KR20060133802A - Semiconductor package - Google Patents

Semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR20060133802A
KR20060133802A KR1020050053645A KR20050053645A KR20060133802A KR 20060133802 A KR20060133802 A KR 20060133802A KR 1020050053645 A KR1020050053645 A KR 1020050053645A KR 20050053645 A KR20050053645 A KR 20050053645A KR 20060133802 A KR20060133802 A KR 20060133802A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
lead frame
semiconductor chip
frame
semiconductor package
Prior art date
Application number
KR1020050053645A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
문기일
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020050053645A priority Critical patent/KR20060133802A/en
Publication of KR20060133802A publication Critical patent/KR20060133802A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

A semiconductor package is provided to reduce remarkably package size by minimizing the pitch between inner leads of a lead frame. A semiconductor package includes first and second lead frames, a semiconductor chip, a metal wire, and a molding material. The first and the second lead frame are formed like a rectangle type frame structure. Outer and inner leads(42,41,52,51) of the first and the second lead frame are inter-crossed. The semiconductor chip(60) is attached to the first and the second lead frame. The semiconductor chip includes a bonding pad(61). The metal wire(70) is used for connecting electrically the inner leads of the first and second lead frames with the bonding pad of the semiconductor chip. The molding material is used for sealing selectively the resultant structure. The first and the second lead frame are bonded to each other by using an insulating adhesive material.

Description

반도체 패키지{Semiconductor package}Semiconductor Package {Semiconductor package}

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 패키지의 평면도.1 is a plan view of a semiconductor package according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 평면도.2 is a plan view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 리드 프레임의 구조를 설명하기 위한 도면.3 and 4 are views for explaining the structure of a lead frame according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

40: 제 1 리드 프레임 41,51: 인너 리드40: first lead frame 41, 51: inner lead

42,52: 아우터 리드 43,53: 사각 프레임42, 52: outer lead 43, 53: square frame

50: 제 2 리드 프레임 60: 반도체 칩50: second lead frame 60: semiconductor chip

61: 본딩 패드 70: 금속 와이어61: bonding pad 70: metal wire

본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리드 프레임의 구조를 변경하여, 소형화된 반도체 칩을 탑재할 수 있는 반도체 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a semiconductor package capable of mounting a miniaturized semiconductor chip by changing the structure of a lead frame.

전기, 전자 제품의 고성능화가 진행됨에 따라, 고용량의 반도체 모듈을 제공하기 위한 다양한 기술들이 연구 개발되고 있다. 여기서, 고용량의 반도체 모듈을 구현할 수 있는 방법으로는 소자의 고집적화를 이루는 방법과, 스택 구조로 패키지를 제조하는 방법, 그리고, 패키지의 크기 감소를 통해 한정된 크기의 인쇄회로기판에 더 많은 수의 패키지가 실장되도록 하는 방법 등이 있다. 이러한 다양한 기술에 대응하여 현재 TSOP(Thin Small Outline Package), FBGA(Fine Pitch BallGrid Array), MCP(Multi Chip Package) 등 다양한 종류의 패키지가 개발 되었다.As the performance of electric and electronic products is improved, various technologies for providing high capacity semiconductor modules have been researched and developed. Here, a method for realizing a high capacity semiconductor module includes a method of achieving high integration of a device, a method of manufacturing a package in a stack structure, and reducing the size of the package, thereby increasing the number of packages in a limited size printed circuit board. There is a way to ensure that is mounted. In response to these various technologies, various types of packages such as thin small outline package (TSOP), fine pitch ball grid array (FBGA), and multi chip package (MCP) have been developed.

일반적으로, 반도체 패키지는 도 1에 도시한 바와 같이, 리드 프레임의 인너 리드(10) 상에 본딩 패드(21)가 구비된 반도체 칩(20)이 부착되고, 상기 본딩 패드(21)와 리드 프레임의 인너 리드(10)는 금속 와이어(30)에 의해 전기적으로 접속되며, 상기 반도체 칩과 리드프레임의 인너 리드는 봉지제(도시안됨)로 밀봉되어 완성된다.In general, as shown in FIG. 1, a semiconductor package 20 includes a semiconductor chip 20 having a bonding pad 21 attached to an inner lead 10 of a lead frame, and the bonding pad 21 and the lead frame. The inner lead 10 is electrically connected by the metal wire 30, and the inner lead of the semiconductor chip and the lead frame is sealed with an encapsulant (not shown).

이와 같은 구성을 갖는 종래의 반도체 패키지는, 상기 반도체 칩(20)의 본딩 패드(21)는 200um 정도의 피치(pitch)를 유지함으로써, 금속 와이어(30)를 통한 리드 프레임의 인너 리드(10)와의 접속이 용이하였다. In the conventional semiconductor package having such a configuration, the inner pad 10 of the lead frame through the metal wire 30 is maintained by the bonding pad 21 of the semiconductor chip 20 having a pitch of about 200 μm. The connection with was easy.

한편, 최근 반도체 칩(20)의 사이즈가 점차 소형화되고, 칩의 밀도 또한 증가됨에 따라, 본딩 패드(21)의 피치는 100um 이하로 제작된다. 이로 인해, 상기 본딩 패드(21)와 전기적으로 접속되는 리드 프레임의 인너 리드(10) 또한 사이즈가 감소되어야 한다. 그러나, 현재 리드 프레임의 인너 리드의 최소피치는 150um 이하가 되기 어렵기 때문에 리드 프레임과 소형화된 반도체 칩간의 접속이 불가능한 경우가 발생한다.On the other hand, as the size of the semiconductor chip 20 gradually decreases in size and the density of the chip increases, the pitch of the bonding pads 21 is manufactured to be less than or equal to 100 μm. For this reason, the inner lead 10 of the lead frame electrically connected to the bonding pad 21 should also be reduced in size. However, since the minimum pitch of the inner lead of the lead frame is less than 150 μm at present, connection between the lead frame and the miniaturized semiconductor chip may be impossible.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 선행 기술에 내재 되었던 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로, 본 발명의 목적은 소형화된 반도체 칩을 탑재시킬 수 있는 반도체 패키지를 제공함에 있다.Therefore, the present invention was created to solve the problems inherent in the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a semiconductor package capable of mounting a miniaturized semiconductor chip.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일면에 따라 반도체 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 동일 사이즈를 가지는 사각 프레임을 구비하며, 상,하 접합시 아우터 리드 및 인너 리드가 서로 교차되도록 형성된 제 1 및 제 2 리드 프레임; 상기 접합된 제 1 및 제 2 리드 프레임 상에 부착되며, 본딩 패드가 구비된 반도체 칩; 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임의 인너 리드 및 상기 본딩 패드를 전기적으로 연결하는 금속 와이어; 및 상기 금속 와이어를 포함한 반도체 칩과 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임의 인너 리드를 포함한 영역을 밀봉하는 봉지제;를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임은 절연성 접착물질을 매개로 상하로 접합되는 것을 특징으로 한다.In accordance with an aspect of the present invention, a semiconductor package is provided. The package includes a rectangular frame having the same size and is formed so that the outer lead and the inner lead cross each other during up and down bonding. First and second lead frames; A semiconductor chip attached to the bonded first and second lead frames and provided with a bonding pad; A metal wire electrically connecting the inner leads and the bonding pads of the first and second lead frames; And an encapsulant sealing an area including a semiconductor chip including the metal wire and an inner lead of the first and second lead frames, wherein the first and second lead frames are disposed up and down by an insulating adhesive material. It is characterized by being bonded.

상기 구성에서, 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임 각각의 상기 인너 리드는 상기 사각 프레임 내측에 형성되고, 상기 아우터 리드는 상기 사각 프레임 외측에 형성된다.In the above configuration, the inner lead of each of the first and second lead frames is formed inside the square frame, and the outer lead is formed outside the square frame.

상기 제 1 및 제 2 리드 프레임은 상기 절연성 접착물질을 매개로 상기 사각 프레임을 통해 상,하 접합된다.The first and second lead frames are joined up and down through the rectangular frame through the insulating adhesive material.

(실시예)(Example)

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상술하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 평면도를 도시한다.2 is a plan view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는, 상,하 접합된 제 1 리드 프레임(40) 및 제 2 리드 프레임(50) 상에 본딩 패드(61)를 구비한 반도체 칩(60)이 부착된다. 이 때, 제 1 리드 프레임(40) 및 제 2 리드 프레임(50)의 인너 리드(41,51) 및 아우터 리드(42,52)는 최소 피치(pitch)를 유지한채 서로 교차되도록 위치된다. 그리고, 제 1 리드 프레임(40) 및 제 2 리드 프레임(50)의 인너 리드(41.51)와 반도체 칩(60)의 본딩 패드(61)는 금속 와이어(70)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 나서, 금속 와이어(70)를 포함한 반도체 칩(60)과 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임의 인너 리드(51,61)를 포함한 영역은 봉지제(도시안됨)에 의해 밀봉됨으로써, 패키지가 완성된다.As illustrated, the semiconductor package according to the embodiment of the present invention includes a semiconductor chip 60 having bonding pads 61 formed on upper and lower bonded first lead frames 40 and second lead frames 50. ) Is attached. At this time, the inner leads 41 and 51 and the outer leads 42 and 52 of the first lead frame 40 and the second lead frame 50 are positioned to intersect with each other while maintaining a minimum pitch. In addition, the inner lead 41.51 of the first lead frame 40 and the second lead frame 50 and the bonding pad 61 of the semiconductor chip 60 are electrically connected by the metal wire 70. Then, the semiconductor chip 60 including the metal wire 70 and the region including the inner leads 51 and 61 of the first and second lead frames are sealed by an encapsulant (not shown), thereby completing the package. do.

상기 구성에서, 본 발명에 따른 반도체 패키지는 중첩시 인너 리드 및 아우터 리드가 서로 교차되도록 형성된 제 1 리드 프레임(40) 및 제 2 리드 프레임(50)을 중첩하여 사용함으로써, 교차된 인너 리드(41,51)간의 피치를 최소로 할 수 있다. 다시 말해, 제 1 및 제 2 리드 프레임(50)이 교차되면, 제 1 리드 프레임(40) 및 제 2 리드 프레임(50) 각각의 경우보다 인너 리드(41,51)간 피치가 50%로 감소된다.In the above configuration, the semiconductor package according to the present invention overlaps the inner lead 41 by using the first lead frame 40 and the second lead frame 50 formed so that the inner lead and the outer lead cross each other when they overlap. The pitch between and 51 can be minimized. In other words, when the first and second lead frames 50 intersect, the pitch between the inner leads 41 and 51 is reduced to 50% than in the case of the first lead frame 40 and the second lead frame 50, respectively. do.

이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 리드 프레임의 구조를 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of the lead frame according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

먼저, 도 3을 참조하면, 제 1 및 제 2 리드 프레임(40,50)은 동일 크기를 가지는 사각 프레임(43,53)을 각각 구비한다. 아울러, 사각 프레임(43,53) 내측에는 인너 리드(41,51)가 각각 형성되며, 외측에는 아우터 리드(42,52)가 각각 형성된다. 이 때, 각각의 인너 리드(41,51) 및 아우터 리드(42,43)는 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 리드 프레임(40)과 제 2 리드 프레임(50)의 접합구조에서, 서로 교차되도록 사각 프레임(43,53) 내측과 외측에 각각 일정 간격을 가지고 형성된다. 여기서, 제 1 리드 프레임(40)과 제 2 리드 프레임(50)의 접합은 각각의 사각 프레임(43,53)이 동일 위치에서 상, 하를 적층됨으로써 이루어진다. 이때, 제 1 리드 프레임(40)과 제 2 리드 프레임(50)의 쇼트를 방지하기 위해 각각의 사각 프레임은 비전도성 접착물질(도시안됨)을 매개로 접합된다.First, referring to FIG. 3, the first and second lead frames 40 and 50 have quadrangular frames 43 and 53 having the same size, respectively. In addition, inner leads 41 and 51 are formed inside the rectangular frames 43 and 53, respectively, and outer leads 42 and 52 are formed outside. At this time, each of the inner leads 41 and 51 and the outer leads 42 and 43 are mutually connected in the joining structure of the first lead frame 40 and the second lead frame 50, as shown in FIG. It is formed at regular intervals inside and outside the rectangular frames 43 and 53 so as to intersect. Here, the joining of the first lead frame 40 and the second lead frame 50 is performed by stacking the upper and lower portions of the respective rectangular frames 43 and 53 at the same position. At this time, in order to prevent the short between the first lead frame 40 and the second lead frame 50, each rectangular frame is bonded through a non-conductive adhesive material (not shown).

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 패키지는, 일반적인 인너 리드간 피치를 갖는 두개의 리드 프레임을 적층시킴으로써, 인너 리드간의 피치를 하나의 리드 프레임을 사용한 경우에 비해 50%를 감소시킬 수 있다. 그에 따라, 본 발명에 따른 반도체 패키지는 작은 피치의 본딩 패드를 구비한 반도체 칩이 탑재될 경우에도 적용될 수 있다.As described above, in the semiconductor package according to the present invention, by stacking two lead frames having a general inner lead pitch, the pitch between inner leads can be reduced by 50% compared to the case of using one lead frame. . Accordingly, the semiconductor package according to the present invention can be applied even when a semiconductor chip having a small pitch bonding pad is mounted.

상기한 바와 같은 본 발명의 구성에 따라, 리드 프레임의 인너 리드간 피치가 최소화됨에따라, 소형화된 반도체 칩이 탑재된 반도체 패키지가 가능하다.According to the configuration of the present invention as described above, as the pitch between the inner leads of the lead frame is minimized, a semiconductor package equipped with a miniaturized semiconductor chip is possible.

본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.While the invention has been shown and described with reference to specific embodiments, the invention is not so limited, and it is to be understood that the invention is capable of various modifications without departing from the spirit or field of the invention as set forth in the claims below. It will be readily apparent to one of ordinary skill in the art that modifications and variations can be made.

Claims (3)

동일 사이즈를 가지는 사각 프레임을 구비하며, 상,하 접합시 아우터 리드 및 인너 리드가 서로 교차되도록 형성된 제 1 및 제 2 리드 프레임;First and second lead frames having a rectangular frame having the same size, and formed so that the outer lead and the inner lead intersect each other when the upper and lower joining; 상기 접합된 제 1 및 제 2 리드 프레임 상에 부착되며, 본딩 패드가 구비된 반도체 칩;A semiconductor chip attached to the bonded first and second lead frames and provided with a bonding pad; 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임의 인너 리드 및 상기 본딩 패드를 전기적으로 연결하는 금속 와이어; 및A metal wire electrically connecting the inner leads and the bonding pads of the first and second lead frames; And 상기 금속 와이어를 포함한 반도체 칩과 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임의 인너 리드를 포함한 영역을 밀봉하는 봉지제;를 포함하며,And an encapsulant sealing an area including a semiconductor chip including the metal wire and inner leads of the first and second lead frames. 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임은 절연성 접착물질을 매개로 상하로 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The first and the second lead frame is a semiconductor package, characterized in that bonded up and down via an insulating adhesive material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임 각각의 상기 인너 리드는 상기 사각 프레임 내측에 형성되고, 상기 아우터 리드는 상기 사각 프레임 외측에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The inner lead of each of the first and second lead frames is formed inside the square frame, and the outer lead is formed outside the square frame. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 리드 프레임은 상기 절연성 접착물질을 매개로 상기 사각 프레임을 통해 상,하 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The first and the second lead frame is a semiconductor package, characterized in that the upper and lower junctions through the rectangular frame via the insulating adhesive material.
KR1020050053645A 2005-06-21 2005-06-21 Semiconductor package KR20060133802A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050053645A KR20060133802A (en) 2005-06-21 2005-06-21 Semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050053645A KR20060133802A (en) 2005-06-21 2005-06-21 Semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060133802A true KR20060133802A (en) 2006-12-27

Family

ID=37812534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050053645A KR20060133802A (en) 2005-06-21 2005-06-21 Semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060133802A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621991B1 (en) Chip scale stack package
KR101070913B1 (en) Stacked die package
US7391105B2 (en) Unit semiconductor chip and multi chip package with center bonding pads and methods for manufacturing the same
KR100260997B1 (en) Semiconductor package
KR20030018204A (en) Multi chip package having spacer
KR20010002214A (en) A semiconductor packages and manufacturing method for it
JP2001156251A (en) Semiconductor device
TWI395273B (en) Multichip stack structure and method for fabricating the same
KR101219086B1 (en) Package module
KR100393099B1 (en) Semiconductor package
KR20080067891A (en) Multi chip package
KR100650769B1 (en) Stack type package
KR20010062929A (en) Stack chip package
KR100443516B1 (en) Stack package and manufacturing method thereof
KR20060133802A (en) Semiconductor package
KR20060128376A (en) Chip stack package
KR20060133800A (en) Chip stack package
KR100708050B1 (en) semiconductor package
KR20010073344A (en) Multi chip package
KR20060005713A (en) Up-down type chip stack package
KR20060074091A (en) Chip stack package
KR20020052593A (en) Semiconductor package
KR100525450B1 (en) Chip Stack Type Semiconductor Package
KR20000040218A (en) Multi chip package
KR20120093580A (en) Semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid