KR20060103619A - 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Description
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- 기판;상기 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상의 일부에 요철이 형성된 n-GaN 또는 InGaN층; 및상기 n-GaN 또는 InGaN층 요철을 포함하는 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 전극층을 포함하는 발광 다이오드.
- 청구항 1에 있어서,상기 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 전극층은 Ni, Al, Ti, Au 등의 금속 원소를 사용한 광투과성 전극 또는 ITO인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 기판 상에 n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 n-GaN 또는 InGaN층을 성장시키는 단계;상기 n-GaN 또는 InGaN층을 식각하여 상기 p형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키며 요철을 형성하는 단계;상기 n-GaN 또는 InGan층의 요철을 포함하는 p형 질화물 반도체층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
- 청구항 4에 있어서,상기 n-GaN 또는 InGaN 층은 10 내지 1000Å의 두께로 성장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
- 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,상기 n-GaN 또는 InGan층의 식각 공정은 상기 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층, n-GaN 또는 InGaN 층이 순차적으로 형성된 기판을 KOH 또는 NaOH 용액 상에서 Pt 전극과 Hg 램프를 이용하여 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050025413A KR100634306B1 (ko) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
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---|---|---|---|
KR1020050025413A KR100634306B1 (ko) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060103619A true KR20060103619A (ko) | 2006-10-04 |
KR100634306B1 KR100634306B1 (ko) | 2006-10-16 |
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ID=37623508
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---|---|---|---|
KR1020050025413A KR100634306B1 (ko) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100634306B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100812738B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2008-03-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 요철 형성방법 및 그를 이용한 질화물계 반도체발광소자의 제조방법 |
US8106404B2 (en) | 2008-11-20 | 2012-01-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
WO2016021853A1 (ko) * | 2014-08-04 | 2016-02-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101081169B1 (ko) | 2010-04-05 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법, 발광 소자 패키지, 조명 시스템 |
US8664679B2 (en) * | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
US9012921B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting devices having light coupling layers |
-
2005
- 2005-03-28 KR KR1020050025413A patent/KR100634306B1/ko active IP Right Grant
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KR20160016236A (ko) * | 2014-08-04 | 2016-02-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
US10008633B2 (en) | 2014-08-04 | 2018-06-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting diode and lighting system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100634306B1 (ko) | 2006-10-16 |
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