KR20070013485A - 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 - Google Patents
파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070013485A KR20070013485A KR1020050067824A KR20050067824A KR20070013485A KR 20070013485 A KR20070013485 A KR 20070013485A KR 1020050067824 A KR1020050067824 A KR 1020050067824A KR 20050067824 A KR20050067824 A KR 20050067824A KR 20070013485 A KR20070013485 A KR 20070013485A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- particles
- light
- remove
- space
- onto
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 12
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
파티클 제거 방법에 따르면, 대상체가 놓여지는 공간으로 에어를 분사하여 공간 내의 이물질을 제거한다. 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여 대상체 상의 전하들을 제거한다. 대상체 상으로 제 2 광을 조사하여 대상체와 파티클 간의 수분을 제거한다. 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여 대상체와 파티클 간의 정전기를 제거한다. 그런 다음, 파티클을 대상체로부터 부유시킨다. 따라서, 파티클과 대상체 사이의 부착력이 제거됨으로써, 파티클이 대상체로부터 용이하게 부유된다.
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 파티클 제거 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 2는 도 1의 장치를 이용해서 파티클을 제거하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 파티클 측정 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 4는 도 3의 장치를 이용해서 파티클을 측정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
210 : 에어 분사 유닛 220 : 광 조사 유닛
230 : 가스 분사 유닛 240 : 흡입 유닛
250 : 계수 유닛
본 발명은 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이들을 이용한 파티클 측정 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 기판 또는 평판표시장치용 기판과 같은 대상체 상의 파티클을 제거하기 위한 방법 및 이러한 제거 방법을 수행하기 위한 장치, 그리고 상기 제거 방법을 이용해서 파티클의 수를 측정하기 위한 방법 및 이러한 측정 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
최근 들어서, 반도체 장치 또는 평판표시장치가 고집적화되어 감에 따라, 반도체 장치 또는 평판표시장치의 동작에 치명적인 악영향을 끼치는 파티클과 같은 오염물질에 대한 관리가 엄격해지고 있다. 이러한 추세에 따라, 반도체 장치 또는 평판표시장치용 기판에 묻은 파티클을 효과적으로 제거하는 방법들이 제안되고 있다. 또한, 파티클 제거 효율을 확인하기 위해서, 파티클을 계수하는 방법들도 제안되고 있다.
한국특허공개공보 제2003-34179호에는 표면 미립자 검출기가 개시되어 있다. 표면 미립자 검출기는 하나 이상의 개구를 갖는 스캐너, 스캐너를 통과하는 미립자를 계수하는 미립자 계수기, 미립자를 미립자 계수기로 흡입시키기 위한 펌프, 및 펌프의 속도를 제어하는 제어기를 포함한다.
그런데, 대상체로부터 제거되어야 할 파티클의 직경이 0.1㎛ 이하로 짧아짐에 따라, 상기된 종래 방법들을 이용해서는 파티클을 대상체로부터 용이하게 제거할 수가 없다. 즉, 0.1㎛ 이하의 직경을 갖는 파티클은 대상체의 표면과 강한 부착 력으로 고착된다. 구체적으로 설명하면, 대상체의 표면에 대전된 전하들, 대상체의 표면과 파티클 사이에 개재된 미세 수분들, 및 대상체의 표면과 파티클 사이에 형성된 정전기들과 같은 강한 부착력이 미세 파티클과 대상체 사이에 존재한다. 상기와 같은 강한 부착력이 미세 파티클과 대상체 사이에 존재하므로, 종래 방법들을 이용해서는 파티클이 대상체로부터 용이하게 분리되지 않았다. 결과적으로, 미세 파티클들이 반도체 장치용 기판 또는 평판표시장치용 기판과 같은 대상체에 잔존하여, 반도체 장치나 평판표시장치의 동작 불량이 야기되었다.
본 발명은 미세 직경을 갖는 파티클을 대상체로부터 용이하게 부유시킬 수 있는 파티클 제거 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 파티클 제거 방법을 수행하기에 적합한 파티클 제거 장치를 제공한다.
아울러, 본 발명은 상기된 파티클 제거 방법을 이용해서 파티클을 계수하는 파티클 측정 방법을 제공한다.
본 발명은 상기된 파티클 측정 방법을 수행하기에 적합한 파티클 측정 장치를 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 파티클 제거 방법에 따르면, 광을 이용하여 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거한다. 그런 다음, 파티클을 대상체로부터 부유시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 부착력을 제거하기 전에, 대상체가 배치될 공간 내로 에어를 분사하여 공간 내의 수분과 같은 이물질 등을 제거할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 부착력을 제거하는 단계는 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여 대상체 내의 전하들을 제거하는 단계, 대상체 상으로 제 2 광을 조사하여 대상체와 파티클 간의 수분을 제거하는 단계, 및 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여 대상체와 파티클 간의 정전기를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 파티클을 부유시키는 단계는 대상체 상으로 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 파티클 측정 방법에 따르면, 광을 대상체로 조사하여 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거한다. 이어서, 파티클을 대상체로부터 부유시킨다. 그런 다음, 부유된 파티클을 계수기를 이용해서 계수한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 파티클을 계수하는 단계는 부유된 파티클을 계수기 내로 흡입시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 파티클 제거 장치는 대상체로 광을 조사하여 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거하는 광 조사 유닛을 포함한다. 가스 분사 유닛이 대상체로 가스를 분사하여 파티클을 대상체로부터 부유시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어 분사 유닛이 대상체가 배치될 공간 내로 에어를 분사하여 공간 내의 수분과 같은 이물질 등을 제거한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 광 조사 유닛은 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여 대상체 내의 전하들을 제거하는 제 1 광 조사부, 대상체 상으로 제 2 광 을 조사하여 대상체와 파티클 간의 수분을 제거하는 제 2 광 조사부, 및 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여 대상체와 파티클 간의 정전기를 제거하는 제 3 광 조사부를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 파티클 측정 장치는 대상체 상으로 광을 조사하여 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거하는 광 조사 유닛을 포함한다. 가스 분사 유닛이 대상체 상으로 가스를 분사하여 파티클을 대상체로부터 부유시킨다. 계수 유닛이 부유된 파티클을 계수한다. 흡입 유닛이 부유된 파티클을 계수 유닛 내로 흡입한다.
본 발명에 따르면, 파티클과 대상체 사이에 존재하는 전하, 수분 및 정전기와 같은 부착력을 제거함으로써, 파티클이 대상체로부터 용이하게 부유된다. 따라서, 파티클을 대상체로부터 용이하게 제거할 수가 있게 된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명한다.
실시예 1
파티클 제거 장치
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 파티클 제거 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 파티클 제거 장치(100)는 에어 분사 유 닛(110), 광 조사 유닛(120), 및 가스 분사 유닛(130)을 포함한다.
에어 분사 유닛(110)은 파티클이 묻은 대상체, 예를 들어서, 반도체 장치용 기판 또는 평판표시장치용 기판 상으로 필터링된 에어를 분사하여, 대상체가 배치될 공간, 예를 들면 측정 챔버 내의 수분과 같은 이물질 등을 제거한다. 즉, 대상체 상의 파티클 수를 보다 정확하게 측정하기 위해서, 에어 분사 유닛(110)으로부터 분사된 청정 에어가 측정 챔버 내부로의 외부 오염물 유입을 차단함으로써, 측정 챔버 내의 환경을 사전에 조절한다.
광 조사 유닛(120)은 파티클과 대상체 사이의 전하, 수분, 정전기 등과 같은 부착력을 제거한다. 광 조사 유닛(120)은 제 1 광 조사부(122), 제 2 광 조사부(124) 및 제 3 광 조사부(126)을 포함한다.
제 1 광 조사부(122)는 제 1 광을 대상체 상으로 조사하여, 대상체 표면에 존재하는 전하들을 제거한다. 제 1 광은 100nm 내지 400nm의 파장을 갖는다. 이러한 파장 대역을 갖는 제 1 광으로는 자외선을 사용할 수 있다.
제 2 광 조사부(124)는 제 2 광을 대상체 상으로 조사하여, 에어로 제거되지 않은 파티클과 대상체 사이의 수분을 제거한다. 한편, 파티클과 대상체 사이의 수분은 모세관력(capillary force)를 발생시키므로, 제 2 광에 의해서 모세관력이 제거된다. 한편, 제 2 광은 0.75㎛ 내지 1㎜의 파장을 갖는다. 이러한 파장 대역을 갖는 제 2 광으로는 적외선을 사용할 수 있다.
제 3 광 조사부(126)는 제 3 광을 대상체 상으로 조사하여, 파티클과 대상체 사이의 정전기를 제거한다. 제 3 광은 0.01Å 내지 10Å의 파장을 갖는다. 이러한 파장 대역을 갖는 제 3 광으로는 X선을 사용할 수 있다.
상기된 제 1 내지 제 3 광 조사부(122, 124, 126)들로부터 조사된 제 1 내지 제 3 광들에 의해서, 파티클과 대상체 사이의 부착력을 완전히 제거한다. 즉, 파티클은 대상체의 표면에 점착되지 않고 단순히 놓여진 상태가 된다.
가스 분사 유닛(130)은 대상체 상에 놓여진 파티클로 가스를 분사하여, 파티클을 대상체로부터 부유시킨다. 파티클은 대상체의 표면에 단순히 놓여져 있으므로, 가스 분사 유닛(130)으로부터 분사된 가스에 의해 대상체로부터 용이하게 부유될 수가 있다. 한편, 가스의 예로는 99.999% 이상의 농도를 갖는 질소 가스, 아르곤 가스, 클린 에어 등을 들 수 있다. 또한, 가스는 200m/초 내지 800m/초의 유속을 갖는다.
파티클 제거 방법
도 2는 도 1의 장치를 이용해서 대상체 상의 파티클을 제거하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 단계 ST100에서, 에어 분사 유닛(110)이 측정 챔버 내로 청정 에어를 분사하여, 측정 챔버 내의 수분과 같은 이물질을 우선 제거한다. 에어 분사 유닛(110)으로부터 분사된 에어에 의해 최적의 환경이 측정 챔버 내에 형성될 수 있다. 상기와 같이, 최적의 측정 환경이 측정 챔버 내에 조성되면, 대상체를 측정 챔버 내로 반입시킨다.
단계 ST102에서, 제 1 광 조사부(122)가 100nm 내지 400nm의 파장을 갖는 자외선을 대상체 상으로 조사하여, 대상체 표면에 분포하는 전하들을 제거한다.
단계 ST104에서, 제 2 광 조사부(124)가 0.75㎛ 내지 1㎜의 파장을 갖는 적외선을 대상체 상으로 조사하여, 대상체와 파티클 사이에 존재하는 수분을 제거한다. 따라서, 대상체와 파티클 사이에 작용하는 모세관력이 적외선의 조사에 의해 제거된다.
단계 ST106에서, 제 3 광 조사부(126)가 0.01Å 내지 10Å의 파장을 갖는 X선을 대상체 상으로 조사하여, 대상체와 파티클 사이의 정전기를 제거함으로써, 대상체와 파티클 사이의 부착력을 완전히 제거한다. 따라서, 파티클과 대상체 사이에는 어떠한 부착력도 존재하지 않게 되어, 파티클은 대상체의 표면에 단순히 놓여진 상태가 된다.
단계 ST108에서, 가스 분사 유닛(130)이 고농도의 질소 가스, 아르곤 가스 또는 클린 에어를 대상체 상으로 분사하여, 파티클을 대상체 표면으로부터 부유시킴으로써, 파티클을 대상체로부터 제거한다. 여기서, 전술된 바와 같이, 파티클은 대상체의 표면에 단순히 놓여진 상태이므로, 질소 가스에 의해 대상체의 표면으로부터 용이하게 부유될 수가 있다.
상기와 같은 본 실시예에 따르면, 제 1 내지 제 3 광들을 이용해서 대상체와 파티클 사이에 존재하는 부착력을 완벽하게 제거할 수가 있다. 따라서, 파티클이 대상체로부터 용이하게 부유될 수가 있으므로, 파티클 제거 효율이 대폭 향상된다.
실시예 2
파티클 측정 장치
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 파티클 측정 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 파티클 측정 장치(200)는 에어 분사 유닛(210), 광 조사 유닛(220), 가스 분사 유닛(230), 흡입 유닛(240), 및 계수 유닛(250)을 포함한다.
에어 분사 유닛(210), 광 조사 유닛(220) 및 가스 분사 유닛(230)은 실시예 1의 에어 분사 유닛(110), 광 조사 유닛(120) 및 가스 분사 유닛(130)과 실질적으로 동일하므로, 여기에서는 반복 설명은 생략한다.
흡입 유닛(240)은 가스 분사 유닛(230)에 의해 대상체의 표면으로부터 부유된 파티클을 계수 유닛(250)으로 흡입시킨다. 따라서, 흡입 유닛(240)은 대상체 상으로 진공을 제공하는 진공 펌프를 포함할 수 있다.
계수 유닛(250)은 흡입 유닛(240)에 의해 흡입된 파티클의 수를 측정한다. 또한, 계수 유닛(250)은 에어가 분사된 후의 측정 챔버 내에 존재하는 최초 파티클의 수와, 가스 분사 유닛(230)에 의해 부유된 파티클의 수를 각각 측정함으로써, 대상체 상에 잔류하는 파티클의 수를 인식하게 된다. 인식된 잔류 파티클의 수로부터 파티클 제거 효율을 정확하게 알 수가 있게 되므로, 파티클 제거 장치를 효율적으로 관리할 수가 있게 된다.
한편, 계수 유닛(250)은 "스마트 프로브(smart probe)"로 지칭되는 장비일 수 있다. 계수 유닛(250)과 흡입 유닛(240) 사이에는 HEPA 필터(미도시), 차압 센서(미도시), 파티클 검출기(미도시) 및 파티클 포획 필터(미도시) 등이 배치될 수 있다.
파티클 측정 방법
도 4는 도 3의 장치를 이용해서 대상체 상의 파티클을 측정하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 단계 ST200에서, 에어 분사 유닛(210)이 측정 챔버 내로 에어를 분사하여, 측정 챔버 내의 수분과 같은 이물질을 우선 제거한다.
단계 ST202에서, 계수 유닛(250)이 측정 챔버 내의 최초 파티클의 수를 측정한다. 이어서, 대상체를 측정 챔버 내로 반입시킨다.
단계 ST204에서, 제 1 광 조사부(222)가 100nm 내지 400nm의 파장을 갖는 자외선을 대상체 상으로 조사하여, 대상체 표면에 분포하는 전하들을 제거한다.
단계 ST206에서, 제 2 광 조사부(224)가 0.75㎛ 내지 1㎜의 파장을 갖는 적외선을 대상체 상으로 조사하여, 대상체와 파티클 사이에 존재하는 수분을 제거한다.
단계 ST208에서, 제 3 광 조사부(226)가 0.01Å 내지 10Å의 파장을 갖는 X선을 대상체 상으로 조사하여, 대상체와 파티클 사이의 정전기를 제거한다.
단계 ST210에서, 가스 분사 유닛(230)이 고농도의 질소 가스, 아르곤 가스 또는 클린 에어를 대상체 상으로 분사하여, 파티클을 대상체 표면으로부터 부유시킨다.
단계 ST212에서, 흡입 유닛(240)이 부유된 파티클로 진공을 제공하여, 부유된 파티클을 계수 유닛(250) 내로 흡입시킨다.
단계 ST214에서, 계수 유닛(250)이 흡입된 파티클의 수를 측정한다.
단계 ST216에서, 계수 유닛(250)이 최초 파티클의 수로부터 흡입된 파티클의 수를 감산하여, 대상체 상에 잔존하는 파티클의 수를 산출한다. 결과적으로, 파티클 제거 효율이 얻어질 수가 있다.
상기와 같은 본 실시예에 따르면, 파티클 제거 동작 전에 파티클의 수와, 또한 부유된 파티클의 수를 각각 측정함으로써, 파티클 제거 동작이 완료된 후에 대상체 상에 잔존하는 파티클의 수를 정확하게 인식할 수가 있게 된다. 따라서, 파티클 제거 효율이 정확하게 산출되므로, 파티클 측정 장치를 효율적으로 관리할 수가 있게 된다. 한편, 본 실시예들에서는, 대상체로 반도체 장치용 기판 또는 평판표시장치용 기판을 예로 들어서 설명하였으나, 대상체가 상기된 기판들로 국한되지 않음은 당업자에게는 자명할 것이다. 즉, 미세 파티클을 제거하는 것이 요구되는 부품들에 본 발명이 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 광들을 이용해서 대상체와 파티클 사이의 부착력을 완벽하게 제거하므로, 파티클이 대상체로부터 용이하게 부유될 수가 있다. 따라서, 매우 미세한 파티클을 제거하는 효율이 대폭 향상될 수가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (27)
- 광을 이용해서 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거하는 단계; 및상기 파티클을 상기 대상체로부터 부유시키는 단계를 포함하는 파티클 제거 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 부착력을 제거하는 단계 전에,상기 대상체가 놓여지는 공간으로 에어를 분사하여, 상기 공간 내의 이물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 부착력을 제거하는 단계는상기 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여, 상기 대상체 내의 전하들을 제거하는 단계;상기 대상체 상으로 제 2 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 수분을 제거하는 단계; 및상기 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 정전기를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 광은 자외선을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 광은 적외선을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 3 광은 X선을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 파티클을 부유시키는 단계는 상기 대상체 상으로 가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 가스는 질소 가스, 아르곤 가스 또는 클린 에어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 가스는 200m/초 내지 800m/초의 속도를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 대상체는 반도체 기판 또는 평판표시장치용 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 광을 이용해서 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거하는 단계;상기 파티클을 상기 대상체로부터 부유시키는 단계;상기 부유된 파티클을 계수기를 이용해서 계수하는 단계를 포함하는 파티클 측정 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 부착력을 제거하는 단계 전에,상기 대상체가 놓여지는 공간으로 에어를 분사하여, 상기 공간 내의 이물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 부착력을 제거하는 단계는상기 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여, 상기 대상체 내의 전하들을 제거하는 단계;상기 대상체 상으로 제 2 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 수분을 제거하는 단계; 및상기 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 정전기를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 파티클을 부유시키는 단계는 상기 대상체 상으로 가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 파티클을 계수하는 단계는 상기 부유된 파티클을 상기 계수기 내로 흡입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 부착력을 제거하는 단계 전에, 상기 대상체가 놓여지는 공간 내의 파티클을 계수하는 단계; 및상기 공간 내의 파티클의 수와 상기 부유된 파티클의 수를 이용해서 상기 대상체 상에 잔존하는 파티클을 계수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 대상체로 광을 조사하여 상기 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거하는 광 조사 유닛; 및상기 대상체로 가스를 분사하여 상기 파티클을 상기 대상체로부터 부유시키는 가스 분사 유닛을 포함하는 파티클 제거 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 대상체가 놓여지는 공간으로 에어를 분사하여, 상기 공간 내의 이물질을 제거하는 에어 분사 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 광 조사 유닛은상기 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여, 상기 대상체 내의 전하들을 제거하는 제 1 광 조사부;상기 대상체 상으로 제 2 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 수분을 제거하는 제 2 광 조사부; 및상기 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 정전기를 제거하는 제 3 광 조사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제 1 광 조사부는 자외선 조사부인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제 2 광 조사부는 적외선 조사부인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 19 항에 있어서, 상기 제 3 광 조사부는 X선 조사부인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 가스 분사 유닛으로부터 분사되는 가스는 질소 가스, 아르곤 가스 또는 클린 에어를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 대상체 상으로 광을 조사하여, 상기 대상체과 파티클 간의 부착력을 제거하는 광 조사 유닛;상기 대상체 상으로 가스를 분사하여, 상기 파티클을 상기 대상체로부터 부 유시키는 가스 분사 유닛;상기 부유된 파티클을 계수하는 계수 유닛; 및상기 부유된 파티클을 상기 계수 유닛 내로 흡입하는 흡입 유닛을 포함하는 파티클 측정 장치.
- 제 24 항에 있어서, 상기 대상체가 놓여지는 공간으로 에어를 분사하여, 상기 공간 내의 이물질을 제거하는 에어 분사 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 25 항에 있어서, 상기 계수 유닛은 상기 공간 내의 파티클을 계수하여, 상기 공간 내의 파티클의 수와 상기 부유된 파티클의 수를 이용해서 상기 대상체 상에 잔존하는 파티클을 계수하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 24 항에 있어서, 상기 광 조사 유닛은상기 대상체 상으로 제 1 광을 조사하여, 상기 대상체 내의 전하들을 제거하는 제 1 광 조사부;상기 대상체 상으로 제 2 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 수분을 제거하는 제 2 광 조사부; 및상기 대상체 상으로 제 3 광을 조사하여, 상기 대상체와 상기 파티클 간의 정전기를 제거하는 제 3 광 조사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050067824A KR100933431B1 (ko) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 |
| US11/481,340 US20070023065A1 (en) | 2005-07-26 | 2006-07-05 | Method of removing particles on an object, apparatus for performing the removing method, method of measuring particles on an object and apparatus for performing the measuring method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050067824A KR100933431B1 (ko) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070013485A true KR20070013485A (ko) | 2007-01-31 |
| KR100933431B1 KR100933431B1 (ko) | 2009-12-23 |
Family
ID=37692973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050067824A KR100933431B1 (ko) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070023065A1 (ko) |
| KR (1) | KR100933431B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4646730B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-03-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置の表面異物検出装置および検出方法 |
| JP5893882B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル捕集装置及びパーティクルの捕集方法 |
| KR20180068367A (ko) * | 2016-12-13 | 2018-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 세정 방법 및 이를 수행하는 마스크 세정 장치 |
| KR102368389B1 (ko) | 2018-06-22 | 2022-02-28 | (주)코미코 | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821175A (en) * | 1988-07-08 | 1998-10-13 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation using various methods to achieve desired inert gas flow over treated surface |
| KR0155572B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1998-12-01 | 이노우에 아키라 | 감압처리 시스템 및 감압처리 방법 |
| JPH07211677A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-08-11 | M Setetsuku Kk | 基板のスクラビング方法とその装置 |
| US5789755A (en) * | 1996-08-28 | 1998-08-04 | New Star Lasers, Inc. | Method and apparatus for removal of material utilizing near-blackbody radiator means |
| JP2000019717A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | マスク検査装置および半導体デバイスの製造方法 |
| JP2001176865A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-06-29 | Seiko Epson Corp | 処理装置及び処理方法 |
| TW533503B (en) * | 2000-09-14 | 2003-05-21 | Nec Electronics Corp | Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same |
| US6496248B2 (en) * | 2000-12-15 | 2002-12-17 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus and method |
| KR100421038B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2004-03-03 | 삼성전자주식회사 | 표면으로부터 오염물을 제거하는 세정 장비 및 이를이용한 세정 방법 |
| JP2005072559A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2005
- 2005-07-26 KR KR1020050067824A patent/KR100933431B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-07-05 US US11/481,340 patent/US20070023065A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070023065A1 (en) | 2007-02-01 |
| KR100933431B1 (ko) | 2009-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE602004015435D1 (de) | Verfahren und anordnung zur detektion von partikeln auf halbleitern | |
| KR100933431B1 (ko) | 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 | |
| CN101067597A (zh) | 测量单元及具备该测量单元的输送系统 | |
| US6805751B2 (en) | Method and apparatus for removal of minute particles from a surface using thermophoresis to prevent particle redeposition | |
| JP2014124648A (ja) | レーザー加工装置 | |
| KR100963814B1 (ko) | 파티클 제거 방법 및 장치, 및 이를 포함하는 파티클 측정방법 및 장치 | |
| JP5379405B2 (ja) | 超音波接合装置 | |
| KR20040036548A (ko) | 기판처리장치 | |
| CN218308986U (zh) | 涂胶设备 | |
| KR101877197B1 (ko) | 검사 장치 | |
| JP2006231185A (ja) | 洗浄方法および洗浄システム | |
| JP6375259B2 (ja) | 異物除去装置、異物除去方法および剥離装置 | |
| JP2016200480A (ja) | 異物検出方法、異物検出装置および剥離装置 | |
| CN110575996A (zh) | 一种基板清洁装置 | |
| KR20190143365A (ko) | 레이저 가공 장치 | |
| KR100396378B1 (ko) | 반도체 노광장비의 레티클 표면 이물질 제거장치 | |
| JP3307485B2 (ja) | 異物除去装置 | |
| WO2002007925A1 (en) | Method and apparatus for removal of minute particles from a surface using thermophoresis to prevent particle redeposition | |
| KR20060097897A (ko) | 웨이퍼의 패턴면으로부터 이물질의 검출과 제거의 신뢰성을확보할 수 있는 라미네이터 장치 및 이를 이용한 테이핑방법 | |
| KR19990076132A (ko) | 액정 셀 세정용 지그 | |
| KR20120041864A (ko) | 글래스 표면의 고착성 이물질 제거장치 | |
| KR100666459B1 (ko) | 무도상궤도 상의 오폐물 세척장치 및 그 세척방법 | |
| JPH10209098A (ja) | 製造プロセスの異物除去システム | |
| KR20110067280A (ko) | 웨이퍼 핸들링장치용 픽커의 이물질 감지 및 제거 방법 | |
| JPH07134090A (ja) | ガス充填容器評価方法及びガス充填容器内の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130904 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140917 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150909 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170907 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190909 Year of fee payment: 11 |