CN114579382A - 一种多核CPU的memory测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种多核CPU的memory测试方法,属于memory测试领域。多核CPU在MBIST测试状态下,当状态机FSM接收到开始指令后同时选通每个内核中第一类memory,状态机FSM控制测试向量产生电路产生针对第一类memory的测试向量,连同对应该测试向量的Address和Control信号同步送到第一类memory,再同时读取写入第一类memory的测试向量,并将读取的结果合并后送到比较器中;比较器将其和测试向量产生电路产生的期望值进行对比;如果对比结果不同,比较器输出低电平表示测试失败;如果对比结果相同,比较器输出高电平测试继续。本发明大大提高了MBIST的测试效率,解决了现有技术在测试memory时测试速度和CPU面积、功耗不能同时兼顾的问题。当CPU的内核越多这种优势越明显。
Description
技术领域
本发明涉及memory测试技术领域,特别涉及一种多核CPU的memory测试方法。
背景技术
随着半导体工艺尺寸不断缩小,CPU设计的规模越来越大,高度复杂的CPU产品正面临着高可靠性、高质量、低成本以及更短的产品上市周期等日益严峻的挑战。一方面随着半导体工艺尺寸的缩小,CPU内部memory可能存在的缺陷类型越来越多;另一方面,随着CPU产品的复杂度的提高,memory在很多CPU中占的比重越来越大,甚至超过总面积的80%,如果用ATE设备从外部灌入memory的测试向量,测试成本会非常高。
虽然memory在CPU中占比较大,但结构规整,可以通过算法批量产生测试向量;它可以实现可测性设计的自动化,自动实现通用memory测试算法,达到高测试质量、低测试成本的目的;其次MBIST(Memory Build-In-Self Test,momory内建自测试)电路可以利用系统时钟进行“全速”测试,从而覆盖更多生成缺陷,减少测试时间;此外MBIST的初始化测试向量可以在很低成本的测试设备上进行。所以,从高测试质量、低测试成本的角度考虑,MBIST是目前嵌入式存储器测试设计的主流技术。
现有MBIST方案如图1所示,MBIST电路主要由向量生成电路、BIST控制电路,响应分析器三部分组成。当BIST控制电路接收到开始测试的指令后,首先会将需要测试memory的输入(Data、Address、Control)切换到测试模式,同时启动向量产生电路开始产生和给出测试激励,同时计算存储器的输出期待值。存储器接收到测试向量之后,会间隔执行读、写使能操作,遍历测试所有地址下每个bit单元的写/读功能,并将读出的数据送到响应分析器,与响应分析器计算的期待值进行比较,然后把是否正确的结果输出。当一个memory测试完后,BIST控制电路会切换到下一个memory继续测试。
向量产生电路可生成多种测试向量,不同的测试算法实现的电路所产生的测试向量内容也不同;BIST控制电路通常由状态机实现,控制memory的选通和读写操作;响应分析器既可以用比较器实现,也可以用多输入移位寄存器(MISR)电路实现,它对照已知正常的memory响应,比较实际memory模型响应并检测器件错误。
多核CPU中每个内核之间memory的数量和种类相同,没有利用多核CPU中memory的特点,而是将其作为普通的memory进行逐一测试,这样会大大降低测试速度,或者为了提高测试速度使用多个MBIST控制电路进行并行测试,这样会增加了芯片的面积和功耗并有可能影响芯片的时序特性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多核CPU的memory测试方法,以解决背景技术中的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种多核CPU的memory测试方法,基于多核CPU及插入其中的MBIST电路,所述多核CPU包括若干个内核,所述MBIST电路包括测试向量产生电路、状态机FSM和比较器;
该memory测试方法包括:
多核CPU在MBIST测试状态下,当状态机FSM接收到开始指令后同时选通每个内核中第一类memory,
状态机FSM控制测试向量产生电路产生针对第一类memory的测试向量,连同对应该测试向量的Address和Control信号同步送到第一类memory,再同时读取写入第一类memory的测试向量,并将读取的结果合并后送到比较器中;比较器将其和测试向量产生电路产生的期望值进行对比;
如果对比结果不同,比较器输出低电平表示测试失败;如果对比结果相同,比较器输出高电平测试继续。
可选的,在所述状态机FSM的控制下,所述测试向量产生电路不断产生测试向量对第一类memory进行激励,再读取测试值和期望值进行对比,直到遍历完该第一类memory的所有地址;第一类memory测试结束后状态机FSM会断开第一类memory与测试向量产生电路的连接,然后同时选通每个内核中的第二类memory继续进行上述测试,直到将所有memory都测试完。
可选的,所述每个内核中memory种类相同,且每种memory的数量也相同。
可选的,所述测试向量产生电路产生测试向量的同时,产生一个期望值送至所述比较器。
在本发明提供的多核CPU的memory测试方法中,基于多核CPU及插入其中的MBIST电路,所述多核CPU包括若干个内核,所述MBIST电路包括测试向量产生电路、状态机FSM和比较器;多核CPU在MBIST测试状态下,当状态机FSM接收到开始指令后同时选通每个内核中第一类memory,状态机FSM控制测试向量产生电路产生针对第一类memory的测试向量,连同对应该测试向量的Address和Control信号同步送到第一类memory,再同时读取写入第一类memory的测试向量,并将读取的结果合并后送到比较器中;比较器将其和测试向量产生电路产生的期望值进行对比;如果对比结果不同,比较器输出低电平表示测试失败;如果对比结果相同,比较器输出高电平测试继续。本发明大大提高了MBIST的测试效率,解决了现有技术在测试memory时测试速度和CPU面积、功耗不能同时兼顾的问题。当CPU的内核越多这种优势越明显。
附图说明
图1是现有MBIST电路结构示意图;
图2是本发明提供的多核CPU及插入其中的MBIST电路结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种多核CPU的memory测试方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供一种多核CPU的memory测试方法,基于多核CPU及插入其中的MBIST电路。如图1所示,所述多核CPU包括若干个内核,每个内核中memory种类相同,且每种memory的数量也相同;在本实施例一中,内核的数量为2个,分别为内核CORE1和CORE2。每个内核中分别包含Memory1和Memory2,内核CORE1中的Memory1和内核CORE2中的Memory1种类相同,内核CORE1中的Memory2和内核CORE2中的Memory2种类相同。
所述MBIST电路包括测试向量产生电路、状态机FSM和比较器;所述测试向量产生电路产生的测试向量和测试算法有关,产生测试向量的同时,产生一个期望值送至所述比较器。所述状态机FSM控制整个MBIST电路的运转。所述
该memory测试方法包括:
多核CPU在MBIST测试状态下,当状态机FSM接收到开始指令后同时选通内核CORE1和内核CORE2中的Memory1,
状态机FSM控制测试向量产生电路产生针对内核CORE1和内核CORE2中的Memory1的测试向量,连同对应该测试向量的Address和Control信号同步送到内核CORE1和内核CORE2中的Memory1,再同时读取写入内核CORE1和内核CORE2中的Memory1的测试向量,并将读取的结果合并后送到比较器中;比较器将其和测试向量产生电路产生的期望值进行对比;
如果对比结果不同,比较器输出低电平表示测试失败;如果对比结果相同,比较器输出高电平测试继续。
在所述状态机FSM的控制下,所述测试向量产生电路不断产生测试向量对内核CORE1和内核CORE2中的Memory1进行激励,再读取测试值和期望值进行对比,直到遍历完该内核CORE1和内核CORE2中的Memory1的所有地址;内核CORE1和内核CORE2中的Memory1测试结束后状态机FSM会断开内核CORE1和内核CORE2中的Memory1与测试向量产生电路的连接,然后同时选通内核CORE1和内核CORE2中的Memory2继续进行上述测试,直到将所有memory都测试完。
内核CORE1和内核CORE2中的Memory1为同一种memory,内核CORE1和内核CORE2中的Memory2为同一种memory。如果内核中有多个相同的memory则归为同一类,会同时测量。
本发明提供的多核CPU的memory测试方法,对多个相同的memory使用相同的测试向量,并且同时测量。大大提高了MBIST的测试效率,解决了现有技术在测试memory时测试速度和CPU面积、功耗不能同时兼顾的问题。当CPU的内核越多这种优势越明显。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。
Claims (4)
1.一种多核CPU的memory测试方法,其特征在于,基于多核CPU及插入其中的MBIST电路,所述多核CPU包括若干个内核,所述MBIST电路包括测试向量产生电路、状态机FSM和比较器;
该memory测试方法包括:
多核CPU在MBIST测试状态下,当状态机FSM接收到开始指令后同时选通每个内核中第一类memory,
状态机FSM控制测试向量产生电路产生针对第一类memory的测试向量,连同对应该测试向量的Address和Control信号同步送到第一类memory,再同时读取写入第一类memory的测试向量,并将读取的结果合并后送到比较器中;比较器将其和测试向量产生电路产生的期望值进行对比;
如果对比结果不同,比较器输出低电平表示测试失败;如果对比结果相同,比较器输出高电平测试继续。
2.如权利要求1所述的多核CPU的memory测试方法,其特征在于,在所述状态机FSM的控制下,所述测试向量产生电路不断产生测试向量对第一类memory进行激励,再读取测试值和期望值进行对比,直到遍历完该第一类memory的所有地址;第一类memory测试结束后状态机FSM会断开第一类memory与测试向量产生电路的连接,然后同时选通每个内核中的第二类memory继续进行上述测试,直到将所有memory都测试完。
3.如权利要求2所述的多核CPU的memory测试方法,其特征在于,所述每个内核中memory种类相同,且每种memory的数量也相同。
4.如权利要求1所述的多核CPU的memory测试方法,其特征在于,所述测试向量产生电路产生测试向量的同时,产生一个期望值送至所述比较器。
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