 라디칼, 바람직하게는 F, Cl, Br, 더 바람직하게는 F, 알콕시 라디칼, 카보닐 라디칼, 에스테르 라디칼, 아민 라디칼, 아마이드 라디칼, CH2F 기, CHF2 기, CF3 기, CN 기, 티오 기 또는 SCN 기이다.
메틸, F, Cl 및 알콕시로 이루어지는 군으로부터 선택되는 라디칼로 치환된 아릴, 또는 비치환된 아릴이 특히 바람직하다.
아릴은 바람직하게는 전술한 치환체 중의 하나 이상으로 선택적으로 치환되는 C6 아릴 라디칼이다. C6 아릴 라디칼은 더 바람직하게는 전술환 치환체 중의 0, 1 또는 2개를 가지고, 1개의 치환체는 바람직하게는 아릴 라디칼의 추가 연결 지점에 대해 파라-위치에 배열되고, 2개의 치환체의 경우에는, 아릴 라디칼의 추가 연결 지점에 대해 메타-위치에 각각 배열된다.
C6 아릴 라디칼은 매우 특히 바람직하게는 비치환된 페닐 라디칼이다.
알킬은 1 내지 20개의 탄소 원자, 바람직하게는 1 내지 10개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 라디칼을 지칭한다. 알킬은 분지화 또는 비분지화될 수 있고, 그리고 선택적으로 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 N, O 또는 S로 단속(interrupt)될 수 있다. 더욱이, 알킬은 아릴에 대해 언급된 치환체 중의 하나 이상으로 치환될 수 있다. 알킬이 하나 이상의 아릴기를 보유하는 것도 가능하다. 이 관점에서, 상기 열거된 모든 아릴 기가 적합하다. 더욱이, 알킬은 3 내지 10개의 고리 원자, 바람직하게는 4 내지 7개의 고리 원자를 갖는 사이클릭 알킬일 수 있다. 고리 원자는 탄소 원자이고, 하나 이상의 탄소 원자는 헤테로원자, 바람직하게는 N, O 또는 S로 치환될 수 있다. 사이클릭 알킬은 분지화 또는 비분지화 알킬 라디칼로 치환될 수 있다.
바람직한 알킬은 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필, i-부틸, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, i-펜틸, n-펜틸, sec-펜틸, neo펜틸, n-헥실, i-헥실 및 sec-헥실, 사이클로헥실 및 사이클로펜틸로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
특히 바람직한 알킬은 메틸, i-프로필, t-부틸 및 n-헥실이다.
알콕시는 R1이 상기 정의된 바와 같은 알킬인 일반 화학식 -OR1의 기를 지칭한다. 따라서 바람직한 알콕시는 -O메틸, -O에틸, -Oi프로필, -On프로필, -Oi부틸, -On부틸, -Ot부틸, -Osec부틸, -Oi펜틸, -On펜틸, -Osec펜틸, -Oneo펜틸, -On헥실, -Oi헥실 및 -Osec헥실로부터 이루어지는 군으로부터 선택된다.
특히 바람직한 알콕시는 -O메틸, -Oi프로필, -Ot부틸 및 -On헥실이다. 아릴옥시는 R2가 상기 정의된 바와 같은 아릴인 일반 화학식 -OR2의 기를 지칭한다. 아릴옥시로서 특히 바람직한 것은 -O페닐 라디칼이다.
알킬티오는 R3이 상기 정의된 바와 같은 알킬인 일반 화학식 -SR3의 기를 지칭한다. 따라서 바람직한 알킬티오는 -S메틸, -S에틸, -Si프로필, -Sn프로필, -Si부틸, Sn부틸, -St부틸, -Ssec부틸, -Si펜틸, -Sn펜틸, -Ssec펜틸, -Sneo펜틸, -Sn헥실, -Si헥실 및 -Ssec헥실로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 알킬티오는 더 바람직하게는 -S메틸, -Si프로필, -St부틸 및 -Sn헥실이다.
아릴티오는 R4가 상기 정의된 바와 같은 아릴인 일반 화학식 -SR4의 기를 지칭한다. 아릴티오는 더 바람직하게는 -S페닐 라디칼이다.
알킬아미노는 R5가 상기 정의된 바와 같은 알킬인 일반 화학식 -NHR5의 기를 지칭한다. 따라서 바람직한 알킬아미노는 -NH메틸, -NH에틸, -NHi프로필, -NHn프로필, -NHi부틸, -NHn부틸, -NHt부틸, -NHsec부틸, -NHi펜틸, -NHn펜틸, -NHsec펜틸, -NHneo펜틸, -NHn헥실, -NHi헥실 및 -NHsec헥실로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 알킬티오는 더 바람직하게는 -NH메틸, -NHi프로필, -NHt부틸 및 -NHn헥실이다.
아릴아미노는 R6이 상기 정의된 바와 같은 아릴인 일반 화학식 -NHR6의 기를 지칭한다. 아릴아미노는 더 바람직하게는 -NH페닐 라디칼이다.
다이알킬아미노는 R7 및 R8이 각각 독립적으로 상기 정의된 바와 같은 알킬인 일반 화학식 -NR7R8의 기를 지칭한다. 바람직한 다이알킬아미노 -NR7R8은 메틸, 에틸, i-프로필, n-프로필, i-부틸, n-부틸, t-부틸, sec-부틸, i-펜틸, n-펜틸, sec-펜틸, neo펜틸, n-헥실, i-헥실 및 sec-헥실, 사이클로헥실 및 사이클로펜틸로 이루어지는 군으로부터 각각 독립적으로 선택되는 R7 및 R8 라디칼을 함유한다. R7 및 R8 라디칼은 바람직하게는 동일하다.
다이아릴아미노는 R9 및 R10이 각각 독립적으로 상기 정의된 바와 같은 아릴인 일반 화학식 -NR9R10의 기를 지칭한다. R9 및 R10 라디칼은 바람직하게는 동일하다. 다이아릴아미노는 더 바람직하게는 -N(페닐)2 라디칼이다.
알콕시카보닐은 R11이 상기 정의된 바와 같은 알킬인 일반 화학식 -(CO)OR11의 기를 지칭한다. 따라서 바람직한 알콕시카보닐은 -(CO)O메틸, -(CO)O에틸, -(CO)Oi프로필, -(CO)On프로필, -(CO)Oi부틸, -(CO)On부틸, -(CO)Ot부틸, -(CO)Osec부틸, -(CO)Oi펜틸, -(CO)On펜틸, -(CO)Osec펜틸, -(CO)Oneo펜틸, -(CO)On헥실, -(CO)Oi헥실 및 -(CO)Osec헥실로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
특히 바람직한 알콕시카보닐은 -(CO)O메틸, -(CO)Oi프로필, -(CO)Ot부틸 및 -(CO)On헥실이다.
알콕시설포닐은 R12가 상기 정의된 바와 같은 알킬인 일반 화학식 -(SO2)OR12의 기를 지칭한다. 따라서 바람직한 알콕시설포닐은 -(SO2)O메틸, -(SO2)O에틸, -(SO2)Oi프로필, -(SO2)On프로필, -(SO2)Oi부틸, -(SO2)On부틸, -(SO2)Ot부틸, -(SO2)Osec부틸, -(SO2)Oi펜틸, -(SO2)On펜틸, -(SO2)Osec펜틸, -(SO2)Oneo펜틸, -(SO2)On헥실, -(SO2)Oi헥실 및 -(SO2)Osec헥실로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
특히 바람직한 알콕시설포닐은 -(SO2)O메틸, -(SO2)Oi프로필, -(SO2)Ot부틸 및 -(SO2)On헥실이다.
할로겐은 바람직하게는 F, Cl 또는 Br, 더 바람직하게는 Cl 또는 Br이다.
변수 Ar이 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결된 2개의 페닐 또는 나프틸 라디칼을 지칭하는 경우, 이 결과로, 화학식 I, Ia 및 Ib 내 -Ar2P- 단위 대신에, 하기 도시된 단위가 된다:
이 단위들은 전술한 기로 선택적으로 고리 상 치환될 수도 있다.
화학식 I에서 n에 대한 3개의 값 1, 2 또는 3은 서로 상이할 수 있으나, 바람직하게는 동일하다.
본 발명과 관련하여 n이 1 또는 2의 값을 취하는 화학식 I의 화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
따라서, 특히, 3개의 메틸렌 또는 3개의 에틸렌 다리가 X와 P 사이에 존재하는 화학식 I의 화합물이 바람직하게 이용된다.
추가 구체예에서, 본 발명과 관련하여 X가 C-R 기인 화학식 I의 화합물을 이용하는 것이 바람직하고, 그리고 알킬 또는 아릴로서 R의 정의에 관해서는 상기 상세한 기술을 참조한다.
특히, C-R 기에서 R은 상기 상세하게 명시한 알킬로 정의된다.
화학식 I의 전술한 구리(I) 착화합물 및 이의 바람직한 구체예는 OLED 내 방사체 분자로서 현저하게 적합하다. 리간드의 간단한 변경은 전자기파 스펙트럼의 녹색 영역 및 특히 청색 영역에서 전계발광을 보이는 구리(I) 착화합물을 제공함을 가능하게 한다. 본 발명과 관련하여 이용되는 구리(I) 착화합물은 적절한 추가 방사체와 함께 산업적으로 이용 가능한 풀컬러 디스플레이를 위한 용도에 적합하다.
구리(I) 착화합물은 당업자에게 공지된 방법으로 제조된다. 특히, 서두에 언급한 문헌 인용 및 여기에서의 참고 문헌들을 참조한다. 본질적으로, 착화합물은 하기 일반 반응식에 따라 얻는다:
대응하는 트라이덴테이트 리간드의 경우, 예를 들어, H. Seidel, G. Huttner and Helmchen, Z. Naturforsch. 48 b, 1681-1692(1993), T. Seitz, A. Muth and G. Huttner, Chem. Ber. 127(1994) 1837-1842, H. Seidel, G. Huttner and L. Zsolnai, Z. Naturforsch. 50 b, 729-734(1995) 및 T. Seitz, A. Muth and G. Huttner, Z. Naturforsch. 50 b, 1045-1049(1995)를 참조한다.
Y가 할로겐, 시아네이토 또는 티오시아네이토와 상이한 착화합물을 제조할 수 있고, 예를 들어, 화학식 I의 할로겐-함유 구리(I) 착화합물의 음이온 교환에 의해 시작한다. 이 교환 반응 또한 당업자에 익숙한 것이고, 그리고 하기 반응식으로 도식화할 수 있다:
Y'는 예를 들어, 염소 또는 브롬이고, Y''는 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노 라디칼에 대응하는 음이온이고, 그리고 M은 1가의 금속, 예를 들어, 은(I) 또는 알칼리 금속, 예컨대, 나트륨 또는 칼륨이다.
반응은 바람직하게는 용액 또는 현탁액 내에서 이루어진다. 적합한 용매는 특히 당업자에 공지된 비양성자성 용매, 예를 들어, 톨루엔 또는 벤젠, 에테르, 예컨대, 테트라하이드로퓨란, tert-부틸 에테르 또는 tert-부틸 메틸 에테르, 아세토나이트릴 또는 할로겐화 탄화수소, 예를 들어 염화 메틸렌이다.
이용되는 구리(I) 화합물 CuY 대 이용되는 리간드의 몰 비는 전형적으로 0.7:1.0 내지 1.5:1.0, 바람직하게는 0.9:1.0 내지 1.1:1.0이고, 특히 1:1이다.
얻은 화학식 I의 구리(I) 착화합물은 당업자에 공지된 유기금속 합성의 관용 방법에 의해 정리한다(worked up).
본 발명과 관련하여 이용되는 화학식 I의 구리(I) 착화합물은 전자기파 스펙트럼의 가시광선 영역에서 방출(전계발광)을 가지기 때문에 방사체 물질로서 현저하게 적합하다. 방사체 물질로서의 구리(I) 착화합물의 도움으로, 특히 전자기파 스펙트럼의 청색 및 녹색 영역에서 전계발광을 발생시키는 것이 가능하다. 더욱이, 구리(I) 착화합물은 예를 들어, OLED의 발광 층 및 정공 수송 층 사이에 배치되는 OLED 내 전자 차폐층 내에서 전자 차폐제로서 적합하다.
화학식 I의 구리(I) 착화합물의 특별한 성질은 고체 상태에서도 전자기파 스펙트럼의 가시광선 영역에서 냉광, 특히 전계발광을 보이는 것이다. 따라서, 이 착화합물은 OLED 내 방사체 물질로서 추가 첨가물 없이 물질로서 이용될 수 있다. 따라서 발광 층을 갖는 OLED는 방사체 물질과 매트릭스 재료의 복잡한 공증착(coevaporation) 없이 생성 가능하다.
따라서 본 출원은 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)를 더 제공한다.
유기 발광 다이오드는 원칙적으로 몇 개의 층으로 구성되어 있다:
1. 산화 전극
2. 정공 수송 층
3. 발광 층
4. 전자 수송 층
5. 환원 전극
구리(I) 착화합물은 이의 HOMO의 위치에 따라 OLED의 상이한 층 내에서 이용될 수 있다; 예를 들어, 구리(I) 착화합물은 전자 차폐층 내 전자 차폐제로서 또는 발광 층 내 방사체 분자로서 이용될 수 있다.
이를 발광 층 내 방사체 분자로서 이용하는 것이 바람직하다.
따라서 본 출원은 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 포함하는 발광 층도 제공한다. 본 출원은 이러한 발광 층을 포함하는 유기 발광 다이오드를 더 제공한다.
바람직한 구리(I) 착화합물은 상기에 이미 특정되어 있다.
본 발명과 관련하여 이용되는 구리(I) 착화합물은 발광 층 내 추가 첨가물 없이 물질로서 이용될 수 있다. 그러나, 본 발명과 관련하여 이용되는 구리(I) 착화합물 이외에 발광 층 내 추가 화합물이 존재하는 것도 가능하다. 예를 들어, 형광 염료가 방사체 분자로서 이용되는 구리(I) 착화합물의 방출 색을 변화시키기 위해 존재할 수 있다. 희석 재료가 추가적으로 이용될 수 있다. 이 희석 재료는 중합체, 예를 들어, 폴리(N-비닐카바졸) 또는 폴리실란일 수 있다. 그러나, 희석 재료는 작은 분자, 예를 들어, 4,4'-N,N'-다이카바졸바이페닐(CBP), 테트라아릴실란 또는 3차 방향족 아민일 수도 있다. 희석 재료가 이용되는 경우, 본 발명과 관련하여 이용되는 구리(I) 착화합물의 발광 층 내 비율은 일반적으로 20 중량% 미만, 바람직하게는 3 내지 10 중량%이다. 물질로서 구리(I) 착화합물을 이용함이 바람직하고, 이는 매트릭스 재료(희석 물질 또는 형광 염료)와 구리(I) 착화합물의 복잡한 공증착을 피하게 한다. 이러한 목적을 위해, 구리(I) 착화합물이 고체 상태에서 냉광을 발함이 필수적이고, 이는 이 착화합물에 대해 실제로 그러하다. 따라서, 발광 층은 바람직하게는 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 포함하고, 그리고 추가 매트릭스 재료, 예를 들어, 희석 재료 및/또는 형광 염료는 비포함한다.
전술한 OLED의 개별 층은 2 이상의 층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 층은 전극으로부터 정공이 주입되는 1개의 층 및 정공을 정공 주입층으로부터 발광 층으로 수송하는 1개의 층으로 구성될 수 있다. 전자-수송 층 또한 다수의 층으로, 예를 들어, 전극에 의해 전자가 주입되는 1개의 층 및 전자 주입 층으로부터 전자를 수용하여 이를 발광 층으로 수송하는 1개의 층으로 이루어질 수 있다. 상기 언급한 이 층들은 에너지 준위, 내열성 및 전하 운반체 이동성과 같은 요소에 따라 각각 선택되고, 그리고 또한 언급한 층들과 유기층 또는 금속 전극 간의 에너지 차에 따라 각각 선택된다. 당업자는 본 발명과 관련하여 방사체 물질로서 이용되는 구리(I) 착화합물에 최적으로 순응하는 방식으로 OLED의 구조를 선택할 수 있다.
특히 효율적인 OLED를 얻기 위해, 정공 수송 층의 HOMO(최고 점유 분자 궤도함수)는 산화 전극의 일 함수에 정렬되어야 하고, 그리고 전자 수송 층의 LUMO(최저 비점유 분자 궤도함수)는 환원 전극의 일 함수에 정렬되어야 한다.
산화 전극 (1)은 양 전하 운반체를 제공하는 전극이다. 이는 예를 들어, 금속, 다양한 금속의 혼합물, 금속 합금, 금속 산화물 또는 다양한 금속 산화물의 혼합물을 포함하는 재료로 구성될 수 있다. 대안으로서, 산화 전극은 전도성 중합체일 수 있다. 적합한 금속은 원소 주기율표의 Ib, Ⅳa, Va 및 Ⅵa 족의 금속 및 Ⅷ 족의 전이 금속을 포함한다. 산화 전극이 투명해야 할 경우, 원소 주기율표의 Ⅱb, Ⅲb 및 Ⅳb 족의 혼합된 금속 산화물, 예컨대 인듐-주석 산화물(ITO)을 일반적으로 이용한다. 산화 전극 (1)이 유기 재료, 예컨대, Nature, Vol. 357, 페이지 477 내지 479(June 11, 1992)에 기술된 바와 같은 예컨대 폴리아닐린을 포함하는 것도 가능하다. 형성된 빛을 결합분리(decouple)시키기 위해 산화 전극 또는 환원 전극 가운데 하나 이상은 적어도 부분적으로 투명하여야 한다. 본 발명의 OLED의 층 (2)에 대한 적합한 정공 수송 재료는 예컨대, Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technologie, 4th edition, Vol. 18, 페이지 837 내지 860에 개시되어 있다. 정공-수송 분자 또는 중합체를 정공 수송 재료로서 이용할 수 있다. 관용적으로 이용되는 정공-수송 분자는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(α-NPD), N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD), 1,1-비스[(다이-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민(ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민(PDA), α-페닐-4-N,N-다이페닐아미노-스티렌(TPS), p-(다이에틸아미노)벤즈알데하이드 다이페닐하이드라존(DEH), 트라이페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐)](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TTB) 및 구리 프탈로시아닌과 같은 포피린 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 관용적으로 이용되는 정공-수송 중합체는 폴리비닐카바졸, (페닐메틸)폴리실란 및 폴리아닐린으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 폴리스티렌 및 폴리카보네이트와 같은 중합체를 정공-수송 분자로 도핑함으로써 정공-수송 중합체를 얻는 것도 가능하다. 적합한 정공-수송 분자는 상기에 이미 언급되어 있다.
본 발명의 OLED의 층 (4)에 대한 적합한 전자-수송 재료는 트리스(8-퀴놀리노레이토)알루미늄(Alq3)과 같은 옥시노이드 화합물과 킬레이트화된 금속, 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(BCP) 또는 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(DPA)과 같은 페난트롤린계 화합물 및 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(TAZ)과 같은 아졸 화합물을 포함한다. 층 (4)는 OLED의 층의 계면에서 여기자의 소광(quenching)을 방지하기 위해 완충 층 또는 장애물 층으로서 그리고 전자 수송을 용이하게 하도록 작용할 수 있다. 층 (4)는 바람직하게는 전자의 이동성을 개선시키고 여기자의 소광을 감소시킨다.
환원 전극 (5)는 전자 또는 음 전하 운반체를 도입하는 작용을 하는 전극이다. 환원 전극은 산화 전극보다 낮은 일 함수를 가지는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 환원 전극에 대한 적합한 재료는 원소 주기율표의 Ia 족의 알칼리 금속, 예컨대, Li, Cs, Ⅱa 족의 알칼리 토금속, Ⅱb 족의 금속, 그리고 희토류 금속 및 란탄족 및 악티늄족으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 더욱이, 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 금속 및 이의 조합도 이용할 수 있다. 더욱이, 리튬-함유 유기금속 화합물 또는 LiF를 유기층과 환원 전극 사이에 적용하여 작동 전압을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 OLED는 당업자에게 공지되어 있는 추가 층을 더 포함할 수 있다. 에를 들어, 양전하의 수송을 돕기 위해 그리고/또는 서로에 대한 층의 밴드 갭을 정합시키기 위해 추가 층을 층 (2)와 발광 층 (3) 사이에 적용할 수 있다. 대안으로서, 이 추가 층은 보호 층으로서 작용할 수 있다. 유사한 방식으로, 추가 층은 발광 층 (3)과 층 (4)의 사이에 존재하여 음 전하의 수송을 도울 수 있고 그리고/또는 서로에 대한 층 사이의 밴드 갭을 정합(match)시킬 수 있다. 대안으로서, 이 층은 보호 층으로서 작용할 수도 있다.
바람직한 구체예에서, 본 발명의 OLED는 층 (1) 내지 (5)에 더하여 하나 이상의 하기 층을 포함한다:
- 산화 전극 (1)과 정공 수송 층 (2) 사이의 정공 주입 층
- 정공 수송 층 (2)와 발광 층 (3) 사이의 전자에 대한 차폐층
- 발광 층 (3)과 전자 수송 층 (4) 사이의 정공에 대한 차폐층
- 전자 수송 층 (4)와 환원 전극 (5) 사이의 전자 주입 층
당업자는 적합한 재료를 선택하는 방법을 알 것이다(예를 들어, 전기화학 연구를 기초함). 개별 층에 대한 적합한 재료는 당업자에 공지되어 있고, 예를 들어, WO 00/70655에 개시되어 있다.
더 나아가, 본 발명의 OLED의 상기 언급한 각 층은 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다. 또한 층 (1), (2), (3), (4) 및 (5) 중의 몇몇 또는 모두를 전하 운반체 수송의 효율을 증가시키기 위해 표면-처리하는 것도 가능하다. 언급된 각 층에 대한 재료의 선택은 바람직하게는 고 효율을 갖는 OLED를 얻기 위해 이루어진다.
본 발명의 OLED는 당업자에게 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 일반적으로, OLED는 적합한 기재상에 개별 층의 연속 기상 증착에 의해 제조된다. 적합한 기재는 예컨대, 유리 또는 중합체 필름이다. 기상 증착은 열 기화, 화학적 기상 증착 등과 같은 관용적인 기술을 이용하여 수행될 수 있다. 대안적인 방법에서, 유기층이 적절한 용매 내 분산 또는 용액으로부터 도포될 수 있고, 이 경우 당업자에 공지된 코팅 기술을 이용한다.
일반적으로, 다양한 층은 하기 두께를 가진다: 산화 전극 (2)는 500 내지 5000Å이고, 바람직하게는 1000 내지 2000Å이고; 정공 수송 층 (3)은 50 내지 1000Å이고, 바람직하게는 200 내지 800Å이고, 발광 층 (4)는 10 내지 1000Å이고, 바람직하게는 100 내지 800Å이고, 전자 수송 층 (5)는 50 내지 1000Å이고, 바람직하게는 200 내지 800Å이고, 환원 전극 (6)은 200 내지 10000Å이고, 바람직하게는 300 내지 5000Å이다. 본 발명의 OLED 내 정공과 전자의 재조합 구역의 위치 및 이에 따른 OLED의 발광 스펙트럼은 각 층의 상대 두께에 영향을 받을 수 있다. 이것은 전자 수송 층의 두께가 전자-정공 재조합 구역이 발광 층 내에 위치하도록 바람직하게 선택되어야 함을 의미한다. OLED 내 개별 층의 두께 비는 이용되는 재료에 좌우된다. 이용되는 임의의 추가 층의 두께는 당업자에게 공지되어 있다.
본 발명과 관련하여 이용되는 구리(I) 착화합물의 본 발명의 OLED 내 발광 층의 방사체 분자로서의 용도는 고 효율을 갖는 OLED를 얻는 것을 가능케 한다. 본 발명의 OLED의 효율은 다른 층의 최적화에 의해 개선될 수 있다. 예를 들어, Ca, Ba 또는 LiF와 같은 고효율 환원 전극이 이용될 수 있다. 양자 효율의 증가 또는 작동 전압의 감소를 일으키는 성형된 기재 및 새로운 정공 수송 재료도 본 발명의 OLED에서 이용될 수 있다. 더 나아가, 추가 층이 OLED 내에 존재하여 다양한 층의 에너지 준위를 조정하고 전계발광을 도울 수 있다.
본 발명의 OLED는 전계발광이 유용한 모든 장치에서 이용될 수 있다. 적합한 장치는 바람직하게는 고정성 및 이동성 화상 디스플레이 유니트(VDU)로부터 선택된다. 고정성 VDU는 예컨대, 컴퓨터, 텔레비전의 VDU, 프린터, 주방 용품 및 광고용 사인, 조명 및 정보용 사인 내 VDU이다. 이동성 VDU는 예컨대, 휴대 전화, 노트북, 차량 및 버스와 기차의 목적지 디스플레이 내 VDU이다.
더욱이, 본 발명과 관련하여 이용되는 구리(I) 착화합물은 역상(inverse) 구조를 갖는 OLED에서 이용될 수 있다. 이 역상 OLED에서, 구리(I) 착화합물이 바람직하게는 발광 층에서 다시 한번 이용되고, 특히 바람직하게는 부가 첨가물 없이 발광 층으로서 이용된다. 역상 OLED의 구조 및 여기에서 관용적으로 이용되는 재료는 당업자에게 공지되어 있다.
본 출원은 화학식 Ia의 신규 구리(I) 착화합물을 더 제공한다:
[화학식 Ia]
식 중,
R은 알킬 또는 아릴이고,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
n은 1, 2 또는 3이고,
그리고
Y는 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
여기에서 그리고 또한 하기 기술한 구체예에서 변수의 정의에 대해서는, 상기 화학식 I의 구리(I) 착화합물에 대해 이미 상기에서 언급한 기술을 참조한다.
특히,
R은 알킬이고,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 할로겐, 시아노, 카복실 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환된 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
n은 1 또는 2이고,
그리고
Y가 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노인 화학식 Ia의 구리(I) 착화합물을 청구한다.
특히 바람직한 화학식 Ia의 구리(I) 착화합물에서,
R은 알킬이고,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고,
n은 1 또는 2이고,
그리고
Y는 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
본 출원은 화학식 Ib의 신규 구리(I) 착화합물을 더 제공한다:
[화학식 Ib]
식 중,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
n은 1, 2 또는 3이고,
그리고
Y가 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
특히,
Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 할로겐, 시아노, 카복실 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
n은 1 또는 2이고,
그리고
Y가 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노인 화학식 Ib의 구리(I) 착화합물을 청구한다.
특히 바람직한 화학식 Ib의 구리(I) 착화합물에서,
Ar이 페닐 또는 나프틸이고,
n이 1 또는 2이고,
그리고
Y가 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
화학식 Ia 및 Ib의 구리 착화합물은 이미 공지된 착화합물에 기초하여 합성될 수 있다. 화학식 I의 구리(I) 착화합물의 합성에 관한 상기 기술 및 서두에 인용된 관련 문헌을 참조한다.
건조 요오드화 구리(I) 0.102 g(0.54 mmol)을 아세토나이트릴 20 ml에 용해하고, 고형의 1,1,1-트리스(다이페닐포스피노메틸)에탄 0.320 g(0.51 mmol)과 혼합하였다. 혼합물을 환류 하에서 20분 동안 가열하였다. 얻은 백색 침전물을 흡입으로써 여과하고, 아세토나이트릴 및 다이에틸 에테르로써 세척하고, 건조하였다. 고체는 최대 방출 파장 465 nm에서 청색 방출을 보였다.
실시예 화합물(방사체)의 전계발광은 방사체를 위한 매트릭스 재료 없이
ITO/α-NPD/Cu(tripod)I/BCP/LiF/Al
상기 층 구조 내에서 측정하였다.
이 구조에서:
ITO: 인듐 주석 산화물
α-NPD: 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐
Cu(tripod)I: 실시예 화합물(방사체)
BCP: 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린
LiF: 플루오르화 리튬
Al: 알루미늄
이 층 구조에 대한 방사체의 최대 방출은 526 nm에서 였다.
Claims (15)
- 화학식 I의 구리(I) 착화합물의 유기 발광 다이오드(OLED) 내 용도:[화학식 I]
식 중,X는 질소 또는 C-R 기이고,R은 알킬 또는 아릴이고,Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼이 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,n은 1, 2 또는 3이고,그리고Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다. - 제1항에 있어서, 화학식 I의 n이 1 또는 2의 값을 취하는 용도.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학식 I의 X가 C-R 기인 용도.
- 제3항에 있어서, 화학식 I의 C-R 기의 R이 알킬인 용도.
- 제1항 내지 제4항 중 하나 이상의 항에 있어서, 유기 발광 다이오드 내 방사체 분자, 방사체를 위한 매트릭스 재료 또는 전자 차폐제로서의 화학식 I의 구리(I) 착화합물의 용도.
- 제1항 내지 제4항 중 하나 이상의 항에 따른 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 하나 이상 포함하는 유기 발광 다이오드.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 하나 이상 포함하는 발광 층.
- 제7항에 따른 발광 층을 포함하는 유기 발광 다이오드.
- 제6항 또는 제7항에 따른 유기 발광 다이오드를 포함하는 고정성 화상 디스플레이 유니트.
- 화학식 Ia의 구리(I) 착화합물:[화학식 Ia]식 중,R은 알킬 또는 아릴이고,Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,n은 1, 2 또는 3이고,그리고Y는 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
- 제10항에 있어서,R은 알킬이고,Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 할로겐, 시아노, 카복실 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,n은 1 또는 2이고,그리고Y가 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노인 화학식 Ia의 구리(I) 착화합물.
- 제10항에 있어서,R은 알킬이고,Ar은 페닐 또는 나프틸,n은 1 또는 2이고,그리고Y는 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노인 화학식 Ia의 구리(I) 착화합물.
- 화학식 Ib의 구리(I) 착화합물:[화학식 Ib]
식 중,Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,n은 1, 2 또는 3이고,그리고Y가 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다. - 제13항에 있어서,Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 할로겐, 시아노, 카복실 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼은 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,n은 1 또는 2이고,그리고Y가 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노인 화학식 Ib의 구리(I) 착화합물.
- 제13항에 있어서,Ar이 페닐 또는 나프틸이고,n이 1 또는 2이고,그리고Y가 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노인 화학식 Ib의 구리(I) 착화합물.
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