KR20070019452A - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 비도핑된 절연 물질로 형성된 소자 분리막에 의해 활성 영역이 정의된 반도체 기판, 활성 영역 내에 형성된 광전 변환부 및 전하 검출부, 광전 변환부와 전하 검출부 사이의 활성 영역 상에 형성되어 광전 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부로 전송하는 전하 전송부 및 광전 변환부와 소자 분리막의 경계에 일도전형의 불순물로 형성되어 암전류를 방지하는 전하 이동 방지 영역을 포함한다.
소자 분리막, 전하 이동 방지 영역, 암전류
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소의 단면도로, 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'를 따라 절단한 단면도이다
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 순서대로 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
100: 단위 화소 100a: N형 기판
100b: P형 에피층 104: 트렌치
105: 절연막 106: 전하 이동 방지 영역
107: 소자 분리막 110: 광전 변환부
112: 포토 다이오드 114: 피닝층
120: 전하 검출부 130: 전하 전송부
132: 게이트 절연막 134: 전송 게이트 전극
136: 스페이서 140: 리셋부
150: 증폭부 160: 선택부
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 암전류를 감소시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서(image sensor)란, 광학적 이미지를 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이러한 이미지 센서는 크게 전하 결합 소자(CCD: Charge Coupled Device)와 CMOS 이미지 센서로 구분할 수 있다.
여기서, 전하 결합 소자란 개개의 모스 캐패시터(MOS Capacitor)가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. 그리고 CMOS 이미지 센서는 제어 회로 및 신호처리 회로를 주변 회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 모스 트랜지스터(MOS Transistor)를 만들고 이것을 이용하여 차례 차례로 출력을 검출하는 스위칭(Switching) 방식을 이용하는 소자이다.
이 중, CMOS 이미지 센서는 단위 화소 내에 빛을 받아들이는 포토다이오드(photodiode)와 포토다이오드로부터 입력된 영상 신호들을 제어하는 CMOS 소자들로 구성된다.
이와 같은 CMOS 이미지 센서에는 각각의 화소들, 소자들 또는 회로들을 아이솔레이션(isolation)시키기 위해 트렌치(trench)형 필드 절연막이 형성되어 있다. 그러나, 필드 절연막 형성시 필드 절연막과 활성 영역 사이의 경계면이 손상된다. 이와 같이 필드 절연막의 경계면의 손상은 전하 또는 정공 캐리어를 발생시키고, 전하 및 정공의 재결합 장소를 제공하게 되어 포토다이오드의 누설 전류를 증가시키게 된다. 즉, 빛이 전혀 없는 상태에서 포토다이오드에서 플로팅 확산 영역으로 전자가 이동되는 암전류(dark current)가 발생한다. 따라서 CMOS 이미지 센서의 저조도(low illumination) 특성을 약화시킨다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 암전류를 감소시킬 수 있는 이미지 센서에 관한 것이다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 이러한 이미지 센서를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 비도핑된 절연 물질로 형성된 소자 분리막에 의해 활성 영역이 정의된 반도체 기판, 활성 영역 내에 형성된 광전 변환부 및 전하 검출부, 광전 변환부와 전하 검 출부 사이의 활성 영역 상에 형성되어 광전 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부로 전송하는 전하 전송부 및 광전 변환부와 소자 분리막의 경계에 일도전형의 불순물로 형성되어 암전류를 방지하는 전하 이동 방지 영역을 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판 내에 트렌치를 형성하는 단계, 트렌치를 따라 컨포말하게 일도전형의 불순물이 포함된 절연막을 증착하는 단계, 열처리하여 절연막에 포함된 일도전형의 불순물을 트렌치 주변의 반도체 기판으로 확산시켜 전하 이동 방지 영역을 형성하는 단계, 일도전형의 불순물이 포함된 절연막을 제거하는 단계 및 트렌치 내부에 비도핑된 절연물로 이루어진 소자 분리막을 완성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 의 구조에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 일 실시예에서 이미지 센서로 CMOS 이미지 센서를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 그대로 전하 결합 소자에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소의 회로도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소의 개략적인 평면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소(100)는 광전 변환부(110), 전하 검출부(120), 전하 전송부(130), 리셋부(140), 증폭부(150), 선택부(160)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서는 단위 화소(100)가 도 1에서와 같이 4개의 트랜지스터 구조로 이루어진 경우를 도시하고 있으나, 5개의 트랜지스터 구조로 이루어질 수 있다.
광전 변환부(110)는 입사광에 대응하는 전하를 생성 및 축적한다. 광전 변환부(110)는 포토 다이오드(photo diode), 포토 트랜지스터(photo transistor), 포토 게이트(photo gate), 핀드 포토 다이오드(Pinned Photo Diode; PPD) 및 이들의 조합이 가능하다.
전하 검출부(120)는 플로팅 확산 영역(FD; Floating Diffusion region)이 주로 사용되며, 광전 변환부(110)에서 축적된 전하를 전송받는다. 전하 검출부(120)는 기생 커패시턴스를 갖고 있기 때문에, 전하가 누적적으로 저장된다. 전하 검출부(120)는 증폭부(150)의 게이트에 전기적으로 연결되어 있어, 증폭부(150)를 제어한다.
전하 전송부(130)는 광전 변환부(110)에서 전하 검출부(120)로 전하를 전송한다. 전하 전송부(130)는 일반적으로 1개의 트랜지스터로 이루어지며, 전하 전송 신호(TG)에 의해 제어된다.
리셋부(140)는 전하 검출부(120)를 주기적으로 리셋시킨다. 리셋부(140)의 소스는 전하 검출부(120)에 연결되고, 드레인은 Vdd에 연결된다. 또한, 리셋 신호(RST)에 응답하여 구동된다.
증폭부(150)는 단위 화소(100) 외부에 위치하는 정전류원(도면 미도시)과 조합하여 소스 팔로워 버퍼 증폭기(source follower buffer amplifier) 역할을 하며, 전하 검출부(120)의 전압에 응답하여 변하는 전압이 수직 신호 라인(162)으로 출력된다. 소스는 선택부(160)의 드레인에 연결되고, 드레인은 Vdd에 연결된다.
선택부(160)는 행 단위로 읽어낼 단위 화소(100)를 선택하는 역할을 한다. 선택 신호(ROW)에 응답하여 구동되고, 소스는 수직 신호 라인(162)에 연결된다.
또한, 전하 전송부(130), 리셋부(140), 선택부(160)의 구동 신호 라인(131, 141, 161)은 동일한 행에 포함된 단위 화소들이 동시에 구동되도록 행 방향(수평 방향)으로 연장된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단위 화소의 단면도로 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는 반도체 기판(100), 전하 이동 방지 영역(106), 소자 분리막(107), 광전 변환부(110), 전하 검출부(120) 및 전하 전송부(130)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서는 광 전 변환부(110)로 핀드 포토다이오드(Pinned Photo Diode; PPD)를 사용하여 설명한다.
반도체 기판(100)은 N형 기판(100a) 상에 P형 에피층(100b)을 성장시킨 에피택셜 기판이 사용될 수 있다. 반도체 기판(100) 내에는 소자 분리막(107)이 형성되어 있어 활성 영역을 정의한다. 이 때, 소자 분리막(107)은 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 의해 형성된 소자 분리막(107)으로써 비도핑된 절연 물질로 형성되어 있다. 예를 들어, 소자 분리막(107)은 HDP(High Density Plasma) 산화막으로 형성될 수 있다.
이와 같은 소자 분리막(107)과 반도체 기판(100)의 경계 즉, 소자 분리막(107)과 광전 변환부(110)의 경계에는 전하 이동 방지 영역(106)이 위치한다. 전하 이동 방지 영역(106)은 소자 분리막(107) 형성시 측벽의 손상에 의해 생성된 전하가 소자 분리막(107) 일측에 위치하는 광전 변화부(110)의 포토 다이오드(112)로 이동되어 발생하는 암전류(dark current)를 방지한다.
이와 같은 전하 이동 방지 영역(106)은 포토 다이오드(112)의 도전형과 반대되는 도전형의 불순물로 형성되어 있다. 즉, N형 포토 다이오드(112)인 경우 P형 불순물로 형성되어 있다.
광전 변환부(110)는 반도체 기판(100) 내에 형성되어 N형의 포토 다이오드(112), P+형의 피닝층(pinning layer; 114), 포토 다이오드(112) 하부의 P형 에피층(100b)을 포함한다.
포토 다이오드(112)는 입사광에 대응하여 생성된 전하가 축적되고, 피닝층 (114)은 P형 에피층(100b) 표면에서 열적으로 생성된 EHP(Electron-Hole Pair)를 줄임으로써 암전류를 방지하는 역할을 한다. 자세히 설명하면, 이미지 센서에서 암전류의 원인 중 하나로 포토 다이오드의 표면 손상을 들 수 있다. 표면 손상은 주로 댕글링 실리콘 결합(dangling silicon bonds)의 형성에 의할 수도 있고, 게이트(gate), 스페이서(spacer) 등의 제조 과정 중에 에칭 스트레스(etching stress)와 관련된 결점에 의해 이루어질 수도 있다. 따라서, 포토 다이오드(112)를 P형 에피층(100b) 내부에 깊게 형성하고 피닝층(114)을 형성함으로써, P형 에피층(100b)의 표면에서 열적으로 생성된(thermally generated) EHP 중에서, 양전하는 P+형의 피닝층(114)을 통해서 접지된 기판으로 확산되고, 음전하는 피닝층(114)을 확산하는 과정에서 양전하와 재결합하여 소멸시킬 수 있다.
전하 검출부(120)는 반도체 기판(100) 내에 형성되어, 광전 변환부(110)에서 축적된 전하를 전하 전송부(130)를 통해서 전송받는다. 전하 검출부(120)는 N형 불순물을 도핑하여 형성될 수 있다.
그리고 전하 전송부(130)는 게이트 절연막(132), 게이트 전극(134) 및 스페이서(136)를 포함한다.
게이트 절연막(132)은 SiO2, SiON, SiN, Al2O3, Si3N4, GexOyNz, GexSiyOz 또는 고유전율 물질 등이 사용될 수 있다. 여기서, 고유전율 물질은 HfO2, ZrO2, Al2O3, Ta2O5, 하프늄 실리케이트, 지르코늄 실리케이트 또는 이들의 조합막 등을 원자층 증착법으로 형성할 수 있다. 또한, 게이트 절연막(132)은 예시된 막질들 중에 서 2종 이상의 선택된 물질을 복수 층으로 적층하여 구성될 수도 있다. 게이트 절연막(132)은 두께는 5 내지 100Å으로 형성할 수 있다.
게이트 전극(134)은 도전성 폴리실리콘막, W, Pt, 또는 Al과 같은 금속막, TiN과 같은 금속 질화물막, 또는 Co, Ni, Ti, Hf, Pt와 같은 내화성 금속(refractory metal)으로부터 얻어지는 금속 실리사이드막, 또는 이들의 조합막으로 이루어질 수 있다. 또는, 게이트 전극(136)은 도전성 폴리실리콘막과 금속 실리사이드막을 차례대로 적층하여 형성하거나, 도전성 폴리실리콘막과 금속막을 차례대로 적층하여 형성할 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다.
스페이서(136)는 게이트 전극(134) 양 측벽에 형성되며, 질화막(SiN)으로 형성될 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100) 상에 산화막과 질화막을 순차적으로 적층한 후 감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 그리고 산화막 및 질화막을 순착적으로 식각하여 산화막 패턴(101) 및 질화막 패턴(102)을 형성한다.
그리고 나서, 산화막 패턴(101) 및 질화막 패턴(102)을 식각 마스크로 이용하여 반도체 기판(100)을 이방성 건식 식각함으로써 소자 분리막(107)을 형성하기 위한 트렌치(104)를 형성한다. 이 때, 트렌치(104)의 측벽 프로파일은 식각 특성 및 추후에 진행될 갭필을 고려하여 하부 폭이 좁아지는 포지티브 기울기를 갖도록 형성될 수 있다.
트렌치(104)를 형성한 후, 트렌치(104) 표면에 열산화 공정을 수행하여 열산화막(미도시)을 형성할 수 있다. 이 때, 열산화 공정은 트렌치(104) 표면을 노출시킨 상태에서 O2를 이용한 건식 산화법 또는 H2O를 이용한 습식 산화법에 의하여 수행될 수 있다. 이와 같이 형성된 열산화막(미도시)은 트렌치(104) 형성시 건식 식각 공정에 의해 발생된 측벽의 결함 또는 손상을 회복시켜 준다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 트렌치(104)를 따라 컨포말하게 P형 불순물이 포함된 절연막(105)을 형성한다. 절연막(105)은 CVD(Chemical Vapor Deposition)와 같은 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있을 것이다. 그리고 절연막(105)으로는 BSG(Borosilicate Glass)을 이용하여 형성할 수 있다. 이 때, P형 불순물이 포함된 절연막(105)은 약 300Å ~ 700Å의 두께로 형성될 수 있다. 그리고 절연막(105)에 포함된 P형 불순물로는 보론(B) 이온이 이용될 수 있으며, 절연막(105) 내에는 약 1×1014 ~ 1×1017 atom/cm3 농도의 P형 불순물을 포함한다.
그리고 나서, 열처리 공정을 실시하여 P형 불순물을 포함하는 절연막(105) 내의 P형 불순물을 트렌치(104) 주변의 반도체 기판(100)으로 확산시킨다. 열처리 공정은 약 700℃ ~ 900℃에서 약 20 ~ 100분간 실시한다. 이와 같이 실시함으로써 도 6에 도시된 바와 같이, 트렌치(104) 주변의 반도체 기판(100) 내에 P형 불순물로 이루어진 전하 이동 방지 영역(106)이 형성된다.
이와 같이, 전하 이동 방지 영역(106)을 형성한 다음 P형 불순물이 포함된 절연막(105)을 제거함으로써 후속 공정에 따른 열적 영향으로 인해 P형 불순물이 계속적으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
반도체 기판(100) 내에 전하 이동 방지 영역(106)을 형성한 다음에는 P형 불순물이 포함된 절연막(105)을 습식 식각을 통해 제거한다. 그리고 나서, 트렌치(104) 표면을 따라 질화막으로 형성된 라이너(liner; 미도시)를 형성한다. 라이너(미도시)를 형성한 다음에는 라이너(미도시)에 대해 라디칼(radical) 산화 공정을 실시한다. 라디칼 산화 공정은 후속 공정에서 산화막 패턴(101) 및 질화막 패턴(102) 제거시 반도체 기판(100)의 활성 영역과 소자 분리막(107)의 경계, 즉, 전하 이동 방지 영역(106)과 소자 분리막(107)의 경계 부분이 손상되는 것을 억제할 수 있다.
다음으로, 트렌치(104)를 매립시키는 비도핑된 절연 물질을 증착한다. 이 때, 절연 물질로는 HDP 산화막이 이용될 수 있다. 그리고 나서, 질화막 패턴(102) 노출될 때까지 CMP 공정 등으로 HDP 산화막을 평탄화시킨다. 그리고 인산 및 HF 용액을 포함하는 식각 용액을 이용하여 질화막 패턴(102) 및 산화막 패턴(101)을 제거하면 도 7에 도시된 바와 같이, 비도핑된 절연 물질로 형성된 소자 분리막(107)이 완성된다. 이와 같이 완성된 소자 분리막(107)은 반도체 기판(100)의 활성 영역을 정의한다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)의 활성 영역 상에 절연막 및 전송 게이트 전극용 도전막을 순차적으로 적층한다. 이 때, 절연막으로는 실리콘 산화막으로 형성될 수 있으며, 게이트 전극용 도전막은 도핑된 폴리실리콘 막으로 형성될 수 있다. 그리고 게이트 전극용 도전막과 절연막을 패터닝하여, 전송 게이트 전극(134), 게이트 절연막(132)을 형성한다.
그리고 나서, 도 9에 도시된 바와 같이, N형 도펀트를 주위에 형성될 전하 검출부(도 3의 120 참조)보다 깊게 이온 주입하여, N형 포토 다이오드(112)를 형성한다. N형 도펀트를 이온 주입할 때는 높은 에너지로 0° 내지 15°의 틸트를 주어 경사지게 형성한다. 따라서, 포토 다이오드(112)는 게이트 전극(134)과 일부 오버랩되도록 형성될 수 있다.
N형 포토 다이오드(112)를 형성한 다음에는, P형 도펀트를 낮은 에너지, 높은 도즈량으로 이온 주입하여 피닝층(114)을 형성한다. 피닝층(114)은 소자 분리 영역(107) 방향으로 0° 이상의 틸트를 주어 경사지게 이온 주입할 수 있다.
다음으로, 반도체 기판(100)에 스페이서용 절연막, 예컨대 질화막(SiN)을 CVD 방식으로 증착한 후, 에치 백(etch back)하여 게이트 절연막(132) 및 전송 게이트 전극(134)의 양측에 스페이서(136)를 형성한다.
그 후, 광전 변환부(110) 상에 형성되고, 게이트 전극(134) 및 전하 검출부(120)가 형성될 영역을 오픈하는 감광막 패턴을 마스크로, N형 도펀트를 이온 주입하여 도 3 에 도시된 바와 같이, 전하 검출부(120)를 형성한다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이 며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같이 본 발명의 이미지 센서 및 그 제조 방법에 따르면 소자 분리막과 광전 변환부의 경계에 전하 이동 방지 영역을 형성함으로써 이미지 센서의 암전류 발생을 방지할 수 있다.
그리고, 소자 분리막 형성시 일도전형의 불순물이 포함된 절연막을 이용하여 전하 이동 방지 영역을 형성하고 절연막을 제거한 다음, 비도핑된 절연 물질로 형성된 소자 분리막을 형성함으로써 후속 공정에 따른 열적 영향으로 일도전형의 불순물이 계속적으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 전하 이동 방지 영역 형성시 추가 이온 주입 공정을 생략할 수 있어, 이온 주입 공정에 따른 마스크 사용이 생략할 수 있다.
Claims (15)
- 비도핑된 절연 물질로 형성된 소자 분리막에 의해 활성 영역이 정의된 반도체 기판;상기 활성 영역 내에 형성된 광전 변환부 및 전하 검출부;상기 광전 변환부와 상기 전하 검출부 사이의 상기 활성 영역 상에 형성되어 상기 광전 변환부에 축적된 전하를 상기 전하 검출부로 전송하는 전하 전송부; 및상기 광전 변환부와 상기 소자 분리막의 경계에 일도전형의 불순물로 형성되어 암전류를 방지하는 전하 이동 방지 영역을 포함하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 전하 이동 방지 영역은 P형 불순물로 형성된 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 입사광에 대응하여 전하를 축적하고, 상기 전하 전송부와 일부 오버랩되도록 형성된 N형 포토 다이오드를 포함하는 이미지 센서.
- 제 3 항에 있어서,상기 광전 변환부는 상기 포토 다이오드 상에 형성되어 암전류를 방지하는 P형의 피닝층을 더 포함하는 이미지 센서.
- 반도체 기판 내에 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치를 따라 컨포말하게 일도전형의 불순물이 포함된 절연막을 증착하는 단계;열처리하여 상기 절연막에 포함된 일도전형의 불순물을 상기 트렌치 주변의 상기 반도체 기판으로 확산시켜 전하 이동 방지 영역을 형성하는 단계;상기 일도전형의 불순물이 포함된 절연막을 제거하는 단계; 및상기 트렌치 내부에 비도핑된 절연물로 이루어진 소자 분리막을 완성하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 절연막은 약 300Å~ 700Å의 두께로 형성되는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 절연막은 BSG인 이미지 센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 일도전형의 불순물은 P형 불순물인 이미지 센서 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 P형 불순물은 보론 이온인 이미지 센서 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 불순물 농도는 약 1×1014 ~ 1×1017 atom/cm3인 이미지 센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 전하 이동 방지막을 형성하는 단계에서 상기 열처리는 약 700℃ ~ 900℃에서 약 20 ~ 100분간 실시하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 절연막을 제거하는 단계에서 상기 절연막을 습식 식각하여 제거하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 소자 분리막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전송 게이트 전극을 형성하여 전하 전송부를 완성하는 단계; 및상기 전송 게이트 전극 양측과 상기 전하 이동 방지막 사이에 불순물을 주입하여 각각 광전 변환부 및 전하 검출부를 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 광전 변환부를 형성하는 단계는 입사광에 대응하여 전하를 축적하고, 상기 전송 게이트 전극과 일부 오버랩되는 N형의 포토 다이오드를 형성하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 광전 변환부를 형성하는 단계는 상기 포토 다이오드 상에 암전류를 방지하는 P형의 피닝층을 더 형성하는 이미지 센서 제조 방법.
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