KR20060135036A - 시험 장치 및 시험 방법 - Google Patents
시험 장치 및 시험 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060135036A KR20060135036A KR1020067021895A KR20067021895A KR20060135036A KR 20060135036 A KR20060135036 A KR 20060135036A KR 1020067021895 A KR1020067021895 A KR 1020067021895A KR 20067021895 A KR20067021895 A KR 20067021895A KR 20060135036 A KR20060135036 A KR 20060135036A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- memory
- fail
- address
- under test
- memories
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56004—Pattern generation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/10—Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31917—Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C2029/5602—Interface to device under test
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C2029/5606—Error catch memory
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 복수의 피시험 메모리를 병행하여 시험하는 시험 장치에 있어서,상기 복수의 피시험 메모리에 공급하는 어드레스 신호 및 데이터 신호, 그리고 상기 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력해야 하는 기대값 신호를 발생하는 패턴 발생기와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력한 출력 신호와 상기 기대값 신호를 비교하여, 상기 출력 신호와 상기 기대값 신호가 일치하지 않는 경우에 페일 데이터를 발생하는 복수의 논리 비교기와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 논리 비교기가 발생한 상기 페일 데이터를 상기 어드레스 신호가 나타내는 어드레스에 대응하여 격납하는 복수의 페일 메모리와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 페일 메모리가 격납하고 있는 상기 페일 데이터에 기초하여, 상기 피시험 메모리의 불량 어드레스를 나타내는 불량 어드레스 정보를 생성하는 복수의 메모리 제어기와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 메모리 제어기가 생성한 상기 불량 어드레스 정보를 격납하는 복수의 유니버셜 버퍼 메모리와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 피시 험 메모리의, 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에 격납된 상기 불량 어드레스 정보가 나타내는 상기 불량 어드레스에, 제1 불량 정보를 병행하여 기입하는 복수의 불량 정보 기입부를 포함하는 시험 장치.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 페일 메모리와 상기 복수의 메모리 제어기를 각각 접속하는 복수의 제1의 버스와,상기 복수의 메모리 제어기와 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리를 각각 접속하는 복수의 제2의 버스를 더 포함하는 시험 장치.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 피시험 메모리에 고유한 포맷의 상기 불량 어드레스 정보를 생성하고, 상기 유니버셜 버퍼 메모리에 공급하는 시험 장치.
- 제3항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 피시험 메모리에 고유한 포맷의 상기 불량 어드레스 정보를 생성할 수 있도록, 상기 피시험 메모리의 종류에 따라 로드되는 프로 그램에 기초하여 동작하는 시험 장치.
- 제1항에 있어서,상기 피시험 메모리는, 데이터를 격납하는 메인 구역 및 상기 제1 불량 정보를 격납하는 확장 구역을 각각 포함하는 복수의 페이지 영역을 각각 포함하는 복수의 블록 영역을 포함하고,상기 페일 메모리는, 상기 피시험 메모리의 상기 블록 영역마다 상기 페일 데이터를 격납하며,상기 메모리 제어기는, 상기 페일 메모리를 참조하여, 상기 피시험 메모리가 포함하는 불량의 상기 블록 영역의 블록 어드레스를 나타내는 상기 불량 어드레스 정보를 생성하고,상기 유니버셜 버퍼 메모리는, 상기 메모리 제어기가 생성한 상기 불량 어드레스 정보를 격납하며,상기 불량 정보 기입부는, 상기 유니버셜 버퍼 메모리가 격납하는 상기 불량 어드레스 정보가 나타내는 상기 블록 영역이 포함하는 상기 확장 구역에 상기 제1 불량 정보를 기입하는 시험 장치.
- 제5항에 있어서,상기 패턴 발생기는, 상기 페이지 영역을 나타내는 페이지 어드레스 신호를 발생하여, 상기 복수의 불량 정보 기입부에 공급하고,상기 복수의 불량 정보 기입부는, 상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리가 격납하는 상기 불량 어드레스 정보가 나타내는 상기 블록 영역이 포함하는, 상기 패턴 발생기가 발생하는 상기 페이지 어드레스 신호가 나타내는 상기 페이지 영역의 상기 확장 구역에 상기 제1 불량 정보를 기입하는 시험 장치.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 제어기는,상기 페일 메모리의 소정의 어드레스에 격납되어 있는 데이터를 독출(讀出)하는 데이터 독출부와,상기 데이터 독출부가 독출한 데이터에 상기 페일 데이터가 포함되어 있는지 아닌지를 판단하는 페일 판단부와,상기 데이터 독출부가 독출한 상기 데이터에 상기 페일 데이터가 포함되어 있는 것으로 상기 페일 판단부가 판단한 경우에, 상기 불량 어드레스 정보를 생성하는 불량 어드레스 정보 생성부를 포함하는 시험 장치.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 메모리 제어기는, 상기 복수의 페일 메모리가 격납하고 있는 상기 페일 데이터에 기초하여, 상기 피시험 메모리에 고유한 포맷의 제2 불량 정보를 생성하고,상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리는, 상기 복수의 메모리 제어기가 생성한 상기 제2 불량 정보를 격납하며,상기 복수의 불량 정보 기입부는, 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에 격납된 상기 제2 불량 정보를 상기 복수의 피시험 메모리에 기입하는 시험 장치.
- 제8항에 있어서,상기 메모리 제어기는, 상기 피시험 메모리에 고유한 포맷의 상기 제2 불량 정보를 생성할 수 있도록, 상기 피시험 메모리의 종류에 따라 로드되는 프로그램에 기초하여 동작하는 시험 장치.
- 제8항에 있어서,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 메모리 제어기가 생성한 상기 제2 불량 정보를 격납하는 복수의 제1 페일 정보 메모리와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 피시험 메모리로부터 독출된 상기 제2 불량 정보를 격납하는 상기 복수의 제2 페일 정보 메모리와,상기 제1 페일 정보 메모리가 격납하고 있는 상기 제2 불량 정보와 상기 제2 페일 정보 메모리가 격납하고 있는 상기 제2 불량 정보를 비교함으로써, 상기 복수의 피시험 메모리의 양부를 판정하는 양부 판정부를 더 포함하는 시험 장치.
- 제10항에 있어서,상기 복수의 페일 메모리와 상기 복수의 제1 페일 정보 메모리와 상기 복수의 메모리 제어기를 각각 접속하는 복수의 제1의 버스와,상기 복수의 메모리 제어기와 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리를 각각 접속하는 복수의 제2의 버스를 더 포함하는 시험 장치.
- 제11항에 있어서,상기 피시험 메모리는, 데이터를 격납하는 복수의 메인 구역, 및 상기 제2 불량 정보를 격납하는 특수 구역을 포함하고,상기 불량 정보 기입부는, 상기 피시험 메모리가 포함하는 상기 특수 구역에 상기 제2 불량 정보를 기입하는 시험 장치.
- 복수의 피시험 메모리를 병행하여 시험하는 시험 장치에 있어서,상기 복수의 피시험 메모리에 공급하는 어드레스 신호 및 데이터 신호, 그리고 상기 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력해야 하는 기대값 신호를 발생하는 패턴 발생기와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력한 출력 신호와 상기 기대값 신호를 비교하여, 상기 출력 신호와 상기 기대값 신호가 일치하지 않는 경우에 페일 데이터를 발생하는 복수의 논리 비교기와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 논리 비교기가 발생한 상기 페일 데이터를 상기 어드레스 신호가 나타내는 어드레스에 대응하여 격납하는 복수의 페일 메모리와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 페일 메모리가 격납하고 있는 상기 페일 데이터에 기초하여, 상기 피시험 메모리에 고유한 포맷의 불량 정보를 생성하는 복수의 메모리 제어기와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 메모리 제어기가 생성한 상기 불량 정보를 격납하는 복수의 유니버셜 버퍼 메모리와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치되고, 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에 격납된 상기 불량 정보를 상기 복수의 피시험 메모리에 기입하 는 복수의 불량 정보 기입부를 포함하는 시험 장치.
- 복수의 피시험 메모리를 병행하여 시험하는 시험 방법에 있어서,상기 복수의 피시험 메모리에 공급하는 어드레스 신호 및 데이터 신호, 그리고 상기 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력해야 하는 기대값 신호를 발생하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 논리 비교기에 의해, 상기 복수의 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력한 출력 신호와 상기 기대값 신호를 비교하여, 상기 출력 신호와 상기 기대값 신호가 일치하지 않는 경우에 페일 데이터를 발생하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 페일 메모리에, 상기 페일 데이터를 상기 어드레스 신호가 나타내는 어드레스에 대응하여 격납하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 메모리 제어기에 의해, 상기 복수의 페일 메모리가 격납하고 있는 상기 페일 데이터에 기초하여, 상기 피시험 메모리의 불량 어드레스를 나타내는 불량 어드레스 정보를 생성하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에, 상기 복수의 메모리 제어기가 생성한 상기 불량 어드레스 정보를 격납하 는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 불량 정보 기입부에 의해, 상기 복수의 피시험 메모리의, 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에 격납된 상기 불량 어드레스 정보가 나타내는 상기 불량 어드레스에, 제1 불량 정보를 병행하여 기입하는 단계를 포함하는 시험 방법.
- 복수의 피시험 메모리를 병행하여 시험하는 시험 방법에 있어서,상기 복수의 피시험 메모리에 공급하는 어드레스 신호 및 데이터 신호, 그리고 상기 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력해야 하는 기대값 신호를 발생하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 논리 비교기에 의해, 상기 복수의 피시험 메모리가 상기 어드레스 신호 및 상기 데이터 신호에 따라 출력한 출력 신호와 상기 기대값 신호를 비교하여, 상기 출력 신호와 상기 기대값 신호가 일치하지 않는 경우에 페일 데이터를 발생하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 페일 메모리에 의해, 상기 복수의 논리 비교기가 발생한 상기 페일 데이터를 상기 어드레스 신호가 나타내는 어드레스에 대응하여 격납하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 메모리 제어기에 의해, 상기 복수의 페일 메모리가 격납하고 있는 상기 페일 데이터에 기초하여, 상기 피시험 메모리에 고유한 포맷의 불량 정보를 생성하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에 의해, 상기 복수의 메모리 제어기가 생성한 상기 불량 정보를 격납하는 단계와,상기 복수의 피시험 메모리의 각각에 대응하여 설치된 복수의 불량 정보 기입부에 의해, 상기 복수의 유니버셜 버퍼 메모리에 격납된 상기 불량 정보를 상기 복수의 피시험 메모리에 기입하는 단계를 포함하는 시험 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087924A JP4130811B2 (ja) | 2004-03-24 | 2004-03-24 | 試験装置及び試験方法 |
JPJP-P-2004-00087924 | 2004-03-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060135036A true KR20060135036A (ko) | 2006-12-28 |
KR100838864B1 KR100838864B1 (ko) | 2008-06-16 |
Family
ID=34993950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067021895A KR100838864B1 (ko) | 2004-03-24 | 2005-03-22 | 시험 장치 및 시험 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7441166B2 (ko) |
JP (1) | JP4130811B2 (ko) |
KR (1) | KR100838864B1 (ko) |
CN (1) | CN100524538C (ko) |
DE (1) | DE112005000640T5 (ko) |
TW (1) | TWI371594B (ko) |
WO (1) | WO2005091305A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8677197B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-03-18 | Advantest Corporation | Test apparatus |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4401319B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2010-01-20 | 株式会社日立製作所 | Dram積層パッケージ並びにdram積層パッケージの試験および救済方法 |
JP2007322141A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Yokogawa Electric Corp | 半導体集積回路試験装置及び方法 |
JP5003941B2 (ja) * | 2007-02-05 | 2012-08-22 | 横河電機株式会社 | Ic試験装置およびic試験方法 |
WO2008099861A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Advantest Corporation | 試験装置および試験方法 |
WO2009063533A1 (ja) * | 2007-11-14 | 2009-05-22 | Advantest Corporation | 試験装置 |
TW200947450A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-16 | A Data Technology Co Ltd | Storage system capable of data recovery and method thereof |
JP5077265B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2012-11-21 | 横河電機株式会社 | 記憶装置及び半導体試験装置 |
US8706439B2 (en) * | 2009-12-27 | 2014-04-22 | Advantest Corporation | Test apparatus and test method |
CN104090846A (zh) * | 2013-04-01 | 2014-10-08 | 深圳芯力电子技术有限公司 | 一种电子信息产品数据存取方法及电子信息产品 |
US9251915B2 (en) * | 2013-11-11 | 2016-02-02 | Advantest Corporation | Seamless fail analysis with memory efficient storage of fail lists |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100192064B1 (ko) * | 1990-04-17 | 1999-06-15 | 가나이 쓰도무 | 저저항 배선구조를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
US5070297A (en) * | 1990-06-04 | 1991-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Full wafer integrated circuit testing device |
US5610925A (en) * | 1995-03-27 | 1997-03-11 | Advantest Corporation | Failure analyzer for semiconductor tester |
JPH0933615A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Advantest Corp | 半導体メモリ試験装置のメモリ不良解析装置 |
TW338106B (en) * | 1996-03-29 | 1998-08-11 | Adoban Test Kk | Semiconductor memory testing apparatus |
US6499121B1 (en) * | 1999-03-01 | 2002-12-24 | Formfactor, Inc. | Distributed interface for parallel testing of multiple devices using a single tester channel |
US6907385B2 (en) * | 2000-10-19 | 2005-06-14 | Advantest Corporation | Memory defect redress analysis treating method, and memory testing apparatus performing the method |
WO2003052767A1 (fr) * | 2001-11-15 | 2003-06-26 | Advantest Corporation | Appareil destine a tester des semi-conducteurs |
JP4097069B2 (ja) | 2002-08-28 | 2008-06-04 | Tdk株式会社 | プリント基板の製造方法 |
US7036053B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Two dimensional data eye centering for source synchronous data transfers |
JP4308637B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-08-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体試験装置 |
US20070061669A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Major Karl L | Method, device and system for detecting error correction defects |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087924A patent/JP4130811B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-22 WO PCT/JP2005/005171 patent/WO2005091305A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2005-03-22 CN CNB2005800091974A patent/CN100524538C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-22 DE DE112005000640T patent/DE112005000640T5/de not_active Withdrawn
- 2005-03-22 KR KR1020067021895A patent/KR100838864B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-24 TW TW094109065A patent/TWI371594B/zh active
-
2006
- 2006-09-01 US US11/515,350 patent/US7441166B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8677197B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-03-18 | Advantest Corporation | Test apparatus |
KR101375757B1 (ko) * | 2011-02-23 | 2014-03-19 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 시험 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005276317A (ja) | 2005-10-06 |
CN1934654A (zh) | 2007-03-21 |
US20070067685A1 (en) | 2007-03-22 |
WO2005091305A1 (ja) | 2005-09-29 |
TW200533943A (en) | 2005-10-16 |
CN100524538C (zh) | 2009-08-05 |
TWI371594B (en) | 2012-09-01 |
US7441166B2 (en) | 2008-10-21 |
KR100838864B1 (ko) | 2008-06-16 |
DE112005000640T5 (de) | 2008-07-03 |
JP4130811B2 (ja) | 2008-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100838864B1 (ko) | 시험 장치 및 시험 방법 | |
US6480978B1 (en) | Parallel testing of integrated circuit devices using cross-DUT and within-DUT comparisons | |
JP4330287B2 (ja) | イベント型テストシステム | |
US6678850B2 (en) | Distributed interface for parallel testing of multiple devices using a single tester channel | |
EP0778584B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device with large-scale memory and controller embedded on one semiconductor chip, and method of testing the device | |
US7657801B2 (en) | Test apparatus, program, and test method | |
US20080229163A1 (en) | Test apparatus, test method and machine readable medium storing a program therefor | |
KR20090053960A (ko) | 시험 장치 및 시험 방법 | |
US6138257A (en) | IC testing apparatus and method | |
US8201037B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit | |
JP2002538464A (ja) | 既知の良品デバイスを使用して期待する応答を生成するための集積回路デバイスの効率的な同時テスト | |
KR20010100939A (ko) | 메모리 시험방법 및 메모리 시험장치 | |
JP4334285B2 (ja) | 半導体試験装置及びその制御方法 | |
WO2007114373A1 (ja) | テスト方法、テストシステムおよび補助基板 | |
KR19980032494A (ko) | 메모리 시험장치 | |
US6460111B1 (en) | Semiconductor disk drive and method of creating an address conversion table based on address information about defective sectors stored in at least one sector indicated by a management code | |
JP6594712B2 (ja) | 半導体メモリ及び半導体メモリのベリファイ方法 | |
US8117004B2 (en) | Testing module, testing apparatus and testing method | |
US20230400514A1 (en) | Test system, test method, and non-transitory computer readable medium | |
CN114579382A (zh) | 一种多核CPU的memory测试方法 | |
JPH1196794A (ja) | Ic試験装置及び方法 | |
JP2008051581A (ja) | デバイス試験装置およびデバイス試験方法 | |
JPH11353897A (ja) | Ic試験装置 | |
JPH05314794A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2009025143A (ja) | 半導体試験装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150526 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160525 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170526 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180524 Year of fee payment: 11 |