KR20060125277A - 전자부품의 내부전극 재료 - Google Patents

전자부품의 내부전극 재료 Download PDF

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KR20060125277A
KR20060125277A KR1020050047232A KR20050047232A KR20060125277A KR 20060125277 A KR20060125277 A KR 20060125277A KR 1020050047232 A KR1020050047232 A KR 1020050047232A KR 20050047232 A KR20050047232 A KR 20050047232A KR 20060125277 A KR20060125277 A KR 20060125277A
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Abstract

본 발명은 전자부품의 내부전극 재료에 관한 것으로서, 1000℃ 이상의 소성 온도에서도 내부전극의 열적 안정성을 확보하고, 이로 인해 내부전극의 끊김 현상 등을 방지함으로써 전자부품의 특성을 향상시키는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 전자부품의 내부전극 재료는, 유전체 시트 상에, 70 내지 99 wt%의 Ni과, 1 내지 30 wt%의 Al, Cr 및 Co로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 합금 원소로 조성된 Ni계 합금층으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
내부전극, 박막, Ni, 합금

Description

전자부품의 내부전극 재료{Material for inner electrode of electronic component}
도 1a 및 도 1b는 순수 Ni 재질의 내부전극과 본 발명에 따른 Ni계 합금 재질의 내부전극을 1150℃에서 소성한 후의 단면을 비교하기 위한 사진.
본 발명은 전자부품의 내부전극 재료에 관한 것으로서, 특히 1000℃ 이상의 소성 온도에서 내부전극의 끊김 현상 등을 억제해서 전자부품의 특성을 향상시킬 수 있는 전자부품의 내부전극 재료에 관한 것이다.
적층 세라믹 콘덴서(multi layer ceramic capacitor: MLCC), 칩인덕터, 저온 동시소성 세라믹(low temperature co-fired ceramic: LTCC) 등의 전자부품은, 통상적으로, 적층시 각각의 층에 해당하는 유전체 시트 상에 내부전극을 형성하고, 상기 내부전극이 형성된 유전체 시트를 라미네이션(lamination) 작업에 의하여 각 해당 층에 적절하게 적층시켜 적층체를 형성한 후, 이 적층체에 소성 처리를 실시하는 과정을 거쳐 형성된다. 여기서, 상기 내부전극의 재료로서 Ni, Cu, Ag, Au 및 Pd 등의 금속이 사용되고 있다. 이러한 금속들 중에서 상기 Ni은 Cu에 비해서 고 온 소결성이 우수하고, Pd에 비해서 가격이 저렴하기 때문에 내부전극 재료로서의 사용 비중이 매우 높다.
종래기술에 따른 내부전극은 내부전극 인쇄용 페이스트(paste)를 유전체 시트에 스크린 인쇄하여 제조한다. 상기 내부전극 인쇄용 페이스트는 보통 Ni 분말과 같은 금속 분말, 무기 산화물 분말, 바인더(binder) 및 솔벤트(solvent) 등을 서로 혼합하여 제조한다. 여기서, 상기 무기 산화물 분말은 소성 처리 과정에서 내부전극의 열적 안정성을 유지하기 위하여, 예컨대 소성 처리 과정에서의 세라믹과 금속과의 수축율 차이로 인해 소결체에 크랙(crack) 등이 발생하는 것을 방지하기 위하여 첨가된다.
그러나, 전술한 바와 같은 페이스트를 이용한 종래기술에 따른 전자부품의 내부전극에 의하면, 내부전극 재료로 사용되는 상기 Ni 분말이 350℃ 부근에서 산화가 개시되어 1000℃가 넘는 소성 온도에서 Ni 소결체를 형성함으로써, 전극 끊김 및 전극을 구성하는 금속 입자들의 뭉침 현상 등을 유발하게 된다. 이러한 전극 끊김 현상은 칩의 정전용량을 감소시키고, 금속 입자 뭉침 현상은 세라믹 유전체 층의 두께를 감소시켜 전자부품의 내전압성 및 절연저항특성 등을 저하시키는 문제점이 있었다.
또한, 전자부품 성능의 고용량 및 초소형화가 진행되면서 유전체 시트의 두께가 감소함에 따라, 1 ㎛ 이하의 두께를 갖는 내부전극이 요구되고 있다. 그러나, 이러한 범위의 두께를 갖는 내부전극은 기존의 스크린 인쇄법에 의해 제조될 경우 그 두께의 균일성이 떨어지고, 나아가 0.5 ㎛ 이하의 두께를 갖는 내부전극은 인쇄용 스크린 제작 기술의 한계로 그 제조가 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 1000℃ 이상의 소성 온도에서 내부전극의 끊김 현상과 내부전극을 구성하는 금속 입자들의 뭉침 현상 등을 억제함으로써, 칩의 정전용량이 감소되는 것을 막고 전자부품의 내전압성 및 절연저항특성 등이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 내부전극을 1 ㎛ 이하로 박막화할 수 있는 전자부품의 내부전극 재료를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 전자부품의 내부전극 재료는,
유전체 시트 상에, 70 내지 99 wt%의 Ni과, 1 내지 30 wt%의 Al, Cr 및 Co로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 합금 원소로 조성된 Ni계 합금층으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 합금 원소가 Al인 경우, 상기 Ni계 합금층 중에 Ag, Au, B, Co, Cr, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 합금 원소가 Cr인 경우, 상기 Ni계 합금층 중에 Al, Ag, Au, B, Co, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 합금 원소가 Co인 경우, 상기 Ni계 합금층 중에 Al, Ag, Au, B, Cr, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 합금 원소가 Co인 경우, 바람직하게는 1 내지 10 wt%의 범위로 조성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
[Ni계 합금층으로 형성된 내부전극]
실시예 1
본 발명에 있어서의 전자부품의 내부전극 재료는, 70 내지 99 wt%의 Ni과, 1 내지 30 wt%의 Al로 조성된 NiAl 합금층으로 이루어진다.
일반적으로 순수한 Ni에 다른 금속들을 첨가하면 녹는점이 내려간다. 녹는점이 낮을수록 액상이 생기기 쉽고, 확산이 활성화되면서 입자 성장이 쉽게 이루어질 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같이 70 내지 99 wt%의 Ni과, 1 내지 30 wt%의 Al 조성으로 NiAl 합금층을 형성하게 되면, 금속간 화합물(inter-metallic compound)인 δ상이 형성되어 순수한 Ni 금속보다 약 200℃ 정도 높은 녹는점을 갖게 된다. 상기와 같이 녹는점이 높아지면 열에 대한 저항성이 증가하고, 입자들이 확산을 하기 위한 활성화 에너지가 증가하는 등 그 열적 안정성이 우수해진다. 이때, 상기 Al이 30 wt%를 초과하여 과잉 첨가될 경우, NiAl 합금의 녹는점이 내려가게 되어 NiAl 합금층의 열적 안정성이 저하될 수 있으므로, 상기와 같은 범위로 첨가하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 금속간 화합물은 합금 속에서 Ni 입자와 Al 입자가 강하게 결합하는 구조이기 때문에, Ni 및 Al 입자의 확산을 저지하는 효과가 다른 합금에 비해서 매우 크다는 장점을 갖고 있다. 따라서 1000℃ 이상의 소성 온도에서 내부전극을 구성하고 있는 입자들의 확산에 따른 전극의 결함 발생을 줄일 수 있으며, 균일한 두께의 전극을 제조할 수 있다.
또한, 상기 NiAl 합금층의 상기 Al은 산화분위기에서 표면에 알루미나를 형성하여 칩의 절연저항을 높이는 기능을 가지고 있어, 칩 소성 분위기의 설정 시 내부전극의 산화를 막기 위한 환원성 분위기로부터 벗어나 유전체층의 소결에 적합한 소결 분위기를 설정할 수 있도록 해준다.
여기서, 상기 NiAl 합금층에는 열적 안정성을 더욱 향상시키기 위하여 Ag, Au, B, Co, Cr, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가될 수도 있다. 이때, 상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것이 바람직하다. 단, 상기 첨가 원소가 10 wt%를 초과하여 과잉으로 첨가될 경우 인성, 강도 및 가공성 등을 손상시킬 수 있으므로 10 wt% 이하의 범위로 첨가되는 것이 바람직하다.
상기 NiAl 합금층에 첨가되는 상기 첨가 원소는 결정립계에 석출물을 형성하여 고온에서의 결정립 성장을 막아주거나(Zr, Hf, B 등), Ni과 금속간 화합물을 형성하여 확산을 억제하거나(Zn, Ti, Ta, Nb, V 등), 고용강화에 기여하거나(Cr, Co, Mn, Si, W, Mo, Mg 등), 또는 표면에 산화피막을 형성하여 산소와 Ni의 확산을 억제하여 소결 과정에서 전극이 산화되는 것을 방지하는(Cr 등) 등의 작용을 함으로써, NiAl 합금층의 열적 안정성을 더욱 향상시킨다.
실시예 2
본 발명에 있어서의 전자부품의 내부전극 재료는, 상기 NiAl 합금층에 포함되는 상기 Al 대신에, 고용에 의한 확산 저지 효과를 얻을 수 있는 Cr 또는 Co를 사용할 수도 있다. 즉, 내부전극 재료로서 상기 NiAl 합금층 뿐만 아니라, NiCr 또는 NiCo 합금층 등이 사용될 수 있으며, 이러한 Ni계 합금층을 사용할 경우에도 상기 NiAl 합금층을 사용할 때와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이때, 상기 NiCr 및 NiCo 합금층은 상기 NiAl 합금층과 마찬가지로, Ni이 70 내지 99 wt%, Cr 또는 Co가 1 내지 30 wt%의 조성으로 이루어진다.
특히, 상기 Cr은 이종 원소로서 Ni의 확산을 억제할 뿐만 아니라, 표면에 치밀한 산화피막을 형성하여 Ni과 산소의 확산을 방해함으로써 산화로부터 내부전극을 보호한다. 그리고, 상기 Co는 주로 오스테나이트 상을 안정적으로 형성해서 전극의 열적 안정성을 향상시켜주는데, 단 10 wt%를 초과하여 과잉으로 첨가될 경우 인성 및 가공성을 손상시킬 수 있으므로, 10 wt% 이하의 범위로 첨가되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 Al 대신에 Cr이 사용될 경우에는, 상기 NiCr 합금층 중에 Al, Ag, Au, B, Co, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가될 수도 있다.
그리고, 상기 Al 대신에 Co가 사용될 경우에는, 상기 NiCo 합금층 중에 Al, Ag, Au, B, Cr, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가될 수 있다.
이때, 상기 NiCr 및 NiCo 합금층에 추가적으로 첨가되는 상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것이 바람직하다. 이러한 첨가 원소는 상술한 바와 같이, 결정립계에 석출물을 형성하여 고온에서의 결정립 성장을 막아주거나(Zr, Hf, B 등), Ni과 금속간 화합물을 형성하여 확산을 억제하거나(Al, Zn, Ti, Ta, Nb, V 등), 고용강화에 기여하거나(Cr, Co, Mn, Si, W, Mo, Mg 등), 또는 표면 에 산화피막을 형성하여 산소와 Ni의 확산을 억제하여 소결 과정에서 전극이 산화되는 것을 방지해준다(Cr 등).
이상에서와 같이 Ni에 Al, Cr 및 Co 등의 여러가지 합금 원소를 첨가할 수 있는 것은, Ni이 합금화될 때에 상분리를 일으키지 않으면서 합금을 형성하는 안정성이 우수하기 때문이다.
한편, 상술한 바와 같은 내부전극을 Ni 및 Al 등의 합금으로 형성하지 않고, 순수 Ni만으로도 형성할 수도 있다. 그러나, 순수 Ni만으로 내부전극이 이루어질 경우, 고온소성에 매우 취약한 특성을 나타낸다.
즉, 종래에 사용되는 내부전극 인쇄용 페이스트에는, 전술한 바와 같이 소성 처리 과정에서 내부전극의 열적 안정성을 유지하기 위하여 무기 산화물 분말을 공재로 첨가하였지만, 상기 순수 Ni을 내부전극 재료로 사용할 경우, 무기 산화물 분말을 첨가하기 어려울 뿐만 아니라, 첨가할 수 있어도 공정 제어가 어려워서 내부전극의 열적 안정성을 확보하기가 어렵다. 따라서, 본 발명에서는 무기 산화물 분말을 포함하지 않으면서도 내부전극의 열적 안정성을 확보하기 위하여, 고용강화 및 석출강화 기구를 전극에 실현할 수 있는 합금 원소들을 Ni에 첨가하여 내부전극 재료로서 이용한 것이다.
여기서, 도 1a 및 도 1b는 순수 Ni 재질의 내부전극과 본 발명에 따른 Ni계 합금 재질의 내부전극을 1150℃에서 소성한 후의 단면을 비교하기 위한 사진으로서, 도 1a는 순수 Ni 재질의 내부전극을 소성한 후의 단면을 나타내는 사진이고, 도 1b는 본 발명에 따른 NiCr 합금 재질의 내부전극을 소성한 후의 단면을 나타내는 사진이다.
도 1a로부터, 순수 Ni 재질의 내부전극은 1150℃의 소성 온도에서 금속 입자들의 확산에 의해 전극 끊김 현상이 발생함을 알 수 있다. 또한, 내부전극의 두께가 전체적으로 균일하지 못하며, 전극간의 거리도 불균일함을 알 수 있다.
이와 달리, 본 발명에 따른 NiCr 합금 재질의 내부전극은, 도 1b에 도시한 바와 같이, 전극의 끊어짐이 없이 전극층의 기본 형상을 잘 유지하고 있으며, 금속 입자들의 확산이 억제되어 전체적인 두께도 균일하다. 이때, 도 1b에 도시한 내부전극은 80 내지 85 wt% 정도의 Ni과, 15 내지 20 wt% 정도의 Cr 조성으로 이루어진 NiCr 합금층으로서, 소성 처리 과정을 거쳐서 최종적으로 500 내지 600 ㎚ 정도의 두께로 형성되었음을 알 수 있다.
[Ni계 합금층을 이용하여 박막의 내부전극을 형성하는 방법]
본 발명에 따른 내부전극은 상술한 바와 같은 Ni계 합금층을 박막 제조법 등으로 형성할 수 있다. 상기 박막 제조법이란 박막 증착(thin film deposition) 및 사진 식각(photolithography) 기술을 이용하여 원하는 형상의 패턴을 형성하는 일련의 과정을 말한다. 여기서, 상기 박막 증착의 방법으로서 스퍼터링법, 진공증착법, 도금법 및 화학기상증착법 등으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나가 이용될 수 있다.
상기 스퍼터링법은 금속이나 화합물의 타겟에, 통상 Ar 가스인 스퍼터 가스 의 이온을 충돌시켜 기계적인 운동량의 전달에 따라 타겟 구성원소를 방출시키고 방출된 입자가 기판에 퇴적되도록 하여 막을 형성하는 방법으로서, 박막의 미세조직 및 성분의 조절이 용이하고 양산성이 우수하다는 장점을 가지고 있다.
그리고, 상기 진공증착법은 진공중에서 박막을 만드려는 물질을 가열하여 증발시켜 그 증기를 적당한 면 위에 부착시키는 방법으로서 증발의 과정이 열교환 과정이다. 진공중에서 물질을 가열하는 방법에는 저항가열법 및 전자충격법 등이 있다. 상기 저항가열법은 고융점의 금속(W, Mo, Ta 등)의 박 또는 선을 적당한 형상으로 만든 증발원에 증착 재료를 놓고, 전류를 흘려 직접가열하여 물질을 증발시키는 방법과 고융점 산화물인 Al2O3와 BeO와 같은 도가니 주변에 열선을 감아서 간접적으로 가열하는 방식이 있다. 그리고, 상기 전자충격법은 증착 재료에 전자선을 조사해서 가열 및 증발시킨다. 이는 전자선의 집속에 의해 국부적인 고온을 얻을 수 있어 고순도의 박막 형성이 가능하고, 고융점 금속을 포함한 모든 재료에 적용할 수 있다.
그리고, 상기 도금법에는 무전해도금법 및 전해도금법이 있는데, 이 중에서 상기 전해도금법은 성장속도가 빠를 뿐만 아니라 양호한 막질을 얻을 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 화학기상증착법은 기체상태의 화합물을 가열된 모재표면에서 반응시키고 생성물을 모재표면에 증착시키는 방법이다. 이는 융점이 높아서 제조하기 어려운 재료를 융점보다 낮은 온도에서 용이하게 제조할 수 있고, 순도가 높으 며, 대량생산이 가능하고 여러가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능하며 공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 우수한 장점을 갖고 있다.
이러한 박막 제조법을 이용함으로써, 외부의 오염물질 없이 내부전극을 구성하는 순수한 금속 재료로 수 ㎚의 정밀도를 유지하면서 원하는 두께, 바람직하게는 5 내지 1,000 ㎚의 두께를 갖는 박막의 내부전극을 형성할 수 있다.
상기 박막 제조법을 이용하여 내부전극을 형성하는 방법은 다음과 같다.
먼저, 유전체 시트 상에 상술한 바와 같은 NiAl, NiCr 및 NiCo 등의 Ni계 합금층을 증착한다. 이때 상기 Ni계 합금층은 상술한 바와 같은 스퍼터링법, 진공증착법, 도금법 및 화학기상증착법 등으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 이용하여 증착한다.
그런 다음, 상기 Ni계 합금층 상에 감광막을 도포한 후, 상기 감광막을 선택적으로 노광 및 현상하여 내부전극 형성영역을 한정하는 감광막 패턴을 형성한다.
다음으로, 상기 감광막 패턴을 식각 장벽으로 이용하여 상기 Ni계 합금층을 식각하여 내부전극을 형성한다.
그런후에, 식각후 잔류된 감광막 패턴을 제거한다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 특허청구범위에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함되는 것으로 보아야 할 것이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 전자부품의 내부전극 재료에 의하면, 고용강화 및 석출강화 기구 등을 전극에 실현할 수 있는 합금 원소들을 Ni에 첨가함으로써, 1000℃ 이상의 소성 온도에서 내부전극이 끊기는 것을 막아 칩의 정전용량이 감소되는 것을 방지할 수 있고, 상기 내부전극을 구성하는 금속 입자들이 성장하거나 뭉치는 것을 억제하여 전자부품의 내전압성 및 절연저항특성 등이 저하되는 것을 막을 수 있다. 다시 말해서, 본 발명은 내부전극의 열적 안정성을 확보하여 전자부품의 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, Ni계 합금층으로 이루어진 내부전극을 박막 제조법 등으로 형성함으로써, 내부전극을 구성하는 순수한 금속 재료로 수 ㎚의 정밀도 및 두께의 균일성을 유지하면서 1 ㎛ 이하로 박막화할 수 있다.

Claims (8)

  1. 유전체 시트 상에, 70 내지 99 wt%의 Ni과, 1 내지 30 wt%의 Al, Cr 및 Co로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 합금 원소로 조성된 Ni계 합금층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 합금 원소가 Al인 경우, 상기 Ni계 합금층 중에 Ag, Au, B, Co, Cr, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 합금 원소가 Cr인 경우, 상기 Ni계 합금층 중에 Al, Ag, Au, B, Co, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추 가적으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 합금 원소가 Co인 경우, 상기 Ni계 합금층 중에 Al, Ag, Au, B, Cr, Cu, Fe, Hf, Ir, Mg, Nb, Nd, Mn, Mo, Si, Sm, Sn, P, Pt, Pd, Rh, Ru, Tb, Ti, Ta, V, W, Y, Zn 및 Zr로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 첨가 원소가 추가적으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 합금 원소가 Co인 경우, 바람직하게는 1 내지 10 wt%의 범위로 조성되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 첨가 원소는 1 내지 10 wt%의 조성으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 내부전극 재료.
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