KR20060128860A - 스퍼터링 타겟재 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Ag 에 특정 소량의 P 를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 Ag기 합금으로 구성된 높은 반사율을 가지며 또한 내열성이 우수한 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
스퍼터링, 타겟, Ag, 박막

Description

스퍼터링 타겟재{SPUTTERING TARGET MATERIAL}
본 발명은 높은 반사율을 유지하면서 내열성을 향상시킨 박막 형성용 스퍼터링 타겟재 및 그 스퍼터링 타겟재를 사용하여 형성된 박막에 관한 것이다.
CD (Compact Disc), DVD (Digital Versatile Disc) 등의 광학 기록 매체에 사용되고 있는 반사막이나, 반사형 STN (Super Twist Nematic) 액정 표시 장치, 유기 EL (Electro luminescence) 표시 장치 등에 사용되고 있는 광반사성 도전막에는 일반적으로 Al 이나 Al 합금이 사용되고 있다.
상기 광학 기록 매체나 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치 등의 용도에 사용되는 광반사성 박막은 일반적으로 원하는 성질을 갖는 스퍼터링 타겟재를 제작하고, 그 스퍼터링 타겟재를 사용하여 RF (고주파) 스퍼터링법이나 DC (직류) 스퍼터링법 등에 의해 막을 형성함으로써 제조되고 있다.
상기 방법으로 제조되는 Al 이나 Al 합금으로 이루어지는 박막은 어느 정도의 반사율을 가지며 또한 전기 저항이 낮고, 더욱이 표층에 부동태 피막을 형성하므로, 공기 중에서도 안정된 내식성을 갖지만, Al 이나 Al 합금으로 이루어지는 박막의 반사율은, 예를 들어 파장이 700㎚ 인 광의 경우 80% 정도이고, 고반사율이 요구되는 용도에 대해서는 충분히 만족스러운 것은 아니다.
따라서, 높은 반사율을 갖는 박막이 요구되는, 예를 들어 CD 나 DVD 로 대표되는 광디스크 매체에는 스퍼터링 타겟재로서 Al 또는 Al 합금 대신에, Au 나 Ag 를 사용하여 박막을 형성하는 것이 제안되어 있고, 또한 반사형 STN 액정 표시 장치에 대해서도 박막 재료로서 반사율이 높은 Ag 를 사용하는 것이 제안되어 있다.
CD 나 DVD 로 대표되는 광디스크 매체, 반사형 STN 액정 표시 장치 등은 사용 조건에서 고온에 노출되는 경우가 있지만, Ag 의 경우, 고온 상태, 예를 들어 200℃ 이상이 되면 막의 응집 등이 일어나 반사율이 저하된다는 문제가 있다.
발명의 개시
본 발명의 주된 목적은 높은 반사율을 유지하면서, 내열성이 개선된 Ag기 합금으로 이루어지는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 이번에 Ag 에 특정 소량의 P 를 첨가하여 합금화하면, Ag 가 갖는 높은 반사율을 유지하면서, 내열성이 현저하게 향상된 Ag기 합금이 얻어지는 것 ; Ag 에 특정 소량의 P 에 더해 추가로 In, Sn, Zn, Au, Pt, Pd 와 같은 금속 원소를 소량 첨가하여 합금화하면, 내열성과 함께 내식성이 향상된 Ag기 합금이 얻어지는 것 ; 그리고, Ag 에 특정 소량의 P 에 더해 추가로 Cu, Ni, Fe, Bi 와 같은 금속 원소를 소량 첨가하여 합금화하면, Ag기 합금의 내열성이 더욱 더 향상되는 것 등을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이렇게 하여 본 발명은 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재를 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 박막 형성용 스퍼터링 타겟재에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는, 기본적으로는 Ag 를 베이스로 하고, 이것에 P 를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 Ag기 합금으로 이루어지는 것이다. P 의 첨가량은 0.005 ∼ 1.0mass%, 바람직하게는 0.01 ∼ 0.75mass%, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 0.5mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 추가로 In, Sn 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 (이하, 「(a) 군의 금속 원소」라고 함) 를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 3 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. (a) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 2.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 1.75mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 1.5mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 또한 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 추가로 Au, Pd 및 Pt 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 (이하, 「(b) 군의 금속 원소」라고 함) 를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 3 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. (b) 군의 금속 원소의 첨가량은, Au 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% ; Pd 는 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% ; 그리고 Pt 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 또한 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 추가로 Cu, Ni, Fe 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 (이하, 「(c) 군의 금속 원소」라고 함) 를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 3 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. (c) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 추가로 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 (a) 군의 금속 원소와 (b) 군의 금속 원소의 양자를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 4 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. 이 4 원계 Ag기 합금에 있어서, (a) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 2.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 1.75mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 1.5mass% 의 범위내로 할 수 있고, (b) 군의 금속 원소의 첨가량은, Au 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% ; Pd 는 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% ; 그리고 Pt 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 추가로 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 (a) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소의 양자를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 4 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. 이 4 원계 Ag기 합금에 있어서, (a) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 2.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 1.75mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 1.5mass% 의 범위내로 할 수 있고, 또한 (c) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 추가로 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 (b) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소의 양자를 첨가하고 합금화하여 이루어지는 4 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. 이 4 원계 Ag기 합금에 있어서, (b) 군의 금속 원소의 첨가량은, Au 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% ; Pd 는 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% ; 그리고 Pt 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% 의 범위내로 할 수 있고, 또한 (c) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타겟재는 추가로 상기 Ag-P 2 원계 합금 성분에 (a) 군의 금속 원소와 (b) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소의 3 성분을 첨가하고 합금화하여 이루어지는 5 원계 Ag기 합금으로 이루어질 수도 있다. 이 5 원계 Ag기 합금에 있어서, (a) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 2.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 1.75mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 1.5mass% 의 범위내로 할 수 있고, (b) 군의 금속 원소의 첨가량은, Au 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% ; Pd 는 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% ; 그리고 Pt 는 0.01 ∼ 0.9mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.85mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8mass% 의 범위내로 할 수 있고, 또한 (c) 군의 금속 원소의 첨가량은 각각 0.01 ∼ 5.0mass%, 바람직하게는 0.05 ∼ 3.5mass%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 2.0mass% 의 범위내로 할 수 있다.
본 발명에 따른 Ag기 합금은 그 자체 이미 알려진 방법에 따라, 예를 들어 Ag 에 P, 또는 Ag 와 P 에 (a) 군의 금속 원소, 또는 Ag 와 P 에 (b) 군의 금속 원소, 또는 Ag 와 P 에 (c) 군의 금속 원소, 또는 Ag 와 P 에 (a) 군의 금속 원소와 (b) 군의 금속 원소, 또는 Ag 와 P 에 (a) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소, 또는 Ag 와 P 에 (b) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소, 또는 Ag 와 P 에 (a) 군의 금속 원소와 (b) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소를 각각 상기 양으로 첨가하고, 가스로, 고주파 용해로 등의 적당한 금속 용해로 내에서 약 1000 ∼ 약 1200℃ 의 온도에서 용융함으로써 제조할 수 있다. 용해시의 분위기로는 공기, 또는 필요에 따라 불활성 가스 분위기 또는 진공을 사용할 수 있다.
사용되는 주원료인 Ag 는 입상, 판상, 괴상 등의 형태로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있고, 통상 순도가 99.95% 이상, 바람직하게는 99.99% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 첨가 원소인 P, In, Sn, Zn, Au, Pd, Pt, Cu, Ni, Fe, Bi 는 분말상, 입상, 판상, 괴상 등의 형태로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있고, 통상 순도가 99.9% 이상, 바람직하게는 99.95% 이상인 것이 바람직하다.
이렇게 하여 Ag 중에 P, 또는 Ag 중에 P 와 (a) 군의 금속 원소, 또는 Ag 중에 P 와 (b) 군의 금속 원소, 또는 Ag 중에 P 와 (c) 군의 금속 원소, 또는 Ag 중에 P 와 (a) 군의 금속 원소와 (b) 군의 금속 원소, 또는 Ag 중에 P 와 (a) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소, 또는 Ag 중에 P 와 (b) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소, 또는 Ag 중에 P 와 (a) 군의 금속 원소와 (b) 군의 금속 원소와 (c) 군의 금속 원소를 상기 비율로 함유하는 2 내지 5 원계 Ag기 합금이 얻어진다. 이들 Ag기 합금으로 구성되는 스퍼터링 타겟재는 Ag 가 본래 갖는 높은 반사율을 유지하고 있고, 더욱이 내열성이 종래의 Ag 에 비해 훨씬 향상되어 있다.
따라서, 본 발명의 Ag기 합금으로 구성되는 스퍼터링 타겟재는 고반사율이 요구되는 CD 나 DVD 로 대표되는 광디스크 매체의 반사막용으로서, 또한 반사형 STN 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등의 광반사성 박막용으로서 유리하게 사용할 수 있다.
또한, CD 나 DVD 로 대표되는 광디스크 매체 및 반사형 STN 액정 표시나 유기 EL 표시 장치에서는, 사용 조건 하에서는 내식성이 요구된다.
내황화성이나 할로겐 원소에 대한 내식성에 대하여 Ag-P 2 원계 합금은 Ag 와 동등한 정도이지만, Ag-P 2 원계 합금에 (a) 군의 금속 원소 및/또는 (b) 군의 금속 원소를 첨가하면, 내식성이 Ag 에 비해 향상되는 것이 실험에 의해 확인되어 있다.
본 발명의 Ag기 합금으로 구성되는 스퍼터링 타겟재로부터의 반사막의 형성은 그 자체 이미 알려진 스퍼터링법, 예를 들어 고주파 (RF) 스퍼터링법, 직류 (DC) 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법 등에 의해 실시할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.
실시예 1-1 ∼ 1-14 및 비교예 1-1 ∼ 1-3
Ag 및 P 에 경우에 따라 In, Sn, Zn, Au, Pd, Pt, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중 적어도 1 종을 첨가하고, 가스로 내에서 약 1200℃ 의 온도로 가열하여 용융한 후, 주조 가공하여 표 1 에 나타내는 조성의 스퍼터링 타겟재를 제작하였다. 또한, 표 1 에 나타내는 조성의 비교예에 대해서도 동일하게 하여 스퍼터링 타겟재를 제작하였다.
Figure 112006025287329-PCT00001
내열성을 조사하기 위해, 표 1 에 나타내는 조성의 스퍼터링 타겟재를 사용하고, 유리 기판 상에 막두께 150㎚ 가 되도록 고주파 (RF) 스퍼터링법에 의해 막을 형성하고, 그 막의 내열성을 조사하였다.
조사 방법으로는 박막의 반사율을 측정한 후, 대기 중에서 200℃, 1 시간 열처리하여 다시 반사율을 측정하고, 열처리 전후의 반사율의 변화율을 하기 계산식에 의해 산출하였다.
변화율 (%) = 100 - (시험후의 반사율/시험전의 반사율 × 100)
그 결과를 표 2 에 나타낸다.
Figure 112006025287329-PCT00002
표 2 로부터, 측정 파장이 700㎚ 에서는 각 시료 모두 반사율의 변화율에 거의 차이가 보이지 않았는데, 측정 파장이 400㎚ 인 경우, 비교예 1-1 ∼ 1-3 에서는 반사율이 저하되고 있는 반면, 실시예 1-1 ∼ 1-14 에서는 반사율의 저하가 거의 없어 내열성이 우수한 것을 알 수 있다.
또한, 내열성을 조사하기 위해, 상기와 동일하게 하여 제작한 박막을 대기 중에서 250℃, 1 시간 열처리하고, 상기와 동일하게 하여 열처리 전후의 반사율의 변화율을 구하였다. 그 결과를 표 3 에 나타낸다.
Figure 112006025287329-PCT00003
표 3 으로부터, 측정 파장이 700㎚ 에서는 각 시료 모두 반사율의 변화율에 거의 차이는 보이지 않았는데, 측정 파장이 400㎚ 인 경우, 실시예 1-1 ∼ 1-14 의 박막은 비교예 1-1 ∼ 1-3 의 것과 비교하여 반사율의 저하가 억제되어 있어 내열성이 훨씬 우수한 것을 알 수 있다.
실시예 2-1 ∼ 2-5 및 비교예 2-1 ∼ 2-2
실제의 사용 환경 하에서는 내식성, 특히 내황화성의 향상이 요구되는 경우가 있다. 그래서, 상기 실시예에서와 동일하게 하여 하기 표 4 에 나타내는 조성의 스퍼터링 타겟재를 제작하고, 그 내황화성을 조사하였다.
그 조사 방법으로는 상기 스퍼터링 타겟재를 사용하고, 유리 기판 상에 막두께 150㎚ 가 되도록 고주파 (RF) 스퍼터링법에 의해 막을 형성하고, 박막의 반사율을 측정한 후, 그 박막을 0.01% 황화 나트륨 (Na2S) 수용액 중에 1 시간 침지하고, 다시 반사율을 측정하고, 침지 전후의 박막의 반사율의 변화율을 하기 계산식에 의해 산출하였다.
변화율 (%) = 100 - (시험후의 반사율/시험전의 반사율 × 100)
그 결과를 표 5 에 나타낸다.
Figure 112006025287329-PCT00004
Figure 112006025287329-PCT00005
표 5 로부터, In, Sn, Zn 등을 첨가한 실시예 2-1 ∼ 2-5 의 박막은 비교예 2-1 ∼ 2-2 의 것과 비교하여 반사율의 저하가 억제되어 있어 내황화성이 우수한 것을 알 수 있다.
실시예 3-1 ∼ 3-2 및 비교예 3-1
또한, 실제의 사용 환경 하에서는 내염소성의 향상이 요구되는 경우도 있기 때문에, 내염소성에 대한 조사도 행하였다.
조사 방법으로는 표 6 에 나타내는 조성의 스퍼터링 타겟재를 제작하고, 그 스퍼터링 타겟재를 사용하고, 유리 기판 상에 막두께 150㎚ 가 되도록 고주파 (RF) 스퍼터링법에 의해 막을 형성하고, 그 박막의 반사율을 측정한 후, 3% 염화 나트륨 (NaCl) 수용액 중에 10 분 침지하고, 다시 반사율을 측정하고, 침지 전후의 박막의 반사율의 변화율을 하기 계산식에 의해 산출하였다.
변화율 (%) = 100 - (시험후의 반사율/시험전의 반사율 × 100)
그 결과를 표 7 에 나타낸다.
Figure 112006025287329-PCT00006
Figure 112006025287329-PCT00007
표 7 로부터, Au, Pd 등을 첨가한 실시예 3-1 ∼ 3-2 의 박막은 비교예 3-1 의 것과 비교하여 반사율의 저하가 억제되어 있어 내염소성이 우수한 것을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  2. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  3. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  4. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  5. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성 되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  6. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  7. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  8. 0.005 ∼ 1.0mass% 의 P 와, In, Sn 및 Zn 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 2.0mass% 와, 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Au 및/또는 0.01 ∼ 5.0mass% 의 Pd 및/또는 0.01 ∼ 0.9mass% 의 Pt 와, Cu, Ni, Fe 및 Bi 중에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 원소 0.01 ∼ 5.0mass% 를 함유하는 Ag기 합금으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 고반사율을 갖는 박막 형성용 스퍼터링 타겟재.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 Ag기 합금으로 이루어지는 박막.
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