KR20070017185A - 붕소를 포함하는 다이아몬드-구리 복합 재료로 제조되는히트 싱크 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다이아몬드 함유 복합 재료로 제조되는 히트 싱크에 대한 것이다. 40 내지 90 체적%의 다이아몬드 함량에 더하여, 복합 재료는 7 내지 59 체적%의 구리 또는 80 원자% 초과의 구리를 함유한 구리가 풍부한 상과, 0.01 내지 20 체적 %의 붕소 또는 50 원자% 초과의 붕소를 함유한 붕소가 풍부한 상을 포함한다. 구리를 다이아몬드 입자에 결합하는 것은 붕소의 첨가에 의해 상당히 개선되며, 그로 인해 고열전도율이 달성될 수 있다. 바람직한 제조 방법은 비가압 및 압력 보조 용침 방법을 포함한다. 부품은 반도체 부품을 위한 히트 싱크에 특히 적합하다.
다이아몬드, 구리, 붕소, 히트 싱크

Description

붕소를 포함하는 다이아몬드-구리 복합 재료로 제조되는 히트 싱크{HEAT SINK MADE FROMA DIAMOND/COPPER COMPOSITE MATERIAL CONTAINING BORON}
본 발명은 40 내지 90 체적%의 다이아몬드 입자와, 7 내지 59 체적%의 구리 또는 Cu > 80 원자%인 구리가 풍부한 고용체(copper-rich solid solution)를 포함하는 복합 재료로 제조된 히트 싱크(heat sink)로서의 부품에 대한 것이며, 또한 본 발명은 상기 부품을 제조하는 방법에 대한 것이다.
히트 싱크는 전자 부품의 제조에 널리 사용된다. 히트 싱크에 더하여, 전자 패키지(electronic package)의 주 구성 요소는 반도체 부품(semiconductor)과 기계적으로 안정된 밀봉부(mechanically stable encapsulation)이다. 기판(substrate), 히트 스프레더(heat spreader) 또는 캐리어 플레이트(carrier plate)라는 용어도 히트 싱크를 지칭하는 것으로 자주 사용된다. 반도체 부품은 예를 들어 단결정 실리콘(single-crystal silicon) 또는 비소화갈륨(gallium arsenide)을 포함한다. 반도체 부품은 일반적으로 납땜(soldering)에 의하여 히트 싱크에 결합된다. 히트 싱크는 반도체 부품이 가동하는 때에 발생하는 열을 분산하는 역할을 한다. 특히 높은 수준의 열을 발생시키는 반도체 부품의 예로는, 횡확산 금속 산화물 반도체(LDMOS: laterally diffused metal oxide semiconductor), 레이저 다이오 드(laser diode), 중앙 처리 장치(CPU: central processing unit), 마이크로 처리 장치(MPU: microprocessor unit) 또는 고주파 증폭 장치(HFAD: high frequency amplifying device)가 있다.
히트 싱크는 특정 적용에 따라서 여러 가지의 다른 기하 형상을 갖는다. 간단한 형상은 평탄한 판을 포함한다. 하지만, 홈(recess)과 단차(step)를 구비한 정밀 기판들도 사용될 수 있다. 히트 싱크 자체는 기계적으로 안정된 밀봉부에 차례대로 결합된다. 사용된 반도체 재료의 열팽창률은 다른 재료들에 비해 낮으며, 문헌에 의하며 실리콘의 열팽창률은 2.1 x 10-6 K-1 내지 4.1 x 10-6 K-1로 제시되고 비소화갈륨의 열팽창률은 5.6 x 10-6 K-1 내지 5.8 x 10-6 K-1로 제시된다. 예를 들어 Ge, InP 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide)와 같이 아직 대량으로 널리 사용되지 않는 다른 반도체 재료 역시 비슷하게 낮은 열팽창률을 갖는다. 세라믹 재료, 재료 복합물(material composite) 또는 플라스틱은 일반적으로 밀봉부용으로 사용된다. 세라믹 재료의 예로는, 6.5 x 10-6 K-1 팽창률을 갖는 Al2O3, 또는 4.5 x 10-6 K-1 팽창률을 갖는 알루미늄 질화물(aluminum nitride)을 포함한다.
관련 부품들의 팽창 특성이 다른 경우에는 조립체(assembly)에 응력이 발생하고, 이는 부품의 비틀림, 분리 또는 파괴를 유발할 수 있다. 응력은 패키지의 제조 중에도 발생할 수 있으며, 특히 납땜 온도(soldering temperature)를 상온(room temperature)으로 냉각하는 단계 중에 발생할 수 있다. 하지만, 온도 변동은 패키 지가 작동할 때에도 예를 들어 -50℃ 내지 200℃의 범위에서 발생하며, 이는 패키지에 열기계적 응력을 유발할 수 있다. 따라서, 히트 싱크용 재료에는 다음과 같은 사항이 요구된다. 첫째, 작동 중에 반도체 부품의 온도 상승을 최소화하기 위하여 재료의 열전도율이 가능한 한 높아야 한다. 둘째, 반도체 부품의 열팽창률과 밀봉부의 열팽창률이 가능한 한 비슷하게 조합되도록 하는 것이 요구된다. 단상 금속 재료(single-phase metallic material)는 요구되는 프로파일 특성을 충분히 만족시키지 않는데, 이는 이 금속 재료가 높은 열전도율에 더하여 높은 열팽창률도 갖기 때문이다. 따라서, 요구 사항의 프로파일을 만족시키기 위하여, 복합 재료(composite material) 또는 재료 복합물(material composite)이 기판을 제조하는 데 사용된다. 표준 텅스텐-구리 복합 재료와 몰리브덴-구리 복합 재료, 또는 그 재료 복합물은 유럽 특허 공보 제EP 0 100 232호, 미국 특허 공보 제US 4,950,554호 및 미국 특허 공보 제US 5,493,153호에 개시된 바와 같이 상온에서 170 내지 250 W/(m.K)의 열전도율과 6.5 x 10-6 내지 9.0 x 10-6 K-1의 열팽창률을 가지며, 이는 여러 적용에 있어서 더 이상 적합하지 않다.
다이아몬드 또는 다이아몬드 함유 복합 재료 또는 재료 복합물은 히트 싱크의 열전도율에 가해지는 요구 사항이 점점 더 증가한다는 측면에서 관심이 증가하고 있다. 예를 들어 다이아몬드의 열전도율은 1400 내지 2400 W/(m.K)이며, 특히 격자위치(lattice site)에 있는 질소 원자 함량 및 붕소 원자 함량이 품질을 결정하는 데 결정적이다.
유럽 특허 공보 제EP 0 521 405호는 반도체 칩을 지향하는 면에 다결정 다이아몬드를 구비하는 히트 싱크에 대해 개시하고 있다. 화학 기상 증착(CVD)에 의해 제조되는 다이아몬드는 1000 내지 1500 W/(m.K)의 열전도율을 갖는다. 하지만, 코팅 온도(coating temperature)로부터의 냉각 중에 다이아몬드층에 균열이 발생할 수 있으며, 이는 다이아몬드층의 소성변형능(plastic deformability)이 부족하기 때문이다.
미국 특허 공보 제US 5 273 790호는 1700 W/(m.K)를 초과하는 열전도율을 갖는 다이아몬드 복합 재료에 대해 개시하고 있으며, 여기서 헐거운 형상의 다이아몬드 입자(loose, shaped diamond particles)들은 이어지는 다이아몬드의 기상 증착에 의하여 안정된 형체(stable shaped body)로 변환된다. 이러한 방식으로 제조되는 다이아몬드 복합재는 대량 생산 부품에 상업적으로 사용하기에는 너무 고가이다.
국제 공개 특허 공보 제WO 99/12866호는 다이아몬드/실리콘 카바이드 복합 재료를 제조하기 위한 방법에 대해 개시하고 있다. 이 복합 재료는 다이아몬드 골격(skeleton)에 실리콘 또는 실리콘 합금을 용침(infiltrating)시켜서 제조된다. 실리콘의 높은 용융점(melting point) 및 그로 인한 높은 용침 온도(infiltration temperature)로 인하여, 다이아몬드는 부분적으로 탄소로 변환되고, 및/또는 이어서 실리콘 카바이드로 변환된다. 높은 취성(brittleness)으로 인하여, 이러한 재료는 가공하기가 매우 어려우며 또한 고가이다.
미국 특허 공보 제US 4,902,652호는 다이아몬드 소결재료(sintered diamond material)를 제조하는 방법에 대해 개시하고 있다. 전이금속족(transition metal group)(4a, 5a 및 6a), 붕소 및 실리콘으로부터 선택되는 원소는 물리적 코팅 공정에 의하여 다이아몬드 분말에 증착된다. 이어서, 코팅된 다이아몬드 입자들은 고온에서 고상 소결 공정(solid-phase sintering process)에 의하여 서로 결합된다. 이러한 방법의 단점은 제조된 제품이 높은 다공률(porosity)을 갖는다는 점이다. 게다가, 제조 방법도 매우 복잡하다.
미국 특허 공보 제US 5,045,972호는 복합 재료에 대해 개시하고 있으며, 복합 재료에는 1 내지 50㎛ 크기의 다이아몬드 입자뿐만 아니라 알루미늄, 마그네슘, 구리, 은 또는 이들 합금들을 포함하는 금속 매트릭스(metallic matrix)도 있다. 이러한 재료의 한 가지 단점은 금속 매트릭스가 다이아몬드 입자에 부적합하게 결합되어서, 그로 인해 열전도율과 기계적 일체성(mechanical integrity)이 부족하게 된다는 점이다. 미국 특허 공보 제US 5,008,737호에 개시되는 바와 같이, 예를 들어 3㎛ 미만의 결정 입도를 갖는 미세한 다이아몬드 분말을 사용하는 것은 다이아몬드 금속 간의 접착을 향상시키지 못하며, 보다 넓어진 다이아몬드 금속 경계면으로 인하여 열전도율이 상당히 저하된다. 미국 특허 공보 제US 5,783,316호는 다이아몬드 입자가 W, Zr, Re, Cr 또는 티타늄으로 코팅되고, 이어서 코팅된 다이아몬드 입자가 압축되며 다공체는 예를 들어 Cu, Ag, 또는 Cu-Ag 용융물에 의해 용침되는 방법에 대해 개시하고 있다. 고가의 코팅 비용으로 인하여, 이러한 방식으로 제조되는 복합 재료의 적용 분야는 제한된다. 유럽 특허 공보 제EP 0 859 408호는 히트 싱크용 재료에 대해 개시하고 있으며, 이 재료의 매트릭스는 다이아몬드 입자 또는 금속 카바이드로부터 형성되고, 매트릭스 공간은 금속으로 충전된다. 금속 카바이드로 지칭되는 것은 주기계(periodic system)의 4a 내지 6a 족들의 금속의 카바이드다. 유럽 특허 공보 제EP 0 859 408호는 TiC, ZrC 및 HfC에 대해 특히 강조하고 있다. Ag, Cu, Au 및 Al은 특히 바람직한 충전 금속으로서 나열된다. 4a 내지 6a족의 전이 금속은 모두 강력한 카바이드-형성 원소(carbide-forming element)이다. 결과적으로, 형성된 카바이드 층들은 상대적으로 두껍다. 낮은 열전도율(10 내지 65 W/mK)을 갖는 이들 카바이드와 혼합됨으로써, 다이아몬드 상의 열전도율 부스팅 효과(boosting effect)를 상당히 감소시킨다. 다이아몬드 골격이 강력한 카바이드 형성 원소를 포함하는 합금에 의해 용침되는 경우에는, 잉여 카바이드가 표면에 근접한 영역에 형성되고, 그로 인해 용침 재료가 카바이드 형성 원소가 감손되고 이어서 내부에서 다이아몬드에 대한 금속의 결합이 부적합하게 된다. 이는 먼저 비균질 재료를 유발하며, 이어서 개방 기공에 낙하함으로써 유발되는 용침 공정이 저하된다.
전술한 감손은 카바이드 형성 원소의 농도를 증가시켜서 완화될 수 있지만, 이로 인해 내부의 결합이 향상되며, 이는 고용체에 잔류하는 잔류물의 위험을 일으키며, 이는 금속상(metal phase)의 열전도율에 매우 유해한 효과를 낳는다.
유럽 특허 공보 제0 898 310호에는 다이아몬드 입자를 포함하는 히트 싱크에 대해 개시하고 있으며, 높은 열전도율을 갖는 금속 또는 금속 합금은 Cu, Ag, Au, Al, Mg 및 Zn을 포함하는 족으로부터 선택되며, 4a, 5a족 및 크롬으로부터 선택되는 금속의 금속 카바이드는 다이아몬드 입자의 표면의 적어도 25%를 덮는 금속 카 바이드다. 이러한 경우에도, 주기계의 4a, 5a족 및 크롬의 카바이드의 열전도율 낮으며, 탄소를 위한 이들 원소의 높은 무한대(infinity)와 Cu, Ag, Au, Al 및 Mg에서의 중요한 용해도가 역효과(adverse effect)를 가져온다.
최근에 들어서, 반도체 부품의 공정 속도와 집적도가 엄청나게 증가하였으며, 이는 패키지에 발생되는 열의 수준 또한 증가시켰다. 따라서, 최적의 열관리는 매우 중요한 기준이다. 전술한 재료의 열전도율은 많은 경우에 있어서 적합하지 않거나, 또는 범용으로 제조하기에 너무 고가이다. 따라서, 개선되고 저비용의 히트 싱크의 이용 가능성은 반도체 장치를 최적화하기 위한 전제조건이다. 따라서, 본 발명의 목적은, 높은 열전도율 및 낮은 열팽창률과 함께 저렴한 제조를 허용하는 가공 특성을 갖는 히트 싱크로 사용되기 위한 부품을 위한 복합 재료를 제공하는 것이다. 이러한 목적은 특허청구범위 제1항에 청구되는 부품에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 부품은 다이아몬드 입자와 구리가 풍부한 상(copper-rich phase) 사이에 우수한 결합 강도를 갖는다. 다이아몬드 입자와 구리가 풍부한 상 사이의 경계에 붕소-탄소 화합물을 형성함에 따라 원자층 영역에 붕소가 농축되며, 붕소 함량과 제조 변수에 따라서 고해상도 측정 방법에 의해 기록될 수 있다. 붕소-탄소 화합물의 두께는 1nm(대략 0.001체적%의 붕소-탄소 화합물 함량에 대응)로부터 10㎛, 바람직하게는 0.05㎛까지이다. 다이아몬드 입자의 불완전한 덮임률(coverage)의 경우에도 충분한 결합을 달성하기에 충분하다. 다른 원소의 원자를 붕소-탄소 화합물에 첨가하는 것도 가능하다. 붕소-탄소 화합물은 충분히 높은 열전도율(예를 들어, B4C는 대략 40 W/(mK))을 갖는다. 붕소는 상대적으로 약한 카바이드 형성제이므로, 카바이드 형성 원소가 용침 공정 중에 구리 용융물(copper melt)에서 너무 빨리 감손되며, 그 결과 고균질 재료가 달성될 수 있다. 게다가, 카바이드 층들은 상대적으로 얇은 층을 형성하는데, 이는 열전도율에는 도움이 된다. 고체 상태에서 구리에 대한 붕소의 용해도(solubility)는 매우 낮으므로(냉각률에 따라 대략 0.005 내지 0.3 원자%), 구리 매트릭스의 열전도율이 약간 저하된다. 붕소는 침전된 형태로 구리 매트릭스에 존재하며, 0.01 내지 20 체적%를 형성한다. 50 원자%를 초과하는 붕소 함량을 갖는 붕소가 풍부한 화합물은 구리 내의 추가적인 합금 원소에 따라 침전할 수도 있다. 예를 들어 비정질 탄소와 같은 또 다른 마이크로구조 성분들은 특성에 용납할 수 없는 역효과를 주지 않고, 이 성분은 10 체적%를 초과하지 않으며, 이들 마이크로구조 성분들의 열전도율은 50 W/(mK)를 초과한다. 여기서 가장 중요한 요소는 구리 매트릭스가 가능한 한 외계 원자 없이 유지되어야 한다는 점, 또는 Cu-Ag 또는 Cu-Zn의 경우와 같이 용해된 부분이 열전도율에 가능한 한 최소의 부정적인 영향을 주어야 한다는 점이다.
구리 함유 마이크로구조 성분들은 매우 높은 연성을 가지므로, 가공성은 충분하다. 저렴한 제조를 위한 추가적인 장점은, 구리 함유 마이크로구조 성분의 높은 열전도율로 인하여 다이아몬드 함량이 예를 들어 다이아몬드-SiC 재료에 비해 감소될 수 있다는 점이다. 다이아몬드, 구리 및 붕소 함량을 변화시킴으로써, 매우 넓은 범위의 요구 사항에 따라 맞추어진 열전도율과 열팽창률을 갖는 히트 싱크를 제조할 수 있다. 특히 바람직한 붕소 카바이드와, 구리 또는 구리가 풍부한 상의 함량은 각각 0.005 내지 1 체적%와, 15 내지 40 체적%이다. 다이아몬드 분말이 넓은 결정 입도 범위로 압축될 수 있음이 시험을 통해 나타난다. 천연 다이아몬드에 더하여, 상대적으로 저렴한 합성 다이아몬드를 가공하는 것도 가능하다. 따라서, 각각의 경우에 있어서 최저 비용 등급을 사용하는 것이 가능하다. 비용이 결정적 인자가 아니며 열전도율에 대해 매우 높은 요구를 갖는 적용의 경우에는, 평균 결정 입도가 50 내지 300㎛, 바람직하게는 100 내지 200㎛를 갖는 다이아몬드 부분을 사용하는 것이 바람직하다. 높은 다이아몬드 입자 충전밀도는 이정의 입자 크기 분포(bimodal particle size distribution)를 갖는 분말들을 사용함으로써 달성될 수 있다. 바람직하게는, 최대 제1 분포가 20 내지 40㎛이고 최대 제2 분포가 130 내지 250㎛이다.
전자 부품용 히트 싱크로서 사용될 부품의 경우에는, 이들 부품들이 Ni, Cu, Au 혹은 Ag 또는 이들 금속의 함금으로 코팅되고 이어서 예를 들어 Al2O3 또는 AlN으로 제조된 세라믹 프레임에 납땜되는 것이 바람직하다.
제조를 위해 넓은 범위의 가공 방법들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 다이아몬드 분말을 온도와 압력 하에서 구리 붕소 합금을 가지고 압축되는 것도 가능하다. 이것은, 예를 들어 열간프레스 또는 열간등압프레스에서 발생할 수 있다. 원칙적으로, 구리와 붕소가 각각 따로 도입되는 것도 가능하다. 이 경우에는, 합금은 열간프레싱 작업 중에 형성된다. 이 경우에, 시작점은 B4C 코팅 다이아몬드 분말 또는 붕소 코팅 다이아몬드 분말일 수도 있다. 용침은 매우 바람직한 것으로 입증되었다. 이것은 선구물질(precursor) 또는 중간 재료의 제조와 관련이 있으며, 다이아몬드 분말에 더하여 결합제(binder)도 포함할 수 있다. 여기서, 열의 반응 하에서 대부분 열분해되는 결합제는 특히 바람직하다. 바람직한 결합제의 함량은 1 내지 20 중량%이다. 다이아몬드 분말 및 결합제는 표준 혼합기(mixer) 또는 분쇄기(mill)에서 혼합된다. 이어서 성형(shaping)이 수행되며, 이는 베드(bed)를 몰드에 주입하거나 예를 들어 프레싱 또는 금속 사출 성형과 같이 압력의 도움을 받아서 발생할 수 있다. 이어서, 중간 재료는 결합제가 적어도 부분적으로 열분해되는 온도로 가열된다. 하지만, 결합제의 열분해는 용침 공정에서의 가열 중에 발생할 수도 있다. 용침 공정은 비가압된 형태로 또는 압력 보조 형태로 발생할 수 있다. 압력 보조 형태는 고압주조(squeeze casting), 다이주조(die casting)에 의하여 이행되거나, 또는 sinter-HIP소결 설비(sinter-HIP installation)에서 이행될 수 있다. 용침 재료는 1 내지 4 중량%의 붕소 함량을 갖는 구리 붕소 합금으로 제조된 박막(foil)을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 경우에 있어서, 합금 생성을 용침 공정 중에 발생시키는 것도 가능하다. 복합체를 선택하는 때에, 각 합금의 액상선 온도(liquidus temperature)가 1200℃를 넘어서는 안 되며, 바람직하게는 1050℃를 넘어서는 안 된다는 사실을 고려해야 하는데, 그렇지 않으면 과도하게 높은 수준의 다이아몬드 부분이 분해한다. 공융 조성(eutectic composition) 또는 근사 공융 조성(near-eutectic composition), 여기서 근사 공융 조성은 1050℃ 미만의 액상선 온도를 갖는 합금을 포함, 을 갖는 박막들은 용침에 특히 적합하다. 반도체 부품들로부터 열을 분산시키기 위한 부품들의 특히 바람직한 용도에 더하여, 본 발명에 따른 복합 재료는 예를 들어 항공 혹은 우주 분야 또는 자동차 제조와 같은 다른 적용 분야에서 히트 싱크로서 사용될 수도 있다. 본 발명은 아래의 실시예들을 기초로 하여 더욱 자세하게 설명된다.
실시예 1:
90 내지 104㎛의 크기(mesh 140-170)를 갖는 다이아몬드 분말은 알루미늄 산화물 도가니에 주입되고 진동에 의해 압축된다. 2.5 중량%의 근사 공용 구리 붕소 합금의 원통형 조각은 다이아몬드 베드에 배치된다. 다이아몬드와 합금을 포함하는 도가니는 압력 용기 내부의 유도 가열성 원통형 공간(induction-heatable cylindrical space)으로 배치된다. 제1차 진공(primary vacuum)에 도달한 이후에, 배치는 1080℃로 가열되고 최종 온도에서 15분 동안 방치된다. 이어서, 50bar의 가스 압력이 압력 용기에서 설정되며 가열은 차단된다. 구리 붕소 다이아몬드 복합 재료(Cu-B-diamond composite material)는 이러한 작업으로 인해 발생하며 6.6 x 10-6 K-1의 열팽창률과 더불어 540 W/(mK)의 열전도율을 갖는다.
실시예 2:
실시예 1에 개시된 바와 같이, 180 내지 215(mesh 70 내지 80)의 크기의 다이아몬드 분말은 근사 공융 구리 2.5 중량% 붕소 합금으로 용침되었으나, 이번에는 단지 5bar의 가스 압력이다. 이러한 작업으로 발생하는 구리 붕소 다이아몬드 복합 재료는 6.9 x 10-6 K-1의 열팽창률과 더불어 620 W/(mK)의 열전도율을 갖는다.
본 발명은 붕소를 포함하는 다이아몬드-구리 복합 재료로 제조되는 히트 싱크와 그 제조 방법에 이용될 수 있다.

Claims (21)

  1. 40 내지 90 체적%의 다이아몬드 입자와, 7 내지 59 체적%의 구리 또는 Cu > 80 원자%인 구리가 풍부한 고용체(copper-rich solid solution)를 포함하는 복합 재료로 제조되는 히트 싱크로서의 부품에 있어서,
    복합 재료는 0.01 내지 20 체적%의 붕소 또는 B > 50 원자%인 붕소가 풍부한 상(boron-rich phase)을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구리가 풍부한 고용체는 0.005 내지 0.3 원자%의 붕소를 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복합 재료는 0.001 내지 5 체적%의 붕소-탄소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 붕소-탄소 화합물은 붕소를 다이아몬드의 탄소와 반응시킴에 의해 주로 또는 전적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 부품.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 붕소-탄소 화합물은 다이아몬드 입자 표면의 적어도 60%를 덮는 층(layer)의 형태인 것을 특징으로 하는 부품.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 붕소-탄소 층의 두께는 1 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 부품.
  7. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    구리 고용체는 0.01 내지 5 원자%의 은(silver)을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  8. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    복합 재료는 0.01 내지 10 체적%의 은이 풍부한 상(silver-rich phase)을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  9. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복합 재료는 0.01 내지 5 체적%의 결합되지 않은 비정질 탄소(amorphous carbon)를 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  10. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    평균 다이아몬드 결정 입도(mean diamond grain size)는 50 내지 300㎛인 것을 특징으로 하는 부품.
  11. 제10항에 있어서,
    평균 다이아몬드 결정 입도는 100 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 부품.
  12. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    다이아몬드 결정 입도는 이정 분포(bimodal distribution)를 가지며, 제1 최대 분포는 20 내지 40㎛ 이며 제2 최대 분포는 130 내지 250㎛인 것을 특징으로 하는 부품.
  13. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    복합 재료는 0.005 내지 1 체적%의 붕소-탄소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  14. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    복합 재료는 15 내지 40 체적%의 구리, 또는 Cu > 90 원자%인 구리가 풍부한 고용체를 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  15. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    복합 재료는 0.2 내지 10 체적%의 붕소, 또는 B > 90 원자%인 붕소가 풍부한 상을 포함하는 것을 특징으로 하는 부품.
  16. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    부품은 Ni, Cu, Au, Ag 또는 이들 금속의 합금으로 구성되는, 상기 부품에 도포되는 금속 코팅을 구비하는 것을 특징으로 하는 부품.
  17. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    세라믹 프레임은 부품에 납땜 결합되는 것을 특징으로 하는 부품.
  18. 선행하는 항들 중 어느 한 항에 따른 부품을 제조하기 위한 방법에 있어서,
    상기 방법은 다음의 방법 단계들 :
    - 100 내지 300㎛의 평균 결정 입도를 갖는 다이아몬드 입자와 선택적으로 Cu-B 합금 및/또는 결합제를 포함하는 중간 재료를 비가압 성형 또는 압력 지원 성형(unpressurized or pressure-assisted shaping)하는 단계로서, 여기서 성형 단계 이후에 다이아몬드 분율(diamond fraction)이 중간 재료의 전체 체적을 기초로 40 내지 90%에 이르는, 중간 재료를 비가압 성형 또는 압력 지원 성형하는 단계 ;
    - 상기 중간 재료와, Cu 및 B 를 포함하는 용침 합금을 Cu 및 B 를 포함하는 용침 합금의 액상선 온도 이상이지만 1100℃ 아래로 비가압 가열 또는 압력 지원 가열하는 단계로서, 이로 인해 용침 합금은 중간 재료를 용침하여 중간 재료의 기 공 공간의 적어도 97%를 충전하는, 비가압 가열 또는 압력 지원 가열하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 부품 제조 방법.
  19. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 부품을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 방법은 최소한 다음의 방법 단계들 :
    - 다이아몬드 입자와, Cu 및 B 를 함유한 용침 합금을 적어도 포함하는 중간 재료를 혼합 또는 밀링하는 단계;
    - 중간 재료로 열간 프레스의 다이를 충전시키며, 500℃ < T < 1100℃인 온도(T)로 가열시키며, 상기 중간 재료를 열간 프레싱(hot-pressing)하는 단계를
    포함하는 것을 특징으로 하는 부품 제조 방법.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    공융 Cu-B 합금 또는 1050℃ 미만의 액상선 온도를 갖는 합금을 포함하는 근사 공융 Cu-B 합금은 용침을 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 부품 제조 방법.
  21. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 부품을 반도체 부품을 위한 히트 싱크로서의 이용.
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