KR20200104057A - 반도체 제조설비용 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치 - Google Patents

반도체 제조설비용 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치 Download PDF

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KR20200104057A
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Abstract

본 발명에 의하면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에 설치되는 온도 센서; 및 상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도를 기초로 상기 배기라인에서 상기 온도 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며, 상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 온도 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 온도에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.

Description

반도체 제조설비용 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치 {APPARATUS FOR MONITORING STATE OF POWDER DEPOSITION IN GAS EXHAUSTING LINE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION FACILITY}
본 발명은 반도체 제조설비의 배기라인에서 부산물에 의한 파우더 퇴적 상태를 모니터링하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 공정챔버에서 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 확산 및 금속증착 등의 공정들이 반복적으로 수행됨으로써 제조되고 있다. 이러한 반도체 제조 공정 중에는 다양한 공정 가스가 사용되며, 공정이 완료된 후에는 공정챔버에 잔류가스가 존재하게 되는데, 공정챔버 내 잔류가스는 유독성분을 포함하고 있기 때문에, 진공펌프에 의해 배출되어서 스크러버와 같은 배기가스 처리장치에 의해 정화된다. 공정챔버로부터 잔류가스가 배기라인을 통해 배출되는 과정에서 배기가스에 포함된 일부 성분은 온도와 압력의 변화에 따라 고체화 되어서 파우더를 형성하게 되는데, 이와 같이 형성된 파우더는 배기라인 내에 쌓여서 유로 막힘 현상을 유발시킨다.
파우더에 의한 배기라인 막힘을 방지하기 위하여, 배기라인의 온도를 일정하게 유지시키는 히팅 재킷(heating jacket)을 설치하거나, 부분압을 감소시켜 기체 상태를 유지하도록 하기 위해 배기라인에 질소 가스를 유입시키거나, 배기라인의 일부를 인위적으로 냉각시켜 파우더를 포집하는 트랩(Trap)을 설치한다. 배기라인의 유지보수를 위해서 트랩 등에 파우더가 쌓인 정도를 파악할 필요가 있는데, 이를 위하여 종래에는 내부를 작업자가 육안으로 확인할 수 있는 투명한 관찰창이 구비된 트랩이 사용되어서 트랩 내부의 세정 시기 등을 결정하는 기술이 개시되어 있으나, 이러한 방식은 작업자의 숙련도에 따라 세정 횟수 불필요 하게 늘어날 수 있고 트랩이 아닌 배관에는 적용하기 어렵기 때문에 개선이 요구된다.
대한민국 등록특허공보 등록번호 10-0455782호 "냉각트랩 부분이 개선된 반도체소자 제조장치" (2004.11.06.)
본 발명의 목적은 본 발명은 반도체 제조설비의 배기라인에서 부산물에 의한 파우더 퇴적 상태를 효율적이고 정확하게 모니터링하는 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에 설치되는 온도 센서; 및 상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도를 기초로 상기 배기라인에서 상기 온도 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며, 상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 온도 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 온도에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에 설치되어서 열유속을 측정하는 히트 플럭스 센서; 및 상기 히트 플럭스 센서에서 측정된 측정 열유속을 기초로 상기 배기라인에서 상기 히트 플럭스 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며, 상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 열유속 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 열유속에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서, 상기 배기라인 상에서 퇴적되는 파우더의 높이 방향 어느 한 위치에 설치되는 광센서를 포함하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있다. 구체적으로는, 온도 센서를 통해 측정된 온도에 기초하여 파우더의 퇴적 두께별 온도 데이터를 이용하여 측정 온도에 대응하는 파우더의 퇴적 두께가 선정되고 파울링 보정 데이터에 의해 보정되어서 최종적으로 파우더 퇴적 두께가 추정되므로 트랩 또는 배관에 파우더가 쌓인 정도가 쉽고 정확하게 모니터링 될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 설치된 반도체 제조설비의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치에서 센서가 설치된 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치에서 분석 모듈의 구성을 도시한 블록도이다.
도 4는 도 3에 도시된 공정 조건 데이터베이스에 의한 특정 공정 조건에서의 데이터를 설명하는 그래프이다.
도 5는 도 3에 도시된 파울링 보정 데이터베이스에 의한 보정 온도 데이터를 설명하는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 설치된 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치에서 센서가 설치된 상태를 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.
도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치가 설치된 반도체 제조설비의 개략적인 구성이 블록도로서 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 반도체 제조설비는 다양한 공정가스를 이용한 반도체 제조공정이 진행되는 공정챔버(C)와, 공정챔버(C)에서 발생한 잔류가스를 배출시키기 위한 진공펌프(V)와, 공정챔버(C)와 진공펌프(V)를 연결하는 연결관(D1)과, 진공펌프(V)에 의해 공정챔버(C)로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 스크러버(S)와, 진공펌프(V)와 스크러버(S)를 연결하는 배기관(D2)과, 배기관(D2) 상에 설치되어서 배기가스로부터 파우더를 포집하는 트랩(A)과, 본 발명의 일 실시예에 따른 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)를 포함한다. 본 발명에서 배기라인은 공정챔버에서 발생한 잔류가스가 배출되는 라인을 의미하며, 도 1에서는 배기 방향을 따라서 연속되는 연결관(D1), 진공펌프(V), 배기관(D2), 스크러버(S) 및 배기관(D2)에 설치되는 트랩(A)을 포함한다. 도 1에 도시된 실시예에서는 트랩(A)이 배기관(D2) 상에 설치되는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 연결관(D1)에 설치될 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 본 발명의 특징은 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)로서, 도 1에 도시된 반도체 제조설비에서 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)를 제외한 나머지 구성들인 공정챔버(C), 진공펌프(V), 연결관(D1), 스크러버(S), 배기관(D2) 및 트랩(A)는 본 발명과 관련된 통상의 기술범위 내에서 변경되고 수정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)는 트랩(A)에 설치되는 온도 센서(110)와, 온도 센서(110)로부터 측정된 온도값을 분석하여 트랩(A)에 포집되어 쌓인 파우더의 두께를 산출하는 분석 모듈(120)을 구비한다.
도 2에는 트랩(A)에 온도 센서(110)가 설치된 상태가 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 트랩(A)은 포집된 파우더(P)가 쌓이는 파우더 퇴적 공간(10)을 구비한다. 파우더 퇴적 공간(10)은 연직방향과 직각을 이루는 바닥(11)과, 바닥(11)의 가장자리로부터 상방 수직으로 연장되는 측벽(12)에 의해 형성된다. 온도 센서(110)는 트랩(A)의 외부에 부착되어서 설치되는데, 파우더 퇴적 공간(10)의 바닥(11) 중앙부에 대응하여 위치하도록 설치된다. 본 실시예에서는 온도 센서(110)가 트랩(A)의 외부에 설치되는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 트랩(A)의 내부 즉 바닥(11)의 내면에 설치될 수도 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 즉, 온도 센서(110)는 트랩(A)의 파우더 퇴적 공간(10)의 바닥(11) 내면에 위치하거나 바닥(11)의 내면보다 바깥으로 더 멀어지게 위치할 수 있다. 온도 센서(110)는 온도 센서(110)가 설치되는 위치의 온도를 측정하며 그에 대응하는 전기적 신호를 분석 모듈(120)로 전달한다. 온도 센서(110)에 의해 측정되는 온도는 파우더 퇴적 공간(10)에 쌓이는 파우더(P)의 두께(d)가 증가함에 따라 감소하게 되는데, 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(100)는 이러한 현상을 기초로 트랩(A)에 포집되어 쌓인 파우더(P)의 두께(d)를 산출하게 된다. 퇴적 공간(10)의 바닥(11)에는 파울링(fouling)(F)이 형성되는데, 파울링(F)에 의해 온도 센서(110)에 의해 측정되는 온도가 감소하며, 시간이 증가함에 따라 파울링(F)에 의한 측정 온도의 감소 정도는 증가하게 된다. 온도 센서(110)에 의해 측정되는 온도는 가스 종류 등의 공정 조건에 따라서도 달라지게 된다.
도 3에는 도 1에 도시된 분석 모듈(120)의 구성이 블록도로서 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 분석 모듈(120)은 온도 센서(110)와 통신하여 온도 센서(110)로부터 온도 신호를 수신하는 통신부(121)와, 파우더(P)의 두께(d) 산출을 위한 데이터(123, 124)가 저장된 메모리부(123)와, 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출하는 산출부(127)를 구비한다.
통신부(121)는 온도 센서(110)로부터 온도 신호를 수신하여 산출부(127)로 전달한다. 통신부(121)는 유선 또는 무선 통신을 이용하여 온도 센서(110)로부터 온도를 수신할 수 있다.
메모리부(123)에는 트랩(A)의 파우더 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더의 두께(d)를 산출하기 위해 퇴적된 파우더 두께(d)별 온도 데이터인 기본 데이터(124)와, 파울링(도 2의 F)의 형성 상태를 고려하기 위한 보정 데이터인 파울링 보정 데이터(125)가 저장되어 있다.
기본 데이터(123)는 퇴적된 파우더 두께(도 2의 d)별 온도 데이터이다. 기본 데이터베이스(123)는 데이터는 반복된 실험을 통해 얻어지며, 퇴적된 파우더 두께(도 2의 d)별 온도 데이터의 일 예가 도 4의 그래프로 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 파우더 두께(도 2의 d)가 증가함에 따라 온도 센서(도 2의 110)에 의해 측정되는 온도값은 감소한다. 온도 센서(도 2의 110)에 의해 측정되는 온도는 가스 종류 등의 공정 조건에 따라서도 달라지게 되므로, 파우더 두께별 온도 데이터는인 기본 데이터(123)는 가스 종류를 포함하는 공정 조건에 따라서도 분류된다.
파울링 보정 데이터(125)는 파울링(도 2의 F)의 형성 상태를 고려하기 위한 보정 데이터이다. 파울링 보정 데이터(125)는 온도 센서(도2의 110)로부터 측정되는 온도는 시간이 경과함에 따라 파울링에 의해 감소하는 현상을 반영하기 위한 것이다. 파울링 보정 데이터(125)는 반복된 실험을 통해 얻어지는 값으로서, 파울링(F)에 의한 온도 보정 데이터의 일 예를 보여주는 그래프가 도 5에 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 파울링 보정 데이터(125)는 시간(t)이 지남에 따라 보정 온도(Ta)가 증가하는 보정 데이터를 제공한다.
도시되지는 않았으나, 메모리부(123)에는 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출하는 산출 프로그램도 저장된다. 메모리부(123)에 저장된 산출 프로그램은 분석 모듈(120)을 구성하는 마이크로프로세서(미도시)에 의해 실행된다.
산출부(127)는 온도 센서(도 2의 110)에서 측정된 온도를 기초로 메모리부(123)에 저장된 기본 데이터(124)인 파우더 두께별 온도 데이터 및 파울링 보정 데이터(125)를 이용하여 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출한다. 산출부(127)는 하드웨어적으로 분석 모듈(120)을 구성하고 메모리부(123)에 저장된 산출 프로그램을 실행하는 마이크로프로세(미도시)에 의해 구현된다. 산출부(127)가 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)을 산출하는 과정을 예로 들어 설명하면 다음과 같다.
온도 센서(110)에 의해 측정된 측정 온도(Tm)가 통신부(121)를 통해 산출부(127)로 전달된다. 산출부(127)는 온도 센서(110)에서 측정된 측정 온도(Tm)에 기반하여 먼저 기본 데이터(123)를 이용하여 측정 온도(Tm)에 대응하는 기본 두께(d0)를 선정한다(도 4 참조). 다음, 산출부(127)는 파울링 보정 데이터(125)를 이용하여 트랩(A)의 가동 시간(t1)에 대응하는 보정 온도(Ta1)를 선택(도 5 참조)한 후, 선택된 보정 온도(ΔTa1)를 측정 온도(Tm)에 더하여 보정 측정 온도(Tma)를 선정한다(도 4 참조). 산출부(127)는 보정 측정 온도(Tma)에 대응하는 두께(da)를 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더(P)의 두께(d)를 추정한 두께 추정값(da)으로 산출한다.
도시되지는 않았으나, 배기관(D2) 내의 온도를 측정하는 내부 온도 센서가 더 구비되고, 내부 온도 센서에 측정된 온도와 외부에서 온도를 측정하는 온도 센서(110)에서 측정된 외부 온도의 차이를 기초로 산출부(127)는 파우더(P)의 두께(d)를 산출할 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 또한, 분석부(120)는 온도 센서(110)에서 측정되는 온도에 영향을 주는 배기가스의 유량 데이터도 추가로 수신할 수 있으며, 이 경우 유량 데이터, 내부 온도 센서 및 온도 센서(110)를 함께 이용하여 파우더(P)의 두께(d)를 산출하거나, 유량 데이터와 온도 센서(110)를 이용하여 파우더(P)의 두께(d)를 산출할 수도 있는데, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
상기 실시예에서는 센서(110)가 온도 센서인 것으로 설명하였지만, 이와는 열유속(heat flux)을 측정하는 히트 플럭스 센서(heat flux sensor)가 설치되어서 사용될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다. 센서(110)로서 히트 플럭스 센서가 사용되는 경우, 기본 데이터(124)와 파울링 보정 데이터(125)도 이에 대응하여 열유속에 대한 데이터가 사용된다. 히트 플럭스 센서가 사용되는 경우에도, 온도 센서를 사용하는 경우와 마찬가지로 배기가스의 유량 데이터 및 배기관 내부의 열유속을 측정하는 센서가 함께 활용될 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
상기 실시예에서는 센서(110)가 트랩(A)에 설치되어서 트랩(A)의 파우더 퇴적 공간(10)에 퇴적된 파우더의 두께(d)를 산출하는 것으로 설명하였으나, 이와는 달리 연결관(D1) 또는 배기관(D2) 상에서 파우더과 쉽게 퇴적되는 위치에 설치되어서 관 내에 파우더가 쌓인 정도를 파악하는 것에 사용될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
도 6과 도 7에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치의 구성이 도시되어 있다. 도 6과 도 7을 참조하면, 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치(200)는 광센서(210)와, 광센서(210)로부터의 신호를 이용하여 배관(D)에 설치된 트랩(A)에 퇴적되는 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가, 설정 높이(H)에 도달했는지 여부를 판단하는 판단부(220)를 구비한다. 광센서(210)는 측벽(12)에서 설정 높이(H)에 대응하는 위치에 설치되는 발광부(211)와 수광부(213)를 구비한다. 본 실시예에서는 발광부(211)와 수광부(213)가 서로 마주보도록 위치하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 모두 동일한 방향을 향하도록 동일한 측면에 위치할 수 있으며, 이 경우 발광부에서 조사된 광은 반대편의 측면으로부터 반사되어서 수광부에 의해 검출될 수 있다. 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달하기 전까지는 수광부(213)에 의해 광이 검출되며, 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달한 후에는 수광부(213)에 의해 광이 검출되지 않게 된다. 판단부(220)는 광센서(200)의 수광부(213)를 통해 광을 검출하며, 광이 검출되는 경우에는 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달하지 않은 것으로 판단하고, 광이 검출되지 않는 경우에 파우더(P)의 퇴적 높이(h)가 설정 높이(H)에 도달한 것으로 판단한다.
상기 실시예에서는 발광부(211)와 수광부(213)가 모두 설정 높이(H)에 위치하는 것으로 설명하지만, 이와는 달리 발광부(211)와 수광부(213) 중 하나만 설정 높이(H)에 위치해도 동일한 효과를 얻을 수 있고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이다.
이상 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 본 기술분야의 통상의 기술자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
100, 200 : 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치
110 : 센서 120 : 분석부
121 : 통신부 123 : 메모리부
124 : 기본 데이터 125 : 파울링 보정 데이터
127 : 산출부 210 : 광센서
220 : 판단부

Claims (10)

  1. 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서,
    상기 배기라인 상에 설치되는 온도 센서; 및
    상기 온도 센서에서 측정된 측정 온도를 기초로 상기 배기라인에서 상기 온도 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며,
    상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 온도 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 온도에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도 센서는 상기 파우더의 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 메모리부에는 상기 온도 센서를 덮는 파울링에 의해 상기 측정 온도가 낮아지는 현상을 보정하기 위한 보정 온도 정보를 포함하는 파울링 보정 데이터가 더 저장되며,
    상기 산출부는 상기 기본 데이터에서 상기 보정 온도를 상기 측정 온도에 더하여 계산된 보정 측정 온도에 대응하는 두께값은 파우더의 두께 추정값으로 산출하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도 센서는 배관 또는 파우더를 포집하는 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  5. 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서,
    상기 배기라인 상에 설치되어서 열유속을 측정하는 히트 플럭스 센서; 및
    상기 히트 플럭스 센서에서 측정된 측정 열유속을 기초로 상기 배기라인에서 상기 히트 플럭스 센서가 설치된 위치에 퇴적된 파우더의 두께를 추정하여 산출하는 분석부를 포함하며,
    상기 분석부는 퇴적된 파우더 두께별 열유속 데이터인 기본 데이터가 저장된 메모리부와, 상기 기본 데이터로부터 상기 측정 열유속에 대응하는 파우더 두께를 산출하는 산출부를 구비하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 히트 플럭스 센서는 상기 파우더의 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 메모리부에는 상기 히트 플럭스 센서를 덮는 파울링에 의해 상기 측정 열유속이 낮아지는 현상을 보정하기 위한 보정 열유속 정보를 포함하는 파울링 보정 데이터가 더 저장되며,
    상기 산출부는 상기 기본 데이터에서 상기 보정 열유속을 상기 측정 열유속에 더하여 계산된 보정 측정 열유속에 대응하는 두께값은 파우더의 두께 추정값으로 산출하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 히트 플럭스 센서는 배관 또는 파우더를 포집하는 트랩에 설치되는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  9. 반도체 제조설비의 공정챔버에서 발생한 배기가스가 배출되는 배기라인 내에서 파우더의 퇴적 상태를 모니터링하는 장치로서,
    상기 배기라인 상에서 퇴적되는 파우더의 높이 방향 어느 한 위치에 설치되는 광센서를 포함하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 배기라인 상에서 퇴적되는 파우더의 높이가 설정 높이에 도달하였는지를 판단하는 판단부를 더 포함하며,
    상기 광센서는 발광부와 상기 발광부에서 조사된 광을 검출하는 수광부를 구비하며,
    상기 발광부와 상기 수광부 중 적어도 하나는 상기 설정 높에 위치하는 배기라인 파우더 퇴적 상태 모니터링 장치.
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