KR20060133545A - 은 담지 입자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

수살균용의 입자로서 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자의 표면에, 은이 담지되어 있는 은담지 입자를 제공한다. 이때 바람직한 은의 상태는 대표도인 SEM사진에 나타나 있는 것과 같이, 가네트 입자의 표면에 은의 입상괴가 군을 이루어 연속 또는 불연속으로 담지되어 있는 것이다. 이러한 입자를 효율적으로 제조하기에는 주석산나트륨칼륨, 글루코오스 또는 아세트알데히드 중 적어도 어느 하나를 환원제로서 물에 용해시킨 환원용액과, 질산은 수용액과 암모니아액을 혼합한 혼합용액 중에 가네트 입자를 침지시킨 무전해 도금법에 의해 행할 수 있다.
은 담지 입자, 수처리

Description

은 담지 입자 및 그 제조방법 {Ag-BEARING PARTICLE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 음료수, 저장수 등의 물이나, 물을 이용하는 공기청정기의 공기를 살균처리하기 위한 은 담지 입자와 그 용도 및 제조방법, 그리고 당해 입자를 이용한 수살균용 부재, 공기살균용 부재, 또한 본입자와 물의 불순물 흡착재 등을 조합한 수정화용 부재에 관한 것이다.
음료수나 풀(Pool) 등의 저장수는, 일반적으로 염소에 의해 살균되고 있다. 그러나 풀이나 수조 중의 저장수에서는 시간과 함께 서서히 염소가 휘발한다. 한편, 음료수에 있어서는, 근년의 건강지향의 배경으로, 정수기에서 염소성분을 제거하는 것도 점점 많아지고 있다. 이와 같이 염소 함량이 적은 물은, 박테리아 등의 잡균이 번식하기 쉬운 상태이다. 그외에도 순환기에서 탕(湯)을 순환시켜 사용하는 순환 정화조 부착 욕조, 이른바 24시간 목욕탕에서는, 수온이 높아 염소가 휘발하기 쉬운 상태인 채로, 욕조의 탕을 이용하기 때문에, 욕조의 탕 중에서, 레지오넬라 균이 번식하는 것이 문제가 되고 있다. 그래서, 이러한 염소 함유량이 적은 물을 안전하게 살균할 필요가 있다. 또한 옥외의 비상용 저수조 등의 저수 장소에 있어서는, 휘발하는 염소에 의한 살균으로는 장기간의 살균효과가 유지될 수 없고, 저수조의 물을 염소가 소실하기 전에 첨가하여, 살균할 필요가 있으나, 실제로는 이러한 수고스러운 작업이 이루어지고 있지 않기 때문에, 박테리아나 녹조류가 번식한 채로 되어 있는 것이 현실이다. 또한 공기정화기에 있어서도 물을 이용하여 공기정화를 행하는 형태의 것은, 그 물이 오염되어, 박테리아 균이나 곰팡이 균이 번식하게 된다. 그래서 편리하면서도 경제적인 살균방법이 필요하게 되었다.
그런데 종래부터 은 이온이 살균에 효과가 있는 것은 널리 알려져 있다. 은 이온에 의한 살균처리는, 소정 농도를 넘지않는 한, 인체에 대한 영향이 없는 안전한 살균방법이다. 또한 자외선이나 오존에 의한 살균과 같은 일과성 살균처리가 아니고, 발생시키기 위한 전원을 필요로 하지도 않는다. 게다가 염소에 의한 살균처리와 다르게 그 성분이 휘발하지도 않는다. 그래서, 다양한 물질에 은을 담지시켜, 이것을 서서히 은 이온으로 수중에 용출시켜, 물을 살균하는 부재로서 이용하는 기술이 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에서는 활성탄에 은을 담지시킨 기술, 특허문헌 2에서는 결정질 제오라이트에 담지시킨 기술, 특허문헌 3에서는 알루미나 규산염의 일부 또는 전부 이온에 대해, 은 착이온을 형성하는 은 이온으로 치환시킨 기술이 개시되어 있다.
특허문헌1 : 일본 특허공개공보 소49-61950호
특허문헌2: 일본 특허공개공보 소60-181002호
특허문헌3: 일본 특허공개공보 평1-283204호
이러한 부재는, 살균처리하는 물과의 접촉면적을 증가시키기 위해, 입자형상으로서 사용되는 것이 바람직하다. 그러나 상기와 같은 은을 담지시키는 물질은 모두 그 비중이 작기 때문에, 이들을 입자상으로서 물 살균용 부재에 이용하는 경우, 수중에서 부유하거나 확산하거나 하기 때문에, 그 취급이 불편하였다. 예를 들면, 수류(水流)가 발생하는 순환장치를 부착하고 있는 수조나, 수류가 발생하기 쉬운 풀, 옥외의 저장조 등에서는 수류와 함께 상기 부재가 확산하는 경우가 있다. 이 때문에 여과재와 여과재와의 공벽(空壁, hallow wall)이 크게 되고 처리되는 물이 은과 충분하게 접촉하지 못해, 은의 살균효과가 충분히 발휘되지 않는 경우가 많았다.
또한, 정수처리에 있어서는 처리를 행하는 물의 살균처리와 동시에, 불순물의 제거처리를 행하는 경우도 많다. 여기서 물의 불순물제거처리에는 통상 활성탄에 의한 정수처리나 모래여과식의 여과탑을 이용한 정수처리가 이루어지고 있다. 그러나 예컨대 새로운 활성탄을 사용하는 경우 등에 있어서, 건조한 활성탄을 수중에 몰입하면, 활성탄에 흡착되어 있는 공기가 기포가 되어, 이것에 의해 처리해야 하는 물과의 접촉면적이 제한되며, 특히 몰입 직후의 활성탄의 불순물 제거능력이 충분히 발휘되지 않았다.
또한, 공기정화기나 가습기에 있어서도, 살균용 재료를 입자화하면 비중이 작은 것이라면 공기류(空氣流)에 의해 비산하기 때문에 사용할 수가 없다. 그래서 현재 살균용 재료는 섬유화되어 있는데, 섬유화한 경우에는 섬유상의 구멍 막힘이 일어나기 쉽기 때문에, 효과의 지속성이 부족하고, 살균효과가 충분히 발휘되지 않는 경우가 많았다.
또한 모래여과식의 여과탑에 있어서는, 여과탑의 여재(濾材)에 의해 수중의 부유물질이 제거되지만, 그때 여재 표면에 조류나 미생물이 번식해 버린다. 예컨대 여재로 안트라사이트(anthracite), 세라믹스 등을 이용한 경우, 그 표면에는 주로 호기성균이 번식하기 쉽다. 한편, 여재로 페로라이트(ferrolite), 망간사(manganese sand) 등을 이용한 경우, 그 표면에는 혐기성균이 번식하기 쉽게 된다. 이들을 제거하기 위해, 경도가 높고, 비중이 큰 가네트를 여재 중에 혼합하여, 양자를 충돌시킴으로써 여재 표면에 번식한 미생물이나 부착한 수중 부유물질을 제거하고 있지만, 이러한 물리적 수단만으로는 그 세정효과는 충분한 것이 아니었다.
본 발명의 과제는 상기 문제점을 해결하기 위해, 물을 살균처리하는 용도에 적합하고, 입자의 밀도를 크게 함으로써 전체의 비중이 크고, 수중에서도 부유, 확산이 일어나기 어려우며, 은의 살균효과를 충분하게 발휘할 수 있는 입자를 제공하는 것이다. 또한, 모래여과식의 여과탑에 이용되는 여재를 효과적으로 살균할 수 있는 수정화부재를 제공하는 것이다. 또한 이러한 입자의 살균성능을 유지하면서, 물의 불순물 처리를 행하는 활성탄의 수처리능력도 높인 정수용 부재를 제공하는 것이다. 또한 이러한 입자의 효율적인 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 이하의 수단을 사용하여 상기 과제를 해결하였다.
즉 본 발명은, 가네트(garnet) 또는 가네트를 주성분으로 입자의 표면에, 은이 담지되어 있는 입자의 발명이다.
또는 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자의 표면에, 은의 입상괴(粒狀塊)가 군(群)을 이루어 연속 또는 불연속으로 담지되어 있는 입자의 발명이다.
또한, 상기 입자의 상기 담지되어 있는 은의 담지량의 비율이, 0.1 ~ 5중량%인 것이 바람직하다.
또한 본 발명은 상기 입자의 집합체를 물의 살균 재료로서 이용한 수살균용 부재의 발명이기도 하다.
또한 본 발명은 상기 입자의 집합체를 공기중의 수분을 살균함으로써 공기의 살균을 행하는 재료로서 이용한 공기살균용 부재이다.
또한, 상기 입자의 밀도는 3.2 ~ 4.6g/㎤인 것이 바람직하다. 또한 상기 입자의 집합체는 평균입자경이 0.01 ~ 10㎜인 것이 바람직하다.
본 발명의 수살균용 부재는, 정수기, 저수조, 정수장치, 수영용 풀, 관상용 수조, 관엽식물의 사석(砂石), 양식연못 등, 물을 은으로서 살균할 필요가 있는 모든 용도에 효과적으로 사용할 수 있다. 또한 본 발명의 입자의 집합체는, 모래여과식의 여과탑의 여재의 하나로서 사용할 수 있다. 게다가 본 발명의 공기살균용 부재는 공기청정기, 가습기 또는 공기청정기능을 갖는 에어컨에 효과적으로 사용할 수 있다.
또한 본 발명은 적어도 상기 입자의 집합체와 활성탄을 혼합한 혼합물로 이루어진 수정화용 부재의 발명이기도 하다.
또한 본 발명의 수정화용 부재는, 저수탱크, 물의 여과장치 또는 수정화장치 등에 효과적으로 사용할 수 있다.
또한 본 발명은, 무전해도금법을 이용한 은담지 입자의 제조방법에 대한 발명이며, 당해 무전해도금법이, 주석산나트륨칼륨, 글루코오스 또는 아세트알데히드 중 적어도 하나를 환원제로서 물에 용해시킨 환원용액과, 질산은 수용액과 암모니아액을 혼합한 혼합용액 중에, 가네트 입자를 침지시켜, 당해 가네트 입자 표면에, 다수의 요철을 갖는 괴상(塊狀)의 은을 담지시킨 것으로서, 살균용 입자를 효율적으로 제조할 수 있다.
추가로 상기 무전해도금법의 전처리공정으로서, 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자에 산처리를 행하여, 상기 입자의 표면을 조화(粗化, 거칠게 함)시키는 공정을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 입자는 물이나 공기중의 수분을 살균하는 부재의 재료로서 매우 적합하다. 즉, 본 발명의 입자에 의한 살균은 은에 의한 살균법이므로, 인체에의 영향이 매우 적고, 동시에 주성분이 가네트이므로, 음료수를 살균처리하는 경우에도 인체에 유해한 성분을 살균처리한 물에 용출하지 않는다. 또한 가네트는 밀도가 크기 때문에, 살균처리한 물에서 부유하지 않고 확산하지 않아, 본 발명의 입자의 집합체를, 물의 살균용 부재로서 이용하는 경우 그 취급이 용이하다. 또한 은은 세균뿐 아니라, 진균에 대한 살균효과도 있기 때문에, 곰팡이의 발생을 억제할 수도 있다.
또한 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자의 표면에, 은의 입상괴가 군을 이루어 연속 또는 불연속으로 담지되어 있는 입자라면, 피살균매체(물 또는 공기중의 수분)과의 접촉면적이 커지게 되므로, 피살균 매체의 단위 량, 단위시간 당의 살균효과가 커, 살균용 부재의 재료로서 특히 적합하게 사용할 수 있다.
또한 담지되어 있는 은의 담지량의 비율을, 전체 비율이 0.1 ~ 5중량%로 한 경우, 살균처리하는 물에 용출하는 은 이온의 농도 제어가 용이하게 되고, 또한 경제적이 된다.
또한, 본 발명의 입자의 집합체의 평균입자경을 0.01 ~ 10㎜로 한 경우, 입자 집합체 통과시의 물의 유속감소를 최소한으로 억제하면서, 본 발명의 입자와 살균처리하는 물과의 접촉면적을 크게 할 수 있기 때문에, 여과입자간경(濾過粒子間徑)을 작게하는 것이 가능하게 되어 물 중의 부유물질 등을 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한 본 발명의 공기살균용 부재는 공기청정기 등의 필터로서 이용하는 경우, 은이 진균의 발생도 억제하기 때문에, 계절초에 사용할 때에 전형적으로 발생하는 불쾌한 냄새가 나는 바람이 발생하지도 않는다. 또한, 본 발명의 공기 살균용 부재는, 입자의 집합체로 구성되어 있으므로, 구멍 막힘이 일어나기 어렵고, 동시에 필터의 세정도 용이하다. 게다가 가네트의 비중이 크기 때문에, 당해 부재로부터의 입자 누설이 일어나기 어렵다.
또한, 본 발명의 입자의 집합체를 여재의 하나로서 이용한 모래여과식의 여과탑에 있어서는, 여재 표면에 부착한 세균을 효율적으로 제거하고, 나아가 번식 그 자체를 억제할 수 있다. 이때 가네트는 비중이 크기 때문에, 이 가네트 대신에 본 발명의 입자 집합체를 사용한 경우, 모래여과표층에서 수정화용의 미생물에 의한 물 여과가 행해지는 경우에 있어서도 당해 미생물까지 사멸시키는 것은 없다.
또한, 본 발명의 수정화용 부재는 활성탄과, 가네트를 주성분으로 하는 비중이 큰 입자와의 혼합물이기 때문에, 본 발명의 수정화용 부재를 처리해야 할 물 중에 몰입시킨 직후부터 활성탄에 흡착한 기포 등이 신속하게 이탈하고, 활성탄의 불순물 제거능력을 충분히 발휘할 수 있다. 이로써, 물의 불순물 제거와 살균의 두 정화처리를 단시간에 행할 수 있다.
게다가, 본 발명의 수정화용 부재에 의하면, 예를 들면 상부로부터 처리하는 물을 유입하고, 하부로부터 정화된 물을 유출하는 저수 탱크나 여과장치에 사용하는 경우, 물이 만수 상태가 된 때에는, 활성탄은 물과 비중이 가깝기 때문에 처리를 행하는 물 중에 부유하는 상태가 되지만, 비중이 큰 입자는, 그 간극을 벗어나 저면부에 입자 집합체의 층이 형성되기 때문에, 처리하는 물의 항균성을 간편하게 유지할 수 있다. 또한 예를 들면 모래여과식 정수탑이나 여과통이 막힌 경우, 모래여과식 정수탑이나 여과통으로부터 액체를 역류시켜, 막힘을 제거하는 경우가 있는데, 이 경우, 본 발명의 정수용 부재라면, 고압으로 역류시켜도 본 발명의 입자는 비중이 크기 때문에, 침강하는 속도가 빠르고, 저면부분에 고밀도로 집합하기 때문에 신속하게 본래의 살균특성을 회복할 수 있다.
또한 주석산나트륨칼륨, 글루코오스 또는 아세트알데히드 중 적어도 하나를 환원제로서 물에 용해시킨 환원용액과, 질산은 수용액과 암모니아액을 혼합한 혼합용액중에, 가네트 입자를 침지시킨 제조방법에 의해, 당해 가네트 입자표면에, 은의 입상괴가 군을 이루어 연속 또는 불연속으로 담지될 수 있기 때문에, 물 살균이나 공기 중의 수분의 살균용도로서, 매우 적합한 입자를 제조할 수 있다.
또한 본 발명의 입자를 제조하는 방법으로서, 상기 무전해 도금공정을 행하기 전에, 가네트 입자 표면을 조화하는 전처리 공정을 둠으로써, 가네트 입자 표면에 은이 담지되기 쉽게 되어, 안정된 품질의 입자를 효율적으로 제조할 수 있다.
도 1은 가네트 표면의 300배 SEM사진이다.
도 2는 가네트 표면의 2000배 SEM사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예 10의 상태에 있어서 입자표면의 300배 SEM사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 10의 상태에 있어서 입자표면의 2000배 SEM사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 12의 상태에 있어서 입자표면의 300배 SEM사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 12의 상태에 있어서 입자표면의 2000배 SEM사진이다.
본 발명의 입자로는 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 물질(이하, 이를 포함하여 단순히 "가네트"라 한다)을 이용한다. 본 발명에서 말하는 가네트란, 석류석이라고도 불리우며, 네소규산염(nesosilicate) 광물의 총칭이다. 가네트의 밀도는 3.15 ~ 4.3g/㎤ 정도이며, 현재, 물의 여재로서 사용되고 있고, 안전성이 확인되어 있는 재료 중에서, 가장 비중이 큰 물질의 하나이다. 이와 같이 비중이 큰 물질을 이용함으로써, 본 발명의 효과를 달성할 수 있다. 따라서 이러한 비중을 유지한 채, 또는 본 발명의 효과를 손상하지 않는 정도로 경미한 비중의 감소를 동반하고(구체적으로는 밀도 약 3.0g/㎤ 이상을 유지하는 것), 물에 유해한 성분을 용출하지 않는 가네트 이외의 물질이 부차적으로 존재하여도 무방하다. 즉 본 발명에서 말하는 「가네트를 주성분으로 하는」이란, 가네트 외에 이러한 부차적 물질이 존재하고 있으나, 그 비중을 이용하는 관점에서 보면, 실질적으로 가네트 단체(單體)와 다름이 없는 상태를 말한다.
본 발명의 입자에서는, 상기 가네트 입자의 표면에 살균작용을 갖는 은을 담지한다. 표면에 담지시킨 은은, 물과 접촉하여 서서히 용출하고, 은 이온으로서 살균효과를 나타내는 것이다. 따라서 담지된 물질의 표면에 은이 담지되어 있으면 족하므로, 그 범위에 있어서, 예를 들면 가네트와 표면의 은의 사이에 별도의 층이 존재해도 좋다. 또한 은이 가네트의 표면 전면에 담지되어 있을 필요는 없다. 이러한 이유로 가네트의 표면도 처리되는 물과 접촉하게 되지만, 상술한 바와 같이, 가네트는 물의 여재로서 안전성이 확인되어 있는 물질이므로 문제가 없다.
본 발명의 입자의 살균작용을 높이는데에는 본 발명의 입자와 물이 접촉할 때에, 가네트에 잠지된 은과 물의 접촉면적이 큰 편이 바람직하다. 접촉면적 증가를 위해서는, 가네트 표면에, 은의 입상괴가 군을 이루어 연속적으로, 또는 부위에 따라서는 불연속으로 담지되어 있는 것이 바람직하다. 즉 가네트의 표면을 은이 균일하게 피복하고 있는 것이 아니라, 가네트 표면상에 은의 입상괴가 복수 뭉쳐서 가네트의 표면에 군을 이루어 존재하고 있는 것이다. 이 은의 입상괴의 군은 부위에 따라서는 연속적으로, 또는 다른 부위에서는 불연속으로 존재한다. 이 때문에 은의 입상괴의 군의 불연속부부에는 은이 담지된 층에 공동이 생긴다. 가네트 표면은 상기 은이 담지된 층에 완전하게 덮여져 있는 것이 아니고 당해 공동을 통해 그 일부가 외측으로 드러나 있는 상태에 있다. 구체적인 은의 담지상태로서는 뒤에 상세하게 설명할 가네트 표면상의 은의 SEM(주사전자현미경)사진인 도 3, 4에서 나타낸 상태를 들 수 있다. 다만 본 발명의 상태는 도 3, 4에 나타낸 상태에 한하는 것은 아니다.
본 발명의 입자는 집합체로서 피살균매체(물 또는 공기중의 수분)의 살균처리의 용도로 사용하는 것이다. 본 발명의 입자를 집합체로서 살균용 부재에 이용하는 것은 복수 개 이상의 입자로 이루어진 일군(一群)을 하나의 부재로 하는 것을 말한다. 즉 수살균용 부재 또는 공기 살균용 부재로서 사용하기 위해서는, 본 발명의 복수의 입자로 이루어진 집합체를 그대로 또는 당해 집합체를 필터 등의 상태로서 이용할 수 있다. 당해 입자의 평균입자경은 0.01 ~ 10㎜인 것이 바람직하다. 평균입자경이 너무 크면 물과의 접촉면적을 증가시키기 위해 입자형상으로 한 의미가 없어지고, 한편 평균입자경이 너무 작으면 가네트 표면에 적당량의 은을 담지시키는 것이 곤란하게 되기 때문이다.
또한 본 발명의 입자의 가네트 입자의 표면에 담지된 은의 담지량을 조정함으로써, 케이스에 대응한 은 이온의 용출량을 조정할 수 있다. 물의 살균효과와 과도한 은 이온 용출제어와의 조화의 관점에서 담지되어 있는 은의 담지량의 비율은 전체 중량에 대하여 0.1 ~ 20중량%가 바람직하고, 나아가서는 0.1 ~ 5중량%가 보다 바람직하다. 담지비율이 이 범위이면 살균처리를 행하는 물에 용출하는 은 이온의 농도를 제어하기 쉽기 때문이다. 즉, 은 이온의 담지량이 너무 적으면, 살균효과가 거의 생기지 않는다. 한편 은의 담지량이 너무 많으면, 은 이온의 용출을 제어하기가 곤란하게 되고, 또한 필요 이상으로 은이 용출할 가능성이 있으므로, 경제적이지도 않다. 상기 적합한 담지비율로 은을 담지한 경우, 본 발명의 입자 전체로서의 밀도는 약 3.2 ~ 4.6g/㎤이다.
본 발명의 입자는 모래여과식의 여과탑에 이용되는 여재의 하나로서 사용할 수도 있다. 여과탑에 사용되는 여재의 구체적인 예로서는 여과모래 외에, 안트라이트, 페로라이트, 망간사, 세라믹스를 들 수가 있으나, 이들에 한하는 것은 아니다. 가네트는 여과탑의 최하층의 여재로서 사용되는 것이나, 본 발명의 입자는 이러한 가네트에 일부 치환되어서, 가네트와 함께 혼합되어 사용할 수 있다. 본 발명의 입자의 여재에 대한 혼합비율은 특히 한정되는 것이 아니고 가네트와 본 발명의 입자를 완전하게 치환해도 좋다. 일부 치환의 경우, 가네트와 본 발명의 입자와의 혼합물 전체에 대한 본 발명의 입자의 비율이 0.5중량% 이상이라면 살균효과를 발휘할 수 있다.
(수정화용 부재)
본 발명의 입자는 단독의 집합체로서, 또는 이온교환수지, 광촉매입자, 동, 아연입자 등, 물로부터의 불순물 성분을 제거할 수 있는 재료와 혼합하여, 수정화용 부재로서 사용할 수도 있다. 이러한 수정화용 부재는 처리해야 할 물로부터의 불순물을 제거함과 동시에 물의 살균을 행할 수 있으므로, 물의 정화처리의 시간을 단축할 수 있다.
그 중에서도, 본 발명의 입자와 활성탄을 혼합한 본 발명의 수정화용 부재는 상기 효과 이상의 추가적인 효과를 나타낸다. 수정화용 부재는 수처리시에 처리하는 물속에 몰입하여 사용하는 경우가 많은데, 본 발명의 수정화용 부재의 경우 처리해야 할 물에 몰입한 직후부터 활성탄의 불순물 제거능력을 충분하게 발휘할 수 있다. 건조되어 있는 활성탄에는 공기가 흡착되어 있기 때문에 건조한 상태로 수중에 몰입할 때, 흡착해 있는 공기가 기포가 되어 처리해야 할 물과의 접촉면적이 작게 되어, 본래의 불순물 제거능력을 충분히 발휘할 수 없다. 그러나 본 발명의 수정화부재에서는 활성탄이 비중이 큰 가네트의 입자와 혼합되어 있다. 때문에 비중이 큰 가네트의 입자가 물속에서 급속히 침강하고자 하기 때문에 혼합되어 있는 활성탄과의 사이에 강한 충돌이 생긴다. 이 충돌에 의해 활성탄에 흡착되어 있는 기포가 제거되기 때문에, 활성탄은 처리할 물속에 몰입한 직후부터 충분한 불순물 제거능력을 발휘할 수 있고, 정수의 처리시간도 현저하게 단축된다.
이러한 혼합물로서의 상승효과를 얻기 위해서는, 본 발명의 수정화용 부재에 사용되는 활성탄의 형상은 입자형상인 것이 바람직하다. 또한 그 입자경은 혼합할 입자와 동일한 정도인 것이 바람직하다. 구체적으로는 활성탄 입자의 입자경이 혼합할 입자의 평균입자경의 2배 이하인 것이 바람직하다. 활성탄 입자의 입자경이 입자의 입자경보다 지나치게 큰 경우에는 충돌에 의한 흡착공기 제거효과가 부족하기 때문이다.
또한, 혼합하는 입자와 활성탄의 혼합비율은 입자에 담지되어 있는 은의 담지비율이나 처리해야 할 물이 불순물 제거를 주로 하는가 살균을 주로 하는가 등의 요인에 의해, 적절하게 조정할 수 있으나, 일반적으로는 혼합물 전체의 체적량에 대한 입자의 체적비율이 3 ~ 50%의 범위에서 사용된다.
(제조방법)
상기와 같은 성질을 갖는 본 발명의 입자의 효율적인 제조방법을 설명한다. 본 발명의 입자를 가네트 입자에 은을 용사하는 방법으로 제조하고자 하면, 입자의 한쪽에만 은이 담지되기 때문에, 입자 전체에 은을 담지시키기 위해서는, 가네트 입자를 진동교반시키면서 처리할 필요가 있다. 한편 가네트는 절연물질이므로 전해도금법에 의한 표면담지는 곤란하다. 이 때문에 본 발명의 입자의 제조방법으로서는 무전해 도금법으로 입자 전체에 은을 담지하는 방법이 바람직하다. 또한 무전해 도금법에 의하면, 가네트의 표면에 다수의 요철을 갖는 괴상(塊狀)의 은이 용이하게 담지되는 점에서도 바람직하다.
무전해 도금공정에 있어서는 그 전처리공정으로서 가네트 입자표면을 조화(粗化)하는 공정을 두는 것이 좋다. 가네트 표면이 조화(粗化)됨으로써, 은석체(silver complex)가 가네트 표면상에 담지되기 쉽게 되고, 입자표면에의 은의 담지가 용이하게 되어, 안정적으로 일정한 품질을 갖는 은담지된 가네트 입자가 생기기 때문이다. 가네트 입자의 표면을 조화시키는 것으로 염산, 황산, 질산 등의 산으로 산처리하는 것이 간편하다.
무전해 도금에 사용하는 은 이온을 포함한 용액은, 은 이온을 포함하는 용액이면 제한 없이 사용할 수 있으나, 비용 등의 관점에서, 질산은 용액을 사용하는 것이 일반적이다. 또한 이 용액에 암모니아를 가하여 은의 암모니아 석체로 하는 것이 일반적이다. 본 도금용 용액에 환원제를 가하여 상기 가네트 입자를 침지시키면, 은 석체가 환원되어 석출하는 은에 의해, 상기 가네트 입자 표면에 은이 담지된다. 이에 의해 본 발명의 입자를 효율적으로 제조할 수 있다. 환원제로서는 적절한 반응속도의 것이 바람직하다. 구체적으로는 로쉘염(주석산나트륨칼륨), 포도당(글루코오스), 아세트알데히드 등을 들 수 있다. 한편, 아스코르빈산은 반응속도가 지나치게 빠르기 때문에, 반대로 글루타르알데히드(glutaraldehyde)는 반응속도가 지나치게 느리기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명의 입자의 제조방법으로서는 상기 무전해 도금방법 이외의 방법으로서 스퍼터링법, 플라즈마 방전법, 아크 방전법, 글로우 방전법, 진공증착법 등에 의한 은의 증착방법으로 가네트 입자를 진동교반시키면서 입자 전체에 은을 담지시켜 제조하는 것도 가능하다. 또한 은 입자를 포함하는 용제를 가네트 입자에 불어 부딪히는 것으로도 제조할 수 있다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 단 본 발명은 실시예의 상태에 한정되는 것은 아니다.
(입자의 제조)
실시예에서의 입자의 제조는 무전해 도금법에 의해 행하였다. 가네트 입자로는 (주)토케미사(社)제의 가네트를 충분히 물로 세정하여 사용하였다. 가네트 입자의 집합체는 작은 구멍을 다수 설치한 플라스틱 용기 중에 채워 넣었다. 질산은 수용액에는 키시다 화학(주)제의 고체 질산은 정제수에 용해하여 사용하였다. 한편 농후한 질산은 수용액에 암모니아를 가하면 뇌은(Ag3N)을 생성할 위험이 있기 때문에 양자의 혼합에 있어서 발열이 큰 때는 용기 외측에서 수냉을 행하였다.
(환원제의 종류)
(실시예 1)
은의 환원액으로서, D-글루코오스 9g(0.25mol), 주석산나트륨칼륨 0.8g(5.34×10-3mol)을 200mL의 물과 20mL의 메탄올 혼합액에 용해시킨 것을 사용하였다. 이 환원액에 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL, 암모니아수 12×10-3mol, 그리고 pH조정을 위해 수산화나트륨 0.5g 용해시킨 것을 혼합하였다. 그 직후, 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 19시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 가네트의 표면에 백색의 은이 부착하였다.
(실시예 2)
은의 환원액으로서, D-글루코오스 9g(0.25mol) 40mL를 200mL의 물과 20mL의 메탄올 혼합액에 용해시킨 것을 사용하였다. 이 용해액에 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL, 암모니아수 12×10-3mol, 그리고 pH조정을 위해 수산화나트륨 0.5g 용해시킨 것을 혼합하였다. 그 직후, 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 19시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 실시예 1과 마찬가지로 가네트의 표면에 백색의 은이 부착하였 다.
(실시예 3)
은의 환원액으로서, 0.1mol/L의 D-글루코오스 수용액 40mL를 사용하였다. 이 환원액에 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL, 암모니아수 12×10-3mol, 그리고 pH조정을 위해 수산화나트륨 0.5g 용해시킨 것을 혼합하였다. 그 직후, 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 16시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 실시예 1과 마찬가지로 가네트의 표면에 백색의 은이 부착하였다.
(실시예 4)
은의 환원액으로서, 0.1mol/L의 아세트알데히드 수용액 40mL를 사용하였다. 이 환원액에 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL, 암모니아수 12×10-3mol을 용해시킨 것을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 17시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 가네트의 표면에는 백색의 은이 부착되었으나, 실시예 1과 비교하면 그 부착량이 소량이었다.
(실시예 5)
은의 환원액으로서, 0.1mol/L의 글루타르알데히드 수용액 40mL를 사용하였다. 이 환원액에 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL, 암모니아수 12×10-3mol을 용해시킨 것을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째 로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 17시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 가네트의 표면에 은은 부착하지 않았다.
(실시예 6)
은의 환원액으로서 0.1mol/L의 L-아스코르빈산나트륨 수용액 40mL를 사용하였다. 이 환원액에 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL, 암모니아수 12×10-3mol을 용해시킨 것을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 담근 직후부터 급격하게 반응이 발생하였다. 그대로 약 17시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 은의 침전이 생기기만 하고, 가네트의 표면에 은이 부착하지 않았다.
(농도 의존성)
실시예 1~6의 결과로부터 은의 환원제로서 양호한 주석산나트륨칼륨을 사용하여 농도 의존성을 추가로 조사하였다.
(실시예 7)
0.01mol/L의 주석산나트륨칼륨 수용액 40mL를 환원액으로서 사용하였다. 이 환원액에, 0.01mol/L 질산은 수용액 40mL와 암모니아수 12×10-3mol을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 14시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출하였는데, 가네트의 표면에 은은 부착하지 않았다.
(실시예 8)
0.05mol/L의 주석산나트륨칼륨 수용액 40mL를 환원액으로서 사용하였다. 이 환원액에, 0.1mol/L 질산은 수용액 40mL와 암모니아수 12×10-3mol을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 14시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 실시예 1보다는 소량이지만 가네트의 표면에 은이 부착하였다.
(실시예 9)
0.813mol/L의 주석산나트륨칼륨 수용액 40mL, 메탄올 8mL, 물 2mL를 혼합한 것을 환원액으로서 사용하였다. 이 환원액에, 1.25mol/L 질산은 수용액 40mL와 암모니아수 0.15mL를 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 16시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 가네트의 표면에 백색의 은이 부착하였다.
(실시예 10)
1.625mol/L의 주석산나트륨칼륨 수용액 40mL, 메탄올 8mL, 물 7mL를 혼합한 것을 환원액으로서 사용하였다. 이 환원액에, 3.3mol/L 질산은 수용액 30mL와 암모니아수 0.222mol을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 16시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 가네트의 표면에 구석구석까지 고르게 백색의 은이 부착해 있다.
(실시예 11)
2.22mol/L의 주석산나트륨칼륨 수용액 45mL, 메탄올 8.7mL를 혼합한 것을 환원액으로서 사용하였다. 이 환원액에, 13.3mol/L 질산은 수용액 15mL와 암모니아수 0.503mol을 혼합하였다. 그 직후 상기 구멍 뚫린 용기에 넣은 가네트를 상기 용기째로 상기 혼합액 중에 담궜다. 그대로 약 15시간 방치하고나서 가네트를 구멍 뚫린 용기째로 취출한 바, 가네트의 표면에 구석구석까지 고르게 백색의 은이 부착해 있다.
(실시예 12)
실시예 12에서는 스퍼터링 증착법으로 은이 담지된 가네트 입자를 얻었다. 가네트 입자를 망상의 바스켓에 넣고, 상기 바스켓째로 챔버 내에 고정하고, 당해 챔버 내를 0.3Pa의 진공상태로 하였다. 이어서 타겟인 은에 DC800V, 3000W의 전자선을 30초 ~ 1분간 조사하고, 가네트 입자표면에 은 스퍼터링을 행하였다. 실험에 사용한 스퍼터링기는 스퍼터링기의 다이(臺)를 흔들 수 있는 기기를 사용하였기 때문에 스퍼터링하는 동안, 해당 스퍼터링기의 다이를 진동시킴으로써, 바스켓 내의 가네트 입자에 균등하게 은이 부착될 수 있도록 하였다. 스퍼터링 종료 후, 챔버로부터 취출한 가네트 입자의 표면에는 고르게 은이 부착해 있다.
(비교예 1)
직경 2.5㎜의 은선(950은, 은순도 95%)을 2.5㎜마다 펜치로 절단하여 입자형상의 은을 얻었다.
(SEM사진에 의한 표면관찰)
실시예에서 사용한 가네트의 표면 및 실시예 10, 12의 은이 담지된 가네트의 표면의 SEM(주사전자현미경)사진을 이하에 나타낸다. SEM사진의 촬영장치로는 「JSM-5800LVC)」(일본전자주식회사제)를 사용하였다. 배율은 300배와 2000배의 2종류로 촬영하였다. 300배의 SEM사진에는 화상 아래에 50㎛의 길이가 표시되어 있고, 2000배의 SEM사진에는 10㎛의 길이가 표시되어 있다.
도 1, 2는 가네트의 표면 SEM사진이며, 도 1이 300배, 도 2가 2000배이다. 도 3,4는 실시예 10의 표면 SEM사진이고, 도 3이 300배, 도 4가 2000배이다. 도 5,6은 실시예 12의 표면 SEM사진이고 도 5가 300배, 도 6이 2000배이다.
도 3, 4로부터 무전해 도금법으로 은을 담지한 실시예 10의 입자표면에는 가네트의 표면에 괴형상의 은이, 다수의 군을 형성하고 부위에 따라서는 연속적으로, 또한 다른 부위에 있어서는 불연속으로 가네트 표면에 점재해 있는 결과, 당해 입자 표면은 요철상태로 되어 있음을 알 수 있다. 상기 불연속부위에는 공동이 형성되어 있고 당해 공동으로부터 가네트의 표면이 일부 나타나 있다.
이에 대해, 도 5,6으로부터는 스퍼터링법으로 은을 담지한 실시예 12의 입자표면에는 은이 평탄하게 부착되어 있는 결과, 당해 입자표면은 도 1,2에서 나타낸 것과 같은 가네트의 표면상태와 동일한 상태로 되어 있는 것을 알 수 있다.
(은 용출 시험)
저면과 측면에 1.5㎜ 사방의 구멍, 또한 측면에는 3개소에 15㎜ 사방의 큰 구멍이 뚫린 폴리에틸렌 용기를 2개 준비하여, 실시예 10의 입자 8.51g, 및 비교예 1의 입자 8.52g을 각각 넣었다. 폴리에틸렌 용기의 구멍으로부터 이들 입자가 넘쳐 떨어지지 않는 것을 확인한 후에, 각각 정제수 250mL와 자석교반자를 넣은 비이 커에 상기 입자를 폴리에틸렌 용기째 침지시켰다. 이와 같이 하여 교반자를 회전시켜도 교반자와 입자가 직접 접촉하는 것을 피할 수 있고, 또한 교반자의 회전에 의해 발생하는 수류도 직접 입자에 미치는 것을 피할 수 있었다. 즉 본 시험방법에서는 교반자나 입자 간의 충격에 의한 은의 용출의 영향을 피할 수 있는 것이다. 이 상태로 각각 46시간 교반을 계속하였다. 그 후 침지해 있는 물로부터 입자를 꺼내고, 남은 물에 대해 은 용출 농도를 측정하였다. 그 결과 실시예 10 및 비교예 1의 입자를 넣은 물의 은 용출농도는 각각 0.705mg/L, 0.002mg/L였다.
(살균 시험)
1L의 살균한 청정수에 실시예 10 및 12의 입자를 40g 침지하였다. 다음으로 보통 부용(bouillon) 배지에서 배양한 대장균(Escherichia coli IFO3972) 배양액 0.1mL를 상기 청정수에 접종하고, 25℃에서 보존하였다. 그리고 접종 직후 및 24시간 후의 청정수 중에 생존하는 균수를 측정하였다. 또한 시료를 넣지 않을 것을 대상으로 하여 사용하였다. 생균수의 측정은, 「위생시험법ㆍ주해」(2000)일본약학회편 기재의 혼석(混釋)평판 용매법에 의하여 행하였다. 단 미생물의 용매에는 보통 한천 배지를 사용하였다. 접종 직후에 있어서는 실시예 10의 입자를 넣은 샘플도 대조 샘플과 같이 생균수는 4×105개/mL였다. 24시간 후의 생균수는 대상 샘플에서는 접종 직후와 마찬가지로 4×105개/mL임에 대하여, 실시예 10의 입자를 넣은 샘플에서는 대장균은 검출되지 않았다.
본 발명의 입자는 은에 의해 물이나 공기중의 수분을 살균하는 용도로 이용 하는 부재의 재료로서 넓은 이용가능성을 갖는다. 또한 본 발명의 입자는 이러한 입자의 효율적인 제조를 행하는 방법으로서 이용할 수 있다. 또한 본 발명의 수정화용 부재는 물로부터의 불순물을 제거하고, 동시에 살균도 행할 필요가 있는 부재로서 넓게 이용할 수 있다.
구체적으로는 본 발명의 입자의 집합체를 수살균용의 부재 또는 공기살균용의 부재로서 적합하게 이용할 수 있다. 게다가 본 발명의 수살균용 부재나 공기살균용 부재는 이하와 같은 용도로 사용할 수 있다.
정수기에 있어서는 본 발명의 수살균용 부재를 예를 들어 살균용 정수 필터로서 사용한 경우, 입자의 집합체라면 접촉 표면적을 크게 할 수 있으므로, 물과의 접촉이 단시간이라도 효과적인 물의 살균이 가능하다. 게다가 물이 유입 또는 유출할 때에도 당해 입자의 집합체가 확산하지 않고 취급이 용이하다.
또한 정수조에 있어서는 본 발명의 수살균용 부재를, 예를 들어 물을 저수부의 저면에 설치한 경우, 당해 입자가 물 위로 떠올라 오지 않기 때문에, 안정된 살균효과를 얻을 수 있고, 매우 적절하게 이용할 수 있다.
또한 수영용 풀에서는 본 발명의 입자의 집합체를 예를 들어 풀 바닥 또는 물 순환장치 내에 설치함으로써, 염소살균의 경우와 같이 휘발하지 않고 효율적인 살균이 가능하다.
또한 순환정화조 부착 욕조에서는 본 발명의 수살균용 부재를 예를 들어 순환정화조 중에 사용한 경우에는 염소살균과 같이 휘발하지 않기 때문에 효율적인 레지오넬라균의 살균이 가능하게 된다.
또한 물고기 등의 관상용 수조에서는 본 발명의 수살균용 부재를 예를 들어 자갈 대신에 관상용 수조의 바닥에 둠으로써, 자갈 밑에 번식하여 물고기의 꼬리썩음병이나, 비늘에 부착하는 종벌레(Vorticella Nebulifera) 등 물고기에 영향을 미치는 병원성 미생물의 번식을 막을 수 있다. 게다가 가네트 자체가 광물이기 때문에 자갈 대신에 사용한 경우에도 관상용의 수조로서의 미관을 해치지 않는다.
또한 물을 순환시켜 재배에 이용하는 수경재배에서는 본 발명의 수살균용 부재를 예를 들어 순환기 내에 설치함으로써, 재배식물의 뿌리가 썩는 것을 방지하는데도 이용할 수 있다.
또한 종래 가네트가 모래여과식의 여과탑의 최하단에 사용되고 있는 점을 이용하여, 여과탑에 이용되고 있는 가네트의 여재의 일부를 본 발명의 입자의 집합체로 바꿈으로써, 모래여과의 최종 단계에서 확실한 물의 살균을 행할 수 있다.
또한 본 발명의 입자의 집합체를 예를 들어 스테인리스강 케이스나 부직포제의 봉투에 충전하여, 비중이 크고 수류의 영향을 잘 받지 않는 수살균용 부재로 할 수 있다. 이를 위해 수살균용 부재는 처리할 물속에 몰입시키거나 또는 걸어 두는 것만으로 항균효과를 얻을 수 있다. 따라서 특히 저수탱크, 수수조(受水槽)), 냉각 칠러 유니트, 욕조 등의 부재로서 효과적은 이용할 수 있다.
상기 특징은 비가 적게 오는 기후의 해나 재해 등의 비상용으로 우수를 저장하는 저장고나 저장못에 특히 적합하게 작용한다. 즉 이와 같이 비상용으로 저장하고 있는 물은, 통상 물을 저장한 채의 상태로 장기간 방치되게 되는데, 막상 필요하게 된 경우, 박테리아나 녹조류 등이 발생하여 생활수로서 사용할 수 없게 되 는 것이 많다. 본 발명의 수살균용 부재라면 그 살균효과가 장기간 유지되기 때문에 정기적으로 입자의 집합체를 갈아 넣는 것만으로도 비상용의 물로서 일정한 품질을 유지할 수 있다. 또한 본 발명의 입자는 비중이 크기 때문에 집중호우 등으로 비가 급격하게 유입하는 경우에도 수류와 함께 휩쓸리지 않기 때문에, 이러한 경우에도 입자가 밖으로 유출되지 않는다.
또한, 본 발명의 수살균 부재를 이용한 여과통은, 염소를 소비하지 않기 때문에, 병원, 공민관이나 가정에의 상수의 배수관으로부터 급수관으로 전환되는 부위에 설치하면, 통상의 염소살균에 더해, 은에 의한 살균효과를 얻을 수 있기 때문에, 보다 무균에 가까운 상태의 물을 공급하기 위한 부재로서 효과적으로 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 정수용 부재는 특히 저수하는 부위를 갖고 있는 물의 처리장치에 적합하게 이용할 수 있다. 구체적으로는 저수탱크나 여과장치에 있어서는 항상 살균도가 높은 정수를 제공할 수 있는 정수용 부재로서 이용할 수 있다. 또한 정수장치에 있어서는 처리해야 할 물속에 본 발명의 정수용 부재의 초기 투입 직후부터 물의 정화작용을 효과적으로 발휘할 수 있는 정수용 부재로서 이용할 수 있다.
또한 본 발명의 공기살균용 부재는 곰팡이 발생을 억제할 수 있는 공기청정기나 에어컨의 필터, 또는 가습기에 이용할 수 있다.

Claims (21)

  1. 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자의 표면에, 은이 담지되어 있는 입자.
  2. 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자의 표면에, 은의 입상괴(粒狀塊)가 군(群)을 이루고 연속 또는 불연속으로 담지되어 있는 입자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 담지되어 있는 은의 담지량의 비율이, 전체 중량에 대해서, 0.1 ~ 5중량%인 입자.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 입자의 밀도가 3.2 ~ 4.6g/㎤인 입자.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 입자의 집합체를 물의 살균 재료로서 이용한 수살균용 부재.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 입자의 집합체를 공기 중의 수분을 살균함으로써 공기의 살균을 행하는 재료로서 이용한 공기살균용 부재.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 살균용 입자의 집합체의 평균입자직경이 0.01 ~ 10 ㎜인 수살균용 부재.
  8. 제 5 항 또는 제 7 항에 기재된 수살균용 부재를 이용한 정수기.
  9. 제 5 항 또는 제 7 항에 기재된 수살균용 부재를 이용한 저수조.
  10. 제 5 항 또는 제 7 항에 기재된 수살균용 부재를 이용한 정수장치.
  11. 제 5 항 또는 제 7 항에 기재된 수살균용 부재를 이용한 수영용 풀.
  12. 제 5 항 또는 제 7 항에 기재된 수살균용 부재를 이용한 순환 정화조 부착 욕조.
  13. 제 5 항 또는 제 7 항에 기재된 수살균용 부재를 이용한 관상용 수조.
  14. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 입자의 집합체를 여재의 하나로서 이용한 모래여과식의 여과탑.
  15. 제 6 항에 기재된 공기살균용 부재를 이용한 공기청정기, 가습기 또는 공기청정기능을 갖는 에어컨.
  16. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 입자 집합체의 적어도 하나와, 활성탄을 혼합한 혼합물로 이루어진 수정화용 부재.
  17. 제 16 항 기재의 수정화용 부재를 이용한 정화조.
  18. 제 16 항 기재의 수정화용 부재를 이용한 저수탱크.
  19. 제 16 항 기재의 수정화용 부재를 이용한 여과장치.
  20. 무전해 도금법에 의한 살균용 입자의 제조방법으로, 상기 무전해 도금법이 주석산나트륨칼륨, 글루코오스 또는 아세트알데히드 중 적어도 하나를 환원제로 하여 물에 용해시킨 환원용액과, 질산은 수용액과 암모니아액을 혼합한 혼합용액 중에 가네트 입자를 침지시켜 은을 담지시키는 입자의 제조방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 무전해 도금법의 전처리공정으로서, 가네트 또는 가네트를 주성분으로 하는 입자에 산처리를 행하여, 상기 입자의 표면을 조화(粗化)시키는 공정을 갖는 입자의 제조방법.
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