KR101563635B1 - 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 압력 측정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 챔버, 기판 지지 유닛, 펌프 및 압력 측정 장치 등을 포함한다. 압력 측정 장치는 제 1 압력계 및 제 1 압력계에 비해 측정범위가 좁고 측정 정밀도가 높은 제 2 압력계를 가지되 일정 압력을 초과하는 압력에서는 제 1 압력계의 측정값을, 일정 압력 이하에서는 제 2 압력계의 측정값을 자동으로 데이터 화 하고 표시함으로써 사용자의 불필요한 판단과 그로 인한 오류를 방지한다.

Description

기판 처리 장치 및 압력 측정 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR MEASURING PRESSURE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 챔버 내부 압력을 측정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 설비의 처리 모듈에서 기판 처리 공정이 진공 상태에서 수행되는 경우, 챔버 내부로의 기판의 반입 및 반출은 진공 또는 상압 상태에서 수행된다.
기판의 반입 및 반출이 상압 상태에서 수행되는 경우, 처리 모듈은 기판을 반입 또는 반출하기 전에 챔버 내부의 압력을 대기압까지 승압시켜야 하고, 기판을 반입한 후에는 공정을 위해 공정 압력까지 펌프를 이용한 감압 과정이 요구된다.
이 때, 대기압에 가까운 압력 측정을 위한 넓은 측정 범위의 압력계와 공정 압력에 가까운 압력 측정을 위한 좁은 측정 범위의 압력계의 2가지 종류의 압력계가 함께 사용되고, 각각의 압력계에서 측정된 압력값은 시간의 흐름에 따라 데이터 화 되고, 각각 표시된다.
이 경우, 사용자는 현시점에서 어느 압력계의 측정값이 유효한 데이터인지 확인이 용이하지 않으며, 2가지 종류의 측정값을 종합하는 것이 용이하지 않다.
본 발명은 챔버 내부 압력의 승압 또는 감압 수행시, 현시점에 유효한 측정 값을 용이하게 판단할 수 있는 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 챔버 내부 압력의 승압 또는 감압 수행시, 챔버 내부 압력에 대한 데이터를 용이하게 종합할 수 있는 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 챔버; 상기 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 챔버 내부의 압력을 감압시키는 펌프; 상기 공정 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력 측정 장치;를 포함하며, 상기 압력 측정 장치는, 제 1 압력에서 제 2 압력까지의 압력을 측정할 수 있는 제 1 압력계; 제 3 압력에서 상기 제 2 압력까지의 범위의 압력을 측정할 수 있으며 상기 제 1 압력계 보다 정밀한 측정이 가능한 제 2 압력계; 및 상기 제 1 압력계 및 상기 제 2 압력계의 시간에 따른 측정값들을 이용하여 데이터 화 하되, 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서는 상기 제 1 압력계의 측정값을 데이터로 활용하고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서는 상기 제 2 압력계의 측정값을 데이터로 활용하는 데이터부;를 포함하되, 상기 제 1 압력은 상기 제 2 압력보다 큰 압력이며, 상기 제 3 압력은, 상기 제 1 압력과 상기 제 2 압력 사이의 압력이다.
상기 압력 측정 장치는 상기 데이터를 표시하는 데이터 표시창, 상기 제 1 압력계의 측정값을 표시하는 제 1 표시창; 및 상기 제 2 압력계의 측정값을 표시하는 제 2 표시창;을 가지는 디스플레이부;를 더 포함한다.
상기 압력 측정 장치는, 상기 챔버 내부의 압력을 측정하기 위해 상기 챔버 내부와 상기 제 2 압력계를 연결하는 압력 측정 라인; 및 상기 압력 측정 라인을 개폐하는 밸브;를 더 포함하되, 상기 밸브는, 상기 챔버의 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서 열리며, 상기 기판 처리 장치는 밸브의 개폐 여부에 의해 상기 챔버 내 압력이 상기 제 3 압력을 초과 또는 이하인지 여부가 판단된다.
상기 압력 측정 장치는 상기 밸브가 상기 챔버 내 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서 열리도록 제어하고, 상기 밸브의 개폐 여부를 나타내는 신호를 상기 데이터부 및 상기 디스플레이부로 전송하는 제어기;를 더 포함할 수 있다.
제 1 압력은, 상기 챔버로 기판이 반입 또는 반출될 때의 상기 챔버 내부의 압력이고, 상기 제 2 압력은, 상기 챔버에서 기판이 공정 처리 되는 때의 상기 챔버 내부의 압력이다.
또한, 본 발명은 압력 측정 방법을 제공한다. 압력 측정 방법은 상술한 압력 측정 장치를 이용하여 시간에 따른 챔버 내부의 압력을 측정하여 데이터 화하는 방법에 있어서, 상기 챔버의 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 경우 제 1 압력계의 측정값을 데이터 화 하고, 상기 제 3 압력 이하인 경우 제 2 압력계의 측정값을 데이터 화한다.
상기 데이터를 디스플레이부의 데이터 표시창에 표시하며, 상기 제 1 압력계의 측정값은 상기 디스플레이부의 제 1 표시창에 표시하고, 상기 제 2 압력계의 측정값은 상기 디스플레이부의 제 2 표시창에 표시한다.
상기 압력 측정 장치는, 상기 챔버 내부의 압력을 측정하기 위해 상기 챔버 내부와 상기 제 2 압력계를 연결하는 압력 측정 라인; 및 상기 압력 측정 라인을 개폐하는 밸브;를 더 포함하되, 상기 밸브는, 상기 챔버의 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서 열리며, 상기 밸브의 개폐 여부에 의해 상기 챔버 내 압력이 상기 제 3 압력을 초과 또는 이하인지 여부가 판단된다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법은 소정의 압력을 기준으로 개폐되는 밸브를 제공함으로써 챔버 내부 압력의 승압 또는 감압 수행시 현시점에 유효한 측정 값을 용이하게 판단할 수 있고, 챔버 내부 압력에 대한 데이터를 용이하게 종합할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 압력 측정 장치를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시예에서 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판(10)은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 기판 처리 장치는 플라스마를 이용하여 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 관하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이고 도 2는 도 1의 압력 측정 장치를 나타낸 도면이다. 도 1 및 도 2를 참고하면, 기판 처리 장치(1)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급부(300), 압력 측정 장치(400), 플라스마 소스(500), 배기 라인(600) 및 배플(700)을 가진다.
챔버(100)는 처리실(120)과 플라스마 발생실(140)을 가진다.
처리실(120)은 플라스마에 의해 기판(10)이 처리되는 공간을 제공한다. 처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 기판 유입구(미도시)가 형성된다.
기판(10)은 기판 유입구(미도시)를 통하여 처리실(120) 내부로 출입한다. 기판 유입구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다.
처리실(120)의 바닥면에는 개구(122)가 형성된다. 개구(122)는 기판 지지 유닛(200)의 둘레에 제공될 수 있다. 개구(122)에는 배기 라인(600)이 연결된다. 배기 라인(600)에는 펌프(800)가 설치된다.
펌프(800)는 처리실(120) 내 압력을 공정 압력으로 감압시킨다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 라인(600)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다.
플라스마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라스마가 발생되는 공간을 제공한다. 플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 외부에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에 위치되며 처리실(120)에 결합된다. 플라스마 발생실(140)은 방전실(142) 및 확산실(144)을 가진다. 방전실(142) 및 확산실(144)은 상하 방향으로 순차적으로 제공된다. 방전실(142)은 내부에 상부 및 하부가 개방된 공간을 가진다. 방전실(142)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 방전실(142) 내에서 공정 가스로부터 플라스마가 발생된다. 확산실(144)은 방전실(142)에서 발생된 플라스마를 처리실(120)로 공급한다. 확산실(144) 내 공간은 아래로 갈수록 점진적으로 넓어지는 부분을 가진다. 확산실(144)의 하단은 처리실(120)의 상단과 결합되며, 이들 사이에는 외부와의 밀폐를 위해 실링 부재(미도시)가 제공된다.
챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 챔버(100)는 접지라인(160)을 통해 접지될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 기판(10)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지판(220)과 지지축(240)을 가진다.
지지판(220)은 처리실(120)내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(220)은 지지축(240)에 의해 지지된다. 기판(10)은 지지판(220)의 상면에 놓인다. 지지판(220)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(10)은 정전기력 또는 기구적 클램프에 의해 지지판(220)에 지지될 수 있다.
가스 공급부(300)는 방전실(142)의 상부에 제공될 수 있다. 가스 공급부(300)는 챔버(100) 내부로 기판을 처리하기 위한 처리 공정시 플라스마로 여기되는 공정 가스를 공급하고, 챔버(100) 내부로 기판(10)을 반입/반출하기 전 챔버(100) 내부의 압력을 상압으로 승압시키기 위한 승압 가스를 공급한다. 승압 가스는 질소(N2) 가스로 제공될 수 있다.
도 1은 가스 공급부(300)가 하나가 제공된 경우를 도시하였으나, 선택적으로 가스 공급부(300)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 복수개의 가스 공급부(300)가 제공되는 경우, 복수개의 가스 공급부(300) 중 일부는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급하고, 다른 일부는 승압 가스를 챔버(100) 내부로 공급한다.
이하 하나의 가스 공급부(300)가 제공된 경우를 예를 들어 설명한다.
가스 공급부(300)는 가스 공급라인(320), 가스 저장부(340) 그리고 가스 포트(360)를 가진다.
가스 저장부(340)는 복수개가 제공될 수 있다. 복수개의 가스 저장부(340)의 일부는 공정 가스를 저장하고, 다른 일부는 승압 가스를 저장한다.
가스 공급라인(320)은 가스 저장부(340)와 가스 포트(360)를 연결한다. 공정 가스 또는 승압 가스는 가스 공급라인(320)을 통해 가스 저장부(340)로부터 가스 포트(360)로 공급된다.
가스 포트(360)는 방전실(142)의 상부에 결합된다. 가스 포트(360)를 통해 공급된 가스 중 공정 가스는 방전실(142)로 유입되고, 방전실(142)에서 플라스마로 여기 된다.
도 2는 도 1의 압력 측정 장치(400)를 설명하기 위한 도면이다. 도 2를 참고하면, 압력 측정 장치(400)는 제 1 압력계(410), 제 2 압력계(420), 데이터부(430), 디스플레이부(440) 및 제어기(450)를 가진다. 압력 측정 장치(400)는 제 1 압력계(410) 및 제 2 압력계(420)가 챔버(100) 내부의 압력을 측정할 수 있도록 챔버(100) 내부와 연결된다. 압력 측정 장치(400)는 제 1 압력계(410) 및 제 2 압력계(420)에서 측정된 챔버(100)내 압력 값을 시간의 흐름에 따라 데이터 화 하고, 각 측정값들 및 데이터값을 표시한다.
제 1 압력계(410)는 챔버(100) 내부의 압력을 측정한다. 제 1 압력계(410)는 제 1 압력에서 제 2 압력까지의 압력을 측정할 수 있다.
제 2 압력계(420)는 챔버(100) 내부의 압력을 측정한다. 제 2 압력계(420)는 제 3 압력에서 제 2 압력까지의 압력을 측정할 수 있다. 제 2 압력계(420)는 제 1 압력계보다 정밀한 측정이 가능하다. 제 2 압력계(420)는 챔버(100) 내부의 압력을 측정하기 위해 압력 측정 라인(460)에 의해 챔버(100) 내부와 연결된다. 압력 측정 라인(460)에는 압력 측정 라인(460)을 개폐하는 밸브(470)가 제공된다. 밸브(470)는 챔버(100) 내부의 압력이 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 제 3 압력 이하의 압력에서 열린다. 밸브(470)는 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫힘으로써 제 2 압력계(420)의 측정범위보다 높은 압력으로부터 제 2 압력계(420)를 보호한다. 밸브(470)의 개폐 여부에 의해 챔버(100) 내 압력이 제 3 압력을 초과 또는 이하인지 여부가 판단된다.
제 1 압력은 제 2 압력보다 큰 압력이며, 상기 제 3 압력은, 상기 제 1 압력과 상기 제 2 압력 사이의 압력이다.
제 1 압력은 챔버(100)로 기판(10)이 반입 또는 반출될 때의 챔버(100) 내부의 압력이고, 제 2 압력은 챔버(100)에서 기판(10)이 공정 처리 되는 때의 챔버(100) 내부의 압력일 수 있다.
제 1 압력은 1000Torr 이하이고, 제 2 압력은, 0Torr 이상일 수 있다. 제 3 압력은 2Torr 또는 10Torr일 수 있다.
데이터부(430)는 제 1 압력계(410) 및 제 2 압력계(420)의 시간에 따른 측정값들을 이용하여 데이터 화 하되, 밸브(470)의 개폐 여부에 따라 제 3 압력을 초과하는 압력에서는 제 1 압력계(410)의 측정값을 데이터로 활용하고, 제 3 압력 이하의 압력에서는 상기 제 2 압력계(420)의 측정값을 데이터로 활용한다.
디스플레이부(440)는 데이터 표시창(442), 제 1 표시창(444) 및 제 2 표시창(446)을 가진다. 데이터 표시창(442)은 데이터를 표시한다. 제 1 표시창(444)은 제 1 압력계(410)의 측정값을 표시한다. 제 2 표시창(446)은 제 2 압력계(420)의 측정값을 표시한다.
상술한 바와 같이, 데이터부(430)가 밸브(470)의 개폐 여부에 따라 자동으로 데이터 화 되는 측정값을 선택하고 선택된 측정값이 입력된 데이터는 자동으로 데이터 표시창(446)에 표시됨으로써, 사용자가 제 1 압력계(410)의 측정값과 제 2 압력계(420)의 측정값 중 현재 유효한 측정값이 무엇인지 확인이 용이하고, 시간에 따른 챔버(100)내부의 압력에 대한 데이터 분석시 제 1 압력계(410)의 측정값과 제 2 압력계(420)의 측정값 중 데이터 화할 적절한 값을 선택하는데 불필요한 판단 및 그로 인한 판단 오류를 방지할 수 있다.
제어기(450)는 밸브(470)가 챔버(100) 내 압력이 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고 제 3 압력 이하의 압력에서 열리도록 제어하고, 밸브(470)의 개폐 여부를 나타내는 신호를 데이터부(430) 및 디스플레이부(440)로 전송한다. 챔버(100) 내부의 압력을 나타내는 신호는 제 1 압력계(410)로부터 제어기(450)으로 전달된다.
플라스마 소스(500)는 방전실(142)에서 가스 공급 유닛(300)에 의해 공급된 공정 가스로부터 플라스마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라스마 소스(500)는 유도 결합형 플라스마 소스일 수 있다. 플라스마 소스(500)는 안테나(520)와 전원(540)을 가진다.
안테나(520)는 방전실(142)의 외부에 제공되며 방전실(142)의 측면을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(520)의 일단은 전원(540)에 연결되고, 타단은 접지된다.
전원(540)은 안테나(520)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(540)은 안테나(520)에 고주파 전력을 인가할 수 있다.
배플(700)은 확산실(144)의 하단에 제공된다. 배플(700)은 원판 형상으로 제공된다. 배플(700)은 확산실(144) 하단의 내측 직경보다 큰 직경으로 제공된다. 배플(700)은 접지된다. 일 예에 의하면, 배플(700)은 챔버(100)에 접촉되도록 제공되어, 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 선택적으로, 배플(700)은 별도의 접지 라인에 직접 연결될 수 있다. 배플(700)에는 그 상단부터 하단까지 연장되는 분사 홀들(미도시)이 형성된다. 분사 홀들(미도시)은 배플(700)의 각 영역에 대체로 동일한 밀도로, 그리고 동일한 직경으로 형성될 수 있다. 선택적으로 분사 홀들(미도시)은 배플(700)의 영역에 따라 상이한 직경으로 형성될 수 있다. 플라스마는 분사 홀들(미도시)을 통해 확산실(144)에서 처리실(120)내로 공급된다. 선택적으로, 배플(700)은 제공되지 않을 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1: 기판 처리 장치
10: 기판
100: 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급부
400: 압력 측정 장치
500: 플라스마 소스
600: 배기라인
700: 배플
800: 펌프

Claims (13)

  1. 내부에 공간이 형성된 챔버;
    상기 챔버 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 챔버 내부의 압력을 감압시키는 펌프;
    상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력 측정 장치;를 포함하며,
    상기 압력 측정 장치는,
    제 1 압력에서 제 2 압력까지의 압력을 측정할 수 있는 제 1 압력계;
    제 3 압력에서 상기 제 2 압력까지의 범위의 압력을 측정할 수 있으며 상기 제 1 압력계 보다 정밀한 측정이 가능한 제 2 압력계;
    상기 제 1 압력계 및 상기 제 2 압력계의 시간에 따른 측정값들을 이용하여 데이터 화 하되, 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서는 상기 제 1 압력계의 측정값을 데이터로 활용하고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서는 상기 제 2 압력계의 측정값을 데이터로 활용하는 데이터부;
    상기 챔버 내부의 압력을 측정하기 위해 상기 챔버 내부와 상기 제 2 압력계를 연결하는 압력 측정 라인; 및
    상기 압력 측정 라인을 개폐하는 밸브;를 포함하되,
    상기 밸브는, 상기 챔버의 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서 열리며,
    상기 데이터부는 상기 밸브의 개폐 여부에 의해 상기 챔버 내 압력이 상기 제 3 압력을 초과 또는 이하인지 여부를 판단하고,
    상기 제 1 압력은 상기 제 2 압력보다 큰 압력이며, 상기 제 3 압력은, 상기 제 1 압력과 상기 제 2 압력 사이의 압력인 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력 측정 장치는, 상기 데이터를 표시하는 데이터 표시창을 가지는 디스플레이부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 디스플레이부;는,
    상기 제 1 압력계의 측정값을 표시하는 제 1 표시창; 및
    상기 제 2 압력계의 측정값을 표시하는 제 2 표시창;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 압력 측정 장치는,
    상기 밸브가 상기 챔버 내 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서 열리도록 제어하고, 상기 밸브의 개폐 여부를 나타내는 신호를 상기 데이터부 및 상기 디스플레이부로 전송하는 제어기;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제 1 압력은, 상기 챔버로 기판이 반입 또는 반출될 때의 상기 챔버 내부의 압력이고,
    상기 제 2 압력은, 상기 챔버에서 기판이 공정 처리 되는 때의 상기 챔버 내부의 압력인 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항의 압력 측정 장치를 이용하여 시간에 따른 챔버 내부의 압력을 측정하여 데이터 화하는 방법에 있어서,
    상기 챔버의 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 경우 제 1 압력계의 측정값을 데이터 화 하고, 상기 제 3 압력 이하인 경우 제 2 압력계의 측정값을 데이터 화하되,
    상기 밸브는 상기 챔버의 압력이 상기 제 3 압력을 초과하는 압력에서 닫히고, 상기 제 3 압력 이하의 압력에서 열리며,
    상기 밸브의 개폐 여부에 의해 상기 챔버 내 압력이 상기 제 3 압력을 초과 또는 이하인지 여부를 판단하는 압력 측정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 데이터를 디스플레이부의 데이터 표시창에 표시하는 압력 측정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 압력계의 측정값은 상기 디스플레이부의 제 1 표시창에 표시하고,
    상기 제 2 압력계의 측정값은 상기 디스플레이부의 제 2 표시창에 표시하는 압력 측정 방법.
  10. 삭제
  11. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제 1 압력은, 1000Torr 이하이고, 상기 제 2 압력은, 0Torr 이상인 압력 측정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 3 압력은, 2Torr인 압력 측정 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 3 압력은, 10Torr인 압력 측정 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2022265882A1 (en) * 2021-06-14 2022-12-22 Lam Research Corporation Frontside and backside pressure monitoring for substrate movement prevention

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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