KR20060121480A - 액정 표시 장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR20060121480A
KR20060121480A KR1020050043689A KR20050043689A KR20060121480A KR 20060121480 A KR20060121480 A KR 20060121480A KR 1020050043689 A KR1020050043689 A KR 1020050043689A KR 20050043689 A KR20050043689 A KR 20050043689A KR 20060121480 A KR20060121480 A KR 20060121480A
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 라벨 패턴이 차지하는 면적을 줄여 기판의 크기를 소형화할 수 있는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화상을 구현하는 화상 표시 영역과, 상기 화상 표시 영역과 인접되게 위치하는 비표시 영역을 포함하며, 상기 비표시 영역의 각 더미 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 더미 화소 영역에 형성된 더미 화소 전극과; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 접속된 더미 박막트랜지스터와; 상기 더미 화소 영역과 중첩되게 형성되는 라벨 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치 및 이의 제조방법{Liquid Crystal Display And Method of Fabricating The Same}
도 1은 본 발명에 따른 폴리-실리콘을 이용한 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 비표시 영역의 더미 액정셀과 더미 박막트랜지스터를 부분적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 비표시 영역을 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단하여 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3에 도시된 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 평면도 및 단면도들이다.
< 도면의 주요부분에 대한 설명>
101 : 기판 102 : 게이트 라인
104 : 데이터 라인 106 : 게이트 전극
108 : 소스 전극 110 : 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 114 : 액티브층
116 : 버퍼층 118 : 보호막
122 : 화소 전극 120,124S,124D : 콘택홀
126 : 층간 절연막 130 : 박막 트랜지스터
170 : 구동 회로 영역 172 : 비표시 영역
174 : 화상 표시 영역
본 발명은 폴리-실리콘을 이용한 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 라벨 패턴이 차지하는 면적을 줄여 기판의 크기를 소형화할 수 있는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
통상, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정 패널에 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들 각각이 비디오 신호에 따라 광투과율을 조절하게 함으로써 화상을 표시하게 된다.
액정셀들 각각에는 비디오 신호를 독립적으로 공급하기 위한 스위치 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 이용된다. 이러한 TFT의 액티브층으로는 아몰퍼스-실리콘(Amorphous-Si) 또는 폴리-실리콘(Poly-Si)이 이용된다. 여기서, 폴리-실리콘을 이용하는 경우 아몰퍼스-실리콘 보다 전하 이동도가 약 100배 정도 빠름에 따라 높은 응답 속도를 필요로 하는 구동 회로를 액정 패널에 내장 할 수 있게 한다.
이러한 폴리-실리콘을 이용하는 액정 표시 장치는 액정셀 매트릭스를 포함하는 화상 표시 영역, 화상 표시 영역의 신호라인을 구동하기 위한 구동 회로 영역을 구비한다. 그리고, 화상 표시 영역과 구동 회로 영역 사이에는 화상 표시 영역으로 확산되는 패널 불량을 방지하는 비표시 영역과, 라벨 패턴이 형성되는 라벨 영역이 형성된다.
여기서, 라벨 패턴은 구동 회로 영역에 형성되는 구동회로, 예를 들어 데이터 드라이버와 데이터라인들 사이에 접속된 멀티플렉서를 화상 표시 영역의 신호라인과 연결하는 경우, 구동회로와 중첩되는 것을 방지하기 위해 별도의 라벨 영역에 형성된다. 이 라벨 패턴은 불량 검출 및 분석을 용이하기 위해서 각 신호라인을 인식할 수 있도록 한다. 그러나, 라벨패턴이 기판 상에 형성되는 만큼 액정 표시 패널의 기판의 크기를 소형화할 수 없는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 라벨 패턴의 크기를 줄이거나 라벨 패턴을 삭제하는 방안이 제안되었다. 그러나, 라벨 패턴의 크기를 줄이게 되면 현미경으로 라벨 패턴 또는 신호라인을 검출하여야 하므로 작업자에게 부담을 주게 된다. 또한, 라벨 패턴을 삭제하게 되면 라벨 패턴이 주는 편의성을 얻지 못하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 라벨 패턴이 차지하는 면적을 줄여 기판의 크기를 소형화할 수 있는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화상을 구현하는 화상 표시 영역과, 상기 화상 표시 영역과 인접되게 위치하는 비표시 영역을 포함하며, 상기 비표시 영역의 각 더미 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과; 상기 더미 화소 영역에 형성된 더미 화소 전극과; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 접속된 더미 박막트랜지스터와; 상기 더미 화소 영역과 중첩되게 형성되는 라벨 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 더미 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인과 접속된 게이트 전극과; 상기 데이터 라인과 접속된 소스 전극과; 상기 화소 전극과 접속된 드레인 전극과; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 폴리형 액티브층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 라벨 패턴은 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 액티브층 중 적어도 어느 하나와 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 기판 상의 화상 표시 영역에 위치하는 다수의 제1 액정셀과; 상기 기판 상의 비표시 영역에 위치하여 상기 제1 액정셀로 유입되는 불량을 차단하는 다수의 제2 액정셀과; 상기 제2 액정셀 내에 형성되는 라벨 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 액정 표시 장치는 상기 제2 액정셀과 접속된 더미 박막트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 라벨 패턴은 상기 더미 박막트랜지스터의 액티브층, 게이트 전극 및 소스 전극 중 적어도 어느 하나와 동일 평면 상에 동일 금속으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 액티브층은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 액정 표시 장치는 상기 기판 상에 내장되며 상기 화상 표시 영역의 신호라인을 구동하기 위한 구동회로부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 기판 상의 화상 표시 영역에 위치하는 다수의 제1 액정셀, 상기 기판 상의 비표시 영역에 위치하여 상기 제1 액정셀로 유입되는 불량을 차단하는 다수의 제2 액정셀을 포함하는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조방법은 상기 제2 액정셀 내에 라벨 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 액정 표시 장치의 제조방법은 상기 제2 액정셀과 접속되는 더미 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 라벨 패턴을 형성하는 단계는 상기 라벨 패턴을 상기 더미 박막트랜지스터의 액티브층, 게이트 전극 및 소스 전극 중 적어도 어느 하나와 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 액티브층은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 화상 표시 영역의 신호라인을 구동하기 위한 구동회로부를 상기 기판 상에 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 4f를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 액정셀 매트릭스를 포함하는 화상 표시 영역(174), 화상 표시 영역(174)의 신호라인(102,104)을 구동하기 위한 구동 회로 영역(170)과, 화상 표시부(174)와 구동 회로 영역(170) 사이에 위치하는 비표시 영역(172)을 구비한다.
구동 회로 영역(170)은 데이터 라인(104)을 구동하기 위한 데이터 드라이버 및 화상 표시부(174)의 게이트 라인(102)을 구동하기 위한 게이트 드라이버를 포함한다.
게이트 드라이버는 게이트 라인(102)을 순차적으로 구동한다. 데이터 드라이버는 게이트 라인(102)이 구동될 때마다 데이터 라인(104)에 비디오 신호를 공급한다.
화상 표시 영역(174)은 액정셀들(Clc)이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시한다. 액정셀들(Clc) 각각은 게이트 라인(102) 및 데이터 라인(104)과 접속된 화상 TFT(176)를 구비한다. 화상 TFT(176)는 게이트 라인(102)의 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(104)으로부터의 비디오 신호를 액정셀(Clc)에 충전한다. 액정 셀(Clc)은 충전된 비디오 신호에 의해 유전 이방성을 갖는 액정이 반응하여 광투과율을 제어함으로써 계조를 구현한다.
비표시 영역(172)은 화상 표시 영역(174)으로 유입되는 정전기를 차단함과 아울러 기판의 코너부터 밝게 보여 화상 표시 영역(174)으로 확산되는 코너 화이트(Corner White) 불량을 차단하게 된다. 이를 위해, 비표시 영역(172)은 더미 액정셀들과, 그 더미 액정셀의 화소영역에 위치하는 라벨 패턴(140)을 구비한다. 더미 액정셀들은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 더미 TFT(130)와, 그 더미 TFT(130)와 접속된 더미 화소전극(122)을 구비한다.
더미 TFT(130)는 공정의 편의성을 위해 화상 표시 영역(174)에 위치하는 화상 TFT(176)와 동일 평면 상에 동일 구조로 형성된다. 또한, 더미 TFT(130)는 N형 또는 P형으로 형성되지만, 이하에서는 N형으로 형성된 경우만을 설명하기로 한다.
더미 TFT(130)는 더미 화소 전극(122)에 비디오 신호를 충전한다. 이를 위하여, 더미 TFT(130)는 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 전극(106), 데이터 라인(104)과 접속된 소스 전극(108), 보호막(118)을 관통하는 화소 콘택홀(120)을 통해 더미 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 게이트 전극(106)에 의해 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 액티브층(114)를 구비한다.
액티브층(114)은 버퍼막(116)을 사이에 두고 하부 기판(101) 위에 형성된다. 게이트 라인(102)과 접속된 게이트 전극(106)은 액티브층(114)의 채널 영역(114C)과 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 중첩되게 형성된다. 소스 전극(108) 및 드 레인 전극(110)은 게이트 전극(106)과 층간 절연막(126)을 사이에 두고 절연되게 형성된다. 그리고, 데이터 라인(104)과 접속된 소스 전극(108)과, 드레인 전극(110)은 층간 절연막(126) 및 게이트 절연막(112)을 관통하는 소스 콘택홀(124S) 및 드레인 콘택홀(124D) 각각을 통해 N형 또는 P형 불순물이 주입된 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D) 각각과 접속된다. 또한, N형 불순물이 주입되는 경우, 액티브층(114)은 오프 전류를 감소시키기 위하여 채널 영역(114C)과 소스 및 드레인 영역(114S, 114D) 사이에 n- 불순물이 주입된 엘디디(Lightly Doped Drain ; LDD) 영역(미도시)을 더 구비하기도 한다.
라벨 패턴(140)은 비표시영역(172)의 게이트라인(102)과 데이터라인(104)의 교차로 마련된 각 더미 화소영역 내에 형성된다. 이 라벨 패턴(140)은 액티브층(114), 게이트 라인(102) 및 데이터라인(104) 중 적어도 어느 하나와 동일 물질로 동일 평면 상에 형성된다. 이러한 라벨 패턴(140)은 액정셀의 불량 검출 및 분석을 용이하기 위해서 신호라인(102,104)을 인식할 수 있는 숫자 또는 알파벳 등의 문자형태로 형성된다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 더미 화소 영역 내에 라벨 패턴(140)을 형성한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 구동 회로 영역과 비표시영역 사이의 종래 라벨 영역에 위치하는 라벨 패턴이 기판 상에 차지했던 크기, 예를 들어 0.1mm 이상의 공간을 줄일 수 있어 액정 표시 장치를 소형화할 수 있다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 한편, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 라벨 패턴은 액티브층, 게이트 금속층 및 소스/드레인 금속층 중 적어도 어느 하나로 형성되지만, 이하에서는 소스/드레인 금속층으로 형성된 경우를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 4a를 참조하면, 하부 기판(101) 상에 버퍼막(116)이 형성되고, 그 위에 액티브층(114)이 형성된다.
버퍼막(116)은 하부 기판(101) 상에 SiO2 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
액티브층(114)은 버퍼막(116) 상에 아몰퍼스-실리콘을 증착한 후 그 아몰퍼스-실리콘을 레이져로 결정화하여 폴리-실리콘이 되게 한 다음, 그 폴리-실리콘을 포토리소그래피 공정과 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다.
도 4b를 참조하면, 액티브층(114)이 형성된 버퍼막(116) 상에 게이트 절연막(112)이 형성되고, 그 위에 게이트 전극(106) 및 게이트 라인(102)을 포함하는 제1 도전 패턴군이 형성된다.
게이트 절연막(112)은 액티브층(114, 150)이 형성된 버퍼막(116) 상에 SiO2 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
게이트 전극(106) 및 게이트 라인(102)을 포함하는 제1 도전 패턴군은 게이트 절연막(112) 상에 게이트 금속층을 형성한 후, 그 게이트 금속층을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다.
그리고, 게이트 전극(106)을 마스크로 이용하여 제1 액티브층(114)에 n+ 불순물을 주입하여 게이트 전극(106)과 비중첩된 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D)이 형성된다. 이러한 액티브층(114)의 소스 및 드레인 영역(114S, 114D)은 게이트 전극(106)과 중첩되는 채널 영역(114C)을 사이에 두고 마주하게 된다.
도 4c를 참조하면, 제1 도전패턴군이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 층간 절연막(126)이 형성되고, 층간 절연막(126) 및 게이트 절연막(112)을 관통하는 소스 및 드레인 콘택홀(124S, 124D)이 형성된다.
층간 절연막(126)은 게이트 라인(102) 및 게이트 전극(106)을 포함하는 제1 도전패턴군이 형성된 게이트 절연막(112) 상에 SiO2 등과 같은 무기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 층간 절연막(126) 및 게이트 절연막(112)을 관통하여 액티브층(114)의 소스 및 드레인 영역(114S, 114D)을 각각 노출시키는 소스 및 드레인 콘택홀(124S, 124D)이 형성된다.
도 4d를 참조하면, 층간 절연막(126) 상에 데이터 라인(104), 소스 전극(108), 드레인 전극(110) 및 라벨 패턴(140)을 포함하는 제2 도전패턴군이 형성된다.
데이터 라인(104), 드레인 전극(110), 소스 전극(108) 및 라벨 패턴(140)을 포함하는 제2 도전 패턴군은 층간 절연막(126) 상에 소스/드레인 금속층을 형성한 후, 그 소스/드레인 금속층을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다.
소스 전극(104) 및 드레인 전극(110)은 소스 및 드레인 컨택홀(124S, 124D) 각각을 통해 제1 액티브층(114)의 소스 영역(114S) 및 드레인 영역(114D) 각각과 접속된다. 라벨 패턴(140)은 비표시 영역(172)에 위치하는 게이트라인(102)과 데이터라인(104)의 교차로 마련된 각 더미 화소 영역 내의 층간 절연막(126) 상에 형성된다.
도 4e를 참조하면, 제2 도전 패턴군이 형성된 층간 절연막(126) 상에 보호막(118)이 형성되고, 그 보호막(118)을 관통하는 화소 컨택홀(120)이 형성된다.
보호막(118)은 데이터 라인(104) 및 드레인 전극(110)이 형성된 층간 절연막(126) 상에 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질이 전면 증착되어 형성된다.
이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 보호막(118)을 관통하여 더미 TFT(130)의 드레인 전극(110)을 노출시키는 화소 콘택홀(120)이 형성된다.
도 4f를 참조하면, 보호막(118) 상에 더미 화소 전극(122)을 포함하는 제3 도전패턴군이 형성된다.
더미 화소 전극(122)은 보호막(118) 상에 투명 도전 물질을 증착한 후, 그 투명 도전 물질을 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 패터닝함으로써 형성된다. 이러한 더미 화소 전극(122)은 화소 컨택홀(120)을 통해 더미 TFT(130)의 드레인 전극(110)과 접속된다.
한편, 화상 표시 영역(174)의 화상 TFT(176)와 화소전극은 비표시 영역(72) 에 위치하는 더미 TFT(130) 및 더미 화소전극(122)과 동일 마스크로 동시에 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 이의 제조방법은 구동 회로 영역과 화상 표시 영역 사이의 비표시 영역에 위치하는 각 더미 화소 영역 내에 라벨 패턴을 형성한다. 이에 따라, 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 이의 제조방법은 라벨 패턴을 형성하기 위한 별도의 공간이 불필요하므로 기판의 크기, 즉 액정 표시 장치를 소형화할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (13)

  1. 화상을 구현하는 화상 표시영역과, 상기 화상 표시영역과 인접되게 위치하는 비표시영역을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 비표시영역의 각 더미 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과;
    상기 더미 화소 영역에 형성된 더미 화소 전극과;
    상기 게이트라인 및 데이터라인과 접속된 더미 박막트랜지스터와;
    상기 더미 화소 영역과 중첩되게 형성되는 라벨 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미 박막트랜지스터는
    상기 게이트 라인과 접속된 게이트 전극과;
    상기 데이터 라인과 접속된 소스 전극과;
    상기 화소 전극과 접속된 드레인 전극과;
    상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 폴리형 액티브층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 라벨 패턴은 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 액티브층 중 적어도 어느 하나와 동일 물질로 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 기판 상의 화상 표시영역에 위치하는 다수의 제1 액정셀과;
    상기 기판 상의 비표시영역에 위치하여 상기 제1 액정셀로 유입되는 불량을 차단하는 다수의 제2 액정셀과;
    상기 제2 액정셀 내에 형성되는 라벨 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 액정셀과 접속된 더미 박막트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 라벨 패턴은 상기 더미 박막트랜지스터의 액티브층, 게이트 전극 및 소스 전극 중 적어도 어느 하나와 동일 평면 상에 동일 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 액티브층은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 상에 내장되며 상기 화상 표시 영역의 신호라인을 구동하기 위한 구동회로부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 기판 상의 화상 표시 영역에 위치하는 다수의 제1 액정셀, 상기 기판 상의 비표시 영역에 위치하여 상기 제1 액정셀로 유입되는 불량을 차단하는 다수의 제2 액정셀을 포함하는 액정 표시 장치의 제조방법에 있어서,
    상기 제2 액정셀 내에 라벨 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 액정셀과 접속되는 더미 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 라벨 패턴을 형성하는 단계는
    상기 라벨 패턴을 상기 더미 박막트랜지스터의 액티브층, 게이트 전극 및 소 스 전극 중 적어도 어느 하나와 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 액티브층은 폴리 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 화상 표시 영역의 신호라인을 구동하기 위한 구동회로부를 상기 기판 상에 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100751380B1 (ko) * 2006-08-09 2007-08-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
KR101295535B1 (ko) * 2010-11-22 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101332048B1 (ko) * 2007-03-30 2013-11-22 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100751380B1 (ko) * 2006-08-09 2007-08-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
KR101332048B1 (ko) * 2007-03-30 2013-11-22 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
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