KR20060131663A - 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법은 다음의 단계를 포함한다.
- 투명 기판(1)의 표면의 한 부분 위에 전도성 산화 층(2)을 증착하는 단계로서, 상기 전도성 산화 층 역시 투명한 단계. 그리고
- 전도성 경로(6)에 의해, 접촉 패드(8)에 연결되어 있는 하나 이상의 전극(4)을 상기 전도성 산화 층(2)상에, 요망 전극(4, 6, 8)의 외곽선을 따라 제거함으로써 상기 산화 층을 구축하여, 상기 전도성 산화 층(2)의, 전극(4, 6, 8)을 형성하며, 전기 퍼텐셜에 위치하는 부분(12)을, 상기 전도성 산화층의 유동적인 나머지(14)로부터 절연하는 트리밍(trimming) 라인(10)을 생성하는 단계.
상기 방법은 추가적인 트리밍(trimming) 라인(10’)이 상기 트리밍 라인(10) 주위에서 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법{METHOD OF MANUFACTURING A TRANSPARENT ELEMENT INCLUDING TRANSPARENT ELECTRODES}
도 1은 전극이 구축되는 상기 투명 전도성 산화 층으로 덮여 있는 투명 기판을 도식한 저면도이며, 상기 전극은 동심원을 그리는 두 개의 트리밍 라인에 의해 전도성 산화 층의 나머지 부분으로부터 분리되어 나타난다.
도 2는 도 1의 원으로 표시된 부분을 상세히 도식한 확대도이다.
도 3은 도 1과 유사하며, 상기 산화 층의 유동적인 부분이 서로 절연되는 다수의 영역으로 쪼개지는 모습을 도식하고 있다.
도 4는 도 3의 원으로 표시된 부분을 확대 도식한 도면이다.
도 5는 금속화된 외곽부를 가지는 시계 크리스털을 도식한 저면도이다.
도 6A와 도 6B는 도 5의 시계 크리스털의 단면도이며, 각각 금속화 층과 투명 전도성 산화 층의 두 가지 실시예를 도식하고 있다.
본 발명은 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법에 관한 것이며, 상기 전극 또한 투명하며, 상기 전극의 외곽선은 육안으로는 볼 수 없다.
제한하지 않는 방식으로, “투명 요소”는 안경 렌즈, 시계 크리스털, 시계 크리스털 위에 구축되는 정전용량식 터치 스크린, 액체 크리스털 디스플레이 셀, 또는 광전기 셀의 투명 기판을 의미한다.
일반적으로, 정전용량식 터치 스크린(capacitive touch screen)의 전극을 구축하는 방법은 투명 기판, 가령, 유리로 제작된 기판상에 ITO(indium-tin-oxide) 같은 투명 전도성 산화물의 층을 증착하는 것으로 구성되어 있다. 상기 증착 이후, 전극이 남아 있어야 하는 장소를 제외하고, ITO 층이 그 아래 있는 기판의 전체 표면으로부터 제거된다. 따라서 기판은 ITO가 없는 커다란 표면 부분을 가지며, 이는, 상기 기판과 ITO의 굴절 지수가 같지 않기 때문에, 보정 하는 것이 바람직하다. 이러한 광학 보정(optical compensation)은 기판과 ITO의 굴절 지수에 순응되는 굴절 지수를 갖는 얇은 비-전도성 층의 증착에 의해 수행될 수 있다. 모든 예방 조치가 취해질지라도, 이러한 광학 보정된 영역은 시야의 특정 각도에서, 또는 특정 광 조건에서, 가시적일 수 있다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 전극의 외곽선을 따라, ITO를 제거하는 것이 제안될 수 있다. 가령, JP 60-26039와 WO 92/13328은 이러한 솔루션에 관한 것이다. 포토리소그래피, 또는 레이저 절개(laser ablation)에 의해, 전극이 트리밍(trimming)될 수 있다. 트리밍(trimming)된 라인의 폭은, 적정 광학 지수를 갖는 유전 층의 증착을 통한 상기 라인에 대한 광학 보정이 어떠한 문제도 발생시키지 않도록 충분히 얇게 형성될 수 있다(약 20㎛). 5㎛의 얇은 트리밍된 라인이 가능할 수도 있으며, 이는 추가적인 광학 보정 층 없이, 육안으로는 보이지 않는다.
그러나 상기 트리밍 라인을 더 얇게 만들면 만들수록, 누전을 초래할 수 있는 작은 조각의 전도성 물질이 남아 있음에 대한 위험 부담은 더 커진다. 이러한 문제를 극복하기 위해, JP 60-260392는 레이저 절개 공정 후에, 세정액, 가령 알코올이 담긴 수조에서, 초음파를 이용하여 기판을 소제할 것을 제안하고 있다. 그러나 습식 상태에서 취급하는 것은 금지되는 것이 일반적이다. 왜냐하면, 출력률이 감소하고, 그에 따라 제품의 비용이 상승하기 때문이다.
앞서 언급한 방법의 또 하나의 단점은, 고정 퍼텐셜(fixed potential)에 위치하는 전극과, 유동적인 ITO 표면의 그 나머지 부분 사이에서, 부유 용량 결합(stray capacitive coupling)이 발생할 수 있다는 것이다. 이러한 부유 용량 결합은 정전용량식 터치 스크린의 고유의 동작을, 특히 전극의 신호 어드레싱 주파수가 높을 때, 방해할 수 있다.
앞서 언급한 단점들을 극복하기 위해, 다른 것에 추가로, 본 발명은 습식 상태 세척이 생략될 수 있는 제조 방법을 제안하는 바이다.
그러므로 본 발명은 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다.
- 투명 기판(1)의 표면의 한 부분 위에 전도성 산화 층(2)을 증착하는 단계로서, 상기 전도성 산화 층 역시 투명한 단계
- 전도성 경로(6)에 의해, 접촉 패드(8)에 연결되어 있는 하나 이상의 전극(4)을 상기 전도성 산화 층(2)상에, 요망 전극(4, 6, 8)의 외곽선을 따라 제거함 으로써 상기 산화 층을 구축하여, 상기 전도성 산화 층(2)의, 전극(4, 6, 8)을 형성하며, 전기 퍼텐셜에 위치하는 부분(12)을, 상기 전도성 산화층의 유동적인 나머지(14)로부터 절연하는 트리밍(trimming) 라인(10)을 생성하는 단계.
상기 방법은 추가적인 트리밍(trimming) 라인(10’)이 상기 트리밍 라인(10) 주위에서 형성되는 것을 특징으로 한다.
이러한 특징들 때문에, 본 발명은 전극을 포함하는 투명 요소를 제작하는 방법을 제공하며, 이때 상기 전극도 역시 투명하며, 상기 방법에 의해, 상기 전극이 매우 얇은 라인을 따라 트리밍되면서, 상기 트리밍에 의해 초래되는 누전에 대한 위험 부담은 감소시킬 수 있다. 실제로, 전도성 산화물이 먼저 제거될 때의 남아 있는 전도성 조각이 누전을 초래할 확률과, 그 후 전극의 외곽선을 따라 전극이 제거될 때의 남아 있는 전도성 조각이 누전을 초래할 확률이 더해지는 것이 아니라 곱해져서, 최종 확률은 처음보다 낮아질 수 있다. 상기 트리밍 라인의 폭은 1㎛ 내지 10㎛이며, 상기 트리밍 라인이 육안으로 식별하지 못해, 기판과 전도성 산화 층의 굴절 지수에 적응하는 굴절 지수를 갖는 비전도성 광학 부정 층의 추가적인 증착을 통해 광학 보정할 필요가 없는 5㎛인 것이 바람직하다. 덧붙이자면, 이러한 방법에 의해, 전도성 산화 층의 활성 영역과 유동성 영역 사이의 부유 용량 결합의 위험 부담이 감소된다.
첫 번째 태양에서, 단일 트리밍 라인을 따르는 전극의 외곽선을 따라 산화물을 간단하게 제거할 수 있으나, 부유 용량 결합을 가능한 제한하기 위해 측정이 행해져야 한다.
이것이 본 발명의 두 번째 태양이, 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법을 제공하는 이유이며, 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다.
- 투명 기판(1)의 표면의 한 부분 위에, 투명 전도성 산화 층(2)을 증착하는 단계
- 전도성 경로(6)에 의해, 접촉 패드(8)에 연결되어 있는 하나 이상의 전극(4)을 상기 전도성 산화 층(2)상에, 요망 전극(4, 6, 8)의 외곽선을 따라 제거함으로써 상기 산화 층을 구축하여, 상기 전도성 산화 층(2)의, 전극(4, 6, 8)을 형성하며, 전기 퍼텐셜에 위치할 활성 부분(12)을, 상기 전도성 산화층의 유동적인 나머지(14)로부터 절연하는 트리밍(trimming) 라인(10)을 생성하는 단계
본 방법은, 분리 라인(18)을 따라 상기 산화 층을 제거함으로써, 상기 유동적인 전도성 산화층(14)은 서로 전기적으로 연결되어 있는 두 개 이상의 서로 다른 부분(16)으로 나눠지는 것을 특징으로 한다.
이러한 특징 때문에, 본 발명이 투명 전극을 포함하는 투명 소자를 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법에 의해, 산화 층의 전극이 형성되고, 전기 퍼텐셜에 위치하는 활성 영역과, 산화 층의 유동적인 영역 사이의 부유 용량 결합의 위험 부담이 감소된다. 즉, 어떠한 퍼텐셜에도 연겨되어 있지 않는 다는 의미이다. 따라서 상기 전극의 어드레싱 신호 주파수가 높을 때 특히, 부유 결합의 가능성은 상기 전극의 올바른 동작을 방해한다.
또한 본 발명은, 하나 이상의 전극(4)이 구축되는 투명 전도성 산화 층(2)으로 부분적으로 덮여 있는 투명 기판을 포함하는 장치에 관한 것이며, 상기 투명 전 도성 산화층은 전도성 산화 층(2)의 전극(4)을 형성하고, 전기 퍼텐셜에 위치하는 활성 파트(12)를 상기 전도성 산화 층(2)의 유동적인 나머지 부분(14)으로부터 구별하는 트리밍 라인(10)을 포함하며, 이때 상기 장치는 상기 전도성 산화 층(2)의 상기 활성 파트(12)와 상기 유동적인 파트(14) 사이의 부유 용량 결합을 방지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 첫 번째 실시예에 따라서, 용량 결합을 방지하는 수단은 트리밍 라인 주위에 형성된 추가적인 트리밍 라인을 포함한다.
본 발명의 두 번째 실시예에 따라서, 용량 결합을 방지하는 수단은 전도성 산화 층의 유동적인 파트를 둘 이상의 구별되는 영역으로 쪼개는 하나의 라인을 포함하며, 이때 상기 둘 이상의 구별되는 영역은 서로에 대해 전기적으로 연결되어있지 않는다.
본 발명은, 기판상에 증착되는 투명 전도성 산화 층을 구축하는 것을 포함하는 일반적인 아이디어에서부터 시작하며, 이때 레이저 절개(laser ablation), 또는 포토리소그래픽 에칭에 의해, 물질의 얇은 라인이 제거됨으로써 상기 기판도 역시 투명한 것을 특징으로 한다. 이러한 구축은 두 가지 서로 다른, 그러나 서로 보완 관계에 있는 부분을 포함할 수 있으며, 제 1 전극 주위의 라인을 트리밍(trimming)하는 제 2 전극을 형성하는 부분과, 전도성 산화 층의 유동적인 부분을 전기 절연된 영역으로 나누는 부분이 그것이다. 본 발명의 목적은 활성 영역(active zone) 사이에서 부유 용량 결합을 감소시키는 것이다. 즉, 전기 퍼텐셜과 유동적인 영역 으로 운반되지 않는 용량 결합, 즉, 높은 주파수의 전극 어드레싱 전압을 이용할 때조차, 전극이 적절하게 작동할 수 있음을 확신하기 위해서는 전도성 산화층의 임의의 퍼텐셜에 연결되어야 하나 그렇지 않은 용량 연결을 감소시키는 것이다. 본 발명의 추가적인 목적이 존재한다. 부가적인 광학 보정 층의 증착 공정 없이, 상기 전극이 육안에 의해서 보이지 않는다는 것을 확신시키는 것이 그것이다.
도 1은 투명 크리스털(1)의 저면도이다. 손목 시계상에 장착될 상기 투명 크리스털은 사파이어, 또는 강화 유리일 수 있다. 상기 크리스털(1)의 하부 표면상에서, 전도성 경로(6)에 의해, 외곽 접촉 패드(8)에 연결되는 전극(4)이 구축되는 투명 전도성 산화 층(2)이 증착된다. 상기 접촉 패드(8)는 손목시계의 전자 무브먼트에 연결되거나, 전자 시각, 또는 상기 시계의 그 밖의 다른 기능을 제어하기 위한 마이크로프로세서에 연결될 것이다. 실제로, 전극(4)은, 손가락을 크리스털의 외부 표면(2)에 위치시킴으로써 활성화될 수 있는 정전용량식 터치 센서를 형성한다.
본 발명에 따르는 방법의 첫 번째 단계에서, 투명 전도성 층, 가령, 인-주석 산화 층(ITO: indium-tin oxide)이 가령, 증발법에 의해, 크리스털의 전체 표면(2) 위에 증착된다. 상기 층의 두께는 25㎚ 내지 75㎚인 것이 통상적이며, 45㎚ 내지 55㎚인 것이 바람직하다. 상기 숫자는 예에 불과하며, 투명 전도성 층은 In2O3와 SnO2 도핑된 안티몬 중에서 선택되어 질 수 있다.
본 발명을 따르는 방법의 두 번째 단계에서, 상기 ITO가 전극(4)과, 전도성 경로(6)와, 접촉 패드(8)의 외곽선을 따라 제거된다. 본 방법의 단계가 상기 전극 에 관해 설명될 경우, 본원에서는 간략성을 위해, 전극(4)만 참조로서 표시한다. 그리고 이것은 전도성 경로(6)와 접촉 패드(8)의 경우에 대하여도 또한 적용된다.
따라서 상기 ITO가, 트리밍(trimming) 라인을 따르는 전극(4)의 외곽선을 따라 제거되며, 상기 트리밍 라인(10)의 폭은 1㎛ 내지 10㎛이며, 육안에 의해서 식별할 수 없도록 5㎛인 것이 바람직하다. 전극(4)의 외곽선을 따라 ITO를 제거하는 것은 예를 들어, 레이저 절개(laser ablation), 또는 포토리소그래피에 의해 성취될 수 있다. 이러한 방식으로 트리밍된 전극(4)이 전극(4)을 형성하고, 전기 퍼텐셜에 위치하는 ITO 층의 활성 파트(12)를, 유동적인 ITO 층의 나머지(14) 부분으로부터 전기적으로 절연한다. 즉, 상기 나머지 부분은 퍼텐셜에 연결되지 않는다는 의미이다. 그러나 전극(4)에 대한 트리밍 라인의 폭이 존재할 경우, 누전을 초래하는 작은 조각의 ITO가 남아 있는 무시할 수 없는 위험 부담이 존재한다. 본 발명에 따르는 방법의 첫 번째 태양에 따라, 제 1 트리밍 라인(10)을 감싸는 제 2 트리밍 라인(10’)을 따르는 전극(4)의 외곽선을 따라 상기 ITO가 제거되며, 그에 따라 누전 가능성이 상당하게 감소한다. 실제로, 동심원을 그리는 두 개의 트리밍 라인을 따르는 상기 전극의 외곽선을 따라 전도성 산화물이 제거될 때, 누전을 초래하는 전도성 조각이 남아 있을 확률은 더해지는 것이 아니라 곱해져서, 최종 확률이 처음의 확률보다 낮아진다. 이와 마찬가지로, 전극이 형성되어 있으며, 전기 퍼텐셜에 위치하고, 상기 층의 유동적인 영역이 될 ITO 층의 활성 영역 간의 어떠한 퍼텐셜에도 연결되어 있지 않은 부유 용량 결합의 가능성이 현저히 낮아진다.
실제로, 폭 w의 두 개의 전극 사이에서 설정되며, 각각 거리 d만큼 떨어져 있는 부유 용량 결합 C는 관계식 C= ε0*εr*w/d 이며, 이때 ε0은 진공의 유전 상수이며, εr은 전극이 구축될 기판의 상대적인 유전 상수이다. 따라서 폭 w상수를 이용하여, 전극이 서로에 가깝게 이동할 때, 최종 부유 용량 C가 증가한다. 그러나 전극을 여러 번 트리밍하는 것은 상기 전극 사이에 여러 개의 커패시터를 직렬로 연결하는 것과 같다. 용량 C의 n개의 직렬로 구축된 커패시터에 동일한 용량은 C/n이며, 이때 n은 자연수이며, 직렬 연결된 커패시터의 수가 증가하면 할수록, 즉, 상기 전극 주위의 트리밍 라인의 수가 더 증가하면 할수록, 최종 부유 용량은 낮아질 것이다.
본 발명을 간단하게 구현하는 방법에 따라, 잔여 용량 결합의 문제를 극복하기 위한 안전한 측정이 행해지면서, 산화층이 단일 트리밍 라인을 따르는 전극의 외곽선을 따라 간단하게 제거될 수 있다.
그러므로 본 발명의 두 번째 태양에 따라, 분리 라인(18)을 따라 ITO를 제거함으로써, ITO 층의 유동적인 파트(14)가 전기 절연된 영역(16)으로 나뉜다. 이렇게 함으로써, 손가락을 통한, 전극과 ITO의 유동적인 영역 간의 부유 용량 결합의 위험 부담을 피할 수 있다.
본 발명은 설명된 실시예를 제한하지 않으며. 다양하고 간단한 수정예와 변형예가, 첨부된 청구 범위에 의해 규정되는 본 발명의 범위 안에서 고려되어 질 수 있다. 특히, 트리밍 라인의 작은 폭에도 불구하고, 낮은 굴절 지수를 갖는 투명 유전 층(제 1 층)과, 상기 제 1 층보다 더 높은 굴절 지수를 갖는 또 다른 유전 층 (제 2 층)을 연속적으로 증착함으로써, 작은 폭을 위한 보정이 최적으로 고려될 수 있다. 이는 동 출원인의 유럽 특허 No. 03028874.0에서 설명되어 있다. 시계 크리스털의 경우에 있어서, 도 5에서 도식되는 바와 같이 상기 크리스털(1)의 외곽부를 따르는 증착된 금속화 층(20)에 본 발명에 따르는 방법을 적용할 것을 고려할 수 있다. 첫 번째 태양에 따라, ITO 층이 크리스털의 전체 표면 위에 증착되며, 그 후 금속화 층이 상기 ITO 층의 상부 위에 증착된다(도 5A 참조). 도 5B에서 도식되는 두 번째 태양에 따라, 우선, 상기 금속화 층이 상기 크리스털의 외곽부상에 증착되고, 그 후, ITO 층이 증착되어, 상기 ITO 층이 상기 금속화 층을 부분적으로 덮게 된다. 이러한 공정 후, 전극(4)과, 전도성 경로(6)와, 접촉 패드(8)가 동심원을 그리는 두 개의 트리밍 라인(10, 10’)을 따라 트리밍되어, 접촉 패드(8)에서 상기 ITO와 상기 금속화 층 모두가 제거될 수 있다. 최종적으로, 전극의 이중 트리밍은 산화 층의 유동적인 파트의 조각을 조합하는 것일 수 있다.
잔여 용량 결합의 문제를 극복하기 위한 안전한 측정이 행해지면서, 산화층이 단일 트리밍 라인을 따르는 전극의 외곽선을 따라 간단하게 제거될 수 있다.
분리 라인(18)을 따라 ITO를 제거함으로써, ITO 층의 유동적인 파트(14)가 전기 절연된 영역(16)으로 나뉜다. 이렇게 함으로써, 손가락을 통한, 전극과 ITO 유동적인 영역 간의 부유 용량 결합의 위험 부담을 피할 수 있다.

Claims (11)

  1. 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은
    투명 기판(1)의 표면의 한 부분 위에 전도성 산화 층(2)을 증착하는 단계로서, 상기 전도성 산화 층 역시 투명한 단계,
    전도성 경로(6)에 의해, 접촉 패드(8)에 연결되어 있는 하나 이상의 전극(4)을 상기 전도성 산화 층(2)상에, 요망 전극(4, 6, 8)의 외곽선을 따라 제거함으로써 상기 산화 층을 구축하여, 상기 전도성 산화 층(2)의, 전극(4, 6, 8)을 형성하며, 전기 퍼텐셜에 위치하는 부분(12)을, 상기 전도성 산화층의 유동적인 나머지(14)로부터 절연하는 트리밍(trimming) 라인(10)을 생성하는 단계
    를 포함하며, 추가적인 트리밍(trimming) 라인(10’)이 상기 트리밍 라인(10) 주위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  2. 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은
    투명 기판(1)의 표면의 한 부분 위에, 투명 전도성 산화 층(2)을 증착하는 단계,
    전도성 경로(6)에 의해, 접촉 패드(8)에 연결되어 있는 하나 이상의 전극(4)을 상기 전도성 산화 층(2)상에, 요망 전극(4, 6, 8)의 외곽선을 따라 제거함으로써 상기 산화 층을 구축하여, 상기 전도성 산화 층(2)의, 전극(4, 6, 8)을 형성하 며, 전기 퍼텐셜에 위치할 활성 부분(12)을, 상기 전도성 산화층의 유동적인 나머지(14)로부터 절연하는 트리밍(trimming) 라인(10)을 생성하는 단계
    를 포함하며, 이때 분리 라인(18)을 따라 상기 산화 층을 제거함으로써, 상기 유동적인 전도성 산화층(14)은 서로 전기적으로 연결되어 있는 두 개 이상의 서로 다른 부분(16)으로 나눠지는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  3. 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은
    투명 기판(1)의 표면의 한 부분 위에 전도성 산화 층(2)을 증착하는 단계로서, 상기 전도성 산화 층 역시 투명한 단계,
    전도성 경로(6)에 의해, 접촉 패드(8)에 연결되어 있는 하나 이상의 전극(4)을 상기 전도성 산화 층(2)상에, 요망 전극(4, 6, 8)의 외곽선을 따라 제거함으로써 상기 산화 층을 구축하여, 상기 전도성 산화 층(2)의, 전극(4, 6, 8)을 형성하며, 전기 퍼텐셜에 위치하는 부분(12)을, 상기 전도성 산화층의 유동적인 나머지(14)로부터 절연하는 트리밍(trimming) 라인(10)을 생성하는 단계
    를 포함하며, 이때 추가적인 트리밍 라인(10’)이 상기 트리밍 라인(10) 주위에서 형성되며,
    분리 라인(18)을 따라 상기 산화 층을 제거함으로써, 상기 유동적인 전도성 산화층(14)은 서로 전기적으로 연결되어 있는 두 개 이상의 서로 다른 부분(16)으로 나눠지는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방 법.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 투명 전도성 산화 층(2)이 증착된 후, 금속화 층(20)이 상기 기판(1)의 외곽부상에서 상기 전도성 산화 층(2) 위에 증착되어, 그 후 상기 전극(4)과, 전도성 경로(6)와, 접촉 패드(8)가 상기 트리밍 라인(10, 10’)을 따라 트리밍되어, 접촉 패드(8)상에서, 상기 전도성 산화 층과 금속화 층이 모두 제거되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 먼저 금속화 층(20)이 상기 기판(1)의 외곽부에 증착되고, 그 후, 투명 산화 층(2)이 증착되어, 상기 산화 층(2)이 상기 금속화 층(20)을 부분적으로 덮으며, 그 후, 상기 전극(4)과, 상기 전도성 경로(6)와, 접촉 패드(8)가 상기 트리밍 라인(10, 10’)을 따라 트리밍되어 상기 접촉 패드(8)상의 상기 전도성 산화 층과 금속화 층이 제거되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 광학 보정 층(optical compensation layer)에 의해, 상기 트리밍 라인(10, 10’)과 상기 분리 라인(18)이 광학 보정되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 낮은 굴절 지수를 가지는 투명 유전 물질의 제 1 층과, 상기 제 1 층의 굴절 지수에 비해 높은 굴절 지수를 가지는 또 다른 투명 유전 물질의 제 2 층이 연속으로 증착되는 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트리밍 라인과 상기 분리 라인의 폭은 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 투명 전극을 포함하는 투명 요소를 제조하는 방법.
  9. 하나 이상의 전극(4)이 구축되는 투명 전도성 산화 층(2)으로 부분적으로 덮여 있는 투명 기판을 포함하는 장치에 있어서, 상기 투명 전도성 산화층은 전도성 산화 층(2)의 전극(4)을 형성하고, 전기 퍼텐셜에 위치하는 활성 파트(12)를 상기 전도성 산화 층(2)의 유동적인 나머지 부분(14)으로부터 구별하는 트리밍 라인(10)을 포함하며,
    이때 상기 장치는 상기 전도성 산화 층(2)의 상기 활성 파트(12)와 상기 유동적인 파트(14) 사이의 부유 용량 결합을 방지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 기판을 포함하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 부유 용량 결합을 방지하는 수단은, 상기 트리밍 라 인(10) 주위에서 형성되는 추가적인 트리밍 라인(10’)을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 기판을 포함하는 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부유 용량 결합을 방지하는 수단은, 상기 전도성 산화 층(2)의 유동적인 파트(14)를 둘 이상의 구별되는 영역(16)으로 나누는 분리 라인(18)을 포함하며, 이때 상기 둘 이상의 구별되는 영역(16)은 전기적으로 연결되지 않음을 특징으로 하는 투명 기판을 포함하는 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010101399A3 (ko) * 2009-03-04 2010-12-09 Nam Dong Sik 터치패널센서

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE416480T1 (de) * 2005-06-16 2008-12-15 Asulab Sa Herstellungsverfahren für ein transparentes element mit transparenten elektroden und entsprechendes element
JP4818216B2 (ja) * 2007-07-20 2011-11-16 信越ポリマー株式会社 電極シートの製造方法および静電容量型入力装置
CN100472290C (zh) * 2007-08-30 2009-03-25 深圳和而泰智能控制股份有限公司 电容式触摸屏及制作方法
GB2472614B (en) * 2009-08-11 2014-11-19 M Solv Ltd Capacitive touch panels
CN101794186A (zh) * 2010-03-22 2010-08-04 牧东光电（苏州）有限公司 电容触控面板感应层的加工方法
JP5844002B2 (ja) * 2013-03-07 2016-01-13 三菱電機株式会社 表示装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB784673A (en) * 1956-02-28 1957-10-16 Standard Telephones Cables Ltd A method of producing printed circuit master drawings
JPS60260392A (ja) 1984-06-08 1985-12-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 透光性導電膜の光加工方法
WO1992013328A1 (en) 1991-01-17 1992-08-06 Rgb Dynamics Capacitive touch screen
JPH11226773A (ja) * 1998-02-19 1999-08-24 Ricoh Micro Electronics Kk 導電性膜の加工方法及び装置
US6300594B1 (en) * 1998-02-19 2001-10-09 Ricoh Microelectronics Company, Ltd. Method and apparatus for machining an electrically conductive film
DE69831860T2 (de) * 1998-07-04 2006-07-20 Au Optronics Corp. Elektrode zur verwendung in elektrooptischen bauelementen
US6034813A (en) * 1998-08-24 2000-03-07 Southwall Technologies, Inc. Wavelength selective applied films with glare control
GB9916060D0 (en) * 1999-07-08 1999-09-08 Isis Innovation Printed circuit fabrication
JP2001202826A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Gunze Ltd 透明導電性フィルム
DE10019888B4 (de) * 2000-04-20 2011-06-16 Schott Ag Transparente elektronische Bauelementanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2002273582A (ja) * 2001-03-16 2002-09-25 Ricoh Microelectronics Co Ltd ビーム加工装置及びタッチパネル基板の製造方法
DE60235751D1 (de) * 2002-08-30 2010-05-06 Asulab Sa Uhr mit taktiler Ablesung und Betätigung der Zeitinformation
EP1457865B1 (fr) * 2003-03-12 2017-11-08 Asulab S.A. Substrat à électrodes transparent et son procédé de fabrication
JP4459578B2 (ja) * 2003-09-08 2010-04-28 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池
CN100484352C (zh) * 2003-10-02 2009-04-29 株式会社丰田自动织机 电致发光元件
DE10359156B4 (de) * 2003-12-16 2007-08-30 Schott Ag Anzeigevorrichtung
DE60328798D1 (de) 2003-12-16 2009-09-24 Asulab Sa Verfahren zur Herstellung eines transparenten Elements mit unsichtbaren Elektroden
JP2005190768A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Toyota Industries Corp 照明装置
DE102004020245A1 (de) * 2004-04-22 2005-12-22 Schott Ag Organisches, elektro-optisches Element mit erhöhter Auskoppeleffizienz
JP4531469B2 (ja) * 2004-07-15 2010-08-25 株式会社フジクラ 静電容量式近接センサ
JPWO2006057161A1 (ja) * 2004-11-29 2008-06-05 株式会社カネカ 薄膜光電変換装置用基板、及びそれを備えた薄膜光電変換装置
ATE416480T1 (de) * 2005-06-16 2008-12-15 Asulab Sa Herstellungsverfahren für ein transparentes element mit transparenten elektroden und entsprechendes element
US7196262B2 (en) * 2005-06-20 2007-03-27 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices
US7314773B2 (en) * 2005-08-17 2008-01-01 The Trustees Of Princeton University Low resistance thin film organic solar cell electrodes
US9166197B2 (en) * 2005-08-29 2015-10-20 The Hong Kong University Of Science And Technology Metallic anode treated by carbon tetrafluoride plasma for organic light emitting device
CA2623124C (en) * 2005-09-23 2017-07-04 The Governors Of The University Of Alberta C/O University Of Alberta Transparent, conductive film with a large birefringence
US20070103066A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 D Andrade Brian W Stacked OLEDs with a reflective conductive layer
US20070159574A1 (en) * 2006-01-06 2007-07-12 Eastman Kodak Company Common transparent electrode for reduced voltage displays
US20080053518A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-06 Pen-Hsiu Chang Transparent solar cell system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010101399A3 (ko) * 2009-03-04 2010-12-09 Nam Dong Sik 터치패널센서
US8550991B2 (en) 2009-03-04 2013-10-08 Dong Sik Nam Touch panel sensor

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