KR20060118161A - 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자 - Google Patents
혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060118161A KR20060118161A KR1020050040675A KR20050040675A KR20060118161A KR 20060118161 A KR20060118161 A KR 20060118161A KR 1020050040675 A KR1020050040675 A KR 1020050040675A KR 20050040675 A KR20050040675 A KR 20050040675A KR 20060118161 A KR20060118161 A KR 20060118161A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nanoparticles
- group
- compound
- refractive index
- coating material
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 GaN Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 241000764773 Inna Species 0.000 claims description 4
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- MJNSMKHQBIVKHV-UHFFFAOYSA-N selenium;trioctylphosphane Chemical compound [Se].CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC MJNSMKHQBIVKHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPZDIFSPRVHGIF-UHFFFAOYSA-N 3-aminopropylsilicon Chemical compound NCCC[Si] ZPZDIFSPRVHGIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOAUDAYOMHDUEU-UHFFFAOYSA-N 3-silylpropane-1-thiol Chemical compound [SiH3]CCCS AOAUDAYOMHDUEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHLSSLVZXJBVHE-UHFFFAOYSA-N 3-sulfanylpropan-1-ol Chemical compound OCCCS SHLSSLVZXJBVHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N disodium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Sn]([O-])=O TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002284 excitation--emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940079864 sodium stannate Drugs 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- PYKSLEHEVAWOTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutoxystannane Chemical compound CCCCO[Sn](OCCCC)(OCCCC)OCCCC PYKSLEHEVAWOTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
- Y10T428/2998—Coated including synthetic resin or polymer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 전자소자에서 발광체로 사용되는 나노입자에 관한 것이다. 빛을 받아 직접발광 하는 나노 입자의 표면에 굴절율이 다른 코팅 물질이 형성된 혼합 나노 입자를 포함한다. 본 발명의 코팅된 나노입자는 매트릭스의 굴절율과 발광체인 나노 입자의 굴절율의 중간 정도에 해당하는 굴절율을 가진 물질을 나노입자 표면에 일정 두께로 코팅 처리함으로써, 나노입자에서 방출되는 빛이 매트릭스에 의해 반사되어 나노입자로 재흡수 되는 정도를 억제할 수 있으므로, 빛이 외부로 효과적으로 전달될 수 있어, 발광효율이 뛰어난 발광체 및 이를 이용한 전자소자를 제공할 수 있다.
혼합 나노 입자, 소자 굴절율, 매트릭스, 응집 발광 효율
Description
도 1은 종래기술에 의해 광원으로부터 오는 빛을 발광체가 흡수하여 외부로발광하는 과정을 도시하는 개략도 이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의해 제조된 코팅된 나노입자가 매트릭스에 분산된 것을 도시하는 개략도이며,
도 3은 광원으로부터 오는 빛을 본 발명의 일 실시예인 코팅된 나노입자가 흡수하여 외부로 발광하는 과정을 도시하는 개략도 이고,
도 4a 는 코팅 전의 나노 입자의 구조에 대한 TEM 사진이며,
도 4b 는 실리카로 코팅된 나노입자의 구조에 대한 TEM 사진이고,
도 5는 실리카로 코팅된 나노입자의 성분에 대한 EDS 분석결과이며,
도 6은 코팅 전후 나노 입자의 광 흡수 스펙트럼을 나타낸 것이고,
도 7은 코팅 전후 나노 입자의 광 여기 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
본 발명은 전자소자에서 발광체로 사용되는 나노입자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자 발광 소자의 효율을 증대시키도록, 나노입자 표면에 나노입자의 굴절율 보다 굴절율이 낮은 물질로 코팅된 나노입자에 관한 것이다.
최근 나노입자를 전자소자의 발광체로 사용하고자 하는 시도가 많이 이루어 지고 있다. 이러한 나노입자 중에서도 연구가 활발한 것은 화합물 반도체 나노입자인 양자점(Quantum dot, QD)이다.
양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서 양자 제한(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 이러한 양자점은 여기원 (excitation source)으로부터 빛을 흡수하여받아 에너지 여기 상태에 이르면, 자체적으로 해당하는양자점의 에너지 밴드 갭 (band gap)에 해당하는따른 에너지를 방출하게 된다. 따라서, 양자점의 크기 또는 물질 조성을를 조절하게 되면 해당에너지 밴드 갭(band gap)을 조절할 수 있게 되어 다양한 빛을 발광할 수 있어 전자소자의 발광체로 이용될 수 있다. 얻을 수 있게 된다.
미국특허 제6,501,091호는 양자점을 매트릭스에 분산시켜 발광체로 이용한 발광 다이오드에 관하여 개시하고 있다. 상기 특허는 발광 다이오드를 제조하기 위해 양자점의 표면에 치환되어 있는 유기 리간드와 친화력이 좋은 단량체(monomer)와 소량의 촉매를 양자점과 혼합한 후 도포하고, 열을 가하여 양자점이 분산된 고분자를 제조하는 방법에 대하여 개시되어 있다.
도 1에 광원으로부터 오는 빛을 발광체가 흡수하여 외부로 발광하는 과정을 도시하였다.
매트릭스를 통하여 전달된 광원은 나노입자와 매트릭스의 계면에서 일부 빛 은 반사(S2)되고, 나머지는 발광체인 나노입자에 흡수된다. 이렇게 흡수된 빛은 나노입자의 에너지 상태를 여기 시켜 변화된 빛으로 방출된다 (Lout). 이때 나노입자와 매트릭스의 굴절율의 차이로 인하여 나노입자에서 발광되는 빛이 반사되면 다시 발광체에 재 흡수될 수 있으므로, 광 효율이 떨어지게 된다. 즉, 매트릭스의 굴절율(Nm)과 발광체(Np)의 굴절율 차이로 인하여, 매트릭스와 발광체의 계면에서 빛의 산란이 일어나므로, 광원 에너지의 흡수 효율이 떨어질 뿐 아니라, 발광체에서 방출되는 빛이 매트릭스와의 계면에서 반사되어 발광체로 재흡수 되어 발광효율이 낮아지게 된다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광체로 사용하는 나노입자의 표면에 나노입자보다 굴절율이 낮은 물질로 코팅하여 빛이 계면에서 산란되거나 재흡수 되어, 손실되는 빛을 최소화하여 발광효율을 증대시키는 코팅된 나노입자 및 상기 코팅된 나노 입자를 포함하는 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에서는 빛을 받아 발광하는 나노입자와, 상기 나노입자보다 굴절율이 낮은 코팅물질을 함유하는 코팅된 나노입자를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 코팅 물질은 상기 나노 입자 표면에 다층 구조로 형성되며, 상기 다층 구조의 하부의 굴절률이 상부의 굴절률보다 더 큰 것을 특징으 로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 코팅물질은 상기 나노입자 보다 굴절율이 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 코팅물질과 상기 나노입자의 굴절율 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 나노 입자는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,
상기 III-V족 화합물 반도체는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,
상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,
상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 나노입자는 무기형광체 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 무기형광체는 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ ; BaMg2Al16O27:Eu2+ ; Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu2+,Mn2+,; (CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 코팅물질은 SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, ZnS, In2O3-SnO2, Al2O3 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 나노입자를 발광시키는 빛은 400nm~2400nm의 파장범위인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 빛을 받아 발광하는 나노입자와, 상기 나노입자 보다 굴절율이 낮은 물질로 코팅된 나노입자를 발광체로 포함하는 전자 소자를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 빛을 받아 발광하는 나노입자와 상기 나노입자보다 굴절율이 낮은 물질로 코팅된 나노 입자로 구성된다.
도 3은 광원으로부터 오는 빛을 본 발명의 코팅된 나노입자가 흡수하여 발광하고 외부로 전달되는 과정을 도시한 것으로, 이를 통해서 본 발명의 코팅된 나노입자의 작용을 설명할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 코팅된 나노입자는 발광체인 나노입자(P)에 나노입자보다 낮은 굴절율을 갖는 물질(C)이 코팅되어 있다. 광원(L)에서 빛(Lin)이 조사되면, 공기와 매트릭스(M)의 굴절율 차이로 인해 매트릭스(M)의 표면에서 빛 (Lin)이 일부 반사(S1)되어 손실되고, 매트릭스(M)를 통과한 빛은 코팅물질(C)과의 계면에서 매트릭스(M)와 코팅물질(c)의 굴절율의 차이로 인해 일부 빛이 산란(S2)된다. 코팅물질(c)을 통과한 빛은 다시 나노입자(P)와의 계면에서 코팅물질(c)과 나노입자(P)의 굴절율의 차이로 인해 일부 빛이 산란(S3)되고 나머지 빛이 나노입자(P)에 흡수된다. 흡수된 빛은 나노입자(P)의 에너지 여기과정을 거쳐서 나노입자(P)에 의해 에너지가 변환되어 다른 파장의 빛으로 발광이 된다. 이 때 발광된 빛은 나노입자(P)와 매트릭스(M)의 굴절율 차이로 인하여, 계면에서 일부 빛이 반사되고 반사된 빛은 다시 나노입자에 의해 재흡수 될 수 있다. 반사되지 않은 나머지 빛(Lout)은 외부에서 관찰 할 수 있으며 최종적으로 발광소자의 효율을 결정하게 된다.
본 발명의 실시예에 의한 코팅된 나노입자는 나노입자의 표면에 상기 나노입자보다 굴절율이 낮은 코팅물질(C)이 존재한다. 따라서, 굴절율이 나노입자에 비하여 현저히 낮은 매트릭스의 굴절율(N1)과 나노입자의 굴절율(N3)의 차이로 인해 계면에서 산란 혹은 반사되어 재흡수 되는 빛의 양을 감소시킬 수 있다. 또한, 코팅물질은 나노입자의 표면을 더욱 안정화하여 발광효율 및 수명이 향상되는 부가적인 효과를 나타낼 수 있다.
본 발명에 있어서, 코팅 물질의 굴절률은 발광체인 나노입자의 굴절률보다 낮은 것이 바람직하고, 매트릭스의 굴절율 보다는 높은 것이 바람직하다.
본 발명의 나노입자는 광원의 빛을 받아서 발광하는 특성을 가진 입자이면 모두 사용될 수 있으며, 이러한 나노입자로는 화합물 반도체 양자점 및 무기 형광 체 등을 들 수 있다.
양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물에서 선택되는 것으로,
보다 자세하게는 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이며,
III-V족 화합물 반도체는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이며,
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이고,
IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것이다.
상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물의 경우, 그 결정구조는 부분적으로 나누어져 동일 입자 내에 존재하거나 합금 형태로 존재할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 무기형광체는 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+; BaMg2Al16O27:Eu2+; (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu2+,Mn2+,; CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+` 등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체 및 이들의 혼합물로 이루어진 것이다.
본 발명 혼합 나노입자의 코팅물질의 굴절율과 나노입자의 굴절율 차이는 이론적으로 0 이상일 경우에 가능하며, 바람직하게는 0.05 이상인 것이 좋고, 보다 바람직하게는 0.05 내지 2 범위의 굴절율 차이를 갖는 것이 좋으며,
상기 코팅물질은 SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, ZnS, In2O3-SnO2, Al2O3, SiC, AlN 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택하여 사용될 수 있다.
본 발명의 코팅물질의 두께는 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 1~10nm의 두께를 갖는 것이 좋다.
또한, 본 발명의 혼합 나노입자의 코팅물질은 상술한 물질 중 하나 이상으로 층을 이룰 수 있으며, 이러한 층이 여러 겹 쌓여 있는 다층구조를 가질 수 있다. 다층의 코팅물질을 갖는 경우에는 바깥에 있는 코팅물질의 굴절율이 가장 낮은 물질을 사용하고, 안으로 갈수록 굴절율이 큰 물질을 사용될 수 있다.
이렇게 여러 가지 굴절율을 갖는 다층구조의 코팅물질을 갖는 혼합나노입자 일수록 한 물질과 경계에 있는 물질 사이의 굴절율 차이가 적어질 수 있으며, 굴절율 차이가 적어지면 경계면에서 빛의 산란을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
본 발명의 혼합 나노입자를 분산시키는 매트릭스는 발광소자의 특성에 적합한 재질이 사용되며, 상기 코팅 물질의 굴절율 보다 더 낮은 굴절율을 갖는 것이 사용될 수 있으며, 매트릭스와 상기 코팅물질의 굴절율 차이는 이론적으로 0 이상일 경우에 가능하며, 바람직하게는 0.05 이상인 것이 좋다.
본 발명의 매트릭스는 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택하여 사용될 수 있다.
합성된 나노입자의 표면에 코팅하는 방법에는 결정면을 유지하면서 합성을 하는 결정성장방법, 나노입자 표면에 코팅물질의 전구체로 치환을 한 후 중합반응을 통하여 합성하는 표면개시중합반응 방법, 또는 비결정 코팅 방법 등이 있으며 본 발명의 일 실시예를 통해 제조하는 방법에 대해서 자세히 설명하고자 한다.
본 발명의 나노입자는 공지의 양자점 제조방법 중 화학적 습식합성법에 의해 제조할 수 있다. 화학적 습식합성법에 의해 나노 크기의 양자점을 합성하기 위해서는 질소 가스 또는 아르곤 가스 분위기와 같은 불활성 분위기 하에서 적절한 용매에 계면 활성제의 종류 및 농도를 조절하여 같이 넣어 결정 구조가 성장할 수 있는 반응 온도를 유지한다. 그리고, 양자점의 전구체 물질을 혼합 반응 용액에 주입하여, 양자점의 크기를 조절할 수 있도록 반응시간을 유지한 후 반응을 종료하고, 온도를 내린 후 용액에서 분리함으로써 제조할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 용매는 탄소수 6 내지 22의 알킬 포스핀, 탄소 수 6 내지 22의 알킬 포스핀 옥사이드, 탄소 수 6 내지 22의 알킬 아민, 탄소 수 6 내지 22의 알칸, 탄소 수 6 내지 22의 알켄 또는 그의 혼합물을 예로 들 수 있다. 결정성장을 용이하게 하면서 용매의 안정성을 보장하기 위한 바람직한 반응온도 범위는 섭씨 100도 내지 4004도이며 보다 바람직하게는 섭씨 180도 내지 360도이다. 그리고, 반응시간은 바람직하게는 1초 내지 4시간이며, 보다 바람직하게는 10초 내지 3시간이다.
한편, 화학적 습식합성법에 의해 제조된 양자점은 콜로이드 상태로 용매 내에 분산되어 있으므로, 원심분리를 통해 용매로부터 양자점을 분리해 낸다. 상기와 같이 분리해 낸 양자점을 비용매인 에탄올을 부가하여 다시 원심분리 한 후 침전을 활성기를 가진 용매에 분산시켜 교반하여 양자점에 활성기를 치환시킨다.
이렇게 제조된 활성기가 치환된 양자점에 코팅 물질의 전구체를 넣고, 일정 시간 동안 교반 시키면서 반응을 진행하면, 양자점의 표면에 코팅 층이 형성되게 된다.
본 발명에서 사용되는 상기 활성기는 피리딘(pyridine), 3-머캡토프로필알콜 (3-mercaptopropylalcohol), 3-머캡토프로필실란 (3-mercaptopropylsilane), 3-아미노프로필실란 (3-aminopropylsilane) 등을 예로 들 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용되는 코팅 물질의 전구체로는 트리에톡시실란 (Triethoxy silane), 트리메톡시실란 (Trimethoxy silane), 트리부톡시실란 (Tributhoxy silane), 소듐 실리케이트 (sodium silicate), 타이타늄 아이소프로폭사이드 (Titanium isopropoxide), 타이타늄 부톡사이드(Titanium butoxide), 틴 부톡사이드 (Tin butoxide), 소듐 스탄네이트 (sodium stannate) 등을 예로 들 수 있다.
상술한 방법으로 제조된 본 발명 혼합 나노입자의 구조는 도 4b에 도시된 바와 같다. 도 4b는 실리카로 코팅된 나노입자의 구조에 대한 TEM 사진이다. 도 4b를 통해서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 코팅된 나노입자는 입자주변에 비정형의 엷은 막을 갖고 있는 것을 알 수 있다. 그러나, 이에 비해 도 4a에 도시된, 이에 대비되는 코팅되지 않은 나노입자의 구조는 비정형 구조가 없는 결정 구조만이 관찰되는 것을 확인할 수 있다.
도 6과 도 7은 CdSeS 나노입자와 실리카로 코팅한 CdSeS/SiO2 나노입자의 UV 흡수 스펙트럼과 광 여기 발광 스펙트럼을 각각 나타낸 것이다.
도 6에 도시된 바와 같이, CdSeS 나노입자와 본 발명 CdSeS/SiO2 혼합 나노입자의 흡수파장과 흡수도가 동일한 조건에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 발광 세기는 CdSeS 나노입자에 비하여 본 발명의 CdSeS/SiO2 코팅된 나노입자가 약 1.2배 증가하였다. 이는 굴절률 2.4인 CdSeS 물질과 굴절률 1.4인 butanol 용매의 높은 굴절률 차이 때문에 일어나는 발광효율의 손실을 굴절률 1.5인 SiO2가 중간에 들어감으로써 줄여주기 때문으로 설명될 수 있다.
본 발명은 상술한 빛을 받아 발광하는 나노 입자와, 상기 나노 입자보다 굴절율이 작은 물질로 코팅된 나노 입자와, 상기 코팅된 나노 입자를 분산시키는 매트릭스와, 광원을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
본 발명의 전자소자는 발광체를 사용하는 모든 전자소자를 의미하는 것으로 이러한 전자소자로는 발광 다이오드, 레이져 다이오드, LCD, PDP 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 소자는 일 예로, 발광 다이오드는 도 8에 도시된 바와 같이, 혼합 나노 입자, 상기 혼합 나노 입자를 분시하는 매트릭스, 상기 매트릭스를 둘러싸는 몰딩(molding)용 수지 및 광원을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 혼합 나노입자를 분산시키는 매트릭스는 소자 광원에서 나오는 파장의 범위를 주로 흡수하지 않는 재질이 사용되며, 상기 코팅 물질의 굴절율 보다 더 낮은 굴절율을 갖는 것이 사용될 수 있으며, 매트릭스와 상기 코팅물질의 굴절율 차이는 이론적으로 0 이상일 경우에 가능하며, 바람직하게는 0.05 이상인 것이 좋다. 본 발명의 매트릭스는 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택하여 사용될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 광원의 파장은 나노입자를 발광시키는 파장이면 모두 사용될 수 있으며 일 예로, 광원의 파장은 400nm~2400nm의 범위가 사용될 수 있으며, 이러한 파장의 빛을 받은 본 발명의 혼합 나노입자는 400nm~2500nm 의 빛을 발 광할 수 있다.
또한, 상기와 같은 본 발명의 전자소자를 제조하기 위해서는 본 발명의 혼합 나노입자를 매트릭스에 분산시킨 후, 상기 매트릭스를 광원이 발광되는 소자의 칩 위에 도포 (dispensing)하고, 120?의 오븐에서 경화시켜 1차 도포 및 경화공정을 진행한다. 이렇게 1차 도포되어 경화된 혼합물을 램프 형태로 만들기 위하여, 몰딩할 수 있는 틀 속에 몰딩용 수지를 넣고, 1차 도포 및 경화 공정을 거친 칩을 잠기도록 하여 다시 경화시킨 후, 오븐에서 꺼낸다. 마지막으로, 틀을 제거하면 양자점 형광체를 발광체로 사용한 램프 형태의 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 설명의 목적을 위한 것으로, 들어 보다 상세하게 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1. 피리딘이 치환된 CdSeS 나노 입자 합성
트리옥틸아민 (Trioctylamine, 이하 TOA로 나타냄) 16g과 올레인산 (Oleic acid) 0.5g, 카드뮴 옥사이드 (Cadmium oxide) 0.4mmol을 동시에 환류 콘덴서가 설치된 125ml 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응 온도를 300℃로 조절하였다. 이와 별도로 Se 분말을 트리옥틸포스핀 (Trioctylphosphine, 이하 TOP로 나타냄)에 녹여서 Se 농도가 약 0.25M 정도인 Se-TOP 착물 용액을 만들고, S 분말을 TOP에 녹여서 S 농도가 약 1.0M 정도인 S-TOP 착물 용액을 만들었다. 상기 카드뮴을 포함한 반응 혼합물에 S-TOP 착물 용액 0.9ml와 Se-TOP 착물 용액 0.1ml의 혼합물을 빠른 속 도로 주입하고 4분 정도 더 교반하였다. 반응이 종결되면, 반응 혼합물의 온도를 가능한 빨리 떨어뜨리고, 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전을 톨루엔에 약 1wt% 용액이 되도록 분산시켰다.
이렇게 제조된 CdSeS 나노결정의 톨루엔 용액에 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시한 후, 침전을 pyridine에 분산시켜 약 30분간 교반 하였다. 교반 후 다시 비용매인 헥산을 부가하여 원심 분리를 실시하고, 침전을 부탄올(굴절율:1.4)에 약 1wt% 용액이 되도록 분산시켰다.
이렇게 부탄올에 분산된 CdSeS 용액의 광흡수 스펙트럼과 광여기 발광 스펙트럼을 도 6과 7에 각각 나타내었다.
실시예 2. 피리딘이 치환된 CdSeS 나노 결정을 SiO2로 코팅하는 공정
실시예 1에서 제조된 CdSeS 나노입자의 톨루엔 용액에 비용매 (non solvent)인 에탄올을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전을 pyridine에 분산시켜 약 30분간 상온에서 교반하였다. 교반 후 비용매인 헥산을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 다시 pyridine에 분산시킨 후 트리에톡시실란 (Triethoxy silane, 이하 TEOS로 나타냄) 0.1 mL를 가하여 약 3시간 정도 상온에서 교반시켜 CdSeS 표면에 SiO2 막이 형성되도록 하였다. 교반 후 비용매인 헥산을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전을 제외한 용액의 상등액을 버리고, 침전을 부탄올(굴절율: 1.4) 에 약 1wt% 용액이 되도록 분산시켰다. 분산된 나노 결정 용액의 광흡수 스펙트럼과 광여기 발광 스펙트럼이 도 6과 7에 각각 나타냈다.
실시예1에서 제조된 CdSeS 나노 입자는 도4a 에 도시된 바와 같고, 실시예2의 방법으로 제조된 실리카로 코팅된 나노입자는 도 4b에 도시된 바와 같다. 실리카를 코팅한 실시예 2의 코팅된 나노입자는 입자 주변에 비정형의 엷은 막이 보이지만, 실리카를 처리하지 않은 실시예1의 나노입자는 입자자체만이 관찰되는 것을 알 수 있었다.
실시예 2의 코팅된 나노입자의 성분을 분석하기 위해서, EDS(Energy Dispersive Spectroscopy)를 통해 확인한 결과 도 5에 도시된 바와 같이, Cd, Se, S 원소이외에 Si와 O가 검출되었으며 이를 통해서 실시예 2의 코팅된 나노입자에 화합물 반도체 물질 이외에 코팅물질인 실리카 성분을 갖고 있다는 것을 알 수 있었다.
본 발명에 따른 코팅된 나노 입자는 광원으로부터 오는 빛의 산란되는 양을 조절하고, 나노 입자에서 발생되는 빛의 반사를 줄여 외부로 효과적으로 전달할 수 있으므로 발광 효율이 높은 발광체를 제공할 수 있으며, 이를 발광체로 사용한 전자 소자는 발광효율이 향상되는 효과를 나타낼 수 있다.
Claims (27)
- 빛을 받아 발광하는 나노 입자; 및상기 나노 입자와 다른 굴절율을 가지며, 상기 나노 입자 표면에 형성된 코팅 물질;을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 1항에 있어서,상기 코팅 물질은 상기 나노 입자 표면에 다층 구조로 형성되며, 상기 다층 구조의 하부의 굴절률이 상부의 굴절률보다 더 큰 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 1항에 있어서,상기 코팅물질은 상기 나노입자 보다 굴절율이 작은 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅물질과 상기 나노입자의 굴절율 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 1항에 있어서,상기 나노 입자는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 5항에 있어서,상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,상기 III-V족 화합물 반도체는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 6항에 있어서,상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 1항에 있어서,상기 나노입자는 무기형광체 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합 나노입자.
- 제 8항에 있어서, 상기 무기형광체는 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ ; BaMg2Al16O27:Eu2+ ; Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu2+,Mn2+,; (CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합 나노입자.
- 제 1항에 있어서,상기 코팅물질은 SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, ZnS, In2O3-SnO2, Al2O3 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 제 1항에 있어서,상기 나노입자를 발광시키는 빛은 400nm~2400nm의 파장범위인 것을 특징으로 하는 혼합 나노 입자.
- 빛을 받아 발광하는 나노 입자; 및상기 나노 입자와 다른 굴절율을 가지며, 상기 나노 입자 표면에 형성된 코팅물질;을 포함하는 혼합 나노 입자를 발광체로 포함하는 전자 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 코팅 물질은 상기 나노 입자 표면에 다층 구조로 형성되며, 상기 다층 구조의 하부의 굴절률이 상부의 굴절률보다 더 큰 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 코팅물질은 상기 나노입자 보다 굴절율이 작은 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅물질과 상기 나노입자의 굴절율 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 전자소자는 발광 다이오드, 레이져 다이오드, LCD 또는 PDP 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항에 있어서,상기 전자 소자는상기 혼합 나노 입자 발광체;상기 혼합 나노입자를 분산시키는 매트릭스; 및상기 매트릭스에 관을 조사하는 광원;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 입자는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물 또는 이들의 혼합물에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 18항에 있어서,상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,상기 III-V족 화합물 반도체는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 등의 이원소 화합 물 또는 SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 등의 삼원소 화합물 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며,상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 19항에 있어서,상기 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 화합물이 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노입자는 무기형광체 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 21항에 있어서,상기 무기형광체는 YBO3:Ce3+,Tb3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+; ZnS:Cu,Al; Ca8Mg(SiO4)4Cl2: Eu2+,Mn2+; Ba2SiO4: Eu2+; (Ba,Sr)2SiO4:Eu2+; Ba2(Mg, Zn)Si2O7:Eu2+; (Ba,Sr)Al2O4: Eu2+; Sr2Si3O8.2SrCl2:Eu2+; (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+; BaMgAl10O17:Eu2+ ; BaMg2Al16O27:Eu2+ ; Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu2+,Mn2+,; (CaLa2S4:Ce3+; SrY2S4: Eu2+ ; (Ca,Sr)S: Eu2+; SrS:Eu2+ ; Y2O3: Eu3+,Bi3+; YVO4: Eu3+,Bi3+;Y2O2S:Eu3+,Bi3+; Y2O2S:Eu3+ 등으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나의 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅물질은 SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, ZnS, In2O3-SnO2, Al2O3 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 광원이 400nm ~ 2400nm범위의 파장을 나타내는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 매트릭스는 상기 혼합 나노입자의 코팅 물질의 굴절율 보다 더 낮은 굴 절율을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 매트릭스와 상기 혼합 나노입자의 코팅물질의 굴절율 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 전자 소자.
- 제 17항에 있어서,상기 매트릭스는 에폭시, 실리콘, 아크릴계 고분자, 유리, 카보네이트계 고분자 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050040675A KR101111747B1 (ko) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자 |
| JP2006136915A JP2006322001A (ja) | 2005-05-16 | 2006-05-16 | コーティングされたナノ粒子およびそれを利用した電子素子 |
| US11/434,219 US7842385B2 (en) | 2005-05-16 | 2006-05-16 | Coated nano particle and electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050040675A KR101111747B1 (ko) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060118161A true KR20060118161A (ko) | 2006-11-23 |
| KR101111747B1 KR101111747B1 (ko) | 2012-06-12 |
Family
ID=37541897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050040675A KR101111747B1 (ko) | 2005-05-16 | 2005-05-16 | 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7842385B2 (ko) |
| JP (1) | JP2006322001A (ko) |
| KR (1) | KR101111747B1 (ko) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100900866B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2009-06-04 | 삼성전자주식회사 | 나노결정-금속산화물 복합체를 이용하는 발광 다이오드소자 및 그의 제조방법 |
| WO2011099760A3 (ko) * | 2010-02-09 | 2012-01-05 | 서강대학교산학협력단 | 입자 및 그 제조방법 |
| KR101227575B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2013-01-29 | 인하대학교 산학협력단 | 발광효율이 향상된 산화아연 나노로드 발광체 및 발광효율 향상방법 |
| KR101290251B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2013-07-30 | 삼성전자주식회사 | 복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자 |
| KR101298718B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2013-08-21 | 신언상 | 나노 확산판의 제조 방법 및 이를 이용하는 ｌｅｄ 조명용 확산판 |
| KR101334694B1 (ko) * | 2011-11-04 | 2013-12-02 | 한국기계연구원 | 두꺼운 껍질을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법 및 이를 포함하는 광변환 발광다이오드 |
| KR101462657B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노 결정 복합체 |
| KR20160109077A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 코어/쉘 구조를 가지는 나노결정, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자소자 |
| CN114014663A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-02-08 | 河南城建学院 | 一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US9297092B2 (en) | 2005-06-05 | 2016-03-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US8849087B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-09-30 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| EP2041478B1 (en) * | 2006-03-07 | 2014-08-06 | QD Vision, Inc. | An article including semiconductor nanocrystals |
| US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US8836212B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
| KR100853086B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2008-08-19 | 삼성전자주식회사 | 나노결정-금속산화물 복합체 및 그의 제조방법 |
| WO2009014590A2 (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions and methods including depositing nanomaterial |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
| JP5371011B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2013-12-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 新規ナノ粒子発光体 |
| US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
| WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
| WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
| JPWO2010016289A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2012-01-19 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 量子ドットを含有する蛍光標識剤 |
| KR101462655B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2014-12-02 | 삼성전자 주식회사 | 나노결정-금속 산화물 복합체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노결정-금속 산화물 복합체 |
| WO2011038111A1 (en) | 2009-09-23 | 2011-03-31 | Crystalplex Corporation | Passivated nanoparticles |
| CN102834484B (zh) * | 2010-04-09 | 2016-03-23 | 日立化成工业株式会社 | 球状荧光体、波长转换型太阳能电池密封材料、太阳能电池模块、和它们的制造方法 |
| JP2012229373A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Panasonic Corp | 被覆蛍光体及び発光装置 |
| US20140339497A1 (en) * | 2011-06-20 | 2014-11-20 | Crystalplex Corporation | Stabilized nanocrystals |
| US10539297B2 (en) * | 2011-06-20 | 2020-01-21 | Crystalplex Corporation | Quantum dot containing light module |
| US9605202B2 (en) * | 2012-03-29 | 2017-03-28 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. | Silicate luminescent materials doped with metal nano particles and preparation methods therefor |
| JP5872735B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-03-01 | オーシャンズ キング ライティング サイエンス アンド テクノロジー シーオー．，エルティーディー | チタン酸塩発光材料、及び、その製造方法 |
| US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
| US20140170786A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Juanita N. Kurtin | Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same |
| CN103642495B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-05-20 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种核壳结构的发光材料及其制备方法 |
| JP6283257B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2018-02-21 | シャープ株式会社 | ナノ粒子蛍光体及びその製造方法 |
| US9376616B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nanoparticle phosphor and method for manufacturing the same, semiconductor nanoparticle phosphor and light emitting element containing semiconductor nanoparticle phosphor, wavelength converter and light emitting device |
| EP3971262B1 (en) | 2014-05-29 | 2024-04-24 | Tectus Corporation | Dispersion system for quantum dots |
| US9780266B2 (en) * | 2015-06-30 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | Stabilized quantum dot structure and method of making a stabilized quantum dot structure |
| JP6164258B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2017-07-19 | 日立化成株式会社 | 太陽電池モジュール |
| CN108291872A (zh) * | 2015-08-28 | 2018-07-17 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 纳米粒子的筛选方法及筛选系统、与纳米粒子及其制造方法 |
| CA3024847A1 (en) | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Crystalplex Corporation | Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them |
| WO2018080936A1 (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Intematix Corporation | Coated narrow band green phosphor |
| CN110386822B (zh) * | 2018-04-19 | 2021-02-26 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种复相荧光陶瓷及其制备方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3501498B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2004-03-02 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| US5932309A (en) * | 1995-09-28 | 1999-08-03 | Alliedsignal Inc. | Colored articles and compositions and methods for their fabrication |
| JP3670395B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2005-07-13 | 日鉄鉱業株式会社 | 多層膜被覆粉体およびその製造方法 |
| JP3310551B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2002-08-05 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US6652967B2 (en) * | 2001-08-08 | 2003-11-25 | Nanoproducts Corporation | Nano-dispersed powders and methods for their manufacture |
| EP0985007B2 (en) * | 1997-02-24 | 2010-11-03 | Cabot Corporation | Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
| US6501091B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
| US6918946B2 (en) * | 2001-07-02 | 2005-07-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Applications of light-emitting nanoparticles |
| US6846565B2 (en) * | 2001-07-02 | 2005-01-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Light-emitting nanoparticles and method of making same |
| US20030066998A1 (en) | 2001-08-02 | 2003-04-10 | Lee Howard Wing Hoon | Quantum dots of Group IV semiconductor materials |
| US7005669B1 (en) | 2001-08-02 | 2006-02-28 | Ultradots, Inc. | Quantum dots, nanocomposite materials with quantum dots, devices with quantum dots, and related fabrication methods |
| US6710366B1 (en) * | 2001-08-02 | 2004-03-23 | Ultradots, Inc. | Nanocomposite materials with engineered properties |
| US7524630B2 (en) * | 2002-04-22 | 2009-04-28 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Functionalized nanoparticles and methods of use |
| US6870311B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-03-22 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light-emitting devices utilizing nanoparticles |
| AU2003248074A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-02-02 | Futaba Corporation | Composite nanoparticle and process for producing the same |
| JP2004071908A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| WO2004022637A2 (en) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Nanosys, Inc. | Nanocomposites |
| US7332211B1 (en) * | 2002-11-07 | 2008-02-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Layered materials including nanoparticles |
| JP4529349B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2010-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系蛍光体および発光装置 |
| US7081295B2 (en) * | 2003-08-18 | 2006-07-25 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a polymethylmethacrylate core shell nanocomposite optical plastic article |
| JP4270500B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2009-06-03 | 双葉電子工業株式会社 | ナノクリスタル蛍光体の製造方法 |
| US20050069726A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Douglas Elliot Paul | Light emitting composite material and devices thereof |
| JP2005139389A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 半導体超微粒子 |
| JP2006232949A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 蛍光体粒子の処理方法、発光装置、蛍光体粒子 |
| US7172811B2 (en) * | 2005-03-24 | 2007-02-06 | 3M Innovative Properties Company | Methods of preparing polymer nanocomposite having surface modified nanoparticles |
| KR100745745B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노복합재료 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-05-16 KR KR1020050040675A patent/KR101111747B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-05-16 JP JP2006136915A patent/JP2006322001A/ja active Pending
- 2006-05-16 US US11/434,219 patent/US7842385B2/en active Active
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101290251B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2013-07-30 | 삼성전자주식회사 | 복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자 |
| KR100900866B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2009-06-04 | 삼성전자주식회사 | 나노결정-금속산화물 복합체를 이용하는 발광 다이오드소자 및 그의 제조방법 |
| US8362504B2 (en) | 2007-05-09 | 2013-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode device using nanocrystal-metal oxide composite and method for fabricating the same |
| KR101462657B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노 결정 복합체 |
| WO2011099760A3 (ko) * | 2010-02-09 | 2012-01-05 | 서강대학교산학협력단 | 입자 및 그 제조방법 |
| US9514936B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-12-06 | Industry-University Cooperation Foundation Sogang University | Particle and method for manufacturing same |
| KR101227575B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2013-01-29 | 인하대학교 산학협력단 | 발광효율이 향상된 산화아연 나노로드 발광체 및 발광효율 향상방법 |
| KR101334694B1 (ko) * | 2011-11-04 | 2013-12-02 | 한국기계연구원 | 두꺼운 껍질을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점 제조방법 및 이를 포함하는 광변환 발광다이오드 |
| KR101298718B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2013-08-21 | 신언상 | 나노 확산판의 제조 방법 및 이를 이용하는 ｌｅｄ 조명용 확산판 |
| KR20160109077A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 코어/쉘 구조를 가지는 나노결정, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자소자 |
| CN114014663A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-02-08 | 河南城建学院 | 一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法 |
| CN114014663B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-01-31 | 河南城建学院 | 一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7842385B2 (en) | 2010-11-30 |
| JP2006322001A (ja) | 2006-11-30 |
| KR101111747B1 (ko) | 2012-06-12 |
| US20070087197A1 (en) | 2007-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101111747B1 (ko) | 혼합 나노 입자 및 이를 이용한 전자소자 | |
| US9902902B2 (en) | Quantum dot phosphor for light emitting diode and method of preparing the same | |
| KR100745744B1 (ko) | 나노 입자 코팅 방법 | |
| TWI615457B (zh) | 發光材料與發光材料的製備方法 | |
| KR101462651B1 (ko) | 나노결정 혼합물 및 그를 이용하는 발광 다이오드 | |
| KR101018111B1 (ko) | 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치 | |
| US20130146834A1 (en) | Quantum dot-matrix thin film and method of producing the same | |
| KR101176510B1 (ko) | 양자점을 이용한 ｌｅｄ 램프 및 제조방법 | |
| KR20080006906A (ko) | 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법 | |
| US9410082B2 (en) | Semiconductor phosphor nanoparticle and light-emitting device including the same | |
| KR101908235B1 (ko) | 양자점파우더 및 이를 이용한 광학부재 | |
| KR102309848B1 (ko) | 양자점 나노입자 및 이의 제조방법 | |
| US20200127174A1 (en) | Light emitting diode package with enhanced quantum dot reliability | |
| KR101878371B1 (ko) | 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물의 제조방법 | |
| TWI752759B (zh) | 增益型光擴散薄膜構造 | |
| KR102275902B1 (ko) | 양자점-고분자 복합체 입자 및 이의 제조방법 | |
| US20230028670A1 (en) | Method of manufacturing multi-component semiconductor nanocrystal, multi-component semiconductor nanocrystal, and quantum dot including the same | |
| KR101921611B1 (ko) | 반도체 나노결정 필름 | |
| CN116769462A (zh) | 量子点、其形成方法及包括其的发光装置 | |
| KR100990303B1 (ko) | 나노결정 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191226 Year of fee payment: 9 |