KR20070029325A

KR20070029325A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR20070029325A
Application number: KR1020050083985A
Authority: KR
Inventors: 구재찬
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-09-09
Filing date: 2005-09-09
Publication date: 2007-03-14

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 소정의 반도체 공정을 수행하는 처리실 및 상기 처리실 내부의 압력 조절 및 배기를 수행하는 배기부를 포함하되; 상기 배기부는 상기 처리실과 연결되고, 상기 처리실 내부의 압력을 공정 압력으로 유지하기 위한 흡입 부재가 결합되는 배기관과 상기 배기관에 결합되어 상기 배기관 내부에 이동되는 가스의 유속을 측정하는 유속 측정기를 포함한다.

상기와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치는 배기관 내벽의 오염 정도를 유속 측정기가 유속 변화에 따라 파악함으로써 작업자가 배기관 내벽의 오염 정도를 파악할 수 있다.

기판 처리 장치, 화학 기상 증착 장치, 확산 장치, 유속 측정기, 배기 시스템, 배기관, 벤트 라인

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.

도 2는 도 1에 도시된 유속 측정기 및 유속 측정기와 연결되는 마이컴, 경보장치를 도시한 구성도이다.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 반도체 제조 장치 186 : 흡입 부재

110 : 처리실 188 : 압력 측정부

112 : 공정 튜브 200 : 유속 측정기

120 : 매니 폴드 210 : 측정부

130 : 웨이퍼 보우트 220 : 커버부

140 : 가스 공급관 230 : 몸체부

150 : 캡 플랜지 240 : 표시부

160 : 엘리베이터 장치 310 : 마이컴

170 : 히터 312 : 판단부

180 : 배기부 314 : 제어부

182 : 배기관 320 : 경보장치

184 : 벤트 라인

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.

반도체 제조 공정에서 사용되는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, 이하 'CVD'라 한다) 공정이란 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판상에 일정 박막을 증착하는 공정이다. 최근에는 증착막의 균일도가 우수하고, 복수의 웨이퍼를 동시에 처리하며, 사용되는 공정 가스의 소비량을 줄일 수 있는 저압 CVD 장치가 주로 사용되고 있다.

일반적인 저압 CVD 장치는 공정 챔버, 웨이퍼 보우트, 복수의 가스 공급관들, 배기관, 그리고 벤트 라인을 포함한다. 상기 공정 챔버에는 적어도 하나의 공정 튜브가 설치되어 있으며, 공정이 개시되면 상기 튜브 내부로 복수의 웨이퍼를 탑재한 웨이퍼 보우트가 삽입되고, 상기 공정 튜브 내부가 외부와 밀폐된다. 이때, 상기 공정 챔버는 배기관에 결합된 펌프에 의해 소정의 감압 상태로 감압되고, 공정 가스가 상기 가스 공급관에 의해 상기 공정 챔버 내부로 공급되어 웨이퍼 들 상에 분사된다. 여기서, 상기 배기관은 지속적으로 상기 공정 가스를 배출함으로써 상기 공정 챔버 내부의 감압 상태를 유지시킨다.

웨이퍼들 상에 소정의 박막이 형성되면, 상기 웨이퍼 보우트를 상기 공정 챔버로부터 분리하기 위하여 상기 공정 챔버 내부의 압력을 상압으로 상승시킨다. 이를 위해 상기 가스 공급관을 통해 상기 공정 챔버 내부로 질소가스 또는 불활성 가스를 포함하는 퍼지 가스가 상기 가스 공급관에 의해 상기 공정 챔버 내부로 공급되면서, 상기 배기관에 연결된 상기 벤트 라인에 의해 상기 공정 챔버 내부의 상기 퍼지 가스가 배출된다. 상기 공정 챔버 내부의 압력이 상압으로 상승되면, 상기 웨이퍼 보우트는 상기 공정 튜브로부터 분리된다.

이러한 저압 화학 기상 장치에서는 공정 완료 후 질소 가스가 설정시간 동안 공급되고, 공정 챔버 내부의 압력이 상압보다 높아지면 벤트 라인이 개방되어, 이를 통해 상기 공정 챔버 내의 질소 가스 및 공정 가스를 외부로 배기한다.

그리나, 상기 배기관의 내벽에는 점차 파우더와 같은 오염물질이 증착되어 점차 상기 배기관의 배기 효율이 떨어진다. 이는 상기 배기관을 통해 배출되는 상기 공정 가스 및 공정 부산물들은 온도가 높은 곳에서 온도가 낮은 곳으로 이동하는 성질이 있어 상기 배기관의 배기시 고온의 상기 공정 가스가 상대적으로 온도가 낮은 상기 배기관의 내벽에 흡착되어 점차 배관의 내경을 감소시키기 때문이다. 상기 배기관의 배기 효율이 감소되면, 상기 배기관으로 배기되는 가스가 역류하거나 상기 흡입 부재에 의한 감압이 원활히 이루어지지 않아 기판 처리 장치의 기능을 감소시키는 원인이 된다.

또한, 상기 배기관의 내벽에 오염물질이 증착됨에 따라 상기 배기관의 내경이 점차 작아지므로 상기 배기관이 배기를 수행함에 있어서 상기 배기관에 부하되는 배기 압력이 증가하게 된다. 그리하여, 상기 배기관은 상기 공정 챔버의 배기를 수행함에 있어서 상기 배기관이 과부하 되어 상기 배기관의 연결부위 등에서 리크(leak)가 발생될 수 있다.

상술한 문제점으로 해결하기 위한 본 발명의 목적은 배기관 내벽에 오염물질이 증착된 정도를 작업자가 인지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 배기관에 리크(leak)가 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공함에 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 소정의 반도체 공정을 수행하는 처리실 및 상기 처리실 내부의 압력 조절 및 배기를 수행하는 배기부를 포함하되; 상기 배기부는 상기 처리실과 연결되고, 상기 처리실 내부의 압력을 공정 압력으로 유지하기 위한 흡입 부재가 결합되는 배기관과 상기 배기관에 결합되어 상기 배기관 내부에 이동되는 가스의 유속을 측정하는 유속 측정기를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면 상기 처리실은 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행한다.

본 발명의 실시예에 따르면 상기 유속 측정기는 상기 배기관의 내부 중앙에 위치되는 측정부와 상기 측정부와 연결되고, 상기 측정부가 측정하는 상기 가스의 유속을 표시하는 표시부를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면 상기 기판 처리 장치는 상기 유속 측정기로부터 전송받은 전기적 신호를 판독하여 상기 기판 처리 장치를 제어하는 마이컴을 더 포함한다. 또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 마이컴에 의해 작동되어 알람을 발생시키는 경보 장치를 더 포함하고, 상기 마이컴은 상기 배기관 내 가스의 유속과 기설정된 유속을 비교하여 상기 가스의 유속이 기설정된 유속과 같거나 높을 때는 상기 경보 장치를 작동시킨다.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판 처리 장치 내부의 가스를 배기관을 통해 외부로 배출하는 단계; 유속 측정기가 상기 배기관 내 상기 가스의 유속을 측정하는 단계; 상기 유속 측정기와 연결된 마이컴이 상기 유속 측정기가 측정한 상기 가스의 유속과 기설정된 유속을 비교하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 상기 가스의 유속이 기설정된 유속보다 같거나 높을 때는 작업자가 이를 인지하도록 알람을 발생하거나 마이컴에 표시하는 단계를 더 포함한다.

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시예를 첨부한 도면 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다. 다음의 실시예는 저압 화학 기상 증착 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 저압의 공정 챔버 내에서 공정을 수행하고 웨이퍼를 상기 공정 챔버로부터 언로딩시 상기 공정 챔버 내부를 상압으로 유지하여야 하는 모든 반도체 제조 장치에 적용가능하다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시한 구성도이고 도 2는 도 1에 도시된 유속 측정기 및 유속 측정기와 연결되는 마이컴, 경보장치를 도시한 구성도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 처리실(110)과 배기부(180)를 갖는다. 처리실(110)은 웨이퍼에 소정의 박막을 증착시키는 공정을 수행하며, 배기부(180)는 처리실(110)에 사용되는 공정 가스 및 불활성 가스의 배기 및 처리실(110) 내부의 압력 조절 기능을 수행한다.

처리실(110)은 공정 튜브(112), 매니 폴드(120), 웨이퍼 보우트(130), 가스 공급관(140), 캡 플랜지(150), 엘리베이터 장치(160), 그리고 히터(170)를 포함한다.

공정 튜브(112)는 외측 및 내측 튜브(112a, 112b)를 포함한다. 공정 튜브(112)는 외부와 밀폐되어 웨이퍼가 처리될 수 있도록 공간을 제공한다. 공정 튜브(112)는 일반적으로 석영(quartz) 재질로서, 외측 튜브(112a)는 상부가 돔(dome) 형상이고 하부가 개방된 원통형이다. 또한, 내측 튜브(112b)는 외측 튜브(112a) 내부에서 상부 및 하부가 개방된 원통형으로 제작된다.

매니 폴드(120)는 공정 튜브(112)의 하부에 결합되어 공정 튜브(112)를 지지한다. 매니 폴드(120)의 상측에는 매니 폴드(120)의 외주면으로부터 연장되어 외측 튜브(112b)를 지지하기 위한 외측 받침대(미도시됨)가 형성되며, 매니 폴드(120)의내주면에는 매니 폴드(120)의 내주면으로부터 연장되어 내측 튜브(112a)를 지지하는 내측 받침대(미도시됨)이 형성된다. 또한, 매니 폴드(120)에는 후술할 가스 공급관(140) 및 배기관(210)이 연결된다.

웨이퍼 보우트(130)는 복수의 웨이퍼들을 수평으로 안착시킨다. 이를 위해, 웨이퍼 보우트(130)는 수평으로 놓여진 상부판(미도시됨) 및 하부판(미도시됨)을 가지며, 상기 상부판 및 상기 하부판 사이에는 복수의 지지대(미도시됨)들이 설치된다. 상기 지지대에는 웨이퍼들이 삽입될 수 있는 슬롯들이 형성되어, 상기 슬롯에 복수의 웨이퍼들이 수평으로 배치된다.

가스 공급관(140)은 매니 폴드(120) 일측에 연결되어 공정 튜브(112) 내부로 소정의 가스를 공급한다. 본 실시예는 가스 공급관(140)이 제 1 및 제 2 가스 공급관(142, 144)을 포함하는 경우를 설명한다. 제 1 가스 공급관(142)은 공정 튜브(112) 내로 소정의 공정 가스를 공급하는 라인이며, 제 2 가스 공급관(144)은 공정 튜브(112) 내로 질소 가스 또는 불활성 가스 등을 포함하는 퍼지 가스를 공급하는 라인이다. 가스 공급관(140)은 적어도 하나로 제공되며, 공정에 따라 사용되는 가스들에 대응되도록 그 수가 증가될 수 있다.

캡 플랜지(150)는 엘리베이터 장치(160)가 웨이퍼 보우트(130)를 공정 튜브(112) 내부로 이동시키거나 공정 튜브(112)로부터 외부로 이동시킬 때 웨이퍼 보우트(130)를 지지하고, 웨이퍼 보우트(130)가 공정 튜브(112) 내부로 인입되었을 때 매니 폴드(120)와 밀착하여 공정 튜브(112) 내부를 외부와 밀폐시키는 기능을 수행한다. 이를 위해 캡 플랜지(150)의 상부면에는 웨이퍼 보우트(130)를 장착되기 위한 안착부(미도시됨)가 형성되고, 캡 플랜지(150)의 하부에는 엘리베이터 장치(160)의 연결 부재(162)와 연결된다.

엘리베이터 장치(160)는 연결 부재(162), 리드 스크류(164), 그리고 모터(166)를 포함한다. 연결 부재(162)는 일측이 캡 플랜지(150)의 하부에 결합되고, 다른 일측이 리드 스크류(164)에 결합된다. 연결 부재(162)가 리드 스크류(164)에 결합되는 일측에는 홀(미도시됨)이 형성되며, 상기 홀의 내주면에는 리드 스크류(164)의 표면에 형성되는 나사산에 상응하는 나사산이 형성된다. 그리하여, 상기 홀에 리드 스크류(164)가 삽입되고, 리드 스크류(164)가 모터(166)에 의해 회전되면 연결 부재(162)는 리드 스크류(164)에 형성된 나사산을 따라 회전됨으로써 상하로 이동하게 된다.

히터(170)는 외측 튜브(112b) 외부면을 따라 환형으로 배치되어, 상기 공정 튜브(112)를 공정 온도로 유지될 수 있도록 가열한다.

배기부(180)는 배기관(182) 및 벤트 라인(184), 그리고 유속 측정기(200)를 포함한다. 배기관(182)은 처리실(110) 내부에 잔류하는 공정 부산물을 배출하며, 벤트 라인(184)은 처리실(110) 내부에 공급된 질소 가스 또는 불활성 가스 등의 퍼 지 가스를 외부로 배출하는 기능을 수행한다.

배기관(182)에는 밸브(182a), 압력 측정부(188), 흡입 부재(186), 그리고 유속 측정기(200)가 결합된다. 밸브(182a)는 일반적으로 전기적인 신호에 의해 제어되는 자동 밸브(auto valve)이거나 작업자의 조작에 의해 제어되는 수동 밸브(manual valve)이며, 배기관(182)에 결합되어 배기관(182a)을 개폐하는 기능을 한다.

압력 측정부(188)는 배기관(182)을 통해 배출되는 공정 부산물 등을 포함하는 가스의 압력을 측정한다. 예컨대, 압력 측정 장치(188)는 압력 센서를 포함하며, 배기관(182)으로 배출되는 상기 공정 부산물의 배출 압력을 측정한 뒤, 측정한 데이터를 마이컴(도 2의 참조번호(310))으로 전송한다. 상기 마이컴은 상기 데이터를 판독하여 밸브(182, 184)의 개폐 및 흡입 부재(186)의 작동 등을 제어한다. 상기 마이컴에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.

흡입 부재(186)는 예컨대, 고분자 진공 펌프로서 배기관(182) 상에 결합되고 배기관(182)에 압력을 제공함으로써, 처리실(110) 내부의 잔류하는 공정 부산물들을 외부로 배출시킨다. 그리하여, 처리실(110) 내부의 압력을 공정상 요구되는 소정의 저압 상태로 감압시키는 기능을 수행한다.

벤트 라인(184)은 배기관(182)으로부터 분기되고, 처리실(110) 내부에 제공되는 질소 가스 또는 불활성 가스 등을 포함하는 퍼지 가스를 배기한다. 벤트 라인(220)에 결합되는 밸브(220)는 고온의 가스들에 견딜 수 있는 고온용 밸브를 사용하는 것이 바람직하다.

여기서, 다른 실시예로서, 각각의 배기관(182) 및 벤트 라인(184)은 각각의 배기관(182)을 우회하는 보조 배기관(미도시됨) 및 벤트 라인(184)을 우회하는 보조 벤트 라인(미도시됨)을 포함할 수 있다. 즉, 배기관(182)에 결합되는 밸브(182a)가 오동작하는 등의 문제점 발생시, 밸브(182a)를 클로우즈하여 배기관(182)을 통한 배기를 중지하고, 상기 보조 배기관 상에 결합된 밸브(미도시됨)가 오픈되어 처리실(110)의 배기를 상기 보조 배기관이 대체할 수 있도록 한다. 같은 방식으로 벤트 라인(184) 상에 문제점 발생시는 밸브(184a)를 클로우즈하여 벤트 라인(184)을 통한 배기를 중지하고, 상기 보조 벤트 라인 상에 결합된 밸브(미도시됨)가 오픈되어 상기 보조 벤트 라인이 벤트 라인(184)의 기능을 대체하는 것이다.

유속 측정기(200)는 배기관(182) 상에 결합된다. 도 2를 참조하면, 유속 측정기(200)는 측정부(210), 커버부(220), 몸체부(230), 그리고 표시부(240)를 포함한다.

측정부(210)는 일측이 커버부(220)와 결합되고, 배기관(182)의 외벽에서 배기관(182)의 내부 중심으로 연장되는 바(bar) 형상으로 제작된다. 측정부(210)는 배기관(182)의 내부 중심을 기준으로 배기관(182) 내 가스의 유속을 측정한다. 측정부(210)는 상기 배기관(182) 내 가스의 유속을 측정하고, 측정한 데이터를 표시부(240)에 전송한다.

커버부(220)는 몸체부(230) 일측에 개방된 개구부를 개폐한다. 예컨대, 커버부(220)는 커버부(220)의 중심에 측정부(210)를 고정시키고, 상기 개구부에 측정부(210)를 삽입하여 배기관(182)의 내부 중심에 측정부(210)가 위치하도록 한 뒤 상 기 홀을 밀폐한다.

몸체부(230)는 두 개의 배기관(182) 사이에서 각각의 배기관(182)과 대응하여 결합되는 관 형상이며, 일측에는 측정부(210)가 삽입될 수 있는 상기 개구부가 형성된다. 상기 개구부는 커버부(220)에 의해 개폐되며, 이때 볼트와 같은 고정부재(미도시됨)에 의해 탈착이 가능하도록 한다.

표시부(240)는 아날로그 또는 전자식 게이지(gauge) 등을 포함하며, 설비 일측에 구비되어 측정부(210)가 측정한 배기관(182) 내 가스의 유속을 작업자가 인지할 수 있도록 표시하는 기능을 한다. 본 실시예에서는 표시부(240)가 마이컴(310)과 분리하여 기판 처리 장치(100) 일측에 구비되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 마이컴(310)에 구비되는 디스플레이부(미도시됨)에 측정부(210)가 측정한 유속을 표시하여 작업자가 인지하도록 할 수도 있다.

마이컴(310)은 표시부(240) 또는 측정부(210)로부터 배기관(182) 내 유속 데이터를 전송받아 기설정된 유속과 비교한다. 만약, 상기 유속 데이터가 기설정된 유속과 같거나 높을 때는 기판 처리 장치(100) 일측에 구비되는 경보 장치(320)를 작동시켜 작업자가 배기관(182) 내부에 오염 물질이 허용치 이상으로 오염되어 있다는 것을 인식하도록 한다.

즉, 배기관(182) 내벽에 증착되는 오염 물질은 배기관(182)의 내경을 감소시키므로, 배기관(182) 내부에 이동되는 공정 가스 및 공정 부산물 등의 가스들의 유속이 증가하게 된다. 그러므로, 유속 측정기(200)는 배기관(182) 내 가스의 유속을 측정하고, 마이컴(310)은 유속 측정기(200)가 측정한 유속과 기설정된 유속을 비교 하여 기설정된 유속 이상으로 증가되었을 때 경보 장치(320)를 작동시켜 작업자가 이를 인식하도록 하는 것이다. 작업자는 경보 장치(320)가 작동되면, 배기관(182) 내부에 증착된 오염 물질을 제거하거나, 새로운 배기관(182)으로 교체하는 등의 유지 보수 작업을 실시한다.

이하, 상기와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치의 작동 방법을 상세히 설명한다. 여기서, 도 1 및 도 2에 도시된 구성요소들과 동일한 구성요소들은 참조번호를 동일하게 기재하고, 이들에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 도시한 순서도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 공정 튜브(112) 내부로 웨이퍼 보우트(130)가 인입되어 밀폐된다. 이때, 배기관(182)에 결합된 흡입 부재(186)는 공정 튜브(112) 내부를 감압 상태를 조성하기 위해 공정 튜브(112) 내부의 공기를 외부로 배출시켜 공정 압력으로 감압시킨다.

공정 튜브(112)의 압력이 소정의 공정 압력으로 감압되면, 가스 공급관(140)은 소정의 공정 가스를 웨이퍼 보우트(130)에 탑재된 복수의 웨이퍼들 상에 분사된다. 여기서, 흡입 부재(186)는 공정 튜브(112) 내부에 형성된 감압 상태를 유지하기 위해 일정한 흐름으로 공정 튜브(112) 내로 공급되는 상기 공정 가스를 외부로 배출시킨다(S10), 여기서, 흡입 부재(186)에 의해 배출되는 공정 튜브(112) 내부의 가스에는 상기 공정 가스 및 파우더와 같은 공정 부산물 등이 포함되어 있다.

스텝 S10 과정에서 배기관(182)을 통해 가스가 배출될 때 유속 측정기(200)는 배기관(182) 내 가스의 유속을 측정하고 측정한 유속을 작업자가 인지할 수 있 도록 표시한다(S20). 즉, 유속 측정기(200)의 측정부(210)는 배기관(182) 내 가스의 유속을 측정하고, 측정한 데이터를 표시부(240)로 전송한다. 표시부(240)는 소정의 게이지이며 작업자는 표시부(240)에 표시되는 유속값을 눈으로 인지한다.

스텝 S20 과정에서 유속 측정기(200)가 측정한 배기관(182)의 유속 데이터는 마이컴(310)으로 전송되며, 마이컴(310)은 상기 유속 데이터를 분석하여 배기관(182) 내 가스의 유속과 기설정된 유속을 비교한다(S30).

스텝 S30을 수행함에 있어서, 배기관(182) 내 가스의 유속과 기설정된 유속이 같거나 높을 경우(S40)에는 마이컴(310)은 경보 장치(320)를 작동시키거나, 마이컴(310)에 구비되는 디스플레이부(미도시됨)에 이를 표시하여 작업자가 배기관(182) 내벽에 증착된 오염 물질이 허용치 이상으로 증착되어 정상적인 배기가 할 수 없다는 것을 인지하도록 한다(S50).

여기서, 본 발명의 다른 실시예로서, 배기관(182) 내 가스의 유속이 기설정된 유속보다 같거나 높을 경우에는 마이컴(310)이 경보 장치(320)를 발생함과 동시에, 밸브(182a)을 작동시켜 배기관(182)을 클로우즈하고, 앞서 상술한 상기 보조 배기관(미도시됨)을 오픈시켜 배기관(182)의 배기 기능을 대체하도록 할 수도 있다. 이것은 배기관(182)의 문제 발생시 상기 보조 배기관으로 처리실(110)의 배기를 대체함으로써 기판 처리 공정이 모두 중지되는 것을 방지하기 위한 것이다.

이상으로 본 발명에 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 상세히 설명하였지만, 상술한 실시예로 인해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 배기관 상에 유속 측정기의 위치 및 결합 방식은 다양하게 적용가능할 수 있 으며, 벤트 라인에도 유속 측정기가 결합되어 각각의 배기관과 벤트 라인 내벽의 오염 정도를 모니터링할 수도 있다.

본 발명의 기술적 사상은 반도체의 기판을 처리하는 장치에 있어서 장치 내부의 가스를 배기하는 배기관 내벽의 오염 정도를 유속 변화에 따라 파악하여 작업자가 배기관의 오염 정도를 인지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.

상술한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 배기관 내벽의 오염 정도를 유속 측정기가 유속 변화에 따라 파악함으로써 작업자가 배기관 내벽의 오염 정도를 파악할 수 있다.

그리하여, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 작업자가 미리 배기관의 오염 정도를 모니터링할 수 있어 배기관의 오염에 따른 배기관의 리크 현상 및 배기관의 배기 불량에 따른 반도체 기판의 오염을 사전에 방지한다.

Claims

반도체 기판을 처리하는 장치에 있어서,

소정의 반도체 공정을 수행하는 처리실 및 상기 처리실 내부의 압력 조절 및 배기를 수행하는 배기부를 포함하되;

상기 배기부는,

상기 처리실과 연결되고, 상기 처리실 내부의 압력을 공정 압력으로 유지하기 위한 흡입 부재가 결합되는 배기관과;

상기 배기관에 결합되어 상기 배기관 내부에 이동되는 가스의 유속을 측정하는 유속 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 처리실은 확산 공정 또는 화학 기상 증착 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 유속 측정기는,

상기 배기관의 내부 중앙에 위치되는 측정부와;

상기 측정부와 연결되고, 상기 측정부가 측정하는 상기 가스의 유속을 표시하는 표시부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 기판 처리 장치는,

상기 유속 측정기로부터 전송받은 전기적 신호를 판독하여 상기 기판 처리 장치를 제어하는 마이컴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 기판 처리 장치는,

상기 마이컴에 의해 작동되어 알람을 발생시키는 경보 장치를 더 포함하고,

상기 마이컴은 상기 배기관 내 가스의 유속과 기설정된 유속을 비교하여 상기 가스의 유속이 기설정된 유속과 같거나 높을 때는 상기 경보 장치를 작동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
기판 처리 장치 내부의 가스를 배기관을 통해 외부로 배출하는 단계;

유속 측정기가 상기 배기관 내 상기 가스의 유속을 측정하는 단계;

상기 유속 측정기와 연결된 마이컴이 상기 유속 측정기가 측정한 상기 가스의 유속과 기설정된 유속을 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
제 6 항에 있어서,

상기 기판 처리 방법은,

상기 가스의 유속이 기설정된 유속보다 같거나 높을 때는 작업자가 이를 인지하도록 알람을 발생하거나 마이컴에 표시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.